CN113437129B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，该显示面板包括基板及层叠在基板上的电极层和像素限定层，电极层包括多个子电极，多个子电极至少包括第一子电极和第二子电极；像素限定层具有多个像素开口，多个像素开口至少包括第一像素开口和第二像素开口，第一像素开口位于第一子电极的表面上，第二像素开口位于第二子电极的表面上；其中，第一像素开口的面积大于第二像素开口的面积，且第二子电极的外边缘与第二像素开口的边缘之间的距离，大于第一子电极的边缘与第一像素开口的边缘之间的距离。本申请提供的显示面板可改善暗态不良现象，提升显示面板的显示效果，提升显示装置的品质。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性基板上等多种特点，越来越多地被应用于高性能显示领域如柔性显示装置中。

OLED显示面板包括基板和基板上设置的像素结构，像素结构包括阵列设置的多个不同颜色的子像素，子像素包括依次层叠在基板上的阳极、发光层和阴极，不同颜色子像素的发光层的颜色不同。基板中设置有多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)，各TFT与各子像素中的阳极电连接，控制各子像素的开启和关闭。开启子像素时，子像素处于亮态发光状态；关闭子像素时，子像素处于暗态不发光状态。

然而，子像素存在无法关闭处于长亮的状态，导致显示面板出现暗态不良现象，影响显示面板的显示效果。

发明内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，可改善显示面板的暗态不良现象，提升显示面板的显示效果，提升显示装置的品质。

为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：

本申请实施例的第一方面提供一种显示面板，包括阵列排布的多个子像素，多个子像素至少包括第一子像素和第二子像素，包括基板及层叠在基板上的电极层和像素限定层，电极层包括多个子电极，子电极与子像素一一对应，多个子电极至少包括第一子电极和第二子电极，第一子电极和第一子像素对应，第二子电极和第二子像素对应；

像素限定层具有多个像素开口，各像素开口一一对应位于各子电极的表面上；多个像素开口至少包括第一像素开口和第二像素开口，第一像素开口位于第一子电极的表面上，第二像素开口位于第二子电极的表面上；

其中，第一像素开口的面积大于第二像素开口的面积，且第二子电极的外边缘与第二像素开口的同侧的边缘之间的水平距离，大于第一子电极的边缘与第一像素开口的同侧的边缘之间的水平距离。

在一种可能的实现方式中，第二子电极的外边缘与第二像素开口的边缘之间的距离，大于或等于第一子电极的边缘与第一像素开口的边缘之间的距离的2倍。

在一种可能的实现方式中，子电极包括反射层和至少一层导电层，导电层和反射层层叠设置；

第二子电极中，导电层的边缘与反射层的边缘平齐；或者，第二子电极中，导电层的边缘伸出至反射层的边缘之外。

在一种可能的实现方式中，导电层包括第一导电层和第二导电层，第一导电层、反射层和第二导电层依次层叠在基板上，像素开口位于第二导电层的表面上；

第二子电极中，第一导电层、反射层及第二导电层的边缘平齐；或者，第二子电极中，第一导电层和第二导电层中的至少一者的边缘，伸出至反射层之外。

在一种可能的实现方式中，在子电极远离基板的方向上，像素开口的两侧的侧壁之间的间距逐渐扩大；

第二子电极中，第二导电层伸出至反射层之外的区域，沿像素开口的侧壁的延伸方向延伸。

在一种可能的实现方式中，多个子像素还包括第三子像素，多个子电极还包括第三子电极，多个像素开口还包括位于第三子电极的表面上的第三像素开口，第一像素开口的面积大于第三像素开口的面积。

