TWI608603B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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金一南
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Description

有機發光二極體顯示器
本發明涉及一種能提升光效率與減少無窮地光反射的有機發光二極體(OLED)顯示器。
有機發光二極體(OLED)顯示器包含有機發光構件，其係由作為電洞注入電極的陽極、有機發光層、以及作為電子注入電極的陰極所構成。各個有機發光構件藉由當電子與電洞於有機發光層中結合所產生之激子自激發態落至基態時產生之能量而發光，且有機發光二極體顯示器使用此發光顯示預定的影像。
由於藉由有機發光二極體(OLED)之有機發光層產生的光係由如陽極、陰極、或薄膜電晶體(TFT)之驅動線路部分或整體反射，則使發光至外部的效率劣化。為解決此問題，而控制有機層中共振結構的厚度，以致產生的光形成建設性干涉以提升光效率。具有共振結構之有機發光二極體(OLED)顯示器其光效率提升，但根據色彩偏移至一側而使可見度劣化。
上述於背景部分之資訊揭露只為加強對背景技術描述的理解，且其可包含所屬領域具有通常知識者已知但尚未形成既有技術的資訊。
本發明提供一種能提升光效率與減少無窮地光反射的有機發光二極體(OLED)顯示器。
根據發明之一例示性實施例之有機發光二極體顯示器可包含基板、形成於基板上且具有傾斜側壁的光路導引層、形成於基板與光路導引層上的有機發光二極體(OLED)、以及形成於有機發光二極體上以對應於傾斜側壁的相位轉移層。
相位轉移層可包含相位轉移膜與形成於相位轉移膜上之半透射膜。
有機發光二極體可包含形成於基板與光路導引層上的第一電極、形成於光路導引層上以覆蓋第一電極之邊緣的像素定義層、形成於第一電極上的有機發光構件、以及形成於有機發光構件上的第二電極。
第二電極可包含形成以對應漁光路導引層之傾斜側壁的第二電極側壁、以及形成於第二電極側壁上的相位轉移層。
相位轉移層可能傾斜。
第一電極可包含形成於光路導引層之傾斜側壁上的第一電極側壁，且第一電極側壁可面向相位轉移層。
第一電極可為反射電極。
相位轉移層之長度可小於第二電極側壁之長度。
此外，根據發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器可包含基板、形成於基板上且具有傾斜側壁的光路導引層、形成於 光路導引層之傾斜側壁上的相位轉移層、以及形成於基板與光路導引層上的有機發光二極體。
相位轉移層可包含形成於傾斜側壁上的半透射膜與形成於半透射膜上的相位轉移膜。
有機發光二極體可包含形成於光路導引層上的第一電極、形成於光路導引層上以覆蓋第一電極之邊緣的像素定義層、形成於第一電極上的有機發光構件、以及形成於有機發光構件上的第二電極。
相位轉移層可能傾斜。
第二電極可包含形成以對應於光路導引層之傾斜側壁的第二電極側壁，且第二電極側壁面對相位轉移層。
第二電極可為反射電極。
相位轉移層之長度可小於傾斜側壁之長度。
此外，根據發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器可包含基板、形成於基板上的驅動線路、形成於驅動線路上的色彩濾波器、以及形成於色彩濾波器上的有機發光二極體，而相位轉移層形成於驅動線路下。
相位轉移層可包含形成於驅動線路下的相位轉移膜與形成於相位轉移膜下的半透射膜。
有機發光二極體顯示器可進一步包含形成於色彩濾波器與有機發光二極體之間且其具有傾斜側壁的光路導引層，而有機發光二極體可包含形成於光路導引層上的第一電極、形成於光路導引層上以覆蓋 第一電極之邊緣的像素定義層、形成於第一電極上的有機發光構件、以及形成於有機發光構件上的第二電極。
第二電極可包含形成於光路導引層上的第二電極側壁，而第二電極可為反射電極。
驅動線路可包含切換薄膜電晶體(TFT)與一驅動薄膜電晶體。
根據發明之另一例示性實施例之有機發光二極體顯示器中，具有傾斜側壁的光路導引層係形成以致由有機發光構件產生之光全反射，因此提升光效率。
此外，相位轉移層形成於光路導引層上以致可最小化由光路導引層增加的外部光反射。
此外，於背面發光型式的有機發光二極體顯示器中，相位轉移層形成於驅動線路下以致可能移除由驅動線路引起的外部光反射。
此外，於背面發光型式的有機發光二極體顯示器中，由於相位轉移層形成於驅動線路下，並形成共振結構有機發光構件和色彩濾波器，以致可有效的阻擋外部光，而因此不需要添加用於阻擋外部光的偏振板，為此可降低製造成本。
