CN101409304B - 有机el显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种有机EL显示装置。由上部电极和下部电极夹持的像素呈矩阵状而形成，由此形成显示区域。在像素和像素之间，为了防止上部电极的电压下降，在横向延伸有辅助电极(30)。在绝缘膜上形成通孔，使得向上部电极(23)供给电流用的电流供给线和辅助电极导通。为了确保通孔的连接可靠性，在通孔上蒸镀与辅助电极(30)重叠的由金属形成的接触电极(40)。由此，实现能够防止由透明导电膜形成的上部电极的电压下降、且画面亮度均匀的顶部发光型有机EL显示装置。

Description

有机EL显示装置

技术领域

本发明涉及有机EL显示装置，尤其涉及提高亮度均匀性、且提高可靠性的顶部发光(top emission)型有机EL显示装置。 

背景技术

有机EL显示装置具有使从有机EL层发生的光向形成有有机EL层等的玻璃基板方向射出的底部发光型、和使之向与形成有有机EL层等的玻璃相反的方向射出的顶部发光型。顶部发光型可以得到较大的有机EL层的面积，因此具有可以提高显示亮度的优点。 

在有机EL显示装置中，在下部电极和上部电极之间夹持有机EL层，对上部电极施加一定电压，对下部电极施加数据信号电压，控制有机EL层的发光，由此形成图像。向下部电极供给数据信号电压是经由薄膜晶体管(TFT)进行的。在顶部发光型有机EL显示装置中，也可以在该TFT等之上形成有机EL层，因此可以增大发光面积。 

顶部发光型有机EL显示装置向上部电极一侧射出光，因此需要上部电极是透明的。一般作为透明电极使用金属氧化物导电膜的ITO(Indium Tin Oxide)或IZO(Indium Zinc Oxide)等。但是，ITO或IZO等的电阻比金属高。因此，当距供给电流的端子部的距离较大时，端子部附近的上部电极电位和远离端子部的上部电极的电位变得不同。这将导致出现亮度不均匀，从而使图像质量恶化。 

“专利文献1”和“专利文献2”中记载有如下内容：在顶部发光型有机EL显示装置中，为了利用上部电极的电阻来抑制上部电极的电位因位置而不同的现象，因此形成辅助电极。 

专利文献1：日本特开2002-318556号公报 

专利文献2：日本特开2001-230086号公报

发明内容

“专利文献1”中记载的技术是在像素和像素之间形成的堤(bank)之下利用电阻较小的金属形成辅助布线。并且，在堤上形通孔(through-hole)来电连接上部电极和辅助布线。辅助布线的电阻较小，因此即使是在远离端子部的像素，也能抑制上部电极电位的降低。但是，在该技术中，当在堤之下形成辅助布线时，需要辅助布线的图形化。辅助布线的图形化是利用光刻进行的，因此成本会增加。另外，在堤上形成的通孔部分的连接仅由上部电极进行。在堤上形成的通孔较深，因此通孔部的导通的可靠性也存在问题。 

在“专利文献2”中记载的技术中，记载有如下内容：将上部电极分为按照形成在有机EL层之上的如文字那样的上部电极、和从端子部向上部电极供给电流的布线部(辅助电极)，利用电阻较低的金属形成布线部。在该技术中也需要辅助布线的图形化。辅助布线的图形化是通过光刻进行的，因此成本会增加。另外，在“专利文献2”的公开中，在像素和像素之间没有形成堤，但形成堤的情况与“专利文献1”相同，会产生通孔部的导通的问题。 

本发明是在顶部发光型的有机EL显示装置中，为了防止由上部电极的电阻较大而引起的上部电极的电压下降，在使用辅助电极的情况下，实现抑制制造成本上升、且确保通孔部的导通的可靠性的结构。 

