TWI574397B - 有機發光二極體顯示器及其製造方法 - Google Patents

有機發光二極體顯示器及其製造方法 Download PDF

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Description

有機發光二極體顯示器及其製造方法
本發明之實施例之態樣係關於一種有機發光二極體(OLED)顯示器及其製造方法。
有機發光二極體(OLED)顯示器可包含複數個發光二極體，各發光二極體具有電洞注入電極、有機發射層、以及電子注入電極。 有機發光二極體顯示器藉由當有機發射層中由電子與電洞結合所產生之激子從激發態切換至基態時所產生的能量而發光。有機發光二極體顯示器藉由使用此種發光而顯示影像。
有機發光二極體顯示器具有自發光特性且不需獨立光源。 因此，其厚度與重量相較於液晶顯示器則降低。此外，因為有機發光二極體顯示器具有優質的特性如低能量耗損、高亮度、高反應速度等，有機發光二極體顯示器已作為下一代顯示裝置而受到注目。
有機發光二極體顯示器之單元像素可包含紅色像素、綠色像素、及藍色像素之子像素，且所期望之顏色藉由三子像素之顏色結合而顯示。亦即，各子像素具有於兩電極之間發出紅光、綠光、及藍光之 其中之一種光的有機發射層，且單元像素的顏色藉由三種顏色的光之適當結合而顯示。
於此先前技術章節所揭露之上述資訊僅為加強所述技術之背景之理解，且因此其可包含未構成為本國所屬領域具有通常知識者所熟知之先前技術的資訊。
本發明之實施例之態樣提供一種具有改良之色純度及視角的有機發光二極體顯示器、以及其簡化之製造方法。
於本發明之例示性實施例中，提供一種有機發光二極體顯示器。有機發光二極體顯示器包含：第一像素，係包含像素電極之第一像素電極、第二像素，係包含像素電極之第二像素電極、及第三像素，係包含像素電極之第三像素電極；共振輔助層，係於第一像素電極上。 有機發射層，係包含於共振輔助層與第二像素電極上之第一有機發射層、於第一有機發射層上之第二有機發射層、以及於第三像素電極上之第三有機發射層；共同電極，係於有機發射層上；以及混色預防層，係於共同電極上。混色預防層係配置以吸收對應至由第一有機發射層所發射之第一光線之波長區域與由第二有機發射層所發射之第二光線之波長區域重疊之波長區域之重疊光。
有機發光二極體顯示器更可包含介於共同電極與混色預防層之間之偏光薄膜。
第一像素可包含混色預防層。
混色預防層可包含支撐薄膜以及於支撐薄膜上之吸收薄膜。吸收薄膜可配置以吸收重疊光。
有機發光二極體顯示器可更包含於混色預防層上之偏光薄膜。
混色預防層可包含偏光薄膜之附著劑與用於吸收重疊光之吸收劑之混合層。
混色預防層可包含紅色濾光片。
第一像素可包含紅色濾光片。
重疊之波長區域可包含560奈米至590奈米。
第一有機發射層及第二有機發射層可具有相同圖樣。
像素電極可包含反射電極及於反射電極上之透明電極。於第一像素與第二像素間介於反射電極與共同電極間之距離可有所不同。
介於反射電極與共同電極間之距離可依第一像素、第二像素及第三像素之順序而變得較短。
第一像素可包含紅色像素，第二像素可包含綠色像素，且第三像素可包含藍色像素。
透明電極可包含結晶透明導電性氧化物，且共振輔助層可包含非晶矽透明導電性氧化物。
根據本發明之另一例示性實施例，提供一種用於製造有機發光二極體顯示器之方法。該方法包含：形成用於第一像素之第一像素電極、用於第二像素之第二像素電極、及用於第三像素之第三像素電極；形成共振輔助層於第一像素電極上；形成第一有機發射層於共振輔助層 與第二像素電極上；形成第二有機發射層於第一有機發射層上；形成第三有機發射層於第三像素電極上；形成共同電極於第二有機發射層與第三有機發射層上；以及形成混色預防層於共同電極上。
混色預防層之形成可包含形成混色預防層於第一像素中。
混色預防層之形成可包含形成混色預防層用於吸收重疊光，其對應至由第一有機發射層所發射之第一光線之波長區域與由第二有機發射層所發射之第二光線之波長區域重疊之波長區域。
該方法可更包含於形成混色預防層之前形成偏光薄膜於共同電極上。
混色預防層之形成可包含形成支撐薄膜、以及於支撐薄膜上形成用以吸收重疊光之吸收薄膜。
該方法可更包含形成偏光薄膜於混色預防層上。
混色預防層可包含偏光薄膜之附著劑與用於吸收重疊光之吸收劑之混合層。