90‧‧‧光路導引層
91‧‧‧傾斜側壁
110‧‧‧基板
120‧‧‧緩衝層
121‧‧‧掃描線
125‧‧‧驅動閘極電極
135‧‧‧驅動半導體層
140‧‧‧閘極絕緣層
160‧‧‧層間絕緣層
171‧‧‧數據線
172‧‧‧驅動電壓線
176‧‧‧驅動源極電極
177‧‧‧驅動汲極電極
180‧‧‧保護層
190‧‧‧像素定義層
210‧‧‧密封構件
300‧‧‧間隔物
400‧‧‧色彩濾波器
500‧‧‧覆蓋層
700、OLED‧‧‧有機發光二極體
710‧‧‧第一電極
711‧‧‧第一電極側壁
720‧‧‧有機發光構件
730‧‧‧第二電極
731‧‧‧第二電極側壁
800‧‧‧相位轉移層
810‧‧‧相位轉移層
820‧‧‧半透射層
Cst‧‧‧儲存電容器
d1、d2、d3‧‧‧長度
ELVDD‧‧‧驅動電壓
ELVSS‧‧‧共用電壓
Id‧‧‧輸出電流
P‧‧‧光
PX‧‧‧像素
T1‧‧‧切換薄膜電晶體
T2‧‧‧驅動薄膜電晶體
對於發明更完整之鑑賞以及其伴隨而來的許多優點，將藉由下文詳細說明而變得顯而易見且同樣地更易於理解，參照相關附圖中相同編號表示相同或相似元件，其中： 第1圖係根據發明之第一例示性實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器之像素的等效電路圖。
第2圖係根據發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器的剖面圖。
第3圖係說明根據發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之相位轉移層之外部光抵銷操作的圖。
第4圖係根據發明之第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器的剖面圖。
第5圖係根據發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器的剖面圖。
第6圖係根據發明之第四例示性實施例之有機發光二極體顯示器的剖面圖。
第7圖係根據發明之第五例示性實施例之有機發光二極體顯示器的剖面圖。
下文中，本發明將藉由參照附圖而更完整的描述所示之發明的例示性實施例。於本領域具有通常知識者將了解，在所有未脫離本發明之精神與範疇的情況下，所揭露之實施例可以各種不同的方式進行修改。
為了闡明本發明，則省略不相關之部分的描述。於整體說明書中，相同的參考符號表示相同或相似的組成構件。
此外，於附圖中組成構件的尺寸和厚度為更易於理解與便於描述，而任意的表示，但本發明不以此所侷限。
在附圖中，為清楚起見而誇大了層、膜、面板、區域等的厚度。在附圖中，為了更易於理解和便於描述，而誇大部分層與區域的厚度。但應理解的是，當一個構件，如層、膜、區域或基板被稱為在另一構件「上(on)」時，其可直接在另一元件上或可存在中間構件。
此外，除非明確說明反例，用語「包括(comprise)」以及變化型，如「包括(comprises)」或「包括(comprising)」，將理解為意在包括規定的構件，而非排除任何其它元件。此外，於整體說明書中，「在...上(on)」係表示一部分位於目標部分的上方或下方，而不一定意味該部分係位在目標部分的重力方向上。
此外，於附圖中，兩電晶體一電容器(2Tr 1Cap)之主動矩陣(AM)型式的有機發光二極體(OLED)顯示器係說明其像素包含兩個薄膜電晶體(TFT)與一個電容器。然而，本發明不以此型式所限制。因此，有機發光二極體之像素可具有各種包含複數個薄膜電晶體與至少一個電容器的結構，其可進一步形成線路，而可省略傳統的線路。於此，像素表示顯示影像的最小單元，且有機發光二極體顯示器係通過複數個像素顯示影像。
根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器將參考第1圖至第3圖而詳細描述。
第1圖係根據發明之第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器之像素的等效電路圖。
如第1圖所示，根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器其包含複數個訊號線121、171、以及172與連接至訊號線121、171、以及172且排列於陣列中的複數個像素PX。
訊號線包含複數個傳輸掃描訊號(或閘極訊號)的掃描線121、複數個傳輸數據訊號的數據線171、以及傳輸驅動電壓ELVDD的複數個驅動電壓線172。掃描線121於列之方向相互平行，而數據線171和驅動電壓線172於行之方向相互平行。各個像素PX包含切換薄膜電晶體T1、驅動薄膜電晶體T2、儲存電容器Cst、以及有機發光二極體(OLED)。