在一种可能的实现方式中，第三子电极的外边缘与第三像素开口的边缘之间的距离，大于第一子电极的边缘与第一像素开口的边缘之间的距离。

在一种可能的实现方式中，第一子像素为蓝色像素，第二子像素和第三子像素中的一者为红色像素，另一者为绿色像素。

在一种可能的实现方式中，导电层包括氧化铟锡层，反射层包括银层。

本申请实施例的第二方面提供一种显示装置，包括如上任一项所述的显示面板。

本申请实施例提供的显示面板及显示装置，显示面板包括基板以及基板上依次层叠的电极层和像素电极层，电极层中设置有多个子电极，子电极与显示面板中的子像素一一对应，多个子电极中包括分别与第一子像素和第二子像素对应的第一子电极和第二子电极，像素限定层与多个子电极对应的区域均设置有像素开口；其中，位于第一子电极表面的第一像素开口的面积大于位于第二子电极表面的第二像素开口的面积，通过使第二子电极的外边缘与第二像素开口的边缘之间的距离大于第一子电极的边缘与第一像素开口的边缘之间的距离，在不改变第二像素开口的大小的情况下，增大第二子电极的面积，增大第二子像素的电容，增大开启第二子像素所需的电压，减少漏电流的影响，避免出现第二子像素无法关闭处于长亮状态的现象，改善显示面板的暗态不良现象，提升显示面板的显示效果，提升显示装置的品质。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作以简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术中的显示面板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的第三种显示面板的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的第四种显示面板的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的第五种显示面板的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的第六种显示面板的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的第七种显示面板的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的显示面板中一种像素单元的布局示意图。

附图标记说明：

100-显示面板；

10-基板；20-子电极；30-像素限定层；40-子像素；

21-导电层；22-反射层；31-像素开口；41-第一子像素；42-第二子像素；43-第三子像素；

211-第一导电层；212-第二导电层；311-第一像素开口；312-第二像素开口；313-第三像素开口；

201-第一子电极；202-第二子电极；203-第三子电极。

具体实施方式

图1为相关技术中的显示面板的结构示意图。如图1所示，以显示面板100中间隔设置的第一子像素41、第二子像素42和第三子像素43分别为蓝色子像素(B)、红色子像素(R)和绿色子像素(G)为例，显示面板100的基板10上设置有第一子电极201、第二子电极202和第三子电极203，第一子电极201、第二子电极202及第三子电极203分别对应第一子像素41、第二子像素42和第三子像素43；基板10上层叠有像素限定层30，像素限定层30覆盖第一子电极201、第二子电极202和第三子电极203，像素限定层30中对应第一子电极201、第二子电极202和第三子电极203的区域分别设置有第一像素开口311、第二像素开口312和第三像素开口313。

在实际应用中，由于蓝色子像素的发光材料的限制，为保证蓝色子像素的使用寿命，蓝色子像素的像素开口通常大于红色子像素的像素开口和绿色子像素的像素开口。因此，以第一子像素41和第二子像素42为例，与第一子像素41(蓝色子像素)对应的第一像素开口311的面积，大于与第二子像素42(红色子像素)对应的第二像素开口312的面积；并且，通常情况下，第一子电极201的面积与第一像素开口311的面积相匹配，第二子电极202的面积与第二像素开口312的面积相匹配。这样，第一子电极201的面积大于第二子电极202的面积，导致第一子像素41的电容大于第二子像素42的电容，电容越小，子像素40容易积累电荷达到点亮状态。

此外，第一子像素41的启亮电压较高，当子像素40处于点亮状态时，第一子像素41易向第二子像素42漏电流，由于第二子电极202的面积较小，随着第二子电极202中的电流增大，需要关闭第二子像素42的电压升高，导致无法正常关闭第二子像素42。

也就是说，无论显示面板100处于亮态还是暗态，第二子像素42可能出现长亮状态，导致显示面板100出现暗态不良现象，影响显示面板100的显示效果，且会增大显示面板100的功耗。

以显示面板100的调亮、调色工艺为例，在不同亮度下调整白光至合适色度的过程中，控制和调节第一子像素41及第二子像素42的电流时，第一子像素41向第二子像素42存在明显的漏电流，这增大了第二子像素42的暗态电压值，导致第二子像素42无法正常关闭。同样的，对于第三子像素43，也存在第三子像素43无法正常关闭的情况。这样，导致显示面板100的良率降低。

有鉴于此，本实施例提供一种显示面板，显示面板通过增大像素开口较小的子电极的面积，减少像素开口较大的子像素向像素开口较小的子像素的漏电流产生的影响，增大像素开口较小的子像素的电容，避免像素开口较小的子像素处于长亮状态的现象，改善显示面板的暗态不良现象，提升显示面板的显示效果，降低显示面板的功耗。

图2为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图4为本申请实施例提供的第三种显示面板的结构示意图；图5为本申请实施例提供的第四种显示面板的结构示意图；图6为本申请实施例提供的第五种显示面板的结构示意图；图7为本申请实施例提供的第六种显示面板的结构示意图；图8为本申请实施例提供的第七种显示面板的结构示意图。

