KR20220029162A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20220029162A
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연규재
김민석
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되며, 기판을 포함하는 표시 패널, 상기 기판 상부에 배치되며, 상기 표시 영역에 구비된 화소부 트랜지스터 및 상기 비표시 영역에 구비된 GIP(Gate In Panel) 트랜지스터, 상기 기판 하부에 배치되며, 상기 표시 영역의 가장자리 영역 및 상기 비표시 영역에 배치되어 접지되는 도전 패턴 및 상기 도전 패턴을 포함하여 상기 기판 하부에 배치되는 배리어 필름을 포함하며, 분극에 의한 테두리 얼룩을 개선할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 롤러블(rollable) 표시 장치에 관한 것이다.
컴퓨터의 모니터나 TV, 핸드폰 등에 사용되는 표시 장치에는 스스로 광을 발광하는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 등과 별도의 광원을 필요로 하는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD) 등이 있다.
표시 장치는 컴퓨터의 모니터 및 TV 뿐만 아니라 개인 휴대 기기까지 그 적용 범위가 다양해지고 있으며, 넓은 표시 면적을 가지면서도 감소된 부피 및 무게를 갖는 표시 장치에 대한 연구가 진행되고 있다.
최근에는 플렉서블(flexible) 소재인 폴리이미드(PI)와 같은 플라스틱 물질로 이루어진 유연성 있는 기판에 표시 소자, 배선 등을 형성하여, 돌돌 말아도 화상 표시가 가능한 롤러블 표시 장치가 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 폴리이미드 기판을 기반으로 하는 플렉서블 표시 장치에 있어 테두리 얼룩을 개선할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 폴리이미드 기판을 기반으로 하는 플렉서블 표시 장치에 있어 GIP(Gate In Panel) 부의 구동 불량을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되며, 기판을 포함하는 표시 패널, 상기 기판 상부에 배치되며, 상기 표시 영역에 구비된 화소부 트랜지스터 및 상기 비표시 영역에 구비된 GIP(Gate In Panel) 트랜지스터, 상기 기판 하부에 배치되며, 상기 표시 영역의 가장자리 영역 및 상기 비표시 영역에 배치되어 접지되는 도전 패턴 및 상기 도전 패턴을 포함하여 상기 기판 하부에 배치되는 배리어 필름을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되며, 기판을 포함하는 표시 패널, 상기 기판 상부에 배치되며, 상기 표시 영역에 구비된 화소부 트랜지스터 및 상기 비표시 영역의 GIP 영역에 구비된 GIP 트랜지스터, 상기 기판 측면에 배치되며, 상기 표시 영역의 가장자리 영역 및 상기 비표시 영역에 배치되어 접지되는 도전 패턴 및 상기 도전 패턴을 포함하여 상기 기판 하부에 배치되는 배리어 필름을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되며, 기판을 포함하는 표시 패널, 상기 기판 상부에 배치되며, 상기 비표시 영역의 GIP 영역에 구비된 GIP 트랜지스터, 상기 GIP 트랜지스터 하부의 상기 기판 내에 구비된 홈 및 상기 홈 내에 구비된 충진층을 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 표시 패널의 가장자리 영역에서 폴리이미드 기판 내의 양전하를 상쇄함으로써 분극에 의한 테두리 얼룩을 개선할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명은 게이트-인-패널(Gate In Panel; GIP) 영역의 트랜지스터의 문턱 전압(Vth) 이동을 개선하고, 고전위 전원 전압의 강하(drop)를 개선함으로써 구동 회로의 신뢰성을 개선할 수 있는 효과를 제공한다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 II-II'에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4의 A 영역의 확대도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 서브 화소 일부의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제6 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 13은 본 발명의 제6 실시예에 따른 GIP 영역 일부의 단면도이다.
도 14a 내지 도 14c는 도 13의 제조 방법을 순차로 나타내는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제7 실시예에 따른 GIP 영역 일부의 단면도이다.
도 16a 내지 도 16c는 도 15의 제조 방법을 순차로 나타내는 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제8 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 18은 본 발명의 제9 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고, 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~ 상에', '~ 상부에', '~ 하부에', '~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한, 제1, 제2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.
먼저, 롤러블 표시 장치는 돌돌 말아도 화상 표시가 가능한 표시 장치로 지칭될 수 있다. 롤러블 표시 장치는 종래의 일반적인 표시 장치와 비교하여 높은 플렉서빌리티(flexibility)를 가질 수 있다. 롤러블 표시 장치의 사용 유무에 따라, 롤러블 표시 장치는 형상이 자유롭게 변경될 수 있다. 구체적으로, 롤러블 표시 장치를 사용하지 않을 때, 롤러블 표시 장치를 돌돌 말아 부피를 감소시켜 보관할 수 있다. 반대로, 롤러블 표시 장치를 사용할 때, 돌돌 말린 롤러블 표시 장치를 다시 펼쳐 사용할 수 있다.
다만, 본 발명이 롤러블 표시 장치에 제한되는 것은 아니며, 폴더블 표시 장치 등의 모든 플라스틱 기반의 표시 장치에 적용될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의상 표시 장치로 롤러블 표시 장치를 예로 들어 설명하기로 한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예의 표시 장치(100)는 표시부(DP) 및 하우징부(HP)를 포함할 수 있다.
표시부(DP)는 사용자에게 영상을 표시하기 위한 구성으로, 예를 들어, 표시 소자와 표시 소자를 구동하기 위한 회로, 배선 및 부품 등이 배치될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치(100)는 롤러블 표시 장치(100)이며, 표시부(DP)는 와인딩(winding) 및 언와인딩(un-winding)이 가능하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 제1 실시예의 표시부(DP)는 와인딩 또는 언와인딩이 가능하도록 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 표시 패널 및 백 커버로 이루어질 수 있다. 표시부(DP)에 대한 보다 상세한 설명은 도 2 및 도 3을 참조하여 후술한다.
하우징부(HP)는 표시부(DP)가 수납될 수 있는 케이스이다. 표시부(DP)는 와인딩되어 하우징부(HP) 내부에 수납될 수 있고, 표시부(DP)는 언와인딩되어 하우징부(HP)의 외부에 배치될 수 있다.
하우징부(HP)는 표시부(DP)가 하우징부(HP)의 내부 및 외부로 이동할 수 있도록 개구부(HPO)가 배치된다. 표시부(DP)는 하우징부(HP)의 개구부(HPO)를 통과하여 상하 방향으로 이동할 수 있다.
표시 장치(100)의 표시부(DP)는 풀 언와인딩(full unwinding)된 상태에서 풀 와인딩(full winding)된 상태로, 또는 풀 와인딩된 상태에서 풀 언와인딩된 상태로 전환될 수 있다.
도 1a에서는 표시 장치(100)의 표시부(DP)가 풀 언와인딩된 상태를 예로 도시하였으며, 풀 언와인딩된 상태는 표시 장치(100)의 표시부(DP)가 하우징부(HP) 외부에 배치된 상태이다. 즉, 사용자가 표시 장치(100)를 통해 영상을 시청하기 위해, 표시부(DP)가 언와인딩되어 하우징부(HP) 외부에 최대한 배치되고, 더 이상 언와인딩할 수 없는 상태를 풀 언와인딩된 상태로 정의할 수 있다.
도 1b에서는 표시 장치(100)의 표시부(DP)가 풀 와인딩된 상태를 예로 도시하였으며, 풀 와인딩된 상태는 표시 장치(100)의 표시부(DP)가 하우징부(HP) 내부에 수납되고, 더 이상 와인딩할 수 없는 상태이다. 즉, 사용자가 표시 장치(100)를 통해 영상을 시청하지 않는 경우에는 표시부(DP)가 하우징부(HP) 외부에 배치되지 않는 것이 외관 측면에서 유리하므로, 표시부(DP)가 와인딩되어 하우징부(HP) 내부에 수납된 상태를 풀 와인딩된 상태로 정의할 수 있다.
표시부(DP)가 하우징부(HP) 내부에 수납된 풀 와인딩된 상태인 경우, 표시 장치(100)의 부피가 작아지고, 운반이 용이할 수 있다.
표시부(DP)를 풀 언와인딩된 상태 또는 풀 와인딩된 상태로 전환하기 위해 표시부(DP)를 와인딩 또는 언와인딩하는 구동부가 배치될 수 있다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 II-II'에 따른 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시부(DP)는, 백 커버(110), 표시 패널(120), 플렉서블 필름(130) 및 인쇄 회로 기판(140)을 포함할 수 있다.
표시 패널(120)은 사용자에게 영상을 표시하기 위한 패널이다.
표시 패널(120)은 영상을 표시하기 위한 표시 소자, 표시 소자를 구동하기 위한 구동 소자, 및 표시 소자 및 구동 소자로 각종 신호를 전달하는 배선 등이 배치될 수 있다. 표시 소자는 표시 패널(120)의 종류에 따라 상이하게 정의될 수 있으며, 예를 들어, 표시 패널(120)이 유기 발광 표시 패널인 경우, 표시 소자는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(120)이 액정 표시 패널인 경우, 표시 소자는 액정 표시 소자일 수 있다. 이하에서는 표시 패널(120)이 유기 발광 표시 패널인 것으로 가정하지만, 표시 패널(120)이 유기 발광 표시 패널로 제한되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치(100)는 롤러블 표시 장치이므로, 표시 패널(120)은 롤러(151)에 와인딩 또는 언와인딩되기 위해 플렉서블 표시 패널로 구현될 수 있다.
표시 패널(120)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(AA)은 표시 패널(120)에서 영상이 표시되는 영역이다.
표시 영역(AA)에는 복수의 화소를 구성하는 복수의 서브 화소 및 복수의 서브 화소를 구동하기 위한 회로가 배치될 수 있다. 복수의 서브 화소는 표시 영역(AA)을 구성하는 최소 단위로, 복수의 서브 화소 각각에 표시 소자가 배치될 수 있고, 복수의 서브 화소는 화소를 구성할 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소 각각에는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함하는 유기 발광 소자가 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 복수의 서브 화소를 구동하기 위한 회로에는 구동 소자 및 배선 등이 포함될 수 있다. 예를 들어, 회로는 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 게이트 배선, 데이터 배선 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역이다.