混色預防層可包含紅色濾光片。
第一像素可包含紅色濾光片。
重疊之波長區域可包含560奈米至590奈米。
第一有機發射層之形成可包含使用第一遮罩。第二有機發射層之形成可包含使用第一遮罩以產生與第一有機發射層相同之圖樣。
第一像素可包含紅色像素，第二像素可包含綠色像素，且第三像素可包含藍色像素。
本發明之實施例之態樣可藉由執行兩次遮罩製程而形成三色有機發射層，從而簡化製程及增進產率。於更進一步之態樣中，沉積之三色有機發射層之間的間隙係減少，從而實現每英吋300像素(PPI)之高解析度。於其他態樣中，形成混色預防層以預防或減少以相同遮罩所形成之紅色像素與綠色像素間的顏色干擾，從而增進視角。於更進一步的態樣中，吸收劑與偏光薄膜之附著劑係混合以輕易地形成混色預防層，從而降低紅色像素與綠色像素間的顏色干擾而增進視角。
PX‧‧‧子像素
Cst‧‧‧電容器
Qd‧‧‧驅動電晶體
Qs‧‧‧開關電晶體
LD‧‧‧有機發光元件
N1‧‧‧第一節點
N2‧‧‧第二節點
N3‧‧‧第三節點
N4‧‧‧第四節點
N5‧‧‧第五節點
ILD‧‧‧輸出電流
Vss‧‧‧共同電壓
121‧‧‧掃描訊號線
171‧‧‧資料線
172‧‧‧驅動電壓線
10‧‧‧第一遮罩
20‧‧‧第二遮罩
110‧‧‧絕緣基板
180‧‧‧保護層
185‧‧‧接觸孔
189‧‧‧像素定義膜
190‧‧‧像素電極
191‧‧‧反射電極
192‧‧‧透明電極
193‧‧‧共振輔助層
270‧‧‧共同電極
310‧‧‧電洞輔助層
R‧‧‧紅色像素
G‧‧‧綠色像素
B‧‧‧藍色像素
320R‧‧‧紅色有機發射層
320G‧‧‧綠色有機發射層
320B‧‧‧藍色有機發射層
330‧‧‧電子輔助層
370‧‧‧有機發光構件
400‧‧‧封裝層
510‧‧‧偏光薄膜
520、530、540‧‧‧混色預防層
521‧‧‧支撐薄膜
522、523‧‧‧吸收薄膜
A、B1、B2‧‧‧透射率曲線
P‧‧‧波長區域
第1圖表示根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器中子像素的等效電路。
第2圖表示於第1圖所示之有機發光二極體顯示器之單元像素之剖面圖。
第3圖表示第2圖之有機發光二極體顯示器之透射率對應於混色預防層之波長之圖表。
第4圖表示未形成混色預防層於其中之紅綠重疊有機發光二極體顯示器之比較例1中根據波長之發光強度之圖表。
第5圖表示第4圖的比較例1中根據視角之發光強度之圖表。
第6圖表示混色預防層形成於其中之第2圖之紅綠重疊有機發光二極體顯示器中根據視角的發光強度之圖表。
第7圖表示形成用以吸收560奈米至570奈米重疊之波長區域的光之混色預防層於其中之紅綠重疊有機發光二極體顯示器之比較例2中對應於視角的發光強度之圖表。
第8圖表示形成用以吸收580奈米至590奈米重疊之波長區域之光之混色預防層於其中之紅綠重疊有機發光二極體顯示器之比較例3中對應於視角的發光強度之圖表。
第9圖表示根據用於製造第2圖之有機發光二極體顯示器之方法用於藉由使用第一遮罩而依序地堆疊紅色有機發射層與綠色有機發射層之方法。
第10圖表示根據用以製造第2圖之有機發光二極體顯示器之第9圖之方法用於藉由使用第二遮罩而形成藍色有機發射層之方法。
第11圖表示根據第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面圖。
第12圖表示根據第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面圖。
第13圖表示根據第四例示性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面圖。
第14圖表示根據第五例示性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面圖。
第15圖表示第14圖之有機發光二極體顯示器對應至紅色濾光片之波長之透射率的圖表。
第16圖表示第14圖之有機發光二極體顯示器中依據視角的發光強度之圖表。
本發明之實施例將參考其中顯示本發明之例示性實施例之附圖而於此更完整地說明。所屬技術領域具有通常知識者將理解，所描述之實施例可在不脫離本發明之精神與範疇下以各種不同形式修改。
