CN113644220A - 一种显示面板、一种显示面板的制备方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种显示面板，属于显示技术领域。本公开的显示面板，包括相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，第一衬底基板和第二衬底基板之间设置有第一发光器件和第二发光器件。第一发光器件包括透射阳极、第一发光层和反射阴极；第二发光器件包括反射阳极、第二发光层和透射阴极。显示面板还包括第一透明导电层和/或第二透明导电层，第一透明导电层位于反射阳极所在层靠近第二衬底基板的一侧，第一透明导电层包括透射阳极和第一辅助电极，第一辅助电极与反射阳极电连接；第二透明导电层位于反射阴极靠近第一衬底基板的一侧，第二透明导电层包括透射阴极和第二辅助电极，第二辅助电极与反射阴极电连接。

Description

一种显示面板、一种显示面板的制备方法和显示装置

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板、一种显示面板的制备方法和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度和对比度高、宽视角、使用温度范围广以及可大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示面板。OLED显示面板属于自发光型显示面板，其上的OLED发光器件通常包括分别被用作阳极(Anode)的像素电极、被用作阴极(cathode)的公共电极以及设在像素电极与公共电极之间的有机功能层，当有电流通过时，这些有机功能层就会发光。

随着显示技术的发展，消费者除了要求显示面板具备反应速度快、分辨率高、画质细腻的特点外，也追求显示面板在功能和显示模式上的突破。因此，OLED双面显示面板应运而生，OLED双面显示面板除了具备普通OLED显示面板的各种特性外，还可以延伸显示画面空间，快速切换与处理多个显示画面。OLED双面显示面板在广告宣传和便携式电子产品中有巨大的应用空间。

现有技术中的OLED双面显示面板的设计，通常采用将OLED发光器件的阳极和阴极做薄，形成透明电极的方式，使得OLED发光器件能在显示面板的正反面同时显示。然而，发明人发现，在该种OLED双面显示面板的设计中，有一个明显的弊端，就是显示面板正面显示的图像与显示面板背面显示的图像呈现镜像关系，即观察者在显示面板正面和背面看到的图像是相反的，这给观察者带来很大的不便。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示面板、一种显示面板的制备方法和显示装置。

本公开提供一种显示面板，其包括：相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以使设置在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间的多个像素单元；所述多个像素单元中的每个至少包括发光器件；所述多个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元；所述第一像素单元中的发光器件为第一发光器件；所述第二像素单元中的发光器件为第二发光器件；其中，

所述第一发光器件包括沿背离所述第一衬底基板方向依次设置的透射阳极、第一发光层和反射阴极；所述第二发光器件包括沿背离所述第一衬底基板方向依次设置的反射阳极、第二发光层和透射阴极；

所述显示面板还包括第一透明导电层和/或第二透明导电层；

所述第一透明导电层位于所述反射阳极所在层靠近所述第二衬底基板的一侧；所述第一透明导电层包括所述透射阳极和第一辅助电极；所述第一辅助电极与所述反射阳极电连接；

所述第二透明导电层位于所述反射阴极靠近所述第一衬底基板的一侧；所述第二透明导电层包括所述透射阴极和第二辅助电极；所述第二辅助电极与所述反射阴极电连接。

其中，在第一方向上并排设置的多个所述像素单元中，所述第一像素单元和所述第二像素单元交替设置；其中，

在所述反射阳极靠近所述第一衬底基板的一侧设置有第一层间介质层；所述第一层间介质层具有多个第一内凹部和限定出所述第一内凹部的第一平坦部；在所述第一平坦部背离所述第一衬底基板的表面和所述第一内凹部的侧壁上形成有第一遮光部；一个所述发光器件与一个所述第一内凹部对应设置，且不同的发光器件与不同的所述第一内凹部在所述第二衬底基板上的正投影重叠；和/或，

在所述反射阴极靠近所述第二衬底基板的一侧形成第二层间介质层；所述第二层间介质层具有多个第二平坦部和限定出所述第二平坦部的第二内凹部；在所述第二内凹部内形成有第二遮光部；一个所述发光器件与一个所述第二平坦部对应设置，且不同的发光器件与不同的所述第二平坦部在所述第二衬底基板上的正投影重叠。

其中，所述反射阴极设置在所述第二衬底基板上；所述反射阳极设置在所述第一衬底基板上；所述显示面板还包括：设置在所述第一衬底基板上的第一金属层和设置在所述第二衬底基板上的第二金属层；

当所述显示面板包括所述第一遮光部和所述第二遮光部时，所述第一金属层包括所述反射阳极和所述第一遮光部；所述第二金属层包括反射阴极和所述第二遮光部。

其中，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层均设置在所述第二衬底基板上。

其中，所述第一像素单元中还包括设置在所述第一衬底基板上的第一像素驱动电路；所述第二像素单元中还包括所述第一衬底基板上的第二像素驱动电路；其中，所述第一像素驱动电路中至少包括第一薄膜晶体管；所述第二像素驱动电路中至少包括第二薄膜晶体管；其中，

所述第一像素单元中的第一薄膜晶体管的漏极与所述第一光器件的透射阳极电连接；所述第二像素单元中的第二薄膜晶体管的漏极与所述第二发光器件中的反射阳极电连接。

其中，对于沿所述第一方向每两个相邻设置的所述第一像素单元和所述第二像素单元，其中的所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路均与所述第二发光器件的反射阳极在所述第一衬底基板上的正投影至少部分重叠。

其中，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为顶栅型氧化物薄膜晶体管；其中，在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管靠近所述第一衬底基板的一侧依次形成有第三金属层和第三透明导电层；在所述第一层间介质层靠近所述第一衬底基板的一侧依次设置有第四金属层、第五金属层和第四透明导电层，在所述第四金属层与所述第五金属层和所述第四透明导电层之间设置第三层间介质层；在所述第五金属层和所述第四透明导电层之间设置第四层间介质层；

所述第三金属层包括第三遮光部和第四遮光部；其中，所述第三遮光部在所述第一衬底基板上的投影覆盖所述第一薄膜晶体管有源层在第一衬底基板上的正投影；所述第四遮光部覆盖所述第二薄膜晶体管有源层在第一衬底基板上的正投影；

所述第三透明导电层包括第一转接电极和第二转接电极；所述第五金属层包括第一薄膜晶体管和第二晶体管的源极、漏极、第三转接电极；所述第一薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第三层间介质层的第一过孔和第三遮光部与所述第一转接电极电连接；所述第三转接电极通过所述第三层间介质层的第二过孔与所述第一转接电极电连接，以使所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一发光器件的透射阳极电连接；所述第二薄膜晶体管的漏极通过贯穿过所述第三层间介质层的第三过孔和所述第二遮光部与所述第二转接电极电连接；

所述第四金属层包括所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极；所述第四透明导电层包括第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层。

其中，第一像素驱动电路还包括第一存储电容；其中，所述第四透明导电层还包括所述第一存储电容的第二极板；所述第一存储电容的第二极板和所述第一转接电极在所述第二衬底基板上的正投影至少部分重叠，且所述第一转接电极与所述第一存储电容的第二极板所述第二衬底基板上的正投影的部分，用作所述第一存储电容的第一极板。

其中，所述第一金属层还包括第四转接电极和第五转接电极；在所述第一层介质层与所述第四金属层之间设置有第五层间介质层；其中，

所述第四转接电极通过贯穿所述第一层间介质层和所述第五层间介质层的第四过孔与所述第三转接电极，且所述第四转接电极与所述第一遮光部电连接，并通过所述第一遮光部与所述第一发光器件的透射阳极电连接；

所述第五转接电极通过所述第一层间介质层和所述第五层间介质层的第五过孔与所述第二发光器件的反射阳极电连接，且所述第五转接电极通过第一遮光部与所述第二发光器件的第一辅助电极电连接。