如图2至图8所示，本实施例提供的显示面板100可以为OLED显示面板，显示面板100包括基板10、电极层和像素限定层30，电极层和像素限定层30设置在基板10上。具体的，该电极层可以为阳极。

在实际应用中，显示面板100还包括位于阳极远离基板10的一侧的发光层和阴极，发光层位于阳极和阴极之间，阳极、发光层及阴极共同构成显示面板100的像素结构。

具体的，像素结构包括多个阵列排布的像素单元，每个像素单元均由多个不同颜色的子像素40构成，例如，每个像素单元内均设置有红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B)。其中，位于红色子像素内的发光层为红色发光层，位于绿色子像素内的发光层为绿色发光层，位于蓝色子像素内的发光层为蓝色发光层。

电极层中对应于每个子像素40均设有一个独立的子电极20，电极层是由多个阵列排布的子电极20构成，并且，子电极20与子像素40一一对应。即每个子像素40均具有各自独立的阳极，相邻子像素40的阳极之间相互绝缘。阴极可以为面电极，即所有子像素40共用一个阴极。

通过对阳极施加正电压，对阴极施加负电压，阳极产生的空穴注入到发光层中，阴极产生的电子注入到发光层中，注入到发光层中的电子和空穴复合并激发发光层中的发光分子，被激发的发光分子辐射跃迁使得相应的子像素40发光。

另外，基板10中设置有多个阵列排布的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)(图中未示出)，TFT与子电极20一一对应，每个子像素40的子电极20均与对应的TFT的漏极电连接，通过TFT驱动子像素40发光。其中，通过TFT控制子像素40发光或不发光，子像素40发光时处于亮态，子像素40不发光时处于暗态。

如图2所示，本实施例中，多个阵列排布的子像素40至少包括第一子像素41和第二子像素42，与第一子像素41和第二子像素42对应的，多个子电极20至少包括第一子电极201和第二子电极202，第一子电极201与第一子像素41对应，第二子电极202与第二子像素42对应。

像素限定层30的材质可以为有机聚合物，像素限定层30形成在基板10上，且像素限定层30覆盖各子电极20部分区域。像素限定层30内开设有多个像素开口31，各像素开口31一一对应设置在各子电极20的表面上，以限定出各子像素40的开口率。其中，多个像素开口31至少包括第一像素开口311和第二像素开口312，第一像素开口311位于第一子电极201的表面上，第二像素开口312位于第二子电极202的表面上。

如图2所示，第一像素开口311的面积大于第二像素开口312的面积。如前所述，像素开口31的面积大，则与之对应的子电极20的面积大，该子电极20与阴极之间形成的电容也相应较大，导致面积小的子电极20对应的子像素40受漏电流影响大。且受材料影响，第一子像素41起亮电压较高，与第一子电极201对应的第一子像素41，容易向与第二子电极202对应的第二子像素42漏电流。

对此，本实施例中，在不改变各子像素40的开口率，保证显示面板100具有较高的分辨率的情况下，通过增大第二子电极202的外边缘与第二像素开口312的边缘之间的距离，增大第二子电极202的面积，减小第二子电极202的面积与第一子电极201的面积之间的大小差异，增大第二子电极202与阴极之间形成的电容。

这样，减小了第二子像素42的电容与第一子像素41的电容之间的大小差异，可减弱第一子像素41向第二子像素42漏电流产生的影响，改善第二子像素42长亮而无法关闭的现象；另外，由于增大了第二子像素42的电容，减小了漏电流对第二子像素42的影响，这样，即使第一子像素41向第二子像素42漏电流，也无法开启第二子像素42。

因此，在不改变第二像素开口312的面积，不改变第二子像素42的开口率的情况下，通过增大第二子电极202的外边缘与第二像素开口312的边缘之间的距离，增大第二子电极202的面积，改善第一子像素41向第二子像素42的漏电流现象，避免第二子像素42出现无法关闭而长亮的现象，改善显示面板100的暗态不良，提升显示面板100的显示效果。

需要说明的是，以子电极20周向各侧边缘中的一侧边缘为例，第二子电极202的外边缘与第二像素开口312的边缘之间的距离，指的是在平行于基板10的板面的方向上，第二子电极202的该侧的最外侧的边缘与第二像素开口312的相应一侧的边缘之间的距离。