切換薄膜電晶體T1包含控制端、輸入端、以及輸出端。控制端連接至掃描線121，輸入端連接至數據線171，而輸出端連接至驅動薄膜電晶體T2。切換薄膜電晶體T1傳輸施加於數據線171之數據訊號至驅動薄膜電晶體T2，其相應施加於掃描線121之掃描訊號。
驅動薄膜電晶體T2亦包含控制端、輸入端、以及輸出端。 控制端連接至切換薄膜電晶體T1，輸入端連接至驅動電壓線172，而輸出端連接至有機發光二極體。輸出電流Id由驅動薄膜電晶體T2流出，且於控制端與輸出端之間電壓變化巨大。
儲存電容器Cst連接於驅動薄膜電晶體T2之控制端與輸入端之間。儲存電容器Cst將施加到驅動薄膜電晶體T2的控制端之數據訊號充電，且於切換薄膜電晶體T1關閉後維持充電的數據訊號。
有機發光二極體包含連接至驅動薄膜電晶體T2之輸出端的第一電極(陽極)、連接至共用電壓ELVSS的第二電極(陰極)、以及形 成於第一電極與第二電極之間的有機發光構件。有機發光二極體以隨著驅動薄膜電晶體T2之輸出電流Id變化之發光強度而發光以顯示影像。
切換薄膜電晶體T1與驅動薄膜電晶體T2可為n通道場效電晶體(field effect transistors,FET)或p通道場效電晶體。而於薄膜電晶體T1、薄膜電晶體T2、電容器Cst、以及有機發光二極體之間的連接關係可被改變。
根據第一例示性實施例之OLED顯示器的結構將參考第2圖至第3圖時一同參考上述描述之第1圖上的驅動薄膜電晶體T2而詳細描述。
第2圖係根據發明之第一例示性實施例之薄膜電晶體顯示器的剖面圖，而第3圖係說明根據第一例示性實施例之薄膜電晶體顯示器之相位轉移層之外部光抵銷操作的圖。
如第2圖所述，根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器，緩衝層120形成於基板110上。基板110可為由玻璃、石英、陶瓷材料、或塑料形成的絕緣基板，而緩衝層120可為由氮化矽(SiNx)形成的單層或為由氮化矽(SiNx)與氧化矽(SiO2)層疊形成的雙層。緩衝層120平坦化表面且防止不必要的成分滲入，如雜質或水分。
驅動半導體層135形成於緩衝層120上。驅動半導體層135可由多晶矽或氧化半導體形成。氧化半導體可包含基於鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鍺(Ge)、鉭(Ta)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)、以及銦(In)的氧化物之其中之一與鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鍺(Ge)、鉭(Ta)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、 錫(Sn)、銦(In)的複合氧化物之氧化鋅(ZnO)、銦鎵鋅氧化物(InGaZnO4)、銦-鋅氧化物(Zn-In-O)、鋅-錫氧化物(Zn-Sn-O)、銦-鎵氧化物(In-Ga-O)、銦-錫氧化物(In-Sn-O)、銦-鋯氧化物(In-Zr-O)、銦-鋯-鋅氧化物(In-Zr-Zn-O)、銦-鋯-錫氧化物(In-Zr-Sn-O)、銦-鋯-鎵氧化物(In-Zr-Ga-O)、銦-鋁氧化物(In-Al-O)、銦-鋅-鋁氧化物(In-Zn-Al-O)、銦-錫-鋁氧化物(In-Sn-Al-O)、銦-鋁-鎵氧化物(In-Al-Ga-O)、銦-鉭氧化物(In-Ta-O)、銦-鉭-鋅氧化物(In-Ta-Zn-O)、銦-鉭-錫氧化物(In-Ta-Sn-O)、銦-鉭-鎵氧化物(In-Ta-Ga-O)、銦-鍺氧化物(In-Ge-O)、銦-鍺-鋅氧化物((In-Ge-Zn-O)、銦-鍺-錫氧化物(In-Ge-Sn-O)、銦-鍺-鎵氧化物(In-Ge-Ga-O)、鈦-銦-鋅氧化物(Ti-In-Zn-O)、以及鉿-銦-鋅氧化物(Hf-In-Zn-O)。當由氧化物半導體形成驅動半導體層135，則可添加保護層保護易於例如高溫之外在環境受損的氧化物半導體。
驅動半導體層135包含未摻雜雜質的通道區域與摻雜雜質的源極區域和汲極區域於通道區域之兩邊上。於此，雜質隨著薄膜電晶體的類型變化而可為N型雜質或P型雜質。
閘極絕緣層140形成於驅動半導體層135上。閘極絕緣層140可為單層或包含氮化矽或氧化矽至少其中之一的複數層。
