CN116230834A - 显示装置 - Google Patents

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林小郎
蔡宗翰
李冠锋
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Abstract

本发明提供一种显示装置，其包括基板、电致发光元件、分隔结构、转换元件以及中间层。电致发光元件设置在基板上。分隔结构设置在电致发光元件上，分隔结构包括第一开口。光转换元件设置在第一开口中。中间层设置在光转换元件上。中间层具有第一部与第二部，第一部在俯视方向上重迭于光转换元件，第二部在俯视方向上重迭于分隔结构，第一部的厚度大于第二部的厚度。

Description

显示装置
本申请是申请日为2019年12月17日、申请号为201911303000.8、发明名称为“显示装置的制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，特别是涉及一种可靠度高或色彩纯度高的显示装置。
背景技术
电子装置已被广泛使用，但现有的制造技术中，电子装置中所包含的部分材料容易在制造过程(例如高温、高湿或高压)中受到破坏，有鉴于此，业界致力于制造出具有高质量及/或可靠度高的电子装置。
发明内容
在一实施例中，本发明提供一种显示装置，其包括基板、电致发光元件、分隔结构、转换元件以及中间层。电致发光元件设置在基板上。分隔结构设置在电致发光元件上，分隔结构包括第一开口。光转换元件设置在第一开口中。中间层设置在光转换元件上。中间层具有第一部与第二部，第一部在俯视方向上重迭于光转换元件，第二部在俯视方向上重迭于分隔结构，第一部的厚度大于第二部的厚度。
在另一实施例中，本发明提供一种显示装置，其包括基板、另一基板、电致发光元件、分隔结构、光转换元件、中间层。另一基板相对基板设置。电致发光元件设置在基板与另一基板之间。分隔结构设置在电致发光元件与另一基板之间，分隔结构包括第一开口。光转换元件设置在第一开口中。中间层设置在光转换元件与另一基板之间。中间层具有第一部与第二部，第一部在俯视方向上重迭于光转换元件，第二部在俯视方向上重迭于分隔结构，第一部的厚度大于第二部的厚度。
附图说明
图1为本发明第一实施例的显示装置的剖面示意图。
图2为本发明一实施例的光学元件的剖面示意图。
图3为本发明一实施例的显示装置的制造方法的流程图。
图4与图5为本发明第一实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。
图6为本发明第二实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。
图7为本发明第二实施例的显示装置的剖面示意图。
图8为本发明第三实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。
图9为本发明第四实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。
图10为本发明第四实施例的显示装置的剖面示意图。
图11为本发明第五实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。
图12为本发明第六实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。
图13为本发明第六实施例的显示装置的剖面示意图。
图14为本发明第七实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。
附图标记说明：100、200、400、600-显示装置；110-基板；120-电路元件层；130、130a、130b、130c-光转换元件；140、140a、140b-光学元件；140l-光学材料；140m-光学元件材料层；150-中间层；160、CPL-保护层；170-抗反射层；210-转移基板；402-表面；660-覆盖层；AL1、AL2-黏着层；CF-彩色滤光层；D-俯视方向；DBL-布拉格反射层；E1-第一电极；E2-第二电极；EC-电致发光元件；H1、H2-高度；IN1、IN2-绝缘层；IPC-喷墨件；L-高度差；LB-分隔结构；LBs1、LBs2-分隔子部分；LE-发光层；ML1、ML2-导电层；OP-开口；PDL-像素定义层；PLZ-偏光片；PS-突状结构；S1、S2-微结构表面；SM-半导体层；SPX-子像素；SPX1-绿色子像素；SPX2-红色子像素；SPX3-蓝色子像素；ST1、ST2、ST3、ST4、ST5-步骤；SW-开关元件；TS-转移结构。