全文中相同之參考符號係代表相同之元件。此外，當第一元件被描述為“耦合至(coupled to)”第二元件，第一元件可直接耦合(如連接)至第二元件或可透過一或多個第三元件間接地耦合(如電性連接)至第二元件。
更進一步，為了更容易理解及方便說明，圖中每個元件之大小及厚度可能係隨意地繪示。本發明並不受限於所繪示之大小及厚度。
有機發光二極體顯示器之有機發射層可透過遮罩沉積方法而形成，其中具有與有機發射層相同之圖樣之精細金屬遮罩(FMM)係設置於標的材料上，且沈積源材料係透過遮罩沉積以形成具有期望圖樣之有機發射層於標的材料上。根據執行遮罩沉積方法的一種方式，當形成紅色子像素、綠色子像素及藍色子像素之其中之一時，精細金屬遮罩每次皆要以新的更替，所以要執行三次遮罩製程。例如，當沉積紅色像素時，使用第一精細金屬遮罩、當沉積綠色像素時，使用第二精細金屬遮罩及當沉積藍色像素時，使用第三精細金屬遮罩，從而完成單元像素之發射層圖樣。
然而，使用三個遮罩製程可能會降低產率。此外，當遮罩以預定間隙設置於遮罩圖樣與鄰近顏色的有機發射層之間時，使用三個遮罩製程可能會劣化高解析度的實行。
根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器現將參考第1圖與第2圖詳細地描述。
第1圖表示於有機發光二極體顯示器中子像素的等效電路。
如第1圖所示，有機發光二極體顯示器包含複數個訊號線(掃描訊號線121、資料線171，及驅動電壓線172)、以及與其耦合之子像素PX。子像素PX可為第一像素、第二像素、或第三像素之其中之一，且第一像素、第二像素、及第三像素可分別為紅色像素R、綠色像素G、及藍色像素B(見第2圖)。
訊號線包含用以傳輸閘極訊號(或掃描訊號)之掃瞄訊號線121、用以傳輸資料訊號之資料線171及用以傳輸驅動電壓之驅動電壓線172。提供掃描訊號線121於行方向且平行於其他掃描訊號線121。提供資料線171於列方向且平行於其他資料線171。於第1圖中，驅動電壓線172繪示於列方向，但於其他實施例中，其可不同地配置，如於行方向或如網格。
每一子像素PX包含開關電晶體Qs、驅動電晶體Qd、儲存電容器Cst、及有機發光元件LD。
開關電晶體Qs包含耦接於第一節點N1之控制端、耦接於第二節點N2之輸入端以及耦接於第三節點N3之輸出端。更詳細地說，第一節點N1係耦接至掃瞄訊號線121、第二節點N2係耦接至資料線171、以 及第三節點N3係耦接至驅動電晶體Qd。開關電晶體Qs回應透過掃描訊號線121所提供之掃描訊號而傳輸透過資料線171所提供之資料訊號至驅動電晶體Qd。
驅動電晶體Qd包含耦接於第三節點N3之控制端、耦接於第四節點N4之輸入端以及耦接於第五節點N5之輸出端。更詳細地說，第三節點N3係介於開關電晶體Qs之輸出端及驅動電晶體Qd之控制端之間、第四節點N4係介於驅動電壓線172與驅動電晶體Qd之輸入端之間，而第五節點N5係介於有機發光元件LD與驅動電晶體Qd之輸出端之間。 驅動電晶體Qd輸出根據第三節點N3與第五節點N5之間的電壓而變換之輸出電流ILD。
電容器Cst係與第三節點N3及第四節點N4耦合。電容器Cst充電供應至第三節點N3的資料訊號且於開關電晶體Qs關閉後維持一致。
例如，有機發光元件LD可為有機發光二極體，其包含耦合至第五節點N5之陽極和耦合至共同電壓Vss之陰極。有機發光元件LD藉由依據驅動電晶體Qd之輸出電流ILD而以不同強度所發出之光而顯示影像。有機發光元件LD可包含有機材料，其顯示包含紅色、綠色、或藍色之原色之一或至少其一之光，且有機發光二極體顯示器藉由顏色之空間組合而展示期望之影像。
開關電晶體Qs及驅動電晶體Qd為n-通道場效電晶體(FETs)，但於其他實施例中，至少一開關電晶體Qs及驅動電晶體Qd可為p-通道場效電晶體。此外，開關電晶體Qs、驅動電晶體Qd、電容器Cst及有機發光元件LD之連接狀態可於其他實施例中變換。
第2圖表示於第1圖所示之有機發光二極體顯示器之單元像素之剖面圖。
參閱第2圖，複數個驅動電晶體Qd係形成於由透明玻璃或塑膠所製成之絕緣基板110上。此外，複數個訊號線(見第1圖)與複數個開關電晶體(如第1圖之開關電晶體Qs)可形成於絕緣基板110上。
由無機或有機材料所製成之保護層180可形成於驅動電晶體Qd上。當保護層180由有機材料所形成時，其表面可為平坦的。用以暴露驅動電晶體Qd之一部份的接觸孔185係形成於保護層180中。