本发明为解决上述问题而完成的。为了抑制上部电极的电压下降，通过蒸镀或溅射在上部电极之上或上部电极之下形成辅助电极。对上部电极供给电流的、以与漏极布线相同的层形成的电流供给线和辅助电极的连接经由形成在绝缘膜上的通孔进行。为了抑制该通孔的连接不良或电阻增大的现象，在通孔部，通过掩模蒸镀或溅射来与辅助电极重叠而附着由金属形成的接触电极。具体而言，方案如下。 

(1)一种有机EL显示装置，具有像素呈矩阵状而形成的显示区域，该像素具有由上部电极和下部电极夹持的有机EL层，其特征在于：上述上部电极由透明电极形成，在上述像素与上述像素之间，与 上述上部电极导通的辅助电极横向延伸，上述辅助电极经由形成在绝缘层上的通孔而与向上述上部电极供给电流的电流供给线连接，在上述通孔处，与上述辅助电极重叠而形成有接触电极。 

(2)根据(1)所述的有机EL显示装置，其特征在于：上述接触电极由金属形成，其膜厚大于上述辅助电极的膜厚。 

(3)根据(1)所述的有机EL显示装置，其特征在于：上述辅助电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成，上述接触电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成。 

(4)根据(1)所述的有机EL显示装置，其特征在于：上述接触电极形成得比上述辅助电极更靠上。 

(5)根据(1)所述的有机EL显示装置，其特征在于：上述接触电极和上述辅助电极由相同材料形成。 

(6)根据(1)所述的有机EL显示装置，其特征在于：上述辅助电极形成在上述上部电极之上。 

(7)根据(1)所述的有机EL显示装置，其特征在于：上述辅助电极形成在上述上部电极之下。 

(8)一种有机EL显示装置，具有像素呈矩阵状而形成的显示区域，该像素具有由上部电极和下部电极夹持的有机EL层，其特征在于：上述上部电极由透明电极形成，在上述像素与上述像素之间，与上述上部电极导通的辅助电极横向延伸，上述辅助电极在上述显示区域外经由形成在绝缘层上的通孔而与向上述上部电极供给电流的电流供给线连接，在上述通孔处，与上述辅助电极重叠而形成有接触电极，上述接触电极共用并覆盖多个上述通孔。 

(9)根据(8)所述的有机EL显示装置，其特征在于：辅助电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成，上述接触电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成。 

(10)一种有机EL显示装置，具有像素呈矩阵状而形成的显示区域，该像素具有由上部电极和下部电极夹持的有机EL层，其特征在于：上述上部电极由透明电极形成，在上述像素与上述像素之间， 与上述上部电极导通的辅助电极横向延伸，上述辅助电极在上述显示区域内，在上述像素和上述像素之间，经由形成在绝缘层上的通孔而与向上述上部电极供给电流的电流供给线连接，在上述通孔处，与上述辅助电极重叠而形成有接触电极。 

(11)根据(10)所述的有机EL显示装置，其特征在于：上述接触电极的宽度大于上述辅助电极的宽度。 

(12)根据(10)所述的有机EL显示装置，其特征在于：在上述像素和上述像素之间形成有堤，上述辅助电极形成在上述堤上，上述通孔贯通堤和其他绝缘层而形成。 

(13)根据(10)所述的有机EL显示装置，其特征在于：辅助电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成，上述接触电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成。 

根据本发明，通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成辅助电极，因此辅助电极的形成不需要光刻工序，可以不幅度增加成本地形成辅助电极。 

另外，经由形成在绝缘膜上的通孔而与向上部电极供给电流的电流供给线和辅助电极连接，但该通孔一般非常深，容易产生导通不良。在本发明中，在通孔处，不是仅用辅助电极进行与电流供给线的连接，而是与辅助电极重叠而形成接触电极，因此能够防止发生接触部的导通不良。 

这样，根据本发明，能够抑制上部电极的电位因位置而不同现象，进而能够提高电流供给线和上部电极的导通可靠性。因此，能够实现画面亮度的均匀性优异、且可靠性高的顶部发光型有机EL显示装置。 