与之相应的，第一子电极201的边缘与第一像素开口311的边缘之间的距离，指的是在平行于基板10的板面的方向上，第一子电极201和第一像素开口311的同一侧的边缘之间的距离。

其中，如图2所示，本实施例所指的像素开口31的面积，及子电极20的边缘与像素开口31的边缘之间的距离，像素开口31均是以其最靠近子电极20的表面的部分而言的。

如图2所示，与红色子像素和绿色子像素相比，由于蓝色子像素的发光层的发光材料限制，蓝色子像素的像素开口31的面积通常大于红色子像素的像素开口31的面积和绿色子像素的像素开口31的面积。对此，本实施例中，第一子像素41可以为蓝色子像素，第二子像素42可以为红色子像素或绿色子像素。

在实际应用中，红色子像素的像素开口31通常最小，蓝色子像素最易向红色子像素漏电流。以图2中所示为例，以下以第一子像素41为蓝色子像素，第二子像素42为红色子像素为例，进行说明。

结合图1所示，相关技术中，子电极20的面积通常与子像素40的像素开口31面积相匹配，红色子像素(R)的子电极20的边缘与像素开口31的边缘之间的距离DR、绿色子像素(G)的子电极20的边缘与像素开口31的边缘之间的距离DG及蓝色子像素(B)的子电极20的边缘与像素开口31的边缘之间的距离DB通常保持一致，即DR＝DG＝DB。

对此，如图2所示，本实施例中，第二子电极202的外边缘与第二像素开口312的边缘之间的距离DR，大于第一子电极201的边缘与第一像素开口311的边缘之间的距离DB，即DR＞DB。这样，增大了第二子电极202的面积，增大了第二子电极202与阴极之间的电容，防止第二子像素42出现无法关闭而长亮的现象，改善显示面板100的暗态不良，降低显示面板100的功耗。

作为一种具体实施方式，第二子电极202的外边缘与第二像素开口312之间的距离DR，可以大于或等于第一子电极201的边缘与第一像素开口311的边缘之间的距离的2倍，即DR≥2DB。

通过使DR≥2DB，显著增大第二子电极202的面积，使第二子电极202的面积接近于第一子电极201的面积，甚至，第二子电极202的面积可以大于第一子电极201的面积，有效增大第二子电极202与阴极之间的电容，避免第一子像素41向第二子像素42漏电流，避免第二子像素42出现长亮现象，防止显示面板100出现暗态不良，有效提升显示面板100的显示效果。

如图2所示，本实施例中，多个子像素40中还可以包括第三子像素43，与之相应的，多个子电极20还可以包括第三子电极203，像素限定层30中的多个像素开口31还可以包括第三像素开口313，第三像素开口313位于第三子电极203的表面上。其中，第一像素开口311的面积可以大于第三像素开口313的面积。

以第二子像素42为红色子像素为例，第三子像素43可以为绿色子像素。由于第一像素开口311的面积也大于第三像素开口313的面积，若第三子电极203的面积与第三像素开口313的面积相匹配，第三子电极203的面积小于第一子电极201的面积，则第三子像素43的电容较小，第一子像素41也易向第三子像素43漏电流，第三子像素43容易积累电荷而达到点亮状态，导致第三子像素43无法关闭而长亮，致使显示面板100暗态不良。

对此，如图2所示，与第二子电极202类似的，本实施例通过使第三子电极203的外边缘与第三像素开口313的边缘之间的距离DG，大于第一子电极201的边缘与第一像素开口311的边缘之间的距离DB，即DG＞DB，增大第三子电极203的面积，增大第三子像素43的电容，改善第一子像素41向第三子像素43漏电流的现象，改善显示面板100的暗态不良问题，提升显示面板100的显示效果。

示例性的，第三子电极203的外边缘与第三像素开口313的边缘之间的距离DG，可以大于或等于第一子电极201的边缘与第一像素开口311的边缘之间的距离DB的2倍，即DG≥2DB。

如图2所示，具体的，子电极20可以包括反射层22和至少一层导电层21，导电层21和反射层22层叠设置。

其中，导电层21主要起到导通电流的作用，实现子电极20与阴极之间的电子传输。例如，导电层21向发光层提供空穴、传输电子，以使发光层中的发光材料被激发而产生跃迁，使发光层发光。

