JP2021141312A - 吸着装置、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被吸着体を良好に静電チャックに吸着させること。【解決手段】本発明の吸着装置は、第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する被吸着体の、前記第１の主面の周縁部を支持する支持ユニットと、前記被吸着体の前記第２の主面側から前記被吸着体を吸着する吸着手段と、前記被吸着体を前記被吸着体の前記第２の主面側から押圧するための複数の押圧部材とを、有し、前記複数の押圧部材は、前記被吸着体の前記第２の主面が有する複数の角部のうちの少なくとも２つの角部に対応する位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする。【選択図】図３

Description

本発明は、吸着装置、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法に関するものである。

有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の製造においては、有機ＥＬ表示装置を構成する有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ）を形成する際に、成膜装置の蒸発源から蒸発した蒸着材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に蒸着させることで、有機物層や金属層を形成する。

上向蒸着方式（デポアップ）の成膜装置において、蒸発源は成膜装置の真空容器の下部に設けられ、基板は真空容器の上部に配置され、基板の下面に蒸着される。このような上向蒸着方式の成膜装置の真空容器内において、基板はその下面の周辺部だけが基板ホルダによって保持されるので、基板がその自重によって撓み、これが蒸着精度を落とす一つの要因となっている。上向蒸着方式以外の方式の成膜装置においてもまた、基板の自重による撓みは生じる可能性がある。

基板の自重による撓みを低減するための方法として、静電チャックを使う技術が検討されている。すなわち、基板の上面をその全体にわたって静電チャックで吸着することで、基板の撓みを低減することができる。

しかし、下方に撓んでいる基板を静電チャックに上方から吸着しても、吸着に相対的に長い時間がかかるので、工程時間（Ｔａｃｔ Ｔｉｍｅ）が増加し、生産性を低下させる要因となる。また、時間をかけて吸着しても、撓みが残り、蒸着精度を低下させる要因となる。

本発明は、被吸着体を良好に静電チャックに吸着させることを目的とする。

本発明の第１態様による吸着装置は、第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する被吸着体の、前記第１の主面の周縁部を支持する支持ユニットと、前記被吸着体の前記第２の主面側から前記被吸着体を吸着する吸着手段と、前記被吸着体を前記被吸着体の前記第２の主面側から押圧するための複数の押圧部材とを、有し、前記複数の押圧部材は、前記被吸着体の前記第２の主面が有する複数の角部のうちの少なくとも２つの角部に対応する位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする。

本発明によれば、被吸着体を良好に静電チャックに吸着させることができる。

図１は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。 図２は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。 図３は、本発明の一実施形態による吸着装置の断面模式図である。 本発明の一実施形態による吸着装置の平面模式図である。 本発明の一実施形態による吸着装置の平面模式図である。 図５は、本発明の一実施形態による吸着方法を示す図面である。 図６は、本発明の他の実施形態による吸着方法を示す図面である。 図７は、電子デバイスを示す模式図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

本発明は、例えば基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う成膜装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に望ましく適用することができる。

基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属、半導体（例えば、シリコン）などの任意の材料を選択することができる。基板は、例えば、シリコンウエハや、ガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板であってもよい。また、成膜材料（蒸着の場合には蒸着材料と称することもある）としても、有機材料、金属性材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択することができる。

なお、以下の説明においては成膜装置として蒸着装置について説明するが、本発明に係る成膜装置はこれに限定はされず、スパッタリング装置やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置であってもよい。本発明の技術は、具体的には、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造装置に適用可能である。電子デバイスの具体例としては、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどが挙げられる。本発明は、中でも、ＯＬＥＤなどの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造装置に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置）や照明装置（例えば有機ＥＬ照明装置）、光電変換素子を備えたセンサ（例えば有機ＣＭＯＳイメージセンサ）も含むものである。

＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。

図１の製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、第４．５世代（Ｇ４．５）の矩形の基板（約７００ｍｍ×約９００ｍｍ）や、第６世代（Ｇ６）のフルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）またはハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の矩形の基板に、有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルを製作する。

電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置１と、複数のクラスタ装置１の間を繋ぐ中継装置とを含む。

クラスタ装置１は、基板Ｓに対する処理（例えば、成膜）を行う複数の成膜装置１１と、使用前後のマスクＭを収納する複数のマスクストック装置１２と、その中央に配置される搬送室１３と、を具備する。搬送室１３は、図１に示すように、複数の成膜装置１１およびマスクストック装置１２のそれぞれと接続されている。

搬送室１３内には、基板ＳおよびマスクＭを搬送する搬送ロボット１４が配置されている。搬送ロボット１４は、上流側に配置された中継装置のパス室１５から成膜装置１１へと基板Ｓを搬送する。また、搬送ロボット１４は、成膜装置１１とマスクストック装置１２との間でマスクＭを搬送する。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板ＳまたはマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。

成膜装置１１（蒸着装置とも呼ぶ）では、蒸発源に収納された蒸着材料がヒータによって加熱されて蒸発し、マスクＭを介して基板Ｓ上に蒸着される。搬送ロボット１４との基板Ｓの受け渡し、基板ＳとマスクＭの相対位置の調整（アライメント）、マスクＭ上への基板Ｓの固定、成膜（蒸着）などの一連の成膜プロセスは、成膜装置１１によって行われる。

マスクストック装置１２には、成膜装置１１での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、二つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクを成膜装置１１からマスクストック装置１２のカセットに搬送し、マスクストック装置１２の他のカセットに収納された新しいマスクを成膜装置１１に搬送する。

クラスタ装置１には、基板Ｓの流れ方向において上流側と下流側にそれぞれ中継装置が連結される。それぞれの中継装置は、上流側から下流側に向かってバッファー室１６、旋回室１７、パス室１５をこの順に有する。すなわち、クラスタ装置１には、上流側にパス室１５が連結され、下流側にバッファー室１６が連結される。クラスタ装置１に対し、基板Ｓの流れ方向において上流側（図１における左側）に連結されるパス室１５は、上流側からの基板Ｓを当該クラスタ装置１に受け渡すチャンバーとなる。クラスタ装置１に対し下流側（図１における右側）に連結されるバッファー室１６は、当該クラスタ装置１で成膜処理が完了した基板Ｓを下流側の他のクラスタ装置に受け渡すチャンバーとなる。搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板Ｓを受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板Ｓを複数の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ｂ）から受け取って、下流側に連結されたバッファー室１６に搬送する。

バッファー室１６とパス室１５との間には、基板の向きを変える旋回室１７が設置されてもいい。旋回室１７には、バッファー室１６から基板Ｓを受け取って基板Ｓを１８０°回転させ、パス室１５に搬送するための搬送ロボット１８が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Ｓの向きが同じくなり、基板処理が容易になる。

パス室１５、バッファー室１６、旋回室１７は、クラスタ装置間を連結する、いわゆる中継装置であり、クラスタ装置の上流側及び／または下流側に設置される中継装置は、パス室、バッファー室、旋回室のうち少なくとも１つを含む。

