CN114759045A - 柔性显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种柔性显示面板。柔性显示面板包括第一有机衬底、电荷钝化层、第一无机层以及薄膜晶体管层。电荷钝化层设置在第一有机衬底的一侧，电荷钝化层包括吸电子基团。第一无机层设置在电荷钝化层远离第一有机衬底的一侧。薄膜晶体管层设置在第一无机层远离第一有机衬底的一侧。本申请的柔性显示面板能够防止第一有机衬底极化产生的电荷影响设置于其上的薄膜晶体管，保持薄膜晶体管的电性稳定性，减少残像的发生。

Description

柔性显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示面板。
背景技术
随着现代显示技术的快速发展，显示技术领域正朝着更轻、更薄、更柔、更透明的方向发展。传统的玻璃基板由于自身硬和脆等特性，难以满足未来柔性显示技术的要求。高分子薄膜基板质轻、力学强度高等特点，同时基于显示面板对柔性的要求，柔性高分子薄膜基板是未来柔性显示技术的首选材料。
但，实际应用中发现以有机柔性高分子材料为基板的显示面板比以玻璃为基板的显示面板更容易发生残像。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种能够减少残像的柔性显示面板。
本申请提供一种柔性显示面板，其包括：
第一有机衬底；
电荷钝化层，设置在所述第一有机衬底的一侧，所述电荷钝化层包括吸电子基团；
第一无机层，设置在所述电荷钝化层远离所述第一有机衬底的一侧；
薄膜晶体管层，设置在所述第一无机层远离第一有机衬底的一侧。
可选的，在一种实施方式中，所述电荷钝化层设置在所述第一有机衬底靠近所述薄膜晶体管层的一侧表面。
可选的，在一种实施方式中，还包括：
第二无机层，设置在所述第一有机衬底和所述第一无机层之间；
第二有机衬底，设置在所述第二无机层和所述第一无机层之间；
其中，所述电荷钝化层设置在所述第一有机衬底和所述第二无机层之间，和/或，所述电荷钝化层设置在所述第二有机衬底和所述第一无机层之间。
可选的，在一种实施方式中，所述电荷钝化层设置在所述第二有机衬底靠近所述薄膜晶体管层的一侧表面。
可选的，在一种实施方式中，所述电荷钝化层采用与所述第一有机衬底相同的有机材料电荷钝化制备，或，所述电荷钝化层采用与所述第二有机衬底相同的有机材料电荷钝化制备。
可选的，在一种实施方式中，所述电荷钝化层采用与所述第一有机衬底相同的有机材料F化制备，或，所述电荷钝化层采用与所述第二有机衬底相同的有机材料F化制备。
可选的，在一种实施方式中，所述第一有机衬底和所述第二有机衬底具有相同的有机材料。
可选的，在一种实施方式中，所述电荷钝化层的介电常数小于或者等于 2.7，所述电荷钝化层对于380纳米至780纳米的光线的透过率大于或者等于 79％。
可选的，在一种实施方式中，所述电荷钝化层包括以-X-Y-所表示的构成元素，其中，X包含源自四羧基二酐的第一构成单元，Y包含源自二胺的第二构成单元，且所述第一构成单元和所述第二构成单元的至少一个包含吸电子基团；
所述吸电子基团选自硝基、三氟甲基、三氯甲基、三溴甲基、三碘甲基、氰基、磺酸基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子中的至少一种。
可选的，在一种实施方式中，所述电荷钝化层还包含源自四羧基二酐的第三构成单元和/或源自二胺的第四构成单元，所述第一构成单元与所述第三构成单元中，含吸电子基团的构成单元的质量百分比占所述第一构成单元与所述第三构成单元的质量百分比的2％至6％；和/或
所述第二构成单元与所述第四构成单元中，含吸电子基团的构成单元的质量百分比占所述第二构成单元与所述第四构成单元的质量百分比的2％至6％。
