KR102207224B1 - 표시 장치 및 이를 제조하는 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이를 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

표시 장치 및 이를 제조하는 방법을 제공한다. 표시 장치는, 하부 표시 소자와, 제1 상부 전극, 발광부, 제2 상부 전극 및 보호부가 순차적으로 적층된 상부 표시 소자와, 하부 및 상부 표시 소자들로 구동 신호를 전달하는 중간부를 포함하되, 보호부는 상부 표시 소자의 적어도 일부를 덮는다.

Description

표시 장치 및 이를 제조하는 방법{DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 이를 제조하는 방법에 관련된 것으로. 더욱 상세하게는 반사형 표시 소자 및 발광형 표시 소자를 포함하는 표시 장치 및 이를 제조하는 방법에 관련된 것이다.
현재 출시되고 있는 표시장치는 발광형과 반사형이 있다. 발광형 표시 장치는 어두운 환경에서는 화질이 우수한 반면, 낮에 건물 밖과 같은 밝은 환경에서는 충분한 밝기를 내기 위해 높은 소비전력이 소모된다. 또한, 발광형 표시 장치는 밝은 환경에서는 외부 광원의 반사 등에 의해 화질도 저하된다. 반면, 반사형 표시 장치는 밝은 환경에서는 사람의 눈에 편안한 시인성을 보이면서도, 소비전력 감소가 작지만, 어두운 환경에서는 잘 보이지 않는 문제점이 있다.
기존에 발광형 픽셀 및 반사형 픽셀을 기판 상부에 수평 하게 이격시키는(side-by-side) 구조가 구현되었으나, 이는 서로 다른 재료와 구조의 표시 장치를 같은 기판 상에 구현하여 그 공정이 복잡하고 어렵다. 또한, 발광형 표시 장치 및 반사형 표시 장치를 각각 형성한 후, 이를 전사(transfer)하는 방법으로 구현하는 방식을 사용할 수 있으나, 이는 기판을 합치는 기술 및 동시 구동이 어렵다는 단점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 일 기술적 과제는, 고효율 및 박막형의 발광형 표시 소자 및 반사형 표시 소자를 동시에 구현하는 표시 장치를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 표시 장치를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 개념에 따른 일 실시예는 표시 장치를 제공한다. 상기 표시 장치는, 기판, 제1 하부 전극, 액정부 및 제2 하부 전극이 순차적으로 적층된 하부 표시 소자; 상기 하부 표시 소자와 수직 적층되며, 제1 상부 전극, 발광부, 제2 상부 전극 및 보호부가 순차적으로 적층된 상부 표시 소자; 및 상기 하부 및 상부 표시 소자들 사이에서, 상기 하부 및 상부 표시 소자들로 구동 신호를 전달하는 중간부를 포함하되, 상기 보호부는 상기 상부 표시 소자의 적어도 일부를 덮는다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 상부 표시 소자는, 상기 발광부가 배치되는 공간을 정의하는 뱅크들을 더 포함하되, 상기 보호부는 상기 뱅크들 상에 배치되며 상기 발광부가 배치되는 픽셀 영역을 덮을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 보호부는 상기 상부 표시 소자를 전체적으로 덮을 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 보호부는 평평하거나 캔형(can-type) 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 표시 장치는, 상기 보호부와 상기 상부 표시 소자 상부 사이에 박막형 봉지층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 표시 장치는, 상기 박막형 봉지층 및 상기 상부 표시 소자 상부 사이 빈 공간을 매립하는 경화제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 하부 전극의 일 면 및 상기 제2 하부 전극의 일 면이 외부로 노출되며, 상기 제1 및 제2 하부 전극들 각각의 일 면은 주변 영역에 위치할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 상부 전극이 일 면은 외부로 노출되며, 상기 제1 상부 전극의 일 면은 상기 주변 영역에 위치하며, 상기 제2 상부 전극과 전기적으로 연결되는 패드부를 더 포함하되, 상기 패드부의 일 면은 외부로 노출되며 상기 노출된 패드부의 일 면은 상기 주변 영역에 위치할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 하부 전극들 각각의 일 면과, 상기 제1 상부 전극의 일 면과 상기 패드부의 일 면 각각은 상기 표시 장치의 상부면을 향하여 노출될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 하부 전극의 측면들은 외부로 노출되고, 상기 제2 하부 전극의 일 면이 외부로 노출되되, 상기 노출되는 상기 제1 및 제2 하부 전극들의 부분이 주변 영역에 위치할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 상부 전극과 전기적으로 연결되는 제1 패드부를 더 포함하되, 상기 제1 패드부의 일 면은 외부로 노출되고, 상기 제2 상부 전극과 전기적으로 연결되는 제2 패드부를 더 포함하되, 상기 제2 패드부의 일 면은 외부로 노출되되, 상기 제1 및 2 패드부들은 상기 주변 영역에 위치할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 노출되는 제1 및 제2 하부 전극들의 부분들과, 상기 제1 및 제2 패드들의 일 면들은 상기 표시 장치의 하부면을 향할 수 있다.
본 발명의 개념에 따른 다른 실시예는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 표시 장치의 제조 방법은, 희생 기판 상에 분리층, 열차단층 및 식각차단층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 식각차단층 상에 패시베이션막, 구동 회로 및 층간 절연막을 포함하는 중간부를 형성하는 단계; 상기 중간부 상에 제1 상부 전극, 발광부, 제2 상부 전극 및 보호부를 포함하는 상부 표시 소자를 형성하는 단계; 상기 희생 기판을 레이저(LASER)를 이용하여 제거하는 단계; 상기 분리층, 상기 열차단층 및 상기 식각차단층을 제거하는 단계; 및 상기 중간부 아래에, 제1 하부 전극, 액정부 및 제2 하부 전극을 포함하는 하부 표시 소자를 결합하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 분리층은 수소를 포함하는 비정질 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 열차단층은 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 식각차단층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티탄(Ti) 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 개념에 따른 실시예들에 의하면, 하나의 중간부가 상기 상부 빛 하부 표시 소자들을 함께 구동함으로써, 부수적인 중간부를 생략할 수 있어 상기 표시 장치의 전체 두께가 감소할 수 있다. 또한, 생략된 부수적인 중간부에 의해 상기 상부 및 하부 표시 소자들 사이의 광학적 간극으로 인한 이미지 왜곡이 감소되어 상기 표시 장치의 화질이 개선될 수 있다. 더불어, 상기 표시 장치를 제조하는 비용도 절감될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도들이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치는 하부 표시 소자, 중간부 및 상부 표시 소자가 순차적으로 적층될 수 있다.
