WO2023281853A1 - 発光装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

輝度に優れた発光装置及び発光装置を用いた電子機器を提供する。　発光装置が、第１の副画素と、前記第１の副画素と色種の異なる第２の副画素及び第３の副画素と、を備え、前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、所定の色種で発光する第１の発光層を有し、前記第３の副画素は、前記第１の発光層に対して積層され前記第１の発光層とは発光色の異なる第２の発光層を有する。

Description

発光装置及び電子機器

　本開示は、発光装置及び電子機器に関する。

　表示装置などの発光層を有する発光装置は、ＡＲ（ＡｕｇｍｅｎｔｅｄＲｅａｌｉｔｙ）やＶＲ（ＶｉｒｔｕａｌＲｅａｌｉｔｙ）など様々な分野で使用されている。発光装置には、副画素ごとに分離された発光層を有する方式（塗り分け方式）で形成されたものや、副画素に応じたカラーフィルタと副画素に共通した白色の発光層を有する方式で形成されたものが知られている。また、発光装置には、特許文献１に示すように、副画素ごとに分離された発光層を積層したものが知られている。

特開２０１０－２７５９５号公報

　特許文献１などに示すような発光装置には、輝度向上の点で改善の余地がある。

　本開示は、上述した点に鑑みてなされたものであり、輝度に優れた発光装置及び発光装置を用いた電子機器の提供を目的の一つとする。

　本開示は、例えば、（１）第１の副画素と、
　前記第１の副画素と色種の異なる第２の副画素及び第３の副画素と、を備え、
　前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、所定の色種で発光する第１の発光層を有し、
　前記第３の副画素は、前記第１の発光層に対して積層され前記第１の発光層とは発光色の異なる第２の発光層を有する、
　発光装置である。

　本開示は、例えば、（２）上記（１）記載の表示装置を備えた電子機器であってもよい。

図１は、第１の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図２Ａは、表示装置の実施例の一つを説明するための平面図である。図２Ｂ、図２Ｃは、図２Ａにおける破線で囲まれた領域ＸＳの副画素のレイアウトを示す平面図である。 図３Ａは、第１の実施形態にかかる表示装置における第１の発光層の一実施例を説明するための断面図である。図３Ｂは、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例における第１の発光層の一実施例を説明するための断面図である。 図４は、第１の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図５は、第１の実施形態にかかる表示装置の電極構造を説明するための平面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図８Ａ及び図８Ｂは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図９Ａ及び図９Ｂは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂは、第１の実施形態にかかる表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図１１は、第１の実施形態にかかる表示装置の画素の光取り出し機構を説明するための図である。 図１２は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための表である。 図１３Ａ、図１３Ｂは、第１の実施形態にかかる表示装置の副画素のレイアウトの一実施例を示す平面図である。 図１４は、第１の実施形態にかかる表示装置の変形例を説明するための平面図である。 図１５は、第２の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図１６は、第３の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図１７Ａ、図１７Ｂは、第３の実施形態にかかる表示装置における共振器構造の一実施例を説明するための要部断面図である。 図１８は、第４の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図１９は、第５の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図２０は、第６の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図２１は、第６の実施形態にかかる表示装置の画素の光取り出し機構を説明するための図である。 図２２は、第６の実施形態にかかる表示装置の一実施例を説明するための断面図である。 図２３Ａ、図２３Ｂは、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。 図２４は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。 図２５は、表示装置を用いた電子機器の一実施例を説明するための図である。

　以下、本開示にかかる一実施例等について図面を参照しながら説明する。なお、説明は以下の順序で行う。本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

　なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．第１の実施形態
２．第２の実施形態
３．第３の実施形態
４．第４の実施形態
５．第５の実施形態
６．第６の実施形態
７．電子機器
８．照明装置

　以下の説明は本開示の好適な具体例であり、本開示の内容は、これらの実施の形態等に限定されるものではない。また、以下の説明において、説明の便宜を考慮して前後、左右、上下等の方向を示すが、本開示の内容はこれらの方向に限定されるものではない。図１、図２の例では、Ｚ軸方向を上下方向（上側が＋Ｚ方向、下側が－Ｚ方向）、Ｘ軸方向を前後方向（前側が＋Ｘ方向、後ろ側が－Ｘ方向）、Ｙ軸方向を左右方向（右側が＋Ｙ方向、左側が－Ｙ方向）であるものとし、これに基づき説明を行う。これは、図３から図２２についても同様である。図１等の各図に示す各層の大きさや厚みの相対的な大小比率は便宜上の記載であり、実際の大小比率を限定するものではない。これらの方向に関する定めや大小比率については、図２から図２２の各図についても同様である。

　本開示に係る発光装置は、例えば表示装置や照明装置等を挙げることができる。以下の第１の実施形態から第６の実施形態については、発光装置が表示装置である場合について説明する。

［１　第１の実施形態］
［１－１　表示装置の構成］
　本開示の一実施形態に係る表示装置の一実施例としての有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置１０（以下、単に「表示装置１０」という。）について以下に説明する。図１は、表示装置１０の一構成例を示す断面図である。表示装置１０は、駆動基板１１と、複数の発光素子１０４Ａ、１０４Ｂとを備える。なお、図１では、説明の便宜上、後述する充填樹脂層及び対向基板の記載を省略している。このことは、図２から図２２についても同様である。

　表示装置１０は、トップエミッション方式の表示装置である。表示装置１０は、駆動基板１１が表示装置１０の裏面側に位置し、駆動基板１１から発光素子１０４に向かう方向（＋Ｚ方向）が表示装置１０の表面側（表示領域１０Ａでの表示面側、上面側）方向となっている。以下の説明において、表示装置１０を構成する各層において、表示装置１０の表示領域１０Ａでの表示面側となる面を第１の面（上面）といい、表示装置１０の裏面側となる面を第２の面（下面）という。

（副画素の構成）
　図１に示す表示装置１０の例では、１つの画素が、複数の色種に対応した複数の副画素の組み合わせで形成されている。表示装置１０に設けられる複数の画素について、図１の例では、１つの画素は、第１の副画素、第２の副画素及び第３の副画素の組み合わせを有する。また、第１の副画素、第２の副画素及び第３の副画素は、複数の色種のうちの所定の色種に対応した副画素となっている。また、この例では、複数の色種として赤色、緑色、青色の３色が定められ、第１の副画素として副画素１０１Ｒ、第２の副画素として副画素１０１Ｇ、第３の副画素として副画素１０１Ｂの３種が設けられる。第１の実施形態において、上記の３種の副画素の組み合わせを用いた場合を例として説明する場合においては、第１の副画素を副画素１０１Ｒ、第２の副画素を副画素１０１Ｇ、第３の副画素を副画素１０１Ｂと呼ぶことがある。このことは第２の実施形態から第６の実施形態についても同様である。副画素１０１Ｒ、副画素１０１Ｇ、副画素１０１Ｂは、それぞれ赤色の副画素、緑色の副画素、青色の副画素であり、それぞれ赤色、緑色、青色を発光色として、それぞれ赤色、緑色、青色の表示を行う。ただし、図１の例は、一例であり、複数の副画素の色種を限定するものではない。また、赤色、緑色、青色の各色種に対応する光の波長は、例えば、それぞれ６１０ｎｍから６５０ｎｍの範囲、５１０ｎｍから５９０ｎｍの範囲、４４０ｎｍから４８０ｎｍの範囲にある波長として定めることができる。また、個々の副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂのレイアウトは、図２Ｂ、図２Ｃの例では、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇが短冊状（ストライプ状のレイアウト）となっており、副画素１０１Ｂが、副画素１０１Ｒと副画素１０１Ｇの全体を覆う形状（図１の例では正方形状）のレイアウトとなっている。したがって図２Ｂ、２Ｃの例では、副画素１０１Ｂの大きさは、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇのそれぞれの大きさよりも大きい。そして副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂの組み合わせが、表示領域１０Ａの広がる方向に沿って、マトリクス状に二次元的に設けられている。図２Ｂは、図２Ａの表示領域１０Ａに形成される表示内の一部の領域の副画素１０１Ｂを拡大した状態を説明する図である。図２Ｃは、図２Ｂの副画素１０１Ｂとともに１画素を構成する副画素１０１Ｒ、１０１Ｇを拡大した状態を説明する図である。図２Ａは、第１の実施形態にかかる表示装置１０の表示領域１０Ａを説明するための図である。また図２Ａ中、符号１０Ｂは、表示領域１０Ａの外側部分を示す。

　なお、図１において、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂの記載にあわせて、第１の面側にＲ、Ｇ、Ｂを内部に配置した太矢印が記載されているが、これらは各位置から表示装置の表示面から出射される光の色種を示している。例えば、文字Ｒを内部に配置した太矢印は、赤色光が出射することを示し、文字Ｇを内部に配置した太矢印は、緑色光が出射することを示し、文字Ｂを内部に配置した太矢印は、青色光が出射することを示す。このことは、図２から図２２についても同様であるものとする。なお、図２０、図２２について、文字Ｙを内部に配置した太矢印は、黄色光が出射することを示し、文字ＲＧを内部に配置した太矢印は、赤色光と緑色光をあわせた光が出射することを示す。

　以下の説明では、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂを特に区別しない場合、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂは、副画素１０１との語で総称される。このことは第２の実施形態から第６の実施形態についても同様である。

（駆動基板）
　駆動基板１１は、基板１１Ａに複数の発光素子（発光素子１０４Ａ、１０４Ｂ）を駆動する各種回路を設けている。各種回路としては、発光素子（発光素子１０４Ａ、１０４Ｂ）の駆動を制御する駆動回路、複数の発光素子に電力を供給する電源回路（いずれも図示せず）を例示することができる。

　基板１１Ａは、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、基板１１Ａは、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等であってもよい。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。

　駆動基板１１の第１の面には、複数のコンタクトプラグ（図示せず）が設けられる。コンタクトプラグは、発光素子１０４Ａ及び発光素子１０４Ｂと、基板１１Ａに設けられた各種回路と、を接続する。

（発光素子）
　表示装置１０では、駆動基板１１の第１の面上に、複数の発光素子が設けられている。図１、図２等の例では、発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子となっている。また、この例では、１つの画素に複数の発光素子が備えられており、それら複数の発光素子として、発光素子１０４Ａと発光素子１０４Ｂとが備えられる。発光素子１０４Ａは、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇに形成される。発光素子１０４Ａのうち、副画素１０１Ｒに対応する部分を発光素子１０４ＡＲと記載する。発光素子１０４Ａのうち、副画素１０１Ｇに対応する部分を発光素子１０４ＡＧと記載する。また、発光素子１０４Ｂは、副画素１０１Ｂに形成される。特に、発光素子１０４Ｂが副画素１０１Ｂに対応することを明示する場合には、発光素子１０４ＢＢと記載する。なお、発光素子１０４ＡＲ、１０４ＡＧ、１０４ＢＢの区別をしない場合には、発光素子１０４ＡＲ、１０４ＡＧ、１０４ＢＢは、発光素子１０４との語で総称する。