可选的，在一种实施方式中，所述电荷钝化层的材料包括以下式(1)至 (3)的任一个表示的构成元素：
Figure RE-GDA0003550010970000021
其中，在式(1)中，R1至R8分别独立地选自H和含氟取代基，且R1至 R8中的至少一个为含氟取代基；
Figure RE-GDA0003550010970000031
其中，在式(2)中，R1至R7分别独立地选自H和含氟取代基，且R1至 R7中的至少一个为含氟取代基；
Figure RE-GDA0003550010970000032
其中，在式(3)中，R1至R4分别独立地选自H和含氟取代基，且R1至 R4中的至少一个为含氟取代基。
可选的，在一种实施方式中，所述电荷钝化层的材料包括以下式(4)至 (10)的任一个表示的构成元素：
Figure RE-GDA0003550010970000041
本申请的柔性显示面板通过在第一有机衬底与薄膜晶体管之间形成层包括吸电子基团的电荷钝化层，电荷钝化层能够束缚电子移动，从而防止第一有机衬底极化产生的电荷影响设置于其上的薄膜晶体管，保持薄膜晶体管的电性稳定性，减少残像的发生。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中聚酰亚胺影响薄膜晶体管电性的原理示意图。
图2为现有技术的聚酰亚胺分子内和分子间形成CTC的原理图。
图3为设置在聚酰亚胺上的薄膜晶体管和设置在玻璃上的薄膜晶体管在不同温度和电压下的阈值电压的变化示意图。
图4为本申请的第一实施方式的柔性显示面板的结构示意图。
图5的(a)为本申请的实施例1的含氟聚酰亚胺薄膜的EDX(Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy，能量色散X射线光谱)图，图5的(b)为本申请的实施例1的含氟聚酰亚胺薄膜的C、O和F的元素分布图。
图6的(a)为对比例的聚酰亚胺薄膜的EDX图，图6的(b)为对比例的聚酰亚胺薄膜的C、O和F的元素分布图。
图7为实施例1至3和对比例的聚酰亚胺的介电常数与长时残像的关系。
图8为本申请的第二实施方式的柔性显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接，也可以包括第一和第二特征不是直接连接而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
针对以有机材料为基板的显示面板中发生的残像问题，发明人以聚酰亚胺有机衬底为例进行了研究。研究发现：目前面板厂商大多使用的聚酰亚胺的材料都是以联苯四甲酸二酐(3,3’,4,4’-Biphenyl tetracarboxylic diandhydride， BPDA)和对苯二胺(p-Phenylenediamine，p-PDA)合成的聚酰胺酸的高分子化合物。这种聚酰亚胺材料通常具有好的尺寸稳定性和力学特性，但因分子结构排列整齐以及分子堆积密度大，如图1所示，分子内和分子间形成电荷转移络合物(charge transfer complex，CTC)效应强。聚酰亚胺分子内和分子间的电子发生转移，导致聚酰亚胺极化。如图2所示，特别是在阵列基板制作过程中，聚酰亚胺材料发生极化，导致电荷累积在聚酰亚胺薄膜PI表面。当设置于聚酰亚胺薄膜PI表面的薄膜晶体管器件TFT工作时，累积在聚酰亚胺薄膜 PI表面的电荷会影响晶体管器件TFT特性，进而导致面板工作时的发生残像 (Image Sticking)。请参考图3，发明人分别测量了设置在聚酰亚胺基板上的薄膜晶体管和设置在玻璃基板上的薄膜晶体管在不同温度和电压下的阈值电压(Vth)。实验结果表明，在相同的温度和电压应力下，设置在聚酰亚胺基板上的薄膜晶体管的阈值电压正向漂移远大于设置在玻璃基板上的薄膜晶体管的阈值电压正向漂移。并且，当应力撤消后，阈值电压又迅速恢复到原有的水准，证实了聚酰亚胺电荷对薄膜晶体管特性的影响。