反射层22主要用于反射光线，发光层发射的光线照射至反射层22，通过反射层22的反光作用，提高子像素40的发光效率，使子像素40发出的光线通过像素开口31集中向外照射，提高子像素40的亮度，提升显示面板100的显示效果。

示例性的，导电层21可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)层，ITO的导电性能好，且透明度高；反射层22可以为银层，银的导电性能好，在起到反光作用的基础上，可以保证子电极20具有良好的导电性能。

子像素40的电容主要由导电层21与阴极之间形成的电容决定，导电层21的面积大，则子像素40的电容大；导电层21的面积小，则子像素40的电容小。若要增大子像素40的电容，应增大导电层21的面积。

以第二子像素42(红色子像素)为例，如图2所示，在一种具体实施方式中，第二子电极202中，导电层21的边缘可以和反射层22的边缘平齐，导电层21的边缘和第二像素开口312的边缘之间的距离，与反射层22的边缘和第二像素开口312的边缘之间的距离相等。

也就是说，第二子电极202中，导电层21的边缘至第二像素开口312的边缘的距离，及反射层22的边缘至第二像素开口312的边缘的距离，均大于第一子电极201的边缘至第一像素开口311的边缘的距离，第二子电极202的导电层21的面积与反射层22的面积相等。

如图3所示，在另一种具体实施方式中，第二子电极202中，导电层21的边缘可以伸出至反射层22的边缘之外。示例性的，第二子电极202的反射层22的边缘至第二像素开口312的边缘的距离，可以与第一子电极201的边缘至第一像素开口311的边缘的距离相等；而第二子电极202的导电层21的边缘至第二像素开口312的边缘的距离，大于第一子电极201的边缘至第一像素开口311的边缘的距离。其中，第二子电极202的外边缘为导电层21的外边缘，也就是说，DR＞DB。

通过不改变第二子电极202的反射层22的面积，而仅增大第二子电极202的导电层21的面积，增大了第二子像素42的电容；并且，由于反射层22的面积较小，对第二子电极202的透过率影响较小，对于具有感光需求的显示面板，例如搭载有屏下光学指纹识别装置的显示面板100，可提升指纹识别的效果。

如图2和图3所示，对于第三子像素43(绿色子像素)，与第二子像素42同样的，第三子电极203的导电层21的边缘可以与反射层22的边缘平齐，或者，第三子电极203的导电层21的边缘伸出至反射层22之外。

在实际应用中，第三子电极203和第二子电极202的结构类似或相同，以下均以第二子电极202的结构进行详细说明，第三子电极203的结构可以参照第二子电极202的结构，不再赘述。

如图4至图8所示，导电层21可以包括第一导电层211和第二导电层212，反射层22位于第一导电层211和第二导电层212之间，第一导电层211位于基板10的表面上，像素限定层30中的像素开口31连通至第二导电层212表面。其中，第一导电层211和第二导电层212可以均为ITO层。

如图4所示，作为一种具体实施方式，第二子电极202中，第一导电层211、反射层22及第二导电层212的边缘平齐，以第一导电层211为例，第一导电层211的边缘与第二像素开口312的边缘之间的距离，大于第一子电极201的边缘与第一像素开口311的边缘之间的距离，即DR＞DB；示例性的，DR≥2DB。

作为另一种具体实施方式，第二子电极202中，第一导电层211和第二导电层212中的至少一者的边缘，伸出至反射层22外。通过增大第一导电层211和/或第二导电层212的面积，增大第二子像素42的电容，而反射层22的面积可以较小，以免反射层22影响第二子电极202的透过率，对于搭载有屏下光学指纹识别装置的显示面板100，可提升显示面板100的光学指纹识别效果。

具体的，如图5所示，第二子电极202中，第一导电层211的边缘和第二导电层212的边缘可以均伸出至反射层22外，示例性的，第一导电层211的边缘可以和第二导电层212的边缘平齐，或者，第一导电层211和第二导电层212中的一者的边缘伸出至另一者外；其中，第二子像素42的电容由第一导电层211或第二导电层212中面积较大者决定。

