KR20140115194A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 경사 측벽을 가지는 광 경로 안내막, 상기 기판 및 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 유기 발광 다이오드, 상기 유기 발광 다이오드 위에 형성되어 있으며 상기 경사 측벽에 대응하는위치에 형성되어 있는 위상 전이층을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 광 경로 안내막에 위상 전이층을 형성함으로써 광 경로 안내막에 의해높아진 외광 반사율을 최소화할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}
본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극인 애노드, 유기 발광층 및 전자 주입 전극인 캐소드로 구성되는 유기 발광 소자들을 포함한다. 각각의 유기 발광 소자는 유기 발광층 내부에서 전자와 정공이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 발광하고, 이러한 발광을 이용하여 유기 발광 표시 장치가 소정의 영상을 표시한다.
이러한 유기 발광 표시 장치의 유기 발광층에서 발생한 광은 애노드, 캐소드 또는 박막 트랜지스터 등의 구동 배선에서 부분적으로 또는 전체적으로 반사되기 때문에 외부로 취출되는 광의 효율이 감소하게 된다. 이를 개선하기 위하여, 유기층들의 두께를 조절하여 광의 보강 간섭이 일어나게 하여 광 효율을 증가시키는 공진 구조를 형성하였다. 그러나, 이와 같은 공진 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치는 광 효율이 증가되나, 측면에서의 컬러 쉬프트(color shift)에 따라 시인성이 저하되는 문제가 발생한다.
본 발명은 광 효율을 증가시키는 동시에 외광 반사율을 감소시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 경사 측벽을 가지는 광 경로 안내막, 상기 기판 및 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 유기 발광 다이오드, 상기 유기 발광 다이오드 위에 형성되어 있으며 상기 경사 측벽에 대응하는 위치에 형성되어 있는 위상 전이층을 포함할 수 있다.
상기 위상 전이층은 위상 전이막, 상기 위상 전이막 위에 형성되어 있는 반투과막을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 다이오드는 상기 기판 및 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 전극의 가장자리를 덮고 있는 화소 정의막, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극은 상기 광 경로 안내막의 경사 측벽에 대응하는 위치에 형성되어 있는 측벽 제2 전극을 포함하고, 상기 위상 전이층은 상기 측벽 제2 전극 위에 형성되어 있을 수 있다.
상기 위상 전이층은 경사지게 위치하고 있을 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 광 경로 안내막의 경사 측벽 위에 형성되어 있는 측벽 제1 전극을 포함하고, 상기 측벽 제1 전극은 상기 위상 전이층과 마주보고 있을 수 있다.
상기 제1 전극은 반사 전극일 수 있다.
상기 위상 전이층의 길이는 상기 측벽 제2 전극의 길이보다 짧은 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 경사 측벽을 가지는 광 경로 안내막, 상기 광 경로 안내막의 경사 측벽 위에 형성되어 있는 위상 전이층, 상기 기판 및 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 위상 전이층은 상기 경사 측벽 위에 형성되어 있는 반투과막, 상기 반투과막 위에 형성되어 있는 위상 전이막을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 다이오드는 상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 전극의 가장자리를 덮고있는 화소 정의막, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 위상 전이층은 경사지게 위치하고 있을 수 있다.
상기 제2 전극은 상기 광 경로 안내막의 경사 측벽 위에 형성되어 있는 측벽 제2 전극을 포함하고, 상기 측벽 제2 전극은 상기 위상 전이층과 마주보고 있을 수 있다.
상기 제2 전극은 반사 전극일 수 있다.
상기 위상 전이층의 길이는 상기 경사 측벽의 길이보다 짧을 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 구동 배선, 상기 구동 배선 위에 형성되어 있는 색필터, 상기 색필터 위에 형성되어 있는 유기 발광 다이오드를 포함하고, 상기 구동 배선 아래에는 위상 전이층이 형성되어 있을 수 있다.