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本发明的描述中使用术语“包括”、“含有”及/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明。在附图中，各图式绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些图式不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
当相应的构件(例如膜层或区域)被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
应当理解到，当构件或膜层被称为“连接至”另一个构件或膜层时，它可以直接连接到此另一构件或膜层，或者两者之间存在有插入的构件或膜层。当构件被称为“直接连接至”另一个构件或膜层时，两者之间不存在有插入的构件或膜层。另外，当构件被称为“耦接于另一个构件(或其变体)”时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。
术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
说明书与权利要求书中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
在本发明中，电子装置可选择性包括显示、触控、天线、发光、其他适合的功能、或上述功能的组合，但不限于此。在一些实施例中，显示装置可包括拼接装置，但不限于此。显示装置可包括有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode,LED)，例如微型发光二极管(micro-LED、mini-LED)、量子点(quantum dots,QDs)材料、量子点发光二极管(QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、其他适合的材料或上述的组合，但不限于此。此外，电子装置(例如显示装置)可为彩色显示器或单色显示器，且电子装置的形状可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状，但不以此为限。在下文中，电子装置以彩色显示器为例进行说明，但不以此为限。
在一些实施例中，显示装置可包括多个像素(Pixel)，像素可包括多个子像素(Sub-pixel)。像素与子像素的数量与排列方式可依据需求而调整，举例而言，子像素可呈数组排列、条纹型(stripe type)排列、Pentile型式排列或其他适合的排列方式。另外，子像素的发光部分的俯视形状可为矩形、平行四边形、「>」型、具有曲线边缘的形状或任何其他适合的形状，而子像素的发光部分的俯视形状可例如以分隔结构的开口来定义，后续会再做说明。
以下将提供显示装置的实施例，以对显示装置的结构进行详细说明，但显示装置不以下文所述的实施例为限，可依据实际需求进行变化与调整。
请参考图1，图1为本发明第一实施例的显示装置的剖面示意图。在一些实施例中，像素可包括三个子像素SPX，例如绿色子像素SPX1、红色子像素SPX2与蓝色子像素SPX3，但不限于此。在一些实施例中，像素所包括的子像素SPX的数量或颜色可根据需求做调变。在图1中，显示装置100可包括基板110。基板110的材料可包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、聚亚酰胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、其他适合的材料、或上述材料的组合，但不限于此。在一些实施例中，基板110可包括硬性基板、软性基板或可挠式基板。
请参考图1，显示装置100可包括电路元件层120，设置在基板110上，电路元件层120可依据所需功能而包括对应的元件、结构，例如包括开关元件SW、扫描线(未绘示)、辅助电极(未绘示)、数据线(未绘示)、或其他需要的元件及/或结构。显示装置100可包括电致发光元件EC设置于基板110上，且电致发光元件EC可例如电性连接于开关元件SW。在一些实施例中，开关元件SW可为薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)，开关元件SW的闸极可由导电层ML1所形成，闸极绝缘层可由绝缘层IN1所形成，信道结构可由半导体层SM所形成，源极及/或汲极可由导电层ML2所形成。开关元件SW的汲极(或源极)可连接至电致发光元件EC的第一电极E1，但不以此为限。在其它实施例中，薄膜晶体管可选择性包括上闸极(topgate)、底闸极(bottom gate)、双闸极(dual gate,double gate)薄膜晶体管。