成膜装置１１、マスクストック装置１２、搬送室１３、バッファー室１６、旋回室１７などは、有機発光素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室１５は、通常低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもいい。

本実施例では、図１を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバーを有してもよく、これらの装置やチャンバー間の配置が変わってもいい。例えば、電子デバイスの製造装置は、クラスタタイプではなく、インラインタイプのものであってもいい。つまり、基板とマスクをキャリアに搭載して、一列で並んでいる複数の成膜装置内を搬送させながら成膜を行う構成を有しても良い。また、クラスタタイプとインラインタイプを組み合わせたタイプの構造を有しても良い。例えば、有機層の成膜まではクラスタタイプの製造装置で行い、電極層（カソード層）の成膜工程から、封止工程及び切断工程などはインラインタイプの製造装置で行うこともできる。

以下、成膜装置１１の具体的な構成について説明する。

＜成膜装置＞
図２は、成膜装置１１の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用いる。成膜時に矩形の基板Ｓが水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定された場合、基板Ｓの短手方向（短辺に平行な方向）をＸ方向、長手方向（長辺に平行な方向）をＹ方向とする。また、Ｚ軸まわりの回転角をθで表す。

成膜装置１１は、真空雰囲気または窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器２１（容器）と、真空容器２１の内部に設けられる、基板支持ユニット２２（支持ユニット）と、マスク支持ユニット２３と、静電チャック２４（吸着手段）と、マグネット板３１と、蒸発源２５（成膜手段）とを含む。

基板支持ユニット２２は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４によって搬送されてきた基板Ｓを受取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。本実施形態では、基板支持ユニット２２は、複数の支持部２２ａを有し、複数の支持部２２ａによって矩形の基板Ｓの第１の主面（ここでは底面）の周縁部を支持する。例えば、基板支持ユニット２２は、基板Ｓの向かい合う２つの辺部（矩形の基板の場合、一対の長辺部または一対の短辺部）、あるいは、４つの辺部を支持する。なお本明細書における「周縁部」は、必ずしも周縁端を含まなくてもよい。例えば、基板支持ユニット２２の有する複数の支持部２２ａは、基板Ｓの底面の周縁端とは接触せず、周縁端からある距離だけ基板Ｓの中心に寄った部分と接触することで、基板Ｓを支持してもよい。また、本明細書における「辺部」も同様に、必ずしも辺そのものを含まなくてもよいことは言うまでもない。

基板支持ユニット２２の下方には、マスク支持ユニット２３が設けられる。マスク支持ユニット２３は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４によって搬送されてきたマスクＭを受取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。マスク支持ユニット２３は、マスク支持ユニット２３が支持するマスクＭが、基板支持ユニット２２が支持する基板Ｓと、成膜手段である蒸発源２５と、との間に配置されるような位置に配置される。

マスクＭは、基板Ｓ上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット２３の上に載置される。特に、スマートフォン用の有機ＥＬ素子を製造するのに使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）とも呼ぶ。

基板支持ユニット２２によって支持される基板Ｓの第２の主面と対向する位置（ここでは基板支持ユニット２２の上方）には、基板Ｓを静電引力によって吸着し固定するための基板吸着手段または被吸着体吸着手段としての静電チャック２４が設けられる。静電チャック２４は、誘電体（例えば、セラミック材質）マトリックス内に金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する。

静電チャック２４は、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が高い誘電体が介在して、電極と被吸着体との間のクーロン力によって吸着が行われるクーロン力タイプの静電チャックであってもよく、電極と吸着面との間に相対的に抵抗が低い誘電体が介在して、誘電体の吸着面と被吸着体との間に発生するジョンソン・ラーベック力によって吸着が行われるジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよく、不均一電界によって被吸着体を吸着するグラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。

被吸着体が導体または半導体（シリコンウエハ）である場合には、クーロン力タイプの静電チャックまたはジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックを用いることが好ましく、被吸着体がガラスのような絶縁体である場合には、グラジエント力タイプの静電チャックを用いることが好ましい。

静電チャック２４は、一つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されてもいい。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を含み、一つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御してもいい。

本実施形態においては、基板吸着手段として静電チャックを主に説明するが、本発明はこれに限定されず、粘着力で基板を吸着する粘着チャックを用いてもいい。

本実施形態による成膜装置１１は、基板支持ユニット２２によって支持されている基板Ｓの角部を、基板Ｓの上面側（第２の主面側）から押圧するための押圧部材３０をさらに含む。このため、静電チャック２４に押圧部材３０が貫通することができる孔２４ａが形成されていてもよい。押圧部材３０を含む基板Ｓの吸着装置及び方法については、後述する。なお、基板Ｓの有する角部は数学的に厳密な意味での「角」でなくてもよく、例えばＲ加工等によって丸みを帯びた角であってもよい。

図２には図示しなかったが、静電チャック２４の吸着面とは反対側に基板Ｓの温度上昇を抑える冷却機構（例えば、冷却板）を設けることで、基板Ｓ上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成としてもよい。

静電チャック２４の上方には、金属製のマスクＭに磁力を印加してマスクを引き寄せ、マスクＭを基板Ｓに密着させるためのマグネット板３１が設けられる。マグネット板３１は永久磁石または電磁石を有し、静電チャック２４および基板Ｓを介してマスクＭに磁力を印加する。マグネット板３１は、静電チャック２４の吸着面に垂直な方向から見たときに並んで配列された複数のモジュールに区画されていてもよい。また、マグネット板３１は、後述する冷却板と一体に形成されてもよい。

蒸発源２５は、基板Ｓに成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ（不図示）、るつぼを加熱するためのヒータ（不図示）、蒸発源からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板Ｓに飛散することを阻むシャッタ（不図示）などを含む。蒸発源２５は、点状（ｐｏｉｎｔ）蒸発源、線状（ｌｉｎｅａｒ）蒸発源、面状蒸発源など、用途に従って多様な構成を有することができる。

図２に図示しなかったが、成膜装置１１は、基板Ｓに蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ（不図示）及び膜厚算出ユニット（不図示）を含む。膜厚モニタとしては水晶振動子を含む水晶モニタを用いることができる。

真空容器２１の上部外側（大気側）には、基板支持ユニットＺアクチュエータ２６（支持ユニット移動機構）、マスク支持ユニットＺアクチュエータ２７、静電チャックＺアクチュエータ２８、位置調整機構２９などが設けられる。これらのアクチュエータ２６，２７，２８と位置調整機構２９は、例えば、モータとボールねじ、或いはモータとリニアガイドなどで構成されるが、本発明はこれに限定されず、当該業界で知られている他の構成を採用してもいい。基板支持ユニットＺアクチュエータ２６は、基板支持ユニット２２を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段、即ち、基板支持ユニット移動機構または被吸着体支持ユニット移動機構である。マスク支持ユニットＺアクチュエータ２７は、マスク支持ユニット２３を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。静電チャックＺアクチュエータ２８は、静電チャック２４を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段、即ち、基板吸着手段移動機構または被吸着体吸着手段移動機構である。