상기 위상 전이층은 구동 배선 아래에 형성되어 있는 위상 전이막, 상기 위상 전이막 아래에 형성되어 있는 반투과막을 포함할 수 있다.
상기 색필터와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 형성되어 있으며 경사 측벽을 가지는 광 경로 안내막을 더 포함하고, 상기 유기 발광 다이오드는 상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 전극의 가장자리를 덮고있는 화소 정의막, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재, 상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극은 상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 측벽 제2 전극을 포함하고, 상기 제2 전극은 반사 전극일 수 있다.
상기 구동 배선은 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 경사 측벽을 가지는 광 경로 안내막을 형성함으로써, 유기 발광 부재에서 발생한 광을 전반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있다.
또한, 광 경로 안내막에 위상 전이층을 형성함으로써 광 경로 안내막에 의해높아진 외광 반사율을 최소화할 수 있다.
또한, 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치에서 구동 배선 아래에 위상 전이층을 형성함으로써 구동배선에 의한 외광 반사를 제거할 수 있다.
또한, 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치에서 구동 배선 아래에 위상 전이층을 형성하고, 공진 구조의 유기 발광 부재 및 색필터를 형성함으로써, 외광을 차단하여 외부광 차단을 위한 별도의 편광판을 사용하지 않아도 되므로 제조 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 위상 전이층의 외광 상쇄 작용을 설명한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "~상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 2개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 1개의 캐패시터(capacitor)를 구비하는 2Tr 1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 복수개의 박막 트랜지스터와 하나 이상의 캐패시터를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되거나 기존의 배선이 생략되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
그러면 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1 내지 도 3을 참고로 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 한 화소의 등가 회로도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(PX)를 포함한다.
신호선은 스캔 신호(또는 게이트 신호)를 전달하는 복수의 스캔선(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(171) 및 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 복수의 구동 전압선(172)을 포함한다. 스캔선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 각 화소(PX)는 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(T1), 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(T2), 스토리지 캐패시터(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스캔선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막 트랜지스터(T2)에 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(T1)는 스캔선(121)에 인가되는 스캔 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(T2)에 전달한다.
구동 박막 트랜지스터(T2) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 박막 트랜지스터(T1)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(OLED)에 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(T2)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(Id)를 흘린다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 스토리지 캐패시터(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(T2)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 박막 트랜지스터(T1)가 턴 오프(turn off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(T2)의 출력 단자에 연결되어 있는 제1 전극(anode), 공통 전압(ELVSS)에 연결되어 있는 제2 전극(cathode) 및 제1 전극 및 제2 전극 사이에 형성되어 있는 유기 발광 부재를 가진다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(T2)의 출력 전류(Id)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
스위칭 박막 트랜지스터(T1) 및 구동 박막 트랜지스터(T2)는 n 채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET) 또는 p 채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 그리고, 박막 트랜지스터(T1, T2), 축전기(Cst) 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 연결 관계는 바뀔 수 있다.
그러면 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조에 대하여 도 2 및 도 3을 앞에서 설명한 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명하며, 구동 박막 트랜지스터(T2)를 중심으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이고, 도3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 위상 전이층의 외광 상쇄 작용을 설명한 도면이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(110) 위에는 버퍼층(120)이 형성되어 있다. 기판(110)은 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판일 수 있으며, 버퍼층(120)은 질화규소(SiNx)의 단일막 또는 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiO2)가 적층된 이중막 구조로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 불순물 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지하면서 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 한다.
버퍼층(120) 위에는 구동 반도체층(135)이 형성되어 있다. 이러한 구동 반도체층(135)은 폴리 실리콘 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있으며, 산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(Zn-In-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O) 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 반도체층(135a, 135b)이 산화물 반도체로 이루어지는 경우에는 고온 등의 외부 환경에 취약한 산화물 반도체를 보호하기 위해 별도의 보호층이 추가될 수 있다.
구동 반도체층(135)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 가능하다.