请参考图1，在一些实施例中，电致发光元件EC可包括有机发光二极管、微型发光二极管(mini-LED或micro-LED)、量子点发光二极管、其他适合的发光元件或上述的组合。电致发光元件EC可依据需求而发射蓝光、白光、UV光或其他适合的颜色的发射光。关于电致发光元件EC中所具有的膜层可依据电致发光元件EC的类型及/或颜色而改变。在一些实施例中，电致发光元件EC举例为有机发光二极管，电致发光元件EC可包括第一电极E1(例如阳极或阴极其中一者)、发光层LE及第二电极E2(例如阳极或阴极其中另一者)，发光层LE设置在第一电极E1及第二电极E2之间。在一些实施例中，多个第一电极E1例如彼此分离并对应于一个子像素SPX中。在一些实施例中，多个发光层LE例如彼此连接成一共享的膜层(下文称为共享发光层)。在一些实施例中，多个第二电极E2例如彼此连接成一共享的电极层，但不以此为限。须说明的是，在图1中，虽然电致发光元件EC为共享发光层，但共享发光层所能发光的区域为与第一电极E1及第二电极E2所重迭的区域。也就是说，在俯视方向D上，发光层LE可分为多个发光区域(未标示)，此些发光区域大致为与第一电极E1及第二电极E2所重迭的区域，此些发光区域可大致对应不同的子像素SPX。在一些实施例中(未绘示)，发光层LE(或第二电极E2)之间例如彼此分离，但不限于此。在一些实施例中，发光层LE可依据需求包括单层结构或多层结构。在一些实施例中(未绘示)，发光层LE可包括电洞注入层、电洞传输层、主动层、电子传输层与电子注入层，依序堆栈在第一电极E1上，但不以此为限，发光层LE可根据需求包括其他合适的层别。
请参考图1，电致发光元件EC可设置在开关元件SW上，而至少一绝缘层IN2例如设置于导电层ML2与电致发光元件EC(例如第一电极E1)之间。
在一些实施例中，显示装置100可选择性地包括像素定义层PDL，像素定义层PDL可例如具有多个开口，至少部分的发光层LE及/或第二电极E2例如位于像素定义层PDL中，但不以此为限。在一些实施例中，显示装置100可选择性包括保护层CPL，保护层CPL例如设置在电致发光元件EC上。在一些实施例中，保护层CPL可具有平坦化功能。在一些实施例中，保护层CPL可包括单层结构或多层结构，保护层CPL可例如包括无机绝缘层、有机绝缘层或上述的组合，但不限于此。
请参考图1，显示装置100可包括分隔结构LB，设置在基板110上。在图1中，分隔结构LB设置在电致发光元件EC上，但不以此为限。在一些实施例中，分隔结构LB可具有光遮蔽的特性。举例来说，分隔结构LB可包括黑色光阻、黑色油墨、黑色树酯(resin)、色料(pigment、dye)、其他适合的材料或上述的组合。分隔结构LB例如用以遮蔽下层元件(例如晶体管或走线)、或降低外界光经由显示装置100中的元件(例如晶体管或走线)所反射的机率，但不限于此。在一些实施例中，分隔结构LB具有多个开口OP，可通过开口OP来定义出子像素SPX的俯视形状。在一些实施例中，分隔结构LB可用以降低对应于不同子像素SPX中的至少部分的电致发光元件EC所发射的光线之间彼此干扰。在一些实施例中，分隔结构LB可用以分隔子像素SPX。在一些实施例中，分隔结构LB可包括单层结构、多层结构或复合层结构。
请参考图1，显示装置100可包括光转换元件130，设置在分隔结构LB的开口OP中，使光转换元件130在俯视方向D上可对应一个子像素SPX。在一些实施例中，光转换元件130设置在电致发光元件EC上。在一些实施例中，相较于电致发光元件EC，光转换元件130较邻近于显示装置100的出光面。在一些实施例中，光转换元件130可用以将电致发光元件EC的发射光进行色彩转换。在一些实施例中，光转换元件130可包括量子点材料、荧光材料、磷光材料、其他适合的材料或其任意组合。在一些实施例中，当电致发光元件EC具有短波长的发射光(例如蓝光、白光或UV光)，此发射光可例如经由光转换元件130转换而产生不同波长的光线。在一些实施例中，光转换元件130a可设置于绿色子像素SPX1中，光转换元件130a用以将入射光转换为绿光，但不限于此。在一些实施例中，光转换元件130b可设置于红色子像素SPX2中，光转换元件130b用以将入射光转换为红光，但不限于此。在一些实施例中，光转换元件130c可选择性设置于蓝色子像素SPX3中，光转换元件130c可将入射光转换成不同波段的光(例如不同波段的蓝光)，但不限于此。在一些实施例中，光转换元件130可具有散射光线的特性，例如包括光散射粒子。举例来说，电致发光元件EC例如发射蓝光，而设置于蓝色子像素SPX3中的光转换元件130c可包括光散射粒子，但不以此为限。