驅動閘極電極125形成於閘極絕緣層140上。層間絕緣層160形成於驅動閘極電極125上。層間絕緣層160可與閘極絕緣層140一樣由氮化矽或氧化矽形成。
驅動源極電極176與驅動汲極電極177形成於層間絕緣層160上。驅動源極電極176與驅動汲極電極177通過形成於閘極絕緣層140與層間絕緣層160中的接觸孔連接於驅動半導體層135。
如上述所述，形成包含驅動半導體層135、驅動閘極電極125、驅動源極電極176、以及驅動汲極電極177之驅動薄膜電晶體T2。 驅動薄膜電晶體T2的結構不以上述描述之例子所限制，而是可由所屬領域具有通常知識者輕易執行各種所知悉的修改。
具有傾斜側壁91之光路導引層90係形成於保護層180上。 光路導引層90包含由傾斜側壁91作為邊界定義的孔洞，且通過光路導引層90的孔洞而曝露保護層180。
第一電極710形成於曝露之保護層180與光路導引層90上。第一電極710可為由具有高反射率之金屬如銀(Ag)或鋁(Al)或銀(Ag)與鋁(Al)之合金形成的反射電極。第一電極710通過形成於層間絕緣層160中的接觸孔電性連接至驅動薄膜電晶體T2的驅動汲極電極177。大部分的第一電極710形成於保護層180上，而第一電極710之第一電極側壁711形成於光路導引層90之傾斜側壁91上。由於由反射電極形成的第一電極側壁711傾斜，則其可能防止光由有機發光構件720側邊邊緣產生，而具有行進至上表面之光以致可提升光效率。
覆蓋第一電極710的邊緣之像素定義層190係形成於光路導引層90上之，而有機發光構件720係形成於第一電極710與像素定義層190上。像素定義層190可由聚丙烯樹脂與聚亞醯胺樹脂或以二氧化矽為基礎的無機材料形成。
有機發光構件720可為由包含有機發光層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)之至少其中之一形成之多層。當有機發光構件720包含所有的有機發光層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)而配置於作為陽極的第一電極710上時，則電洞傳輸層(HTL)、有機發光層、電子傳輸層(ETL)、以及電子注入層(EIL)係依序堆疊於電洞注入層(HIL)上。
有機發光層可包含發出紅光的紅色有機發光層、發出綠光的綠色有機發光層、以及發出藍光的藍色有機發光層。紅色有機發光層、綠色有機發光層、以及藍色有機發光層可分別形成於紅色像素、綠色像素、以及藍色像素，因而實現彩色影像。
此外，於有機發光層中，可分別堆疊紅色有機發光層、綠色有機發光層、以及藍色有機發光層於紅色像素、綠色像素、以及藍色像素中，且可分別形成紅色濾波器、綠色濾波器、以及藍色濾波器於紅色像素、綠色像素、以及藍色像素中，因而實現彩色影像。於另一例子中，發出白光的白色有機發光層中可形成於各個紅色像素、綠色像素、以及藍色像素中，且紅色濾波器、綠色濾波器、以及藍色濾波器可分別形成於紅色像素、綠色像素、以及藍色像素中，因而實現彩色影像。當使用白色有機發光層與色彩濾波器實現彩色影像，則用以分別沉積紅色有機發光層、綠色有機發光層、以及藍色有機發光層於紅色像素、綠色像素、以及藍色像素上之沉積遮罩可不需使用。
於其他例子中所描述之白色有機發光層可由一個有機發光層與可堆疊之複數個有機發光層形成以發出白光。舉例來說，可相互結合至少一個黃色有機發光層與至少一個藍色有機發光層而用以發出白光、可相互結合至少一個青色有機發光層與少一個紅色有機發光層而用以發出白光、以及可相互結合至少一個洋紅色有機發光層與少一個綠色有機發光層而用以發出白光。
第二電極730形成於有機發光構件720上。第二電極730可由透明導電氧化物形成，如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)以發光。因此，由於形成包含第一電極710、有機發光構件720、以及第二電極730之有機發光二極體(OLED)700，則第一電極710形成為反射電極，而第二電極形成為730形成為透明電極，而形成光向上表面行進之上表面發光型式的OLED顯示器。
於第二電極730中，第二電極側壁731係形成相應於光路導引層90之傾斜側壁91，而相位轉移層800係形成於第二電極側壁731之整個區域上。因此，相位轉移層800為傾斜且第一電極側壁711面向於相位轉移層800。
如第3圖所示，相位轉移層800包含形成於第二電極側壁731上的相位轉移層810與形成於相位轉移膜810上的半透射膜820。相位轉移膜810包含具有高折射率的無機薄膜層，例如Alq3與ZnSe，且為了控制相位轉移角度而可控制相位轉移層810的厚度與折射率。半透射膜820包含無機金屬層，例如Mg：Ag。
