JP4548253B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関するものである。

携帯電話機、パーソナルコンピュータやＰＤＡ（Personal Digital Assistants）等の電子機器に使用される表示装置や、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして、有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と称する。）等の発光装置が注目されている。この種の発光装置をカラー用に構成するにあたっては、従来、発光層を構成する材料を画素毎に変えることにより、各画素から各色の光が出射されるように構成されている。

その一方で、発光層の下層側に形成された下層側反射層と発光層の上層側に形成された上層側反射層との間に光共振器を形成するとともに、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる画素電極の膜厚を変えることにより、光共振器の光学長を画素毎に変えて、発光素子の出射光から各色の光を取り出す技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特許第２７９７８８３号公報

上記特許文献１に記載の技術を利用して、発光層からみて基板側に光を出射するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を構成する場合には、下層側反射層を半透過反射膜で構成することになる。また、発光層からみて基板とは反対側に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を構成する場合には、下層側反射層をアルミニウムや銀などといった反射率の高い金属膜で構成することになる。

ところで、ＩＴＯ膜によって膜厚の異なる画素電極を形成するには、ＩＴＯ膜を成膜した後、ＩＴＯ膜の上層にフォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスクを形成し、エッチングを行うことになる。このため、画素電極の厚さを赤色用の画素、緑色用の画素、青色用の画素で相違させるには、上記の工程を３回繰り返す必要があり、工程が複雑になってしまう。従って、表示性能は向上するものの、生産性が低下するという問題がある。

本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、画素によって膜厚が異なる画素電極を従来よりも少ない工程で形成し、高い表示性能を実現すると共に低コスト化を実現できる有機ＥＬ装置、及び有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明者は、上記の問題点を解決すべく、以下の手段を有する本発明を想到した。
即ち、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に、第１電極及び第２電極に挟持された発光機能層を有する画素と、複数の前記画素からなる単位画素群を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記単位画素群における複数の前記第１電極の各々は、エッチング選択性が異なる複数の導電膜のうち、単独又はその組み合わせによって形成されていること、を特徴としている。

ここで、エッチング選択性について説明する。
本発明の複数の導電膜は、その材料の種類や、その材料の構造（結晶状態或いは非晶質状態）によって、ウエットエッチングやドライエッチングにおける薬液や反応性ガスに対するエッチングレートが異なる性質を有している。例えば、同一の薬液に対して、複数の導電膜の一つは、高いレート（エッチング速度、エッチングレート）でエッチングされる性質を有しているのに対し、他の導電膜は、殆どエッチングされないという性質を有する場合がある。このように、本発明では、同一の薬液や反応性ガスに対し、複数の導電膜の各々のエッチングのし易さの程度をエッチング選択性としている。そして、同一の薬液や反応性ガスを利用して、複数の導電膜を同時にエッチングした時に、エッチングされてしまう導電膜を「エッチング選択性が高い」ものとし、殆どエッチングされない導電膜を「エッチング選択性が低い」ものとする。

従来は、複数の第１電極を形成するにあたり、当該第１電極の数と同じ回数のレジストマスク形成工程及びエッチング工程を行っているのは、各エッチング工程において他の第１電極がエッチングされてしまうことを防ぐために、レジストマスクによって非エッチング対象の第１電極を被覆する必要があったためである。
これに対して、本発明は、複数の導電膜のエッチング選択性を利用して第１電極を形成しているので、エッチング選択性が低い導電膜（第１導電膜）に対してレジストマスクを被覆せずに、エッチング選択性が高い導電膜（第２導電膜）をエッチングすることが可能となる。
従って、本発明によれば、従来よりもレジストマスクを形成する工程が少なくなり、換言すれば、露光工程数の削減やマスク枚数の削減を達成するので、製造コストが低減された有機ＥＬ装置を実現できる。

また、複数の第１電極は、複数の導電膜のうち、単独又はその組み合わせによって形成されているので、導電膜の単層構造や、複数の導電膜の積層構造によって構成されたものである。また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記導電膜は、透明性導電膜であることを特徴としており、前記複数の前記第１電極は、膜厚が異なること、を特徴としている。
従って、複数の第１電極は、膜厚が異なると共に、透明性を有するものとなり、光共振器として機能させることができ、光共振器の光学長を画素毎に異ならせる（調整する）ことができる。例えば、長波長（例えば赤色光）の発光を行う画素の第１電極の膜厚を長くして、その光学長を合わせることができ、短波長（例えば青色光）の発光を行う画素の第１電極の膜厚を短くして、その光学長を合わせることができる。
また、光学長を長くするには、複数の導電膜を積層して形成し、一方、光学長を短くするには、複数の導電膜のうち導電膜を単層で形成することで光学長を調整できる。また、導電膜を単層で形成する場合の中でも、要求される光学長を考慮して、厚膜又は薄膜の単層膜を選択することで、光学長を調整できる。また、要求される光学長を考慮して、複数の導電膜の各膜厚を成膜の際に、厚膜化或いは薄膜化することで、光学長を調整できる。
このように、複数の画素における第１電極の光学長が調整されることで、表示性能が高い有機ＥＬ装置を実現できる。具体的には、ＮＴＳＣ比の向上、白色バランスの最適化、白色表示の無彩色化を実現でき、色設計の自由度を向上させることができる。

また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記複数の第１電極のうち、前記エッチング選択性が異なる複数の導電膜の組み合わせからなる第１電極は、前記基板側に形成された第１導電膜と、当該第１導電膜に積層され、かつ、当該第１導電膜よりもエッチング選択性が高い第２導電膜と、によって形成されていること、を特徴としている。このようにすれば、上記の有機ＥＬ装置と同様の効果が得られる。