　発光素子１０４Ａのレイアウトは、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇに応じたレイアウトとなっている。発光素子１０４Ｂのレイアウトは、副画素１０１Ｂに応じたレイアウトとなっている。なお、図１、図２等の例では、副画素１０１Ｂの大きさが、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇの大きさよりも大きい。また１画素あたりにおいて、表示領域１０Ａの平面視上、発光素子１０４ＢＢの形成領域は、発光素子１０４ＡＲ、１０４ＡＧの形成部分のいずれの領域よりも大きい。このため、１画素あたりでの副画素１０１の発光領域の大きさについて、発光素子１０４Ａ（発光素子１０４ＡＲ）による副画素１０１Ｒの発光領域の大きさ（広さ）よりも発光素子１０４Ｂによる副画素１０１Ｂの発光領域の大きさのほうが大きい状態を形成することができる。また、発光素子１０４Ａ（発光素子１０４ＡＧ）による副画素１０１Ｇの発光領域の大きさよりも発光素子１０４Ｂによる副画素１０１Ｂの発光領域の大きさのほうが大きい状態を形成することができる。

　発光素子１０４Ａは、第１の電極１３と、第１の発光層１４と、第２の電極１５とを備える。したがって副画素１０１Ｒ、１０１Ｇは、第１の電極１３と、第１の発光層１４と、第２の電極１５を有する。図１の例では、第１の電極１３と、第１の発光層１４と、第２の電極１５は、第２の面から第１の面に向かう方向に順に（駆動基板１１に近い方から順に）（＋Ｚ軸方向に沿って）積層されている。第１の電極１３と第２の電極１５は、第１の発光層１４に電界をかける一対の電極を形成する。

　発光素子１０４Ｂは、第２の発光層１６と、第３の電極１７とを備えており、後述するように第２の電極１５を発光素子１０４Ａと共通させている。したがって、副画素１０１Ｂは、第３の電極１７と、第２の発光層１６を有しており、第２の電極１５を発光素子１０４Ａと共有している。図１の例では、第２の電極１５と、第２の発光層１６と、第３の電極１７は、第２の面から第１の面に向かう方向に順に積層されている。第２の電極１５と第３の電極１７は、第２の発光層１６に電界をかける一対の電極を形成する。

（第１の電極）
　第１の電極１３は、駆動基板１１の第１の面側に複数設けられる。第１の電極１３は、後述する絶縁層１２で副画素１０１毎に、電気的に分離されている。図１の例では、第１の電極１３は、第１の副画素としての副画素１０１Ｒ及び第２の副画素としての副画素１０１Ｇのレイアウトに応じて、電気的に分離されている。

　第１の電極１３は、アノード電極である。図１の例では、第１の電極１３は、反射層としての機能も兼ねていることが好適である。この場合、第１の電極１３は、できるだけ反射率が高いことが好ましい。さらに、第１の電極１３は、仕事関数が大きい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。

　第１の電極１３は、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。第１の電極１３は、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されていてもよい。第１の電極１３が積層膜により構成されている場合、金属酸化物層が第１の発光層１４側に設けられていてもよいし、金属層が第１の発光層１４側に設けられていてもよいが、高い仕事関数を有する層を第１の発光層１４に隣接させる観点からすると、金属酸化物層が第１の発光層１４側に設けられていることが好ましい。

　第１の電極１３は、反射層としての機能をより確実に備える観点からは、反射板と透明導電層で形成されていてもよい。これは、例えば、反射板として、光反射性を有する金属層を用い、透明導電層として、光透過性を有する金属酸化膜を用いることで実現することができる。なお、このことは、第１の電極１３とは別に反射層としての機能を有する層を設けることを規制するものではない。すなわち第１の電極１３を透明導電層で形成し、第１の電極１３とは別途に反射板を設けてもよい。

　金属層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。

　金属酸化物層は、例えば、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）および酸化チタン（ＴｉＯ）のうちの少なくとも１種を含む。

　第１の電極１３の材料としては、可視光領域の反射率が高く、正孔の注入特性の良好性の観点からは、上記した各材料のうちＡｌ、ＡｌＣｕ、ＴｉＮ、ＴｉＯ及びＭｏＯ等の材料から選ばれた一種類以上であることが好適である。

（絶縁層）
　表示装置１０においては、図１に示すように、絶縁層１２が、駆動基板１１の第１の面側に設けられていることが好適である。絶縁層１２は、隣り合う第１の電極１３の間に設けられており、各第１の電極１３を発光素子１０４ＡＲ、１０４ＡＧ毎（すなわち副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ毎）に電気的に分離する。また、絶縁層１２は、複数の開口部１２Ａを有し、第１の電極１３の第１の面（第２の電極１５との対向面）が開口部１２Ａから露出している。

　図１等の例では、絶縁層１２は、分離された第１の電極１３の第１の面の外周端縁に開口部１２Ａを形成している。

　絶縁層１２は、例えば有機材料または無機材料により構成される。有機材料は、例えば、ポリイミドおよびアクリル樹脂のうちの少なくとも１種を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化アルミニウムのうちの少なくとも１種を含む。

（第１の発光層）
　第１の発光層１４は、第１の電極１３と第２の電極１５の間に設けられている。第１の発光層１４は、第１の副画素と第２の副画素に対応する副画素１０１に共通する層として設けられている。第１の発光層１４から生じる光は、第１の副画素の色種に対応した波長領域の光と第２の副画素の色種に対応した波長領域の光を含む。これにより第１の発光層１４の発光色は、第１の副画素の色種の光、１０１Ｇの色種の光を取り出し可能な発光色に構成される。図１の例では、第１の発光層１４は、副画素１０１Ｒの色種である赤色の光、１０１Ｇの色種である緑色の光を取り出し可能な発光色に構成されており、具体的に赤色の波長領域と緑色の波長領域の光を合わせた光を生じる。第１の発光層１４から生じる光の色種（発光色）は、赤色の光と緑色の光を合わせた色種となる。

　第１の発光層１４は、所定の色種に対応する波長領域の光を生じる層構造を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、図３Ａに示すように、第１の電極１３から第２の電極１５に向かって正孔注入層１４０、正孔輸送層１４１、有機発光層１４２、電子輸送層１４３がこの順序で積層された構成を有する構成を採用することができる。電子輸送層１４３と第２の電極１５との間には、電子注入層１４４を設けてもよい。電子注入層１４４は、電子注入効率を高めるためのものである。なお、第１の発光層１４の構成はこれに限定されるものではなく、有機発光層１４２以外の層は必要に応じて設けられるものである。

　正孔注入層１４０は、有機発光層１４２への正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを抑制するためのバッファ層である。正孔輸送層１４１は、有機発光層１４２への正孔輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１４３は、有機発光層１４２への電子輸送効率を高めるためのものである。

　有機発光層１４２は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。有機発光層１４２は、有機発光材料を含む有機層である。有機発光層１４２の発光ドーパントは、蛍光材料や燐光材料に限定されず、いずれの材料を用いられてもよい。有機発光層１４２は、例えば、赤色発光層１４２Ｒ及び緑色発光層１４２Ｇを積層した積層構造である。ただし、図３Ａに示すように、赤色発光層１４２Ｒ、緑色発光層１４２Ｇの間には発光分離層１４５が配置される。

　赤色発光層１４２Ｒは、電界をかけることにより、第１の電極１３から正孔注入層１４０、正孔輸送層１４１を介して注入されたホール（正孔）の一部と、第２の電極１５から電子輸送層１４３を介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。

　発光分離層１４５は、キャリアの有機発光層１４２への注入を調整するための層であり、発光分離層１４５を介して有機発光層１４２を構成する各層に電子やホールが注入されることにより各色の発光バランスが調整される。

　緑色発光層１４２Ｇは、電界をかけることにより、第１の電極１３から正孔注入層１４０、正孔輸送層１４１および発光分離層１４５を介して注入された正孔の一部と、第２の電極１５から電子輸送層１４３を介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生するものである。

（第２の電極）
　発光素子１０４Ａにおいて、第２の電極１５は、第１の電極１３と対向して設けられている。第２の電極１５は、第１の副画素と第２の副画素に共通の電極として設けられている。図１の例では、第２の電極１５は、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇに共通する電極（共通電極）となっている。また、第２の電極１５は、さらに第３の副画素にも共有されている。この例では、第２の電極１５は、副画素１０１Ｂにも共有されており、共通電極となっている。第２の電極１５は、カソード電極である。第２の電極１５は、第１の発光層１４で発生した光に対して透過性を有する透明電極であることが好適である。ここでいう透明電極は、透明導電層で形成されたもの、及び透明導電層と半透過反射層を有する積層構造で形成されたものを含む。

　第２の電極１５は、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第２の電極１５は、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。第２の電極１５が積層膜により構成されている場合、金属層が第１の発光層１４側に設けられてもよいし、金属酸化物層が第１の発光層１４側に設けられてもよい。

　透明導電層は、光透過性が良好で仕事関数が小さい透明導電材料が好適に用いられる。透明導電層は、例えば、金属酸化物で形成することができる。具体的に、透明導電層の材料としては、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうちの少なくとも１種を含むものを例示することができる。

　半透過反射層は、例えば金属層で形成することができる。具体的には、半透過反射層の材料は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）および銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含むものを例示することができる。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＡｇＰｄＣｕ合金等が挙げられる。

（第２の発光層）
　第２の発光層１６は、第２の電極１５と第３の電極１７の間に設けられている。第１の発光層１４から生じる光は、第３の副画素の色種に対応した光の主波長を含む。第２の発光層１６は、第３の副画素の色種に対応する光を生じる層である。すなわち第２の発光層１６から生じる光の色種は、第３の副画素の色種の光を取り出し可能な色種である。図１の例では、第２の発光層１６は、副画素１０１Ｂの色種である青色の光を発生する層である。

　図１の例では、第２の発光層１６は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層、電子輸送層を積層した構造を有することが好ましい。電子輸送層と第２の電極１５との間には、電子注入層を設けてもよい。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層は、第１の発光層１４で説明したものと同様の層でよい。なお、第２の発光層１６の構成はこれに限定されるものではなく、有機発光層以外の層は必要に応じて設けられるものである。

　青色発光層は、電界をかけることにより、第３の電極１７から正孔注入層、正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２の電極１５から電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生するものである。

（第３の電極）
　第３の電極１７は、第２の発光層１６の第１の面側に複数設けられる。第３の電極１７は、副画素１０１ごとに、電気的に分離されている。図１の例では、第３の電極１７は、第３の副画素としての副画素１０１Ｂのレイアウトに応じて、電気的に分離されている。なお、第３の電極１７について副画素１０１ごとに分離する構成は、例えば、図４等に示すように、後述する絶縁層３０Ａで実現することができる。

　第３の電極１７は、第１の電極１３と同様に、アノード電極である。第３の電極１７は、第１の発光層１４及び第２の発光層１６で発生した光に対して透過性を有する透明電極を用いられる。ここでいう透明電極は、第２の電極１５の説明で示すように、透明導電層で形成されたもの、及び透明導電層と半透過反射層を有する積層構造で形成されたものを含む。第３の電極１７を形成する透明電極の材料は、第１の電極１３として使用することができる透明電極の材料と同様の材料（導電材料）を使用されてよい。また、半透過反射層は、第２の電極１５で説明したものと同様のものを使用されてよい。