구동 반도체층(135) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 질화 규소 및 산화 규소 중 적어도 하나를 포함한 단층 또는 복수층일 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 구동 게이트 전극(125)이 형성되어 있다. 구동 게이트 전극(125) 위에는 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 형성될 수 있다.
층간 절연막(160) 위에는 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)이 형성되어 있다. 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 각각 층간 절연막(160) 및 게이트 절연막(140)에 형성된 접촉 구멍을 통해 구동 반도체층(132)과 연결된다.
이와 같이, 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(125), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한 구동 박막 트랜지스터(T2)가 형성된다. 구동 박막 트랜지스터(T2)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않고, 당해 기술 분야의 전문가가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.
보호막(180) 위에는 경사 측벽(91)을 가지는 광 경로 안내막(90)이 형성되어 있다. 광 경로 안내막(90)은 경사 측벽(91)을 경계로 복수개로 분리되어 있으며, 광 경로 안내막(90)이 서로 분리된 부분을 통해 보호막(180)이 노출되어 있다.
노출된 보호막(180) 및 광 경로 안내막(90) 위에는 제1 전극(710)가 형성되어 있다. 제1 전극(710)는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 따위의 반사도가 높은 금속, 또는 이들의 합금 등의 반사 전극으로 만들어질 수 있다. 제1 전극(710)는 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍을 통해서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 구동 드레인 전극(177)과 전기적으로 연결된다. 제1 전극(710)의 대부분은 보호막(180) 위에 형성되어 있으며, 제1 전극(710) 중 측벽 제1 전극(711)는 광 경로 안내막(90)의 경사 측벽(91) 위에 형성되어 있다. 이러한 측벽 제1 전극(711)는 반사 전극으로 형성되고 경사지게 형성되므로 유기 발광 부재(720)에서 발생한 광이 측면으로 새는 것을 방지하고 전면으로 광이 진행하도록 함으로써 광 효율을 증가시킬 수 있다.
광 경로 안내막(90) 위에는 제1 전극(710)의 가장자리를 덮는 화소 정의막(190)이 형성되어 있고, 제1 전극(710) 및 화소 정의막(190) 위에는 유기 발광 부재(720)가 형성되어 있다. 화소 정의막(350)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.
유기 발광 부재(720)는 유기 발광층, 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 이들 모두를 포함할 경우, 정공 주입층이 양극인 제1 전극(710) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.
유기 발광층은 적색을 발광하는 적색 유기 발광층, 녹색을 발광하는 녹색 유기 발광층 및 청색을 발광하는 청색 유기 발광층을 포함할 수 있으며, 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층은 각각 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 형성되어 컬러 화상을 구현하게 된다.
또한, 유기 발광층은 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 모두 함께 적층하고, 각 화소별로 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수 있다. 다른 예로, 백색을 발광하는 백색 유기 발광층을 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소 모두에 형성하고, 각 화소별로 각각 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 형성하여 컬러 화상을 구현할 수도 있다. 백색 유기 발광층과 색필터를 이용하여 컬러 화상을 구현하는 경우, 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층을 각각의 개별 화소 즉, 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 증착하기 위한 증착 마스크를 사용하지 않아도 된다.
다른 예에서 설명한 백색 유기 발광층은 하나의 유기 발광층으로 형성될 수 있음은 물론이고, 복수 개의 유기 발광층을 적층하여 백색을 발광할 수 있도록 한 구성까지 포함한다. 예로, 적어도 하나의 옐로우 유기 발광층과 적어도 하나의 청색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 시안 유기 발광층과 적어도 하나의 적색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성, 적어도 하나의 마젠타 유기 발광층과 적어도 하나의 녹색 유기 발광층을 조합하여 백색 발광을 가능하게 한 구성 등도 포함할 수 있다.