位置調整機構２９は、静電チャック２４のアライメントのための駆動手段である。位置調整機構２９は、静電チャック２４全体を基板支持ユニット２２及びマスク支持ユニット２３に対して、Ｘ方向移動、Ｙ方向移動、θ回転させる。なお、本実施形態では、基板Ｓを吸着した状態で、静電チャック２４をＸ、Ｙ、θ方向に位置調整することで、基板ＳとマスクＭの相対的位置を調整するアライメントを行う。

真空容器２１の外側上面には、上述した駆動機構の他に、真空容器２１の上面に設けられた透明窓を介して、基板Ｓ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ２０を設置してもよい。本実施例においては、アライメント用カメラ２０は、矩形の基板Ｓ、マスクＭ及び静電チャック２４の対角線上の２つの角部に対応する位置または、矩形の４つの角部に対応する位置、または、対向する二つの辺の中央部に設置しても良い。

本実施形態の成膜装置１１に設置されるアライメント用カメラ２０は、基板ＳとマスクＭとの相対的な位置を高精度で調整するのに使われるファインアライメント用カメラであり、その視野角は狭いが高解像度を持つカメラである。成膜装置１１は、ファインアライメント用カメラ２０の他に相対的に視野角が広くて低解像度であるラフアライメント用カメラを有してもよい。

位置調整機構２９は、アライメント用カメラ２０によって取得した基板Ｓ及びマスクＭの位置情報に基づいて、基板ＳとマスクＭを相対的に移動させて位置調整するアライメントを行う。

成膜装置１１は、制御部３２を具備する。制御部３２は、基板ＳやマスクＭの搬送及びアライメントの制御（各移動機構の制御）、蒸発源２５の制御、成膜の制御などの機能を有する。

特に、本実施形態による制御部３２は、静電チャック２４による基板Ｓの吸着動作において、基板支持ユニットＺアクチュエータ２６による基板支持ユニット２２の昇降及び静電チャックＺアクチュエータ２８による静電チャック２４の昇降を制御する、吸着制御手段として機能する。これにより、制御部３２は、押圧部材３０による基板Ｓの押圧及び静電チャック２４への基板Ｓの吸着工程において、基板Ｓ及び静電チャック２４の昇降を制御することができる。ただし、本発明はこれに限定されず、成膜装置の制御部とは別途に吸着制御手段を有しても良い。

制御部３２は、また、静電チャック２４への電圧の印加を制御する機能を有することができるが、これについては図３を参照して後述する。

制御部３２は、例えば、プロセッサ、メモリー、ストレージ、Ｉ／Ｏなどを持つコンピューターによって構成可能である。この場合、制御部３２の機能はメモリーまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを使用してもよく、組込み型のコンピューターまたはＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を使用してもよい。または、制御部３２の機能の一部または全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部が設置されていてもよく、一つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。

＜吸着装置＞
図３は、本発明の一実施形態による吸着装置の構成を示す断面模式図である。以下では、矩形の基板を前提にして本実施形態に係る吸着装置について説明するが、本発明はこれに限定されない。

図３を参照すると、吸着装置１１０は、支持部２２ａを含む基板支持ユニット２２と、基板Ｓを吸着するための静電チャック２４と、基板支持ユニット２２の支持部２２ａに支持された基板Ｓの角部を上方から押圧するための押圧部材３０とを含む。図３において、基板支持ユニット２２は、支持部２２ａのみ簡単に図示されているが、これは本実施形態の技術的特徴をより明確に示すためのものである。

吸着装置１１０は、基板支持ユニット２２を昇降させるための基板支持ユニットＺアクチュエータ２６と、静電チャック２４とを昇降させるための静電チャックＺアクチュエータ２８をさらに含んでもいい。そして、吸着装置１１０における静電チャック２４による基板Ｓの吸着動作の制御は、吸着制御手段によって行われてもよい。吸着制御手段は、成膜装置１１の制御部の一機能ユニットに具現されてもよく、また、別途の制御部に具現されてもよい。

基板支持ユニット２２は、被吸着体である基板Ｓを支持するための被吸着体支持ユニットの一例である。基板Ｓは、基板支持ユニット２２の支持部２２ａによって第１の主面（図３では底面）の周縁部が支持される。

基板支持ユニット２２の支持部２２ａによって底面の周縁部が支持される基板Ｓは、自重等により中央部が下方に撓むようになる。その結果、基板Ｓの周縁部は、支持部２２ａの上面と部分的に接触して支持され、基板Ｓの周縁端に近づくにつれて、支持部２２ａの上面から浮き上がり離れるようになる。

静電チャック２４は、基板支持ユニット２２の支持部２２ａの上側に設置され、基板Ｓを静電引力によって吸着して固定するための基板吸着手段である。静電引力の誘発のために、静電チャック２４には所定の電圧が印加される。本実施形態によれば、静電チャック２４に電圧を印加する具体的な方法については特に制限されない。例えば、静電チャック２４の全体に同時に電圧が印加されてもよく、または、静電チャック２４の複数の電極部または吸着部に順次に電圧が印加されてもいい。

本実施形態によれば、静電チャック２４は、後述する押圧部材３０によって押圧されている基板Ｓを、基板Ｓの上面側（第２の主面側）から吸着する。本実施形態では、基板Ｓの吸着のために、静電チャック２４に所定の電圧を印加する前に、基板Ｓを押圧部材３０によって押圧する。これにより、自重によって下方に撓んでいた基板Ｓの中央部を持ち上げることができ、基板Ｓの撓みの程度が低減したり、または除去されたりした状態で、静電チャック２４に吸着することができる。よって、吸着にかかる時間を短縮することができるだけでなく、静電チャック２４に吸着された基板Ｓにしわが残ることを抑制することができる。また、静電チャック２４に印加される電圧を小さくすることも可能である。

押圧部材３０は、一端部が基板Ｓの第２の主面（図３では上面）に当接することにより、基板Ｓを上側から押圧するためのものである。本実施形態では、押圧部材３０はピン状の部材である。本実施形態では、押圧部材３０が基板Ｓの上面を押圧する領域である押圧領域は、基板Ｓの角部に位置する。このため、押圧部材３０は、基板支持ユニット２２によって支持されている矩形の基板１１の角部に対応する位置に設置される。より具体的には、押圧部材３０による押圧領域は、基板１１の４つの角部のうち、少なくとも２つの角部に位置する。

図４ａおよび図４ｂはそれぞれ、押圧部材３０による押圧領域３０ａの位置を示す、吸着装置１１の平面模式図である。

図４ａに示したように、押圧部材３０は、矩形の基板Ｓの４つの角部のうち、対角線上に位置する一対の角部に対応する位置に設置されてもいい。これによれば、押圧部材３０の数を最小化しつつ、基板Ｓを効果的に押圧することが可能である。