　表示装置１０は、第１の電極１３と第３の電極１７がアノード電極となっており、第２の電極１５がカソード電極となっている（図１）。また、図１には、表示装置１０の構成とともに、発光素子１０４Ａ、１０４Ｂの電気的制御を説明するための回路図があわせて記載されている。図１に示すように、駆動基板１１側から副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに電界を与える電源をＥ１、Ｅ２、Ｅ３とした場合に、電源Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３からそれぞれの発光素子１０４ＡＲ、１０４ＡＧ、１０４ＢＢに形成されるダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３にかけられる電界の向きについて、ダイオードＤ１、Ｄ２にかけられる電界の向きが、ダイオードＤ３にかけられる電界の向きと逆向きとなっている。表示装置１０の構成とともに、発光素子１０４Ａ、１０４Ｂの電気的制御を説明するための回路図があわせて記載する点については、図１４、図１５、図１６、図１８、図１９、図２０及び図２２についても同様である。

（副画素の駆動）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０において、個々の副画素（第１の副画素から第３の副画素）は個別独立して駆動されることで独立して発光する。これは、例えば、上記に説明した第１の電極と第３の電極に対する通電状態の形成が独立して実施されることで実現することができる。図１の例では、駆動基板１１側から副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂそれぞれに電界を与える電源Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３が形成されており、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂは、独立駆動される。この場合、副画素１０１Ｂに電界をかける第３の電極の通電状態の形成、副画素１０１Ｒに対応する第１の電極の通電状態の形成、及び副画素１０１Ｇに対応する第１の電極の通電状態の形成が、それぞれ独立して実現される。

　副画素１０１の独立駆動は、例えば、図４等を用いて後述するように、第１の副画素に対応する第１の電極１３、第２の副画素に対応する第１の電極１３、及び第３の電極１７に対して、駆動基板１１の制御回路等に、個別に電気的に接続されることで実現される。図４は、表示装置１０について、第３の電極１７と駆動基板１１側の回路との配線構造を示す断面図である。配線構造は、第１の中継電極層２５と、第１のコンタクト部２８Ａと、第２の中継電極層２６と、第２のコンタクト部２７Ａを有する。配線構造では、第１の中継電極層２５は、駆動基板１１の所定位置にコンタクトプラグを介して回路に電気的に接続される。第１のコンタクト部２８Ａは、導電性を有する配線部であり、第１のコンタクトホール２８に形成され、第１の中継電極層２５に接続されている。第２の中継電極層２６は、第３の電極１７の第１の面側に形成され、第１のコンタクト部２８Ａと第２のコンタクト部２７Ａを電気的に接続する。第２のコンタクト部２７Ａは、第１のコンタクト部２８Ａと同様に、導電性を有する配線部であり、第２のコンタクトホール２７に形成され、第３の電極１７に接続されている。第１の中継電極層２５及び第２の中継電極層２６は、導電膜で形成されてよい。なお、第１の中継電極層２５は、第１の電極１３等と異なり、光を反射させる反射層としての機能を有していなくてもよい。第１の中継電極層２５は、第１の電極１３の厚み方向（Ｚ軸方向）を視線方向とした場合に、第１の電極１３よりもできるだけ小さいことが、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇの大きさをできるだけ大きく確保する観点からは好ましい。こうして個々の第３の電極１７については、図４の例に示すように、第１の中継電極層２５と、第１のコンタクト部２８Ａと、第２の中継電極層２６と、第２のコンタクト部２７Ａを介して、駆動基板１１の制御回路等に接続することができる。なお、個々の第１の電極１３に対しては、駆動基板１１の回路にコンタクトプラグ（図示しない）を介して接続される。図４において、太線部分を示す符号３０Ａ、３０Ｂは、後述する絶縁層である。これは、図６から図１０についても同様である。

（保護層）
　第３の電極１７の第１の面上には、保護層２１が形成されている。保護層２１は、発光素子１０４を外気と遮断し、外部環境から発光素子１０４への水分浸入を抑制する。また、第３の電極１７が金属層を有する場合には、保護層２１は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。また、図４に示す例では、保護層２１には、第３の電極１７と駆動基板１１側の回路とを繋ぐ配線構造が埋設される。

　保護層２１は、絶縁材料で形成される。絶縁材料としては、例えば、熱硬化性樹脂などを用いることができる。そのほかにも、絶縁材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯ、ＴｉＯ等でもよい。この場合、保護層２１として、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ等を含むＣＶＤ膜や、ＡｌＯ、ＴｉＯ、ＳｉＯ等を含むＡＬＤ膜等を例示することができる。保護層２１は、単層で形成されてもよいし、複数の層を積層した状態で形成されていてもよい。なお、ＣＶＤ膜は、化学気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて形成された膜を示す。ＡＬＤ膜は、原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ　ｌａｙｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて形成された膜を示す。

（色変換層）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０においては、保護層２１の第１の面側に色変換層が設けられている。色変換層は、第１の副画素及び第２の副画素に対応した位置に設けられており、それぞれ第１の発光層から生じた光のうち第１の副画素及び第２の副画素に応じた色種の光を取り出す。また、色変換層は、第２の発光層から生じた光については第３の副画素に応じた色種の光を取り出す。図１、図４等の例では、色変換層は、カラーフィルタ１８である。

　図１等に示すカラーフィルタ１８は、保護層２１の第１の面側（上側、＋Ｚ方向側）に設けられている。カラーフィルタ１８としては、例えばオンチップカラーフィルタ（Ｏｎ　Ｃｈｉｐ　Ｃｏｌｏｒ　Ｆｉｌｔｅｒ：ＯＣＣＦ）などを挙げることができる。カラーフィルタ１８は、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇに応じて複数設けられる。カラーフィルタ１８は、第１の発光層１４から生じた光のうち副画素１０１Ｒ、１０１Ｇに応じた色種の光を取り出す。また、カラーフィルタ１８は、第２の発光層１６から生じた光のうち副画素１０１Ｂに応じた色種の光を取り出す。このようなカラーフィルタ１８として、図１の例では、マゼンタ色のカラーフィルタ（マゼンタ色フィルタ１８Ｍ）、シアン色のカラーフィルタ（シアン色フィルタ１８Ｃ）を挙げることができる。マゼンタ色フィルタ１８Ｍは、図１１のグラフＧ３に示すように、可視光域の光のうち赤色の波長領域と青色の波長領域の光を透過する（緑色の波長領域の光の透過を妨げる）透過率の分布ＴＭを有するカラーフィルタ１８である。また、シアン色フィルタ１８Ｃは、図１１のグラフＧ７に示すように、可視光域の光のうち青色の波長領域と緑色の波長領域の光を透過する（赤色の波長領域の光の透過を妨げる）透過率の分布ＴＣを有するカラーフィルタ１８である。図１１は、第１の実施形態にかかる表示装置１０の光取り出し機構を説明するためのグラフである。図１１には、表示装置１０の各層について、－Ｚ側から、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂを構成する第１の発光層１４から生じる光のスペクトル分布図（グラフＧ１、Ｇ５）、第２の発光層から生じる光のスペクトル分布図（グラフＧ２、Ｇ６）、色変換層の透過率の分布図（グラフＧ３、Ｇ７）、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂから取り出される光のスペクトル分布図（グラフＧ４、Ｇ８）が記載されている。

　マゼンタ色フィルタ１８Ｍは、表示領域１０Ａの平面視上（Ｚ軸方向を視線方向とする場合）、副画素１０１Ｒに対応した位置に形成されており、第１の発光層１４から生じた光のうち赤色の光を通すことで赤色の光を表示領域１０Ａ側に取りだす（図１１におけるグラフＧ４）。また、マゼンタ色フィルタ１８Ｍは、第２の発光層１６から生じた光について、副画素１０１Ｂの色種に対応する青色の光を通すことで青色の光を表示領域１０Ａ側に取りだす（図１１におけるグラフＧ４）。図１１におけるグラフＧ４は、副画素１０１Ｒの位置から取り出される光のスペクトル分布を示すグラフである。グラフの横軸が波長であり、縦軸が取り出される光の強度を示す。ＬｕＢは、副画素１０１Ｒに対応した位置で第２の発光層１６から取り出される光のスペクトル分布であり、ＬｕＲは、副画素１０１Ｒに対応した位置で第１の発光層１４から取り出される光のスペクトル分布である。なお、副画素１０１Ｒに対応した位置は、副画素１０１Ｂの一部の領域となっている。

　シアン色フィルタ１８Ｃは、表示領域１０Ａの平面視上、副画素１０１Ｇに対応した位置に形成されており、第１の発光層１４から生じた光のうち緑色の光を通すことで緑色の光を表示領域１０Ａ側に取りだす（図１１におけるグラフＧ８）。また、シアン色フィルタ１８Ｃは、第２の発光層１６から生じた光について、副画素１０１Ｂの色種に対応する青色の光を通すことで青色の光を表示領域１０Ａ側に取りだす（図１１におけるグラフＧ８）。図１１におけるグラフＧ８は、副画素１０１Ｇの位置から取り出される光のスペクトル分布を示すグラフである。グラフの横軸が波長であり、縦軸が取り出される光の強度を示す。ＬｕＢは、副画素１０１Ｇに対応した位置で第２の発光層１６から取り出される光のスペクトル分布であり、ＬｕＧは、副画素１０１Ｇに対応した位置で第１の発光層１４から取り出される光のスペクトル分布である。なお、副画素１０１Ｇに対応した位置は、副画素１０１Ｂの一部の領域となっている。

（充填樹脂層）
　色変換層の第１の面側には、充填樹脂層が形成されていてもよい。図１の例では、カラーフィルタ１８の第１の面側には、充填樹脂層が形成されてよい（図示しない）。充填樹脂層は、カラーフィルタ１８等の色変換層の形成面となる第１の面の表面を平滑化する機能を発揮させることができる。また、充填樹脂層は、後述の対向基板を接着する接着層としての機能を有することができる。充填樹脂層は、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等を例示することができる。

（対向基板）
　対向基板は、充填樹脂層上に、駆動基板１１に対向させた状態で設けられている（図示しない）。対向基板は、充填樹脂層とともに発光素子１０４を封止する。対向基板は、駆動基板１１を形成する基板１１Ａと同様の材料で形成されてよく、ガラス等の材料により構成されることが好ましい。

　なお、カラーフィルタ１８の上には、平坦化層が形成され、さらに平坦化層上に、充填樹脂層を介して対向基板が設けられてよい（図示しない）。平坦化層と充填樹脂層と同様の材料で形成されてよい。

［１－２　表示装置の製造方法］
　次に、表示装置１０の製造方法の一例について、図５から図１０を用いて、詳細に説明する。なお、第３の電極１７と駆動基板１１とが図４に示す配線構造（第１の中継電極層２５、第１のコンタクト部２８Ａ、第２の中継電極層２６及び第２のコンタクト部２７Ａ）を介して電気的に接続される場合を例として説明を続ける。

　シリコン等の半導体材料から成る基板１１Ａにトランジスタや各種配線などの回路を形成することで駆動基板１１が形成される。トランジスタは、副画素１０１に応じて複数設けられている。