为了避免有机材料发生极化对薄膜晶体管的电性影响，本申请提供一种柔性显示面板，其包括第一有机衬底、电荷钝化层、第一无机层以及薄膜晶体管层。电荷钝化层设置在第一有机衬底的一侧，电荷钝化层包括吸电子基团。第一无机层设置在电荷钝化层远离第一有机衬底的一侧。薄膜晶体管层设置在第一无机层远离第一有机衬底的一侧。
本申请的柔性显示面板通过在第一有机衬底与薄膜晶体管之间形成层包括吸电子基团的电荷钝化层，电荷钝化层能够束缚电子移动，从而防止第一有机衬底极化产生的电荷影响设置于其上的薄膜晶体管，保持薄膜晶体管的电性稳定性，减少残像的发生。
请参考图4，本申请提供一种柔性显示面板100。可选的，柔性显示面板 100可以为有机发光二极管显示面板。柔性显示面板100包括基板10、第一无机层20以及薄膜晶体管层30。第一无机层20设置在基板10的一侧，薄膜晶体管层30设置在第一无机层20远离基板10的一侧。
基板10包括第一有机衬底11、第二有机衬底12以及设置于第一有机衬底11和第二有机衬底12之间的第二无机层13。第二无机层13设置在第一有机衬底11和第一无机层20之间。第二有机衬底12设置在第二无机层13和第一无机层20之间。第一有机衬底11和第二有机衬底12可以具有相同的有机材料。需要说明的是，本实施方式中，将基板10中远离薄膜晶体管层30的有机衬底称为第一有机衬底11，靠近薄膜晶体管层30的有机衬底称为第二有机衬底12，在本申请其他实施方式中，第一有机衬底11也可以是靠近薄膜晶体管层30的有机衬底，第二有机衬底12也可以是远离薄膜晶体管层30的有机衬底。
可选的，第一无机层20包括缓冲层BL和阻挡层3L的至少一个。在本实施方式中，第一无机层20包括缓冲层BL和阻挡层3L。缓冲层BL包括氮化硅、氧化硅或者氮化硅和氧化硅的叠层。阻挡层3L包括氮化硅、氧化硅以及 a-Si的叠层。
柔性显示面板100还包括设置在第一有机衬底11靠近薄膜晶体管层30 的一侧的电荷钝化层14。电荷钝化层14包括吸电子基团。可选的，电荷钝化层14设置在第一有机衬底11和所述第二无机层13之间，和/或，电荷钝化层 14设置在第二有机衬底12和第一无机层20之间。进一步，电荷钝化层14设置在第一有机衬底11靠近薄膜晶体管层30的一侧表面，和/或，电荷钝化层14还可以设置在第二有机衬底12靠近薄膜晶体管层30一侧表面。
电荷钝化层14位于有机衬底与薄膜晶体管层30之间，能够防止有机衬底的材料极化影响薄膜晶体管层30的工作。进一步，电荷钝化层14与薄膜晶体管层30之间还设置有无机层，无机层能够防止来自电荷钝化层14中的水汽入侵。
可选的，电荷钝化层14采用与第一有机衬底11相同的有机材料电荷钝化制备，或，电荷钝化层14采用与第二有机衬底12相同的有机材料电荷钝化制备。进一步，电荷钝化层14采用与第一有机衬底11的有机材料F化制备，或，电荷钝化层14采用与第二有机衬底12的有机材料F化制备。
具体地，电荷钝化层14可以包括第一电荷钝化层141和第二电荷钝化层 142。其中，第一电荷钝化层141设置于第一有机衬底11与薄膜晶体管层30 之间。进一步，第一电荷钝化层141设置于第一有机衬底11的靠近薄膜晶体管层30的一侧表面。第二电荷钝化层142设置于第二有机衬底12与薄膜晶体管层30之间。进一步，第二电荷钝化层142设置于第二有机衬底12的靠近薄膜晶体管层30的一侧表面上。可选的，第一有机衬底11的厚度为5至15微米，第二有机衬底12的厚度为5至10微米。