附图说明

图1是实施例1的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。 

图2是图1的A-A剖视图。 

图3是实施例1的有机EL显示装置的显示区域周边的俯视图。 

图4是实施例1的通孔部的俯视图。 

图5是实施例1的图1的A-A剖视图的其他方式。 

图6是实施例2的像素结构的剖视图。 

图7是实施例2的通孔部的剖视图。 

图8是实施例3的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。 

图9是实施例3的通孔部的剖视图。 

具体实施方式

以下，根据实施例公开本发明的详细内容。 

[实施例1] 

图1是本发明的顶部发光型有机EL显示装置的显示区域的俯视图。图2是图1的A-A剖视图。在图1中，在横向上排列有红像素101、绿像素102、蓝像素103。在纵向上排列有相同颜色的像素。各像素分别具有发出红、绿、蓝等颜色的有机EL层22。各有机EL层22之上被作为上部电极23的透明电极、即IZO所覆盖。除此之外，作为透明电极也可以使用ITO。 

在纵向的像素和像素之间，辅助电极30在横向上延伸。该辅助电极30在连续形成的上部电极23之上，通过掩模蒸镀形成。在本发明中，辅助电极30是通过使用掩模的蒸镀或溅射来形成，因此不需要用于辅助电极30的光刻工序，对降低成本有利。纵向的像素和像素之间为25μm～30μm左右。因此，辅助电极30的宽度小于该宽度，形成为10μm～15μm。该程度的宽度的蒸镀可以利用掩模蒸镀或溅射。 

辅助电极30需要减小电阻，因此使用金属。作为辅助电极30的材料列举Al、Al合金、Zn、Mg等。Al或Al合金的电阻较低，因此适于作为辅助电极30。另外，也能通过蒸镀或溅射来容易地进行附着。Zn能通过电阻加热、感应加热、EB蒸镀或溅射来进行附着。当使用Zn时辅助布线成为黑色，因此辅助布线具有黑底的作用，利于提高图像质量的对比度。Mg可以通过电阻加热、感应加热、EB蒸镀或溅射来进行附着。

当形成辅助布线后的显示区域的薄膜电阻(sheet resistance)为10Ω/□以下时，能够抑制上部电极23的电位因位置而不同的现象。此时的薄膜电阻称为包括辅助电极30和上部电极23情况下的薄膜电阻。即与仅上部电极23的情况相比，薄膜电阻大幅度变小。 

图2是图1的A-A剖视图。在图2中，在由玻璃形成的元件基板10之上形成有底栅型薄膜晶体管(TFT)。图2是底栅型TFT，但如后面说明的那样，也可以为顶栅型TFT。 

在图2中，在源极基板10之上形成有栅电极15。覆盖栅电极15由SiN形成有栅极绝缘膜14。在栅电极15之上形成有半导体层13。该半导体层13形成TFT的沟道部。在半导体层13之上设置有源电极或漏电极(SD电极17)，但为了在半导体层13和SD电极17之间保持欧姆接触，形成有未图示的n+Si层。 

通过沟道蚀刻，在对沟道部的n+Si层和半导体层13的一部分进行蚀刻之后，附着有机钝化(passivation)膜19。在图2中，钝化膜仅为有机钝化膜19，但有时也在有机钝化膜19之下形成SiN等无机钝化膜18。有机钝化膜19也具有作为平坦化膜的作用，因此较厚地形成为1～4μm左右。 

Al或Al合金的反射电极24形成在有机钝化膜19之上。本发明为顶部发光型有机EL显示装置，因此必须使来自有机EL层22的光向与元件基板10相反的方向上射出，所以需要在有机钝化膜19之上形成反射电极24。在有机钝化膜19上形成通孔来导通反射电极24和TFT的SD电极17。 