상기 하부 표시 소자는, 발광형 표시 소자 또는 반사형 표시 소자를 포함할 수 있다. 상기 상부 표시 소자는, 발광형 표시 소자 또는 반사형 표시 소자를 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 하부 표시 소자가 반사형 표시 소자를 포함하는 경우, 상기 상부 표시 소자는 발광형 표시 소자를 포함할 수 있다. 반대의 경우의 표시 장치도 가능하다.
상기 발광형 표시 소자는, OLED(organic light emitting diode) 및 PLED(polymer LED)와 같은 LED, 무기 EL(electro luminance), PDP(plasma display panel) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 반사형 표시 소자는, LC(liquid crystal), EPD(electronic paper display), EC(Electrochromic display) 및 MIRASOL® 디스플레이(Qualcomm) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 측면에 따르면, 상기 표시 장치가 능동형(active matrix) 구동 표시 장치일 경우, 상기 중간부는 박막트랜지스터(thin film transistor: TFT)를 포함할 수 있다. 다른 측면에 따르면, 상기 표시 장치가 수동형(passive matrix) 구동 표시 장치일 경우, 상기 중간부는 패시베이션막 및 층간 절연막을 포함할 수 있다.
이하에서는 상기 상부 표시 소자로 발광형 표시 소자를 적용하고, 상기 하부 표시 소자로 반사형 표시 소자를 적용하여 설명하기로 한다. 또한, 상기 표시 장치는 능동형 구동 표시 장치를 예시적으로 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명이 이로 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치는, 상부 표시 소자(200)와 하부 표시 소자(100)와 상기 상부 및 하부 표시 소자들(100, 200) 사이에 배치되는 중간부(300)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 상부 표시 소자(200)로 OLED를 적용하고 상기 하부 표시 소자(100)로 LCD를 적용하여 예시적으로 설명하기로 한다.
상기 표시 장치는 픽셀 영역(PXL) 및 주변 영역(PERI)을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 픽셀 영역(PXL)은 상기 표시 장치의 중앙 부위에 위치하며, 상기 주변 영역(PERI)은 상기 표시 장치의 가장자리 부위에 위치하며 상기 픽셀 영역(PXL)을 감쌀 수 있다.
상기 하부 표시 소자(100)는, 기판(105) 상에 순차적으로 적층된 제1 하부 전극(110), 액정부(130) 및 제2 하부 전극(115)을 포함할 수 있다.
상기 기판(105)은 투명 기판으로, 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 제1 하부 전극(110)은 상기 하부 표시 소자(100)의 캐소드(cathode) 전극으로 기능할 수 있다. 상기 제1 하부 전극(110)은 상기 픽셀 영역(PXL)을 덮으며, 외부 회로와 전기적으로 연결되기 위하여 적어도 그 일 측이 상기 주변 영역(PERI)으로 연장될 수 있다. 상기 주변 영역(PERI)으로 연장된 제1 하부 전극(110)은 상기 외부 회로와 연결되기 위하여, 외부로 노출될 수 있다. 도 2에서는 상기 제1 하부 전극(110)은 상기 픽셀 영역(PXL)뿐만 아니라 상기 주변 영역(PERI)을 완전하게 덮을 수 있다. 나아가 상기 주변 영역(PERI)으로 연장된 제1 하부 전극(110)의 일부가 외부로 노출될 수 있다. 일 측면에 따르면, 상기 제1 하부 전극(110)은 투명 전극일 수 있다. 예컨대, 상기 제1 하부 전극(110)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), AZO(Al-doped zinc oxide), ZnO, SnO2, In2O3, 금속망(metal mash) 및 그래핀(graphene) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 하부 전극(115)은 상기 하부 표시 소자(100)의 애노드 전극으로 기능하며, 상기 제1 하부 전극(110)과 마주하며 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2 하부 전극(115)은 상기 픽셀 영역(PXL)을 덮으며, 외부 회로와 전기적으로 연결되기 위하여 적어도 그 일 측이 상기 주변 영역(PERI)으로 연장될 수 있다. 상기 주변 영역(PERI)으로 연장된 제2 하부 전극(115)은 상기 외부 회로와 연결되기 위하여, 외부로 노출될 수 있다. 도 2에서는, 상기 제2 하부 전극(115)은 상기 주변 영역(PERI)의 적어도 일부를 덮으며, 상기 주변 영역(PERI)으로 연장된 제2 하부 전극(115)의 일부가 외부로 노출될 수 있다. 일 측면에 따르면, 상기 제2 하부 전극(115)은 투명 전극일 수 있다. 예컨대, 상기 제2 하부 전극(115)은 ITO, IZO, AZO, ZnO, SnO2, In2O3, 금속망 및 그래핀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 액정부(130)는 상기 제1 및 제2 하부 전극들(110, 115) 사이에서, 실링제(135)(sealant)에 의해 정의된 공간 내에 충진될 수 있다. 상기 액정부(130)는 다수의 액정들을 포함할 수 있다. 상기 실링제(135)는 상기 주변 영역(PERI)에 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 하부 표시 소자(100)는 상기 제1 하부 전극(110) 및 상기 액정부(130) 사이에 제1 배향막(120)과, 상기 제2 하부 전극(115) 및 상기 액정부(130) 사이에 제2 배향막(125)을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 배향막들(120, 125)은 상기 액정부(130) 내의 액정들이 목적하는 방향으로 정렬될 수 있도록 도와주는 기능을 수행한다. 상기 제1 및 제2 배향막들(120, 125) 각각은 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 액정부(130)는 상기 제1 및 제2 배향막들(120, 125) 및 상기 실링제(135)에 의해 정의된 공간에 충진될 수 있다.