如图6所示，第二子电极202中，第二导电层212的边缘与反射层22的边缘平齐，第一导电层211的边缘伸出至反射层22外，第二子电极202的外边缘为第一导电层211的边缘，第二子像素42的电容由第一导电层211的面积决定。第二子电极202的第一导电层211的边缘与第二像素开口312的边缘之间的距离，大于第一子电极201的边缘与第一像素开口311的边缘之间的距离，即DR＞DB。

如图7所示，第二子电极202中，第一导电层211的边缘与反射层22的边缘平齐，第二导电层212的边缘伸出至反射层22外，第二子电极202的外边缘为第二导电层212的边缘，第二子像素42的电容由第二导电层212的面积决定。第二子电极202的第二导电层212的边缘与第二像素开口312的边缘之间的距离，大于第一子电极201的边缘与第一像素开口311的边缘之间的距离，即DR＞DB。

对于第二导电层212伸出至反射层22之外的情况，如图8所示，在实际应用中，像素限定层30中的像素开口31通过刻蚀工艺形成，由于刻蚀工艺自身的特性，通常，随着孔的深度加深，孔径越来越小，因此，在子电极20远离基板10的方向上，像素开口31的两侧的侧壁之间的间距逐渐扩大。

对此，第二导电层212的伸出至反射层22之外的区域，可以沿像素开口31的侧壁的延伸方向延伸。这样，第二导电层212两侧的伸出至反射层22之外的区域，朝向像素限定层30的表面倾斜延伸；第二导电层212伸出至反射层22之外的区域与阴极之间的平均间距，小于第二导电层212的中间区域与阴极之间的间距。相较于平面状的第二导电层212，此种形状的第二导电层212，可增大第二导电层212与阴极之间形成的电容，增大第二子像素42的电容，更有利于改善第二子像素42长亮的现象。

需要说明的是，对于第二导电层212伸出至反射层22之外的区域沿像素开口31的侧壁的延伸方向延伸的结构，在形成第二子电极202的过程中，可以先在基底上依次形成第一导电层211、反射层22和第二导电层212的中间区域，然后在基板10上沉积形成第一像素限定结构，在第一像素限定结构上先刻蚀出开口，然后在其上形成第二导电层212的两侧区域，之后再在第二导电层212上沉积一薄层第二像素限定结构，从而形成具有背离基底结构的第二子电极202。

本实施例提供的显示面板100包括基板10以及基板10上层叠的电极层和像素电极层，电极层中设置有多个子电极20，子电极20与显示面板100中的子像素40一一对应，多个子电极20中包括分别与第一子像素41和第二子像素42对应的第一子电极201和第二子电极202，像素限定层30与多个子电极20对应的区域均设置有像素开口31；其中，位于第一子电极201表面的第一像素开口311的面积大于位于第二子电极202表面的第二像素开口312的面积，通过使第二子电极202的外边缘与第二像素开口312的边缘之间的距离大于第一子电极201的边缘与第一像素开口311的边缘之间的距离，在不改变第二像素开口312的大小的情况下，增大第二子电极202的面积，增大第二子像素42的电容，减少第一子电极201向第二子电极202漏电流影响，避免出现第二子像素42无法关闭处于长亮状态的现象，改善显示面板100的暗态不良现象，提升显示面板100的显示效果。

本实施例还提供一种显示面板100的制作方法，显示面板100的制作方法包括如下步骤：提供基板10；在基板10上形成电极层；将电极层图案化刻蚀形成多个阵列排布的子电极20；在基板10上形成像素限定层前体，像素限定层前体覆盖各子电极20；在像素限定层前体上图案化刻蚀形成多个像素开口31形成像素限定层30，各像素开口31连通至各子电极20表面。其中，图案化刻蚀形成的多个子电极20包括分别与蓝色子像素、红色子像素及绿色子像素对应的第一子电极201、第二子电极202和第三子电极203，多个像素开口31包括分别位于第一子电极201、第二子电极202和第三子电极203的表面上的第一像素开口311、第二像素开口312和第三像素开口313。

图9为本申请实施例提供的显示面板中一种像素单元的布局示意图。如图9所示，以子电极20包括依次层叠的第一导电层211、反射层22和第二导电层212为例，并且，以第一导电层211的边缘和反射层22的边缘平齐，第二导电层212的边缘伸出至反射层22外为例，在基板10上形成电极层具体可以包括：在基板10上依次沉积形成整层的第一导电层211和反射层22，然后通过光刻工艺将第一导电层211和反射层22图案化；之后，在反射层22上沉积形成整层的第二导电层212，再通过光刻工艺将第二导电层212图案化，图案化后的第二导电层212完全覆盖反射层22和第一导电层211。