像素電極190係形成於各像素(紅色像素R、綠色像素G及藍色像素B)之保護層180上。像素電極190包含分別形成於紅色像素R、綠色像素G及藍色像素B之第一像素電極、第二像素電極及第三像素電極。 像素電極190包含反射電極191及形成於反射電極191上之透明電極192。反射電極191係以具有高反射率之金屬所製成，如銀(Ag)、或鋁(Al)或其合金，而透明電極192可包含由透明導電性氧化物(TCO)所製成之結晶透明導電性氧化物(TCO)層，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。例如，透明電極192可包含結晶氧化銦錫層。
共振輔助層193係形成於紅色像素R之像素電極190上，且包含由透明導電性氧化物如氧化銦錫或氧化銦鋅所製成之非晶矽透明導電性氧化物層。例如，共振輔助層193可包含非晶矽氧化銦錫層。共振輔助層193係加入以增加紅色像素R之兩電極(即像素電極190與共同電極270)之間之間隙。當紅色有機發射層320R及綠色有機發射層320G以相同 形狀共同形成於紅色像素R與綠色像素G中時，紅色像素R與綠色像素G因共振輔助層193分別發出紅光與綠光。
覆蓋像素電極190之邊緣的像素定義膜189形成於保護層180上。電洞輔助層310形成於紅色像素R、綠色像素G及藍色像素B中像素電極190與像素定義膜189之前表面上。電洞輔助層310包含電洞注入層(HIL)與堆疊於其上之電洞傳輸層(HTL)。
紅色有機發射層320R一般形成於紅色像素R與綠色像素G之電洞輔助層310上。此外，綠色有機發射層320G形成於紅色有機發射層320R上。紅色有機發射層320R與綠色有機發射層320G係藉由使用第一遮罩10(見第9圖)以相同圖樣而形成，從而簡化了製造製程。
藍色有機發射層320B係獨立地形成於藍色像素B之電洞輔助層310上。紅、綠、及藍色有機發射層320R、320G、及320B可各別由特別發出紅光、綠光、及藍光之有機材料製成。
電子輔助層330形成於在紅色像素R與綠色像素G中形成之綠色有機發射層320G上，並形成於在藍色像素B中形成之藍色有機發射層320B上。電子輔助層330包含電子傳輸層(ETL)及堆疊於其上之電子注入層(EIL)。
電洞輔助層310與電子輔助層330係提供以增進紅色、綠色及藍色有機發射層320R、320G及320B之發光效率。更詳細地，電子傳輸層與電洞傳輸層分別平衡電子與電洞，而電子注入層與電洞注入層分別加強電子與電洞之注入。
電洞輔助層310、紅、綠、及藍色有機發射層320R、320G、及320B、以及電子輔助層330形成有機發光構件370。
用以傳輸共同電壓Vss之共同電極270係形成於電子輔助層330上。共同電極270包含下層與上層，且可為用以反射部分光線且傳輸其餘光線之半透射電極。下層與上層係由反射光線之金屬所製成，且當下層與上層製得很薄時，其可反射或傳輸入射光。更進一步，於其他實施例中，共同電極270可為單層。
於有機發光二極體顯示器中，像素電極190、有機發光構件370及共同電極270形成有機發光元件LD。像素電極190透過保護層180之接觸孔185接收來自驅動電晶體Qd的電壓。
有機發光二極體顯示器傳送光線至共同電極270以顯示影像。從紅色、綠色與藍色有機發射層320R、320G及320B輸出至共同電極270之光線係傳輸至共同電極270。部分光線穿透共同電極270而部分光線反射並傳輸至像素電極190。像素電極190朝共同電極270反射光線。於像素電極190與共同電極270間移動之光線產生干涉。具有對應至像素電極190與共同電極270之間之距離產生共振之波長的光會產生建設性干涉以強化強度，而具有其他波長的光造成破壞性干涉以減弱強度。
上述指出之光的移動與干涉過程稱為微腔效應(microcavity effect)。於例示性實施例中，介於像素電極190與共同電極270之間之距離可依紅色像素R、綠色像素及藍色像素B之順序變得較短。
在藍色有機發射層320B為與紅色像素R及綠色像素G分隔之層下形成藍色像素B。因此，於藍色像素B中像素電極190與共同電極 270間之間隙可設定以產生對藍光的建設性干涉。於藍色像素B中像素電極190與共同電極270之間之間隙可藉由控制藍色有機發射層320B之厚度來設定。