なお、「複数の第１電極の膜厚が異なる」とは、複数の第１電極の膜厚が各々異なる場合を限定するものではなく、複数の第１電極のうち少なくとも２つの第１電極の膜厚が同じ場合を含むことを意味する。例えば、複数の第１電極が４つ或いは３つによって構成され、そのうち２つの電極の膜厚が同じであってもよい。

また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記基板と前記第１電極との間には、反射膜が形成されていること、を特徴としている。
このようにすれば、反射膜によって発光機能層の発光光を反射させることができ、第２電極の側に発光光を出射させることができる。また、本発明においては、発光機能層の発光光は、反射することなく第２電極の側から出射する光（非反射光）と、反射膜によって反射した後に第２電極の側から出射する光を含んでいる。反射膜によって反射される場合、非反射光と比較して、第１電極の導電膜を通過する分だけ光学長が長くなり、非反射光とのバランスによって、光学長を調整する必要がある。上記のように本発明は、複数の導電膜の単層構造又は積層構造によって光学長を調整するので、反射光と非反射光が混在している場合でも容易にそれを調整することができる。

また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記複数の画素の各々は、異なる色を出射すること、を特徴としている。
ここで、複数の画素の各々は、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）を原色とすることが好ましい。なお、これに限定することなく、Ｃ（シアン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー）といった補色の少なくともいずれかを含んでもよい。
このようにすれば、単位画素群毎にフルカラー表示を行うことができ、単位画素群を複数備えた（例えば、マトリクス状に複数備えた）場合には、フルカラー画像を表示することができる。

また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記複数の画素の各々において、前記発光機能層は異なる色波長の発光光を出射すること、を特徴としている。
このようにすれば、発光機能層の各々において異なる色の発光光が生じるので、画素毎に異なる色を出射させることができ、即ち、先の有機ＥＬ装置と同様の効果が得られる。

また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記複数の画素の各々において、前記発光機能層に対向配置された複数色の着色層を備えること、を特徴としている。
ここで、複数色の着色層は、例えば、ＲＧＢの各色の着色層である。
そして、発光機能層が出射する発光光が白色の単一光である場合には、発光機能層において生じた白色光が着色層に透過することで、着色層は白色光に対してＲＧＢに着色する（ＲＧＢの色波長毎に透過させる）ので、画素毎に異なる色を出射させることができ、即ち、先の有機ＥＬ装置と同様の効果が得られる。
また、発光機能層が出射する発光光が、例えば、ＲＧＢの各色である場合には、発光機能層において生じたＲＧＢの各色光が、同じ色の着色層に透過することで、着色層から出射された光の色純度を高くすることができ、即ち、先の有機ＥＬ装置と同様の効果が得られる。

また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に、第１電極及び第２電極に挟持された発光機能層を有する画素と、複数の前記画素からなる単位画素群を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記単位画素群における複数の前記第１電極の各々を形成する第１電極形成工程は、エッチング選択性が異なる複数の導電膜のうち、単独又はその組み合わせによって前記複数の第１電極を形成すること、を特徴としている。
本発明によれば、複数の導電膜のエッチング選択性を利用して第１電極を形成するので、エッチング選択性が高い導電膜（第１導電膜）に対してレジストマスクを被覆せずに、エッチング選択性が低い導電膜（第２導電膜）をエッチングすることが可能となる。
従って、従来よりもレジストマスクを形成する工程が少なくなり、換言すれば、露光工程数の削減やマスク枚数の削減を達成するので、製造コストが低減された有機ＥＬ装置を実現できる。

また、第１電極形成工程によって、複数の導電膜のうち、単独又はその組み合わせによって第１電極を形成しているので、第１電極は、導電膜の単層構造や、複数の導電膜の積層構造によって構成されるものとなる。
また、本発明においては、前記導電膜は透明性導電膜であり、複数の前記第１電極の膜厚が異なることが好ましい。
従って、第１電極形成工程によって形成される複数の第１電極は、膜厚が異なると共に、透明性を有するものとなり、光共振器として機能させることができ、光共振器の光学長を画素毎に異ならせる（調整する）ことができる。例えば、長波長（例えば赤色光）の発光を行う画素の第１電極の膜厚を長くして、その光学長を合わせることができ、短波長（例えば青色光）の発光を行う画素の第１電極の膜厚を短くして、その光学長を合わせることができる。
また、光学長を長くするには、複数の導電膜を積層して形成し、一方、光学長を短くするには、複数の導電膜のうち導電膜を単層で形成することで光学長を調整できる。また、導電膜を単層で形成する場合の中でも、要求される光学長を考慮して、厚膜又は薄膜の単層膜を選択することで、光学長を調整できる。また、要求される光学長を考慮して、複数の導電膜の各膜厚を成膜の際に、厚膜化或いは薄膜化することで、光学長を調整できる。
このように、複数の画素における第１電極の光学長が調整されることで、表示性能が高い有機ＥＬ装置を実現できる。具体的には、ＮＴＳＣ比の向上、白色バランスの最適化、白色表示の無彩色化を実現でき、色設計の自由度を向上させることができる。

また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法においては、前記第１電極形成工程は、前記基板上に第１導電膜を成膜してパターニングする第１工程と、当該第１工程によってパターニングされた第１導電膜上及び前記基板上に、前記第１導電膜よりもエッチング選択性が高い第２導電膜を成膜して、当該第２導電膜をパターニングする第２工程と、を含むこと、を特徴としている。
このようにすれば上記と同様の効果が得られる。

また、本発明の電子機器は、先に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたこと、を特徴としている。
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置、プリンタ等を例示できる。また、大型の表示画面を有するテレビや、大型モニタ等を例示できる。このように電子機器の表示部に、本発明の電気光学装置を採用することによって、低価格で表示性能が高い表示部を備える電子機器を提供できる。また、プリンタ等の光源に適用してもよい。