　駆動基板１１上に、図５に示すように、例えば、第１の電極１３のパターンに応じてＡｌ合金等の材料をスパッタリングすることによって第１の電極１３がパターニングされる。このとき、第１の中継電極層２５もあわせてパターニングされる。次いで、隣接する第１の電極１３の間や第１の中継電極層と第１の電極１３の間に、絶縁層１２が形成される。このとき開口部１２Ａを形成して第１の電極１３の上面を露出させる。絶縁層１２は、例えば第１の電極１３上を含む全面に、リソグラフィやエッチングなどのパターニング技術を用いてパターニングすることで形成することができる。また、第１の電極１３は、個別に駆動基板１１の回路（例えばトランジスタ）に電気的に接続される。第１の中継電極層２５についても、個別に駆動基板１１側の回路（例えばトランジスタ）に電気的に接続される。なお、図５は、駆動基板１１上に形成された第１の電極１３及び第１の中継電極層２５のレイアウトの一実施例を示す平面図である。

　第１の電極１３上に、第１の発光層１４を一面に形成する。第１の発光層１４の形成には、例えば蒸着法等が用いられる。さらに第２の電極１５（例えば、ＩＺＯ）を、スパッタ法等を用いて形成する。その上に、第２の発光層１６を形成する。第２の発光層１６は、第１の発光層１４と同様に蒸着法等を用いて形成することができる。そして第３の電極１７を形成する。第３の副画素の形成後、保護層２１を構成する第１の層３１が形成される。第１の層３１は、例えば保護層２１を形成する材料を用いてＣＶＤ等の方法を実施すること等により、形成することができる（図６Ａ、図８Ａ）。図６Ａは、表示装置１０の製造工程を示す断面図であり、図５のＸ１－Ｘ１線の位置での縦断面の状態を模式的に示す断面図である。このことは、図６Ｂ、図７Ａ及び図７Ｂについても同様である。図８Ａは、表示装置の製造工程を示す断面図であり、図５のＸ２－Ｘ２線縦断面の状態を模式的に示す断面図である。なお、このことは、図８Ｂ、図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ及び図１０Ｂについても同様である。

　次に、副画素１０１Ｂのレイアウト（第３の副画素のレイアウト）に応じて第１の層３１が、副画素１０１Ｂごとに分断される。第３の電極１７についても同様に副画素１０１Ｂごとに分断される。これらの分断は、例えば、図６Ｂ、図８Ｂに示すように、隣り合う副画素１０１Ｂの間に溝部２９を形成することで実現することができる。そしてこれらの溝部２９の側壁には、絶縁層３０Ａが形成される。絶縁層３０Ａは、フォトリソグラフィ技術やドライエッチング技術を適宜用いることで形成することができる。この絶縁層３０Ａは、隣り合う第３の電極１７の間を絶縁する。なお、図６Ｂ、図８Ｂにおいて、絶縁層３０Ａは、太線で表示されている。

　さらに、絶縁層３０Ａで囲まれた溝部２９の内部空間を充填するとともに第１の層３１を覆うように第２の層３２が形成される（図７Ａ、図９Ａ）。第２の層３２は、第１の層３１と同様に形成することができ、また保護層２１を構成する。なお、図７Ａ及び図９Ａにおいて、破線は、第１の層３１と第２の層３２の境界を示す。次に、図９Ｂに示すように、第２の層３２の第１の面側から第１の中継電極層２５まで延びる第１のコンタクトホール２８が形成される。また、第２の層３２の第１の面側から第３の電極１７まで延びる第２のコンタクトホール２７が形成される。第１のコンタクトホール２８と第２のコンタクトホール２７の形成方法は、溝部２９の形成方法と同様の方法を用いることができる。第１のコンタクトホール２８と第２のコンタクトホール２７の内周壁面のそれぞれには絶縁層３０Ｂが形成される。絶縁層３０Ｂは、上記した絶縁層３０Ａと同様の方法を用いて形成することができる。なお、図９Ｂにおいて、絶縁層３０Ｂは、太線で表示されている。

　次に第２の層３２の第１の面を覆うように第２の中継電極層２６が形成される。このとき、第２の中継電極層２６を形成する材料が、第１のコンタクトホール２８及び第２のコンタクトホール２７の内部に充填され、第１のコンタクト部２８Ａ及び第２のコンタクト部２７Ａが形成される。第１のコンタクト部２８Ａ及び第２のコンタクト部２７Ａは導電性を有する。第１のコンタクト部２８Ａを介して第１の中継電極層２５と第２の中継電極層２６が電気的に接続される。また、第２のコンタクト部２７Ａを介して第３の電極１７と第２の中継電極層２６が電気的に接続される（図１０Ａ）。

　そして、第２の中継電極層２６は、副画素１０１Ｂごとに分断される（図１０Ｂ）。第２の中継電極層２６の分断は、フォトリソグラフィ技術やドライエッチング技術を適宜用いることで形成することができる。さらに、第２の中継電極層２６を覆う第３の層３３を形成する（図７Ｂ、図１０Ｂ）。図７Ｂ、図１０Ｂにおいて、第３の層３３と第２の層３２の境界及び第１の層３１と第２の層３２の境界は、破線で示される。第３の層３３は、第１の層３１や第２の層３２と同様に形成することができ、また保護層２１を構成する。保護層２１が第１の層３１、第２の層３２及び第３の層３３で形成された後、さらにカラーフィルタ１８等の色変換層が設けられる（図４）。色変換層は、その内容に応じた方法で適宜形成される。たとえば、色変換層がカラーフィルタ１８である場合には、カラーフィルタ１８の形成方法が適宜用いられる。そして充填樹脂層、対向基板が設けられる。こうして表示装置１０が得られる。

［１－３　作用及び効果］
　第１の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の副画素から第３の副画素についてアノード電極が個別に設けられている。図１の例では副画素１０１Ｒ、１０１Ｇのそれぞれに応じて分離した第１の電極１３が設けられており、副画素１０１Ｂについて第３の電極１７が設けられている。また、副画素１０１Ｒに対応した第１の電極１３と副画素１０１Ｇに対応した第１の電極１３には個別独立して電圧をかけることができる。第３の電極１７は、第１の電極１３に対して独立に電圧をかけることができる。なお第２の電極は、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに共通する共通電極となっている。

　副画素１０１Ｒに対応した第１の電極１３と第２の電極１５との間で電圧がかかると、第１の発光層１４のうち副画素１０１Ｒに対応した部分に電界をかけた状態が形成される。このとき、第１の発光層１４から光が生じる。この光は、図１１のグラフＧ１に示すように、赤色の波長領域にスペクトル分布ＳＲを有する光と緑色の波長領域にスペクトル分布ＳＧを有する光を合わせた光となっている。このとき副画素１０１Ｒでは、第１の発光層１４で生じた光は、図１１の＋Ｚ方向に伝わり、マゼンタ色フィルタ１８Ｍを通過する。マゼンタ色フィルタは、グラフＧ３の透過率の分布ＴＭに示すように赤色の波長領域の光に対する透過性が高く、緑色の波長領域の光に対する透過性が低いことから、副画素１０１Ｒにおいて第１の発光層１４から取り出される光は、赤色の波長領域にスペクトル分布ＬｕＲを有する光でおおよそ占められる（図１１のグラフＧ４）。

　副画素１０１Ｇに対応した第１の電極１３と第２の電極１５との間で電圧がかかると、第１の発光層１４のうち副画素１０１Ｇに対応した部分に電界をかけた状態が形成される。このとき副画素１０１Ｇでは、副画素１０１Ｒについて説明したことと同様に、第１の発光層１４から赤色の波長領域にスペクトル分布ＳＲを有する光と緑色の波長領域にスペクトル分布ＳＧを有する光を合わせた光が生じる（図１１のグラフＧ５）。このとき副画素１０１Ｇでは、第１の発光層１４で生じた光は、図１１の＋Ｚ方向に伝わり、シアン色フィルタ１８Ｃを通過する。シアン色フィルタは、グラフＧ７の透過率の分布ＴＣに示すように緑色の波長領域の光に対する透過性が高く、赤色の波長領域の光に対する透過性が低いことから、副画素１０１Ｇにおいて第１の発光層１４から取り出される光は、緑色の波長領域にスペクトル分布ＬｕＧを有する光でおおよそ占められる（図１１のグラフＧ８）。

　また、第３の電極１７と第２の電極１５との間で電圧がかかると、第２の発光層１６に電界をかけた状態が形成される。このとき、第２の発光層１６から光が生じる。この光は、図１１のグラフＧ２、Ｇ６に示すように、青色の波長領域にスペクトル分布ＳＢを有する光（青色光）となっている。副画素１０１Ｂでは、第２の発光層１６で生じた青色光がマゼンタ色フィルタ１８Ｍ及びシアン色フィルタ１８Ｃに向かう。マゼンタ色フィルタ１８Ｍ及びシアン色フィルタ１８Ｃは、グラフＧ３、Ｇ７の透過率の分布ＴＭ、ＴＣに示すように、いずれも青色光に対する透過性を有するため（青色の波長領域の光に対する透過性が高いため）、第２の発光層１６で生じた青色光はマゼンタ色フィルタ１８Ｍ及びシアン色フィルタ１８Ｃの両方について通過する。こうして副画素１０１Ｂが青色に発光する。したがって、副画素１０１Ｂにおいて第２の発光層１６から取り出される光は、青色の波長領域にスペクトル分布ＬｕＢを有する光でおおよそ占められる（図１１のグラフＧ４、Ｇ８）。

　このように、第１の電極１３と第３の電極１７に対して個別に電圧をかけることができることで、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂをそれぞれ赤色、緑色及び青色に個別に発光させることができるため、表示装置１０は表示領域１０Ａにフルカラー表示させることができる。

　一般的に、フルカラー表示する表示装置を形成する場合、赤色に対応する副画素、青色に対応する副画素及び緑色に対応する副画素の３種類の色種に対応する副画素の組み合わせ（３色副画素と呼ぶことがある）で１つの画素が形成される。また、従来の塗り分け方式で３種類の色種に対応する３色副画素が設けられる場合、これら３種類の副画素は、表示領域と同一平面上に配置される等、表示領域の面方向に並んだ状態で配置される。このため、画素一つを形成するために、副画素３つの分の領域を確保することが要請される。表示装置における高精細化の要請に対応するためには、隣接する画素間のピッチを小さくすることが要請される。副画素が塗り分け方式で形成されている場合においては、１画素あたりの個々の副画素が小さくなるため、表示装置の発光輝度が低下する。

　第１の実施形態にかかる表示装置１０によれば、１つの画素において第１の発光層１４と第２の発光層１６を第２の電極１５を介して積層している。そして第１の発光層１４は、２種類の副画素（図１の例では副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ）の色種に対応する波長領域の光を発する。第２の発光層１６は、所定の副画素（図１の例では副画素１０１Ｂ）の色種に対応する波長領域の光を発する。このため、画素間のピッチを同じとする条件下で、第１の実施形態にかかる表示装置１０と、塗り分け方式で３つの色種の副画素を形成する表示装置とを比較した場合に、第１の実施形態にかかる表示装置１０のほうが、副画素の発光面積を大きくすることができる。したがって、第１の実施形態にかかる表示装置１０によれば、従来の表示装置に比べて輝度を向上させることができる。