비표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)의 유기 발광 소자를 구동하기 위한 다양한 배선 및 회로 등이 배치될 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소 및 회로로 신호를 전달하기 위한 링크 배선 또는 게이트 드라이버 IC, 데이터 드라이버 IC와 같은 구동 IC 등이 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
플렉서블 필름(130)은 연성을 가진 베이스 필름에 각종 부품이 배치된 필름이다. 구체적으로, 플렉서블 필름(130)은 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소 및 회로로 신호를 공급하기 위한 필름으로, 표시 패널(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 플렉서블 필름(130)은 표시 패널(120)의 비표시 영역(NA)의 일단에 배치되어 전원 전압, 데이터 전압 등을 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소 및 회로로 공급할 수 있다. 도 2에서는, 예로 플렉서블 필름(130)이 4개인 것으로 도시하였으나, 플렉서블 필름(130)의 개수는 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
한편, 플렉서블 필름(130)에는, 예를 들어, 게이트 드라이버 IC, 데이터 드라이버 IC와 같은 구동 IC가 배치될 수 있다. 구동 IC는 영상을 표시하기 위한 데이터와 이를 처리하기 위한 구동 신호를 처리하는 부품이다. 구동 IC는 실장 되는 방식에 따라 칩 온 글래스(Chip On Glass; COG), 칩 온 필름(Chip On Film; COF), 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package; TCP) 등의 방식으로 배치될 수 있다. 다만, 설명의 편의를 위해 구동 IC가 플렉서블 필름(130) 상에 실장된 칩 온 필름 방식인 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않는다.
인쇄 회로 기판(140)은 플렉서블 필름(130)의 일단에 배치되어 플렉서블 필름(130)과 연결될 수 있다. 인쇄 회로 기판(140)은 구동 IC에 신호를 공급하는 부품이다. 인쇄 회로 기판(140)은 구동 신호, 데이터 신호 등과 같은 다양한 신호를 구동 IC로 공급할 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판(140)에는 데이터 신호들을 생성하는 데이터 구동부가 실장될 수 있으며, 생성된 데이터 신호는 플렉서블 필름(130)을 통해 표시 패널(120)의 복수의 서브 화소 및 회로로 공급될 수 있다. 한편, 도 2에서는 인쇄 회로 기판(140)이 1개인 것으로 도시하였으나, 인쇄 회로 기판(140)의 개수는 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
인쇄 회로 기판(140)과 연결되는 플렉서블 인쇄 회로 기판이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판(140)은 데이터 구동부가 실장 되는 소스 인쇄 회로 기판(Source PCB; S-PCB)으로 지칭될 수 있고, 인쇄 회로 기판(140)과 연결되는 플렉서블 인쇄 회로 기판은 타이밍 컨트롤러 등이 실장 되는 컨트롤 인쇄 회로 기판(Control PCB; C-PCB)으로 지칭될 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 인쇄 회로 기판은 롤러(151) 내에 배치될 수도 있고, 롤러(151) 외부에서 하우징부(HP) 내에 배치되거나, 인쇄 회로 기판(140)과 바로 접하도록 배치될 수도 있다.
또한, 백 커버(110)는 표시 패널(120), 플렉서블 필름(130) 및 인쇄 회로 기판(140)의 배면에 배치되어, 표시 패널(120), 플렉서블 필름(130) 및 인쇄 회로 기판(140)을 지지할 수 있다. 이에, 백 커버(110)는 표시 패널(120)의 크기보다 클 수 있다. 이에, 백 커버(110)는 외부로부터 표시부(DP)의 다른 구성을 보호할 수 있다. 백 커버(110)는 강성을 가지는 물질로 형성되나, 백 커버(110)의 적어도 일부분은 표시 패널(120)과 함께 와인딩 또는 언와인딩되기 위해 소정의 플렉서빌리티(flexibility)를 가질 수 있다. 예를 들어, 백 커버(110)는 SUS(Steel Use Stainless) 또는 인바(Invar) 등의 금속 재질 또는 플라스틱 등의 물질로 이루어질 수 있다. 다만, 백 커버(110)의 물질은 설계에 따라 열 변형량, 곡률 반경, 강성 등의 물성 조건을 만족한다면, 다양하게 변경될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(120)은 기판(121), 버퍼층(122), 화소부(123), 봉지층(124), 봉지 기판(125), 배리어 필름(126) 및 편광판(127)을 포함할 수 있다.
기판(121)은 표시 패널(120)의 다양한 구성들을 지지하기 위한 베이스 부재로, 절연 물질로 구성될 수 있다. 기판(121)은 표시 패널(120)이 와인딩 또는 언와인딩되기 위해, 플렉서빌리티를 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 폴리이미드(PI) 등과 같은 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다.
버퍼층(122)은 기판(121)의 외측으로부터 침투한 수분 및/또는 산소가 확산되는 것을 방지할 수 있다. 버퍼층(122)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx)의 단층이나 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
화소부(123)는 복수의 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자를 구동하기 위한 화소 구동 회로를 포함할 수 있다. 화소부(123)는 표시 영역(AA)에 대응되는 영역일 수 있다. 유기 발광 소자는 애노드, 유기 발광층 및 캐소드를 포함할 수 있다.
애노드는 유기 발광층으로 정공을 공급할 수 있고, 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 애노드는 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
유기 발광층은 애노드로부터 정공을 공급받고, 캐소드로부터 전자를 공급받아 빛을 발광할 수 있다. 유기 발광층은 유기 발광층에서 발광된 빛의 색상에 따라 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 청색 유기 발광층 및 백색 유기 발광층 등으로 이루어질 수 있다. 유기 발광층이 백색 유기 발광층인 경우, 다양한 색상의 컬러 필터가 추가적으로 더 배치될 수 있다.
캐소드는 유기 발광층에 전자를 공급할 수 있고, 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 캐소드는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같은 금속 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
유기 발광 소자에서 발광된 빛이 방출되는 방향에 따라 표시 패널(120)은 탑 에미션(top emission) 또는 바텀 에미션(bottom emission) 방식으로 구성될 수 있다.
탑 에미션 방식은 유기 발광 소자에서 발광된 빛이 유기 발광 소자가 형성된 기판(121)의 상부로 발광되는 방식이다. 탑 에미션 방식인 경우, 유기 발광 소자에서 발광된 빛을 기판(121)의 상부로, 즉, 캐소드 측으로 진행시키기 위해, 애노드 하부에 반사층이 형성될 수 있다.
바텀 에미션 방식은 유기 발광 소자에서 발광된 빛이 유기 발광 소자가 형성된 기판(121)의 하부로 발광되는 방식이다. 바텀 에미션 방식인 경우, 유기 발광 소자에서 발광된 빛을 기판(121)의 하부로 진행시키기 위해, 애노드는 투명 도전성 물질로만 이루어질 수 있고, 캐소드가 반사율이 높은 금속 물질로 이루어질 수 있다.
이하에서는 설명의 편의를 위해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치(100)가 바텀 에미션 방식의 표시 장치인 것으로 가정하여 설명하기로 하나, 이에 제한되는 것은 아니다.
화소부(123)에는 유기 발광 소자를 구동하기 위한 회로가 배치될 수 있다. 회로는 박막 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선 등으로 이루어질 수 있으나, 표시 장치(100)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
화소부(123) 상부에 화소부(123)를 덮는 봉지층(124)이 배치될 수 있다. 봉지층(124)은 화소부(123)의 유기 발광 소자를 밀봉한다. 봉지층(124)은 외부의 습기, 산소, 충격 등으로부터 화소부(123)의 유기 발광 소자를 보호할 수 있다. 봉지층(124)은 복수의 무기층과 복수의 유기층이 교대로 적층되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 무기층은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx), 알루미늄 산화물(AlOx) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있고, 유기층은 에폭시(Epoxy) 계열 또는 아크릴(Acryl) 계열의 폴리머가 사용될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
봉지층(124) 상부에 봉지 기판(125)이 배치될 수 있다. 봉지 기판(125)은 봉지층(124)과 함께 화소부(123)의 유기 발광 소자를 보호한다. 봉지 기판(125)은 외부의 습기, 산소, 충격 등으로부터 화소부(123)의 유기 발광 소자를 보호할 수 있다. 봉지 기판(125)은 내부식성이 강하고, 호일(foil) 혹은 박막 형태로 가공이 용이한 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe)과 니켈의 합금 재질 등의 금속 재질로 이루어질 수 있다. 이에, 봉지 기판(125)을 금속 재질로 형성함에 따라 봉지 기판(125)을 초박막 형태로 구현이 가능하고, 외부의 충격 및 긁힘에 강한 내보호성이 제공될 수 있다.
봉지층(124)과 봉지 기판(125) 사이에 제1 접착층(AD1)이 배치될 수 있다. 제1 접착층(AD1)은 봉지층(124)과 봉지 기판(125)을 접착시킬 수 있다. 제1 접착층(AD1)은 접착성을 갖는 물질로 이루어지고, 열 경화형 또는 자연 경화형의 접착제일 수 있다. 예를 들어, 제1 접착층(AD1)은 OCA(Optical Clear Adhesive), PSA(Pressure Sensitive Adhesive) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 제1 접착층(AD1)은 봉지층(124) 및 화소부(123)를 감싸도록 배치될 수 있다. 즉, 화소부(123)는 버퍼층(122) 및 봉지층(124)에 의해 밀봉될 수 있고, 봉지층(124) 및 화소부(123)는 버퍼층(122)과 제1 접착층(AD1)에 의해 밀봉될 수 있다. 제1 접착층(AD1)은 봉지층(124) 및 봉지 기판(125)과 함께 화소부(123)의 유기 발광 소자를 외부의 습기, 산소, 충격 등으로부터 보호할 수 있다. 제1 접착층(AD1)은 흡습제를 더 포함할 수 있다. 흡습제는 흡습성을 가지는 파티클일 수 있고, 외부로부터 수분 및 산소 등을 흡수하여, 화소부(123)에 수분 및 산소가 침투하는 것을 최소화할 수 있다.