以下、本発明を詳しく説明する。
なお、この実施の形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。

（有機ＥＬ装置の第１実施形態）
まず、本発明の有機ＥＬ装置の第１実施形態を説明する。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図であり、図１において符号１は有機ＥＬ装置である。
この有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと称する。）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３…とからなる配線構成を有し、走査線１０１…と信号線１０２…との各交点付近に画素Ｘ…を形成したものである。
もちろん本発明の技術的思想に沿えば、ＴＦＴなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。

更に、画素Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（第１電極）２３と、当該画素電極２３と陰極（第２電極）５０との間に挟み込まれた発光機能層１１０とが設けられている。

次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の具体的な態様を、図２〜図４を参照して説明する。ここで、図２は有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図である。図３は有機ＥＬ装置１の単位画素群を模式的に示す断面図である。図４は、発行機能層を説明するために模式図である。

まず、図２を参照し、有機ＥＬ装置１の構成を説明する。
図２は、基板２０上に形成された各種配線，ＴＦＴ，画素電極，各種回路によって、発光機能層１１０を発光させる有機ＥＬ装置１を示す図である。
図２に示すように、有機ＥＬ装置１は、電気絶縁性とを備える基体２０と、スイッチング用ＴＦＴ１１２に接続された画素電極２３が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素Ｘ（図１参照）と、画素Ｘの周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線１０３…と、少なくとも画素Ｘ上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを備えて構成されている。
なお、本実施形態において画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。

実表示領域４においては、赤色発光（Ｒ）、緑色発光（Ｇ）、及び青色発光（Ｂ）で各々発光する、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢが紙面左右方向に規則的に配置されている。また、各色画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々は、紙面縦方向において同一色で配列しており、所謂ストライプ配置を構成している。また、各色画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々は、先述のＴＦＴ１１２，１２３の動作に伴って、ＲＧＢの各色で発光する発光機能層１１０を備えた構成となっている。そして、各色画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢが一つのまとまりとなって、単位画素群Ｐｘ（後述）が構成されており、当該単位画素群ＰｘはＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。従って、単位画素群Ｐｘがマトリクス状に配置されることで構成された実表示領域４においては、フルカラーの画像を表示するようになっている。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下層側に位置して設けられている。

また、実表示領域４の図２中上方側には検査回路９０が配置されており、この検査回路９０はダミー領域５の下層側に配置されて設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬ装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。

走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０及び検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、この有機ＥＬ装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部（不図示）及び駆動電圧導通部（不図示）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。

次に、図３を参照し、有機ＥＬ装置１の単位画素群の構造について説明する。
なお、図３においては、画素電極２３，発光機能層１１０，及び陰極５０の構成について詳述し、画素電極２３には駆動用ＴＦＴ１２３が接続されているものとする。

図３に示すように、有機ＥＬ装置１の単位画素群Ｐｘは、基板２０上に、画素電極２３及び陰極５０に挟持された発光機能層１１０を備えている。また、各電極２３，５０及び発光機能層１１０は、基板２０と、当該基板２０に対向配置された対向基板３０の間に配置されている。当該基板２０，３０の間は、窒素ガス等の不活性ガスが充填された空間であり、不図示の乾燥剤やゲッター剤によって乾燥状態に維持されている。
また、発光機能層１１０は、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの各々について、異なる発光材料を有しており、ＲＧＢの各色を発光するようになっている。また、発光光は、基板２０を透過して出射するようになっている。従って、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、ボトムエミッション型を構成している。

基板２０は、ガラス基板や樹脂基板等の透明性基板である。また、基板２０と画素電極２３の間には、先述のＴＦＴ１１２、１２３等が形成され、これらＴＦＴ１１２、１２３と画素電極２３との間には層間絶縁膜が形成されている。

画素電極２３は、赤色画素ＸＲに形成された画素電極２３Ｒ、緑色画素ＸＧに形成された画素電極２３Ｇ、及び青色画素ＸＢに形成された画素電極２３Ｂによって構成されている。そして、各画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、透明性導電膜であるＩＴＯによって形成されているが、各々において異なる構成となっている。
具体的に説明すると、画素電極２３Ｒは、基板２０側に形成された結晶ＩＴＯ（第１導電膜）１１と、当該結晶ＩＴＯ１１に積層された非晶質ＩＴＯ（第２導電膜）１２とによって構成されている。また、画素電極２３Ｒの膜厚は合計１１０ｎｍとなっており、結晶ＩＴＯ１１の膜厚４０ｎｍと、非晶質ＩＴＯ１２の膜厚７０ｎｍとを足し合わせた膜厚となっている。
また、画素電極２３Ｇは、非晶質ＩＴＯ１２の単層によって形成され、その膜厚は７０ｎｍとなっている。
また、画素電極２３Ｂは、結晶ＩＴＯ１１の単層によって形成され、その膜厚は４０ｎｍとなっている。
従って、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの膜厚を比較すると、画素電極２３Ｒ＞画素電極２３Ｇ＞画素電極２３Ｂとなっている。
また、結晶ＩＴＯ１１及び非晶質ＩＴＯ１２は、スパッタ法によって成膜される導電膜であり、その屈折率は共に約１．９程度である。また、スパッタ法においては、スパッタ条件を適宜調整するだけで、結晶状態或いは非晶質状態にＩＴＯを形成することが可能である。

また、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、上記のように膜厚が異なると共に透明性を有するので、光共振器として機能させることができる。即ち、光共振器の光学長を画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ毎に異ならせる（調整する）ことが可能となる。例えば、長波長（例えば赤色光）の発光を行う画素の画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの膜厚を長くして、その光学長を合わせることができ、短波長（例えば青色光）の発光を行う画素の画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの膜厚を短くして、その光学長を合わせることができる。
また、光学長を長くするには、複数の導電膜を積層して形成し、一方、光学長を短くするには、複数の導電膜のうち導電膜を単層で形成することで光学長が調整可能となる。また、導電膜を単層で形成する場合の中でも、要求される光学長を考慮して、厚膜又は薄膜の単層膜を選択することで、光学長が調整可能となる。また、要求される光学長を考慮して、複数の導電膜の各膜厚を成膜の際に、厚膜化或いは薄膜化することで、光学長が調整可能となる。
なお、本実施形態においては、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの各膜厚を１１０ｎｍ，７０ｎｍ，４０ｎｍとしたが、例えば、９０ｎｍ，６０ｎｍ，３０ｎｍとしてもよい。