其中，所述第一层间介质层和所述第五层间介质层之间设置有多个第一彩色滤光片；在所述第二层间介质层与所述第二衬底基板之间设置有多个第二彩色滤光片；其中，

一个所述第一彩色滤光片与一个所述第一发光器件的发光层在所述第一衬底基板上的正投影至少部分重叠；

一个所述第二彩色滤光片与一个所述第二发光器件的发光层在所述第一衬底基板上的正投影至少部分重叠。

其中，所述显示面板还包括第一驱动模组和第二驱动模组，所述第一驱动模组被配置为给所述第一像素单元提供驱动信号；述第二驱动模组被配置为给所述第二像素单元提供驱动信号；其中，所述第一驱动模组和所述第二驱动模组分别位于所述显示面板的两相对侧。

本公开还提供一种显示面板的制备方法，其包括：提供一第一衬底基板和第二衬底基板，在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间形成多个像素单元；所述多个像素单元中的每个至少包括发光器件；所述多个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元；所述第一像素单元中的发光器件为第一发光器件；所述第二像素单元中的发光器件为第二发光器件；

其中形成所述第一发光器件和所述第二发光器件的步骤包括：

在靠近所述第二衬底基板的一侧形成第一透明导电层；通过构图工艺对第一透明导电层进行处理，形成多个透射阳极和第一辅助电极；

在靠近所述第一衬底基板的一侧形成第二透明导电层；通过构图工艺对第二透明导电层进行处理，形成多个透射阴极和第二辅助电极；

在所述第一衬底基板靠近所述第一透明导电层的一侧，通过构图工艺形成包括反射阳极的图形；在所述第二衬底基板靠近所述第二透明介质层的一侧通过构图工艺形成多个包括反射阴极的图形；

在所述第二衬底基板靠近所述第二金属层靠近的一侧通过构图工艺形成多个包括第一发光层和第二发光层的图形。

其中，所述的制备方法还包括：

在所述反射阳极靠近所述第一衬底基板的一侧形成第一层间介质层，并通过构图工艺形成多个第一内凹部和限定出所述第一内凹部的第一平坦部；

在形成所述反射阳极的同时，在所述第一平坦部背离所述第一衬底基板的表面和所述第一内凹部的侧壁上形成多个第一遮光部；和/或，

在所述反射阴极靠近所述第二衬底基板的一侧形成第二层间介质层，并通过构图工艺形成包括多个第二平坦部和限定出所述第二平坦部的第二内凹部的图形；形成反射阴极的同时，在所述第二内凹部内形成多个第二遮光部。

其中，形成所述第一层间介质层和所述反射阳极之前，在所述第一衬底基板上靠近所述反射阳极的一侧形成第一像素驱动电路，所述第一像素驱动电路被包括在所述第一像素单元中；在所述第一衬底基板上形成第二像素驱动电路，所述第二像素驱动电路被包括在所述第二像素单元中；所述第一像素驱动电路包括第一薄膜晶体管，所述第二驱动电路包括第二薄膜晶体管；其中形成所述制备所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的步骤包括：

在所述第一衬底基板靠近所述第一层间介质层的一侧通过构图工艺同时形成所述第一薄膜晶体管的有源层和第二薄膜晶体管的有源层；

在所述第一衬底基板靠近所述第一层间介质层的一侧通过构图工艺同时形成包括所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层和栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层和栅极的图形；

在所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极上形成第四层间介质层，在所述第四层间介质层上通过构图工艺形成包括所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形；所述第一薄膜晶体管的源极和漏极与所述第二薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成。

其中，所述的制备方法还包括：在形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之前，在所述第一衬底基板上靠近所述反射阳极的一侧通过构图工艺形成多个包括第一转接电极、第二转接电极、第三遮光部和第四遮光部的图形；其中，所述第一转接电极、第二转接电极、第三遮光部和第四遮光部通过一次构图工艺形成；

在形成第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形之前，通过构图工艺对所述第三层间介质层进行处理，形成多个第一过孔、第二过孔以及第三过孔；通过构图工艺在所述第三过孔内形成多个包括第三转接电极的图形，所述第三转接电极的图形与第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形同时形成；

在形成所述第一层间介质层和所述反射阳极之前，在所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第三层间介质层上形成第五层间介质层；通过构图工艺对第一层间介质层和第五层间介质层进行处理，形成多个第四过孔和第五过孔。

其中，在形成所述第一层间介质层之前，在所述第五层间介质层上形成多个第一彩色滤光片；

在形成所述第二层间介质层之前，在所述第二衬底基板的靠近所述反射阴极一侧形成多个第二彩色滤光片。

本公开还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

附图说明

图1为一种示例性的显示面板的平面示意图；

图2为一种示例性的像素驱动电路的示意图；

图3为一种示例性的像素驱动电路的截面图；

图4为一种示例性的发光子像素排布图；

图5为本公开实施例的显示面板的一种截面图；

图6为本公开实施例的步骤S11-S12的示意图；

图7为本公开实施例的步骤S13的示意图；

图8为本公开实施例的步骤S14的示意图；

图9为本公开实施例的步骤S15的示意图；

图10为本公开实施例的步骤S16的示意图；

图11为本公开实施例的步骤S17-S18的示意图；

图12为本公开实施例的步骤S19-S20的示意图；

图13为本公开实施例的步骤S21的示意图；

图14为本公开实施例的一种像素排布示意图。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

图1为一种示例性的显示面板的平面示意图，如图1所示，显示面板包括衬底基板，以及形成在衬底基板上多个像素单元0，每个像素单元0中均设置有一个像素驱动电路和一个OLED器件。该像素驱动电路可以包括7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构，例如包括驱动晶体管、数据写入晶体管、存储电容、阈值补偿晶体管、第一复位晶体管、第二复位晶体管、第一发光控制晶体管以及第二发光控制晶体管。图2为图1所示显示面板中像素驱动电路的电路图，参照图2，数据写入晶体管T4源极的与驱动晶体管T3的源极电连接，数据写入晶体管T4的漏极被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号，数据写入晶体管T4的栅极被配置为与第一扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号；存储电容Cst的第一极板CC1与第一电源电压端VDD电连接，存储电容Cst的第二极板CC2与驱动晶体管T3的栅极电连接；阈值补偿晶体管T2的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接，阈值补偿晶体管T2的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接，阈值补偿晶体管T2的栅极被配置为与第二扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号；第一复位晶体管T1的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第一复位晶体管T1的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接，第一复位晶体管T1的栅极被配置为与第一复位控制信号线Rst1电连接以接收第一子复位控制信号；第二复位晶体管T7的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号，第二复位晶体管T7的漏极与发光器件D的第一电极D1电连接，第二复位晶体管T7的栅极被配置为与第二复位控制信号线Rst2电连接以接收第二子复位控制信号；第一发光控制晶体管T5的源极与第一电源电压端VDD电连接，第一发光控制晶体管T5的漏极与驱动晶体管T3的源极电连接，第一发光控制晶体管T5的栅极被配置为与第一发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号；第二发光控制晶体管T6的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接，第二发光控制晶体管T6的漏极与发光器件D的第一电极D1电连接，第二发光控制晶体管T6的栅极被配置为与第二发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号；发光器件D的第二电极D3与第二电源电压端VSS电连接。

图3为图2所示像素驱动电路中第二发光控制晶体管与发光器件连接位置处的截面图，如图3所示，驱动电路层可形成在衬底基板上。举例而言，如图3所示，该驱动电路层可形成在缓冲层102上。其中，此驱动电路层可包括层间介质层103，此层间介质层103采用无机材料制作而成，例如：氧化硅、氮化硅等无机材料，以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果。驱动电路层还包括薄膜晶体管和电容结构。