紅色有機發射層320R與綠色有機發射層320G係以相同圖樣分別形成於紅色像素R與綠色像素G上方。紅色像素R與綠色像素G之間介於像素電極190與共同電極270間之間隙會由於紅色像素R中之共振輔助層193而有所不同。因此，藉由使用共振輔助層193控制像素電極190與共同電極270間之間隙，使得紅光建設性干涉可發生於紅色像素R，而綠光建設性干涉可發生於綠色像素G。因此，紅色像素R輸出紅光而綠色像素G輸出綠光。
下文中，紅色有機發射層320R與綠色有機發射層320G以相同圖樣形成於紅色像素與綠色像素上方且共振輔助層193形成於紅色像素R中之有機發光二極體顯示器將定義為紅綠重疊有機發光二極體顯示器。
封裝層400形成於共同電極270上。封裝層400可以交替堆疊有機薄膜與無機薄膜所產生之薄膜封裝層而形成。封裝層400封裝有機發光構件370與共同電極270以預防或減少外部水氣或氧氣的滲入。
偏光薄膜510形成於封裝層400上。偏光薄膜510形成於有機發光二極體顯示器之發光方向中，以於有機發射層發光時，預防或減少提供進入有機發光二極體顯示器的光及由於有機發光二極體顯示器的金屬導線所產生的反射光與本來發出的光混合而劣化對比度之現象。
用以預防或減少紅色像素R及綠色像素G之顏色混合之混色預防層520形成於偏光薄膜510上。混色預防層520包含透明的支撐薄膜521與形成於支撐薄膜521上之吸收薄膜522。
吸收薄膜522吸收重疊光，其對應至由紅色有機發射層320R所發出的紅光的波長區域與由綠色有機發射層320G所發出的綠光的波長區域重疊之波長區域P(見第4圖)。更詳細地說，吸收薄膜522吸收560奈米至590奈米重疊之波長區域P之重疊光並移除之。
第3圖表示對應至混色預防層520之波長於第2圖之有機發光二極體顯示器之透射率之圖表。
參考第3圖，透射率曲線A表示根據第2圖之實施例形成用以移除560奈米至590奈米重疊之波長區域之重疊光之混色預防層520於其中的紅綠重疊有機發光二極體顯示器相對於波長所對應之透射率(百分比)。相對的，透射率曲線B1表示於比較例2形成用以吸收560奈米至570奈米重疊之波長區域之光之混色預防層520於其中的紅綠重疊有機發光二極體顯示器相對於波長所對應之透射率，以及透射率曲線B2表示於比較例3形成用以吸收580奈米至590奈米重疊之波長區域之光之混色預防層520於其中之紅綠重疊有機發光二極體顯示器相對於波長所對應之透射率。
如第3圖之透射率曲線A所示，混色預防層520將560奈米至590奈米重疊之波長區域之重疊光之透射率降低至接近零。
根據第2圖之例示性實施例之紅綠重疊有機發光二極體顯示器現將參照第4圖至第8圖與比較例1至3作比較而說明。
第4圖表示未形成混色預防層於其中之紅綠重疊有機發光二極體顯示器之比較例1中相對於波長的發光強度之圖表。第5圖表示第4圖的比較例1相對於視角的發光強度之圖表。第6圖表示第2圖中形成混色預防層於其中之紅綠重疊有機發光二極體顯示器相對於視角的發光強度之圖表。
如第4圖所示，於紅綠重疊有機發光二極體顯示器之比較例1中，紅色有機發射層320R與綠色有機發射層320G堆疊於紅色像素R與綠色像素G中，且共振輔助層193形成於紅色像素R中，以使紅色像素發出紅光且綠色像素發出綠光。然而，於此例中，紅色有機發射層320R及綠色有機發射層320G兩者皆堆疊於紅色像素R與綠色像素G中，使得光於560奈米至590奈米重疊之波長區域P中相互地干涉。因此，少量綠光會從紅色像素R輸出而少量紅光會從綠色像素G輸出，因而劣化了各像素之顏色純度。
更進一步，如第5圖所示，當從側向檢視紅綠重疊有機發光二極體顯示器之比較例1時，光的光學傳輸路徑改變而使視角劣化。更特別的是，紅色像素R的發光強度會依據視角而大幅地改變，使得橘光可能自紅色像素R輸出。
然而，如第6圖所示，第2圖之紅綠重疊有機發光二極體顯示器之混色預防層520吸收560奈米至590奈米重疊之波長區域之重疊光，且傳送其他波長區域的光，以使560奈米至590奈米(亦即，於橘色區域的光)重疊之波長區域自通過混色預防層520的光移除。因此，減少或預防了紅色像素R與綠色像素G之間的顏色干擾，因而改進了視角。
此外，混色預防層520形成於紅色像素R、綠色像素G、及藍色像素B中，所以不需要依顏色配置之。更進一步，混色預防層520可製成薄膜以輕易貼附於有機發光二極體顯示器。