次に、結晶ＩＴＯ１１及び非晶質ＩＴＯ１２の性質について説明する。
本発明の特徴点として述べたように、結晶ＩＴＯ１１及び非晶質ＩＴＯ１２は、エッチング選択性が異なる導電膜である。ウエットエッチング工程において、非晶質ＩＴＯ１２はシュウ酸系の薬液に対してエッチングされる性質を有しているが、同一薬液に対して結晶ＩＴＯ１１は殆どエッチングされない性質を有している。従って、結晶ＩＴＯ１１及び非晶質ＩＴＯ１２を同時にシュウ酸系薬液によってエッチングした際には、非晶質ＩＴＯ１２が選択的にエッチングされ、結晶ＩＴＯ１１は殆どエッチングされないものとなる。従って、非晶質ＩＴＯ１２は結晶ＩＴＯ１１よりもエッチング選択性が高いものとなっている。また、薬液として王水を用いた場合では、結晶ＩＴＯ１１及び非晶質ＩＴＯ１２は共にエッチングされる性質を有している。
なお、本実施形態においては、画素電極２３Ｒ，２３Ｇの導電膜として非晶質ＩＴＯ１２を採用しているが、当該非晶質ＩＴＯ１２に代えてＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）を採用してもよい。このような場合でも、シュウ酸系の薬液によってＩＺＯを選択的にエッチングすることが可能となる。

発光機能層１１０は、図４に示すように画素電極２３上に形成された正孔注入層（発光機能層）７０と、当該正孔注入層７０上に形成された有機ＥＬ層（発光機能層）６０とが積層されて構成されている。
正孔注入層７０の形成材料としては、高分子材料では特に３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、即ち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。
なお、正孔注入層７０の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。低分子材料では、銅フタロシアニン、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＴＰＤ、α―ＮＰＤなど、通常の正孔注入材料を蒸着法にて用いることができる。

有機ＥＬ層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。また、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの各々に有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂを設けることで、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置となる。
有機ＥＬ層６０（６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ）の形成材料として具体的には、高分子材料としては（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。低分子材料としては、Ａｌｑ３、ＤＰＶＢｉなどのホスト材料、これにナイルレッド、ＤＣＭ、ルブレン、ぺリレン、ローダミンなどをドープして、またはホスト単独で、蒸着法にて用いることができる。
また、赤色の有機ＥＬ層６０Ｒの形成材料としては例えばＭＥＨＰＰＶ（ポリ（３−メトキシ６−（３−エチルヘキシル）パラフェニレンビニレン）を、緑色の有機ＥＬ層６０Ｇの形成材料としては例えばポリジオクチルフルオレンとＦ８ＢＴ（ジオクチルフルオレンとベンゾチアジアゾールの交互共重合体）の混合溶液を、青色の有機ＥＬ層６０Ｂの形成材料としては例えばポリジオクチルフルオレンを用いる場合がある。

このような有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂについては、特にその厚さについては制限がなく、各色毎に好ましい膜厚が調整されている。また、その発光特性や発光寿命によって適宜膜厚が調整されている。
また、有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂの発光光の光学長は、陰極５０から画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの下面までの距離ＬＲ，ＬＧ，ＬＢ（図３参照）によって規定される。本実施形態においては、光学長ＬＲ，ＬＧ，ＬＢの調整を有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂの膜厚によって調整を行うものではなく、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの膜厚によって調整し、上記のように規定している。従って、有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂの膜厚を規定する際には、光学長に依存することなく、発光特性や発光寿命を優先的に考慮して規定することが可能となる。

陰極５０は、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂに対向する共通電極である。当該陰極５０は、有機ＥＬ層６０上に設けられた低仕事関数の金属からなる第１陰極と、該第１陰極上に設けられて該第１陰極を保護する第２陰極とからなるものである。第１陰極を形成する低仕事関数の金属としては、特に仕事関数が３．０ｅＶ以下の金属であるのが好ましく、具体的にはＣａ（仕事関数；２．６ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数；２．１ｅＶ）、Ｂａ（仕事関数；２．５ｅＶ）が好適に用いられる。第２陰極は、第１陰極を覆って酸素や水分などからこれを保護するとともに、陰極５０全体の導電性を高めるために設けられたものである。本実施形態の有機ＥＬ装置１は、基板２０側から発光光を取り出すボトムエミッション型であるから陰極５０は非透明であってよい。従って、反射性金属として、アルミニウム等が採用される。
なお、図３においては、有機ＥＬ層６０の各々に陰極５０を形成した構成となっているが、これを限定することなく、有機ＥＬ層６０の総面積より広い面積を備え、それを覆うように形成してもよい。

なお、本実施形態においては、有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂの表面に陰極５０を設けた構成となっているが、これに限定されることなく、有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂと陰極５０との間に電子注入層を設けた構成を採用してもよい。この場合、電子注入層としてＬｉＦやＳｒＦ_２等が採用される。低分子材料を用いた場合には、ＢＣＰ：Ｃｓ／ＩＴＯ、Ｍｇ：Ａｇ／ＩＴＯ陰極やＬｉＦ／Ａｌ／ＩＴＯの薄膜陰極など、仕事関数の比較的高い陰極を用いる。
また、陰極の表面に封止層を設けてもよい。当該封止層としては、陰極５０に被覆形成された酸化窒化シリコン膜等のパシベーション膜が採用される。これにより、発光機能層１１０への水分や酸素の侵入を抑制することが可能となる。