상기 상부 표시 소자(200)는, 순차적으로 적층된 제1 상부 전극(210), 발광부(220), 제2 상부 전극(215) 및 보호부(235)를 포함할 수 있다.
상기 제1 상부 전극(210)은 상기 상부 표시 소자(200)의 애노드 전극으로 기능할 수 있다. 상기 제1 상부 전극(210)은 상기 제2 하부 전극(115)(하부 표시 소자(100)의 애노드로 기능)과 마주하며 배치될 수 있다. 일 측면에 따르면, 상기 제1 상부 전극(210)은 상기 픽셀 영역(PXL)의 적어도 일부를 덮으며, 상기 주변 영역(PERI)으로 연장할 수 있다. 도 2에서, 상기 제1 상부 전극(210)은 왼쪽의 주변 영역(PERI)으로 연장되며 상기 연장된 제1 상부 전극(210)의 일부가 외부로 노출될 수 있다. 상기 노출된 제1 상부 전극(210)은 외부 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 측면에 따르면, 상기 제1 상부 전극(210)은 투명 전극일 수 있다. 상기 제1 상부 전극(210)은 ITO, IZO, AZO, ZnO, SnO2, In2O3, 금속망 및 그래핀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 상부 전극(215)은 상기 상부 표시 소자(200)의 캐노드 전극으로 기능하며, 상기 제1 상부 전극(210)과 마주하며 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제2 상부 전극(215)은 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 합금 등의 금속 박막이거나, ITO, IZO, AZO, ZnO, SnO2, In2O3, 금속망 및 그래핀과 같은 투명 전극이거나, 도전성을 갖는 PEDOT: PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene): polystyrene sulfonate)과 같은 고분자 전극 중 하나를 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 제2 상부 전극(215)은 전자 주입이 용이한 일함수 물성을 가지며, 투명한 전극이 바람직하다.
상기 제2 상부 전극(215)은 상기 픽셀 영역(PXL)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 본 실시예에서 상기 제2 상부 전극(215)은 단위 픽셀을 정의하는 픽셀 뱅크들(230a, 230b)에 의해 정의된 영역에 배치될 수 있다. 상기 픽셀 뱅크들(230a, 230b)은 상기 픽셀 영역(PXL)에 내에 배치될 수 있다. 일 예로, 상기 주변 영역(PERI) 및 상기 픽셀 영역(PXL)의 경계면이 상기 픽셀 뱅크들(230a, 230b) 각각의 외측면과 동일 평면일 수 있다.
본 실시예에서, 상기 제2 상부 전극(215)을 외부 회로와 전기적으로 연결되기 위하여, 상기 상부 표시 소자(200)는 패드부(225)를 더 포함할 수 있다. 상기 패드부(225)는, 상기 픽셀 영역(PXL)에서 상기 제2 상부 전극(215)의 일 측과 접촉하며, 상기 제2 상부 전극(215)과 접촉하는 패드부(225)는 상기 주변 영역(PERI)으로 연장할 수 있다. 도 2에서는 상기 패드부(225)는 상기 주변 영역(PERI)으로 연장하며, 연장된 패드부(225)의 일부가 외부로 노출될 수 있다. 상기 외부로 노출된 패드부(225)는 외부 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 측면에 따르면, 상기 패드부(225)는 상기 제1 상부 전극(210)과 동일한 높이에서 배치되지만, 분리 뱅크(230c)에 의해 상기 제1 상부 전극(210)과 상기 패드부(225)는 물리적으로 절단될 수 있다.
상기 발광부(220)는 상기 제1 및 제2 상부 전극들(210, 215) 사이에서, 상기 픽셀 뱅크들(230a, 230b) 중 하나와 상기 분리 뱅크(230c)에 의해 정의된 공간을 채우며 배치될 수 있다. 상기 발광부(220)는 안트라센(anthracene), Alq3과 같은 유기 저분자 물질 또는 PPV(poly(p-phenylenevinylene)), PPP(poly(p-phenylene)), PT(polythiophene)과 같은 유기 고분자 물질로 이루어진 발광층(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 발광부(220)는 상기 발광층 단일층으로 이루어질 수 있다. 다른 예로, 상기 발광부(220)의 효율을 향상시키기 위하여, 상기 발광부(220)는 정공주입층(도시되지 않음), 정공전달층(도시되지 않음), 상기 발광층, 전자전달층(도시되지 않음) 및 전자주입층(도시되지 않음)으로 구성될 수 있다.
상기 보호부(235)는 상기 제2 상부 전극(215) 상에 배치되어 상기 상부 표시 소자(200)를 보호할 수 있다. 일 측면에 따르면, 상기 보호부(235)는 상기 픽셀 뱅크들(230a, 230b)에 의해 지지될 수 있다.
상기 보호부(235)는 평평한 유리(flat glass) 또는 캔형 유리(can-type glass)을 포함하거나, 필름 타입의 기판일 수 있다. 상기 보호부(235) 및 상기 제2 상부 전극(215) 사이에 박막형 봉지층(encapsulation layer, 도시되지 않음)이 추가될 수 있으며, 상기 박막형 봉지층 및 상기 제2 상부 전극(215) 사이에 빈 공간은 경화제(240)로 채울 수 있다.
상기 중간부(300)는 상기 상부 표시 소자(200) 및 상기 하부 표시 소자(100) 사이에서, 상기 상부 및 하부 표시 소자들(100, 200)을 구동하기 위한 구동 회로를 포함할 수 있다. 또한, 상기 중간부(300)는 상기 하부 표시 소자(100)의 제2 하부 전극(115) 및 상기 상부 표시 소자(200)의 제1 상부 전극(210) 사이에 적층된 패시베이션막(320) 및 층간 절연막(330)을 포함할 수 있다.