배리어 필름(126)이 기판(121) 상면에 배치될 수 있다. 배리어 필름(126)은 표시 패널(120)을 외부의 충격, 습기, 열 등으로부터 보호할 수 있다. 배리어 필름(126)은 가볍고 깨지지 않는 특성을 가지는 고분자 수지로 구성될 수 있다. 예를 들어, 배리어 필름(126)은 COP(Cyclo Olefin Polymer)로 구성될 수 있고, 이에 제한되는 것은 아니며, PI(Poly imide), PC(Poly Carbonate) 및 PET(polyethylene terephthalate) 등의 물질로 이루어질 수도 있다.
편광판(127)이 배리어 필름(126) 상면에 배치될 수 있다.
편광판(127)은 표시 장치(100)로 입사되는 외광이 반사되어 시인되는 것을 방지하기 위한 구성이다. 일 예로, 편광판(127)은 표면층(127f), 제1 보호층(127e), 편광층(127d), 제2 보호층(127c), 위상 지연층(127b) 및 접착층(127a)을 포함할 수 있다.
표면층(127f)은 편광판(127)의 최 외측에 배치되어, 편광판(127)의 기계적 강도를 강화하고 눈부심 및 반사 방지 기능을 하여, 표시 장치(100)의 시인성을 개선할 수 있다. 표면층(127f)은 AG(Anti-Glare), SG(Semi-Glare), LR(Low-Reflection) 및 AGLR(Anti-Glare ＆ Low-Reflection) 등의 표면 처리 방식으로 형성된 층이나 필름으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
접착층(127a)은 편광판(127)의 최 하측에 배치되어 편광판(127)을 배리어 필름(126)에 접착시킬 수 있다. 접착층(127a)은 예를 들어, PSA(pressure sensitive adhesive)로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
위상 지연층(127b)은 편광층(127d)이 외광을 편광시키는 각도를 기준으로 -45도 또는 +45도의 투과축을 가질 수 있다. 이에, 위상 지연층(127b)으로 입사하는 외광은 위상 지연층(127b)을 통과하며 원편광 될 수 있다.
편광층(127d)은 표시 장치(100)의 외부로부터 입사되는 광을 선편광 시킬 수 있다. 이에, 편광층(127d)은 요오드 또는 이색성 염료를 함유하는 폴리 비닐 알코올(polyvinyl alcohol, PVA)계 고분자 필름의 연신 필름으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
편광층(127d)의 양 면에는 제1 보호층(127e) 및 제2 보호층(127c)이 각각 배치될 수 있다. 편광층(127d)은 수분을 잘 흡수하는 폴리 비닐 알코올계 물질로 이루어지므로, 편광층(127d)의 양 면에 제1 보호층(127e) 및 제2 보호층(127c)을 배치하여 편광층(127d)이 열 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 제1 보호층(127e) 및 제2 보호층(127c)은 편광층(127d)의 편광 상태에 영향을 주지 않도록 위상차가 없는 물질로 이루어질 수 있다. 예로, 제1 보호층(127e) 및 제2 보호층(127c)은 트리아세틸 셀룰로오스(TAC)와 같은 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
봉지 기판(125) 상부에 백 커버(110)가 배치될 수 있다. 백 커버(110)는 표시 패널(120)의 봉지 기판(125)에 접하도록 배치되어, 표시 패널(120)을 보호할 수 있다. 백 커버(110)는 표시 패널(120)을 보호하기 위해, 강성을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
한편, 백 커버(110)는 복수의 개구부(111)를 포함할 수 있다.
복수의 개구부(111)는 백 커버(110)가 플렉서빌리티를 갖도록 할 수 있다. 복수의 개구부(111)는 유연하게 변형될 수 있고, 백 커버(110)가 표시 패널(120)과 함께 롤러에 와인딩 되거나, 롤러로부터 언와인딩될 수 있도록 할 수 있다.
봉지 기판(125)과 백 커버(110) 사이에 제2 접착층(AD2)이 배치될 수 있다. 제2 접착층(AD2)은 봉지 기판(125)과 백 커버(110)를 접착시킬 수 있다. 제2 접착층(AD2)은 접착성을 갖는 물질로 이루어지고, 열 경화형 또는 자연 경화형의 접착제일 수 있다. 예를 들어, 제2 접착층(AD2)은 OCA(Optical Clear Adhesive), PSA(Pressure Sensitive Adhesive) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 3에서는 백 커버(110)의 복수의 개구부(111)에 제2 접착층(AD2)이 채워지지 않은 것으로 도시하였으나, 제2 접착층(AD2)이 백 커버(110)의 복수의 개구부(111)의 일부 또는 전체에 채워질 수 있다. 만약, 제2 접착층(AD2)이 백 커버(110)의 복수의 개구부(111)의 내측에 채워지는 경우, 제2 접착층(AD2)과 백 커버(110) 간의 접촉 면적이 증가하여 박리 현상이 방지될 수 있다.
한편, 본 발명은 폴리이미드 기판을 기반으로 하는 플렉서블 표시 장치에 있어 표시 패널의 가장자리 영역에 도전 패턴을 형성하여 폴리이미드 기판 내의 양전하를 상쇄함으로써 테두리 얼룩을 개선하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명은 게이트-인-패널(Gate In Panel; GIP) 부의 트랜지스터 하부에 폴리이미드 기판의 일부를 제거하거나 차폐층을 형성함으로써 GIP 영역에서의 구동 불량을 방지하는 것을 특징으로 하며, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4의 A 영역의 확대도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 서브 화소 일부의 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 도전 패턴(150)을 구비하는 않은 비교예의 표시 패널 일부를 예로 보여주고 있으며, 도 5b는 본 발명의 도전 패턴(150)을 구비한 제1 실시예의 표시 패널 일부를 예로 보여주고 있다.
도 6에서는 설명의 편의를 위해 편광판의 도시를 생략하였다.
도 7에서는 각각 하나의 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터를 도시하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 도 7에서는 설명의 편의를 위해 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터의 일부만을 도시하고 있다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 패널(120)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(AA)은 표시 패널(120)에서 영상이 표시되는 영역이며, 표시 영역(AA)의 가장자리 일부를 가장자리 영역(EA)으로 정의할 수 있다.
가장자리 영역(EA)은 표시 영역(AA)의 가장자리에서 내측으로 대략 5mm의 폭을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 화소 설계에 따라 변동이 가능하며, 5mm의 폭은 약 10개 정도의 서브 화소의 폭에 대응될 수 있다.
가장자리 영역(EA)은 표시 영역(AA)의 가장자리, 또는 엣지에 해당한다.
비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로, 비표시 영역(NA)에는 게이트 드라이버가 배치되는 GIP 영역을 포함할 수 있다.
비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)의 하나 이상의 측면에 인접할 수 있다.
도 4에서는 비표시 영역(NA)이 사각형 형태의 표시 영역(AA)을 둘러싸는 경우를 예로 도시하고 있다. 다만, 표시 영역(AA)의 형태 및 표시 영역(AA)에 인접한 비표시 영역(NA)의 형태나 배치는 도 4에 도시된 예에 한정되지 않는다. 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)은, 표시 장치(100)를 탑재한 전자 장치의 디자인에 적합한 형태일 수 있다. 따라서, 표시 영역(AA)의 예시적 형태는 오각형, 육각형, 원형, 타원형 등을 가질 수도 있다.
표시 영역(AA) 내의 각 화소는 화소 구동 회로를 포함할 수 있다. 화소 구동 회로는, 하나 이상의 스위칭 트랜지스터 및 하나 이상의 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 화소 구동 회로는 하나 이상의 센싱(sensing) 트랜지스터를 더 포함할 수도 있다. 각 화소 구동 회로는, 비표시 영역(NA)에 위치한 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버 등과 통신하기 위해 게이트 라인 및 데이터 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.
게이트 드라이버 및 데이터 드라이버는 비표시 영역(NA)에 TFT(thin film transistor)로 구현될 수 있다. 이러한 드라이버는 GIP로 지칭될 수 있다. 또한, 데이터 드라이버 IC와 같은 몇몇 부품들은, 분리된 인쇄 회로 기판에 탑재되고, FPCB(flexible printed circuit board), COF(chip-on-film), TCP(tape-carrier-package) 등과 같은 회로 필름을 통하여 비표시 영역(NA)에 배치된 연결 인터페이스(패드, 범프, 핀 등)와 결합될 수 있다.
표시 장치(100)는, 다양한 신호를 생성하거나 표시 영역(AA) 내의 화소를 구동하기 위한, 다양한 부가 요소들을 포함할 수 있다. 화소를 구동하기 위한 부가 요소는 인버터 회로, 멀티플렉서, 정전기 방전(electro static discharge) 회로 등을 포함할 수 있다. 표시 장치(100)는, 화소 구동 이외의 기능과 연관된 부가 요소도 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(100)는 터치 감지 기능, 사용자 인증 기능(예: 지문 인식), 멀티 레벨 압력 감지 기능, 촉각 피드백(tactile feedback) 기능 등을 제공하는 부가 요소들을 포함할 수 있다. 상기 언급된 부가 요소들은 비표시 영역(NA) 및/또는 연결 인터페이스와 연결된 외부 회로에 위치할 수 있다.
한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치(100)는, 표시 패널(120)의 가장자리 영역(EA)에 도전 패턴(150)을 형성함으로써 테두리 얼룩을 개선하는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명의 제1 실시예에 따른 도전 패턴(150)은, 가장자리 영역(EA)을 포함하여 비표시 영역(NA)까지 기판(121) 하부에 형성, 접지되어 기판(121) 내의 양전하를 상쇄함으로써 테두리 얼룩을 개선하는 것을 특징으로 한다.