対向基板３０は、電気絶縁性とを備える基板であり、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を構成する基板としては、樹脂基板や金属基板等の非透明基板が採用される。また、対向基板３０において、基板２０と対向する側に、凹部面を形成し、缶封止構造としてもよい。また、対向基板３０と基板２０との間の外周には、乾燥剤が貼設されている。従って、対向基板３０は、封止基板として機能する。

なお、上記の構成を有する単位画素群Ｐｘにおいては、赤色画素ＸＲ、緑色画素ＸＧ、及び青色画素ＸＢの相互間にバンク（隔壁）が形成されてもよい。
この場合、高分子材料からなる発光機能層を液滴吐出法によって形成することができる。また、バンクは、無機材料からなるバンクと、有機材料からなる有機バンクによって構成されていることが好ましい。また、無機バンクの表面には親液性が付与され、有機バンクの表面には撥液性が付与されていることが好ましい。これによって、液滴吐出法によって発光機能層１１０を形成する際に、バンク間に液滴を留めることができる。

また、発光機能層は、低分子材料から構成されていてもよい。この場合、発光機能層はマスク蒸着法を用いて形成されるので、バンクを形成する必要ない。また、低分子系の発光機能層としては、正孔輸送層や電子注入バッファ層が含まれていることが好ましい。

（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、図５を参照して、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
ここでは、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを形成する工程（第１電極形成工程）について詳述する。

まず、図５（ａ）に示すように、基板２０を用意する。ここで、基板２０の表面には、ＴＦＴ１１２，１２３，層間絶縁膜が既に形成されている。
次に、図５（ｂ）に示すように、スパッタ法によって基板２０上に結晶ＩＴＯ膜１１Ａを形成する。当該結晶ＩＴＯ膜１１Ａの膜厚は４０ｎｍとする。
次に、図５（ｃ）に示すように、第１レジストマスクＭ１を結晶ＩＴＯ膜１１Ａ上に形成する。当該第１レジストマスクＭ１は、スピンコート法によってレジスト材料を塗布後、プレベーク、露光処理、現像処理によって形成される。これにより、マスク開口部Ｈから結晶ＩＴＯ膜１１Ａが露出した状態となる。また、第１レジストマスクＭ１は、後に画素電極２３Ｒ，２３Ｂとなる部分の結晶ＩＴＯ膜１１Ａに対して形成される。
次に、ウエットエッチング処理を行い、結晶ＩＴＯ膜１１Ａの露出部分を除去する。ここで、薬液としては、王水を使用する。その後、アッシング処理によって第１レジストマスクＭ１を除去する。
以上の、図５（ｂ）〜（ｃ）の工程（第１工程）を経ることで、基板２０上に結晶ＩＴＯ１１が形成される（図５（ｄ））。
そして、当該結晶ＩＴＯ１１は、図３に示したように画素電極２３Ｒの下層側の導電膜となると共に、画素電極２３Ｂの単層膜となる。

次に、図５（ｅ）に示すように、スパッタ法によって基板２０上に非晶質ＩＴＯ膜１２Ａを形成する。また、既に基板２０上に形成されている結晶ＩＴＯ１１に対しては、非晶質ＩＴＯ膜１２Ａは積層される。ここで、非晶質ＩＴＯ膜１２Ａの膜厚は７０ｎｍとする。
次に、図５（ｆ）に示すように、第２レジストマスクＭ２を非晶質ＩＴＯ膜１２Ａ上に形成する。当該第２レジストマスクＭ２の形成方法は、第１レジストマスクＭ１と同様である。これにより、マスク開口部Ｈから非晶質ＩＴＯ膜１２Ａが露出した状態となる。また、第２レジストマスクＭ２は、後に画素電極２３Ｒ，２３Ｇとなる部分の非晶質ＩＴＯ膜１２Ａに対して形成される。
次に、ウエットエッチング処理を行い、非晶質ＩＴＯ膜１２Ａの露出部分を除去する。ここで、薬液としては、シュウ酸系の薬液を使用する。
すると、非晶質ＩＴＯ膜１２Ａは、結晶ＩＴＯ膜１１よりも高いエッチング選択性を有していることから、非晶質ＩＴＯ膜１２Ａがエッチングされ、結晶ＩＴＯ膜１１はエッチングされない。その後、アッシング処理によって第２レジストマスクＭ２を除去する。
以上の、図５（ｅ）〜（ｆ）の工程（第２工程）を経ることで、基板２０上に非晶質ＩＴＯ１２が形成されると共に、結晶ＩＴＯ膜１１上にも非晶質ＩＴＯ１２が形成される（図５（ｇ））。
以上の工程を経ることにより、結晶ＩＴＯ１１の単層からなる４０ｎｍ膜厚の画素電極２３Ｂと、非晶質ＩＴＯ１２の単層からなる７０ｎｍ膜厚の画素電極２３Ｇと、結晶ＩＴＯ１１と非晶質ＩＴＯ１２の積層からなる合計１１０ｎｍ膜厚の画素電極２３Ｒが形成される。

上述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１においては、単位画素群Ｐｚにおける複数の画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの各々は、エッチング選択性が異なる結晶ＩＴＯ１１及び非晶質ＩＴＯ１２のうち、その単層又はその積層によって形成されている。そして、画素電極２３Ｒは、結晶ＩＴＯ１１及び非晶質ＩＴＯ１２の積層構造からなり、画素電極２３Ｇは、非晶質ＩＴＯ１２の単層構造からなり、画素電極２３Ｂは、結晶ＩＴＯ１１の積層構造からなる。これら画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、導電膜のエッチング選択性を利用して形成されているので、従来よりもレジストマスクを形成する工程が少なくなり、換言すれば、露光工程数の削減やマスク枚数の削減を達成するので、製造コストが低減された有機ＥＬ装置を実現できる。