유기 발광 부재(720) 위에는 제2 전극(730)가 형성되어 있다. 이러한 제2 전극(730)는 광이 투과할 수 있도록 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 따위의 투명한 도전성 산화물 등으로 만들어질 수 있다. 따라서, 제1 전극(710), 유기 발광 부재(720) 및 제2 전극(730)를 포함하는 유기 발광 다이오드(700)가 형성되며, 제1 전극(710)가 반사 전극으로 형성되고, 제2 전극(730)가 투명 전극으로 형성되므로 전면으로 광이 진행하는 전면 발광 구조의 유가 발광 표시 장치가 된다.
제2 전극(730) 중 측벽 제2 전극(731)는 광 경로 안내막(90)의 경사 측벽(91)에 대응하는 위치에 형성되어 있으며, 측벽 제2 전극(731)의 전 영역 위에 위상 전이층(800)이 형성되어 있다. 따라서, 위상 전이층(800)은 경사지게 위치하고 있으며, 측벽 제1 전극(711)는 위상 전이층(800)과 마주보고 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 위상 전이층(800)은 측벽 제2 전극(731) 위에 형성되어 있는 위상 전이막(810), 위상 전이막 위에 형성되어 있는 반투과막(820)을 포함한다. 위상 전이막(810)은 고굴절률을 가지는 무기 박막층을 포함하고, 그 예로 Alq3, ZnSe 등이 해당되며, 위상 전이막(810)의 두께와 굴절률을 조절하여 위상 전이도를 조절할 수 있다. 반투과막(820)은 무기 금속층을 포함하며, 그 예로 Mg:Ag 가 해당된다.
외광은 반투과막(820)을 통과하여 입사하여 일부는 반사되고, 나머지 일부는 투과된다. 투과된 광은 반사 전극인 측벽 제1 전극(711)에서 반사되어 위상 전이막(810)에서 위상이 180도 전이된다. 따라서, 반투과막(820)에서 반사된 외광의 일부와 측벽 제1 전극(711)에서 반사되어 위상이 180도 전이된 외광의 나머지 일부는 서로 상쇄 간섭되므로 외광은 소멸되고 외광 반사율은 최소화된다.
제2 전극(730) 위에는 유기 발광 다이오드(700)를 보호하는 밀봉 부재(210)가 형성되어 있으며, 밀봉 부재(210)는 유리 및 플라스틱 등과 같은 투명한 물질로 만들어지거나, 복수개의 박막을 포함하는 박막 봉지층으로 형성될 수 있다. 박막 봉지층은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있다.
유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 박막 봉지층 중 외부로 노출된 최상층은 유기 발광 소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.
또한, 박막 봉지층은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또한, 박막 봉지층은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.
한편, 상기 제1 실시예에서는 위상 전이층이 측벽 제2 전극의 전 영역에 형성되어 있으나, 위상 전이층이 측벽 제2 전극의 일부 영역에만 형성되는 제2 실시예도 가능하다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 4에 도시된 제2 실시예는 도 2에 도시된 제1 실시예와 비교하여 위상 전이층의 구조만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 측벽 제2 전극(731)의 일부 영역 위에 위상 전이층(800)이 형성되어 있다. 즉, 위상 전이층(800)의 길이(d1)는 측벽 제2 전극(731)의 길이(d2)보다 짧게 형성되어 있다. 따라서, 측벽 제2 전극(731)의 전 영역 위에 위상 전이층(800)이 형성된 제1 실시예에 비해 광 효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 제1 실시예에서는 전면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치에 위상 전이층이 형성되어 있으나, 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치에 위상 전이층을 형성하는 제3 실시예도 가능하다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5에 도시된 제3 실시예는 도 2에 도시된 제1 실시예와 비교하여 위상 전이층의 형성 위치만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 보호막(180) 위에는 경사 측벽(91)을 가지는 광 경로 안내막(90)이 형성되어 있다. 광 경로 안내막(90)은 경사 측벽(91)을 경계로 복수개로 분리되어 있으며, 광 경로 안내막(90)이 서로 분리된 부분을 통해 보호막(180)이 노출되어 있다.