または、図４ｂに示すように、押圧部材３０は、矩形の基板Ｓの４つの角部全てに対応する位置に設置してもいい。このように、押圧部材３０で基板Ｓの２つまたは４つの角部を上側から押圧することで、撓んでいた基板Ｓの中央部を持ち上げ、下方への撓み程度を低減したり、または、ほぼ平らにしたりすることができる。特に、撓みが最も激しい中央部から遠く離れた角部を押圧部材３０によって押すことにより、効果的に基板Ｓの中央部の撓みを低減させることができる。

図４ａまたは図４ｂに示した本発明の実施形態によれば、押圧部材３０は基板Ｓの角部に設けられるので、押圧部材３０による押圧領域（３０ａ，例えば、角部）は、基板支持ユニット２２の支持部２２ａによって基板Ｓが支持される支持領域（例えば、辺部）とは、垂直方向（つまり、基板面に垂直な方向）から見て、互いに重畳しない。従って、支持部２２ａによって制限されることなく、押圧部材３０によって基板Ｓを十分に押圧することができる。

基板支持ユニット２２によって支持された支持領域を基板Ｓの上面に垂直投影した投影領域と、押圧部材３０によって押圧される押圧領域３０ａは、基板Ｓの下面の外周と相似な図形（例えば、矩形）を構成する仮想線Ｌ（図４ｂを参照）に沿うように並んでいる。

本実施形態の一側面によれば、押圧部材３０は、真空容器２１の壁、例えば、上側壁に設置されて、下方に伸びるように固定される。この場合、基板支持ユニット２２によって支持されている基板Ｓが上昇するにつれ、基板Ｓの上面が押圧部材３０と接触することになり、基板Ｓは、下方に押圧される。これによれば、既存の基板支持ユニットＺアクチュエータ２６を用いて、押圧部材３０による基板Ｓの押圧が可能なので、押圧部材３０を昇降させるための別途の駆動手段は要らなくなる。したがって、吸着装置の構成が複雑にならない。

ただし、本発明はこれに限定されず、押圧部材３０を昇降させるための昇降機構を成膜装置１１の上部外側（大気側）に設けてもいい。また、押圧部材３０が一つの位置に固定されず、基板Ｓの角部を押圧することができる押圧位置と、退避位置の間で移動可能に設けてもいい。これによって、他の構成において、押圧部材３０が干渉することを避けることができる。

本実施形態によれば、基板支持ユニット２２が上昇して基板Ｓが押圧部材３０側に接近する間に、静電チャックＺアクチュエータ２８によって静電チャック２４もこれに連動して上昇するようにする。

そして、押圧部材３０が静電チャック２４を通して、基板Ｓを押圧できるように、静電チャック２４には、押圧部材３０が通ることができる孔２４ａが設けられる。押圧部材３０の貫通のために、孔２４ａは、押圧部材３０の位置、すなわち、基板Ｓの押圧領域に対応する位置に形成される。そして、孔２４ａの数も押圧部材３０の数に対応することが好ましい。

実施形態によっては、孔２４ａには、ブロック部材２４ｂが追加で設置されてもいい（図６参照）。ブロック部材２４ｂは、押圧部材３０によって上方から押圧されると、孔２４ａから下方に突出して基板Ｓを押圧する。これによれば、図３に示した実施形態に比べて、押圧部材３０の長さをより短くすることができる。

ブロック部材２４ｂは、押圧部材３０による押圧が解除されると、元の位置である孔２４ａ内に戻ることができるように構成されることが好ましい。つまり、ブロック部材２４ｂは、孔２４ａから変位された場合に、孔２４ａに向けて復元力が作用するように構成されるのが好ましい。例えば、ブロック部材２４ｂは、スプリングのような弾性手段に結合されて、孔２４ａ内に設置されてもよい。

＜吸着方法＞
次に、本発明の一実施形態に係る吸着方法について説明する。本実施形態に係る吸着方法は、（１）被吸着体である基板を支持ユニットによって支持する支持ステップ、（２）押圧部材によって被吸着体である基板を押圧する押圧ステップ、（３）吸着手段によって被吸着体である基板を吸着する吸着ステップ、を少なくとも含む。以下、それぞれのステップについて図面を参照して詳述する。

図５は、本発明の一実施形態による吸着方法を示す図面である。本実施形態は、静電チャック２４において押圧部材３０に対応する位置に孔２４ａが設けられ、ブロック部材２４ｂは、設置されていない実施例である。

＜＜支持ステップ＞＞
本ステップでは、被吸着体である基板Ｓの第１の主面（ここでは成膜面）の周縁部を支持ユニットによって支持する。本実施例では、基板Ｓの成膜面が鉛直方向下向きとなるように配置され、この基板Ｓの成膜面の周縁部を、支持ユニットによって下方から支持する。図５の（ａ）を参照すると、成膜装置１１に搬入された被吸着体である基板Ｓは、基板支持ユニット２２の支持部２２ａによって支持領域で支持されている。この際、押圧部材３０と、静電チャック２４と、基板Ｓは、離隔されている。図示しているように、基板Ｓは、中央部が自重によって下方に撓んでいる。また、静電チャック２４で基板Ｓを吸着する前に、押圧部材３０で基板Ｓの上面の押圧領域を押圧するために、基板支持ユニット２２が、基板支持ユニットＺアクチュエータ２６によって押圧部材３０側に上昇する。このとき、静電チャック２４も、基板支持ユニット２２の上昇と連動して静電チャックＺアクチュエータ２８によって上昇する。

＜＜押圧ステップ＞＞
本ステップでは、押圧部材３０により、被吸着体である基板Ｓの第２の主面（ここでは成膜面の反対側の面）から、基板Ｓを押圧する。図５の（ｂ）を参照すると、静電チャック２４と基板支持ユニット２２が上昇するにつれ、押圧部材３０は、静電チャック２４に設けられた孔２４ａを貫通する。静電チャック２４と基板支持ユニット２２が引き続き上昇すると、基板Ｓの上面（第２の主面）が押圧部材３０と接触することになる。実施形態によっては、押圧部材３０が静電チャック２４の孔２４ａを貫通して下方に突出した状態で、静電チャック２４は上昇させず、基板支持ユニット２２のみ、さらに上昇させてもよい。すなわち、押圧ステップでは、基板Ｓの、押圧部材３０（後述するように別の部材を介して押圧する場合も含む）によって押圧される部分が、基板支持ユニット２２によって支持される部分と同じ高さとなるまで押圧してもよい。このようにすることで、基板Ｓに応力が加わって基板Ｓが損傷する可能性を低減することができる。あるいは、押圧ステップでは、基板Ｓの、押圧部材３０（後述するように別の部材を介して押圧する場合も含む）によって押圧される部分が、基板支持ユニット２２によって支持される部分よりも低くなるまで押圧してもよい。換言すれば、前述の形態からさらに押圧してもよい。このようにすることで、基板の撓みを軽減する効果をより一層発揮することができる。