以下，以第一有机衬底11和第一电荷钝化层141为例对第一有机衬底11 和第一电荷钝化层141的材料进行详细说明。第二有机衬底12和第二电荷钝化层142可以参考第一有机衬底11和第一电荷钝化层141。
第一电荷钝化层141采用与第一有机衬底11相同的有机材料电荷钝化制备。具体地，第一电荷钝化层141采用与第一有机衬底11的有机材料F化制备。可以理解，第一电荷钝化层141也可以采用与第二有机衬底12相同的有机材料电荷钝化制备。反之，第二电荷钝化层142也可以采用与第一有机衬底 11相同的有机材料电荷钝化制备。
第一有机衬底11的材料为常规的聚酰亚胺。第一电荷钝化层141的材料为包含吸电子基团的聚酰亚胺。第一电荷钝化层141中包含的吸电子基团能够俘获(trap)电子，束缚电子移动，从而起到电荷钝化的作用。可选的，吸电子基团可以选自硝基、三氟甲基、三氯甲基、三溴甲基、三碘甲基、氰基、磺酸基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子中的至少一种。需要说明的是，第一有机衬底11的材料也可以为聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)和聚醚砜(PES)中的一种。则，第一电荷钝化层141的材料为包含吸电子基团的上述材料。
可选的，包含吸电子基团的聚酰亚胺的第一电荷钝化层141可以通过利用具四羧基二酐和二胺的缩合反应形成，其中，四羧基二酐和二胺的至少一个包含吸电子基团，或者将四羧基二酐、二胺与包含吸电子基团的醇混合，在缩合反应同时在四羧基二酐或二胺上形成吸电子基团的取代基。具体地，第一电荷钝化层141的材料包括以-X-Y-所表示的构成元素，其中，以X表示源自四羧基二酐的构成单元，以Y表示源自二胺的构成单元。X包含源自四羧基二酐的第一构成单元，Y包含源自二胺的第二构成单元，且第一构成单元和第二构成单元的至少一个包含吸电子基团。
四羧基二酐可以选自以式(X1)至(X7)所表示的四羧基二酐：
Figure RE-GDA0003550010970000101
二胺可以选自以式(Y1)至(Y3)所表示的二胺：
Figure RE-GDA0003550010970000102
需要说明的是，上述以(X1)至(X7)和(Y)至(Y3)表示的二酐或者二胺均以包含含氟的吸电子基团为例，本申请的二酐或者二胺不限于上述这些。
含氟的吸电子基团热稳定性较差，在固化时会在界面位置处进行富集，与 OH-等基团形成氢键，从而在表面形成第一电荷钝化层141。进一步，由于吸电子基团的加入有可能影响聚酰亚胺的热稳定性。因此，第一电荷钝化层141 中除了含吸电子基团的源自四羧基二酐的构成单元和含吸电子基团的源自二胺的构成单元之外，还可以包括不含吸电子基团的源自四羧基二酐的构成单元和不含吸电子基团的源自二胺的构成单元，或者说本领域常用的源自四羧基二酐的构成单元和源自二胺的构成单元，以保证聚酰亚胺的热稳定性。具体地，第一电荷钝化层141还包含源自四羧基二酐的第三构成单元和/或源自二胺的第四构成单元。其中，第一构成单元与第三构成单元中，含吸电子基团的构成单元的质量百分比占第一构成单元与第三构成单元的质量百分比的2％至6％，优选为3％至6％；和/或第二构成单元与第四构成单元中，含吸电子基团的构成单元的质量百分比占第二构成单元与第四构成单元的质量百分比的2％至 6％，优选为3％至6％。当含吸电子基团的构成单元的质量百分比占第一构成单元至第四构成单元质量百分比超过6％，则可能引起放气(outgassing)，影响热稳定性，当含吸电子基团的构成单元的质量百分比占第一构成单元至第四构成单元质量百分比小于2％，则导致钝化电子效果不明显。
以下，对几种不同的情况进行具体说明。
在一种实施方式中，第一电荷钝化层141包括如下式所表示的聚酰亚胺构成元素：