また、上記のように、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの膜厚を異ならせることで、光学長が調整されることで、表示性能が高い有機ＥＬ装置を実現できる。具体的には、ＮＴＳＣ比の向上、白色バランスの最適化、白色表示の無彩色化を実現でき、色設計の自由度を向上させることができる。

（有機ＥＬ装置の第２実施形態）
次に、本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態を説明する。
本実施形態は、図３の画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを構成する導電膜の材料のみが異なっており、他の構成は同一である。
具体的には、本実施形態においては、第１導電膜としての結晶ＩＴＯ１１に代えてＳｎＯ_２（酸化すず）を採用し、第２導電膜としての非晶質ＩＴＯ１２に代えてＺｎＯ（酸化亜鉛）を採用している。
このようなＳｎＯ_２及びＺｎＯは、エッチング選択性が異なる導電膜である。ウエットエッチング工程において、ＺｎＯはシュウ酸系の薬液に対してエッチングされる性質を有しているが、同一薬液に対してＳｎＯ_２は殆どエッチングされない性質を有している。従って、ＳｎＯ_２及びＺｎＯを同時にシュウ酸系薬液によってエッチングした際には、ＺｎＯが選択的にエッチングされ、ＳｎＯ_２は殆どエッチングされないものとなる。従って、ＺｎＯはＳｎＯ_２よりもエッチング選択性が高いものとなっている。また、薬液として王水を用いた場合では、ＳｎＯ_２及びＺｎＯは共にエッチングされる性質を有している。
このような材料によって画素電極２３を形成すると、画素電極２３Ｒは基板２０上からＳｎＯ_２、ＺｎＯが順次積層された構成となり、画素電極２３Ｇは基板２０上にＺｎＯが形成された単層となり、画素電極２３Ｂは基板２０上からＳｎＯ_２が形成された単層となる。また、膜厚としては、ＳｎＯ_２は結晶ＩＴＯ１１と同様に、ＺｎＯの膜厚は非晶質ＩＴＯ１２と同様にすることが可能である。

また、このような導電膜からなる画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの形成方法は、結晶ＩＴＯ膜１１Ａに代えてＳｎＯ_２膜を採用する点と、非晶質ＩＴＯ膜１２Ａに代えてＺｎＯ膜を採用する点だけ異ならせるだけで、上記の図５と同様の工程によって行なわれる。
具体的には、ＳｎＯ_２膜を形成する工程、第１レジストマスクＭ１を形成する工程、王水によるウエットエッチング処理を行う工程によって、画素電極２３Ｒ，２３Ｂの導電膜としてＳｎＯ_２が形成される。
その後、ＺｎＯ膜を形成する工程、第２レジストマスクＭ２を形成する工程、シュウ酸によるウエットエッチング処理を行う工程によって、画素電極２３Ｒ，２３Ｇの導電膜としてＺｎＯが形成される。
従って、上記のように導電膜の材料を異ならせた場合でも、先の第１実施形態と同様の効果が得られる。

（有機ＥＬ装置の第３実施形態）
次に、本発明の有機ＥＬ装置の第３実施形態を説明する。
本実施形態では、先の実施形態と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
図６は、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａは、対向基板３０の側から発光光を取り出すトップエミッション構造である点が、先の実施形態と相違している。

このような有機ＥＬ装置１Ａは、トップエミッション構造を実現するために、画素電極２３と基板２０との間に形成された反射膜２４と、透明性を有する陰極５０と、透明性基板からなる対向基板３０とを備えている。
反射膜２４は、基板２０上において、各色画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々に設けられている。その材料としては、Ａｌ等の光反射性かつ導電性の金属が採用され、各画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの各々に導通している。また、反射膜２４は、先述の駆動用ＴＦＴ１２３のドレイン電極を接続されている。

また、反射膜２４は、先の図５（ｂ）よりも前の工程によって、パターニング形成される。そして、パターニングされた反射膜２４と、基板２０の全面を被覆するように、結晶ＩＴＯ膜１１Ａが形成される。

陰極５０は、上記と同様に第１陰極及び第２陰極とによって構成されるが、透明性を実現するために、第２陰極の形成材料を先述とは異ならせている。当該第２陰極としては、導電性が高く、化学的に安定でしかも透明で、製膜温度が比較的低いものに限定される。例えば、ＩＴＯやＩＺＯを採用することが可能である。他にタングステンインジウム酸化物や、インジウムガリウム酸化物でもよい。

対向基板３０は、光透過性と電気絶縁性とを備える基板である。例えば、ガラス基板や透明性の樹脂基板からなる。また、対向基板３０は、先述の発光機能層１１０や基板２０及び対向基板３０の間の封止領域を保護するための保護基板として機能する。なお、基板２０の材料としては、非透明基板が採用される。
また、基板２０及び対向基板３０の間には、封止領域４０が形成されている。トップエミッション構造では、当該封止領域４０にアクリルやエポキシ樹脂等からなる封止樹脂が充填されている。また、封止樹脂と陰極５０との間には、ガスバリア性を向上させるためのガスバリア層を設けてもよい。或いは，当該ガスバリア層や陰極５０へのクラックを抑制する緩衝層が設けられていてもよい。

また、本実施形態においては、画素電極２３Ｇ，２４Ｒを結晶ＩＴＯ１１及び非晶質ＩＴＯ１２の積層構造とし、画素電極２３Ｂを結晶ＩＴＯ１１からなる単層構造としている。従って、本実施形態では、画素電極２３Ｒ，２３Ｇを同じ膜厚とし、画素電極２３Ｂの膜厚をそれよりも薄くしている。このような画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを形成するには、５（ｃ）において、レジストマスクを異ならせるだけよい。第１レジストマスクＭ１は、後に画素電極２３Ｇとなる結晶ＩＴＯ膜１１Ａを被覆しているが、当該箇所を露出状態にするだけで、画素電極２３Ｒ，２３Ｇを同じ膜厚で形成することが可能となる。これにより、画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢにおける光学長を調整している。