상기 패시베이션막(320)은 상기 하부 표시 소자(100)로부터 생성되는 부산물(물 또는 가스)이 상기 상부 표시 소자(200)로 이동되는 것을 억제하기 위한 막일 수 있다. 상기 패시베이션막(320)은 실리콘 SiOx, SiNx, Al2O3, HfSiOx 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 중간부(300)는, 상기 패시베이션막(320) 및 상기 제2 하부 전극(115) 사이에, 상기 제2 하부 전극(115) 및 상기 제2 배향막(125) 사이 발생되는 단차를 상쇄하기 위하여 평탄 절연막(310)이 더 구비될 수 있다.
상기 패시베이션막(320) 상에 상기 구동 회로가 배치될 수 있다. 상기 구동 회로는 픽셀 선택용 스위칭 소자, 동작 모드 선택용 소자, 커패시터, 커패시터 전극, 데이터 전극, 게이트 전극, 컬럼 선택 전극 및 모드 선택 선호 전극 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도 2에서는 상기 제1 상부 전극(210)에 전기적 신호를 전달하는 제1 박막트랜지스터(TFT_1) 및 상기 제2 하부 전극(115)에 동작 전압을 전달하는 제2 박막트랜지스터(TFT_2)를 상기 구동 회로로서 예시적으로 도시한다.
상기 층간 절연막(330)은 상기 패시베이션막(320) 상에서, 상기 구동 회로를 덮을 수 있다. 상기 층간 절연막(330)은 상기 하부 표시 소자(100) 및 상기 상부 표시 소자(200)를 전기적으로 분리할 수 있다. 예컨대, 상기 층간 절연막(330)은 SiNx과 같은 질화물, SiOx과 같은 산화물 또는 유기절연물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 하부 전극들(110, 115)과 상기 제1 및 제2 상부 전극들(210, 215)이, 외부 회로와 전기적으로 연결되기 위하여 실질적으로 동일한 방향으로 노출될 수 있다. 일 측면에 따르면, 상기 표시 장치의 상면으로 상기 제1 및 제2 하부 전극들(110, 115)과 상기 제1 및 제2 상부 전극들(210, 215)이 노출될 수 있다. 이러한 구조를 위하여 상기 상부 표시 소자(200)의 보호부(235)는 상기 표시 장치를 완전하게 덮지 않을 수 있다.
하나의 중간부(300)가 상기 상부 빛 하부 표시 소자들(100, 200)을 함께 구동함으로써, 부수적인 중간부(300)를 생략할 수 있어 상기 표시 장치의 전체 두께가 감소할 수 있다. 또한, 생략된 부수적인 중간부(300)에 의해 상기 상부 및 하부 표시 소자들(100, 200) 사이의 광학적 간극으로 인한 이미지 왜곡이 감소되어 상기 표시 장치의 화질이 개선될 수 있다. 더불어, 상기 표시 장치를 제조하는 비용도 절감될 수 있다.
(표시 장치-제2 실시예 )
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치는, 상부 표시 소자(200)와 하부 표시 소자(100)와 상기 상부 및 하부 표시 소자들(100, 200) 사이에 배치되는 중간부(300)를 포함할 수 있다.
상기 하부 표시 소자(100)는, 기판(105) 상에, 순차적으로 적층된 제1 하부 전극(110), 액정부(130) 및 제2 하부 전극(115)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 하부 표시 소자(100)는 상기 제1 하부 전극(110) 및 상기 액정부(130) 사이의 제1 배향막(120)과, 상기 액정부(130) 및 상기 제2 하부 전극(115) 사이의 제2 배향막(125)을 더 포함할 수 있다. 도 3에서, 상기 기판(105), 상기 제1 하부 전극(110), 상기 제1 배향막(120) 및 상기 제2 배향막(125)을 실질적으로 동일한 폭을 가질 수 있다. 상기 액정부(130)는 상기 제1 및 제2 배향막들(120, 125) 사이에 배치된 실링제(135)를 채우는 액정을 포함할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 상기 제2 하부 전극(115)은 상기 제2 배향막(125) 상부면으로부터 상기 제2 배향막(125)의 일 측면을 덮도록 연장될 수 있다. 상기 제2 하부 전극(115)에서 상기 제2 배향막(125)의 일 측면을 덮도록 연장된 부분은 중간부(300) 저면과 실질적으로 동일한 평면의 저면을 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 하부 전극(115)의 상기 부분은 외부 회로와 전기적으로 연결되도록 외부로 노출될 수 있다.
상기 상부 표시 소자(200)는 순차적을 적층된 제1 상부 전극(210), 발광부(220), 제2 상부 전극(215) 및 보호부(235)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 상부 표시 소자(200)는 상기 제2 상부 전극(215)과 접하는 제1 패드부(225)와, 단위 픽셀을 정의하는 픽셀 뱅크들(230a, 230b)과, 상기 제1 상부 전극(210) 및 상기 제1 패드부(225)를 분리하는 분리 뱅크(230c)를 더 포함할 수 있다. 본 실시예에 따르면, 상기 보호부(235)는 상기 픽셀 영역(PXL)으로부터 상기 주변 영역(PERI)을 완전하게 덮으며 배치될 수 있다.