在一些实施例中，光学元件140可包括彩色滤光层(color filter layer)、布拉格反射层(Bragg reflection layer)、光散射层(例如包括光散射粒子)或其组合，但不限于此。在一些实施例中，光学元件140可包括单层结构或多层结构。举例当光学元件140包括彩色滤光层时，光学元件140厚度约为1微米(μm)至10微米(1微米≤厚度≤10微米)，在一些实施例中，对应绿色子像素SPX1中的彩色滤光层可包括绿色滤光材料，对应红色子像素SPX2中的彩色滤光层可包括红色滤光材料，对应蓝色子像素SPX3中的彩色滤光层可包括蓝色滤光材料，但不以此为限。在一些实施例中，电致发光元件EC所发射的光线为蓝光，则对应绿色子像素SPX1的彩色滤光层及/或对应红色子像素SPX2中的彩色滤光层可包括黄色滤光材料，以过滤蓝光，但不以此为限。在一些实施例中，光学元件140可包括布拉格反射层，布拉格反射层例如为多层膜层，其中可通过将多层膜层中所相邻膜层间的折射率差异经过设计，可例如提高特定波长范围的光线的可穿通过布拉格反射层的机率，或提高其他波长的光线(例如未被转换的光线)被反射至光转换元件130的机率，以提高转换比例。在一些实施例中，布拉格反射层中的相邻膜层间的折射率的差异可大于或等于0.3，但不以此为限。在一些实施例中，布拉格反射层中的其中一膜层可包括氧化硅、氢化氧化硅(SiOx:H)、氧化铝或其任何组合，且布拉格反射层中的其中另一膜层可包括氮化硅、氢化氮化硅(SiNx:H)、氧化钛、氧化钽、氧化锆、氧化铌、氧化锌、氧化钇、氧化铈或其任何组合，而此两膜层彼此相邻，但不以此为限。在一些实施例中，布拉格反射层例如为7至15层的多层结构，而总厚度约2纳米(nm)至9纳米(2纳米≤总厚度≤9纳米)，但不以此为限。在一些实施例中，如图2所示，光学元件140可包括彩色滤光层CF与布拉格反射层DBL(多层结构)。在一些实施例中(未绘示)，彩色滤光层CF相对于布拉格反射层DBL可更邻近于显示装置100的出光面，出光面例如为电子装置的观看面，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，布拉格反射层DBL相对于彩色滤光层CF可更邻近于显示装置100的出光面。
请参考图1，显示装置100可选择性包括中间层150，设置在光转换元件130上。在一些实施例中，中间层150设置在光转换元件130与光学元件140之间。在一些实施例中，在俯视方向D上，中间层150可重迭于光转换元件130。在一些实施例中，中间层150可覆盖光转换元件130。在一些实施例中，中间层150可作为保护层，用以保护光转换元件130，降低于后续的制程对光转换元件130的影响，例如形成光学元件140或其它层别的制程，但不以此为限。在一些实施例中，中间层150可具有平坦化的功能。在一些实施例中(未绘示)，中间层150可分为多个部分，且在俯视方向D上，此些部分例如分别重迭于不同的光学元件140，但不以此为限。在一些实施例中，中间层150的材料可包括氧化硅、氮化硅、聚合物(polymer)、聚亚酰胺、压克力、其他适合的有机材料或其任意组合，但不以此为限。在一些实施例中，显示装置100可选择性包括保护层160，保护层160例如设置在光学元件140上，用以保护位在保护层160下的元件、结构及/或膜层(例如光转换元件130、光学元件140)，但不以此为限。在一些实施例中，保护层160可包括氧化硅、氮化硅、聚合物、聚亚酰胺、压克力、其他适合的有机材料或其任意组合，但不以此为限。
请参考图1，在一些实施例中，显示装置100可选择性包括光学膜层，例如抗反射层170、偏光片PLZ、其它的光学膜层或其任何组合，而光学膜层可设置在任何适合的位置。在一些实施例中，偏光片PLZ可为金属线栅偏振片(Wire-grid Polarizer,WGP)，但不限于此。在一些实施例中，抗反射层170可设置在保护层160上，偏光片PLZ可通过黏着层AL1设置在抗反射层170上，但不以此为限。
请参考图3，图3为本发明一实施例的显示装置的制造方法的流程图。须说明的是，图3与下文所述的制造方法与流程仅为范例，并不以此为限。在一些实施例中，可对图3或下文所述的制造方法中进行调整，例如可以不同的顺序执行方法中的任何步骤、可同时执行任何步骤、可对任何步骤做改变(例如选择性删除部分步骤)及/或可在任何步骤之前、之后或之间执行其他步骤。