예를 들면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 도전 패턴(150)은 GIP 영역이 배치되는 표시 패널(120)의 좌우에 스트라이프(stripe) 형태로 배치될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 본 발명의 도전 패턴(150)은 표시 패널(120)의 가장자리 전체에 사각 틀 형태로 배치될 수도 있다.
구체적으로, 폴리이미드를 기판으로 적용한 플렉서블 표시 장치에서, 표시 패널의 테두리 얼룩이 이슈가 되고 있다. 예로 롤러블 표시 장치는, 롤링 확보를 위해 폴리이미드를 기판으로 사용하게 된다.
폴리이미드는 기본적으로 솔벤트(solvent)와 고체(solid)로 구성되어 있으며, 경화 후에 화학적 결합으로 인해 모바일(mobile) 전하가 발생하게 된다. 도 5a를 참조하면, 표시 패널에 전계가 인가(구동)될 경우 폴리이미드의 모바일 전하가 이동하게 되는데, 표시 장치에서는 구조적으로 표시 영역(AA)과 비표시 영역(NA) 사이의 차광층(LS)의 유무로 전계 차이가 발생하게 된다. 즉, 도 7을 참조하면, 표시 패널(120)의 구동 시 제1 트랜지스터(T1) 하부의 차광층(LS)은 (+) 전계가 형성될 수 있고, 전계에 기인하여 폴리이미드 기판(121) 표면에 분극된 모바일 전하가 형성되게 된다. 차광층(LS) 하부의 기판(121) 표면에는 (-) 전하가 모이고, 그 외 영역은 상대적으로 (+) 전하가 모일 수 있다. 반면에, 비표시 영역(NA)의 GIP 영역에는 차광층이 없거나 적고, 신호가 (+), (-)로 교번하여 인가될 수 있다.
초기 및 장기 구동 시에는 (-) 전하가 전계가 강한 차광층(LS) 하부로 이동하고, (+) 전하는 그 외 영역에서 트랩(trap) 된다. 가장자리 영역(EA) 대비하여 그 외 표시 영역(AA)의 강한 전계에 의해 표시 패널(120) 전체는 전기적으로 평형 상태를 이루어 테두리 얼룩이 발생하지 않는다. 참고로, "그 외 표시 영역(AA)"은, 설명의 편의상, 표시 영역(AA) 중에서 가장자리 영역(EA)을 제외한 표시 영역(AA)을 의미하는 것으로 한다.
그러나, 구동을 종료한 후에 재 구동하는 경우, 가장자리 영역(EA)에 트랩된 (+) 전하는 재 구동 시에 다시 발생한 (-) 전하와 만나 상쇄(neutral)되고, 다시 발생한 (+) 전하는 차광층(LS) 하부 주변으로 이동하여 제2 트랜지스터(T2)의 Vth의 네거티브 이동(negative shift)을 유발하여 가장자리 영역(EA)과 그 외 표시 영역(AA) 사이의 휘도 차에 의한 얼룩이 인지되게 된다.
이에 본 발명은, 도 5b를 참조하면, 표시 패널(120)의 가장자리 영역(EA)의 기판(121) 하부에 도전 패턴(150)을 형성, 접지하여 가장자리 영역(EA)에 트랩된 (+) 전하를 상쇄하는 것을 특징으로 한다.
도 6 및 도 7을 함께 참조하면, 본 발명의 제1 실시예의 도전 패턴(150)은, 가장자리 영역(EA)을 포함하여 비표시 영역(NA)까지 기판(121) 하부에 형성될 수 있다.
도전 패턴(150)은 도전 테이프로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
레이저-리프트-오프(Laser Lift Off; LLO) 공정 후에 도전 테이프를 표시 패널(120)의 외곽에 라미네이션(lamination)하여 형성할 수 있다. 이후, 배리어 필름(126)을 라미네이션 할 수 있다.
즉, 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 패널(120)은, 박막 트랜지스터(T1, T2) 및 유기 발광 소자(160)가 배열된 기판(121), 봉지 기판(125), 배리어 필름(126) 등을 포함할 수 있다.
기판(121)은 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 플라스틱 기판인 경우, 폴리이미드 계열 또는 폴리 카보네이트 계열 물질이 사용되어 가요성(flexibility)을 가질 수 있다. 특히, 폴리이미드는 고온의 공정에 적용될 수 있고, 코팅이 가능한 재료이기에 플라스틱 기판으로 많이 사용된다.
버퍼층(122)은 기판(121) 또는 하부의 층들에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물, 수분 및/또는 산소로부터 트랜지스터를 보호하기 위한 기능 층이다. 버퍼층(122)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)의 단일 층 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 버퍼층(122)은 멀티 버퍼(multi buffer)층 및/또는 액티브 버퍼(active buffer)층을 포함할 수 있다. 멀티 버퍼층은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx)이 교대로 적층되어 구성될 수 있으며, 기판(121)에 침투한 수분 및/또는 산소가 확산되는 것을 지연시키는 기능을 수행한다. 액티브 버퍼층은 트랜지스터(T1, T2)의 액티브층(ACT, ACT2, ACT3)을 보호하며, 기판(121)으로부터 유입되는 다양한 종류의 결함을 차단하는 기능을 수행한다.
화소부(123)는 유기 발광 소자(160) 및 유기 발광 소자(160)를 구동하기 위한 화소 구동 회로를 포함할 수 있다. 화소부(123)는 표시 영역(AA)에 대응되는 영역일 수 있다.
유기 발광 소자(160)는 애노드(161), 유기층(162) 및 캐소드(163)를 포함할 수 있다.
버퍼층(122) 위에 적어도 하나의 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2) 및 제3 트랜지스터가 배치될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터일 수 있고, 제2 트랜지스터(T2)는 센싱 트랜지스터일 수 있으며, 제3 트랜지스터는 스위칭 트랜지스터일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 액티브층(ACT1), 제1 게이트 전극(GE1), 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 제2 액티브층(ACT2), 제2 게이트 전극(GE2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극을 포함할 수 있다.
제3 트랜지스터는 제3 액티브층(ACT3), 제3 게이트 전극, 제3 소스 전극 및 제3 드레인 전극을 포함할 수 있다.
버퍼층(122) 위에 차광층(LS)이 배치될 수 있다.
차광층(LS)은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 액티브층(ACT1)에 중첩하도록 배치되어, 외부로부터 유입된 광 또는 외부로부터 유입된 수분으로부터 제1 트랜지스터(T1)를 보호하여, 제1 트랜지스터(T1)의 소자 특성이 변동되는 것을 최소화할 수 있다. 도 7에서는 차광층(LS)이 제1 드레인 전극(DE1)과 전기적으로 접속된 것으로 도시되어 있으나, 차광층(LS)은 플로팅(floating)될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.
차광층(LS) 위에 제1 절연층(115a)이 배치될 수 있다.
제1 절연층(115a)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)의 단일 층 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다.
제1 절연층(115a) 위에 제1 액티브층(ACT1), 제2 액티브층(ACT2) 및 제3 액티브층(ACT3)이 배치될 수 있다. 제1 액티브층(ACT1), 제2 액티브층(ACT2) 및 제3 액티브층(ACT3)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다.
다만, 이에 제한되지 않으며, 제1 액티브층(ACT1), 제2 액티브층(ACT2) 및 제3 액티브층(ACT3)은 비정질 실리콘(a-Si)으로 이루어질 수도 있고, 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.
제1 액티브층(ACT1) 및 제2 액티브층(ACT2) 위에 게이트 절연층(115b)이 배치되고, 그 위에 제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)이 배치될 수 있다.
게이트 절연층(115b)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)의 단일 층 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다.
제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2)은 다양한 도전성 물질, 예컨대, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
제1 게이트 전극(GE1) 및 제2 게이트 전극(GE2) 위에 제2 절연층(115c)이 배치될 수 있다.
제2 절연층(115c)은 층간 절연층으로, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 무기물로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다. 제2 절연층(115c) 및/또는 제1 절연층(115a)의 선택적 제거로 차광층(LS)과 제2 게이트 전극(GE2) 및 제1 액티브층(ACT1)의 소스 및 드레인 영역이 노출되는 컨택 홀(contact hole)이 형성될 수 있다.
제2 절연층(115c) 위에 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)이 배치될 수 있다. 서로 이격되어 배치된 제1 소스 전극(SE1) 및 제1 드레인 전극(DE1)은 제1 액티브층(ACT1)과 전기적으로 접속될 수 있다. 또한, 제1 드레인 전극(DE1)은 차광층(LS)과도 전기적으로 접속될 수 있다.
또한, 제2 절연층(115c) 위에 제2 소스 전극(SE2)이 배치될 수 있다. 제2 소스 전극(SE2)은 제2 게이트 전극(GE2) 및 제3 액티브층(ACT3)과 전기적으로 전속될 수 있다.
제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1) 및 제2 소스 전극(SE2) 위에 제3 절연층(115d)이 배치될 수 있다.
제3 절연층(115d)은 평탄화층으로, 트랜지스터(T1, T2)를 보호하고 그 상부를 평탄화할 수 있다. 제3 절연층(115d)은 다양한 형태로 구성될 수 있는데, BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴(Acryl) 등과 같은 유기 절연막, 또는 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 절연막으로 형성될 수도 있고, 단층으로 형성되거나 이중 혹은 다층으로 구성될 수도 있다.
제3 절연층(115d) 위에 유기 발광 소자(160)가 배치될 수 있다.
유기 발광 소자(160)는 애노드(161), 애노드(161) 위에 형성된 유기층(162) 및 유기층(162) 위에 형성된 캐소드(163)를 포함할 수 있다.
유기 발광 소자(160)는 하나의 빛을 발광하는 단일 발광층 구조로 구성될 수도 있고, 복수 개의 발광층으로 구성되어 백색 광을 발광하는 구조로 구성될 수도 있다. 유기 발광 소자(160)가 백색 광을 발광하는 경우, 컬러 필터가 더 구비될 수도 있다. 유기 발광 소자(160)는 표시 영역(AA)에 대응하는 기판(101)의 중앙 부분에 배치될 수 있다.