-Ya-Xa-Ya-，-Ya-Xb-Ya-，其中，Xa为不含吸电子基团的源自四羧基二酐的第一构成单元，Xb为含吸电子基团的本领域常用的源自四羧基二酐的第三构成单元，Ya表示不含吸电子基团的源自二胺的第二构成单元。其中，Xb的质量百分比占Xa和Xb的总质量百分比的2％至6％。
在一种实施方式中，第一电荷钝化层141包括如下式所表示的聚酰亚胺构成元素：
-Ya-Xa-Ya-，-Yb-Xa-Yb-，-Ya-Xa-Yb-，其中，Xa为不含吸电子基团的源自四羧基二酐的第一构成单元，Ya表示不含吸电子基团的源自二胺的第二构成单元，Yb表示含吸电子基团的源自二胺的第四构成单元。其中，Yb的质量百分比占Ya和Yb的总质量百分比的2％至6％。
在一种实施方式中，第一电荷钝化层141包括如下式所表示的聚酰亚胺构成元素：
-Ya-Xa-Ya-，-Ya-Xb-Ya-，-Yb-Xa-Yb-，-Yb-Xb-Yb-，-Ya-Xa-Yb-，其中， Xa为不含吸电子基团的源自四羧基二酐的第一构成单元，Xb为含吸电子基团的源自四羧基二酐的第三构成单元，Ya表示不含吸电子基团的源自二胺的第二构成单元，Yb表示含吸电子基团的源自二胺的第四构成单元。其中，Xb的质量百分比占Xa和Xb的总质量百分比的2％至6％，且Yb的质量百分比占 Ya和Yb的总质量百分比的2％至6％，以使含吸电子基团的构成单元的质量百分比占第一构成单元至第四构成单元质量百分比的2％至6％。
可选的，第一电荷钝化层141也可以是单独设置在第一有机衬底11上，即，先形成第一有机衬底11，再在第一有机衬底11上形成第一电荷钝化层141。需要说明的是，只要能够在第一有机衬底11的表面形成第一电荷钝化层141 即可，本申请不限定第一电荷钝化层141的形成方式。本申请的第一电荷钝化层141也可以是除了含吸电子基团的聚酰亚胺之外的其他材料。
可选的，第一电荷钝化层141的材料包括以下式(1)至(3)的任一个表示的构成元素：
Figure RE-GDA0003550010970000121
其中，在式(1)中，R1至R8分别独立地选自H和含氟取代基，且R1至 R8中的至少一个为含氟取代基；
Figure RE-GDA0003550010970000131
其中，在式(2)中，R1至R7分别独立地选自H和含氟取代基，且R1至 R7中的至少一个为含氟取代基；
Figure RE-GDA0003550010970000132
其中，在式(3)中，R1至R4分别独立地选自H和含氟取代基，且R1至 R4中的至少一个为含氟取代基。
具体地，含氟取代基可以为氟原子或者三氟甲基。
在含氟的聚酰亚胺的固化过程中，氟原子会自发进行迁移，在聚酰亚胺表层会聚集。分子内和分子间CTC被削弱的原理是分子中引入氟等强吸电子基团，导致分子内和分子间的电子离域减弱，被氟原子俘获。分子间和分子间离域效应减弱，防止聚酰亚胺极化。进一步，当含氟取代基为三氟甲基时，由于三氟甲基是三维立体构型，增大了空间位阻，分子间离域效应减弱，进一步防止聚酰亚胺极化。当设置在基板10上的薄膜晶体管器件工作时，作用在聚酰亚胺衬底与薄膜晶体管器件界面的电场不会引起聚酰亚胺中电子的自由移动，进而有效改善传统聚酰亚胺材料在电场作用下的极化运动，从而减弱聚酰亚胺衬底对薄膜晶体管阈值电压的影响，达到改善长时残像的作用。
更具体地，第一电荷钝化层141的材料包括以下式(4)至(10)的任一个表示的构成元素：
Figure RE-GDA0003550010970000141
包括以下式(4)至(10)的任一个表示的构成元素的第一电荷钝化层141 的材料均能够通过市售材料容易地合成出来。
需要说明的是，包括式(7)表示的构成元素的聚酰亚胺是具有纳米尺寸范围的多孔6FXDA/6FDAm聚酰亚胺衬底纳米泡沫。