　また表示装置としてマイクロディスプレイ等といった画素ピッチが小さいものでは、フルカラー表示するために、３種類の副画素それぞれに応じたカラーフィルタと３種類の副画素に共通した白色の発光層とを有する方式（以下では白色発光方式とよぶ）で形成されることがある。この方式では、カラーフィルタは不要な波長域の光を吸収し所望の波長域の光を透過させることで分光する。このとき不要な波長域として吸収した光は表示装置の発光（輝度）に寄与しない。例えば、赤色に対応する副画素では、白色の発光層から生じた光が赤色のカラーフィルタを通過する際に青色と緑色の光が赤色のカラーフィルタで吸収される。このため、赤色に対応する副画素では、白色の発光層から生じた光のおおよそ２／３が浪費される（ただし本明細書において、光の浪費とは、表示装置の外部に取り出されない光となることを示すものとする）。青色に対応する副画素、緑色に対応する副画素についても同様である。このため、表示装置では、画素全体として白色の発光層から生じた光のおおよそ２／３が取り出されず、発光輝度（発光効率）が低下する。

　第１の実施形態にかかる表示装置１０では、白色発光方式の表示装置に比べて、カラーフィルタを通過することに伴う光の浪費が抑制される。したがって、第１の実施形態にかかる表示装置１０によれば、従来の表示装置に比べて輝度を向上させることができる。例えば、第１の実施形態にかかる表示装置１０において、マゼンタ色のカラーフィルタ（マゼンタ色フィルタ１８Ｍ）により吸収される光は、緑色の光であり、赤色と青色の光の浪費が抑えられる（表示領域１０Ａでの表示に使用される）。シアン色のカラーフィルタ（シアン色フィルタ１８Ｃ）により吸収される光は、赤色の光であり、緑色と青色の光の浪費が抑えられる。したがって、それぞれのカラーフィルタで吸収される光は、白色発光方式の表示装置では２種類の色種であったが、第１の実施形態にかかる表示装置１０では、１種類の色種に抑えられる。

　表示装置において３種類の副画素に共通した白色の発光層を有する場合、白色の発光層として、赤色、緑色及び青色の発光層（赤色の有機発光層、緑色の有機発光層及び青色の有機発光層）を積層した構造が知られている。この構造では、白色発光を実現するためには、赤色、緑色及び青色をバランスよく発光させることが重要となる。赤色、緑色及び青色の発光層の発光のバランスをとるために、それぞれの有機発光層の間に電子や正孔（ホール）といったキャリアのバランスを調整する層が用いられることが多い。このような場合、赤色、緑色及び青色の発光層を個々に発光させる場合に比べて、駆動電圧が高くなる。

　第１の実施形態にかかる表示装置１０では、第１の副画素と第２の副画素の発光層となる第１の発光層１４と、第３の副画素の発光層となる第２の発光層１６を独立して駆動させることができる。このため、表示装置１０における設計自由度が向上し、副画素１０１の発光状態の最適設化が容易となり、駆動電圧の低電圧化を図ることが容易となる。第１の発光層１４及び第２の発光層１６には、上記したように青色の有機発光層、赤色の有機発光層及び緑色の有機発光層などの発光層が適宜設けられる。副画素１０１Ｂには青色有機発光層が設けられる。青色の有機発光層を形成する材料は、一般的に赤色の有機発光層や緑色の有機発光層を形成する材料に比べて発光寿命が短い。そこで副画素１０１Ｂの耐久性を向上させ、表示装置の寿命を向上させる技術が要請されている。図１に示す第１の実施形態にかかる表示装置１０の例では、表示領域１０Ａの平面視上、第３の副画素（図１では副画素１０１Ｂ）は、前記第１の副画素及び前記第２の副画素（図１では、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ）よりも大きい。この場合、副画素１０１Ｂにかかる電圧を抑えても十分な青色の輝度を得ることができ、副画素１０１Ｂの耐久性を向上させることができる。

［１－４　変形例］
　次に、上記第１の実施形態にかかる表示装置１０の変形例について説明する。

（変形例１）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の発光層１４が、赤色の光と緑色の光を取り出し可能な発光色で発光するように構成されている場合の例として、第１の発光層１４に赤色の有機発光層（赤色発光層１４２Ｒ）及び緑色の有機発光層（緑色発光層１４２Ｇ）を設けている場合について説明したが、第１の発光層１４から赤色及び緑色の光を取り出すことができるようにする構成は、これに限定されない。

　第１の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の発光層１４が、赤色の光と緑色の光を取り出し可能な発光色で発光するように構成されている場合、第１の発光層１４の構成は上記に限定されず、例えば図３Ｂに示すような構成を備えてもよい（変形例１）。図３Ｂの例は、変形例１にかかる表示装置１０の第１の発光層１４の一例を示す図である。図３Ｂの例では、第１の発光層１４は、正孔注入層１４０、正孔輸送層１４１、黄色発光層１４２Ｙ、電子輸送層１４３を積層した構造を有する。この構造は、有機発光層１４２として黄色発光層１４２Ｙを有する構造である。なお、図３Ｂについても、図３Ａの場合と同様に、電子輸送層１４３と第２の電極１５との間に電子注入層１４４を設けてもよい。

　黄色発光層１４２Ｙは、電界をかけることにより、第１の電極１３から正孔注入層１４０、正孔輸送層１４１を介して注入された正孔と、第２の電極１５から電子輸送層１４３を介して注入された電子とが再結合して、黄色の光を発生する層である。この層としては、有機発光層が好適に使用される。黄色の光は、赤色の波長領域及び緑色の波長領域の両方の波長領域にスペクトル分布を有する光である。このため、変形例１のように、第１の発光層１４が黄色の光で発光することで、色変換層を用いて赤色の波長領域の光と緑色の波長領域の光のそれぞれを取り出すことができる。

（変形例２）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の発光層１４、第２の発光層１６の発光色の色種、光変換層の色種（カラーフィルタ１８の色種）の組み合わせは、図１に示す組み合わせに限定されず、図１２に示すような色種の組み合わせであってもよい。図１２は、変形例２にかかる表示装置１０について、第１の発光層１４における有機発光層１４２で生じる光の色種、第２の発光層１６における有機発光層１４２で生じる光の色種、及び第１の副画素及び第２の副画素のそれぞれに対応する部分の色変換層の色種（透過率の分布スペクトルについて透過率を光強度に置き換えた場合の色種）の組み合わせを示す表である。

　変形例２にかかる表示装置１０において、図１２に示す変形例２Ａは、第１の副画素が青色の副画素１０１Ｂ、第２の副画素が赤色の副画素１０１Ｒ、第３の副画素が緑色の副画素１０１Ｇである場合の第１の発光層１４、第２の発光層１６、光変換層（カラーフィルタ１８等）の色種の組み合わせの例である。この場合、第１の発光層１４が、青色有機発光層と赤色有機発光層の組み合わせ（すなわち第１の発光層１４の発光色は、青色と赤色の色種を合わせた色）となり、第２の発光層１６が、緑色有機発光層（すなわち第２の発光層の発光色は、緑色）となる。また、色変換層は、第１の副画素に対応する部分では青色と緑色を取り出すことができる層となり、第２の副画素に対応する部分では赤色と緑色を取り出すことができる層となる。例えば、色変換層は、第１の副画素に対応する部分ではシアン色フィルタ（色変換層の色種がシアン色）を挙げることができ、第２の副画素に対応する部分では黄色フィルタ（色変換層の色種が黄色）を挙げることができる。これにより、第１の副画素に対応する部分（変形例２Ａでは副画素１０１Ｂ）では、第１の発光層１４で生じた光がシアン色フィルタを通ることで青色の光が取り出され、第２の発光層１６で生じた光がシアン色フィルタを通ることで緑色の光が取り出される（取出し光の色種が緑色及び青色）。第２の副画素に対応する部分では、第１の発光層１４で生じた光が黄色フィルタを通ることで赤色の光が取り出され、第２の発光層１６で生じた光が黄色フィルタを通ることで緑色の光が取り出される（取出し光の色種が緑色及び赤色）。

　変形例２にかかる表示装置１０において、図１２に示す変形例２Ｂは、第１の副画素が青色の副画素１０１Ｂ、第２の副画素が緑色の副画素１０１Ｇ、第３の副画素が赤色の副画素１０１Ｒである場合の第１の発光層１４、第２の発光層１６、光変換層（カラーフィルタ１８等）の色種の組み合わせの例である。この場合、第１の発光層１４が、青色有機発光層と緑色有機発光層の組み合わせ（すなわち第１の発光層１４の発光色は、青色と緑色の色種を合わせた色）となり、第２の発光層１６が、赤色有機発光層（すなわち第２の発光層の発光色は、赤色）となる。また、色変換層は、第１の副画素に対応する部分では青色と赤色を取り出すことができる層となり、第２の副画素に対応する部分では赤色と緑色を取り出すことができる層となる。例えば、色変換層は、第１の副画素に対応する部分ではマゼンタ色フィルタ（色変換層の色種がマゼンタ色）を挙げることができ、第２の副画素に対応する部分では黄色フィルタを挙げることができる。
これにより、第１の副画素に対応する部分では、第１の発光層１４で生じた光がマゼンタ色フィルタを通ることで青色の光が取り出され、第２の発光層１６で生じた光がマゼンタ色フィルタを通ることで赤色の光が取り出される（取出し光の色種が青色及び赤色）。第２の副画素に対応する部分では、第１の発光層１４で生じた光が黄色フィルタを通ることで緑色の光が取り出され、第２の発光層１６で生じた光が黄色フィルタを通ることで赤色の光が取り出される（取出し光の色種が赤色及び緑色）。

（変形例３）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０において、副画素のレイアウトは、図２Ｂ、図２Ｃの例に限定されない。副画素は、例えば、図１３Ａ、図１３Ｂに示すようなレイアウトであってもよい（変形例３）。図１３Ａ、図１３Ｂは、変形例３の表示装置における副画素のレイアウトの一実施例を示す平面図である。図１３Ｂに示す変形例３の例では、第１の副画素の例となる副画素１０１Ｒと第２の副画素の例となる副画素１０１Ｇが、デルタ状等の多角形状に定められるレイアウトとなっており、副画素１０１Ｒと副画素１０１Ｇの組み合わせが所定方向に並んでいる。また、このとき図１３Ａに示すように、第３の副画素の例となる副画素１０１Ｂが、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇを覆う形状に定義される（２つの多角形を合わせた形状として定められる）レイアウトとなっていてもよい。

（変形例４）
　第１の実施形態にかかる表示装置１０において、絶縁層１２の開口部１２Ａは、分離された第１の電極１３の第１の面の外周端縁に位置するように場合に限定されない。絶縁層１２の開口部１２Ａは、例えば、図１４に示すように形成されてもよい（変形例４）。図１４は、変形例４の表示装置の一実施例を示す平面図である。

　図１４の例に示すように、表示装置１０において、絶縁層１２は、分離された第１の電極１３の第１の面の周縁部から側面（端面）にかけての領域を覆っていてもよい。この場合、それぞれの開口部１２Ａは、それぞれの第１の電極１３の第１の面上に配置される。このとき、第１の電極１３は、開口部１２Ａから露出し、この露出した領域が、発光素子１０４Ａの発光領域を規定する。本明細書において、第１の電極１３の第１の面の周縁部とは、個々の第１の電極１３の第１の面側の外周端縁からその第１の面の内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。