本实施例中的有机EL层22对应于顶部阴极型。在这种情况下，下部电极21需要使用功函数较大的材料。作为反射电极24使用的Al或Al合金的功函数较小，不适于作为阳极。因此，在反射电极24之上形成IZO作为下部电极21。 

在下部电极21之上形成发生光的有机EL层22。有机EL层22一般由空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层等5层构成。有机EL层22的各层非常薄，因发光颜色而不同，空穴输运层为120nm～250nm，发光层为30nm～40nm，电子输运层为10nm左右，电子注入层为60nm左右。这样，有机EL层即使重叠5层也非常薄，因此当基底存在台阶差时会引起膜的台阶断开。 

为了防止有机EL层22的台阶断开，在各像素之间形成有堤20。堤20一般由作为有机膜的丙烯酸或聚酰亚胺等形成，防止有机EL层22在端部因台阶差而破损。 

在有机EL层22之上，作为上部电极23附着有作为透明导电膜的IZO。IZO通过蒸镀被附着在包括堤20之上的整个显示部上。来自有机EL层22的光通过作为上部电极23的IZO向外部射出，因此需要使IZO的光透射率增大。这样一来，不能增大IZO的膜厚，IZO的膜厚为30nm左右。因此，IZO的薄膜电阻较高，引起上部电极23的电压下降，引起上部电极的电位因位置而不同的现象。 

为了防止该上部电极23的电压下降，在堤20之上形成有辅助电极30。这是因为只要是在堤20之上，辅助电极就不会妨碍来自有机EL层22的光射出。辅助电极30由电阻较低的金属在横向上形成为条状，这如在图1中说明的那样。辅助电极30的膜厚为150nm左右，形成得比上部电极23厚。另外，辅助电极30由金属形成，因此电阻率远远小于由金属氧化物形成的上部电极23。因此，通过使用辅助电极30，能够防止上部电极23的电压下降。 

辅助电极30需要用于向上部电极23供给电流的接触部。在本实施例中如图3所示，将该接触部设置在显示部的横向外侧。在接触部，需要在绝缘膜上形成通孔，经由通孔连接辅助电极30和电源供给线175。因此，该通孔部的可靠性十分重要。 

在本实施例中，在接触部不仅形成辅助电极30，还通过另外蒸镀或溅射来形成接触电极40，从而提高该通孔部的可靠性。图4是图3的A-A剖视图。在图4中，在元件基板10之上形成有栅极绝缘膜14。在栅极绝缘膜14之上形成有电流供给线175。电流供给线175在与SD电极17相同的层，并同时形成。 

在电流供给线175之上形成有机钝化膜19，在有机钝化膜19上 形成用于连接辅助电极30和电流供给线175的通孔。覆盖该通孔而首先蒸镀作为上部电极23的IZO。并且，在上部电极23之上蒸镀或溅射辅助电极30。 

但是，上部电极23的膜厚为30nm左右，辅助电极30的膜厚为150nm左右。而有机钝化膜19的膜厚为1μm～4μm，多数情况下为3μm左右，非常厚。 

因此，所形成的通孔非常深，所以产生上部电极23或辅助电极30发生台阶断开等无法充分导通的情况。特别是在接触部，向多个像素供给电流，因此流过的电流较大，在通孔部当电阻变大时，容易产生可靠性的问题。 

在本发明中，为了解决这样的问题，如图4所示那样，在接触孔部，在辅助电极30之上还附着由金属形成的接触电极40。接触电极40附着得比辅助电极30厚，另外，在通孔附近，平面上也形成得比辅助电极30大。接触电极40的材料与辅助电极30的材料相同，由Al或Al合金、Zn、Mg等来形成可以简化工序。但也可以为其他金属。 