제3 절연층(115d) 위에 애노드(161)가 배치될 수 있다. 애노드(161)는 컨택 홀을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 제1 드레인 전극(DE1)에 전기적으로 접속할 수 있다.
애노드(161)는 발광층에 정공을 공급하므로, 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 애노드(161)는 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
표시 장치(100)는 상부 발광(top emission) 방식 또는 하부 발광(bottom emission) 방식으로 구현될 수 있다. 상부 발광 방식 경우, 발광층으로부터 발광된 광이 애노드(161)에 반사되어 상부 방향, 즉, 캐소드(163) 방향으로 향하도록, 애노드(161)의 하부에 반사 효율이 우수한 금속 물질, 예를 들어, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 물질로 이루어진 반사층이 추가될 수 있다. 반대로, 표시 장치(100)가 하부 발광 방식 경우, 애노드(161)는 투명 도전성 물질로만 이루어질 수 있다.
유기층(162)은 애노드(161)와 캐소드(163) 사이에 배치될 수 있다.
유기층(162)은 애노드(161) 및 캐소드(163)로부터 공급된 전자와 정공의 결합에 의해 광이 발광하는 영역이다.
한편, 유기 발광 표시 장치의 품질 및 생산성 향상을 위해서 유기 발광 소자의 효율, 수명 향상 및 소비 전력 저감 등을 위한 다양한 유기 발광 소자 구조가 제안되고 있다.
이에 따라, 하나의 스택(stack) 즉, 하나의 발광 유닛(electroluminescence unit: EL unit)을 적용하는 유기 발광 소자뿐만 아니라, 향상된 효율 및 수명 특성을 구현하기 위해 복수의 스택, 즉 복수의 발광 유닛의 적층을 이용하는 탠덤(tandem) 구조의 유기 발광 소자가 제안되고 있다. 다만, 본 발명이 탠덤 구조에 제한되는 것은 아니며, 이하에서는 설명의 편의상 탠덤 구조를 예로 설명하고자 한다.
탠덤 구조, 즉, 제1 발광 유닛과 제2 발광 유닛의 적층을 이용한 2 스택 구조의 유기 발광 소자는 전자와 정공의 재결합(recombination)을 통해서 발광이 일어나는 발광 영역이 제1 발광 유닛과 제2 발광 유닛 각각에 위치하며, 제1 발광 유닛의 제1 발광층과 제2 발광 유닛의 제2 발광층에서 각각 발광하는 빛이 보강 간섭을 일으키면서 단일 스택 구조의 유기 발광 소자 대비 높은 휘도를 제공할 수 있다.
스택 구조는, 예를 들어, 애노드(161)와 캐소드(163) 사이에 배치된 전하 생성층, 전하 생성층과 애노드(161) 사이에 배치된 제1 스택 및 캐소드(163)와 전하 생성층 사이에 배치된 제2 스택을 포함할 수 있다. 전하 생성층은 제1 스택과 제2 스택 사이에 배치되어 전하를 발생시킬 수 있다. 전하 생성층은 p형 전하 생성층과 n형 전하 생성층이 적층된 구조로 형성될 수 있다. 즉, 전하 생성층은 양 전하와 음 전하를 양쪽 방향으로 발생하는 p형 전하 생성층과 n형 전하 생성층으로 구성될 수 있으며, 실질적으로 전극의 역할을 할 수 있다.
제1 스택과 제2 스택 각각은 적어도 하나 이상의 발광층을 포함하며, 각각의 발광층을 사이에 두고, 그 상부 및 하부에 공통층을 포함할 수 있다.
애노드(161) 및 제3 절연층(115d) 위에 뱅크(115e)가 배치될 수 있다.
뱅크(115e)는 복수의 서브 화소를 구분하기 위해, 복수의 서브 화소 사이에 배치된 절연층이다.
뱅크(115e)는 애노드(161)의 일부를 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 뱅크(115e)는 애노드(161)의 에지 또는 가장자리 부분을 덮도록 배치된 유기 절연 물질일 수 있다. 뱅크(115e)는, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 또는 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene: BCB)계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
애노드(161) 위에 유기층(162)이 배치될 수 있다. 유기층(162)은 복수의 서브 화소 각각에 배치되는 발광층 및 복수의 서브 화소에 공통으로 배치되는 공통층을 포함할 수 있다. 발광층은 특정 색상의 광을 발광하기 위한 유기층으로, 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 각각에 서로 다른 발광층이 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 모든 서브 화소 각각에 복수의 발광층을 구비하여 백색을 발광할 수도 있다.
공통층은 발광층의 발광 효율을 개선하기 위해서 배치되는 유기층이다. 공통층은 복수의 서브 화소에 걸쳐 하나의 층으로 형성될 수 있다. 즉, 복수의 서브 화소 각각의 공통층은 서로 연결되어 일체로 이루어질 수 있다. 공통층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 생성층 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
유기층(162) 위에 캐소드(163)가 배치될 수 있다.
캐소드(163)는 유기 발광 소자(160)에 전자를 공급하는 전극이다.
캐소드(163)는 일함수가 낮은 물질로 이루어질 수 있다. 캐소드(163)는 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캐소드(163)는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 등으로 이루어질 수 있다. 또는, 캐소드(163)는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 구리(Cu) 등과 같은 금속 물질 또는 이들의 합금으로 이루어진 군 중의 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 캐소드(163)는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금으로 이루어질 수도 있다. 또는, 캐소드(163)는 ITO, IZO, IGZO와 같은 투명 도전성 물질로 이루어진 층과, 금(Au), 은(Ag) 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 구리(Cu) 등과 같은 금속 물질 또는 이들의 합금으로 이루어진 층이 적층되어 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.
캐소드(163)는 저전위 전원 배선과 전기적으로 연결되어 저전위 전원 신호를 공급받을 수 있다.
캐소드(163) 위에 봉지층(124)이 배치될 수 있다. 봉지층(124)은 뱅크(115e) 및 유기 발광 소자(160) 상부에 배치될 수 있다. 봉지층(124)은 외부로부터 표시 장치(100) 내부로 침투하는 산소와 수분을 차단할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(100)가 수분이나 산소에 노출되면 발광 영역이 축소되는 픽셀 수축 현상이 나타나거나 발광 영역 내 흑점이 발생하는 문제가 발생할 수 있다. 봉지층(124)은 산소와 수분을 차단하여 표시 장치(100)를 보호할 수 있다.
봉지층(124)은 제1 봉지층, 제2 봉지층 및 제3 봉지층을 포함할 수 있다.
제1 봉지층은 캐소드(163) 위에 배치되며, 수분이나 산소의 침투를 억제할 수 있다. 제1 봉지층은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 등의 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 봉지층은 제1 봉지층 위에 배치되어 표면을 평탄화할 수 있다. 또한 제2 봉지층은 표시 장치의 제조 공정 상 발생할 수 있는 이물 또는 파티클을 커버할 수 있다. 제2 봉지층은 유기물, 예를 들어, 실리콘옥시카본(SiOxCz), 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진(Resin) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제3 봉지층은 제2 봉지층 위에 배치되고, 제1 봉지층과 같이 수분이나 산소의 침투를 억제할 수 있다. 제3 봉지층은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 등의 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
봉지층(124) 위에 봉지 기판(125)이 배치될 수 있다.
봉지 기판(125)은 봉지층(124)과 함께 유기 발광 소자(160)를 보호한다. 봉지 기판(125)은 외부의 습기, 산소, 충격 등으로부터 화소부(123)의 유기 발광 소자(160)를 보호할 수 있다. 봉지 기판(125)은 내부식성이 강하고, 호일(foil) 혹은 박막 형태로 가공이 용이한 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 철(Fe)과 니켈의 합금 재질 등의 금속 재질로 이루어질 수 있다. 이에, 봉지 기판(125)을 금속 재질로 형성함에 따라 봉지 기판(125)을 초박막 형태로 구현이 가능하고, 외부의 충격 및 긁힘에 강한 내보호성이 제공될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
이와 같이 본 발명의 제1 실시예는, 가장자리 영역(EA)을 포함하여 비표시 영역(NA)까지의 기판(121) 하부, 예를 들어 배리어 필름(126)의 상부 일부에 도전 패턴(150)을 배치하고, 접지하여 (-) 전하를 공급함으로써 트랩된 기판(121)의 (+) 전하를 상쇄시킬 수 있으며, 이에 테두리 얼룩을 개선할 수 있게 된다.
한편, 본 발명의 제1 실시예는, 도전 테이프로 도전 패턴(150)을 구성한 경우를 예로 들고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 본 발명은 은 페이스트(Ag paste) 코팅으로 도전 패턴을 구성할 수도 있으며, 이를 다음의 본 발명의 제2 실시예를 통해 상세히 설명한다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 8의 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널(220)은 도 6의 표시 패널(120)과 비교하여, 도전 패턴(250)의 구성만이 상이할 뿐이며, 다른 구성들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하기로 한다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 패널(220)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(AA)의 가장자리 일부를 가장자리 영역(EA)으로 정의할 수 있다.
가장자리 영역(EA)은 표시 영역(AA)의 가장자리에서 내측으로 대략 5mm의 폭을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 제2 실시예의 경우, 표시 패널(220)의 가장자리 영역(EA)에 도전 패턴(250)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명의 제2 실시예에 따른 도전 패턴(250)은, 가장자리 영역(EA)을 포함하여 비표시 영역(NA)까지 기판(121) 하부에 형성, 접지될 수 있다.
예를 들면, 도전 패턴(250)은 GIP 영역이 배치되는 표시 패널(220)의 일측, 또는 좌우에 스트라이프 형태로 배치될 수도 있으나, 본 발명이 이에 제한되지는 않는다. 본 발명의 도전 패턴(250)은 표시 패널(220)의 가장자리 전체에 사각 틀 형태로 배치될 수도 있다.