如图3所示，薄膜晶体管可为顶栅型，此薄膜晶体管可包括有源层104、第一栅绝缘层105、栅极106、第二栅绝缘层108、层间介质层103、源极110、漏极111。具体地，有源层104可形成在缓冲层102上，第一栅绝缘层105覆盖缓冲层102及有源层104，栅极106形成在第一栅绝缘层105背离有源层104的一侧，第二栅绝缘层108覆盖栅极106和第一栅绝缘层105，层间介质层103覆盖第二栅绝缘层108，源极110和漏极111形成在层间介质层103背离衬底基板的一侧并分别位于栅极106的相对两侧，该源极110和漏极111可分别通过过孔(例如：金属过孔)与有源层104的相对两侧接触。应当理解的是，此薄膜晶体管也可为底栅型。

如图3所示，电容结构可包括第一极板130和第二极板131，此第一极板130与栅极103同层设置，第二极板131位于第二栅绝缘层105与层间介质层103之间，并与第一极板130相对设置。

如图3所示，显示器件位于显示区，该显示器件可包括依次形成在层间介质层103上的第一电极112和像素界定部113，应当理解的是，该显示器件还可包括发光部114a和第二电极115。

详细说明，薄膜晶体管为顶栅型时，在制作显示器件之前还可制作平坦化层，此平坦化层可为单层结构，也可为多层结构；此平坦化层通常采用有机材料制作而成，例如：光刻胶、丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料；如图3所示，此平坦化层可包括平坦化部116，平坦化部116形成在层间介质层103与第一电极112之间。其中，第一电极112可通过金属过孔与漏极111电性连接，该第一电极112可为阳极，此阳极可为ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等材料制作而成；像素界定部113可覆盖平坦化部116，此像素界定部113可为有机材料制作而成，例如：光刻胶等有机材料，且像素界定部113可具有露出第一电极112的像素开口；发光部114a位于像素开口内并形成在第一电极112上，该发光部114a可包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光等；并且，根据实际不同需要，在不同的示例中，发光部114a还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层；第二电极115覆盖发光部114a，且该第二电极115的极性与第一电极112的极性相反；此第二电极115可为阴极，此阴极可为锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等金属材料制作而成。

需要说明的是，如图3所示，第一电极112、发光部114a和第二电极115可构成一个发光子像素1d。其中，此显示器件可包括多个阵列排布的发光子像素1d。此外，还需说明的是，各发光子像素1d的第一电极112相互独立，各发光子像素1d的第二电极115整面连接；即第二电极115为设置在显示面板10上的整面结构，为用于多个显示器件的公共电极。

图4为发光子像素1d的一种排布结构，如图4所示，各个发光子像素沿第一方向和第二方向呈阵列排布，且与分布在显示面板周边的驱动模组电连接。在示例性的显示面板中，位于显示基板沿第一方向的相对的两个侧边的驱动模组分别为第一栅极驱动模组和第二栅极驱动模组；位于显示基板沿第二方向的侧边驱动模组为源极驱动模组。

为解决上述示例性的显示面板存在的一些问题，本公开提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，下面结合附图和具体实施方式对本公开提供的有机电致发光显示面板及其制备方法、显示装置作进一步详细描述。

第一方面，本实施例提供一种显示面板，如图4-14所示，图5为本公开实施例的截面图。本公开实施例中的显示面板，包括相对设置的第一衬底基板1和第二衬底基板2，在第一衬底基板1和第二衬底基板2之间设置有多个像素单元；多个像素单元中至少包括发光器件；多个像素单元包括第一像素单元01和第二像素单元02；第一像素单元01中的发光器件为第一发光器件；第二像素单元02中的发光器件为第二发光器件。在该种实施例中，第一衬底基板1和第二衬底基板2均为玻璃基板，当然也可以为其他绝缘透明基板；第一发光器件为底发射型OLED器件，第二发光器件为顶发射型OLED器件，因此第一发光器件和第二发光器件可同时工作，分别将第一衬底基板1和第二衬底基板2点亮，实现显示面板双面显示的效果。

继续参照图5，所述第一发光器件包括沿背离第一衬底基板1方向依次设置的透射阳极3、第一发光层8和反射阴极7；所述第二发光器件包括沿背离第一衬底基板1方向设置的反射阳极6、第二发光层9和透射阴极5。

在该种实施例中，由于第一发光器件和第二发光器件分别为底发射型OLED器件和顶发射型OLED器件，第一发光层8和第二发光层9分别为有机发光层，在有机发光层上的载流子激发光子，以使有机发光层发光。第一发光层8所发出的光透过透射阳极3和透射阴极5，由于反射阴极7位于上述透射阳极3朝向第二衬底基板2的一侧，底发射型OLED朝向第一衬底基板1一侧发光；第二发光层9发出的光透过透射阳极3和透射阴极5，由于反射阳极6位于上述透射阳极3朝向第一衬底基板1的一侧，顶发射型OLED朝向第二衬底基板2的一侧发光。

显示面板还包括第一透明导电层和/或第二透明导电层；第一透明导电层位于反射阳极6所在层靠近第二衬底基板2的一侧，第一透明导电层包括透射阳极3和第一辅助电极4，第一辅助电极4和反射阳极6电连接；第二透明导电层位于反射阴极7靠近第一衬底基板1的一侧，第二透明导电层包括透射阴极5和第二辅助电极，第二辅助电极与反射阴极7电连接。

通过设置有第一透明导电层，第一透明导电层包括底发射型OLED的透射阳极3和第一辅助电极4，第一辅助电极4与反射阳极6电连接；第一透明导电层不影响上述底发射型OLED和顶发射型OLED的透光，且第一辅助电极4和反射阳极6直接相连，可以有效降低顶发射型OLED的阳极电阻，且没有通过套孔结构实现第一辅助电极4的设计，有效节省了像素空间，提高了像素的开口率，并可以实现高PPI(pixels per inch，图像分辨率)的设计。

同时设置有第二透明导电层，第二透明导电层包括顶发射型OLED的透射阴极5和第二辅助电极，第二辅助电极与反射阴极7电连接；第二透明导电层不影响上述底发射型OLED和顶发射型OLED的透光，且第二辅助电极和反射阴极7直接相连，利于有效降低底发射型OLED的阴极电阻，且没有通过套孔结构实现第二辅助电极的设计，有效节省了像素空间，提高了像素的开口率，并可以使显示面板实现高PPI的设计。

同时在该种实施例中，上述反射阴极7和反射阳极6可以为金属材料，如镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等，或者，是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO、Mo/AlNd/ITO等反射型材料。第一透明导电层和第二透明导电层的材料可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或者是透明材料形成的堆栈结构。

在一些实施例中，如图14所示，显示面板包括沿第一方向和第二方向呈阵列排布的多个像素单元；其中，第一方向和第二方向相交，其中一者可以为行方向，另一者为列方向，在本公开实施例中以第一方向为行方向，第二方向为列方向进行描述。继续参照图5，在第一方向上并排设置的多个像素单元中，第一像素单元01和第二像素单元02交替设置；其中，在反射阳极6靠近第一衬底基板1的一侧设置有第一层间介质层10，第一层间介质层10具有多个第一内凹部11和限定出第一内凹部11的第一平坦部12；在第一平坦部12背离所述第一衬底基板1的表面和第一内凹部11的侧壁上形成有第一遮光部13，一个发光器件与一个第一内凹部11对应设置，且不同的发光器件与不同的第一内凹部11在第二衬底基板2上的正投影重叠；和/或，在反射阴极7靠近第二衬底基板2的一侧形成第二层间介质层14；第二层间介质层14具有多个第二平坦部16和限定出所述第二平坦部16的第二内凹部15；在第二内凹部15内形成有第二遮光部17；一个发光器件与一个第二平坦部16对应设置，且不同的发光器件与不同的所述第二平坦部16在所述第二衬底基板2上的正投影重叠。