광 경로 안내막(90) 위에는 제1 전극(710)가 형성되어 있다. 제1 전극(710)는 광이 투과할 수 있도록 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 따위의 투명한 도전성 산화물 등으로 만들어질 수 있다. 제1 전극(710)는 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍을 통해서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 구동 드레인 전극(177)과 전기적으로 연결된다.
광 경로 안내막(90)의 경사 측벽(91) 위에는 위상 전이층(800)이 형성되어 있으며, 경사 측벽(91) 위에 위상 전이층(800)이 위치하므로, 위상 전이층(800)은 경사지게 위치하게 된다. 이러한 위상 전이층(800)은 경사 측벽(91)의 전 영역 위에 형성될 수도 있고, 광 효율을 향상시키기 위해 경사 측벽(91)의 일부 영역 위에 위상 전이층(800)이 형성될 수도 있다. 즉, 위상 전이층(800)의 길이(d1)는 경사 측벽의 길이(d3)보다 짧게 형성될 수도 있다.
위상 전이층(800)은 경사 측벽(91) 위에 형성되어 있는 반투과막(820), 반투과막(820) 위에 형성되어 있는 위상 전이막(810)을 포함한다.
광 경로 안내막(90) 및 위상 전이층(800) 위에는 제1 전극(710)의 가장자리를 덮는 화소 정의막(190)이 형성되어 있고, 화소 정의막(230) 위에는 유기 발광 다이오드(700)를 밀봉하기 위한 밀봉 부재(210)과의 간격을 유지하기 위해 스페이서(300)가 형성되어 있다. 그리고, 제1 전극(710), 화소 정의막(190) 및 스페이서(300) 위에는 유기 발광 부재(720)가 형성되어 있다.
유기 발광 부재(720) 위에는 제2 전극(730)가 형성되어 있다. 이러한 제2 전극(730)는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 따위의 반사도가 높은 금속, 또는 이들의 합금 등의 반사 전극으로 만들어질 수 있다. 따라서, 제1 전극(710), 유기 발광 부재(720) 및 제2 전극(730)를 포함하는 유기 발광 다이오드(700)가 형성되며, 제1 전극(710)가 투명 전극으로 형성되고, 제2 전극(730)가 반사 전극으로 형성되므로 배면으로 광이 진행하는 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치가 된다.
이러한 측벽 제2 전극(731)는 반사 전극으로 형성되고 경사지게 형성되므로 유기 발광 부재(720)에서 발생한 광(P)이 측면으로 새는 것을 방지하고 전면으로 광이 진행하도록 함으로써 광 효율을 증가시킬 수 있다.
측벽 제2 전극(731)는 위상 전이층(800)과 마주보고 있고, 배면 발광 구조이므로, 외광은 배면에서 반투과막(820)을 통과하여 입사하여 일부는 반사되고, 나머지 일부는 투과된다. 투과된 광은 반사 전극인 측벽 제2 전극(731)에서 반사되어 위상 전이막(810)에서 위상이 180도 전이된다. 따라서, 반투과막(820)에서 반사된 외광의 일부와 측벽 제2 전극(731)에서 반사되어 위상이 180도 전이된 외광의 나머지 일부는 서로 상쇄 간섭되므로 외광은 소멸되고 외광 반사율은 최소화된다.
제2 전극(730) 위에는 유기 발광 다이오드(700)를 보호하는 밀봉 부재(210)가 형성되어 있으며, 밀봉 부재(210)는 유리 및 플라스틱 등과 같은 투명한 물질로 만들어지거나, 복수개의 박막을 포함하는 박막 봉지층으로 형성될 수 있다.