关于图3的步骤ST1，如图1所示，提供基板110。基板110的详细内容可参考上文。
关于图3的步骤ST2，如图1所示，形成电致发光元件EC在基板110上。在一些实施例中，电致发光元件EC可通过涂布制程、沉积制程、微影制程、转移制程、其他适合的制程或其任何组合来形成。图1中的电路元件层120可例如形成(或设置)于电致发光元件EC之前，但于图3步骤中省略。
关于图3的步骤ST3，如图1所示，形成分隔结构LB在基板110及/或电致发光元件EC上，而分隔结构LB包括开口OP。在一些实施例中，分隔结构LB可通过涂布制程、沉积制程、微影制程、其他适合的制程或其任何组合来形成。
关于图3的步骤ST4，如图1所示，形成光转换元件130在开口OP中。光转换元件130可通过涂布制程、沉积制程、或任何适合的方式来形成。光转换元件130的其他内容可参考上文，在此不重复赘述。
关于图3的步骤ST5，如图1所示，形成光学元件140在光转换元件130上。光学元件140可通过涂布制程、沉积制程、微影制程、转移制程、印刷制程、其他适合的制程或其任何组合来形成。
参考图4与图5，图4与图5为本发明第一实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。如图4所示，光学元件材料层140m可通过涂布制程、沉积制程、其他适合的制程或其任何组合形成在光转换元件130上。然后，如图5所示，举例对光学元件材料层140m进行微影制程以形成图案化的光学元件140a，但不限于此。举例来说，在微影制程中，可例如在光学元件材料层140m(还未经图案化)上形成图案化的阻挡层(未绘示)，阻挡层可覆盖部分的光学元件材料层140m，通过蚀刻移除未被图案化阻挡层所覆盖的另一部分光学元件材料层140m，使光学元件材料层140m图案化为光学元件140a。后续，再移除图案化阻挡层，以完成微影制程。在一些实施例中，若光学元件材料层140m为滤光层或色阻，可通过曝光与显影的方式使部分的滤光层或色阻保留，此些被保留的滤光层或色阻即为光学元件140a，但不限于此。相似的，可通过类似的流程形成光学元件140b(未绘示)及/或其他光学元件(未绘示)，但不以此为限。在一些实施例中，若光学元件140a与光学元件140b包括黄色滤光材料，则光学元件140a与光学元件140b可例如于相同的制程所形成，但不以此为限。光学元件140的其他内容可参考上文，在此不重复赘述。
根据图1所示的显示装置100，制造方法可包括将中间层150形成在光转换元件130上的步骤。在一些实施例中(如图1)，中间层150可例如在光转换元件130之后且光学元件140之前形成或设置，但不以此为限。在一些实施例中，中间层150可通过涂布制程、沉积制程、微影制程、黏着、其他适合的制程或其任何组合来形成。图1所示的中间层150举例通过涂布制程形成，但不以此为限。
本发明的显示装置及显示装置的制造方法不以上述实施例为限，下文将继续揭示其它实施例，然而为了简化说明并突显各实施例与上述实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同元件，并不再对重复部分作赘述。
须说明的是，在下文提及的其它实施例中，省略蓝色子像素SPX3而仅绘示绿色子像素SPX1与红色子像素SPX2，另外仅绘示电致发光元件EC与像素定义层PDL并省略其他元件与结构，以使图式简单与清楚明了。
请参考图6与图7，图6为本发明第二实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图，图7为本发明第二实施例的显示装置的剖面示意图。如图6与图7所示，相较于第一实施例，显示装置200中，形成光学元件140的步骤包括转移制程。详细而言，在图6中(左侧)，提供转移基板210，并在转移基板210上形成光学元件140，以形成转移结构TS。接着，通过转移制程(如图6的右侧)，将转移结构TS旋转180度(即，倒置)后设置在光转换元件130上，以完成转移制程(如图7所示)，但不限于此。在一些实施例中(如图6与图7)，转移结构TS例如通过锚定力(anchoring force)固定在基板110上，但不限于此。在一些实施例中，转移结构TS具有微结构表面S1(包括突部与凹部)，而基板110上的膜层(例如中间层150)可具有大致呈互补的微结构表面S2(包括突部与凹部)，以提高基板110上的膜层(例如中间层150)与转移结构TS之间的固定效果，但不限于此。