在该种实施例中，显示面板同时包括第一层间介质层10和第二层间介质层14。具体的由图5所示，一个底发射型OLED分别与一个第一内凹部11和第二平坦部16对应设置，一个与上述底发射型OLED相邻的顶发射型OLED分别与一个第一内凹部11和第二平坦部16对应设置；底发射型OLED和顶发射型OLED都与其对应的第一内凹部11和第二平坦部16在第二衬底基板2上的正投影重叠。

通过该种方式，底发射型OLED通过设置在第一层间介质层10上的第一遮光部13和与其相邻的顶发射型OLED的反射阳极6限定了发光区域，同时避免了其发出的光泄露到与其相邻的发光器件的发光区域中，避免了相邻子像素间的漏光。同时，顶发射型OLED通过与其相邻的底发射OLED的反射阴极7和位于第二层间介质层14上的第二遮光部17限定了发光区域，避免了其发出的光泄露到与其相邻的发光器件的发光区域中，避免了相邻子像素间的漏光。

通过该种方式，有效解决了相邻子像素之间的漏光问题，同时省去了现有技术中像素定义层(PDL，Pixel Definition Layer)和黑矩阵(BM，black matrix)的制作，节约了工艺流程，有效降低了生产成本。

在该种实施例中，上述第一层间介质层10选用的材料包括聚硅氧烷系材料，亚克力系材料或聚酰亚胺系材料等；第二层间介质层14选用的材料包括氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiOx)等。

在一些实施例中，继续如图5所示，反射阴极7设置在第二衬底基板2上，反射阳极6设置在第一衬底基板1上；上述显示面板还包括：设置在第一衬底基板1上的第一金属层和设置在第二衬底基板2上的第二金属层；第一金属层包括反射阳极6和第一遮光部13；第二金属层包括反射阴极7和第二遮光部17。因此反射阳极6和第一遮光部13可以通过一次构图工艺形成；反射阴极7和第二遮光部17可以通过一次构图工艺形成。通过该种方式，节约了工艺流程，提高了显示面板的良品率，有效降低了生产成本。

在该种实施例中，上述第一金属层和第二金属层的材料可以如镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等，或者，是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO、Mo/AlNd/ITO等反射型材料。

在一些实施例中，如图5所示第一透明导电层和第二透明导电层均设置在第二衬底基板2上。由于第一透明导电层包括上述透射阳极3和第一辅助电极4，第二透明导电层包括透射阴极5和第二辅助电极，因此当第一透明导电层和第二透明导电层均设置在第二衬底基板2上时，可以先制备第二透明导电层再制备第一透明导电层，因此可以省略像素定义层的制备，节约了工艺流程，提高了显示面板的良品率，有效降低了生产成本。

在一些实施例中，如图5所示，第一像素单元01中还包括设置在所述第一衬底基板1上的第一像素驱动电路；第二像素单元02中还包括第一衬底基板1上的第二像素驱动电路；其中，第一像素驱动电路中至少包括第一薄膜晶体管；第二像素驱动电路中至少包括第二薄膜晶体管；其中，第一像素单元01中的第一薄膜晶体管的漏极与第一光器件的透射阳极3电连接；第二像素单元02中的第二薄膜晶体管的漏极与第二发光器件中的反射阳极6电连接。

在该种实施例中，第一像素驱动电路和第二像素驱动电路可以是如图2所示的示例性的像素驱动电路，由七个薄膜晶体管和一个存储电容构成。在本公开的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路中，图5-6中仅体现第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，本公开仅以第一像素驱动电路中的第一薄膜晶体管和第二像素驱动电路中的第二薄膜晶体管为例进行说明，本公开中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可以是图2中的第二发光控制晶体管T6。

由于上述第一像素驱动电路包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的漏极与第一发光器件的透射阳极3电连接，因此第一薄膜晶体管的栅极在控制信号的驱动下，第一薄膜晶体管导通，将第一薄膜晶体管的源极输入写入的数据信号经由第一薄膜晶体管的漏极写入与第一薄膜晶体管的漏极相连的第一发光器件的透射阳极3，以使第一发光器件发光，第一像素驱动电路完成对第一发光器件的驱动。第二驱动电路工作过程与第一薄膜晶体管类似，故在此不在赘述。

在该种实施例中，由于第一发光器件由第一像素驱动电路驱动，第二发光器件由第二像素驱动电路驱动，因此第一发光器件和第二发光器件同时处于不同的工作状态。在本公开实施例中，第一发光器件为底发射型OLED器件，第二发光器件为定发射型发光器件，且底发射型OLED器件朝向第一衬底基板1一侧发光，顶发射型OLED器件朝向第二衬底基板2的一侧发光。因此可以使第一衬底基板1一侧和第二衬底基板2一侧处于不同的发光状态，以使得实现显示面板双面显示且两面的显示内容不同。

在一些实施例中，如图14所示，对于沿第一方向每两个相邻设置的第一像素单元01和第二像素单元02，其中的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路均与第二发光器件的反射阳极6在所述第一衬底基板1上的正投影至少部分重叠。由于第一像素驱动电路和第二像素驱动电路中的薄膜晶体管的有源层受到光照时工作状态不稳定，因此一般需要额外设置保护层对薄膜晶体管中进行保护。在本公开实施例中，第一像素驱动电路和第二像素驱动电路均与第二发光器件的反射阳极6在所述第一衬底基板1上的正投影至少部分重叠，即本公开实施例中的第一驱动电路中的第一薄膜晶体管和第二像素驱动电路中的第二薄膜晶体管的有源层在第一衬底基板1上的正投影与上述反射阳极6的正投影重叠。因此反射阳极6起到了对第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的保护作用，以使得减少了保护层的设置，有效节省了像素空间，提高了像素的开口率，并可以使显示面板实现高PPI的设计。同时节约了工艺流程，提高了显示面板的良品率，有效降低了生产成本。

在一些实施例中，如图5所示，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管均为顶栅型氧化物薄膜晶体管；其中，在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管靠近第一衬底基板1的一侧依次形成有第三金属层和第三透明导电层；在第一层间介质层10靠近第一衬底基板1的一侧依次设置有第四金属层25、第五金属层26和第四透明导电层28，在第四金属层25与所述第五金属层26和第四透明导电层28之间设置第三层间介质层30；在第五金属层26和第四透明导电层28之间设置第四层间介质层36。

第三金属层和第三透明导电层用于转接第一像素驱动电路和第一发光器件的电信号、第二像素驱动电路和第二发光器件的电信号；第四金属层25、第五金属层26、第四透明导电层28用于组成构成像素驱动电路的氧化物薄膜晶体管；第三层间介质层30用于绝缘保护。

继续参照图5，第三金属层包括第三遮光部21和第四遮光部22；其中，第三遮光部21在第一衬底基板1上的投影覆盖第一薄膜晶体管有源层在第一衬底基板1上的正投影；第四遮光部22覆盖第二薄膜晶体管的有源层在第一衬底基板1上的正投影。第三遮光部21用于遮挡从第一衬底基板1方向照射的光，避免照射到第一薄膜晶体管的有源层上，影响第一薄膜晶体管的工作性能；第四遮光部22用于遮挡从第一衬底基板1方向照射的光，避免照射到第二薄膜晶体管的有源层上，影响第二薄膜晶体管的工作性能。