於更進一步之實施例中，待移除之波長區域可藉由堆疊複數個混色預防層520而選擇，以使任何波長區域皆可輕易地被移除。
第7圖表示形成用以吸收560奈米至570奈米重疊之波長區域的光之混色預防層於其中之紅綠重疊有機發光二極體顯示器之比較例2中相對於視角之發光強度的圖表。第8圖表示形成用以吸收580奈米至590奈米重疊之波長區域的光之混色預防層於其中之紅綠重疊有機發光二極體顯示器之比較例3中相對於視角的發光強度圖表。
如第7圖與第8圖所示，當混色預防層520吸收560奈米至570奈米重疊之波長區域的光或580奈米至590奈米重疊之波長區域的光時，於紅色像素R與綠色像素G之間的顏色干擾仍會發生以劣化視角。所以，根據第2圖之實施例，紅綠重疊有機發光二極體顯示器之混色預防層520吸收560奈米至590奈米重疊之波長區域之光並傳送其他波長區域之光而增進視角。
用於製造根據第2圖之例示性實施例之有機發光二極體顯示器之方法現將參考第2圖、第9圖及第10圖而詳細描述。
第9圖表示根據用於製造第2圖之有機發光二極體顯示器之方法用於藉由使用第一遮罩10而依序地堆疊紅色有機發射層320R與綠色有機發射層320G之方法。第10圖表示根據用以製造第2圖之有機發 光二極體顯示器之第9圖之方法，用於藉由使用第二遮罩20而形成藍色有機發射層320B之方法。
參閱第9圖，複數個驅動電晶體Qd形成於絕緣基板110及具有複數個接觸孔185形成於其上之保護層180上。反射電極191及結晶導電性氧化物構件(如透明電極192)係依序地堆疊於個別紅色像素R、綠色像素G及藍色像素B之保護層180上，且圖樣化以形成像素電極190。此外，具有與像素電極190相同之圖樣的共振輔助層193形成於紅色像素R之像素電極190上。用以覆蓋像素電極190與共振輔助層193之邊緣之像素定義膜189藉由使用氮化物或氧化物而形成於保護層180上，且電洞輔助層310形成於紅色像素R、綠色像素G及藍色像素B之像素電極190及像素定義膜189上。
具有對應至紅色像素R與綠色像素G之開口的第一遮罩10係用來於電洞輔助層310上依序地堆疊紅色有機發射層320R與綠色有機發射層320G。紅色像素R的有機發射層與綠色像素G的有機發射層可藉由使用單一第一遮罩10而形成，使得三色有機發射層藉由執行兩次遮罩製程而形成，從而簡化了製造製程。
更進一步地，紅色像素R與綠色像素G藉由使用第一遮罩10而形成，因而減小了紅色像素R與綠色像素G之間的間隙並實現高解析度。
如第10圖所示，藍色有機發射層320B藉由使用具有對應至藍色像素B的開口之第二遮罩20而形成於電洞輔助層310上。
如第2圖所示，電子輔助層330及共同電極270依序地堆疊於綠色有機發射層320G及藍色有機發射層320B上，且有機薄膜及無機薄膜係交替地形成於其上以形成封裝層400。偏光薄膜510貼附於封裝層400，且用以吸收560奈米至590奈米重疊之波長區域之重疊光之混色預防層520貼附於偏光薄膜510。混色預防層520貼附於紅色像素R、綠色像素G及藍色像素B之前表面，所以其毋需依顏色配置。
於其他實施例中，混色預防層520可製為薄膜且貼附於有機發光二極體顯示器。此外，雖然於第2圖之實施例中混色預防層520形成於偏光薄膜510上方，於其他實施例中，混色預防層520可形成於偏光薄膜510下方。
第11圖表示根據第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面圖。
除了混色預防層520形成於偏光薄膜下方之外，第11圖所示之例示性實施例係實質上等同於第2圖所示之例示性實施例。因此，相似元件之重複描述可不再提供。
如第11圖所示，用於預防或減少紅色像素R與綠色像素G之顏色混合的混色預防層520形成於封裝層400與偏光薄膜510之間。混色預防層520包含由透明材料製成之支撐薄膜521以及形成於支撐薄膜521上之吸收薄膜522。
吸收薄膜522吸收重疊光，其對應至由紅色有機發射層320R所發出之紅光之波長區域與由綠色有機發射層320G所發出之綠光之波長區域重疊之波長區域P。更詳細地說，吸收薄膜522吸收560奈米 至590奈米重疊之波長區域P之重疊光並移除之。所以，560奈米至590奈米重疊之波長區域自通過混色預防層520的光移除，以預防或減少紅色像素R與綠色像素G之間之顏色干擾而增進視角。