図５の（ｃ）に示すように、押圧部材３０が、基板Ｓの上面と接触した状態で、静電チャック２４と基板支持ユニット２２が引き続き上昇することにより、押圧部材３０が、基板Ｓの上面の角部を押圧する。前述したように、本ステップでは、矩形の基板Ｓの４つの角部のうち、少なくとも２つの角部、好ましくは対向する２つの角部または４つの角部すべてに対して押圧が行われる。その結果、撓まれた基板Ｓは、その中央部が持ち上げられるようになり、撓みを軽減することができる。

＜＜吸着ステップ＞＞
本ステップでは、押圧ステップで押圧部材によって押圧された被吸着体（基板Ｓ）の上面（第２の主面）側から被吸着体（基板Ｓ）を吸着する。上述のように、押圧ステップでは押圧部材３０によって基板Ｓが押圧されることによって押圧部材３０によって基板Ｓの撓みが軽減される。この状態で、図５の（ｄ）に示したように、静電チャック２４に所定の電圧ΔＶを印加して、押圧部材３０によって押圧されている基板Ｓを静電チャック２４で吸着する。なお、静電チャック２４に所定の電圧を印加してから基板支持ユニット２２をさらに上昇させて静電チャック２４を基板Ｓに接近させるようにしてもよいし、基板支持ユニット２２を上昇させて静電チャックを基板Ｓに接近させてから静電チャック２４に所定の電圧を印加するようにしてもよい。また、吸着ステップは、押圧ステップが完了する前に開始してもよい。例えば、押圧ステップにおいて押圧部材３０が基板Ｓに直接的にまたは間接的に接触し、押圧部材３０による基板Ｓの押圧が開始したら、押圧の完了を待たずに、吸着ステップを開始するようにしてもよい。そして、吸着手段である静電チャック２４による吸着と、押圧部材３０による基板Ｓの押圧とを並行して行うようにしてもよい。前述したように、静電チャック２４に電圧を印加する具体的な方法については、特別な制限がない。

本実施形態によれば、押圧部材３０によって押圧されて、撓み程度が軽減された基板Ｓを静電チャック２４で吸着することにより、吸着にかかる時間を短縮させることができ、工程時間を短縮させることができる。そして、静電チャック２４と基板Ｓの自重による撓みが軽減された状態で吸着が行われるので、静電チャック２４に吸着された後の基板Ｓにしわが残ることを抑制して（つまり、より広い面積にわたって基板Ｓが静電チャックに吸着されて）、成膜工程の精度低下を抑制することができる。また、静電チャック２４に印加される電圧ΔＶの大きさを小さくすることも可能である。特に、基板Ｓの中央部から遠く離れた角部を押圧することで、中央部の撓みをより効果的に軽減することができる。

図６は、本発明の他の実施形態による吸着方法を示す図面である。本実施形態は、静電チャック２４において押圧部材３０に対応する位置に孔２４ａが設けられており、また、孔２４ａの中には、ブロック部材２４ｂが設置されている実施例である。

図６の（ａ）を参照すると、成膜装置１１に搬入された被吸着体である基板Ｓは、基板支持ユニット２２の支持部２２ａによって支持される。この際、押圧部材３０と、静電チャック２４と、基板Ｓは、離隔されており、基板Ｓは、中央部が自重によって下方に撓んでいる。基板Ｓを静電チャック２４に吸着する前に、基板Ｓの撓みを軽減するために、基板支持ユニット２２が押圧部材３０に向かって上昇し、基板支持ユニット２２の上昇と連動して静電チャック２４も共に上昇する。

図６の（ｂ）を参照すると、静電チャック２４と基板支持ユニット２２が上昇するにつれ、押圧部材３０は、静電チャック２４の孔２４ａに進入して、孔２４ａ内のブロック部材２４ｂを押圧することになる。これにより、ブロック部材２４ｂが孔２４ａから下方に突出する。静電チャック２４と基板支持ユニット２２は、突出したブロック部材２４ｂが、基板Ｓの角部を押圧するまで上昇する。実施形態によっては、押圧部材３０がブロック部材２４ｂを押圧してブロック部材２４ｂが孔２４ａの下方に突出したら、静電チャック２４は、上昇させず、基板支持ユニット２２のみ、追加で上昇させてもよい。

図６の（ｃ）に示すように、静電チャック２４と基板支持ユニット２２が引き続き上昇した結果、ブロック部材２４ｂは、基板Ｓと接触して基板Ｓの角部を押圧する。前述したように、本ステップでは、矩形の基板Ｓの４つの角部のうち、少なくとも２つの角部、好ましくは、対向する２つの角部または４つの角部すべてに対して押圧が行われる。その結果、中央部が撓んでいた基板Ｓは、その中央部が持ち上げられ、撓み程度が小さくなったり、または、ほぼ平らな状態にしたりすることができる。

このようにして、基板Ｓの撓みが軽減された状態で、図６の（ｄ）に示したように、静電チャック２４に所定の電圧ΔＶを印加して、ブロック部材２４ｂによって押圧されている基板Ｓを静電チャック２４で吸着する。前述したように、静電チャック２４に電圧を印加する具体的な方法については、特別な制限がない。

本実施形態によれば、ブロック部材２４ｂによって基板Ｓが押圧されて、撓み程度が軽減された基板Ｓを静電チャック２４で吸着することにより、吸着にかかる時間を短縮させることができ、工程時間を短縮させることができる。そして、基板Ｓの撓みが軽減された状態で吸着が行われるので、静電チャック２４に吸着された後の基板Ｓにしわが残ることを抑制して、成膜工程の精度低下を抑制することができる。また、静電チャック２４に印加される電圧ΔＶの大きさを小さくすることも可能である。

＜成膜プロセス＞
以下、本実施形態による吸着方法を採用した成膜方法について説明する。

真空容器２１内のマスク支持ユニット２３にマスクＭが載置された状態で、搬送室１３の搬送ロボット１４によって成膜装置１１の真空容器２１内に基板Sが搬入される。

真空容器２１内に進入した搬送ロボット１４のハンドが基板Ｓを基板支持ユニット２２の支持部２２ａ上に載置する（基板支持ステップ）。

続いて、基板支持ユニット２２と静電チャック２４を上昇させて、基板Ｓの角部を押圧部材３０で押圧する（押圧ステップ）。この際、実施形態によっては、押圧部材３０が静電チャック２４の孔２４ａを貫通して基板Ｓを押圧したり、または押圧部材３０によって押圧されるブロック部材２４ｂが孔２４ａから下方に突出して、基板Ｓを押圧したりすることができる。

続いて、静電チャック２４に所定の電圧（ΔＶ）を印加し、押圧部材３０によって、直接的に、またはブロック部材２４ｂを介して間接的に押圧されている基板Ｓを吸着する（吸着ステップ）。必要な場合には、所定の電圧ΔＶを印加する前に、静電チャック２４を基板Ｓに向かって下降させ、基板Ｓに十分に近接、または、接触するようにすることもできる。