具体的，第三透明导电层包括第一转接电极23和第二转接电极24；第五金属层26包括第一薄膜晶体管和第二晶体管的源极、漏极、第三转接电极27；第一薄膜晶体管的漏极通过贯穿第三层间介质层30的第一过孔31和第三遮光部21与第一转接电极23电连接；第三转接电极27通过第三层间介质层30的第二过孔32与第一转接电极23电连接，以使第一薄膜晶体管的漏极与第一发光器件的透射阳极3电连接。第二薄膜晶体管的漏极通过贯穿过第三层间介质层30的第三过孔33和第二遮光部17与第二转接电极24电连接。第四金属层25包括第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极；第四透明导电层28包括第一薄膜晶体管的有源层和第二薄膜晶体管的有源层。

其中，第三金属层、第四金属层25、第五金属层26的材料包括：镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等，或者，是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO、Mo/AlNd/ITO等材料；第三透明导电层和第四透明导电层28的材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或者是其他透明材料形成的堆栈结构；第三层间介质层30和第四层间介质层36的材料包括：采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，也可以是氧化铪(HfOx)、氧化铝(AlOx)和氧化钽(TaOx)中的任意一种或更多种，可以是上述材料组成的多层或复合层。

在一些实施例中，如图5所示，第一像素驱动电路还包括第一存储电容；其中，所述第四透明导电层28还包括所述第一存储电容的第二极板；所述第一存储电容的第二极板和所述第一转接电极23在所述第二衬底基板2上的正投影至少部分重叠，且所述第一转接电极23与所述第一存储电容的第二极板所述第二衬底基板2上的正投影的部分，用作所述第一存储电容的第一极板29。

在该种实施例中，第一存储电容用作为第一像素子电路储能，以使得延长第一像素子电路输出驱动信号的时间，使得第一发光器件的发光效果更好，且第一存储电容的第二极板包含在第四透明导电层28中，第一转接电极23中的一部分用作第一存储电容的第二极板。因此，不需要增加额外的构图工艺，即可完成第一存储电容的制作。

在一些实施例中，如图5所示，第一金属层还包括第四转接电极19和第五转接电极20；在第一层间介质层10与第三金属层之间设置有第五层间介质层37；其中，第四转接电极19通过贯穿第一层间介质层10和第五层间介质层37的第四过孔34与第三转接电极27，且第四转接电极19与第一遮光部13电连接，并通过第一遮光部13与第一发光器件的透射阳极3电连接；第五转接电极20通过第一层间介质层10和第五层间介质层37的第五过孔35与第二发光器件的反射阳极6电连接，且第五转接电极20通过第一遮光部13与第二发光器件的第一辅助电极4电连接。

在该种实施例中，第五层间介质层37用于保护第三转接电极27和第一像素驱动电路和第二像素驱动电路；第四转接电极19用于将第一遮光部13和第三转接电极27电连接，由于第三转接电极27通过第一转接电极23、第三遮光部21与第一薄膜晶体管的漏极电连接，第一遮光部13与透射阳极3电连接，因此第四转接电极19将第一发光器件和第一薄膜晶体管的漏极电连接；第五转接电极20与第二发光器件的反射阳极6电连接，且第五转接电极20通过第一遮光部13与第二发光器件的第一辅助电极4电连接，第五转接电极20还与第二薄膜晶体管的漏极电连接，因此第五转接电极20将第二发光器件和第二晶体管的漏极电连接。

第五层间介质层37的材料可以和第三层间介质层30、第四层间介质层36一致，在此不再赘述。

在一些实施例中，如图5所示，第一层间介质层10和第五层间介质层37之间设置有多个第一彩色滤光片38；在第二层间介质层14与第二衬底基板2之间设置有多个第二彩色滤光片39；其中，一个第一彩色滤光片38与一个第一发光器件的发光层在第一衬底基板1上的正投影至少部分重叠；一个第二彩色滤光片39与一个第二发光器件的发光层在所述第一衬底基板1上的正投影至少部分重叠。

在该种实施例中，如图5所示由于一个第一彩色滤光片38与一个第一发光器件的发光层在第一衬底基板1上的正投影至少部分重叠，因此可以让第一发光器件发白光，通过控制第一彩色滤光片38的颜色来控制第一发光器件实际显示的颜色；由于一个第二彩色滤光片39与一个第二发光器件的发光层在第二衬底基板2上的正投影至少部分重叠，因此可以让第二发光器件发白光，通过控制第二彩色滤光片39的颜色来控制第二发光器件实际显示的颜色。由此实现了一个第一像素单元01在朝向第一衬底基板1一侧发出彩色的光，一个与其相邻的第二像素单元02在第二衬底极板一侧发出彩色的光。且该种方式工艺成熟，良品率高，可低成本大规模生产。

如图14所示，第一彩色滤光片38和第二彩色滤光片39的颜色沿第一方向分别为红色、绿色和蓝色，一个第一像素单元01中的第一彩色滤光片38和一个与其相邻的第二像素单元02中的第二彩色滤光片39的颜色相同。一对滤光片颜色相同且相邻的第一像素单元01和第二像素单元02在所述显示面板上呈阵列排布。由于第一像素单元01和第二像素单元02朝向显示面板相对的两侧发光，通过该种像素排布方式，实现了显示面板的双面显示。

在一些实施例中，如图4所示，显示面板还包括第一驱动模组03和第二驱动模组04，第一驱动模组03被配置为给所述第一像素单元01提供驱动信号；第二驱动模组04被配置为给所述第二像素单元02提供驱动信号；其中，第一驱动模组03和所述第二驱动模组04分别位于所述显示面板的两相对侧。通过该种方式，由于第一像素单元01朝向第一衬底极板一侧发光，第二像素单元02朝向第二衬底极板一侧发光，第一衬底极板和第二衬底极板相对设置，第一驱动模组03和第二驱动模组04分别向第一像素单元01和第二像素单元02输出不同的驱动信号，即可实现第一像素单元01和第二像素单元02发出不同的光，即实现显示面板相对的两面显示不同的图像。在本公开实施例中，第一驱动模组03和第二驱动模组04可以包括栅极驱动电路或源极驱动电路。

如图4所示，本公开的第一驱动模组03和第二驱动模组04与示例性的显示面板中的驱动模组类似，所示第一驱动模组03位于显示面板沿第一方向的一侧，第二驱动模组04位于显示面板沿第一方向的与上述第一驱动模组03相对的一侧。第一驱动模组03可以是第一栅极驱动电路，用作为第一像素单元01提供栅极驱动信号；第二驱动模组04可以是第二栅极驱动电路，用作为第二像素单元02提供栅极驱动信号。由于第一像素单元01和第二像素单元02分别使用不同的栅极驱动电路，因此第一像素单元01和第二像素单元02可以相对独立工作，在显示面板的两面显示不同的画面。

第二方面，本公开实施例提供一种一种显示面板的制备方法。

在一些实施例中，如图5-13所示，显示面板的制备方法包括：提供一第一衬底基板1和第二衬底基板2，在第一衬底基板1和第二衬底基板2之间形成多个像素单元；多个像素单元中的每个至少包括发光器件；多个像素单元包括第一像素单元01和第二像素单元02；第一像素单元01中的发光器件为第一发光器件；所述第二像素单元02中的发光器件为第二发光器件；其中形成第一发光器件和第二发光器件的步骤包括：

在靠近第二衬底基板2的一侧形成第一透明导电层；通过构图工艺对第一透明导电层进行处理，形成多个透射阳极3和第一辅助电极4；在靠近第一衬底基板1的一侧形成第二透明导电层；通过构图工艺对第二透明导电层进行处理，形成多个透射阴极5和第二辅助电极；在所述第一衬底基板1靠近第一透明导电层的一侧，通过构图工艺形成包括反射阳极6的图形；在第二衬底基板2靠近第二透明介质层的一侧通过构图工艺形成多个包括反射阴极7的图形；在第二衬底基板2靠近第二金属层靠近的一侧通过构图工艺形成多个包括第一发光层8和第二发光层9的图形。