混色預防層520形成於第2圖之實施例之紅色像素色R、綠色像素G、及藍色像素B中。於其他實施例中，混色預防層520可僅於紅色像素R中形成。
第12圖表示根據第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面圖。
除了混色預防層520僅於紅色像素R中形成以外，於第12圖所示之例示性實施例係實質上等同於第2圖所示之例示性實施例。因此，相似元件之重複描述可不再重複。
如第12圖所示，用於預防或減少紅色像素R與綠色像素G之顏色混合的混色預防層520形成於對應至紅色像素R之封裝層400上。 混色預防層520包含由透明材料製成之支撐薄膜521以及形成於支撐薄膜521上之吸收薄膜523。
吸收薄膜523吸收重疊光，其對應至由紅色有機發射層320R所發出之紅光之波長區域與由綠色有機發射層320G所發出之綠光之波長區域重疊之波長區域P。更詳細地說，吸收薄膜523吸收560奈米至590奈米重疊之波長區域P之重疊光並移除之。所以，560奈米至590奈米重疊之波長區域自通過混色預防層520的光移除以預防或減少紅色像素R與綠色像素G之間之顏色干擾而增進視角。
於第11圖之第二有機發光二極體顯示器中，混色預防層520配置有支撐薄膜521和吸收薄膜522。於其他實施例中，混色預防層520可為偏光薄膜510之附著劑與用以吸收重疊光之吸收劑之混合層。
第13圖表示根據第四例示性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面圖。
除了混色預防層530係為偏光薄膜510之附著劑與用以吸收重疊光之吸收劑之混合層以外，第13圖所示之例示性實施例係實質上等同於第11圖所示之例示性實施例。
如第13圖所示，用以預防或減少紅色像素R及綠色像素G之顏色混合之混色預防層530形成於封裝層400與偏光薄膜510之間。混色預防層530可為用於將偏光薄膜510接附於封裝層400之附著劑與用於吸收重疊光之吸收劑之混合層。吸收劑吸收重疊光，其對應至由紅色有機發射層320R所發出的紅光的波長區域與由綠色有機發射層320G所發出的綠光的波長區域重疊之波長區域P。更詳細地說，吸收劑吸收560奈米至590奈米重疊之波長區域P之重疊光並移除之。
所以，560奈米至590奈米重疊之波長區域從通過混色預防層的光移除，以預防或減少紅色像素R與綠色像素G之間之顏色干擾而增進視角。更進一步，混色預防層530可藉由混合吸收劑與偏光薄膜510之附著劑而輕易地形成。
於第11圖之例示性有機發光二極體顯示器中，混色預防層520配置有支撐薄膜521與吸收薄膜522。於其他實施例中，混色預防層520可包含紅色濾光片。
第14圖表示根據第五例示性實施例之有機發光二極體顯示器之剖面圖。第15圖表示第14圖之有機發光二極體顯示器的紅色濾光片對應至波長之透射率的圖表。第16圖表示第14圖之有機發光二極體顯示器中依據視角之發光強度的圖表。
除了混色預防層540包含紅色濾光片以外，第14圖所示之例示性實施例實質上等同於第11圖所示之例示性實施例。因此，相似元件之重複描述可不再提供。
如第14圖所示，用於預防或減少紅色像素R與綠色像素G之顏色混合的混色預防層540形成於封裝層400與偏光薄膜510之間。混色預防層540包含形成於紅色像素R之紅色濾光片。透明濾光片可分別形成於綠色像素G與藍色像素B中。
如第15圖所示，紅色濾光片傳送580奈米至780奈米之波長區域的光且吸收波長區域小於580的光，如第16圖所示，於560奈米至590奈米重疊之波長區域的光自通過紅色像素R之混色預防層540之光中移除，從而預防或減少紅色像素R與綠色像素G之間之顏色干擾而增進視角。
雖然此揭露已連結目前所考量具有可行性之例示性實施例而說明，其應了解的是本發明並未設限於所揭露之實施例，且相反地，係旨在涵蓋包含於申請專利範圍及其等效物之精神及範疇內之各種修改及等效配置。
Qd‧‧‧驅動電晶體
110‧‧‧絕緣基板
180‧‧‧保護層
185‧‧‧接觸孔
189‧‧‧像素定義膜
190‧‧‧像素電極
191‧‧‧反射電極
192‧‧‧透明電極
193‧‧‧共振輔助層
270‧‧‧共同電極
310‧‧‧電洞輔助層
R‧‧‧紅色像素
G‧‧‧綠色像素
B‧‧‧藍色像素
320R‧‧‧紅色有機發射層
320G‧‧‧綠色有機發射層
320B‧‧‧藍色有機發射層