도전 패턴(250)은 가장자리 영역(EA)을 포함하여 비표시 영역(NA)까지의 기판(121) 하부, 구체적으로 기판(121)과 배리어 필름(226) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 레이저-리프트-오프(Laser Lift Off; LLO) 공정 후에 은 페이스트를 표시 패널(220) 외곽의 기판(121) 배면에 코팅(coating)하여 도전 패턴(250)을 형성하고, 도전 패턴(250)을 포함하여 기판(121) 배면에 배리어 필름(226)을 라미네이션으로 형성할 수 있다.
도전 패턴(250)은 은 페이스트를 이용하여 프린팅으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 본 발명의 제1, 제2 실시예는, 표시 패널(120, 220)의 외곽에 도전 패턴(150, 250)을 구성한 경우를 예로 들고 있으나, 본 발명이 이에 제한되지는 않는다. 본 발명은 기판 배면 전체에 도전층을 구성할 수도 있으며, 이를 다음의 본 발명의 제3 실시예를 통해 상세히 설명한다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 9의 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 패널(320)은 도 6 및 도 8의 표시 패널(120, 220)과 비교하여, 도전층(350)의 구성만이 상이할 뿐이며, 다른 구성들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 패널(320)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
본 발명의 제3 실시예의 경우는, 표시 패널(320)의 전체에 도전층(350)을 형성하는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명의 제3 실시예에 따른 도전층(350)은, 표시 패널(320)의 전체, 즉 기판(121) 배면 전체에 형성, 접지될 수 있다. 도전층(350)은 배리어 필름(326) 내에 형성될 수도 있다. 도전층(350)은 배리어 필름(326) 내에 도전성 재료가 첨가되어 배리어 필름(326)의 표면에 형성될 수 있다. 첨가 재료로는 도전 볼을 포함할 수 있으며, 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO) 등으로 형성될 수도 있다.
한편, 본 발명의 제1, 제2, 제3 실시예는, 기판(121)과 배리어 필름(126, 226, 326) 사이에 도전 패턴(150, 250)이나 도전층(350)을 형성한 경우를 예로 들고 있으나, 본 발명이 이에 제한되지는 않는다. 본 발명은 표시 패널 외곽의 기판의 측면에 도전 패턴을 구성할 수도 있으며, 이를 다음의 본 발명의 제4, 제5 실시예를 통해 상세히 설명한다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 10의 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 패널(420)은 도 6 및 도 8의 표시 패널(120, 220)과 비교하여, 기판(421)과 도전 패턴(450)의 구성만이 상이할 뿐이며, 다른 구성들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시 패널(420)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(AA)의 가장자리 일부를 가장자리 영역(EA)으로 정의할 수 있다.
가장자리 영역(EA)은 표시 영역(AA)의 가장자리에서 내측으로 대략 5mm의 폭을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 제4 실시예의 경우, 표시 패널(420)의 가장자리 영역(EA)에 도전 패턴(450)을 형성하는 것을 특징으로 한다. 즉, 본 발명의 제4 실시예에 따른 도전 패턴(450)은, 가장자리 영역(EA)을 포함하여 비표시 영역(NA)까지 기판(421)의 측면에 형성, 접지될 수 있다.
예를 들면, 도전 패턴(450)은 GIP 영역이 배치되는 표시 패널(420)의 일측, 또는 좌우에 스트라이프 형태로 배치될 수도 있으나, 본 발명이 이에 제한되지는 않는다. 본 발명의 도전 패턴(450)은 표시 패널(420)의 가장자리 전체에 사각 틀 형태로 배치될 수도 있다.
도전 패턴(450)은 가장자리 영역(EA)을 포함하여 비표시 영역(NA)까지의 기판(421)의 측면에 형성될 수 있다. 즉, 예를 들면, 가장자리 영역(EA)을 포함하여 비표시 영역(NA)까지, 기판(421) 측면을 식각(etching)하거나 폴리이미드를 선택적 코팅하여 기판(421)을 형성한 후에, 기판(421) 측면에 도전 물질을 증착하여 도전 패턴(450)을 형성할 수 있다.
도전 물질로는, 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO) 등을 이용할 수 있다.
이후, 도전 패턴(450)을 포함하여 기판(421)의 배면에 배리어 필름(426)을 라미네이션으로 형성할 수 있다.
도 11은 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 11의 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 패널(520)은 도 10의 표시 패널(420)과 비교하여, 도전 패턴(550)의 구성만이 상이할 뿐이며, 다른 구성들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시 패널(520)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(AA)의 가장자리 일부를 가장자리 영역(EA)으로 정의할 수 있다.
가장자리 영역(EA)은 표시 영역(AA)의 가장자리에서 내측으로 대략 5mm의 폭을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 제5 실시예의 경우, 표시 패널(520)의 가장자리 영역(EA)에 도전 패턴(550)을 형성하는 것을 특징으로 한다. 특히, 본 발명의 제5 실시예에 따른 도전 패턴(550)은, 가장자리 영역(EA)을 포함하여 비표시 영역(NA)까지 기판(521)의 측면에 형성되는 한편, 표시 패널(520)의 측면을 따라 상부까지 연장 형성되어, 접지될 수 있다.
본 발명의 제5 실시예에 따른 도전 패턴(550)은, GIP 영역이 배치되는 표시 패널(520)의 일측, 또는 좌우에 배치되거나, 표시 패널(520) 가장자리 전체에 사각 틀 형태로 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 제5 실시예에 따른 도전 패턴(550)은, 가장자리 영역(EA)을 포함하여 비표시 영역(NA)까지, 기판(521)의 측면을 식각 하거나 폴리이미드를 선택적으로 코팅하여 기판(521)을 형성한 후에, 기판(521) 측면을 포함하여 표시 패널(520)의 측면에 도전 물질을 스프레이(spray) 분사함으로써 도전 패턴(550)을 형성할 수 있다.
이후, 도전 패턴(550)을 포함하여 기판(521)의 배면에 배리어 필름(526)을 라미네이션으로 형성할 수 있다.
한편, GIP 영역에서, 트랜지스터의 off 구동을 위해 (-) 바이어스를 인가할 경우, 폴리이미드 기판 표면에 전하의 축적으로 액티브 백-채널(back channel)이 형성된다. 즉, 게이트 구동 시 (-) 바이어스에 기인하여 폴리이미드 기판의 표면에 전하가 축적되어 분극이 발생한다. 이에 액티브 백-채널이 형성되어 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 이동이 발생하게 된다. 전류의 숏 패스(short path)가 형성되어 전압 강하(drop)가 발생되며, Qb 노드(node)가 비정상으로 동작하여 구동 불량이 발생할 수 있다.
이에, 본 발명에서는 GIP 영역의 트랜지스터 하부의 폴리이미드 기판의 일부를 제거하거나 차폐층을 형성함으로써 GIP 영역에서의 구동 불량을 방지하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, GIP 영역의 트랜지스터의 문턱 전압 이동을 개선하고, 고전위 전원 전압의 하락을 개선함으로써 구동 회로의 신뢰성을 개선할 수 있게 된다.
도 12는 본 발명의 제6 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 13은 본 발명의 제6 실시예에 따른 GIP 영역 일부의 단면도이다.
도 12는 설명의 편의를 위해 GIP 영역(GA)의 트랜지스터(T) 및 그 하부의 홈(H)이 규칙적인 열과 행으로 배치된 경우를 예로 들고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 도 13에서는 설명의 편의를 위해 하나의 트랜지스터(T)를 포함하는 GIP 영역(GA)의 단면을 예로 보여주고 있다. 또한, 도 13에서는 제2 절연층(615b) 상부의 구성들을 포함하여 일부의 구성들을 생략하여 도시하고 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 제6 실시예의 표시 패널(620)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(AA)은 표시 패널(620)에서 영상이 표시되는 영역이다.
비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로, 표시 영역(AA)의 하나 이상의 측면에 인접할 수 있다.
비표시 영역(NA)에는 게이트 드라이버가 배치되는 GIP 영역(GA)을 포함할 수 있다.
GIP 영역(GA)은 표시 패널(620)의 적어도 일측에 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 도 12에서는 GIP 영역(GA)이 표시 패널(620)의 좌우에 배치된 경우를 예로 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 본 발명의 제6 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 패널(620)의 GIP 영역(GA)의 트랜지스터(T) 하부의 폴리이미드 기판(621) 일부를 제거하여 홈(H)을 형성하고, 홈(H)을 소정의 충진층(670, 675)으로 채우는 것을 특징으로 한다.
구체적으로, 기판(621)은 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 플라스틱 기판인 경우, 폴리이미드 계열 또는 폴리 카보네이트 계열 물질이 사용되어 가요성(flexibility)을 가질 수 있다. 특히, 폴리이미드는 고온의 공정에 적용될 수 있고, 코팅이 가능한 재료이기에 플라스틱 기판으로 많이 사용된다.
버퍼층(622a, 622b)은 기판(621) 또는 하부의 층들에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물, 수분 및/또는 산소로부터 트랜지스터를 보호하기 위한 기능 층이다. 버퍼층(622a, 622b)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)의 단일 층 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 버퍼층(622a, 622b)은 멀티 버퍼(multi buffer)층(622a) 및/또는 액티브 버퍼(active buffer)층(622b)을 포함할 수 있다. 멀티 버퍼층(622a)은 실리콘 산화물(SiOx) 및 실리콘 질화물(SiNx)이 교대로 적층되어 이루어질 수 있으며, 기판(621)에 침투한 수분 및/또는 산소가 확산되는 것을 지연시키는 기능을 수행한다. 그리고, 액티브 버퍼 층(622b)은 트랜지스터(T)의 액티브층(ACT)을 보호하며, 기판(621)으로부터 유입되는 다양한 종류의 결함을 차단하는 기능을 수행한다.
버퍼층(622a, 622b) 위에 적어도 하나의 트랜지스터(T)가 배치될 수 있다.
트랜지스터(T)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다.
버퍼층(622a, 622b) 위에 액티브층(ACT)이 배치될 수 있다.