具体的，如图6所示，在第一透明介质层上形成第一金属膜，通过构图工艺对第一金属膜进行处理形成第一金属层，第一金属层包括反射阳极6；在第二透明介质层上形成第二金属膜，通过构图工艺对第二金属膜进行处理形成第二金属层，第二金属层包括反射阴极7。

在该种实施例中，上述第一发光器件可以为底发射型OLED器件，反射阴极7、第一发光层8以及透射阳极3组成第一发光器件的基本结构；第二发光器件可以为顶发射型OLED器件，反射阳极6、第二发光层9以及透射阴极5组成第二发光器件的基本结构。

上述第一透明导电层和第二透明导电层的材料可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或者是透明材料形成的堆栈结构。第一发光层8和第二发光层9的材料可以为无掺杂的荧光发光的有机材料制成，或采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。第一金属层和第二金属层可以为镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等，或者，是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO、Mo/AlNd/ITO等反射型材料。

在一些实施例中，如图6-8所示，显示面板的制备方法还包括：在所述反射阳极6靠近所述第一衬底基板1的一侧形成第一层间介质层10，并通过构图工艺形成多个第一内凹部11和限定出所述第一内凹部11的第一平坦部12；在形成反射阳极6的同时，在第一平坦部12背离第一衬底基板1的表面和第一内凹部11的侧壁上形成多个第一遮光部13；和/或，在反射阴极7靠近第二衬底基板2的一侧形成第二层间介质层14，并通过构图工艺形成包括多个第二平坦部16和限定出第二平坦部16的第二内凹部15的图形；形成反射阴极7的同时，在所述第二内凹部15内形成多个第二遮光部17。

在该种实施例中，第一层间介质层10可以用作平坦化层，第一层间介质层10上的第一内凹部11和第一平坦部12用作限定第一遮光部13和反射阳极6的形状和位置；第一金属层用作形成上述第一遮光部13、反射阳极6，第一遮光部13和反射阳极6用于限定第一发光器件和第二发光器件的发光区域，避免相邻的子像素之间发生漏光。此外，本公开实施例还同时包括第二层间介质层14，第二层间介质层14可以用作平坦化层，第二层间介质层14上的第二内凹部15和第二平坦部16用作限定第二遮光部17和反射阴极7的形状和位置，第二金属层用作形成上述第二遮光部17、反射阴极7，第二遮光部17和反射阴极7用于限定第一发光器件和第二发光器件的发光区域，避免相邻的子像素之间发生漏光。

具体的，第一遮光部13可以和反射阳极6在一次构图工艺中形成，第一遮光部13被包括在第一金属层中；第二遮光部17可以和反射阴极7在一次构图工艺中形成，第二遮光部17被包括在第二金属层中。

上述第一层间介质层10选用的材料包括聚硅氧烷系材料，亚克力系材料或聚酰亚胺系材料等；第二层间介质层14选用的材料包括氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiOx)等。

在一些实施例中，如图9-13所示，在形成第一层间介质层10和反射阳极6之前，在第一衬底基板1上靠近反射阳极6的一侧形成第一像素驱动电路，第一像素驱动电路被包括在第一像素单元01中；在第一衬底基板1上形成第二像素驱动电路，第二像素驱动电路被包括在第二像素单元02中；第一像素驱动电路包括第一薄膜晶体管，所述第二驱动电路包括第二薄膜晶体管。

制备第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的步骤包括：在第一衬底基板1靠近第一层间介质层10的一侧通过构图工艺同时形成第一薄膜晶体管的有源层和第二薄膜晶体管的有源层；在第一衬底基板1靠近第一层间介质层10的一侧通过构图工艺同时形成包括第一薄膜晶体管的栅极绝缘层和栅极、第二薄膜晶体管的栅极绝缘层和栅极的图形；在第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极上形成第四层间介质层36，在所述第四层间介质层36上通过构图工艺形成包括第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形；第一薄膜晶体管的源极和漏极与第二薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成。

具体的，在第一衬底基板1靠近反射阳极6的一侧形成第四透明导电膜，通过构图工艺对第四透明导电膜进行处理形成第四透明导电层28，第四透明导电层28包括第一薄膜晶体管的有源层和第二薄膜晶体管的有源层；在所述第四透明导电层28上靠近所述反射阳极6的一侧形成第三层间介质膜和第四金属膜，通过构图工艺对第三层间介质膜和第四金属膜进行处理形成第三层间介质层30和第四金属层25，第三层间介质层30包括第一薄膜晶体管的栅极绝缘层和第二薄膜晶体管的栅极绝缘层；在上述第四透明导电层28、第三层间介质层30和第四金属层25上形成第四层间介质层36；在上述第四层间介质层36上形成第五金属膜，通过构图工艺对第五金属膜进行处理形成第五金属层26，第五金属层26包括第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极。

其中，第四金属层25和第五金属层26的材料包括：镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等，或者，是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO、Mo/AlNd/ITO等材料；第四透明导电层28的材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或者是其他透明材料形成的堆栈结构；第三层间介质层30和第四层间介质层36的材料包括：采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，也可以是氧化铪(HfOx)、氧化铝(AlOx)和氧化钽(TaOx)中的任意一种或更多种，可以是上述材料组成的多层或复合层。

在该种实施例中，第一像素驱动电路和第二像素驱动电路可以是如图2所示的示例性的像素驱动电路，由七个薄膜晶体管和一个存储电容构成。在本公开的第一像素驱动电路和第二像素驱动电路中，图6中仅体现第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，本公开仅以第一像素驱动电路中的第一薄膜晶体管和第二像素驱动电路中的第二薄膜晶体管为例进行说明，本公开中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可以是图2中的第二发光控制晶体管T6。第一像素驱动电路被配置为驱动第一发光器件工作，第二像素驱动电路被配置为驱动第二发光器件工作。

在一些实施例中，如图9所示，在形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管之前，在所述第一衬底基板1上靠近所述反射阳极6的一侧通过构图工艺形成多个包括第一转接电极23、第二转接电极24、第三遮光部21和第四遮光部22的图形；其中，所述第一转接电极23、第二转接电极24、第三遮光部21和第四遮光部22通过一次构图工艺形成。在形成第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形之前，通过构图工艺对所述第三层间介质层30进行处理，形成多个第一过孔31、第二过孔32以及第三过孔33；通过构图工艺在所述第三过孔33内形成多个包括第三转接电极27的图形，所述第三转接电极27的图形与第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形同时形成。在形成所述第一层间介质层10和所述反射阳极6之前，在所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第三层间介质层30上形成第五层间介质层37；通过构图工艺对第一层间介质层10和第五层间介质层37进行处理，形成多个第四过孔34和第五过孔35。

具体的，在第一衬底基板1上靠近所述反射阳极6的一侧依次形成第三透明导电膜和第三金属膜，使用半色调掩膜版(Half-Tone-Mask)通过一次构图工艺对第三透明导电膜和第三金属膜进行处理，形成第三透明导电层和第三金属层。第三透明导电层包括第一转接电极23和第二转接电极24；第三金属层包括第三遮光部21和第四遮光部22。