可选的，第一电荷钝化层141与第一有机衬底11形为一体。第一电荷钝化层141与第一有机衬底11可以在同一制程中制造出来，从而简化制程，并且提升第一电荷钝化层141与第一有机衬底11的结合力。当然，第一电荷钝化层141与第一有机衬底11也可以是分立的，通过不同制程制造出来。
以下，对本申请第一实施方式的聚酰亚胺衬底的制备方法和优点进行说明。
本申请的聚酰亚胺衬底的制造方法之一为形成表面具有氟化聚酰亚胺的电荷钝化层的聚酰亚胺薄膜，其制备方法包括以下三种方式：
1)在四羧基二酐与二胺单体合成过程中，引入含氟二胺单体，但控制含氟二胺单体的相对含量(含氟二胺单体的质量百分比占含氟二胺单体和不含氟二胺单体的质量百分比)不超过6％，形成含氟的聚酰胺酸，通过亚胺化形成聚酰亚胺。
2)在四羧基二酐与二胺单体合成过程中，引入含氟的四羧基二酐单体，但控制含氟的四羧基二酐单体的相对含量(含氟四羧基二酐单体的质量百分比占含氟四羧基二酐单体和不含氟四羧基二酐单体的质量百分比)不超过6％，形成含氟的聚酰胺酸，通过亚胺化形成聚酰亚胺。
3)在二酐与二胺单体搅拌反应合成过程中，引入含氟小分子，形成含氟的聚酰胺酸，通过亚胺化形成聚酰亚胺。
聚酰胺酸通过亚胺化形成聚酰亚胺的方式是：通过涂布(Coating)的方式进行聚酰胺酸湿膜涂布，湿膜涂布完成后进行HVCD(快速抽真空干燥)去除溶剂，使得湿膜定型，再进行高温固化(Curing)，形成氟化聚酰亚胺薄膜。其中，HVCD的条件为40至80℃，底压为0至10Pa，时间为250至550s。固化的温度为400至450℃，固化时间为13min。
实施例1
将联苯四甲酸二酐、4,4'-二氨基二苯醚、1-三氟甲基-对苯二胺以100：98： 2的质量百分比溶解于N-甲基吡咯烷酮(NMP)中搅拌进行反应，生成聚酰胺酸，再使聚酰胺酸亚胺化形成聚酰亚胺薄膜，测试聚酰亚胺薄膜的性能。形成聚酰亚胺薄膜反应式如下所示：
Figure RE-GDA0003550010970000161
利用合成的聚酰亚胺薄膜作为基板10。如上所述，基板10包括第一有机衬底11和第二有机衬底12。第一有机衬底11的厚度为5至15微米，第二有机衬底12的厚度为5至10微米。
在基板10上方沉积一层SiOx层，随后在其上方进行薄膜晶体管层30的制作，并测量其长时残像。长时残像的测量条件为棋盘格点亮老化10分钟后，测量初始可察觉差(JustNotice Diffidences，JND)值。
另外，还对实施例1的第一有机衬底11进行了EDX扫描和EDX面扫。
实施例2
将联苯四甲酸二酐、2,2`-二氟甲基-4,4',5,5'-联苯四甲酸二酐、4,4'-二氨基二苯醚、以97：3：100的质量百分比溶解于N-甲基吡咯烷酮中搅拌进行反应，生成聚酰胺酸，再使聚酰胺酸亚胺化形成聚酰亚胺薄膜，测试聚酰亚胺薄膜的性能。形成聚酰亚胺薄膜反应式如下所示：
Figure RE-GDA0003550010970000171
利用合成的聚酰亚胺薄膜形成基板10。如上所述，基板10包括第一有机衬底11和第二有机衬底12。第一有机衬底11的厚度为5至15微米，第二有机衬底12的厚度为5至10微米。
在基板10上方沉积一层SiOx层，随后在其上方进行薄膜晶体管层30的制作，并测量其长时残像。长时残像的测量条件为棋盘格点亮老化10分钟后，测量初始可察觉差值。
实施例3
将联苯四甲酸二酐、4,4'-二氨基二苯醚、氟乙醇以100：100：6的质量百分比溶解于N-甲基吡咯烷酮中搅拌进行反应，生成聚酰胺酸，再使聚酰胺酸亚胺化形成聚酰亚胺薄膜，测试聚酰亚胺薄膜的性能。形成聚酰亚胺薄膜反应式如下所示：
Figure RE-GDA0003550010970000172
利用合成的聚酰亚胺薄膜形成基板10。如上所述，基板10包括第一有机衬底11和第二有机衬底12。第一有机衬底11的厚度为5至15微米，第二有机衬底12的厚度为5至10微米。