上述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａにおいては、反射膜２４によって発光機能層１１０の発光光を反射させることができ、陰極５０の側に発光光を出射させることができる。また、発光機能層１１０の発光光は、反射膜２４に反射することなく陰極５０の側から出射する光（非反射光）と、反射膜２４によって反射した後に陰極５０の側から出射する光を含んでいる。反射膜２４によって反射される場合、非反射光と比較して、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの導電膜を通過する分だけ光学長が長くなり、非反射光とのバランスによって、光学長を調整する必要がある。先の実施形態において説明したように、結晶ＩＴＯ１１及び非晶質ＩＴＯ１２による単層構造又は積層構造によって光学長ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを調整するので、反射光と非反射光が混在している場合でも容易にそれを調整することができる。

（有機ＥＬ装置の第４実施形態）
次に、本発明の有機ＥＬ装置の第４実施形態について説明する。
本実施形態では、先の実施形態と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
図７は、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ｂの単位画素群を模式的に示す断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置１Ｂは、トップエミッション構造であるが、対向基板３０がカラーフィルタ基板として機能する点と、発光機能層１１０が白色有機ＥＬ層を備える点が、先の実施形態と相違している。

対向基板３０は、カラーフィルタ基板３１を基体として、基板２０に対向する側に着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂと、遮光層ＢＭとを備えている。
着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの各々は、単位画素群Ｐｘを構成する画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々に対応していると共に、発光機能層１１０に対向配置している。また、遮光層ＧＭは、着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂの相互間に形成されており、Ｃｒ等の遮光性金属や樹脂ブラック等からなる。これにより、対向基板３０Ａは、発光機能層１１０からの発光を着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを通じて取り出せるようになっている。そして、着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、異なる光透過特性で発光を透過するようになっている。
また、発光機能層１１０は、白色で発光する白色有機ＥＬ層６０Ｗを有している。白色光は、複数のピーク波長の色波長が合成された光である。

このように構成された有機ＥＬ装置においては、着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂが、白色有機ＥＬ層６０Ｗからの発光の光路上に設けられているので、白色光が着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂによって着色される。即ち、着色層２５Ｒを通じて画素ＸＲから赤色発光が出射し、着色層２５Ｇを通じて画素ＸＧから緑色発光が出射し、着色層２５Ｂを通じて画素ＸＢから青色発光が出射する。そして、着色された光が合成されることで、単位画素群Ｐｘの表示光が生じる。

上述したように、本実施形態においては、発光機能層１１０において生じた白色光が着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂに透過することで、着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは白色光に対してＲＧＢに着色する（ＲＧＢの色波長毎に透過させる）ので、画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々に異なる色を出射させることができる。
また、発光機能層１１０を構成する有機ＥＬ層６０として、白色有機ＥＬ層６０Ｗからなる単色の発光材料を採用すればよいので、画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々に異なる色の有機ＥＬ層６０を塗り分ける必要がない。従って、複数の発光材料を製膜する場合と比較して、一つの材料（白色材料）を製膜するだけでよいので、工程を簡素にすることができ、製造コストが削減された安価な有機ＥＬ装置を実現できる。

なお、本実施形態においては、対向基板３０に着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂを設けた構成を採用したが、基板２０の裏面側（画素電極の非形成面）にこれを形成してもよい。

（有機ＥＬ装置の第４実施形態の変形例）
次に、先の第４実施形態について、その変形例を説明する。
本変形例では、白色有機ＥＬ層６０Ｗに代えて、第１実施形態に示した各色有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂを採用している。また、当該有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂと、着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂは、同色どうしで対向配置されている。この構成におおいては、各色有機ＥＬ層６０Ｒ，６０Ｇ，６０ＢのＲＧＢ各色光が、同じ色の着色層に透過すると、着色層２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂから出射された光の色純度を高くすることができる。

なお、上記の第１〜第４実施形態においては、複数色の有機ＥＬ層６０や、複数色の着色層２５を利用して、画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの各々からＲＧＢの各色の表示光を取り出している。
本発明は、これに限定することなく、単位画素群Ｐｘが４色画素を有する構成を採用してもよい。例えば、原色系の画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢの他に、補色系のＣ（シアン）色の画素ＸＣを備えてもよい。この場合においては、画素ＸＣにおける画素電極２３Ｃの膜厚を、他の画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂと異ならせてもよく、他の画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの一つと同じに形成してもよい。

画素電極２３Ｃの膜厚を異ならせる場合、即ち、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ，２３Ｃを形成するには、エッチング特性が異なる３種類の導電膜を採用する必要がある。そして、当該３種類の導電膜を利用し、単層膜、２層積層膜の組み合わせ、及び３層積層膜の組み合わせ、によって画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ，２３Ｃを形成することができる。これによって、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ，２３Ｃの各膜厚を異ならせ、画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢ，ＸＣの光学長を調整することができる。

また、画素電極２３Ｃの膜厚を他の画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂの一つと同じに形成するには、当該画素電極２３Ｃの構造を、画素電極２３Ｇ又は２３Ｂと同一にすることが好ましい。これは、シアン色の色波長がＢとＧの中間であるため、画素電極２３Ｃが画素電極２３Ｇ又は２３Ｂのいずれか一方と同一構造であっても、光学長には殆ど影響がないためである。
また、このようにすれば、２種類の導電膜によって、光学長が調整された４つの画素ＸＲ，ＸＧ，ＸＢ，ＸＣを実現できる。また、画素電極２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ，２３Ｃを形成するには、図５（ｃ）のレジストマスクを異ならせるだけで、先の実施形態の工程を流用できるため、工程数の増加を防ぐことができる。
なお、画素ＸＣ以外にも、Ｍ（マゼンタ）色やＹ（イエロー）の画素を採用する構成や、単位画素群Ｐｘが５色画素を有する構成を採用してもよい。
また、２色画素の場合であってもよい。