静電チャック２４に基板Ｓが吸着された状態で、基板ＳのマスクＭに対する相対的な位置ずれを計測するために、基板ＳをマスクＭに向かって下降させる。この際、静電チャック２４も基板Ｓと共に下降する。その結果、静電チャック２４と基板Ｓは、押圧部材３０から離隔される。ブロック部材２４ｂが用いられる実施形態では、基板Ｓと静電チャック２４が下降することによって、基板Ｓを押圧するブロック部材２４ｂは、押圧部材３０による押圧状態が解除され、復元力により元の位置である静電チャック２４の孔２４ａ内に戻る。

基板Ｓがアライメント計測位置まで下降すると、アライメント用カメラ２０で基板ＳとマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影して、基板ＳとマスクＭの相対的な位置ずれを計測する。

計測の結果、基板ＳのマスクＭに対する相対的位置ずれが閾値を超えることが判明すれば、静電チャック２４に吸着された状態の基板Ｓを位置調整機構２９によって水平方向（ＸＹθ方向）に移動させ、基板ＳをマスクＭに対して、位置調整（アライメント）する。このような基板ＳのマスクＭに対する相対位置調整過程は、相対的位置ずれが閾値内に収まるまで繰り返されることができる。

基板ＳとマスクＭの相対位置ずれが所定の閾値内に収まると、静電チャック２４をマスクＭに向かって下降させ、基板ＳとマスクＭを密着させる、（密着ステップ）。このとき、基板ＳとマスクＭの密着のために、基板Ｓ越しにマスクＭを吸着することができる電圧を静電チャック２４に印加したり、マグネット板３１を静電チャック２４の上面上に下降させたりして、金属製のマスクＭを基板Ｓ上に引き寄せても良い。

続いて、蒸発源２５のシャッタを開け、蒸着材料をマスクＭを介して基板Ｓに蒸着させる（成膜ステップ）。なお、ここでは蒸着材料を蒸発または昇華させて基板Ｓに蒸着させる場合について説明したが、これに限定はされず、例えばスパッタリング等の他の成膜方法によって成膜を行ってもよい。

所望の厚さに蒸着した後、基板ＳとマスクＭとを分離する。

搬送ロボット１４のハンドが成膜装置１１の真空容器２１内に進入し、静電チャック２４の電極部にゼロ（０）または逆極性の電圧が印加され、静電チャック２４が基板Ｓから分離されて上昇する。その後、蒸着が完了した基板Ｓを搬送ロボット１４によって真空容器２１から搬出する。

なお、上述の説明では、成膜装置１１は、基板Ｓの成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式（デポアップ）の構成としたが、これに限定はされず、基板Ｓが真空容器２１の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Ｓの成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図７（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図７（ｂ）は１画素の断面構造を表している。

図７（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。また、各発光素子は複数の発光層が積層されて構成されていてもよい。

また、画素６２を同じ発光を示す複数の発光素子で構成し、それぞれの発光素子に対応するように複数の異なる色変換素子がパターン状に配置されたカラーフィルタを用いて、１つの画素が表示領域６１において所望の色の表示を可能としてもよい。例えば、画素６２を少なくとも３つの白色発光素子で構成し、それぞれの発光素子に対応するように、赤色、緑色、青色の各色変換素子が配列されたカラーフィルタを用いてもよい。あるいは、画素６２を少なくとも３つの青色発光素子で構成し、それぞれの発光素子に対応するように、赤色、緑色、無色の各色変換素子が配列されたカラーフィルタを用いてもよい。後者の場合には、カラーフィルタを構成する材料として量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ：ＱＤ）材料を用いた量子ドットカラーフィルタ（ＱＤ−ＣＦ）を用いることで、量子ドットカラーフィルタを用いない通常の有機ＥＬ表示装置よりも表示色域を広くすることができる。

図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板Ｓ上に、陽極６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、陰極６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。なお、上述のようにカラーフィルタまたは量子ドットカラーフィルタを用いる場合には、各発光層の光出射側、すなわち、図７（ｂ）の上部または下部にカラーフィルタまたは量子ドットカラーフィルタが配置されるが、図示は省略する。

発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、陽極６４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と陰極６８は、複数の発光素子６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極６４と陰極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。

図７（ｂ）では正孔輸送層６５や電子輸送層６７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、陽極６４と正孔輸送層６５との間には陽極６４から正孔輸送層６５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、陰極６８と電子輸送層６７の間にも電子注入層が形成されことができる。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および陽極６４が形成された基板Ｓを準備する。

陽極６４が形成された基板Ｓの上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。

絶縁層６９がパターニングされた基板Ｓを第１の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて基板Ｓを保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の陽極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクＭは不要である。

次に、正孔輸送層６５までが形成された基板Ｓを第２の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて保持する。基板ＳとマスクＭとのアライメントを行い、基板ＳとマスクＭを密着させてから、基板Ｓの赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。

発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。

電子輸送層６７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて陰極６８を成膜する。

本発明によると、基板を静電チャック２４によって吸着して保持する前に、押圧部材３０によって基板Ｓの上面の角部を押圧し、基板Ｓの中央部の撓みを軽減する。

その後、プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。

絶縁層６９がパターニングされた基板Ｓを成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。

前記実施例は本発明の一例を現わしたことで、本発明は前記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形しても良い。

１１：成膜装置、２１：真空容器、２２：基板支持ユニット、２３：マスク支持ユニット、２４：静電チャック、２４ａ：孔、２４ｂ：ブロック部材、２６：基板支持ユニットＺアクチュエータ、２７：マスク支持ユニットＺアクチュエータ、２８：静電チャックＺアクチュエータ、３０：押圧部材、３１：マグネット板、３２：制御部

Claims (49)