在基板10上方沉积一层SiOx层，随后在其上方进行薄膜晶体管层30的制作，并测量其长时残像。长时残像的测量条件为棋盘格点亮老化10分钟后，测量初始可察觉差值。
对比例
利用常规方式合成的聚酰亚胺薄膜形成基板。如上所述，基板包括两个聚酰亚胺衬底。远离薄膜晶体管的聚酰亚胺衬底的厚度为5至15微米，靠近薄膜晶体管的聚酰亚胺衬底厚度为5至10微米。
在基板上方沉积一层SiOx层，随后在其上方进行薄膜晶体管的制作，并测量其长时残像。长时残像的测量条件为棋盘格点亮老化10分钟后，测量初始可察觉差值。
另外，还对比例的远离薄膜晶体管的聚酰亚胺衬底进行了EDX面扫。
请参考图5的(a)，图5的(a)表示实施例1成功合成了含氟的聚酰亚胺，图5的(b)的第三幅图中较亮的部分表示第一聚酰亚胺衬底中的氟原子的含量和分布。请参考图6的(a)，图6的(a)表示对比例中的聚酰亚胺不含氟，图6的(b)的第三幅图中表示聚酰亚胺衬底中没有氟原子。
实施例1至3以及对比例的性能数据如下。
表1实施例1至3的聚酰亚胺的性能数据
Figure RE-GDA0003550010970000181
从表1可以知道，氟化聚酰亚胺材料特性相较与传统聚酰亚胺未发生明显的变化，实施例1至3的聚酰亚胺薄膜的介电常数有所降低，均小于或者等于 2.7。并且，随着F原子含量的提升，氟化聚酰亚胺薄膜的介电常数逐渐降低。实施例1至3的聚酰亚胺薄膜对于380纳米至780纳米的光线的透过率大于或者等于79％，相较于现有的聚酰亚胺，透过率得到小幅提升，更有利于作为屏下摄像OLED背板的基板材料。
请参考图7，实施例1至3中采用氟化聚酰亚胺薄膜作为阵列基板结构的基板，薄膜晶体管器件在电压和温度的应力下时，其阈值电压不会发生明显漂移，从而有效改善传统聚酰亚胺材料作为阵列基板的基板时，薄膜晶体管器件工作时的阈值电压较大幅度漂移引起的长时残像严重的问题。由于氟等吸电子基团存在，氟化聚酰亚胺的介电常数会小，在电压和温度的应力下，聚酰亚胺的极化能力弱，即使聚酰亚胺极化后，电荷的分离缓慢，对应薄膜晶体管器件在电压和温度的应力下阈值电压漂移小，恢复慢，从而长时残像得到有效改善。
在上述实施方式中，举例说明了通过使用双层的含吸电子基团的聚酰亚胺衬底作为电荷钝化层的基板，束缚电子的能力更强。可以理解，本申请的其他实施方式中，只需要在第一有机衬底11和第二有机衬底12中的至少一个在靠近薄膜晶体管层30的表面设置有电荷钝化层即可。
可选的，本申请的基板10也可以包括单层的聚酰亚胺衬底和一层电荷钝化层。其中，单层聚酰亚胺衬底的厚度为15微米或者12微米。
请参考图8，本申请第二实施方式与第一实施方式的不同之处在于：
第一无机层20为阻挡层。阻挡层包括氮化硅、氧化硅以及a-Si的叠层。并且，电荷钝化层24设置于缓冲层BL与第一无机层20之间。
在本申请的第二实施方式中，通过在阻挡层与薄膜晶体管之间设置电荷钝化层，同样能够起到束缚电子移动，降低有机衬底极化对薄膜晶体管的影响的效果。
作为本申请的一个变形例，缓冲层BL包括氮化硅、氧化硅或者氮化硅和氧化硅的叠层。阻挡层包括氮化硅、氧化硅以及a-Si的叠层。缓冲层BL和阻挡层3L中的每一层均可以被称为第一无机层20。柔性显示面板100可以包括至少一个电荷钝化层24，至少一个电荷钝化层24设置于第一无机层20与薄膜晶体管层30之间。即，电荷钝化层24既可以设置在缓冲层BL和阻挡层3L 的外部，也可以设置在缓冲层BL和阻挡层3L的内部。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (12)

1.一种柔性显示面板，其特征在于，包括：
第一有机衬底；
电荷钝化层，设置在所述第一有机衬底的一侧，所述电荷钝化层包括吸电子基团；