如本实施例那样，通过在接触部另外形成接触电极40，还具有可以自由选择接触部的形状的优点。例如，显示区域的辅助布线在宽度上有限制，因此不能使膜厚极端变大。但是，本实施例的接触电极40的膜厚可以根据可靠性的要求而变化。另外，可以增大接触电极40的图形，因此接触电极40的平面形状也可以根据显示装置的要求自由进行设定。 

图3和图4在接触部中，接触电极比辅助电极更靠上地进行附着，但相反，辅助电极也可以比接触电极更靠下地进行附着。这在后述的实施例2和实施例3中也是同样的。 

图5是通过蒸镀或溅射而在附着于堤20之上的作为上部电极23即IZO之上形成辅助布线的例子。本实施例不限于此，如图5所示，可以首先通过蒸镀在堤20之上形成辅助电极30，在其上蒸镀作为上部电极23的IZO。在本实施例中，都以蒸镀形成辅助电极30、上部 电极23，不使用光刻，因此无论首先形成辅助电极30、上部电极23的哪一个都没有问题。其他的结构与辅助电极30位于上部电极23的上侧的情况相同。 

[实施例2] 

本发明在顶部发光型有机EL显示装置中，有机EL层22无论是顶部阳极型，还是顶部阴极型，另外，TFT无论是底栅型，还是顶栅型都能适用。本实施例是在将TFT取为顶栅型、将有机EL层22取为顶部阳极型的情况下应用本发明的情况的例子。图6为本实施例的像素部的剖视图。图6相当于图1的B-B剖视图。 

在图6中，在元件基板10之上形成有由SiN构成的第一基底膜11和由SiO2构成的第二基底膜12。这是为了防止来自玻璃基板的杂质污染半导体层13。第二基底膜12之上形成有半导体层13。在半导体层13由CVD形成a-Si膜之后，由激光照射变换为poly-Si膜。 

覆盖半导体层13而形成由SiO2构成的栅极绝缘膜14。夹着栅极绝缘膜14在与半导体层13相对的部分形成栅电极15。以栅电极15为掩模，通过离子注入向半导体层13中注入磷或硼等杂质，付与导电性，在半导体层13形成源极部或漏极部。 

覆盖栅电极15而由SiO2形成层间绝缘膜16。这是为了对栅极布线或栅电极15和漏极布线171进行绝缘。在层间绝缘膜16之上形成有漏极布线171。漏极布线171经由在层间绝缘膜16和栅极绝缘膜14中形成的通孔而与半导体层13的漏极相连接。 

然后，为了保护TFT而附着由SiN构成的无机钝化膜18。在无机钝化膜18之上形成有机钝化膜19。有机钝化膜19与无机钝化膜18一同具有更充分地保护TFT的作用，并且具有使形成有有机EL层22的面平坦的作用。因此，有机钝化膜19为1～4μm，形成得较厚。 

在有机钝化膜19之上由Al或Al合金形成反射电极24。Al或Al合金的反射率较高，因此适合作为反射电极24。反射电极24经由形成在有机钝化膜19和无机钝化膜18上的通孔而与漏极布线171连接。

本实施例为顶部阳极型有机EL显示装置，因此有机EL层22的下部电极21为阴极。因此，作为反射电极24使用的Al或Al合金能够兼用有机EL层22的下部电极21。Al或Al合金的功函数比较小，因此能够作为阳极发挥作用。 

在下部电极21之上形成有机EL层22。此时，有机EL层22的顺序与实施例1的情况不同。即，从下次开始依次为电子注入层、电子输运层、发光层、空穴输运层、空穴注入层。在有机EL层22之上形成成为阳极的上部电极23。在顶部阴极的情况下也能够使用IZO作为上部电极23。在显示区域中，IZO不使用掩模而被蒸镀在显示区域整体上。为了维持光的透射率，IZO的膜厚形成为30nm左右，这与实施例1相同。 