액티브층(ACT)은 산화물 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 액티브층(ACT)은 비정질 실리콘(a-Si)이나 다결정 실리콘으로 이루어질 수도 있고, 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로 이루어질 수도 있다.
액티브층(ACT) 위에 제1 절연층(615a)이 배치되고, 제1 절연층(615a) 위에 게이트 전극(GE)과 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 게이트 전극(GE)과 다른 층에 배치될 수도 있다.
제1 절연층(615a)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)의 단일 층 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다.
게이트 전극(GE)과 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 다양한 도전성 물질, 예컨대, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
그리고, 게이트 전극(GE)과 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상부에 제2 절연층(615b)이 배치될 수 있다.
제2 절연층(615b)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연성 무기물로 형성될 수 있으며, 이외에도 절연성 유기물 등으로 형성될 수도 있다.
한편, GIP 영역(GA)의 트랜지스터(T) 하부는 기판(621)이 완전히 제거되고 홈(H)이 배치되는 것을 특징으로 한다. 즉, 트랜지스터(T)의 액티브층(ACT) 하부의 기판(621)을 완전히 제거함으로써, 기판(621) 표면에 전하가 축적되는 현상 및 전압 강하를 원천적으로 방지할 수 있다.
홈(H)은 트랜지스터(T)의 평면 형태와 유사한 형태를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 홈(H)은 트랜지스터(T)를 포함하는 사각 형태를 가질 수도 있다.
홈(H)은 GIP 영역(GA)의 트랜지스터(T) 하부의 기판(621)이 완전히 제거된 부분이며, 이러한 홈(H)은 충진층(670, 675)으로 채워질 수 있다.
충진층(670, 675)은 멀티 버퍼층(622a)에 접하는 제1 충진층(670) 및 제1 충진층(670)에 접하는 제2 충진층(675)을 포함할 수 있다.
제1 충진층(670)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 실리콘 산화질화물(SiON)의 단일 층 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다.
제2 충진층(675)은 아크릴, 아크릴 올리고머(acrylic oligomer), 에폭시, 우레탄 중에 선택된 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
이하, 기판(621)에 홈(H) 및 충진층(670, 675)을 형성하는 과정을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 14a 내지 도 14c는 도 13의 제조 방법을 순차로 나타내는 단면도이다.
우선, 도 14a를 참조하면, 지지 기판(681) 위에 희생층(682)을 사이에 두고 기판(621)이 형성될 수 있다.
기판(621)은 표시 패널의 다양한 구성들을 지지하기 위한 베이스 부재로, 절연 물질로 구성될 수 있다. 기판(621)은 표시 패널이 와인딩 또는 언와인딩되기 위해, 플렉서빌리티를 갖는 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, 폴리이미드 등과 같은 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 플렉서블 표시 장치의 구현을 위해서는 기판(621)의 유연성 확보가 필요하며, 현재 이러한 기판 유연성 확보를 위해서 기존의 유리기판 대신 플라스틱의 플렉서블 기판(621)을 사용하게 된다.
지지 기판(681)은 기판(621)이 폴리이미드와 같이 유연한 물질로 이루어질 경우 후속 공정을 용이하게 하기 위해 기판(621) 하부에 부착될 수 있다.
지지 기판(681)은 글라스로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
지지 기판(681)은 레이저 릴리즈 공정에 의한 희생층(682)의 릴리즈에 의해 기판(621)으로부터 분리될 수 있다. 그리고, 희생층(682)은 비정질 실리콘(a-Si) 또는 실리콘 질화막(SiNx)을 통해 이루어질 수 있다.
이어서, 기판(621) 위에 소정의 포토레지스트 패턴(PR)이 형성될 수 있다.
포토레지스트 패턴(PR)은 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝 되며, 예를 들어 포지티브 타입의 포토레지스트를 사용하는 경우 GIP 영역의 트랜지스터가 위치하는 부분, 즉 홈이 형성될 부분이 노광되어 제거될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되지 않는다.
다음으로, 도 14b를 참조하면, 포토레지스트 패턴(PR)을 통해 기판(621)의 일부 영역을 식각하여 GIP 영역의 트랜지스터가 형성될 부분에 홈(H)을 형성한다.
홈(H)은, 기판(621)이 완전히 제거되어, 하부의 희생층(682)이 노출되도록 형성될 수 있다.
이어서, 홈(H) 내부에 소정 두께로 제2 충진층(675)을 형성한다.
제2 충진층(675)은 아크릴, 아크릴 올리고머(acrylic oligomer), 에폭시, 우레탄 중에 선택된 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
제2 충진층(675)은 지지 기판(681) 릴리즈 시, 기판(621)이 말리는 현상을 방지하는 역할을 할 수 있다.
다음으로, 도 14c를 참조하면, 제2 충진층(675)이 충진된 홈(H) 내부에 제1 충진층(670)을 채운다.
제1 충진층(670)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 실리콘 산화질화물(SiON)의 단일 층 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다.
제1 충진층(670)은 제2 충진층(675)과 기판(621) 위에 형성되는 층과의 접착력을 증가시키는 역할을 할 수 있다.
도 15는 본 발명의 제7 실시예에 따른 GIP 영역 일부의 단면도이다.
도 15의 본 발명의 제7 실시예는 도 13의 제6 실시예와 비교하여, 홈(H) 및 차폐층(777)의 구성만이 상이할 뿐이며, 다른 구성들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하기로 한다.
전술한 본 발명의 제6실시예와 동일하게, 도 15에서는 설명의 편의를 위해 하나의 트랜지스터(T)를 포함하는 GIP 영역(GA)의 단면을 예로 보여주고 있다. 또한, 도 15에서는 제2 절연층(615b) 상부의 구성들을 포함하여 일부의 구성들을 생략하여 도시하고 있다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 제7 실시예에 따른 표시 장치는, GIP 영역(GA)의 트랜지스터(T) 하부의 폴리이미드 기판(721)의 두께 일부를 제거하여 홈(H)을 형성하고, 홈(H)을 소정의 차폐층(777)으로 채우는 것을 특징으로 한다.
GIP 영역(GA)의 트랜지스터(T) 하부는 기판(721)의 두께 일부가 제거되어 홈(H)이 형성되고, 홈(H) 내부를 차폐층(777)으로 채움으로써, 액티브층(ACT)과 기판(721) 사이에 전계 형성을 억제하여 기판(721) 표면에 전하가 축적되는 현상 및 전압 강하를 방지할 수 있다.
홈(H)은 트랜지스터(T)의 평면 형태와 유사한 형태를 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 홈(H)은 트랜지스터(T)를 포함하는 사각 형태를 가질 수도 있다.
홈(H)은 GIP 영역(GA)의 트랜지스터(T) 하부의 기판(721)의 두께 일부가 제거된 부분이며, 이러한 홈(H)은 차폐층(777)으로 채워질 수 있다.
차폐층(777)은 멀티 버퍼층(622a)에 접할 수 있다.
차폐층(777)은, 액티브층(ACT)과 기판(721) 사이에 전계 형성을 억제하기 위해 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 16a 내지 도 16c는 도 15의 제조 방법을 순차로 나타내는 단면도이다.
우선, 도 16a를 참조하면, 지지 기판(681) 위에 희생층(682)을 사이에 두고 기판(721)이 형성될 수 있다.
이어서, 기판(721) 위에 소정의 포토레지스트 패턴(PR)이 형성될 수 있다.
다음으로, 도 16b를 참조하면, 포토레지스트 패턴(PR)을 통해 기판(721)의 두께 일부를 식각하여 GIP 영역의 트랜지스터가 형성될 부분에 홈(H)을 형성한다.
다음으로, 도 16c를 참조하면, 홈(H) 내부에 차폐층(777)을 채운다.
차폐층(777)은 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 본 발명의 홈(H)은 GIP 영역(GA)의 하부에 하나의 트랜지스터(T)에 대해 개별적으로 구비될 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다수의 트랜지스터(T)를 포함하도록 형성될 수도 있으며, GIP 영역(GA) 전체를 포함하도록 형성될 수도 있다.
도 17은 본 발명의 제8 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 18은 본 발명의 제9 실시예에 따른 표시 패널의 개략적인 평면도이다.
도 17 및 도 18의 표시 패널(820, 920)은 도 12의 표시 패널(620)과 비교하여, 홈(H)의 구성이 상이할 뿐이며, 다른 구성들은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다. 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하기로 한다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 본 발명의 제8, 제9 실시예에 따른 표시 패널(820, 920)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.
비표시 영역(NA)에는 게이트 드라이버가 배치되는 GIP 영역(GA)을 포함할 수 있다.
GIP 영역(GA)은 표시 패널(820, 920)의 적어도 일측에 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 도 17 및 도 18에서는 GIP 영역(GA)이 표시 패널(820, 920)의 좌우에 배치된 경우를 예로 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다.
한편, 본 발명의 제8 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 패널(820)의 GIP 영역(GA)의 다수의 트랜지스터(T) 하부의 폴리이미드 기판(621) 일부를 제거하여 홈(H)을 형성하고, 홈(H)을 소정의 충진층(870, 875)으로 채우는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제8 실시예에 따른 홈(H)은 다수의 트랜지스터(T)를 포함하도록 형성될 수 있으며, 이러한 홈(H) 내부에는 충진층(870, 875)이 채워질 수 있다. 즉, 홈(H)은 다수의 트랜지스터(T)가 차지하는 GIP 영역(GA)의 넓은 범위에 구비될 수 있다.
본 발명의 제8 실시예에 따른 홈(H)은 다수의 트랜지스터(T)가 차지하는 GIP 영역(GA)의 기판(621)을 완전히 제거하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 기판(721)의 일부 두께만을 제거하여 형성될 수도 있다.
또한, 본 발명의 제9 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 패널(920)의 GIP 영역(GA) 전체에 대응하는 폴리이미드 기판(621)을 제거하여 홈(H)을 형성하고, 홈(H)을 소정의 충진층(970, 975)으로 채우는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제9 실시예에 따른 홈(H)은 GIP 영역(GA) 전체에 대응하도록 형성될 수 있으며, 이러한 홈(H) 내부에는 충진층(970, 975)이 채워질 수 있다.