第一无机层，设置在所述电荷钝化层远离所述第一有机衬底的一侧；
薄膜晶体管层，设置在所述第一无机层远离第一有机衬底的一侧。
2.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述电荷钝化层设置在所述第一有机衬底靠近所述薄膜晶体管层的一侧表面。
3.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，还包括：
第二无机层，设置在所述第一有机衬底和所述第一无机层之间；
第二有机衬底，设置在所述第二无机层和所述第一无机层之间；
其中，所述电荷钝化层设置在所述第一有机衬底和所述第二无机层之间，和/或，所述电荷钝化层设置在所述第二有机衬底和所述第一无机层之间。
4.如权利要求3所述的柔性显示面板，其特征在于，所述电荷钝化层设置在所述第二有机衬底靠近所述薄膜晶体管层的一侧表面。
5.如权利要求3所述的柔性显示面板，其特征在于，所述电荷钝化层采用与所述第一有机衬底相同的有机材料电荷钝化制备，或，所述电荷钝化层采用与所述第二有机衬底相同的有机材料电荷钝化制备。
6.如权利要求5所述的柔性显示面板，其特征在于，所述电荷钝化层采用与所述第一有机衬底相同的有机材料F化制备，或，所述电荷钝化层采用与所述第二有机衬底相同的有机材料F化制备。
7.如权利要求5所述的柔性显示面板，其特征在于，所述第一有机衬底和所述第二有机衬底具有相同的有机材料。
8.如权利要求5所述的柔性显示面板，其特征在于，所述电荷钝化层的介电常数小于或者等于2.7，所述电荷钝化层对于380纳米至780纳米的光线的透过率大于或者等于79％。
9.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述电荷钝化层包括以-X-Y-所表示的构成元素，其中，X包含源自四羧基二酐的第一构成单元，Y包含源自二胺的第二构成单元，且所述第一构成单元和所述第二构成单元的至少一个包含吸电子基团；
所述吸电子基团选自硝基、三氟甲基、三氯甲基、三溴甲基、三碘甲基、氰基、磺酸基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子中的至少一种。
10.如权利要求9所述的柔性显示面板，其特征在于，所述电荷钝化层还包含源自四羧基二酐的第三构成单元和/或源自二胺的第四构成单元，所述第一构成单元与所述第三构成单元中，含吸电子基团的构成单元的质量百分比占所述第一构成单元与所述第三构成单元的质量百分比的2％至6％；和/或
所述第二构成单元与所述第四构成单元中，含吸电子基团的构成单元的质量百分比占所述第二构成单元与所述第四构成单元的质量百分比的2％至6％。
11.如权利要求10所述的柔性显示面板，其特征在于，所述电荷钝化层的材料包括以下式(1)至(3)的任一个表示的构成元素：
Figure FDA0003539996740000021
其中，在式(1)中，R1至R8分别独立地选自H和含氟取代基，且R1至R8中的至少一个为含氟取代基；
Figure FDA0003539996740000022
其中，在式(2)中，R1至R7分别独立地选自H和含氟取代基，且R1至R7中的至少一个为含氟取代基；
Figure FDA0003539996740000031
其中，在式(3)中，R1至R4分别独立地选自H和含氟取代基，且R1至R4中的至少一个为含氟取代基。
12.如权利要求11所述的柔性显示面板，其特征在于，所述电荷钝化层的材料包括以下式(4)至(10)的任一个表示的构成元素：
Figure FDA0003539996740000041
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