外部入射光通過半透射膜820時，部分光反射，而剩餘的光穿透。穿透光由為反射電極的第一電極側壁711反射以致通過相位轉移膜810之光的相位轉移180度。因此，由於由半透射膜820反射之部分外部光、以及由第一電極側壁711反射之剩餘部分的外部光係相位轉移180度而干擾抵銷，外部光被抵銷，而外部光之反射率係為最小值。
保護有機發光二極體700的密封構件210(第2圖)形成於第二電極730上，且密封構件210係由透明材料形成，如玻璃與塑料，或由包含複數個薄膜之薄膜封裝層所形成。薄膜封裝層可由至少一個有機層與至少一個無機層交替推疊而成。
有機層係由聚合物形成，且可為單層或由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyeleneterepthalate,PET)、聚亞醯胺、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、環氧樹脂、以及聚丙烯酸(polyacrylate,PAR)之其中之一形成的堆疊層。有機層較佳地可由聚碳酸酯(PC)形成。明確地說，有機層包含聚合單體組合物，其包含二丙烯酸酯單體和三丙烯酸酯單體。單體組合物可進一步包含丙烯酸酯單體。此外，單體組合物可進一步包含眾所知悉的光起始劑，如TPO，不以此成分所限制。
無機層可為單層或包含金屬氧化物或金屬氮化物的堆疊層。明確地說，無機層可包含SiNx、Al2O3、SiO2、以及TiO2之其中一個。在薄膜封裝層中，暴露於外側之最上層可由無機層形成以防止有機發光構件潮濕。
此外，薄膜封裝層可包含至少一三明治結構，其中至少一有機層係插入於至少兩個無機層中。此外，薄膜封裝層可包含至少一三明治結構，其中至少一無機層係插入於至少兩個有機層中。
於另一方面，根據第一例示性實施例，相位轉移層係形成於第二電極側壁之整個區域上。然而，第二例示性實施例，相位轉移層只形成於第二電極側壁之部分區域上，其係可行地。
第4圖係根據發明之第二例示性實施例之OLED顯示器的剖面圖。
由於第4圖說明之例示性實施例大致相同於第2圖說明之例示性實施例，除了相位轉移層之結構外其多餘的描述將省略。
如第4圖所示，根據第二例示性實施例之OLED顯示器，相位轉移層800形成於第二電極側壁731之部分區域上。亦即，相位轉移層800的長度d1係形成以小於第二電極側壁731之長度d2。因此，相比於相位轉移層800形成於第二電極側壁731之整個區域上的第一例示性實施例，其可提升光效率。
於另一方面，於第一例示性實施例中，相位轉移層形成於上表面發光型式的有機發光二極體顯示器中。然而，第三例示性實施例，相位轉移層形成於背面發光型式的有機發光二極體顯示器中，其係可行地。
第5圖係根據發明之第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器的剖面圖。
由於第5圖說明之例示性實施例大致相同於第2圖說明之例示性實施例，除了相位轉移層之位置外其多餘的描述將省略。
如第5圖所示，根據第三例示性實施例之有機發光二極體顯示器，具有傾斜側壁91之光路導引層90係形成於保護層180上。光路導引層90包含由傾斜側壁91作為邊界所定義的孔洞，且通過光路導引層90的孔洞曝露保護層180。
第一電極710形成於光路導引層90上。第一電極710可由透明導電氧化物形成，如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)以發光。第一電極710通過於保護層180與光路導引層90中形成的接觸孔電性連接驅動薄膜電晶體T2的驅動汲極電極177。
由於相位轉移層800形成於光路導引層90之傾斜側壁91上，則相位轉移層800之位置為傾斜。為了提升光效率，相位轉移層800可形成於傾斜側壁91之整個區域上且可形成於傾斜側壁91之部分區域上。亦即，過渡層800的長度d1可形成小於傾斜側壁91之長度d3。
相位轉移層800包含形成於傾斜側壁91上的半透射膜820與形成於半透射膜820上的相位轉移膜810。
覆蓋第一電極710之邊緣的像素定義層190係形成於光路導引層90與相位轉移層800上，而為了維持像素定義層190與用以密封有機發光二極體700之密封構件210之間的距離，則形成間隔物300於像素定義層190上。有機發光構件720形成於第一電極710、像素定義層190、以及間隔物300上。
第二電極730形成於有機發光構件720上。第二電極730可為由具有高反射率之金屬如銀(Ag)或鋁(Al)或銀(Ag)與鋁(Al)之合金形成的反射電極。因此，由於形成包含第一電極710、有機發光構件720、以及第二電極730之有機發光二極體700，則第一電極710形成為透明電極，且第二電極730形成為反射電極，背面發光型式的有機發光二極體顯示器係形成，其中光係向背面行進。