상기 중간부(300)는 상기 제1 상부 전극(210)과 전기적으로 연결되는 제1 박막트랜지스터(TFT_1)와 상기 제2 하부 전극(115)과 전기적으로 연결되는 제2 박막트랜지스터(TFT_2)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 상기 중간부(300)는 상기 제1 상부 전극(210)과 전기적으로 연결되는 제2 패드부(340)와, 상기 제1 상부 전극(210) 및 상기 제2 패드부(340) 사이를 연결하는 제1 콘택 플러그(345)와, 상기 제1 패드부(225)와 전기적으로 연결되는 제3 패드부(350)와, 상기 제1 및 제3 패드부들(225, 350) 사이를 연결하는 제2 콘택 플러그(355)를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 및 제3 패드부들(340, 350)은 상기 중간부(300)의 저면과 실질적으로 동일한 평면의 저면들을 각각 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 및 제3 패드부들(340, 350) 각각은 외부 회로와 전기적으로 연결되도록 외부로 각각 노출될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 하부 전극들(110, 115)과, 상기 제1 상부 전극(210)과 전기적으로 연결된 제2 패드부(340) 및 상기 제2 상부 전극(215)과 전기적으로 연결된 제3 패드부(350) 각각이, 외부 회로와 전기적으로 연결되기 위하여 실질적으로 동일한 방향(표시 장치의 하면)으로 노출될 수 있다. 상기 구조에 의해, 상기 상부 표시 소자(200)의 보호부(235)는 상기 상부 표시 소자(200)를 완전하게 보호할 수 있다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 단면도들이다. 이하의 설명되는 제1 및 제2의 서수는 그 제조 순서와 상이할 수 있으며, 도 2에서 설명된 제1 및 제2의 서수를 사용하기로 한다.
도 4a를 참조하면, 희생 기판(400) 상에, 분리층(410), 열차단층(420), 식각차단층(430), 제2 배향막(125), 제2 하부 전극(115) 및 평탄 절연막(310)을 순차적으로 형성할 수 있다.
상기 희생 기판(400)은 유리 기판일 수 있다. 상기 희생 기판(400)은 상기 단위 픽셀이 형성되는 픽셀 영역(PXL) 및 주변 영역(PERI)을 포함할 수 있다.
상기 분리층(410)은 수소를 포함하는 비정질 실리콘, SiOx, SiNx과 같은 실리콘을 포함하는 물질이나, 광 조사에 의해 분리 가능한 결합을 포함하는 폴리이미디(polyimide)과 같은 유기 고분자를 포함할 수 있다. 상기 분리층(410)은 약 10nm 내지 약 1um의 두께로 형성될 수 있으며, 예컨대, 상기 분리층(410)은 약 200nm 내지 약 500nm의 두께를 가질 수 있다.
상기 열차단층(420)은, 레이저광이 조사되는 동안 상기 분리층(410)에서 열이 발생하는데 상기 열이 상부로 전달되는 것을 막아, 작은 광 에너지에도 상기 희생 기판(400)이 분리되도록 할 수 있다. 상기 열차단층(420)은 열전도성이 작은 SiOx와 같은 산화물을 포함할 수 있다. 상기 열차단층(420)은 약 10nm 내지 약 1um의 두께로 형성될 수 있으며, 예컨대, 상기 열차단층(420)은 약 20nm 내지 약 200nm의 두께를 가질 수 있다.
상기 식각차단층(430)은 후속 공정에서, 상기 분리층(410) 및 상기 열차단층(420)을 제거할 때 일 에천트에 의해 상기 제1 배향막(120)이 손상되지 않도록 보호하는 역할을 할 수 있다. 일 예로, 비정질 실리콘(분리층(410)) 또는 실리콘 산화물(분리층(410) 또는 열차단층(420))을 제거할 때 산성 에천트가 사용되는데, 상기 제1 배향막(120)은 상기 산성 에천트에 매우 취약하여 손상되기 쉬운데, 상기 식각차단층(430)이 상기 손상을 억제할 수 있다.
상기 식각차단층(430)은 통상적으로 금속 박막을 사용하는데, 상기 금속 박막은 반사도가 우수하고 후속에서 레이저를 이용하는 분리 공정에서 레이저가 상부 표시 소자(200) 또는 중간부(300)의 구동 회로로 조사되는 것을 방지할 수 있다. 상기 반사된 광이 다시 상기 분리층(410)에서 흡수될 수 있도록 할 수 있다. 또한, 상기 금속 박막은 정전기 방지 효과도 있다. 상기 식각차단층(430)은 Mo, Al, Ti 및 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 식각차단층(430)은 약 10nm 내지 약 1um의 두께로 형성될 수 있으며, 예컨대, 상기 식각차단층(430)은 약 20nm 내지 약 200nm의 두께를 가질 수 있다.
전술한 바와 같이 상기 식각차단층(430)으로 금속 박막을 사용하는 경우, 상기 금속 박막은 열전도도가 크지만 상기 열차단층(420)에서 상기 광을 차단하여 상기 중간부(300) 및 상기 상부 표시부(200)로 열이 전달되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제2 배향막(125)은 액정의 배열 방향을 목적하는 방향으로 정렬하도록 도와주며, 예컨대, 폴리이미드를 포함할 수 있다. 상기 식각차단층(430) 상에 상기 제2 배향막(125)을 코팅한 후, 열처리 공정을 더 수행할 수 있다.
상기 제2 하부 전극(115)은 투명 전극으로, ITO, IZO, AZO, ZnO, SnO2, In2O3, 금속망 및 그래핀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 하부 전극(115)은 하부 표시 소자(100)의 애노드 전극으로 사용될 수 있다.
상기 평탄 절연막(310)은 상기 제2 하부 전극(115)을 덮으며, 상기 제2 하부 전극(115)이 형성되지 않은 부분의 제2 배향막(125)과의 단차를 평탄하게 하기 위한 막일 수 있다. 상기 평탄 절연막(310)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 평탄 절연막(310)은 생략될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 열차단층(420) 및 상기 식각차단층(430)은 생략될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 상기 평탄 절연막(310) 상에 패시베이션막(320), 층간 절연막(330) 및 구동 회로를 포함하는 중간부(300)를 형성할 수 있다.