1. 第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する被吸着体の、前記第１の主面の周縁部を支持する支持ユニットと、
   前記被吸着体の前記第２の主面側から前記被吸着体を吸着する吸着手段と、
   前記被吸着体を前記被吸着体の前記第２の主面側から押圧するための複数の押圧部材とを、有し、
   前記複数の押圧部材は、前記被吸着体の前記第２の主面が有する複数の角部のうちの少なくとも２つの角部に対応する位置にそれぞれ配置されている
   ことを特徴とする吸着装置。
2. 第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する被吸着体の、前記第１の主面の周縁部を支持する支持ユニットと、
   前記被吸着体の前記第２の主面側から前記被吸着体を吸着する吸着手段と、
   前記被吸着体を前記被吸着体の前記第２の主面側から押圧するための押圧部材と、
   前記支持ユニット、前記吸着手段、および、前記押圧部材が内部に配置される容器と、
   前記支持ユニットを前記第１の主面または前記第２の主面に垂直な方向に移動させる支持ユニット移動機構と、
   前記支持ユニット移動機構を制御する制御部と、を有し、
   前記押圧部材は、前記容器に対して固定して配置されており、
   前記制御部は、前記支持ユニット移動機構によって前記支持ユニットを前記押圧部材に接近する方向に移動することで前記被吸着体が前記押圧部材によって押圧されるように、前記支持ユニット移動機構を制御する
   ことを特徴とする吸着装置。
3. 前記複数の押圧部材のうちの少なくとも２つは、前記被吸着体の前記第２の主面が有する複数の角部のうちの対向する２つの角部に対応する位置にそれぞれ配置されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の吸着装置。
4. 前記押圧部材は、前記被吸着体の前記第２の主面が有する角部に対応する位置に配置されている
   ことを特徴とする請求項２に記載の吸着装置。
5. 前記押圧部材は、前記被吸着体の前記角部すべてに対応する位置に配置されている
   ことを特徴とする請求項３または４に記載の吸着装置。
6. 前記被吸着体は矩形状である
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の吸着装置。
7. 前記支持ユニットが前記被吸着体を支持する前記第１の主面上の領域である支持領域と、前記押圧部材が前記被吸着体を押圧する前記第２の主面上の領域である押圧領域は、前記第１の主面または前記第２の主面に垂直な方向から見たとき、重畳しない
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の吸着装置。
8. 前記支持領域を前記第２の主面に垂直投影した投影領域と前記押圧領域は、前記第１の主面の外周と相似な図形を構成する仮想線に沿うように並んでいる
   ことを特徴とする請求項７に記載の吸着装置。
9. 前記支持ユニットを前記第１の主面または前記第２の主面に垂直な方向に移動させる支持ユニット移動機構と、
   前記吸着手段および前記支持ユニット移動機構を制御する制御部と、をさらに有し、
   前記制御部は、前記吸着手段によって被吸着体を吸着する前に、前記支持ユニットを前記押圧部材に接近する方向に移動させ、前記押圧部材によって前記被吸着体が押圧されるように、前記支持ユニット移動機構を制御する
   ことを特徴とする請求項１に記載の吸着装置。
10. 前記吸着手段を前記垂直な方向に移動させる吸着手段移動機構をさらに有し、
    前記制御部は、前記支持ユニット移動機構により前記支持ユニットを前記押圧部材に接近する方向に移動させる期間のうちの少なくとも一部の期間に、前記吸着手段を前記押圧部材に接近する方向に前記支持ユニットとともに移動させるように、前記吸着手段移動機構を制御する
    ことを特徴とする請求項２または９に記載の吸着装置。
11. 前記吸着手段は、前記押圧部材の位置に対応する位置に孔が形成されている
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の吸着装置。
12. 前記吸着手段は、前記押圧部材の位置に対応する位置に設けられた孔と、前記孔の内部に配置され、前記孔に対して相対移動可能に設置されたブロック部材と、を含む
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の吸着装置。
13. 前記ブロック部材は、前記孔から変位されたときに、前記孔に向かって復元力が作用するように構成されている
    ことを特徴とする請求項１２に記載の吸着装置。
14. 第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する基板の、前記第１の主面の周縁部を支持する基板支持ユニットと、
    前記基板の前記第２の主面側から前記基板を吸着する基板吸着手段と、
    前記基板の前記第２の主面側から前記基板を押圧するための複数の押圧部材と、
    前記基板支持ユニット、前記基板吸着手段、および前記複数の押圧部材が内部に配置される容器と、を有し、
    前記複数の押圧部材は、前記基板の前記第２の主面が有する複数の角部のうち、少なくとも２つの角部に対応する位置にそれぞれ配置されている
    ことを特徴とする成膜装置。
15. 第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する基板の、前記第１の主面の周縁部を支持する基板支持ユニットと、
    前記基板の前記第２の主面側から前記基板を吸着する基板吸着手段と、
    前記基板の前記第２の主面側から前記基板を押圧するための複数の押圧部材と、
    前記基板支持ユニット、前記基板吸着手段、および前記複数の押圧部材が内部に配置される容器と、
    前記基板支持ユニットを前記第１の主面または前記第２の主面に垂直な方向に移動させる基板支持ユニット移動機構と、
    前記基板支持ユニット移動機構を制御する制御部と、を有し、
    前記押圧部材は、前記容器に対して固定して配置されており、
    前記制御部は、前記基板支持ユニット移動機構によって前記基板支持ユニットを前記押圧部材に接近する方向に移動することで、前記基板が前記押圧部材によって押圧されるように、前記基板支持ユニット移動機構を制御する
    ことを特徴とする成膜装置。
16. 前記基板吸着手段に吸着された前記基板の前記第１の主面に成膜する成膜手段をさらに有する
    ことを特徴とする請求項１４または１５に記載の成膜装置。
17. 前記複数の押圧部材のうちの少なくとも２つは、前記基板の前記第２の主面が有する複数の角部のうちの対向する２つの角部に対応する位置にそれぞれ配置されている
    ことを特徴とする請求項１４に記載の成膜装置。
18. 前記押圧部材は、前記基板の前記第２の主面が有する角部に対応する位置に配置されている
    ことを特徴とする請求項１５に記載の成膜装置。
19. 前記押圧部材は、前記基板の前記第２の主面が有する角部すべてに対応する位置にそれぞれ配置されている
    ことを特徴とする請求項１７または１８に記載の成膜装置。
20. 前記基板は矩形状である
    ことを特徴とする請求項１４または１５に記載の成膜装置。
21. 前記基板支持ユニットが前記基板を支持する前記第１の主面上の領域である支持領域と、前記押圧部材が前記基板を押圧する前記第２の主面上の領域である押圧領域は、前記基板の前記第１の主面または第２の主面に垂直な方向から見たとき、重畳しない
    ことを特徴とする請求項１４または１５に記載の成膜装置。
22. 前記支持領域を前記第２の主面に垂直投影した投影領域と前記押圧領域は、前記第１の主面の外周と相似な図形を構成する仮想線に沿うように並んでいる
    ことを特徴とする請求項２１に記載の成膜装置。
23. 前記基板支持ユニットを前記第１の主面または前記第２の主面に垂直な方向に移動させる基板支持ユニット移動機構と、
    前記基板吸着手段および前記基板支持ユニット移動機構を制御する制御部と、をさらに有し、
    前記制御部は、前記基板吸着手段によって被吸着体を吸着する前に、前記基板支持ユニットを前記押圧部材に接近する方向に移動させ、前記押圧部材によって前記被吸着体が押圧されるように、前記基板支持ユニット移動機構を制御する