由於形成為反射電極的第二電極側壁731傾斜，其可防止由有機發光構件720產生的光P從其側邊漏出並且具有向上表面行進的光，因此其可提升光效率。
由於第二電極側壁731面向相位轉移層800且有機發光二極體顯示器為背面發光的型式，外部光由背面通過半透射膜820入射，且部分光反射，而剩餘的光穿透。穿透光由為反射電極的第二電極側壁731反射以致通過相位轉移層810之光的相位轉移為180度。因此，由半透射膜820反射之部分外部光及由第二電極側壁731反射之剩餘部分的外部光係相位轉移180度而干涉抵銷，則外部光被抵銷，而外部光之反射率係為最小值。
為保護有機發光二極體700的密封構件210形成於第二電極730上，而密封構件210係由透明材料形成，如玻璃與塑料、或包含複數個薄膜的薄膜封裝層。
另一方面，於第三例示性實施例之背面發光型式的有機發光二極體顯示器中，相位轉移層800形成於光路導引層90之傾斜側壁上。 然而，於第四例示性實施例之背面發光型式的有機發光二極體顯示器中相位轉移層800形成於驅動線路下，其係可行地。
第6圖係根據發明之第四例示性實施例之有機發光二極體顯示器的剖面圖。
由於第6圖說明之第四例示性實施例大致相同於第5圖說明之第三例示性實施例，實際上除了未存在的光路導引層與形成於驅動線路下的相位轉移層外，其多餘的描述將省略。
如第6圖所述，根據第四例示性實施例之有機發光二極體顯示器，相位轉移層800形成於驅動線路之間，如驅動薄膜電晶體T2、以及切換薄膜電晶體(未繪示)與基板110。相位轉移層800包含形成於驅動線路下的相位轉移膜810與形成於相位轉移膜810下的半透射膜820。
由於有機發光二極體顯示器為背面發光的型式，外部光由背面通過半透射膜820而入射，使部分光反射而剩餘的光穿透。穿透的光藉由以反射材料形成的驅動線路反射，以致光藉由相位轉移層810而相位轉移180度。因此，由於由半透射膜820反射之部分的外部光、以及由驅動線路反射之剩餘部分的外部光係相位轉移180度，被干涉抵銷，則外部光被抵銷，且外部光之反射率係為最小值。
另一方面，色彩濾波器400形成於保護層180上，而用以保護色彩濾波器400的覆蓋層500形成於色彩濾波器400上。
第一電極710形成於覆蓋層500上。第一電極710可由透明導電氧化物形成，如ITO或IZO，因此穿透光。
覆蓋第一電極710之邊緣的像素定義層190係形成於覆蓋層500上，且為了維持像素定義層190與用於密封有機發發光二極體700之密封構件210之間的距離，而形成間隔物300於像素定義層190上。有機發光構件720形成於第一電極710、像素定義層190、以及間隔物300上。第二電極730形成於有機發光構件720與間隔物300上。因此，形成包含第一電極710、有機發光構件720、以及第二電極730之有機發光二極體700。
由於有機發光構件720可為由包含有機發光層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)之至少其中之一形成之多層，則可控制有機發光層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)的厚度與材料，以致有機發光構件720具有共振結構。形成具有共振結構的有機發光構件720，吸收其發光的波長。
由於具有共振結構的有機發光構件720形成，且形成與有機發光構件720之發光色彩相同之色彩濾波器400，因而使在由外部入射的外部光中，只有具有與色彩濾波器400相同色彩之光通過色彩濾波器400，且其穿透光由有機發光構件720的共振結構吸收，則外部光被抵銷。 舉例來說，由於在通過藍色濾波器之外部光中，只有藍色波長的光穿透而使其入射到有機發光構件上，且藍色有機發光構件吸收藍色波長的光，則其外部光被抵銷。
如上述之描述，由於在背面發光型式的OLED顯示器中，相位轉移層800形成於驅動線路下，且形成共振結構的有機發光構件720 與色彩濾波器400，以致可有效地阻隔外部光，且不需要用於阻擋外部光的額外偏振板，為此可降低製造成本。
另一方面，於第四例示性實施例之背面發光型式的有機發光二極體顯示器中，未形成光路導引層。然而，於第五例示性實施例，形成光路導引層與像素定義層於背面發光型式的有機發光二極體顯示器中，其係可行地。
第7圖係根據發明之第五例示性實施例之有機發光二極體顯示器的剖面圖。
由於第7圖說明之第五例示性實施例大致相同於第6圖說明之第四例示性實施例，實際上除了光路導引層之形成外，其多餘的描述將省略。