在该种实施例中，第一转接电极23和第三遮光部21电连接，用于传输第一薄膜晶体管漏极传输的电信号；第二转接电极24和第四遮光部22电连接，用于传输第二薄膜晶体管传输电信号。同时，第三遮光部21和第四遮光部22用于为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源层遮光。第三层间介质层30和第五层间介质层37用于阻隔水氧和阻隔碱性离子的效果。第一过孔31用于将第一薄膜晶体管的漏极和第一遮光层电连接；第三过孔33用于将第二薄膜晶体管的漏极和第二遮光层电连接；第二过孔32用于将第三转接电极27和第一转接电极23电连接。第四过孔34和第五过孔35分别用于形成第四转接电极19和第五转接电极20，第四转接电极19用于将第一遮光部13和第二转接电极24电连接，进一步的将透射阳极3、第一遮光部13、第四转接电极19、第二转接电极24、第三遮光部21和第一薄膜晶体管的漏极电连接，以使得第一薄膜晶体管完成对第一发光器件的驱动；第五转接电极20用于将第一遮光部13和第一辅助电极4电连接，进一步的将反射阳极6、第一辅助电极4、第五转接电极20和第二薄膜晶体管的漏极电连接，以使得第二薄膜晶体管完成对第二发光器件的驱动。

其中，上述第三透明介质层的材料可以和第四透明导电层28、第五层间介质层37一致，第三金属层的材料可以和第四金属层25、第五金属层26一致，故在此不再赘述。

在一些实施例中，如图6-13所示，在形成第一层间介质层10之前，在第五层间介质层37上形成多个第一彩色滤光片38；在形成第二层间介质层14之前，在所述第二衬底基板2的靠近所述反射阴极7一侧形成多个第二彩色滤光片39。

具体的，在第五层间介质层37上形成第一彩膜，通过构图工艺对第一彩膜进行处理形成第一彩膜层，第一彩膜层包括多个第一彩色滤光片38；在第二衬底基板2上靠近反射阴极7一侧形成第二彩膜，通过构图工艺对第二彩膜进行处理形成第二彩膜层，第二彩膜层包括多个第二彩色滤光片39。

在该种实施例中，第一彩色滤光片38和第二彩色滤光片39包括红色滤光片R、绿色滤光片G、蓝色滤光片B；第一彩膜层和第二彩膜层的材料包括有机树脂材料。

如图6-13所示，本公开实施例的其制备流程为：

S11、提供一第一衬底基板1和第二衬底基板2，在第二衬底基板2的第三表面沉积第二彩膜层，并通过构图工艺形成多个第二彩色滤光片39；

S12、在第二层间介质层14上形成第二层间介质层14；通过构图工艺形成多个第二内凹部15和第二平坦部16；

S13、在第二层间介质层14上背离第二衬底基板2的一侧沉积第二金属膜；通过构图工艺对第二金属膜进行处理形成多个第二金属层，第二金属层包括第二遮光部17和反射阴极7；

S14、在第二金属层上背离第二衬底基板2的一侧沉积第二透明导电层、有机发光层和第一透明导电层；通过构图工艺形成多个第一发光层8、第二发光层9、透射阳极3和第一辅助电极4。

S15、在第一衬底基板1的第一表面上沉积第三透明导电膜和第三金属层膜，使用半色调掩膜版对第三透明导电膜和第三金属膜进行一次构图工艺形成第三透明导电层和第三金属层，多个第三透明导电层包括第一转接电极23、第二转接电极24、多个第三金属层包括多个第三遮光部21和第四遮光部22；

S16、在第三金属层和第三透明导电层上沉积第六层间介质层40；在第六层间介质层40上依次形成第四透明导电膜、第三层间介质膜、第五金属膜，并通过构图工艺以及部分导体化工艺对第四透明导电膜进行处理形成第四透明导电层28，第四透明导电层28包括多个第一薄膜晶体管的有源层、第二薄膜晶体管的有源层以及存储电容的第一极板29；通过构图工艺对第三层间介质膜和第五金属膜进行处理形成第三层间介质层30和第五金属层26，第三层间介质层30包括多个第一薄膜晶体管的栅极绝缘层和第二薄膜晶体管的栅极绝缘层，第五金属层26包括第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极；

S17、在第四透明导电层28、第四层间介质层36和第五金属层26上沉积第三层间介质层30，并通过构图工艺形成第一过孔31、第二过孔32以及第三过孔33；

S18、在第三层间介质层30上沉积第四金属膜和第五层间介质层37，通过构图工艺对第四金属膜进行处理形成第四金属层25，第四层间金属层包括多个第三转接电极27、第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极；

S19、在第五层间介质层37上形成第一彩膜，并通过构图工艺对第一彩膜进行处理形成第一彩膜层，第一彩膜层包括多个第一彩色滤光片38；

S20、在第五绝缘层上沉积第一层间介质层10，通过构图工艺形成多个第一内凹部11、第一平坦部12、第四过孔34和第五过孔35；

S21、在第一层间介质层10上形成第一金属膜，通过构图工艺对第一金属膜进行处理形成第一金属层，第一金属层包括第一遮光部13、反射阳极6、第四转接电极19、第五转接电极20；

S22、将第一衬底衬底基板和第二衬底基板2压合，透射阳极3和第一辅助电极4和、第一遮光部13电连接。

至此完成图5显示面板的制备。需要说明的是，在一些实施例中，步骤S11-S13与步骤S14-S21可以互换，也在本公开的保护范围内。

通过该种制备方法，本公开实施例制备的显示面板显示质量较高，制备工艺较为简单，易于轻薄化设计，且没有增加太多掩膜版，可以同较低的成本实现量产。

第三方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述任一种有显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，以使设置在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间的多个像素单元；所述多个像素单元中的每个至少包括发光器件；所述多个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元；所述第一像素单元中的发光器件为第一发光器件；所述第二像素单元中的发光器件为第二发光器件；其中，

所述第一发光器件包括沿背离所述第一衬底基板方向依次设置的透射阳极、第一发光层和反射阴极；所述第二发光器件包括沿背离所述第一衬底基板方向依次设置的反射阳极、第二发光层和透射阴极；

所述显示面板还包括第一透明导电层和/或第二透明导电层；

所述第一透明导电层位于所述反射阳极所在层靠近所述第二衬底基板的一侧；所述第一透明导电层包括所述透射阳极和第一辅助电极；所述第一辅助电极与所述反射阳极电连接；

所述第二透明导电层位于所述反射阴极靠近所述第一衬底基板的一侧；所述第二透明导电层包括所述透射阴极和第二辅助电极；所述第二辅助电极与所述反射阴极电连接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在第一方向上并排设置的多个所述像素单元中，所述第一像素单元和所述第二像素单元交替设置；其中，

在所述反射阳极靠近所述第一衬底基板的一侧设置有第一层间介质层；所述第一层间介质层具有多个第一内凹部和限定出所述第一内凹部的第一平坦部；在所述第一平坦部背离所述第一衬底基板的表面和所述第一内凹部的侧壁上形成有第一遮光部；一个所述发光器件与一个所述第一内凹部对应设置，且不同的发光器件与不同的所述第一内凹部在所述第二衬底基板上的正投影重叠；和/或，

在所述反射阴极靠近所述第二衬底基板的一侧形成第二层间介质层；所述第二层间介质层具有多个第二平坦部和限定出所述第二平坦部的第二内凹部；在所述第二内凹部内形成有第二遮光部；一个所述发光器件与一个所述第二平坦部对应设置，且不同的发光器件与不同的所述第二平坦部在所述第二衬底基板上的正投影重叠。

3.根据权利要求2所述的所述的显示面板，其特征在于，所述反射阴极设置在所述第二衬底基板上；所述反射阳极设置在所述第一衬底基板上；所述显示面板还包括：设置在所述第一衬底基板上的第一金属层和设置在所述第二衬底基板上的第二金属层；

当所述显示面板包括所述第一遮光部和所述第二遮光部时，所述第一金属层包括所述反射阳极和所述第一遮光部；所述第二金属层包括反射阴极和所述第二遮光部。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层均设置在所述第二衬底基板上。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素单元中还包括设置在所述第一衬底基板上的第一像素驱动电路；所述第二像素单元中还包括所述第一衬底基板上的第二像素驱动电路；其中，所述第一像素驱动电路中至少包括第一薄膜晶体管；所述第二像素驱动电路中至少包括第二薄膜晶体管；其中，