    ことを特徴とする請求項１４に記載の成膜装置。
24. 前記複数の押圧部材は、前記容器の壁に固定されている
    ことを特徴とする請求項２３に記載の成膜装置。
25. 前記基板吸着手段を前記垂直な方向に移動させる基板吸着手段移動機構をさらに有し、
    前記制御部は、前記基板支持ユニット移動機構により前記基板支持ユニットを前記押圧部材に接近する方向に移動させる期間のうちの少なくとも一部の期間に、前記基板吸着手段を前記押圧部材に接近する方向に前記基板支持ユニットとともに移動させるように、前記基板吸着手段移動機構を制御する
    ことを特徴とする請求項１５または２３に記載の成膜装置。
26. 前記基板吸着手段は、前記押圧部材の位置に対応する位置に孔が形成されている
    ことを特徴とする請求項１４または１５に記載の成膜装置。
27. 前記基板吸着手段は、前記押圧部材の位置に対応する位置に孔が形成されており、前記孔の内部に配置され、前記孔に対して相対移動可能に設置されたブロック部材と、を含む
    ことを特徴とする請求項１４または１５に記載の成膜装置。
28. 前記ブロック部材は、前記孔から変位されたときに、前記孔に向かって復元力が作用するように構成される
    ことを特徴とする第２７項に記載の成膜装置。
29. 第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する被吸着体の、前記第１の主面の周縁部を支持ユニットによって支持する支持ステップと、
    複数の押圧部材により、前記第２の主面側から、前記被吸着体を押圧する押圧ステップと、
    前記押圧ステップにおいて押圧された前記被吸着体を、吸着手段によって前記被吸着体の前記第２の主面側から吸着する吸着ステップと、を有し、
    前記押圧ステップでは、前記被吸着体の前記第２の主面が有する複数の角部のうち少なくとも２つの角部を押圧する
    ことを特徴とする吸着方法。
30. 第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する被吸着体の、前記第１の主面の周縁部を、容器内で支持ユニットによって支持する支持ステップと、
    前記容器に固定して設けられた押圧部材により、前記第２の主面側から、前記被吸着体を押圧する押圧ステップと、
    前記押圧ステップにおいて押圧された前記被吸着体を、吸着手段によって前記被吸着体の前記第２の主面側から吸着する吸着ステップと、を有し、
    前記押圧ステップでは、前記支持ユニットを前記押圧部材に接近する方向に移動することで、前記被吸着体を押圧する
    ことを特徴とする吸着方法。
31. 前記押圧ステップでは、前記被吸着体の第２の主面が有する複数の角部のうち対向する２つの角部を押圧する
    ことを特徴とする請求項２９に記載の吸着方法。
32. 前記押圧ステップでは、前記被吸着体の第２の主面が有する角部を押圧する
    ことを特徴とする請求項３０に記載の吸着方法。
33. 前記押圧ステップでは、前記被吸着体の角部すべてを押圧する
    ことを特徴とする請求項３１または３２に記載の吸着方法。
34. 前記被吸着体は矩形状の被吸着体である
    ことを特徴とする請求項２９または３０に記載の吸着方法。
35. 前記押圧ステップにおいて、前記押圧部材は、前記第１の主面または前記第２の主面に垂直な方向から見たとき、前記支持ユニットが前記被吸着体を支持する領域である支持領域と重畳しない領域で前記被吸着体を押圧する
    ことを特徴とする請求項２９または３０に記載の吸着方法。
36. 前記押圧ステップにおいて、前記支持領域を前記第２の主面に垂直投影した投影領域と押圧される前記領域は、前記第１の主面の外周と相似な図形を構成する仮想線に沿うように並んでいる
    ことを特徴とする請求項３５に記載の吸着方法。
37. 前記押圧ステップでは、前記支持ユニットを、前記押圧部材に接近する方向に移動させることにより、前記被吸着体が前記押圧部材によって押圧されるようにする
    ことを特徴とする請求項２９に記載の吸着方法。
38. 前記押圧ステップでは、前記支持ユニットを移動させる期間のうち少なくとも一部の期間に、前記吸着手段を前記押圧部材に接近する方向に前記支持ユニットとともに移動させる
    ことを特徴とする請求項３０または３７に記載の吸着方法。
39. 前記押圧ステップでは、前記押圧部材が前記押圧部材の位置に対応する位置に設けられた前記吸着手段の孔を貫通して、前記被吸着体を押圧することを特徴とする請求項２９または３０に記載の吸着方法。
40. 前記押圧ステップは、前記押圧部材が前記押圧部材の位置に対応する位置に設けられた前記吸着手段の孔の内部に前記孔に対して相対移動可能に設けられたブロック部材を押圧するステップと、前記ブロック部材が前記孔から突出して前記被吸着体を押圧するステップとを含むことを特徴とする請求項３０または３１に記載の吸着方法。
41. 第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する基板の前記第１の主面にマスクを介して成膜する成膜方法であって、
    容器内に基板を搬入して、前記基板の前記第１の主面の周縁部を支持する支持ステップと、
    複数の押圧部材により、前記基板の前記第２の主面が有する複数の角部のうち、少なくとも２つの角部それぞれを、基板の前記第２の主面側から押圧する押圧ステップと、
    基板吸着手段により、前記基板の前記第２の主面側から前記基板を吸着する吸着ステップと、
    前記基板吸着手段によって吸着された前記基板の前記第１の主面に、前記マスクを介して成膜する成膜ステップと、を含む
    ことを特徴とする成膜方法。
42. 第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する基板の前記第１の主面にマスクを介して成膜する成膜方法であって、
    容器内に基板を搬入して、前記基板の前記第１の主面の周縁部を支持する支持ステップと、
    前記基板を押圧部材に接近する方向に移動させて、前記容器内に固定した設けられた押圧部材により、基板の前記第２の主面側から押圧する押圧ステップと、
    基板吸着手段により、前記基板の前記第２の主面側から前記基板を吸着する吸着ステップと、
    前記基板吸着手段によって吸着された前記基板の前記第１の主面に、前記マスクを介して成膜する成膜ステップと、を含む
    ことを特徴とする成膜方法。
43. 前記押圧ステップでは、前記基板の第２の主面が有する角部を押圧する
    ことを特徴とする請求項４１に記載の成膜方法。
44. 前記押圧ステップにおいて、前記押圧部材は、前記第１の主面または前記第２の主面に垂直な方向から見たとき、支持ユニットが前記基板を支持する領域である支持領域と重畳しない領域で前記基板を押圧する
    ことを特徴とする請求項４１または４２に記載の成膜方法。
45. 前記押圧ステップでは、前記容器に固定設置された前記複数の押圧部材に接近する方向に前記基板を移動させて、前記押圧部材によって前記基板を押圧する
    ことを特徴とする請求項４１に記載の成膜方法。
46. 前記押圧ステップでは、前記基板が前記複数の押圧部材によって押圧されるようにするために前記基板を移動させる期間のうち少なくとも一部の期間に、前記基板吸着手段を前記押圧部材に接近する方向に前記基板とともに移動させる
    ことを特徴とする請求項４１または４５に記載の成膜方法。
47. 前記押圧するステップでは、前記押圧部材が前記押圧部材の位置に対応する位置に設けられた前記基板吸着手段の孔を貫通して前記基板を押圧する
    ことを特徴とする請求項４１または４２に記載の成膜方法。
48. 前記押圧ステップは、前記押圧部材が前記押圧部材の位置に対応する位置に設けられた前記基板吸着手段の孔の内部に前記孔に対して相対移動可能に設置されたブロック部材を押圧するステップと、前記ブロック部材が前記孔から突出して前記基板を押圧するステップと、を含む
    ことを特徴とする請求項４１または４２に記載の成膜方法。
49. 請求項４１または４２に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造する
    ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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