한편, 상기 제3 실시예에서는 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치에서 위상 전이층이 광 경로 안내막의 경사 측벽 위에 형성되어 있으나, 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치에서 위상 전이층이 구동 배선 아래에 형성되어 있는 제4 실시예도 가능하다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6에 도시된 제4 실시예는 도 5에 도시된 제3 실시예와 비교하여 광 경로안내막이 없고 위상 전이층의 형성 위치가 구동 배선 아래인 것만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 박막 트랜지터(T2) 및 스위칭 박막 트랜지스터(도시하지 않음) 등의 구동 배선과 기판(110) 사이에 위상 전이층(800)이 형성되어 있다. 위상 전이층(800)은 구동 배선(T2) 아래에 형성되어 있는 위상 전이막(810), 위상 전이막(810) 아래에 형성되어 있는 반투과막(820)을 포함한다.
배면 발광 구조이므로, 외광은 배면에서 반투과막(820)을 통과하여 입사하여 일부는 반사되고, 나머지 일부는 투과된다. 투과된 광은 반사 물질인 구동 배선(T2)에서 반사되어 위상 전이막(810)에서 위상이 180도 전이된다. 따라서, 반투과막(820)에서 반사된 외광의 일부와 구동 배선(T2)에서 반사되어 위상이 180도 전이된 외광의 나머지 일부는 서로 상쇄 간섭되므로 외광은 소멸되고 외광 반사율은 최소화된다.
한편, 보호막(180) 위에 색필터(400)가 형성되어 있고, 색필터(400) 위에 색필터(400)를 보호하기 위한 덮개막(500)이 형성되어 있다.
덮개막(500) 위에는 제1 전극(710)가 형성되어 있다. 제1 전극(710)는 광이 투과할 수 있도록 ITO 또는 IZO 따위의 투명한 도전성 산화물 등으로 만들어질 수 있다.
덮개막(500) 위에는 제1 전극(710)의 가장자리를 덮는 화소 정의막(190)이 형성되어 있고, 화소 정의막(230) 위에는 유기 발광 다이오드(700)를 밀봉하기 위한 밀봉 부재(210)과의 간격을 유지하기 위해 스페이서(300)가 형성되어 있다. 그리고, 제1 전극(710), 화소 정의막(190) 및 스페이서(300) 위에는 유기 발광 부재(720)가 형성되어 있으며, 유기 발광 부재(720) 및 스페이서(300) 위에 제2 전극(730)가 형성되어 있다. 따라서, 제1 전극(710), 유기 발광 부재(720) 및 제2 전극(730)를 포함하는 유기 발광 다이오드(700)가 형성된다.
유기 발광 부재(720)는 유기 발광층, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 및 전자 주입층(EIL) 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있으므로, 이 들의 두께 및 구성 물질을 조절하여 공진 구조로 형성할 수 있다. 공진 구조로 형성된 유기 발광 부재(720)는 자신이 발광하는 광의 파장을 흡수하게 된다.
유기 발광 부재(720)를 공진 구조로 형성하고, 유기 발광 부재(720)에서 발광하는 광의 색상과 동일한 색상의 색필터(400)를 형성함으로써, 외부에서 입사되는 외광은 색필터(400)와 동일한 색상의 광만 색필터(400)를 투과하고, 투과한 광은 공진 구조의 유기 발광 부재(720)에서 흡수되므로 외광은 소멸하게 된다. 예컨대, 청색 색필터를 통과한 외광은 청색 파장의 광만 투과하여 유기 발광 부재로 입사하게 되고, 청색의 유기 발광 부재는 청색 파장의 광을 흡수하게 되므로 외광은 전부 소멸하게 된다.
이와 같이, 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치에서 구동 배선 아래에 위상 전이층(800)을 형성하고, 공진 구조의 유기 발광 부재(720) 및 색필터(400)를 형성함으로써 외광을 효율적으로 차단할 수 있고, 외부광 차단을 위한 별도의 편광판을 사용하지 않아도 되므로 제조 비용을 절감할 수 있다.