본 발명의 제9 실시예에 따른 홈(H)은 GIP 영역(GA) 전체에 대응하는 기판(621)을 완전히 제거하여 형성될 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되지 않으며, 기판(721)의 일부 두께만을 제거하여 형성될 수도 있다.
충진층(870,970, 875,975)은 멀티 버퍼층(622a)에 접하는 제1 충진층(870, 970) 및 제1 충진층(870, 970)에 접하는 제2 충진층(875, 975)을 포함할 수 있다.
제1 충진층(870, 970)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 또는 실리콘 산화질화물(SiON)의 단일 층 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다.
제2 충진층(875, 975)은 아크릴, 아크릴 올리고머(acrylic oligomer), 에폭시, 우레탄 중에 선택된 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
홈(H)이 기판(721)의 일부 두께만을 제거하여 형성되는 경우, 홈(H) 내에는 소정의 차폐층이 채워질 수 있다.
차폐층은, 액티브층(ACT)과 기판(721) 사이에 전계 형성을 억제하기 위해 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 예시적인 실시예는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되며, 기판을 포함하는 표시 패널, 상기 기판 상부에 배치되며, 상기 표시 영역에 구비된 화소부 트랜지스터 및 상기 비표시 영역에 구비된 GIP(Gate In Panel) 트랜지스터, 상기 기판 하부에 배치되며, 상기 표시 영역의 가장자리 영역 및 상기 비표시 영역에 배치되어 접지되는 도전 패턴 및 상기 도전 패턴을 포함하여 상기 기판 하부에 배치되는 배리어 필름을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되며, 기판을 포함하는 표시 패널, 상기 기판 상부에 배치되며, 상기 표시 영역에 구비된 화소부 트랜지스터 및 상기 비표시 영역의 GIP 영역에 구비된 GIP 트랜지스터, 상기 기판 측면에 배치되며, 상기 표시 영역의 가장자리 영역 및 상기 비표시 영역에 배치되어 접지되는 도전 패턴 및 상기 도전 패턴을 포함하여 상기 기판 하부에 배치되는 배리어 필름을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 표시 장치는, 상기 표시 패널의 배면에 배치되는 백 커버 및 상기 백 커버에 연결되어 상기 백 커버와 상기 표시 패널을 와인딩 또는 언와인딩하는 롤러를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 기판은 폴리이미드로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 도전 패턴은 상기 표시 패널의 적어도 일측에 스트라이프 형태로 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 도전 패턴은 상기 표시 패널의 가장자리 전체에 사각 틀 형태로 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 화소부 트랜지스터의 하부에는 차광층이 배치되는 반면에, 상기 GIP 트랜지스터 하부에는 차광층이 배치되지 않으며, 상기 접지된 도전 패턴은, 상기 차광층의 배치 유무에 따른 전계의 불균일에 의해 상기 표시 영역의 가장자리 영역에 트랩된 (+) 전하를 상쇄할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 도전 패턴은, 상기 표시 영역의 가장자리 영역에서부터 상기 비표시 영역까지 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 도전 패턴은, 도전 테이프 또는 은 페이스트(Ag paste)로 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 도전 패턴은, 상기 기판 하부의 전면에 배치되며, 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 또는 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO)로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 도전 패턴은 상기 표시 패널의 측면을 따라 상부까지 연장될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되며, 기판을 포함하는 표시 패널, 상기 기판 상부에 배치되며, 상기 비표시 영역의 GIP 영역에 구비된 GIP 트랜지스터, 상기 GIP 트랜지스터 하부의 상기 기판 내에 구비된 홈 및 상기 홈 내에 구비된 충진층을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 상기 기판은 폴리이미드로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 홈은 상기 GIP 트랜지스터에 대응하는 부분의 상기 기판이 완전히 제거될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 홈은 상기 GIP 트랜지스터에 대응하는 부분의 상기 기판의 두께 일부가 제거될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 홈은 하나의 상기 GIP 트랜지스터의 평면 형태에 대응하는 평면 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 충진층은 버퍼층에 접하는 제1 충진층 및 상기 제1 충진층에 접하는 제2 충진층으로 구성되며, 상기 제1 충진층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiON)의 단일 층 또는 이들의 다층으로 이루어지고, 상기 제2 충진층은 아크릴, 아크릴 올리고머(acrylic oligomer), 에폭시, 우레탄 중에 선택된 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 충진층은 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 또는 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO)로 이루어져 차폐층을 구성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 홈은 다수의 상기 GIP 트랜지스터에 대응하는 평면 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 상기 홈은 상기 GIP 영역 전체에 대응하는 평면 형태를 가질 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시 장치
110: 백 커버
111: 개구부
120, 220, 320, 420, 520, 620, 720, 820, 920: 표시 패널
121, 421, 521, 621, 721: 기판
122, 622a, 622b: 버퍼층
123: 화소부
124: 봉지층
125: 봉지 기판
126, 226, 326, 426, 526: 배리어 필름
127: 편광판
130: 플렉서블 필름
140: 인쇄 회로 기판
150, 250, 450, 550: 도전 패턴
350: 도전층
670, 870, 970: 제1 충진층
675, 875, 975: 제2 충진층
681: 지지 기판
682: 희생층
777: 차폐층
AA: 표시 영역
AD1: 제1 접착층
AD2: 제2 접착층
DP: 표시부
EA: 가장자리 영역
GA: GIP 영역
H: 홈
LS: 차광층
NA: 비표시 영역

Claims (20)

  1. 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되며, 기판을 포함하는 표시 패널;
    상기 기판 상부에 배치되며, 상기 표시 영역에 구비된 화소부 트랜지스터 및 상기 비표시 영역에 구비된 GIP(Gate In Panel) 트랜지스터;
    상기 기판 하부에 배치되며, 상기 표시 영역의 가장자리 영역 및 상기 비표시 영역에 배치되어 접지되는 도전 패턴; 및
    상기 도전 패턴을 포함하여 상기 기판 하부에 배치되는 배리어 필름을 포함하는, 표시 장치.
  2. 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되며, 기판을 포함하는 표시 패널;
    상기 기판 상부에 배치되며, 상기 표시 영역에 구비된 화소부 트랜지스터 및 상기 비표시 영역의 GIP 영역에 구비된 GIP 트랜지스터;
    상기 기판 측면에 배치되며, 상기 표시 영역의 가장자리 영역 및 상기 비표시 영역에 배치되어 접지되는 도전 패턴; 및
    상기 도전 패턴을 포함하여 상기 기판 하부에 배치되는 배리어 필름을 포함하는, 표시 장치.
  3. 제 1 항 및 제 2 항 중에 어느 한 항에 있어서,
    상기 표시 패널의 배면에 배치되는 백 커버; 및
    상기 백 커버에 연결되어 상기 백 커버와 상기 표시 패널을 와인딩 또는 언와인딩하는 롤러를 더 포함하는, 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판은 폴리이미드로 이루어진, 표시 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 도전 패턴은 상기 표시 패널의 적어도 일측에 스트라이프 형태로 배치되는, 표시 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 도전 패턴은 상기 표시 패널의 가장자리 전체에 사각 틀 형태로 배치되는, 표시 장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 화소부 트랜지스터의 하부에는 차광층이 배치되는 반면에, 상기 GIP 트랜지스터 하부에는 차광층이 배치되지 않으며,
    상기 접지된 도전 패턴은, 상기 차광층의 배치 유무에 따른 전계의 불균일에 의해 상기 표시 영역의 가장자리 영역에 트랩된 (+) 전하를 상쇄하는, 표시 장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 도전 패턴은, 상기 표시 영역의 가장자리 영역에서부터 상기 비표시 영역까지 배치되는, 표시 장치.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 도전 패턴은, 도전 테이프 또는 은 페이스트(Ag paste)로 구성되는, 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전 패턴은,
    상기 기판 하부의 전면에 배치되며, 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 또는 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO)로 이루어진, 표시 장치.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 도전 패턴은 상기 표시 패널의 측면을 따라 상부까지 연장되는, 표시 장치.
  12. 표시 영역과 비표시 영역으로 구분되며, 기판을 포함하는 표시 패널;
    상기 기판 상부에 배치되며, 상기 비표시 영역의 GIP 영역에 구비된 GIP 트랜지스터;
    상기 GIP 트랜지스터 하부의 상기 기판 내에 구비된 홈; 및
    상기 홈 내에 구비된 충진층을 포함하는, 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 기판은 폴리이미드로 이루어진, 표시 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 GIP 트랜지스터에 대응하는 부분의 상기 기판이 완전히 제거된, 표시 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 GIP 트랜지스터에 대응하는 부분의 상기 기판의 두께 일부가 제거된, 표시 장치.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 홈은 하나의 상기 GIP 트랜지스터의 평면 형태에 대응하는 평면 형태를 가지는, 표시 장치.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 충진층은 버퍼층에 접하는 제1 충진층 및 상기 제1 충진층에 접하는 제2 충진층으로 구성되며,
    상기 제1 충진층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화질화물(SiON)의 단일 층 또는 이들의 다층으로 이루어지고,
    상기 제2 충진층은 아크릴, 아크릴 올리고머(acrylic oligomer), 에폭시, 우레탄 중에 선택된 적어도 어느 하나로 이루어진, 표시 장치.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 충진층은 주석 산화물(Tin Oxide; TO), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO), 또는 인듐 주석 아연 산화물(Indium Zinc Tin Oxide; ITZO)로 이루어져 차폐층을 구성하는, 표시 장치.
  19. 제 12 항에 있어서,
    상기 홈은 다수의 상기 GIP 트랜지스터에 대응하는 평면 형태를 가지는, 표시 장치.
  20. 제 12 항에 있어서,
    상기 홈은 상기 GIP 영역 전체에 대응하는 평면 형태를 가지는, 표시 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220310979A1 (en) * 2021-03-26 2022-09-29 Wuhan Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Display module and display device
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