为了防止有机EL层22在端部因台阶断开而破损，在像素与像素之间形成堤20，这与实施例1相同。另外，像素的平面结构也与实施例1的图1相同。本实施例的辅助电极30可以形成在堤20之上、上部电极23之上、或上部电极23之下的任意一者中，这与图2和图5相同。 

另外，在显示区域的横向外侧形成与电流供给线175的接触部也与图3相同。图7是本实施例的接触部的剖视图。图7对应于图3的A-A剖面。在图7中，在元件基板10之上形成有第一基底膜11、第二基底膜12。在其上形成有栅极绝缘膜14和层间绝缘膜16。各层的作用、材料等如图6中说明的那样。 

在层间绝缘膜16之上存在着电流供给线175。电流供给线175在与漏极线相同的层而同时形成。覆盖电流供给线175而形成无机钝化膜18，进一步形成有机钝化膜19。在有机钝化膜19之上延伸有辅助电极30。在本实施例中，在显示区域的外侧，除去形成堤的丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂。 

为了连接辅助电极30和电流供给线175，在有机钝化膜19和无机钝化膜18上形成有通孔。覆盖该通孔，首先蒸镀形成上部电极的IZO，然后通过蒸镀或溅射来附着辅助电极30，并连接上部电极23 和电流供给线175。在通孔部，为了更可靠地连接，在通孔部覆盖辅助电极30而形成接触电极40。接触电极40通过掩模蒸镀或溅射来形成，这与实施例1相同。 

接触电极40由金属形成，膜厚大于辅助电极30。因此，可以确保接触孔的电流供给布线175和上部电极23的导通。这样，无论有机EL层22为顶部阳极型，还是顶部阴极型、或者无论TFT为底栅型，还是顶栅型，都可以没有问题地使用本发明。并且，任意一种情况下，都能够实现画面亮度均匀、且可靠性较高的顶部发光型有机EL显示装置。 

[实施例3] 

实施例1和实施例2是在显示区域的横向外侧设置总线状的接触电极40来集中进行向辅助电极30的电流供给。本发明不限于此，也可适用于在显示区域内连接电流供给线175和辅助电极30的情况。图8是本实施例的显示区域的俯视图。 

在图8中，像素配置与图1相同。另外，辅助电极30在画面横向上延伸也与图1相同。在图8中，在显示区域内设置辅助电极30和电流供给布线的接触与图1不同。在图8中，接触部设置在像素和像素的中间位置。这是由于该部发易于获得用于通孔的空间。另外，该通孔形成在堤20上。 

在图8中，接触部在纵向上针对全部辅助电极30而形成，在横向上按每5个像素而形成。接触部的形成周期由画面大小等、以及上部电极23的电位差能允许到何种程度来决定即可。使接触部的宽度大于辅助电极30的宽度。这是为了极力抑制通孔部的电阻增加。另外，在导通部与辅助电极重叠而形成的接触电极40的宽度形成得大于在通孔以外的位置的辅助电极30的宽度。 

图9是图8的A-A剖视图。图9所示的剖视图是相当于图6的形成有顶栅型TFT的情况的剖视图。即，在由玻璃形成的元件基板10之上形成有第一基底膜11、第二基底膜12、栅极绝缘膜14、层间绝缘膜16，在其上形成有电流供给线175。覆盖电流供给线175而形成有无机钝化膜18和有机钝化膜19。另外，由于辅助布线形成在堤20上，因此在图9中，在有机钝化膜19之上形成堤20。 

通过堤20、有机钝化膜19以及钝化膜而形成通孔。这是为了连接辅助布线和电流供给线175。在本实施例中，在堤20上形成通孔，因此该通孔非常深。即，堤20在以有机膜形成的情况下为2μm左右，有机钝化膜19为3μm左右，无机钝化膜18为0.4μm左右，因此总计为5.4微米的厚度，因此通孔的深度为5.4μm。无论是否需要形成这样深的通孔，由于在堤20上形成通孔，因此通孔的外形有限制。这样，通孔的锥度θ变大。通孔的锥度较大时，容易在通孔部产生导电膜的台阶断开。 