상기 패시베이션막(320)은 후속하여 형성되는 하부 표시 소자(100)로부터 수분 및 가스가 발생하는 경우, 상기 수분 및 상기 가스가 상부 표시 소자(200) 또는 상기 구동 회로로 유입되는 것을 막을 수 있다. 상기 패시베이션막(320)은 10-6 g/cm2day 이하의 투습도 성능을 가질 수 있다. 예컨대, 상기 패시베이션막(320)은 Al2O3, SiNx 및 SiOx 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 이들 박막이 포함된 다층 박막일 수 있다. 상기 패시베이션막(320)은 약 10nm 내지 약 10um의 두께를 가질 수 있으며, 예컨대, 상기 패시베이션막(320)은 약 30nm 내지 약 1um일 수 있다.
상기 패시베이션막(320) 상에 구동 회로를 형성할 수 있다. 본 실시예에서는 제1 박막트랜지스터(TFT_1) 및 제2 박막트랜지스터(TFT_2)를 예시적으로 도시한다. 상기 제2 박막트랜지스터(TFT_2)는 상기 제2 하부 전극(115)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 층간 절연막(330)은 상기 구동 회로를 덮으며 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막(330)은 SiNx, SiOx 및 유기 절연물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 층간 절연막(330)은 약 50nm 내지 약 10um의 두께를 가질 수 있으며, 예컨대, 상기 층간 절연막(330)은 약 100nm 내지 약 3um일 수 있다.
도 4c를 참조하면, 상기 층간 절연막(330), 상기 패시베이션막(320) 및 상기 평탄 절연막(310)을 식각하여, 상기 주변 영역(PERI)의 제2 하부 전극(115)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(335)을 형성할 수 있다.
도 4d를 참조하면, 상기 층간 절연막(330) 상에 제1 상부 전극(210), 패드부(225) 및 뱅크들(230a, 230b, 230c)을 형성할 수 있다.
간략하게 설명하면, 층간 절연막(330) 상에 상부 전극막을 컨포멀하게 형성한 후, 상기 상부 전극막을 식각하여 상기 제1 상부 전극(210) 및 패드부(225)를 형성할 수 있다. 상기 제1 상부 전극(210) 및 상기 패드부(225) 상에 뱅크막을 형성하고, 상기 뱅크막을 식각하여 뱅크들(230a, 230b, 230c)을 형성할 수 있다. 상기 뱅크들(230a, 230b, 230c)은 단위 픽셀을 정의하는 픽셀 뱅크들(230a, 230b)과, 상기 제1 상부 전극(210) 및 상기 패드부(225) 사이에 배치되는 분리 뱅크(230c)를 포함할 수 있다.
도 4e를 참조하면, 상기 뱅크들(230a, 230b, 230c)이 형성된 제1 상부 전극(210) 상에 발광부(220) 및 제2 상부 전극(215)을 형성할 수 있다.
간략하게 설명하면, 상기 발광부(220)는 상기 픽셀 뱅크들(230a, 230b) 중 하나와 상기 분리 뱅크(230c) 사이를 채우며 형성될 수 있다. 상기 제2 상부 전극(215)은 상기 픽셀 뱅크들(230a, 230b) 사이에서 상기 발광부(220), 상기 분리 뱅크(230c) 및 상기 제1 상부 전극(210) 상에 컨포멀하게 형성될 수 있다.
도 4f를 참조하면, 상기 제2 상부 전극(215) 및 상기 뱅크들(230a, 230b, 230c) 상에 보호부(235)를 형성할 수 있다. 상기 보호부(235)는 평평하거나 캔형의 유리 기판일 수 있다. 본 실시예에서, 상기 켠형의 유리 기판을 사용하는 경우, 상기 제2 상부 전극(215)과 상기 보호부(235) 사이 공간을 경화제(240)로 채울 수 있다. 도시되지는 않았으나, 상기 캔형 유리 기판과 상기 경화제(240) 사이에 박막형 봉지층을 더 형성할 수 있다.
이로써, 상기 중간부(300) 상에, 상기 제1 및 제2 상부 전극들(210, 215), 상기 패드부(225), 상기 발광부(220), 상기 뱅크들(230a, 230b, 230c) 및 상기 보호부(235)를 포함하는 상부 표시 소자(200)를 형성할 수 있다.
도시된 바와 같이 상기 제2 하부 전극(115)의 일부를 외부로 노출시키기 위하여 상기 보호부(235)가 상기 상부 표시 소자(200)를 완전하게 덮지 않을 수 있다.
도 4g를 참조하면, 상기 희생 기판(400) 하부에 레이저를 조사하여 상기 희생 기판(400)을 분리할 수 있다.
보다 상세하게 설명하면, 상기 조사되는 광은 상기 분리층(410)에서 광흡수가 유리한 파장의 에너지대역일 수 있다. 상기 조사되는 광의 파장은 약 100nm 내지 약 3um 범위일 수 있으며, 바람직하게는 약 200nm 내지 약 400nm의 단파장일 수 있다. 또한, 상기 조사되는 광의 에너지는 약 100 내지 600 mJ/cm2사용될 수 있으며, 낮은 에너지에서 상기 희생 기판(400)의 이탈이 일어나는 것이 바람직할 수 있다.
일 예로, 308nm 파장의 XeCl 엑시머 레이저가 사용될 수 있다. 이때 상기 희생 기판(400)은 대부분 파장의 광이 투과되고, 분리층(410)까지 광이 도달하여 흡수가 이루어져, 기체가 발생하여 상기 희생 기판(400) 이탈이 일어날 수 있다.
도 4h를 참조하면, 상기 분리층(410), 상기 열차단층(420) 및 상기 식각차단층(430)을 제거할 수 있다. 예컨대, 상기 분리층(410), 상기 열차단층(420) 및 상기 식각차단층(430)은 습식 식각을 이용하여 제거할 수 있다. 이때, 상기 식각차단층(430)을 제거할 때, 상기 제2 배향막(125)의 손상을 억제하기 위하여 알칼리 에천트를 사용할 수 있다.