所述第一像素单元中的第一薄膜晶体管的漏极与所述第一光器件的透射阳极电连接；所述第二像素单元中的第二薄膜晶体管的漏极与所述第二发光器件中的反射阳极电连接。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，对于沿所述第一方向每两个相邻设置的所述第一像素单元和所述第二像素单元，其中的所述第一像素驱动电路和所述第二像素驱动电路均与所述第二发光器件的反射阳极在所述第一衬底基板上的正投影至少部分重叠。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均为顶栅型氧化物薄膜晶体管；其中，在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管靠近所述第一衬底基板的一侧依次形成有第三金属层和第三透明导电层；在所述第一层间介质层靠近所述第一衬底基板的一侧依次设置有第四金属层、第五金属层和第四透明导电层，在所述第四金属层与所述第五金属层和所述第四透明导电层之间设置第三层间介质层；在所述第五金属层和所述第四透明导电层之间设置第四层间介质层；

所述第三金属层包括第三遮光部和第四遮光部；其中，所述第三遮光部在所述第一衬底基板上的投影覆盖所述第一薄膜晶体管有源层在第一衬底基板上的正投影；所述第四遮光部覆盖所述第二薄膜晶体管有源层在第一衬底基板上的正投影；

所述第三透明导电层包括第一转接电极和第二转接电极；所述第五金属层包括第一薄膜晶体管和第二晶体管的源极、漏极、第三转接电极；所述第一薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第三层间介质层的第一过孔和第三遮光部与所述第一转接电极电连接；所述第三转接电极通过所述第三层间介质层的第二过孔与所述第一转接电极电连接，以使所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一发光器件的透射阳极电连接；所述第二薄膜晶体管的漏极通过贯穿过所述第三层间介质层的第三过孔和所述第二遮光部与所述第二转接电极电连接；

所述第四金属层包括所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极；所述第四透明导电层包括第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层。

8.根据权利要求7所述的所述的显示面板，其特征在于，第一像素驱动电路还包括第一存储电容；其中，

所述第四透明导电层还包括所述第一存储电容的第二极板；所述第一存储电容的第二极板和所述第一转接电极在所述第二衬底基板上的正投影至少部分重叠，且所述第一转接电极与所述第一存储电容的第二极板所述第二衬底基板上的正投影的部分，用作所述第一存储电容的第一极板。

9.根据权利要求7所述的所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层还包括第四转接电极和第五转接电极；在所述第一层介质层与所述第四金属层之间设置有第五层间介质层；其中，

所述第四转接电极通过贯穿所述第一层间介质层和所述第五层间介质层的第四过孔与所述第三转接电极，且所述第四转接电极与所述第一遮光部电连接，并通过所述第一遮光部与所述第一发光器件的透射阳极电连接；

所述第五转接电极通过所述第一层间介质层和所述第五层间介质层的第五过孔与所述第二发光器件的反射阳极电连接，且所述第五转接电极通过第一遮光部与所述第二发光器件的第一辅助电极电连接。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一层间介质层和所述第五层间介质层之间设置有多个第一彩色滤光片；在所述第二层间介质层与所述第二衬底基板之间设置有多个第二彩色滤光片；其中，

一个所述第一彩色滤光片与一个所述第一发光器件的发光层在所述第一衬底基板上的正投影至少部分重叠；

一个所述第二彩色滤光片与一个所述第二发光器件的发光层在所述第一衬底基板上的正投影至少部分重叠。

11.根据权利要求1-10中任一项所述显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一驱动模组和第二驱动模组，所述第一驱动模组被配置为给所述第一像素单元提供驱动信号；述第二驱动模组被配置为给所述第二像素单元提供驱动信号；其中，所述第一驱动模组和所述第二驱动模组分别位于所述显示面板的两相对侧。

12.一种显示面板的制备方法，其特征在于，提供一第一衬底基板和第二衬底基板，在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间形成多个像素单元；所述多个像素单元中的每个至少包括发光器件；所述多个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元；所述第一像素单元中的发光器件为第一发光器件；所述第二像素单元中的发光器件为第二发光器件；

其中形成所述第一发光器件和所述第二发光器件的步骤包括：

在靠近所述第二衬底基板的一侧形成第一透明导电层；通过构图工艺对第一透明导电层进行处理，形成多个透射阳极和第一辅助电极；

在靠近所述第一衬底基板的一侧形成第二透明导电层；通过构图工艺对第二透明导电层进行处理，形成多个透射阴极和第二辅助电极；

在所述第一衬底基板靠近所述第一透明导电层的一侧，通过构图工艺形成包括反射阳极的图形；在所述第二衬底基板靠近所述第二透明介质层的一侧通过构图工艺形成多个包括反射阴极的图形；

在所述第二衬底基板靠近所述第二金属层靠近的一侧通过构图工艺形成多个包括第一发光层和第二发光层的图形。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述的制备方法还包括：

在所述反射阳极靠近所述第一衬底基板的一侧形成第一层间介质层，并通过构图工艺形成多个第一内凹部和限定出所述第一内凹部的第一平坦部；

在形成所述反射阳极的同时，在所述第一平坦部背离所述第一衬底基板的表面和所述第一内凹部的侧壁上形成多个第一遮光部；和/或，

在所述反射阴极靠近所述第二衬底基板的一侧形成第二层间介质层，并通过构图工艺形成包括多个第二平坦部和限定出所述第二平坦部的第二内凹部的图形；形成反射阴极的同时，在所述第二内凹部内形成多个第二遮光部。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一层间介质层和所述反射阳极之前，在所述第一衬底基板上靠近所述反射阳极的一侧形成第一像素驱动电路，所述第一像素驱动电路被包括在所述第一像素单元中；在所述第一衬底基板上形成第二像素驱动电路，所述第二像素驱动电路被包括在所述第二像素单元中；所述第一像素驱动电路包括第一薄膜晶体管，所述第二驱动电路包括第二薄膜晶体管；其中形成所述制备所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的步骤包括：

在所述第一衬底基板靠近所述第一层间介质层的一侧通过构图工艺同时形成所述第一薄膜晶体管的有源层和第二薄膜晶体管的有源层；

在所述第一衬底基板靠近所述第一层间介质层的一侧通过构图工艺同时形成包括所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层和栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层和栅极的图形；

在所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极上形成第四层间介质层，在所述第四层间介质层上通过构图工艺形成包括所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形；所述第一薄膜晶体管的源极和漏极与所述第二薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述的制备方法还包括：在形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之前，在所述第一衬底基板上靠近所述反射阳极的一侧通过构图工艺形成多个包括第一转接电极、第二转接电极、第三遮光部和第四遮光部的图形；其中，所述第一转接电极、第二转接电极、第三遮光部和第四遮光部通过一次构图工艺形成；

在形成第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形之前，通过构图工艺对所述第三层间介质层进行处理，形成多个第一过孔、第二过孔以及第三过孔；通过构图工艺在所述第三过孔内形成多个包括第三转接电极的图形，所述第三转接电极的图形与第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极的图形同时形成；

在形成所述第一层间介质层和所述反射阳极之前，在所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二薄膜晶体管的源极和漏极以及所述第三层间介质层上形成第五层间介质层；通过构图工艺对第一层间介质层和第五层间介质层进行处理，形成多个第四过孔和第五过孔。

16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一层间介质层之前，在所述第五层间介质层上形成多个第一彩色滤光片；

在形成所述第二层间介质层之前，在所述第二衬底基板的靠近所述反射阴极一侧形成多个第二彩色滤光片。

17.一种显示装置，其特征在于包括权利要求1-16所述的显示面板。

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