可以理解的是，对于第一导电层211、反射层22和第二导电层212的边缘平齐的结构，可以在依次沉积形成整层的第一导电层211、反射层22和第二导电层212后，通过光刻工艺将第一导电层211、反射层22和第二导电层212图案化；对于第一导电层211的边缘伸出至反射层22和第二导电层212之外的结构，可以在沉积形成整层的第一导电层211后，通过光刻工艺将第一导电层211图案化，然后在图案化的第一导电层211上沉积形成整层的反射层22和第二导电层212，之后通过光刻工艺将反射层22和第二导电层212图案化，图案化的反射层22和第二导电层212位于第一导电层211的覆盖范围内。

另外，制作完像素限定层30后，通过蒸镀工艺依次形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层和电子注入层等功能层，之后再形成阴极。

本实施例还提供一种显示装置，显示装置包括如前所述的显示面板100。示例性的，显示装置可以为OLED电视、手机、平板电脑、车载显示装置、笔记本电脑等显示设备。

本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。

应当指出，在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的短语未必是指同一实施例。此外，在结合实施例描述特定特征、结构或特性时，结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种显示面板，包括阵列排布的多个子像素，多个所述子像素至少包括第一子像素和第二子像素，其特征在于，包括基板及层叠在所述基板上的电极层和像素限定层，所述电极层包括多个子电极，所述子电极与所述子像素一一对应，多个所述子电极至少包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极和所述第一子像素对应，所述第二子电极和所述第二子像素对应；

所述像素限定层具有多个像素开口，各所述像素开口一一对应位于各所述子电极的表面上；多个所述像素开口至少包括第一像素开口和第二像素开口，所述第一像素开口位于所述第一子电极的表面上，所述第二像素开口位于所述第二子电极的表面上；

其中，所述第一像素开口的面积大于所述第二像素开口的面积，且所述第二子电极的外边缘与所述第二像素开口的同侧的边缘之间的水平距离，大于所述第一子电极的边缘与所述第一像素开口的同侧的边缘之间的水平距离，以增大所述第二子电极面积。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二子电极的外边缘与所述第二像素开口的边缘之间的距离，大于或等于所述第一子电极的边缘与所述第一像素开口的边缘之间的距离的2倍。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述子电极包括反射层和至少一层导电层，所述导电层和所述反射层层叠设置；

所述第二子电极中，所述导电层的边缘与所述反射层的边缘平齐；或者，所述第二子电极中，所述导电层的边缘伸出至所述反射层的边缘之外。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二子电极中，第二子电极的反射层的边缘至第二像素开口的边缘的距离，与第一子电极的边缘至第一像素开口的边缘的距离相等；所述第二子电极的导电层的边缘至第二像素开口的边缘的距离，大于第一子电极的边缘至第一像素开口的边缘的距离。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层、所述反射层和所述第二导电层依次层叠在所述基板上，所述像素开口位于所述第二导电层的表面上；

所述第二子电极中，所述第一导电层、所述反射层及所述第二导电层的边缘平齐；或者，所述第二子电极中，所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一者的边缘，伸出至所述反射层之外。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，在所述子电极远离所述基板的方向上，所述像素开口的两侧的侧壁之间的间距逐渐扩大；

所述第二子电极中，所述第二导电层伸出至所述反射层之外的区域，沿所述像素开口的侧壁的延伸方向延伸。

7.根据权利要求1-6任一项所述的显示面板，其特征在于，多个所述子像素还包括第三子像素，多个所述子电极还包括第三子电极，多个所述像素开口还包括位于所述第三子电极的表面上的第三像素开口，所述第一像素开口的面积大于所述第三像素开口的面积。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第三子电极的外边缘与所述第三像素开口的边缘之间的距离，大于所述第一子电极的边缘与所述第一像素开口的边缘之间的距离。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一子像素为蓝色像素，所述第二子像素和所述第三子像素中的一者为红色像素，另一者为绿色像素。

10.根据权利要求3-6任一项所述的显示面板，其特征在于，所述导电层包括氧化铟锡层，所述反射层包括银层。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的显示面板。

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