举例来说，转移结构TS的突部可对应此膜层(例如中间层150)的凹部，转移结构TS的凹部可大致对应此膜层的突部，上述的“对应”可表示为两个部于俯视方向D上重迭，但不限于此。在一些实施例中，转移结构TS的凹部的结构可大致互补于此膜层的突部的结构。在一些实施例中，转移结构TS可选择性包括突状结构PS，设置在转移基板210上，以使转移结构TS可具有微结构表面S1，而基板110上的中间层150也可具有互补的微结构表面S2，但不以此为限。举例来说，微结构表面S1的高度差L可为1微米(μm)至5微米(1微米≤高度差L≤5微米)，或是1.5微米(μm)至4微米(1.5微米≤高度差L≤4微米)，但不以此为限。高度差L例如为于转移结构TS的一剖面下，微结构表面S1的最大的高度差。在一些实施例中(如图6与图7)，突状结构PS可设置于光学元件140与转移基板210之间。
此外，在转移制程中，转移基板210可依据需求而移除或不移除。在图6与图7中，转移基板210例如未移除，转移基板210可作为保护层(可参考图1与上文对于保护层160的说明)，但不以此为限。在一些实施例中(图未示)，在形成光学元件140之前，可在转移基板210上形成缓冲层，即缓冲层位于转移基板210与光学元件140之间，提升光学元件140的可靠度。在一些实施例中(图未示)，若缓冲层在后续的转移制程中并未移除，则缓冲层亦可作为保护层。举例来说，缓冲层可包括任何适合的有机材料或其他合适的材料，但不以此为限。另外，在完成转移制程后，可依需求设置光学膜层、保护层、其他适合的膜层或其任意组合在光学元件140上。
请参考图8，图8为本发明第三实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。如图8所示，相较于第二实施例，本实施例的突状结构PS于剖视方向上的形状例如为三角形。在进行转移制程时，突状结构PS可例如嵌入基板110上的至少一膜层中，且可例如通过锚定力固定，但不限于此。举例而言，突状结构PS可嵌入部分的中间层150及/或部分的分隔结构LB中，但不以此为限。在一些实施例中(图未示)，可选择性设置或不设置中间层150。另外，在完成转移制程后，可依需求设置光学膜层、保护层、其他适合的膜层或其任意组合在光学元件140上。在一些实施例中，光学元件140与突状结构PS设置在转移基板210上，且光学元件140与突状结构PS例如与转移基板210接触，但不以此为限。在一些实施例中，突状结构PS可具有任何适合的剖面形状，例如三角形、四边形、梯形或其他适合的形状。在一些实施例中，突状结构PS的材料可例如具有光阻挡功效。突状结构PS的材料可依据需求而改变。
请参考图9与图10，图9为本发明第四实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图，图10为本发明第四实施例的显示装置的剖面示意图。如图9与图10所示，相较于第二实施例，转移结构TS可通过位于光转换元件130上的黏着层AL2固定。在一些实施例中(如图9与图10)，黏着层AL2可选择性黏着转移结构TS(例如突状结构PS)及/或光学元件140(或中间层150)。在一些实施例中(图未示)，转移结构TS可不具有突状结构PS。在一些实施例中，光学元件140可设置于突状结构PS与转移基板210之间。
在图9与图10中，当进行转移制程时，转移基板210可被移除。举例来说，移除转移基板210的方式可通过激光或其他合适的方式，但不以此为限。在一些实施例中，转移基板210可在将光学元件140设置在光转换元件130上(例如通过黏着、锚定等方式)之前或之后被移除，但不限于此。如图10所示，在显示装置400中，因转移基板210被移除，使显示装置400具有表面402，表面402例如呈不平整表面，用以提高散射光的功能，但不限于此。在图10中，可依需求设置光学膜层、保护层、其他适合的膜层或其任意组合在光学元件140上。
请参考图11，图11为本发明第五实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。如图11所示，相较于第二实施例，转移结构TS可通过位于光转换元件130上的黏着层AL2而固定。在图11中，在进行转移制程时，并未对转移结构TS旋转而设置在黏着层AL2上。也就是说，黏着层AL2例如会黏着转移基板210，转移基板210可例如位于光转换元件130与光学元件140之间。在此实施例中，转移基板210可具有保护的功效。在一些实施例中(图未示)，光学元件140与转移基板210之间可选择性设置缓冲层，其中转移基板210及/或缓冲层可比对为本发明的中间层。在一些实施例中，转移结构TS可不具有突状结构PS，但不以此为限。另外，在完成转移制程后，可依需求设置光学膜层、保护层、其他适合的膜层或其任意组合在光学元件140上。