330‧‧‧電子輔助層
370‧‧‧有機發光構件
400‧‧‧封裝層
510‧‧‧偏光薄膜
520‧‧‧混色預防層
521‧‧‧支撐薄膜
522‧‧‧吸收薄膜

Claims (12)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一第一像素，係包含一像素電極之一第一像素電極、一第二像素，係包含該像素電極之一第二像素電極、及一第三像素，係包含該像素電極之一第三像素電極；一共振輔助層，係於該第一像素電極上；一有機發射層，係包含於該共振輔助層與該第二像素電極上之一第一有機發射層、於該第一有機發射層上之一第二有機發射層、及於該第三像素電極上之一第三有機發射層；一共同電極，係於該有機發射層上；一混色預防層，係於該共同電極上，該混色預防層係配置以吸收一重疊光，其對應至由該第一有機發射層所發射之一第一光線之一波長區域與由該第二有機發射層所發射之一第二光線之一波長區域重疊之一波長區域；以及一偏光薄膜，係於該混色預防層上，其中該混色預防層包含由該偏光薄膜的一附著劑以及用以吸收與非重疊光同時傳送的該重疊光的一吸收劑混合形成的一單一獨立層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中重疊之該波長區域包含560奈米至590奈米。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一有機發射層及該第二有機發射層具有一相同圖樣。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中： 該像素電極包含一反射電極及於該反射電極上之一透明電極；以及該第一像素與該第二像素間介於該反射電極與該共同電極之間之一距離係有所不同。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體顯示器，其中介於該反射電極與該共同電極之間之該距離依該第一像素、該第二像素及該第三像素之順序而變得較短。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一像素包含一紅色像素，該第二像素包含一綠色像素，而該第三像素包含一藍色像素。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光二極體顯示器，其中該透明電極包含一結晶透明導電性氧化物，且該共振輔助層包含一非晶矽透明導電性氧化物。
  8. 一種用於製造有機發光二極體顯示器之方法，其包含：形成用於一第一像素之一第一像素電極、用於一第二像素之一第二像素電極、及用於一第三像素之一第三像素電極；形成一共振輔助層於該第一像素電極上；形成一第一有機發射層於該共振輔助層與該第二像素電極上；形成一第二有機發射層於該第一有機發射層上；形成一第三有機發射層於該第三像素電極上；形成一共同電極於該第二有機發射層與該第三有機發射層上；形成一混色預防層於該共同電極上；以及 形成一偏光薄膜於該混色預防層上；其中該混色預防層包含由該偏光薄膜的一附著劑以及用以吸收與非重疊光同時傳送的該重疊光的一吸收劑混合形成的一單一獨立層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該混色預防層之形成包含形成該混色預防層用於吸收一重疊光，其對應至由該第一有機發射層所發射之一第一光線之一波長區域與由該第二有機發射層所發射之一第二光線之一波長區域重疊之一波長區域。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中重疊之該波長區域包含560奈米至590奈米。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第一有機發射層之形成包含使用一第一遮罩；以及該第二有機發射層之形成包含使用該第一遮罩以產生與該第一有機發射層相同之一圖樣。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第一像素包含一紅色像素，該第二像素包含一綠色像素，而該第三像素包含一藍色像素。
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