한편, 상기 제4 실시예에서는 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치에서 광경로 안내막이 형성되어 있지 않으나, 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치에서 광 경로 안내막 및 위상 전이층이 형성되어 있는 제5 실시예도 가능하다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 7에 도시된 제5 실시예는 도 6에 도시된 제4 실시예와 비교하여 광 경로안내막이 형성된 것만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제5 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 구동 박막 트랜지터(T2) 및 스위칭 박막 트랜지스터(도시하지 않음) 등의 구동 배선과 기판(110) 사이에 위상 전이층(800)이 형성되어 있다. 위상 전이층(800)은 구동 배선(T2) 아래에 형성되어 있는 위상 전이막(810), 위상 전이막(810) 아래에 형성되어 있는 반투과막(820)을 포함한다.
배면 발광 구조이므로, 외광은 배면에서 반투과막(820)을 통과하여 입사하여 일부는 반사되고, 나머지 일부는 투과된다. 투과된 광은 반사 물질인 구동 배선(T2)에서 반사되어 위상 전이막(810)에서 위상이 180도 전이된다. 따라서, 반투과막(820)에서 반사된 외광의 일부와 구동 배선(T2)에서 반사되어 위상이 180도 전이된 외광의 나머지 일부는 서로 상쇄 간섭되므로 외광은 소멸되고 외광 반사율은 최소화된다.
한편, 보호막(180) 위에 색필터(400)가 형성되어 있고, 색필터(400) 위에 색필터(400)를 보호하기 위한 덮개막(500)이 형성되어 있다. 덮개막(500) 위에는 경사 측벽(91)을 가지는 광 경로 안내막(90)이 형성되어 있다. 광 경로 안내막(90) 위에는 제1 전극(710)가 형성되어 있다. 제1 전극(710)는 광이 투과할 수 있도록 ITO 또는 IZO 따위의 투명한 도전성 산화물 등으로 만들어질 수 있다. 제1 전극(710)는 층간 절연막(160)에 형성된 접촉 구멍을 통해서 구동 박막 트랜지스터(T2)의 구동 드레인 전극(177)과 전기적으로 연결된다.
광 경로 안내막(90) 및 위상 전이층(800) 위에는 제1 전극(710)의 가장자리를 덮는 화소 정의막(190)이 형성되어 있고, 화소 정의막(230) 위에는 유기 발광 다이오드(700)를 밀봉하기 위한 밀봉 부재(210)과의 간격을 유지하기 위해 스페이서(300)가 형성되어 있다. 그리고, 제1 전극(710), 화소 정의막(190) 및 스페이서(300) 위에는 유기 발광 부재(720)가 형성되어 있다.
유기 발광 부재(720) 위에는 제2 전극(730)가 형성되어 있다. 이러한 제2 전극(730)는 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 따위의 반사도가 높은 금속, 또는 이들의 합금 등의 반사 전극으로 만들어질 수 있다. 따라서, 제1 전극(710), 유기 발광 부재(720) 및 제2 전극(730)를 포함하는 유기 발광 다이오드(700)가 형성되며, 제1 전극(710)가 투명 전극으로 형성되고, 제2 전극(730)가 반사 전극으로 형성되므로 배면으로 광이 진행하는 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치가 된다.
이러한 측벽 제2 전극(731)는 반사 전극으로 형성되고 경사지게 형성되므로 유기 발광 부재(720)에서 발생한 광(P)이 측면으로 새는 것을 방지하고 전면으로 광이 진행하도록 함으로써 광 효율을 증가시킬 수 있다.
유기 발광 부재(720)는 유기 발광층, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 및 전자 주입층(EIL) 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있으므로, 이 들의 두께 및 구성 물질을 조절하여 공진 구조로 형성할 수 있다. 공진 구조로 형성된 유기 발광 부재(720)는 자신이 발광하는 광의 파장을 흡수하게 된다.
유기 발광 부재(720)를 공진 구조로 형성하고, 유기 발광 부재(720)에서 발광하는 광의 색상과 동일한 색상의 색필터(400)를 형성함으로써, 외부에서 입사되는 외광은 색필터(400)와 동일한 색상의 광만 색필터(400)를 투과하고, 투과한 광은 공진 구조의 유기 발광 부재(720)에서 흡수되므로 외광은 소멸하게 된다. 예컨대, 청색 색필터를 통과한 외광은 청색 파장의 광만 투과하여 유기 발광 부재로 입사하게 되고, 청색의 유기 발광 부재는 청색 파장의 광을 흡수하게 되므로 외광은 전부 소멸하게 된다.