请参考图12与图13，图12为本发明第六实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图，图13为本发明第六实施例的显示装置的剖面示意图。如图12与图13所示，相较于第一实施例，在本实施例的显示装置600中，光学元件140由印刷制程所形成。在一些实施例中(如图12)，光学元件140由喷墨印刷(ink jet printing)所形成，但不以此为限。详细而言，在形成光学元件140的过程中，可藉由喷墨件IPC喷出光学材料140l，光学材料140l例如为色阻，但不限于此。后续，将光学材料140l进行固化(例如加热过程)而形成光学元件140。在图12中，由于光学材料140l例如以喷墨印刷所形成，分隔结构LB可例如具有较高的高度，以降低光学材料140l流动到其他非对应的子像素SPX而影响合格率的可能性，但不限于此。在一些实施例中，分隔结构LB可包括多层结构，例如包括分隔子部分LBs1、LBs2，藉此提高分隔结构LB的高度。在一些实施例中(图未示)，分隔结构LB可包括单层结构，但此分隔结构LB可具有适当的高度。
在一些实施例中(未绘示)，光学元件140可由网版印刷(screen printing)所形成。举例来说，在光学元件140a的形成过程中，可将网孔板(mesh stencil)设置在光转换元件130上，并将网孔板的网孔暴露出对应的光转换元件130a的位置(即，后续要设置光学元件140a的位置)，然后，将光学材料140l倒在网孔板上，通过加压及/或固化过程将光学材料140l通过网孔板上的网孔而设置在光转换元件130a上，后续移除网孔板，以完成光学元件140a的形成步骤。相似的，其他的光学元件140b亦可以类似方法设置。
请参考图13，在图13中，覆盖层660及/或保护层160可例如设置于光学元件140上，覆盖层660可例如位于保护层160与光学元件140之间。在一些实施例中，覆盖层660可例如位于分隔结构LB的开口OP中。在一些实施例中，覆盖层660的材料可包括氧化硅、氮化硅、其他适合的材料或其任何组合。在图12与图13中，中间层150可位于分隔结构LB的开口OP中，但不以此为限。
请参考图14，图14为本发明第七实施例的光学元件的形成过程的剖面示意图。如图14所示，相较于第六实施例，本实施例的光学元件140a与光学元件140b由相同的材料所形成，例如黄色色阻，故在进行喷墨印刷时，可在对应绿色子像素SPX1与红色子像素SPX2的区域选择性地同时形成光学元件140a与光学元件140b。在一些实施例中，位于绿色子像素SPX1与红色子像素SPX2之间的分隔结构LB的部分的高度H1可例如低于位于其他位置的分隔结构LB的部分的高度H2，以便于同时形成光学元件140a与光学元件140b。举例来说，在图14中，位于绿色子像素SPX1与红色子像素SPX2之间的分隔结构LB的部分例如为单层结构(包括分隔子部分LBs1)，而位于其他位置的分隔结构LB的部分例如为多层结构(包括分隔子部分LBs1及分隔子部分LBs2)，使分隔结构LB具有不同高度，但不限于此。
此外，在图14中，电致发光元件EC可通过分隔结构LB来分隔。换句话说，电致发光元件EC是形成在分隔结构LB的开口OP中，但不以此为限。在一些实施例中，可先形成分隔结构LB，再将电致发光元件EC形成在分隔结构LB的开口OP中，但不以此为限。在一些实施例中(图未示)，像素定义层(请参考上文)与分隔结构LB可例如为同一部件，像素定义层可作为分隔结构LB且具有光阻挡功效，但不以此为限。在图14中，可选择性未设置位于光学元件140与光转换元件130之间的中间层。
综上所述，通过本发明所述的显示装置的制造方法，可制造出具有高显示质量及/或可靠度高的显示装置。举例来说，减少光转换元件的毁损(例如，减少材料的膨润、膜胀及/或淬灭)、减少光学元件的毁损，及/或提高显示装置的色彩纯度。
虽然本发明的实施例及其优点已发明如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。

Claims (17)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
一基板；
一电致发光元件，设置在所述基板上；
一分隔结构，设置在所述电致发光元件上，所述分隔结构包括一第一开口；
一光转换元件，设置在所述第一开口中；以及