如第7圖所示，根據發明之第五例示性實施例之有機發光二極體顯示器，相位轉移層800形成於驅動線路之間，如驅動薄膜電晶體T2、以及切換薄膜電晶體(未繪示)與基板110。相位轉移層800包含形成於驅動線路下的相位轉移膜810與形成於相位轉移膜810下的半透射膜820。
由於有機發光二極體顯示器為背面發光的型式，外部光由背面通過半透射膜820而入射，使部分光反射而剩餘的光穿透。由反射材料形成的驅動線路反射穿透光，以致光的相位由相位轉移膜810轉移為180度。因此，由半透射膜820反射之部分的外部光、由驅動線路反射之剩餘部分的外部光係被相位轉移180度，而干涉抵銷，則外部光被抵銷，且外部光之反射率係為最小值。
另一方面，色彩濾波器400形成於保護層180上，而用以保護色彩濾波器400的覆蓋層500形成於色彩濾波器400上。具有傾斜側壁91之光路導引層90係形成於覆蓋層500上。第一電極710形成於光路導引層90上。第一電極710可由透明導電氧化物形成，如ITO或IZO，因此穿透光。第一電極710係通過形成於層間絕緣層160的接觸孔電性連接至驅動薄膜電晶體T2之驅動汲極電極177。
覆蓋第一電極710的邊緣之像素定義層190形成於光路導引層90與相位轉移層800上，且為了維持像素定義層190與用於密封有機發光二極體700之密封構件210之間的距離而形成間隔物300於像素定義層190上。有機發光構件720形成於第一電極710、像素定義層190、以及間隔物300上。
第二電極730形成於有機發光構件720上。第二電極730可為由具有高反射率之金屬形成的反射電極，如銀(Ag)或鋁(Al)或銀(Ag)與鋁(Al)之合金。因此，形成包含第一電極710、有機發光構件720、以及第二電極730之有機發光二極體700。第一電極710形成為穿透電極，而第二電極730形成為反射電極，則形成光行進至背面之背面發光型式有機發光二極體顯示器。
由於第二電極側壁731由反射電極形成為傾斜，則其可能防止有機發光構件720產生之光P由側邊漏出，與具有行進至上表面的光，以致可提升光效率。
由於有機發光構件720可為由包含有機發光層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)之至 少其一所形成之多層，則可控制有機發光層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)的厚度與材料，以致有機發光構件720具有共振結構。形成以具有共振結構的有機發光構件720吸收其發光的波長。
由於具有共振結構的有機發光構件720形成，且形成與有機發光構件720之發光色彩相同之色彩濾波器400，因而使在由外部入射的外部光中，其只有具有與色彩濾波器400相同色彩之光通過色彩濾波器400，且穿透光由有機發光構件720的共振結構吸收，則外部光被抵銷。 舉例來說，由於在通過藍色濾波器之外部光中只有藍色波長的光穿透而使其入射到有機發光構件上，且藍色有機發光構件吸收藍色波長的光，則外部光被抵銷。
如上述之描述，由於在背面發光型式有機發光二極體顯示器中，相位轉移層800形成於驅動線路下，且形成共振結構的有機發光構件720與色彩濾波器400以致可有效地阻隔外部光，且不需要使用用於阻擋外部光的額外偏振板，為此可降低製造成本。
雖然此揭露已描述目前認為最為具體之例示性實施例，可以理解的是本發明不侷限於揭示之實施例，相反的，是旨在包含任何未脫離所附申請專利範圍中之精神與範疇下，而進行之各種修改或等效之變更。
90‧‧‧光路導引層
91‧‧‧傾斜側壁
110‧‧‧基板
120‧‧‧緩衝層
125‧‧‧驅動閘極電極
135‧‧‧驅動半導體層
140‧‧‧閘極絕緣層
160‧‧‧層間絕緣層
176‧‧‧驅動源極電極
177‧‧‧驅動汲極電極
180‧‧‧保護層
190‧‧‧像素定義層
210‧‧‧密封構件
700‧‧‧有機發光二極體
710‧‧‧第一電極
711‧‧‧第一電極側壁
720‧‧‧有機發光構件
730‧‧‧第二電極
731‧‧‧第二電極側壁
800‧‧‧相位轉移層
T2‧‧‧驅動薄膜電晶體

Claims (17)