［２　第２の実施形態］
　上記の第１の実施形態に示す表示装置１０においては、図１５に示すように、色変換層がカラーフィルタ１８である場合に限定されない。第１の実施形態に示す表示装置１０においては色変換層が多層干渉層１９であってもよい（第２の実施形態）。図１５は第２の実施形態にかかる表示装置１０の一実施例を示す断面図である。

（多層干渉層）
　多層干渉層１９は、誘電体積層構造を有する層（例えば誘電体積層膜等）を例示することができる。多層干渉層１９は、薄膜による光の干渉を利用して、特定の波長領域の光を透過し、残りの波長領域を反射する機能を有する。具体的に、多層干渉層１９は、ダイクロイックミラーを例示することができる。第２の実施形態にかかる表示装置１０は、色変換層として、発光素子１０４の厚みに沿った方向（図１５においてＺ軸方向）を視線方向とした場合に、第１の副画素に対応する部分（副画素１０１Ｒに対応する部分）には、第１の多層干渉層が設けられ、第２の副画素に対応する部分（副画素１０１Ｇに対応する部分）には第２の多層干渉層が設けられる。第１の多層干渉層は、第１の副画素の色種に対応する波長領域の光と、第３の副画素（副画素１０１Ｂ）の色種に対応する波長領域の光を透過する。第２の多層干渉層は、第２の副画素の色種に対応する波長領域の光と、第３の副画素の色種に対応する波長領域の光を透過する。図１５の例では、第１の多層干渉層は、多層干渉層１９Ｍであり、第２の多層干渉層は、多層干渉層１９Ｃである。多層干渉層１９Ｍは、副画素１０１Ｒに対応する赤色の波長領域の光と、副画素１０１Ｂに対応する青色の波長領域の光とを透過する。多層干渉層１９Ｃは、副画素１０１Ｇに対応する緑色の波長領域の光と、副画素１０１Ｂに対応する青色の波長領域の光を透過する。

　第２の実施形態にかかる表示装置１０によれば、第１の実施形態にかかる表示装置と同様の効果を得ることができる。

［３　第３の実施形態］
　上記第１の実施形態又は第２の実施形態に示す表示装置１０は、図１６に示すように、共振器構造を備えてもよい（第３の実施形態）。図１６は第３の実施形態にかかる表示装置１０の一実施例を示す断面図である。

［３－１　表示装置の構成］
　図１６の例に示す第３の実施形態にかかる表示装置１０は、共振器構造を備える他については、第１の実施形態又は第２の実施形態にかかる表示装置と同様の構成を有してよい。

（共振器構造）
　第３の実施形態にかかる表示装置１０には、共振器構造２０が形成されている。表示装置１０において、共振器構造２０は、発光素子１０４に形成されている。図１６の例に示す共振器構造２０は、キャビティ構造である。図１６の例では、共振器構造２０は、第１の電極１３、第１の発光層１４及び第２の電極１５を含む。この例に示されるキャビティ構造は、第１の発光層１４から生じた光を共振する構造である。なお第１の発光層１４から生じた光を共振するとは、第１の発光層１４から生じた光Ｌのうち特定波長の光を共振することを示す。

　図１６に示す表示装置１０の例では、第１の発光層１４で生じた光（発生光）は、赤色の波長領域の光と緑色の波長領域の光をあわせた光となっている。共振器構造２０は、発生光に含まれる特定波長の光を共振する。このとき、発生光のうち所定波長の光が強調される。そして、発光素子１０４の第２の電極１５側（すなわち発光面側）から、所定波長の光を強調した状態で、外部に向けて光が放出される。なお、所定波長の光は、予め定められた色種に対応する光であり、副画素１０１に応じて定められる色種に対応する光を示す。図１６の例では、表示装置１０は、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇに応じた発光素子１０４ＡＲ、１０４ＡＧに対応して、それぞれ共振器構造２０Ｒ、２０Ｇが形成されている。共振器構造２０Ｒでは、第１の発光層１４からの発生光のうち赤色光が共振する。発光素子１０４ＡＲの第２の電極１５からは、赤色光を強調された光が、外部に向けて放出される。共振器構造２０Ｇについては、共振器構造２０Ｒと同様の機構で、第１の発光層１４からの発生光のうち緑色光が共振する。副画素１０１Ｇでは、第２の電極１５から、緑色光を強調された光が放出される。なお、本明細書において、共振器構造２０Ｒ、２０Ｇを特に区別しない場合、共振器構造２０という語が使用される。

　共振器構造２０（２０Ｒ、２０Ｇ）は、例えば、図１７Ａに示すような構成を挙げることができる。図１７Ａは、共振器構造２０が第１の発光層１４から生じた光を共振する場合における共振器構造の構成の要部を模式的に示す図である。図１７Ａの例では、第１の電極１３の第２の面側に反射板３６を別途配置しており、第１の発光層１４からの発生光の共振は、例えば、第２の電極１５と反射板３６との間の光反射で形成される。この例の場合、共振器構造２０は、これらの反射板３６、光路調整層３５、第１の電極１３、第１の発光層１４及び第２の電極１５を有する。なお、この例では、第２の電極１５が半透過反射層で形成され、第１の電極１３が透明電極層で形成される。第１の電極１３の第２の面側の所定位置に反射板３６が配置し、反射板と第１の電極１３との間に光路調整層３５が形成されている。反射板３６の位置（第１の電極１３の位置を基準とした光路調整層３５の深さ（厚さ））が、副画素１０１の色種に応じて定められた光路長を実現できるような位置となっている。ここにいう光路長は、第２の電極１５と反射板３６との間の光路長（光学的距離と呼ぶことがある）を示す。光路調整層３５は、例えば絶縁性を有する材料を用いて形成することができる。

　光路長は、予め定めた色種の光に応じて設定される。予め定めた色種は、副画素１０１で発光させたい色種である。例えば、副画素１０１Ｒに形成される共振器構造２０Ｒでは、第２の電極１５と反射板３６との間の光路長は、発生光のうち赤色光の共振を生じるように設定される。副画素１０１Ｇに形成される共振器構造２０Ｇについては、第２の電極１５と反射板３６との間の光路長は、発生光のうち緑色光の共振を生じるように設定される。

　なお、図１７Ａに示す共振器構造２０は、一例であり、キャビティ構造を形成することができるような構造であれば、図１７Ａに示す例に特に限定されるものではない。例えば、図１７Ｂに示すように、第１の電極１３として透明電極層１３０と、光反射性を有する反射層１３１とを積層したものを用い、第１の電極１３の透明電極層１３０の厚みを調整することで共振器構造２０Ｒ、２０Ｇが形成されてもよい。なお反射層１３１は、反射板３６と同様に形成されてよい

［３－２　作用及び効果］
　第３の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の実施形態にかかる表示装置と同様の効果を得ることができる。また、第３の実施形態にかかる表示装置１０においては、共振器構造２０が設けられていることで、色純度を向上させることができる。

［３－３　変形例］
（変形例１）
　図１６の例では、共振器構造２０が第１の発光層を有する発光素子１０４ＡＲ、１０４ＡＧに形成されている場合について説明したが、第３の実施形態にかかる表示装置１０はこれに限定されない。第３の実施形態にかかる表示装置１０において、副画素１０１Ｂについて共振器構造２０が設けられてもよい（図示しない）。

（変形例２）
　図１６の例では、カラーフィルタ１８を例として用いて色変換層が表示装置１０に設けられている場合について説明したが、第３の実施形態にかかる表示装置１０はこれに限定されない。第３の実施形態にかかる表示装置１０において、共振器構造２０が形成されている場合に、色変換層は省略されてもよい（図示しない）。

［４　第４の実施形態］
　上記第１の実施形態から第３の実施形態に示す表示装置１０においては、第３の副画素を形成する発光素子１０４は、第１の副画素及び第２の副画素を形成する発光素子１０４よりも表示面側（第１の面側、＋Ｚ方向側）に形成されていたが、各副画素１０１を形成する発光素子１０４の配置はこれに限定されない。すなわち、上記第１の実施形態から第３の実施形態に示す表示装置１０においては、図１８に示すように、第１の副画素及び第２の副画素（図１８では副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ）を形成する発光素子１０４のほうが、第３の副画素（図１８では副画素１０１Ｂ）を形成する発光素子１０４よりも表示面側（第１の面側、＋Ｚ方向側）に形成されていてもよい。なお、図１８においては、発光素子１０４Ｂのうち、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇに対応する部分をいずれも発光素子１０４ＢＲ、１０４ＢＧと記載している。図１８の例では発光素子１０４Ａが副画素１０１Ｂに対応する発光素子となっていることを明らかにするため、発光素子１０４ＡＢと記載する。

　第４の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の電極１３は、第３の副画素に対応したレイアウトで形成される。したがって、図１８の例では、第１の電極１３は、副画素１０１Ｂのレイアウトに応じて配置される。

　第１の発光層４４は、第３の副画素に対応した色種で発光する。したがって、第１の発光層４４は、副画素１０１Ｂの色種に対応した青色の波長領域の光を生じる。すなわち、第１の発光層４４は、記第１の実施形態から第３の実施形態に示す表示装置１０に示す第２の発光層１６に対応する。

　第２の電極１５は、第１の実施形態と同様に、第１の副画素から第３の副画素（副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ）に共通する共通電極となっている。

　第２の発光層４６は、第１の副画素（副画素１０１Ｒ）の色種に対応した波長領域の光及び第２の副画素（副画素１０１Ｇ）の色種に対応した波長領域の光を合わせた光を生じる。したがって、第１の発光層４４は、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇの色種に対応した赤色の波長領域の光と緑色の波長領域の光を合わせた光を生じる。すなわち、第２の発光層４６は、記第１の実施形態から第３の実施形態に示す表示装置１０に示す第１の発光層１４に対応する。

　第３の電極１７は、第１の副画素及び第２の副画素に応じたレイアウトで形成される。したがって、図１８の例では、第３の電極１７は、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇのレイアウトに応じて配置される。副画素１０１Ｒ、１０１Ｇの分離は、第１の実施形態で示すように、副画素１０１Ｂを個々に分離する絶縁層３０Ａと同様の構成を用いて分離することができる。図１８の例では、副画素１０１Ｒに対応する第３の電極１７と副画素１０１Ｇに対応する第３の電極１７との間に、絶縁層３７が形成されている。そのほかの点については、第４の実施形態にかかる表示装置は、第１の実施形態から第３の実施形態にかかる表示装置と同様に形成されてよい。

　第４の実施形態にかかる表示装置１０によれば、第１の実施形態にかかる表示装置と同様の効果を得ることができる。

［５　第５の実施形態］
　上述の第１の実施形態から第４の実施形態にかかる表示装置１０では、第１の副画素から第３の副画素（副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ）のうち、第１の副画素及び第２の副画素が第２の電極１５を有しており、第３の副画素が、第２の電極１５を共有していたが副画素１０１の構成はこれに限定されない。第１の実施形態から第４の実施形態にかかる表示装置１０では、図１９に示すように、第１の副画素及び第２の副画素（副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ）が第１の電極１３及び第２の電極１５を有し、第３の副画素（副画素１０１Ｂ）が第３の電極２２及び第４の電極２４を有してもよい（第５の実施形態）。図１９は、第５の実施形態にかかる表示装置１０の一実施例を示す図である。