도 4i를 참조하면, 상기 제2 배향막(125) 아래에, 기판(105), 제1 하부 전극(110), 제1 배향막(120), 액정부(130) 및 실링제(135)가 형성된 구조물을 결합시킬 수 있다. 이로써, 상기 기판(105), 상기 제1 및 제2 하부 전극들(110, 115), 상기 제1 및 제2 배향막들(120, 125), 상기 액정부(130) 및 상기 실링제(135)를 포함하는 하부 표시 소자(100)를 완성할 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 제조하기 위한 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 희생 기판(400) 상에, 분리층(410), 열차단층(420), 식각차단층(430), 제2 배향막(125), 제2 하부 전극(115), 중간부(300) 및 상부 표시 소자(200)를 순차적으로 형성할 수 있다.
보다 상세하게 설명하면, 상기 희생 기판(400) 상에 상기 분리층(410), 상기 열차단층(420), 상기 식각차단층(430) 및 상기 제2 배향막(125)을 형성하는 공정은 도 4a에서 설명된 것과 실질적으로 동일하여 생략하기로 한다.
상기 식각차단층(430) 및 상기 제2 배향막(125) 상에 도전막을 컨포멀하게 형성한 후, 상기 도전막을 식각하여, 제2 패드부(340), 상기 제2 하부 전극(115) 및 제3 패드부(350)를 각각 형성할 수 있다.
상기 제2 하부 전극(115), 상기 제2 및 제3 패드부들(340, 350)을 덮도록 평탄 절연막(310) 및 패시베이션막(320)을 순차적으로 형성할 수 있다. 상기 패시베이션막(320) 상에 구동 회로를 형성하고, 상기 구동 회로를 덮는 층간 절연막(330)을 형성할 수 있다. 상기 평탄 절연막(310), 상기 패시베이션막(320), 상기 구동 회로 및 상기 층간 절연막(330)을 형성하는 공정은 도 4b에서 설명된 것과 실질적으로 동일하여 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.
상기 층간 절연막(330), 상기 패시베이션막(320) 및 상기 평탄 절연막(310)을 관통하여, 상기 제2 및 제3 패드부들(225, 350)과 각각 전기적으로 연결되는 제1 콘택 플러그(345) 및 제2 콘택 플러그(355)를 각각 형성할 수 있다.
상기 층간 절연막(330) 상에 제1 상부 전극(210), 제1 패드부(225), 뱅크들(230a, 230b, 230c), 발광부(220) 및 제2 상부 전극(215)을 형성할 수 있다. 상기 제1 및 제2 상부 전극들(210, 215), 상기 제1 패드부(225), 상기 뱅크들(230a, 230b, 230c) 및 상기 발광부(220)를 형성하는 공정은 도 4d 및 도 4e에서 설명된 것과 실질적으로 동일하여 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.
상기 제2 상부 전극(215) 및 픽셀 뱅크들(230a, 230b) 상에 보호부(235)를 형성할 수 있다. 상기 보호부(235)는 상기 픽셀 영역(PXL)뿐만 아니라 상기 주변 영역(PERI)을 완전하게 덮도록 형성될 수 있다. 상기 보호부(235)를 상기 제2 상부 전극(215) 및 상기 뱅크들(230a, 230b, 230c)이 형성하는 공정은 도 4f를 참조한다.
도 5b를 참조하면, 상기 희생 기판(400) 하부에 레이저를 조사하여 상기 희생 기판(400)을 분리할 수 있다.
상기 보호부(235)가 상기 상부 표시 소자(200)를 전체적으로 덮고 지지하기 때문에, 상기 레이저 조사를 통해 상기 희생 기판(400)을 분리한 후에도 상기 상부 표시 소자(200)가 안정적으로 유지될 수 있다. 따라서, 상기 상부 표시 소자(200)의 손상을 억제할 수 있다.
도 4g 내지 도 4h에 설명된 바와 같이 상기 희생 기판(400), 상기 분리층(410), 상기 열차단층(420) 및 상기 식각차단층(430)을 제거할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 제2 배향막(125) 아래에, 기판(105), 제1 하부 전극(110), 제1 배향막(120), 액정부(130) 및 실링제(135)가 형성된 구조물을 결합시킬 수 있다. 이로써, 상기 기판(105), 상기 제1 및 제2 하부 전극들(110, 115), 상기 제1 및 제2 배향막들(120, 125), 상기 액정부(130) 및 상기 실링제(135)를 포함하는 하부 표시 소자(100)를 완성할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 하부 표시 소자 105: 기판
110: 제1 하부 전극 120: 제2 하부 전극
130: 액정부 200: 상부 표시 소자
210: 제1 상부 전극 215: 제2 상부 전극
220: 발광부 225: 패드부
230a, 230b, 230c: 뱅크 235: 보호부
300: 중간부 TFT: 박막트랜지스터
PXL: 픽셀 영역 PERI: 주변 영역

Claims (18)

  1. 기판, 제1 하부 전극, 액정부 및 제2 하부 전극이 순차적으로 적층된 하부 표시 소자;
    상기 하부 표시 소자와 수직 적층되며, 제1 상부 전극, 발광부, 제2 상부 전극 및 보호부가 순차적으로 적층된 상부 표시 소자; 및
    상기 하부 및 상부 표시 소자들 사이에서, 상기 하부 및 상부 표시 소자들로 구동 신호를 전달하는 중간부를 포함하되,
    상기 보호부는 상기 상부 표시 소자의 적어도 일부를 덮되,
    상기 하부 표시 소자, 상기 중간부 및 상기 상부 표시 소자는 순차적으로 적층되는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부 표시 소자는, 상기 발광부가 배치되는 공간을 정의하는 뱅크들을 더 포함하되,
    상기 보호부는 상기 뱅크들 상에 배치되며 상기 발광부가 배치되는 픽셀 영역을 덮는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보호부는 상기 상부 표시 소자를 전체적으로 덮는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 보호부는 평평하거나 캔형(can-type) 구조를 갖는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 보호부와 상기 상부 표시 소자 상부 사이에 박막형 봉지층을 더 포함하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 박막형 봉지층 및 상기 상부 표시 소자 상부 사이 빈 공간을 매립하는 경화제를 더 포함하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 하부 전극의 일 면 및 상기 제2 하부 전극의 일 면이 외부로 노출되며, 상기 제1 및 제2 하부 전극들 각각의 일 면은 주변 영역에 위치하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 상부 전극이 일 면은 외부로 노출되며, 상기 제1 상부 전극의 일 면은 상기 주변 영역에 위치하며,
    상기 제2 상부 전극과 전기적으로 연결되는 패드부를 더 포함하되, 상기 패드부의 일 면은 외부로 노출되며 상기 노출된 패드부의 일 면은 상기 주변 영역에 위치하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 하부 전극들 각각의 일 면과, 상기 제1 상부 전극의 일 면과 상기 패드부의 일 면 각각은 상기 표시 장치의 상부면을 향하여 노출되는 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 하부 전극의 측면들은 외부로 노출되고,
    상기 제2 하부 전극의 일 면이 외부로 노출되되,
    상기 노출되는 상기 제1 및 제2 하부 전극들의 부분이 주변 영역에 위치하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 상부 전극과 전기적으로 연결되는 제1 패드부를 더 포함하되, 상기 제1 패드부의 일 면은 외부로 노출되고,
    상기 제2 상부 전극과 전기적으로 연결되는 제2 패드부를 더 포함하되, 상기 제2 패드부의 일 면은 외부로 노출되되,
    상기 제1 및 2 패드부들은 상기 주변 영역에 위치하는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 노출되는 제1 및 제2 하부 전극들의 부분들과, 상기 제1 및 제2 패드들의 일 면들은 상기 표시 장치의 하부면을 향하는 표시 장치.