  1. 一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包含：一基板；一光路導引層，形成於該基板上且具有複數個傾斜側壁；一有機發光二極體(OLED)，形成於該基板與該光路導引層上，其中該有機發光二極體包含：一第一電極，形成於該基板與該光路導引層上；一像素定義層，形成於該光路導引層上以覆蓋該第一電極之一邊緣；一有機發光構件，形成於該第一電極上；以及一第二電極，形成於該有機發光構件上；以及一相位轉移層，形成於該有機發光二極體上且其設置平行於其中一該複數個傾斜側壁以對應該傾斜側壁；其中該第二電極包含一第二電極側壁設置平行於其中一該複數個傾斜側壁以對應該光路導引層之該傾斜側壁；其中該相位轉移層形成於該第二電極側壁上；其中該光路導引層具有由該傾斜側壁定義的一第一開口，該像素定義層具有一第二開口暴露該第一電極，並且該第一開口大於該第二開口。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該相位轉移層包含一相位轉移膜與形成於該相位轉移膜上之一半透射膜。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該相位轉移層係傾斜。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電極包含形成於該光路導引層之該傾斜側壁上之一第一電極側壁；以及其中該第一電極側壁面向該相位轉移層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一電極係一反射電極。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該相位轉移層之一長度係小於該第二電極側壁之一長度。
  7. 一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包含：一基板；一光路導引層，形成於該基板上且具有一傾斜側壁；一相位轉移層，直接形成於該光路導引層之該傾斜側壁上；以及一有機發光二極體(OLED)，形成於該基板與該光路導引層上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該相位轉移層包含形成於該傾斜側壁上之一半透射膜與形成於該半透射膜上之一相位轉移膜。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該有機發光二極體包含：一第一電極，形成於該光路導引層上； 一像素定義層，形成於該光路導引層上以覆蓋該第一電極之一邊緣；一有機發光構件，形成於該第一電極上；以及一第二電極，形成於該有機發光構件上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光二極體顯示器，其中該相位轉移層係傾斜。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二電極包含一第二電極側壁，其係設置平行於該傾斜側壁以對應於該光路導引層之該傾斜側壁；以及其中該第二電極側壁面對該相位轉移層。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二電極係一反射電極。
  13. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該相位轉移層之一長度係小於該傾斜側壁之一長度。
  14. 一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包含：一基板；一驅動線路，其係形成於該基板上；一色彩濾波器，形成於該驅動線路上；一有機發光二極體，形成於該色彩濾波器上；以及一光路導引層，形成於該色彩濾波器與該有機發光二極體之間，且其具有一傾斜側壁；其中一相位轉移層形成於該驅動線路下， 其中該色彩濾波器具有與該有機發光二極體相同的發光色彩，以及其中該有機發光二極體包含：一第一電極，形成於該光路導引層上；一像素定義層，形成於該光路導引層上以覆蓋該第一電極之一邊緣；一有機發光構件，形成於該第一電極上；以及一第二電極，形成於該有機發光構件上。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光二極體顯示器，其中該相位轉移層包含形成於該驅動線路下之一相位轉移膜與形成於該相位轉移膜下之一半透射膜。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二電極包含形成於該光路導引層上之一第二電極側壁；以及其中該第二電極係一反射電極。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機發光二極體顯示器，其中該驅動線路包含一切換薄膜電晶體(TFT)與一驅動薄膜電晶體。
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