（電子機器）
次に、本発明の電子機器について説明する。
電子機器は、上述した有機ＥＬ装置（有機ＥＬ装置）１を表示部として有したものであり、具体的には図８に示すものが挙げられる。
図８（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８（ａ）において、携帯電話１０００は、上述した有機ＥＬ装置１を用いた表示部１００１を備える。
図８（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図８（ｂ）において、時計１１００は、上述した有機ＥＬ装置１を用いた表示部１１０１を備える。
図８（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図８（ｃ）において、情報処理装置１２００は、キーボードなどの入力部１２０１、上述した有機ＥＬ装置１を用いた表示部１２０２、情報処理装置本体（筐体）１２０３を備える。
図８（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機ＥＬ装置（有機ＥＬ装置）１を有した表示部１００１，１１０１，１２０２を備えているので、表示部を構成する有機ＥＬ装置の低コスト化と、高い表示性能と、が実現されたものとなる。

本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図。 本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図。 本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す断面図。 本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の発光機能層を模式的に示す図。 本発明の有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す断面図。 本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す断面図。 本発明の有機ＥＬ装置を備える電子機器を示す図。

符号の説明

１ 有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、 １１ 結晶ＩＴＯ（第１導電膜，導電膜）、 １２ 非晶質ＩＴＯ（第２導電膜，導電膜）、 ２０ 基板、 ２３，２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ 画素電極（第１電極）、 ２４ 反射層、 ２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ 着色層、 ５０ 陰極（第２電極）、 ６０，６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂ 有機ＥＬ層（発光機能層）、 ７０ 正孔注入層（発光機能層）、 １１０ 発光機能層、 １０００ 携帯電話（電子機器）、 １１００ 腕時計型電子機器（電子機器）、 １２００ 情報処理装置（電子機器）、 Ｘ，ＸＲ，ＸＧ，ＸＢ 画素、 Ｐｘ 単位画素群。

Claims (11)

1. 基板上に形成された複数の画素の各々が、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層を有し、
   前記複数の画素は、第１画素と、第２画素と、第３画素と、を含み、
   前記第１画素における第１電極は、第１導電膜と第２導電膜とがこの順に積層して形成されており、
   前記第２画素における第１電極は、前記第１導電膜により形成されており、
   前記第３画素における第１電極は、前記第２導電膜により形成されており、
   前記第１導電膜は、結晶性導電膜であり、
   前記第２導電膜は、非晶質導電膜であり、
   前記第１導電膜及び前記第２導電膜は互いに同一の透明導電材料であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
2. 基板上に形成された複数の画素の各々が、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層を有し、
   前記複数の画素は、第１画素、第２画素及び第３画素を含んでおり、
   前記第１画素における第１電極は、第１導電膜と第２導電膜とがこの順に積層して形成されており、
   前記第２画素における第１電極は、前記第１導電膜により形成されており、
   前記第３画素における第１電極は、前記第２導電膜により形成されており、
   前記第２導電膜は、前記第１導電膜よりもエッチング選択性が高いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
3. 前記第１導電膜及び前記第２導電膜は互いに同一の透明導電材料であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
4. 前記基板と前記第１電極との間には、反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
5. 基板上に複数の第１電極を形成する工程と、
   前記複数の第１電極上に発光層を形成する工程と、
   前記発光層上に第２電極を形成する工程と、を有する有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
   前記複数の第１電極を形成する工程は、
   前記基板上に第１の導電膜を形成する第１工程と、
   前記第１の導電膜上に第１のレジストマスクを形成する第２工程と、
   前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の導電膜をパターニングする第３工程と、
   該第３工程の後、前記基板および前記第１の導電膜上に前記第１の導電膜よりもエッチング選択性が高い第２の導電膜を形成する第４工程と、
   前記第２の導電膜上に第２のレジストマスクを形成する第５工程と、
   前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜をパターニングする第６工程と、を含み、
   前記第２工程において、前記第１のレジストマスクを、前記第１の領域と、前記第１の領域とは異なる第２の領域と、に形成し、
   前記第５工程において、前記第２のレジストマスクを、前記第２の領域と、前記第１の領域および前記第２の領域とは異なる第３の領域と、に形成して、前記複数の第１電極を構成する導電膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
6. 前記第１の導電膜は、結晶性導電膜であり、
   前記第２の導電膜は、非晶質導電膜であることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
7. 前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜は互いに同一の透明導電材料を用いることを特徴とする請求項５又は６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
8. 前記基板と前記第１電極との間に反射膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
9. 基板上に形成された複数の画素の各々が、第１電極、第２電極、および前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層を有し、
   前記複数の画素は、第１画素と、第２画素と、第３画素と、を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
   前記第１電極を形成する工程は、
   第１導電膜を前記第１画素および前記第２画素に形成する工程と、
   第２導電膜を、前記第１画素の前記第１導電膜上および前記第３画素に形成する工程と、を含み、
   前記第１導電膜は、結晶性導電膜であり、
   前記第２導電膜は、非晶質導電膜であり、
   前記第１導電膜及び前記第２導電膜は互いに同一の透明導電材料であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
10. 基板上に形成された複数の画素の各々が、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた発光層を有し、
    前記複数の画素は、第１画素、第２画素及び第３画素を備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
    前記第１電極を形成する工程は、第１導電膜を前記第１画素および前記第２画素に形成する工程と、
    第２導電膜を前記第１画素の前記第１導電膜上および前記第３画素に形成する工程と、を含み、
    前記第２導電膜は、前記第１導電膜よりもエッチング選択性が高いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
11. 前記第１導電膜及び前記第２導電膜は互いに同一の透明導電材料であることを特徴とする請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。

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