이와 같이, 배면 발광 구조의 유기 발광 표시 장치에서 구동 배선 아래에 위상 전이층(800)을 형성하고, 공진 구조의 유기 발광 부재(720) 및 색필터(400)를 형성함으로써 외광을 효율적으로 차단할 수 있고, 외부광 차단을 위한 별도의 편광판을 사용하지 않아도 되므로 제조 비용을 절감할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
90: 광 경로 안내막 91: 경사 측벽
710: 제1 전극 720: 유기 발광 부재
730: 제2 전극 800: 위상 전이층

Claims (20)

  1. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 경사 측벽을 가지는 광 경로 안내막,
    상기 기판 및 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 유기 발광 다이오드,
    상기 유기 발광 다이오드 위에 형성되어 있으며 상기 경사 측벽에 대응하는위치에 형성되어 있는 위상 전이층
    을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 위상 전이층은 위상 전이막, 상기 위상 전이막 위에 형성되어 있는 반투과막을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유기 발광 다이오드는
    상기 기판 및 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 제1 전극,
    상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 전극의 가장자리를 덮고있는 화소 정의막,
    상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재,
    상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 광 경로 안내막의 경사 측벽에 대응하는 위치에 형성되어 있는 측벽 제2 전극을 포함하고,
    상기 위상 전이층은 상기 측벽 제2 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 위상 전이층은 경사지게 위치하고 있는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 전극은 상기 광 경로 안내막의 경사 측벽 위에 형성되어 있는 측벽 제1 전극을 포함하고,
    상기 측벽 제1 전극은 상기 위상 전이층과 마주보고 있는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 제1 전극은 반사 전극인 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 위상 전이층의 길이는 상기 측벽 제2 전극의 길이보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
  9. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 경사 측벽을 가지는 광 경로 안내막,
    상기 광 경로 안내막의 경사 측벽 위에 형성되어 있는 위상 전이층,
    상기 기판 및 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 유기 발광 다이오드
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 위상 전이층은 상기 경사 측벽 위에 형성되어 있는 반투과막, 상기 반투과막 위에 형성되어 있는 위상 전이막을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 유기 발광 다이오드는
    상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 제1 전극,
    상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 전극의 가장자리를 덮고있는 화소 정의막,
    상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재,
    상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 위상 전이층은 경사지게 위치하고 있는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 광 경로 안내막의 경사 측벽 위에 형성되어 있는 측벽 제2 전극을 포함하고,
    상기 측벽 제2 전극은 상기 위상 전이층과 마주보고 있는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제2 전극은 반사 전극인 유기 발광 표시 장치.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 위상 전이층의 길이는 상기 경사 측벽의 길이보다 짧은 유기 발광 표시 장치.
  16. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 구동 배선,
    상기 구동 배선 위에 형성되어 있는 색필터,
    상기 색필터 위에 형성되어 있는 유기 발광 다이오드
    를 포함하고,
    상기 구동 배선 아래에는 위상 전이층이 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 위상 전이층은 구동 배선 아래에 형성되어 있는 위상 전이막, 상기 위상 전이막 아래에 형성되어 있는 반투과막을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 색필터와 상기 유기 발광 다이오드 사이에 형성되어 있으며 경사 측벽을 가지는 광 경로 안내막을 더 포함하고,
    상기 유기 발광 다이오드는
    상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 제1 전극,
    상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 전극의 가장자리를 덮고있는 화소 정의막,
    상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재,
    상기 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 제2 전극
    를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 광 경로 안내막 위에 형성되어 있는 측벽 제2 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극은 반사 전극인 유기 발광 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 구동 배선은 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
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