  13. 희생 기판 상에 분리층, 열차단층 및 식각차단층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 식각차단층 상에 패시베이션막, 구동 회로 및 층간 절연막을 포함하는 중간부를 형성하는 단계;
    상기 중간부 상에 제1 상부 전극, 발광부, 제2 상부 전극 및 보호부를 포함하는 상부 표시 소자를 형성하는 단계;
    상기 희생 기판을 레이저(LASER)를 이용하여 제거하는 단계;
    상기 분리층, 상기 열차단층 및 상기 식각차단층을 제거하는 단계; 및
    상기 중간부 아래에, 제1 하부 전극, 액정부 및 제2 하부 전극을 포함하는 하부 표시 소자를 결합하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 분리층은 수소를 포함하는 비정질 실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 폴리이미드 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 열차단층은 실리콘 산화물을 포함하고,
    상기 식각차단층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 티탄(Ti) 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 하부 표시 소자의 상기 제1 하부 전극은 투명 전극인 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 중간부는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 갖고,
    상기 제1 트랜지스터는 상기 상부 표시 소자의 상기 제1 상부 전극과 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 트랜지스터는 상기 하부 표시 소자의 상기 제2 하부 전극과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 구동 신호는 제1 구동 신호 및 제2 구동 신호를 포함하고,
    상기 중간부는 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 트랜지스터는 상기 제1 구동 신호를 상기 상부 표시 소자의 상기 제1 상부 전극으로 전달하고,
    상기 제2 트랜지스터는 상기 제2 구동 신호를 상기 하부 표시 소자의 상기 제2 하부 전극에 전달하는 표시 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 제2 상부 전극과 전기적으로 연결되는 패드부; 및
    상기 제 1 상부 전극 및 상기 패드부 사이에 배치되는 분리 뱅크를 더 포함하되,
    상기 제 2 상부 전극의 하면은 상기 발광부의 상면, 상기 분리 뱅크의 상면 및 측면, 및 상기 패드부의 상면과 접하는 표시 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN205427321U (zh) * 2015-04-04 2016-08-03 孔晓辉 一种抬头显示器
KR102301967B1 (ko) * 2016-12-01 2021-09-17 한국전자통신연구원 발광 장치의 제조 방법, 발광 장치, 및 창문
US11532685B2 (en) * 2020-03-26 2022-12-20 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Doubled-side display device and manufacturing method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030193457A1 (en) 2002-04-16 2003-10-16 Wen-Chun Wang Pixel structure of a sunlight readable display
US20070024794A1 (en) 2001-02-07 2007-02-01 Dong-Gyu Kim Liquid crystal display and method for manufacturing the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69739368D1 (de) 1996-08-27 2009-05-28 Seiko Epson Corp Trennverfahren und Verfahren zur Übertragung eines Dünnfilmbauelements
US6771327B2 (en) * 2000-09-18 2004-08-03 Citizen Watch Co., Ltd. Liquid crystal display device with an input panel
TWI282708B (en) 2005-08-03 2007-06-11 Ind Tech Res Inst Vertical pixel structure for emi-flective display and method for making the same
US7855764B2 (en) * 2006-11-02 2010-12-21 Sony Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US8411235B1 (en) * 2010-03-16 2013-04-02 Rockwell Collins, Inc. Displays for three-dimensional imaging
KR20120139076A (ko) 2011-06-16 2012-12-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US9379350B2 (en) 2012-05-22 2016-06-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Dual mode display apparatus and method of manufacturing the same
US9236577B2 (en) 2012-05-22 2016-01-12 Electronics And Telecommunications Research Institute Dual-mode display device and method of manufacturing same
KR102028680B1 (ko) 2013-03-20 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101458699B1 (ko) 2013-05-16 2014-11-12 경희대학교 산학협력단 발광형 표시 패널과 반사형 표시 패널을 구비한 디스플레이 장치
KR102065149B1 (ko) 2013-12-09 2020-01-10 한국전자통신연구원 표시 장치 및 이의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070024794A1 (en) 2001-02-07 2007-02-01 Dong-Gyu Kim Liquid crystal display and method for manufacturing the same
US20030193457A1 (en) 2002-04-16 2003-10-16 Wen-Chun Wang Pixel structure of a sunlight readable display

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Publication number Publication date
US9952460B2 (en) 2018-04-24
KR20160103242A (ko) 2016-09-01
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