在图9中，覆盖通孔而附着上部电极23。上部电极23的膜厚为30nm左右，因此在这样深的通孔中，容易引起台阶断开而成为导通不良。辅助电极30覆盖上部电极23而形成在通孔内。辅助电极30的厚度为150nm。但是，该程度的膜厚在锥形角θ较大、且5.4μm的深度的通孔中，获得导通并不容易。因此，仅以辅助电极30获得通孔部的导通存在可靠性上的问题。 

本发明如图9所示，在通孔部覆盖辅助电极30而形成比辅助电极30厚的接触电极40。接触电极40由金属形成，例如可以使用Al或Al合金、Zn、Mg等与辅助电极30相同的材料。这样，在本实施例中，在接触部利用金属较厚地形成接触电极40，能够稳定通孔的导通电阻。在本实施例中，通过电流供给线175对上部电极23供给电流，以及通过辅助电极30对显示区域供给电流，因此与实施例1的情况相比，能够进一步使上部电极23的电位均匀化。另外，在接触部中，能够利用接触电极40来稳定通孔电阻，因此，能够进一步使画面亮度均匀化，并且提高可靠性。

Claims (13)

1.一种有机EL显示装置，具有像素呈矩阵状而形成的显示区域，其中像素具有由上部电极和下部电极夹持的有机EL层，其特征在于：

上述上部电极由透明电极形成，在上述像素与上述像素之间，与上述上部电极导通的辅助电极横向延伸，上述辅助电极经由形成在绝缘层上的通孔而与向上述上部电极供给电流的电流供给线相连接，

在上述通孔处，与上述辅助电极重叠而形成有接触电极。

2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：

上述接触电极由金属形成，其膜厚大于上述辅助电极。

3.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：

上述辅助电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成，上述接触电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成。

4.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：

上述接触电极形成得比上述辅助电极更靠上。

5.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：

上述接触电极和上述辅助电极由相同材料形成。

6.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：

上述辅助电极形成在上述上部电极之上。

7.根据权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于：

上述辅助电极形成在上述上部电极之下。

8.一种有机EL显示装置，具有像素呈矩阵状而形成的显示区域，其中像素具有由上部电极和下部电极所夹持的有机EL层，其特征在于：

上述上部电极由透明电极形成，在上述像素与上述像素之间，与上述上部电极导通的辅助电极横向延伸，上述辅助电极在上述显示区域外经由形成在绝缘层上的通孔而与向上述上部电极供给电流的电流供给线相连接，

在上述通孔处，与上述辅助电极重叠而形成有接触电极，上述接触电极共用并覆盖着多个上述通孔。

9.根据权利要求8所述的有机EL显示装置，其特征在于：

上述辅助电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成，上述接触电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成。

10.一种有机EL显示装置，具有像素呈矩阵状而形成的显示区域，其中像素具有由上部电极和下部电极所夹持的有机EL层，其特征在于：

上述上部电极由透明电极形成，在上述像素与上述像素之间，与上述上部电极导通的辅助电极横向延伸，上述辅助电极在上述显示区域内，在上述像素和上述像素之间，经由形成在绝缘层上的通孔而与向上述上部电极供给电流的电流供给线相连接，

在上述通孔处，与上述辅助电极重叠而形成有接触电极。

11.根据权利要求10所述的有机EL显示装置，其特征在于：

上述接触电极的宽度大于上述辅助电极的宽度。

12.根据权利要求10所述的有机EL显示装置，其特征在于：

在上述像素和上述像素之间形成有堤，上述辅助电极形成在堤上，上述通孔贯通堤和其他绝缘层而形成。

13.根据权利要求10所述的有机EL显示装置，其特征在于：

上述辅助电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成，上述接触电极通过掩模蒸镀或掩模溅射而形成。

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