［５－１．表示装置の構成］
　第５の実施形態にかかる表示装置１０は、図１９に示すように、駆動基板１１と、複数の発光素子１０５Ａ、１０５Ｂとを備える。また、第５の実施形態にかかる表示装置１０は、第１の副画素として副画素１０１Ｒ、第２の副画素として副画素１０１Ｇ、及び第３の副画素として副画素１０１Ｂを備える。

　発光素子１０５Ａは、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇに形成される。発光素子１０５Ａのうち、副画素１０１Ｒに対応する部分を発光素子１０５ＡＲとする。発光素子１０５Ａのうち、副画素１０１Ｇに対応する部分を発光素子１０５ＡＧとする。また、発光素子１０５Ｂは、副画素１０１Ｂに形成される。発光素子１０４Ｂが副画素１０１Ｂに対応することを明示する場合には、発光素子１０５ＢＢと記載する。なお、発光素子１０５ＡＲ、１０５ＡＧ、１０５ＢＢの区別をしない場合には、発光素子１０５ＡＲ、１０５ＡＧ、１０５ＢＢは、発光素子１０５との語で総称する。

　発光素子１０５Ａは、第１の実施形態における発光素子１０４Ａと同様に、第１の電極１３と、第１の発光層１４と、第２の電極１５とを備える。第１の電極１３と第２の電極１５は、第１の発光層１４に電界をかける一対の電極を形成する。

　第５の実施形態にかかる表示装置１０においては、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇは、第１の実施形態と同様に構成される。したがって副画素１０１Ｒ、１０１Ｇは、第１の電極１３と、第１の発光層１４と、第２の電極１５とを備えており、第１の電極１３と第２の電極１５は、第１の発光層１４を挟んで積層されている。

　発光素子１０５Ｂ（発光素子１０５ＢＢ）は、第３の電極２２と、第２の発光層１６と、第４の電極２４と、を備える。図１９の例では、第３の電極２２と、第２の発光層１６と、第４の電極２４は、第２の面から第１の面に向かう方向に順に積層されている。第３の電極２２と第４の電極２４は、第２の発光層１６に電界をかける一対の電極を形成する。したがって副画素１０１Ｒ、１０１Ｇは、第３の電極２２と、第２の発光層１６と、第４の電極２４とを備える。

（絶縁層）
　第５の実施形態にかかる表示装置１０においては、第２の電極１５の第１の面側に第３の電極２２が形成される。このとき第２の電極１５と第３の電極２２の間に絶縁層２３が設けられている。そして絶縁層２３を介して第２の電極１５と第３の電極２２が積層されていることで、第２の電極１５と第３の電極２２が分離されている。絶縁層２３の材料は、絶縁層１２と同様の材料で形成されてよい。

（第３の電極）
　第３の電極２２は、第１の実施形態における第３の電極１７と同様に、第３の副画素（図１９の例では副画素１０１Ｂ）のアノード電極となっている。第３の電極２２の材料及び構成は、第１の実施形態における第３の電極１７で使用可能な材料及び構成を用いることができる。また、第３の電極２２のレイアウトについても、第１の実施形態と同様に、第３の副画素（副画素１０１Ｂ）の配置に応じたレイアウトとされている。そして第３の副画素（副画素１０１Ｂ）に応じて分離した第３の電極２２が複数形成される。

（第２の発光層）
　第５の実施形態にかかる表示装置１０においては、第３の電極２２の第１の面側に第２の発光層１６が形成されている。第２の発光層１６は、第１の実施形態の第２の発光層１６と同様である。図１９の例では、第２の発光層１６は、青色に発光する層となっている。

（第４の電極）
　第２の発光層１６の第１の面側には、第４の電極２４が設けられている。したがって、第３の電極２２と第４の電極２４は、第２の発光層１６を挟んで積層された状態となっている。このような第５の実施形態にかかる表示装置１０は、駆動基板１１上に、順に、複数の第１の電極１３と、第１の発光層１４と、第２の電極１５と、絶縁層２３と、複数の第３の電極２２と、第２の発光層１６と、第４の電極２４とを備える。すなわち第５の実施形態にかかる表示装置１０では、第１の発光層１４と第２の発光層１６との間に、第２の電極１５と第３の電極２２が配置されており、且つ、第２の電極１５と第３の電極２２を分離する絶縁層２３が設けられている。

　第４の電極２４は、第３の電極１７と対向して設けられている。第３の電極１７と第４の電極２４で一対の電極をなしており、この一対の電極が第２の発光層１６を挟むように配置される。図１９の例では、第４の電極２４は、副画素１０１Ｂに共通の電極として設けられている。また、第４の電極２４は、カソード電極である。第４の電極２４の材料及び構成は、第１の実施形態で説明した第２の電極１５の材料及び構成と同様でよい。

　第５の実施形態にかかる表示装置は、第１の電極１３と第３の電極２２がアノード電極となっており、第２の電極１５と第４の電極２４がカソード電極となっている（図１９）。また、図１９には、表示装置１０の構成とともに、発光素子１０５Ａ、１０５Ｂの電気的制御を説明するための回路図があわせて記載されている。図１９に示すように、駆動基板１１側から副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂに電界を与える電源をＥ１、Ｅ２、Ｅ３とした場合に、電源Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３からそれぞれの発光素子１０５ＡＲ、１０５ＡＧ、１０５ＢＢに形成されるダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３にかけられる電界の向きについて、ダイオードＤ１、Ｄ２にかけられる電界の向きが、ダイオードＤ３にかけられる電界の向きと同じ向きとなっている。

（色変換層）
　第５の実施形態にかかる表示装置は、第１の実施形態と同様に色変換層を有している。図１９の例では、色変換層として、第１の実施形態と同様にカラーフィルタ１８が用いられている。なお、色変換層については、第２の実施形態等でも示すように、多層干渉層１９等といったカラーフィルタ１８以外の構成であってもよい。

　なお、第５の実施形態にかかる表示装置は、第１の実施形態と同様に、色変換層を覆うように、充填樹脂層及び対向基板が設けられていることが好適である。

［５－２　作用及び効果］
　第５の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の実施形態にかかる表示装置と同様に、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇと副画素１０１Ｂとが重なるように形成されており、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇが第１の発光層１４を有している。したがって、第５の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

［６　第６の実施形態］
［６－１　表示装置の構成］
　上述の第１の実施形態から第５の実施形態にかかる表示装置１０では、色変換層が設けられていたが、本開示にかかる表示装置はこれに限定されない。例えば、表示装置が３種の副画素で２色表示を行う方式である場合には、第１の実施形態から第５の実施形態にかかる表示装置１０では、図２０に示すように、色変換層が省略されてもよい（第６の実施形態）。図２０は、第６の実施形態にかかる表示装置１０の一実施例を示す図である。図２０の例では、第６の実施形態にかかる表示装置１０が第１の実施形態にかかる表示装置１０から色変換層を省略した構造を有する場合について例示がなされている。

　第６の実施形態にかかる表示装置１０では、色変換層を省略した他については第１の実施形態第から第５の実施形態のいずれかと同様に構成されてよい。図２０の例では、第１の発光層１４は、図３Ａに示すように構成されており、赤色発光層１４２Ｒ及び緑色発光層１４２Ｇを有している。

　また、図２０の例では、第６の実施形態にかかる表示装置１０は、第１の副画素及び第２の副画素の発光色が同色となる。第１の副画素及び第２の副画素は、赤色の波長領域の光と緑色の波長領域の光をあわせた光で発光する副画素（副画素１０１ＲＧ１、１０１ＲＧ２）となる。したがって、この例では、第１の副画素及び第２の副画素が、副画素１０１ＲＧ１、１０１ＲＧ２であり、第３の副画素が副画素１０１Ｂとなる。なお、図２０においては、副画素１０１ＲＧ１、１０１ＲＧ２が発光素子１０４Ａを有しているが、発光素子１０４のうち、副画素１０１ＲＧ１、１０１ＲＧ２に対応する部分をいずれも発光素子１０４ＡＲＧと記載している。

［６－２　作用及び効果］
　第６の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の実施形態にかかる表示装置と同様に、第１の副画素及び第２の副画素（副画素１０１ＲＧ１、１０１ＲＧ２）に対して第３の副画素（副画素１０１Ｂ）が重なるように形成されており、副画素１０１ＲＧ１、１０１ＲＧ２が第１の発光層１４を有している。第６の実施形態にかかる表示装置１０においては、次のように、３種類の副画素１０１ＲＧ１、１０１ＲＧ２、１０１Ｂの独立駆動により２色表示を行うことができる。

　副画素１０１ＲＧ１に対応した第１の電極１３と第２の電極１５との間で電圧がかかると、第１の発光層１４のうち第１の副画素（副画素１０１ＲＧ１）に対応した部分に電界をかけた状態が形成される。このとき、第１の発光層１４から光が生じる。この光は、図２１のグラフＧ１１に示すように、赤色の波長領域にスペクトル分布ＳＲを有する光と緑色の波長領域にスペクトル分布ＳＧを有する光を合わせた光となっている。このとき副画素１０１ＲＧ１では、第１の発光層１４で生じた光は、図２１の＋Ｚ方向に伝わり、取り出される。したがって、副画素１０１ＲＧ１において第１の発光層１４から取り出される光は、赤色の波長領域にスペクトル分布ＬｕＲを有する光と緑色の波長領域にスペクトル分布ＬｕＧを有する光をあわせた光となる（図２１のグラフＧ１３）。図２１は、第６の実施形態にかかる表示装置の光取り出し機構を説明するための図である。図２１には、表示装置１０の各層について、－Ｚ側から、副画素１０１ＲＧ１、１０１ＲＧ２、１０１Ｂを構成する第１の発光層１４から生じる光のスペクトル分布図（グラフＧ１１、Ｇ１４）、第２の発光層から生じる光のスペクトル分布図（グラフＧ１２、Ｇ１５）、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂから取り出される光のスペクトル分布図（グラフＧ１３、Ｇ１６）が記載されている。

　また、副画素１０１ＧＲ２に対応した第１の電極１３と第２の電極１５との間で電圧がかかると、第１の発光層１４のうち副画素１０１ＲＧ２に対応した部分に電界をかけた状態が形成される。このとき副画素１０１ＲＧ２では、副画素１０１ＲＧ１について説明したことと同様に、第１の発光層１４から赤色の波長領域にスペクトル分布ＳＲを有する光と緑色の波長領域にスペクトル分布ＳＧを有する光を合わせた光が生じる（図２１のグラフＧ１４）。このとき副画素１０１ＲＧ２では、第１の発光層１４で生じた光は、図２１の＋Ｚ方向に伝わり、取り出される。したがって、副画素１０１ＲＧ２において第１の発光層１４から取り出される光は、赤色の波長領域にスペクトル分布ＬｕＲを有する光と緑色の波長領域にスペクトル分布ＬｕＧを有する光をあわせた光となる（図２１のグラフＧ１６）。

　また、第３の電極１７と第２の電極１５との間で電圧がかかると、第２の発光層１６に電界をかけた状態が形成される。このとき、第２の発光層１６から光が生じる。この光は、図１１のグラフＧ１２、Ｇ１５に示すように、青色の波長領域にスペクトル分布ＳＢを有する光（青色光）となっている。副画素１０１Ｂでは、第２の発光層１６で生じた青色光が取り出される。このように、副画素１０１Ｂにおいて第２の発光層１６から取り出される光は、青色の波長領域にスペクトル分布ＬｕＢを有する光でおおよそ占められる（図２１のグラフＧ１３、Ｇ１６）。