一中间层，设置在所述光转换元件上；
其中所述中间层具有一第一部与一第二部，所述第一部在一俯视方向上重迭于所述光转换元件，所述第二部在所述俯视方向上重迭于所述分隔结构，所述第一部的厚度大于所述第二部的厚度。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述俯视方向上，所述第二部未重迭于所述光转换元件。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括一光学元件，设置在所述中间层上，其中在所述俯视方向上，所述光学元件重迭所述光转换元件，
其中在所述显示装置的一剖面上，所述光学元件的最大宽度大于所述光转换元件的最大宽度。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述分隔结构包括遮蔽材料。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括一保护层，设置于所述电致发光元件与所述分隔结构之间。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括一像素定义层，设置在所述基板上且具有一第二开口，其中部分的所述电致发光元件设置于所述第二开口中，且在所述俯视方向上，所述像素定义层重迭于所述分隔结构。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括一像素定义层，设置在所述基板上且具有一第二开口，其中部分的所述电致发光元件设置于所述第二开口中，其中在所述显示装置的一剖面上，所述分隔结构的所述第一开口的第一最小宽度不同于所述第二开口的第二最小宽度。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，在所述显示装置的所述剖面上，所述分隔结构的所述第一开口的所述第一最小宽度大于所述第二开口的所述第二最小宽度。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述中间层接触所述光转换元件。
10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述中间层的远离所述基板的表面呈弧形表面，且所述光转换元件的远离所述基板的表面具有弧形表面。
11.一种显示装置，其特征在于，包括：
一基板；
另一基板，相对所述基板设置；
一电致发光元件，设置在所述基板与所述另一基板之间；
一分隔结构，设置在所述电致发光元件与所述另一基板之间，所述分隔结构包括一第一开口；
一光转换元件，设置在所述第一开口中；以及
一中间层，设置在所述光转换元件与所述另一基板之间；
其中所述中间层具有一第一部与一第二部，所述第一部在一俯视方向上重迭于所述光转换元件，所述第二部在所述俯视方向上重迭于所述分隔结构，所述第一部的厚度大于所述第二部的厚度。
12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，其中在所述俯视方向上，所述第二部未重迭于所述光转换元件。
13.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，还包括一光学元件，设置在所述中间层与所述另一基板之间，其中在所述俯视方向上，所述光学元件重迭所述光转换元件，
其中在所述显示装置的一剖面上，所述光学元件的最大宽度大于所述光转换元件的最大宽度。
14.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述分隔结构包括遮蔽材料。
15.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，还包括一保护层，设置于所述电致发光元件与所述分隔结构之间。
16.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，还包括一像素定义层，设置在所述基板与所述分隔结构之间，其中所述像素定义层具有一第二开口，部分的所述电致发光元件设置于所述第二开口中，
其中在所述显示装置的一剖面上，所述分隔结构的所述第一开口的第一最小宽度不同于所述第二开口的第二最小宽度。
17.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述中间层接触所述光转换元件。
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