　そして、第１の電極１３と第３の電極１７に対して個別に電圧をかけることができることで、副画素１０１ＲＧ１、１０１ＲＧ２、１０１Ｂを赤色と緑色を合わせた色及び青色に個別に発光させることができるため、表示装置１０は表示領域１０Ａに２色表示させることができる。

　このような第５の実施形態にかかる表示装置１０においては、上述したように第１の実施形態にかかる表示装置と同様に、副画素１０１Ｒ、１０１Ｇと副画素１０１Ｂとが重なるように形成されている。したがって画素間のピッチを同じとする条件下で、第１の実施形態にかかる表示装置１０と、塗り分け方式で３つの色種の副画素を形成する表示装置とを比較した場合に、第５の実施形態にかかる表示装置１０のほうが、副画素の発光面積を大きくすることができる。したがって、第１の実施形態にかかる表示装置１０によれば、従来の表示装置に比べて輝度を向上させることができる。

［６－３　変形例］
　第６の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の発光層１４が、赤色の波長領域の光と緑色の波長領域の光をあわせた光を生じるように構成されている場合を例としたが、第１の発光層１４に赤色発光層１４２Ｒ及び緑色発光層１４２Ｇを設けている場合について説明したが、第１の発光層１４の構成はこれに限定されない。第６の実施形態にかかる表示装置１０においては、第１の実施形態の変形例１において説明したように、第１の発光層１４が図３Ｂに示すように構成されてもよい（変形例）。この場合、第１の発光層１４は、正孔注入層１４０、正孔輸送層１４１、黄色発光層１４２Ｙ、電子輸送層１４３を積層した構造を有する。

　黄色発光層１４２Ｙは、赤色の波長領域及び緑色の波長領域の両方の波長領域にスペクトル分布を有する光を生じる。第１の発光層１４が黄色発光層１４２Ｙを有することで、色赤色の波長領域の光と緑色の波長領域の光をあわせた光を取り出すことができる。

　第６の実施形態の変形例にかかる表示装置１０では、図２２に示すように、第１の副画素及び第２の副画素は、黄色の波長領域の光で発光する副画素（副画素１０１Ｙ１、１０１Ｙ２）となる。したがって、この例では、第１の副画素及び第２の副画素が、副画素１０１Ｙ１、１０１Ｙ２であり、第３の副画素が副画素１０１Ｂとなる。なお、図２２においては、発光素子１０４Ａのうち、副画素１０１Ｙ１、１０１Ｙ２に対応する部分をいずれも発光素子１０４ＡＹと記載している。

［７　応用例］
（電子機器）
　本開示にかかる発光装置は、種々の電子機器に備えられてもよい。例えば、上述の一実施形態（第１の実施形態から第６の実施形態のいずれか１つ）に係る表示装置１０が、種々の電子機器に備えられてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに備えられることが好ましい。

（具体例１）
　図２３Ａは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す正面図である。図２３Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す背面図である。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。

　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０のいずれかを用いることができる。

（具体例２）
　図２４は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す斜視図である。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０のいずれかを用いることができる。

（具体例３）
　図２５は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す斜視図である。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、上述の一実施形態および変形例に係る表示装置１０のいずれかにより構成される。

［８　照明装置］
　本開示にかかる発光装置について、発光装置が表示装置である場合を例として、上記の第１の実施形態から第６の実施形態で詳細に説明をした。本開示にかかる発光装置は、表示装置に限定されず、照明装置として使用されてもよい。本開示にかかる発光装置が照明装置として使用される場合についても、上記第１の実施形態から第６の実施形態で示す構成を採用することができる。

　以上、本開示の第１の実施形態から第６の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、応用例及び照明装置について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１の実施形態から第６の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、応用例及び照明装置に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

　例えば、上述の第１の実施形態から第６の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、応用例及び照明装置において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。

　上述の第１の実施形態から第６の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、応用例及び照明装置の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

　上述の第１の実施形態から第６の実施形態及び各変形例にかかる表示装置、応用例及び照明装置に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）第１の副画素と、
　前記第１の副画素と色種の異なる第２の副画素及び第３の副画素と、を備え、
　前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、所定の色種で発光する第１の発光層を有し、
　前記第３の副画素は、前記第１の発光層に対して積層され前記第１の発光層とは発光色の異なる第２の発光層を有する、
　発光装置。
（２）前記第１の発光層の発光色を前記第１の副画素及び前記第２の副画素に応じた色種に変換する色変換層を有する、
　上記（１）に記載の発光装置。
（３）前記色変換層が、カラーフィルタである、
　上記（２）に記載の発光装置。
（４）前記色変換層が、誘電体積層構造を有する多層干渉層である、
　上記（２）に記載の発光装置。
（５）前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、複数の第１の電極と、第２の電極とを備え、
　前記第３の副画素は、複数の第３の電極を備え、
　前記複数の第１の電極は、前記第１の副画素及び前記第２の副画素に応じて分離しており、
　前記第３の副画素は、前記第２の電極を、前記第１の副画素及び前記第２の副画素と共有しており、
　前記複数の第３の電極は、前記第３の副画素に応じて分離している、
　上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の発光装置。
（６）前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、複数の第１の電極と、第２の電極とを備え、
　前記第３の副画素は、複数の第３の電極と、第４の電極とを備え、
　前記複数の第１の電極は、前記第１の副画素及び前記第２の副画素に応じて分離しており、
　前記第２の電極は、前記第１の副画素及び前記第２の副画素に共通する共通電極であり、
　前記複数の第３の電極は、前記第３の副画素に応じて分離している、
　上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の発光装置。
（７）前記第１の電極と前記第２の電極は、前記第１の発光層を挟んで積層され、
　前記第３の電極と前記第４の電極は、前記第２の発光層を挟んで積層され、
　前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に、前記第２の電極と前記第３の電極が配置されており、
　前記第２の電極と前記第３の電極を分離する絶縁層が設けられている、
上記（６）に記載の発光装置。
（８）前記第１の副画素、前記第２の副画素及び前記第３の副画素は、それぞれ独立して発光する、
　上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の発光装置。
（９）前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、それぞれ前記第１の発光層で生じた光のうち特定波長の光を共振する共振器構造を有する、
　上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１０）前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、それぞれ赤色、緑色を発光色とし、
　前記第３の副画素は、青色を発光色とする、
　上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１１）前記第３の副画素の発光領域は、前記第１の副画素の発光領域及び前記第２の副画素の発光領域のいずれよりも大きい、
　上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１２）上記（１）から（１１）のいずれか１つに記載の発光装置を備えた、
　電子機器。

１０　　　　　：表示装置
１０Ａ　　　　：表示領域
１１　　　　　：駆動基板
１１Ａ　　　　：基板
１２　　　　　：絶縁層
１２Ａ　　　　：開口部
１３　　　　　：第１の電極
１４　　　　　：第１の発光層
１５　　　　　：第２の電極
１６　　　　　：第２の発光層
１７　　　　　：第３の電極
１８　　　　　：カラーフィルタ
１８Ｃ　　　　：シアン色フィルタ
１８Ｍ　　　　：マゼンタ色フィルタ
１９　　　　　：多層干渉層
２０　　　　　：共振器構造
２１　　　　　：保護層
２２　　　　　：第３の電極
２３　　　　　：絶縁層
２４　　　　　：第４の電極
２５　　　　　：第１の中継電極層
２６　　　　　：第２の中継電極層
２７　　　　　：第２のコンタクトホール
２７Ａ　　　　：第２のコンタクト部
２８　　　　　：第１のコンタクトホール
２８Ａ　　　　：第１のコンタクト部
２９　　　　　：溝部
３０Ａ　　　　：絶縁層
３０Ｂ　　　　：絶縁層
１０１　　　　：副画素
１０４　　　　：発光素子
１０５　　　　：発光素子
３１０　　　　：デジタルスチルカメラ
３１１　　　　：カメラ本体部
３１２　　　　：撮影レンズユニット
３１３　　　　：グリップ部
３１４　　　　：モニタ
３１５　　　　：電子ビューファインダ
３２０　　　　：ヘッドマウントディスプレイ
３２１　　　　：表示部
３２２　　　　：耳掛け部
３３０　　　　：テレビジョン装置
３３１　　　　：映像表示画面部
３３２　　　　：フロントパネル
３３３　　　　：フィルターガラス

Claims (12)

1. 　第１の副画素と、
   　前記第１の副画素と色種の異なる第２の副画素及び第３の副画素と、を備え、
   　前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、所定の色種で発光する第１の発光層を有し、
   　前記第３の副画素は、前記第１の発光層に対して積層され前記第１の発光層とは発光色の異なる第２の発光層を有する、
   　発光装置。
2. 　前記第１の発光層の発光色を前記第１の副画素及び前記第２の副画素に応じた色種に変換する色変換層を有する、
   　請求項１に記載の発光装置。
3. 　前記色変換層が、カラーフィルタである、
   　請求項２に記載の発光装置。
4. 　前記色変換層が、誘電体積層構造を有する多層干渉層である、
   　請求項２に記載の発光装置。
5. 　前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、複数の第１の電極と、第２の電極とを備え、
   　前記第３の副画素は、複数の第３の電極を備え、
   　前記複数の第１の電極は、前記第１の副画素及び前記第２の副画素に応じて分離しており、
   　前記第３の副画素は、前記第２の電極を、前記第１の副画素及び前記第２の副画素と共有しており、
   　前記複数の第３の電極は、前記第３の副画素に応じて分離している、
   　請求項１に記載の発光装置。
6. 　前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、複数の第１の電極と、第２の電極とを備え、
   　前記第３の副画素は、複数の第３の電極と、第４の電極とを備え、
   　前記複数の第１の電極は、前記第１の副画素及び前記第２の副画素に応じて分離しており、
   　前記第２の電極は、前記第１の副画素及び前記第２の副画素に共通する共通電極であり、
   　前記複数の第３の電極は、前記第３の副画素に応じて分離している、
   　請求項１に記載の発光装置。
7. 　前記第１の電極と前記第２の電極は、前記第１の発光層を挟んで積層され、
   　前記第３の電極と前記第４の電極は、前記第２の発光層を挟んで積層され、
   　前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に、前記第２の電極と前記第３の電極が配置されており、
   　前記第２の電極と前記第３の電極を分離する絶縁層が設けられている、
   　請求項６に記載の発光装置。
8. 　前記第１の副画素、前記第２の副画素及び前記第３の副画素は、それぞれ独立して発光する、
   　請求項１に記載の発光装置。
9. 　前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、それぞれ前記第１の発光層で生じた光のうち特定波長の光を共振する共振器構造を有する、
   　請求項１に記載の発光装置。
10. 　前記第１の副画素及び前記第２の副画素は、それぞれ赤色、緑色を発光色とし、
    　前記第３の副画素は、青色を発光色とする、
    　請求項１に記載の発光装置。
11. 　前記第３の副画素の発光領域は、前記第１の副画素の発光領域及び前記第２の副画素の発光領域のいずれよりも大きい、
    　請求項１に記載の発光装置。
12. 　請求項１記載の発光装置を備えた、
    　電子機器。

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