JP2023026436A - 吸着装置、マスクと基板との位置調整方法及び成膜方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被吸着体を良好に静電チャックに吸着すること。【解決手段】本発明の吸着装置は、被吸着体を支持するための被吸着体支持ユニットと、前記被吸着体支持ユニットに対向するように設置されて、前記被吸着体を吸着するための静電チャックと、前記被吸着体支持ユニットと前記静電チャックとの距離を調整するための距離調整手段と、前記静電チャックへの電圧印加、及び前記距離調整手段による前記被吸着体支持ユニットと前記静電チャックとの距離の調整を制御するための制御部とを含み、前記制御部は、前記静電チャックと前記被吸着体支持ユニットとの間の距離が所定の間隔になるように、前記距離調整手段を制御し、前記被吸着体支持ユニットと前記静電チャックとが前記所定の間隔に離隔された状態で、前記被吸着体支持ユニットによって支持された被吸着体を前記静電チャックに向かう方向に吸引するための電圧が前記静電チャックに印加されるように制御する。【選択図】図５

Description

本発明は、吸着装置、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法に関するものである。

有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の製造においては、有機ＥＬ表示装置を構成する有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ）を形成する際に、成膜装置の蒸発源から蒸発した蒸着材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に蒸着させることで、有機物層や金属層を形成する。

上向蒸着方式（デポアップ）の成膜装置において、蒸発源は成膜装置の真空容器の下部に設けられる。一方、基板は真空容器の上部に配置され、基板の下面に蒸着材料が蒸着される。このような上向蒸着方式の成膜装置の真空容器内において、基板はその下面の周辺部だけが基板ホルダによって保持されるので、基板がその自重によって撓み、これが蒸着精度を落とす一つの要因となっている。上向蒸着方式以外の方式の成膜装置においても、また、基板の自重による撓みは生じる可能性がある。

基板の自重による撓みを低減するための方法として、静電チャックを使う技術が検討されている。すなわち、基板の上面をその全体にわたって静電チャックで吸着することで、基板の撓みを低減することができる。

特許文献１には、静電チャックで基板及びマスクを吸着する技術が提案されている。

韓国特許公開公報２００７－００１０７２３号

しかし、従来の技術において、静電チャックに基板を介してマスクを吸着させる場合、吸着後のマスクにしわが残ってしまう問題があった。

本発明は、第１被吸着体と第２被吸着体の両方を良好に静電チャックに吸着することを目的にする。

本発明の第１態様による吸着装置は、被吸着体を支持するための被吸着体支持ユニットと、前記被吸着体支持ユニットに支持される前記被吸着体に対向するように設置されて、前記被吸着体を吸着するための静電チャックと、前記被吸着体支持ユニットと前記静電チャックとの距離を調整するための距離調整手段と、前記静電チャックへの電圧印加、及び前記距離調整手段による前記被吸着体支持ユニットと前記静電チャックとの距離の調整を制御するための制御部とを含み、前記制御部は、前記静電チャックと前記被吸着体支持ユニットとの間の距離が所定の間隔になるように、前記距離調整手段を制御し、前記被吸着体支持ユニットと前記静電チャックとが前記所定の間隔に離隔された状態で、前記被吸着体支持ユニットによって支持された被吸着体を前記静電チャックに向かう方向に吸引するための電圧が前記静電チャックに印加されるように制御することを特徴とする。

本発明の第２態様による成膜装置は、基板を支持するための基板支持ユニットと、前記基板支持ユニットとは間隔を空けて設置されて、マスクを支持するためのマスク支持ユニットと、前記基板支持ユニットの設置されている位置を基準に、前記マスク支持ユニットの設置されている位置と反対側に設置され、前記基板及び前記基板を介して前記マスクを吸着するための静電チャックと、前記マスク支持ユニットと前記静電チャックとの距離を調整するための距離調整手段と、前記静電チャックへの電圧印加、及び前記距離調整手段による前記マスク支持ユニットと前記静電チャックとの距離の調整を制御するための制御部とを含み、前記制御部は、前記基板を介して前記静電チャックと、前記マスク支持ユニットとの間の距離が所定の間隔になるように、前記距離調整手段を制御し、前記静電チャックと、前記マスク支持ユニットとが前記所定の間隔に離隔された状態で、前記マスクを前記静電チャックに向かう方向に凸状にするための所定の電圧が前記静電チャックに印加されるように制御することを特徴とする。

本発明の第３態様による吸着方法は、被吸着体と所定の間隔を設けて離隔された静電チャックに、所定の電圧を印加して、前記被吸着体を前記静電チャックに向かう方向に吸引する吸引工程と、前記被吸着体と前記静電チャックを相対的に接近させ、前記静電チャックに前記被吸着体を吸着させる吸着工程と、を含むことを特徴とする。

本発明の第４態様による吸着方法は、被吸着体を吸着するための方法であって、静電チャックに第１電圧を印加して第１被吸着体を吸着する第１吸着工程と、前記第１被吸着体を介して、前記静電チャックと第２被吸着体が所定の間隔に離隔されている状態で、前記静電チャックに所定の電圧を印加して前記第２被吸着体を、前記静電チャックに向かう方向に凸状にする吸引工程と、前記第２被吸着体と前記静電チャックを前記所定の間隔から相対的に接近させ、前記静電チャックに前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着する第２吸着工程とを含むことを特徴とする。

本発明の第５態様による吸着方法は、被吸着体を吸着するための方法であって、第１被吸着体を静電チャックに吸着するための電圧を、前記静電チャックに印加する第１印加工程と、前記第１被吸着体を介して前記静電チャックと第２被吸着体が所定の間隔に離隔されるように、前記第２被吸着体と前記静電チャックを相対的に移動させる第１移動工程と、前記第１被吸着体を介して前記静電チャックと前記第２被吸着体が所定の間隔に離隔された状態で、前記第２被吸着体が、前記静電チャックに向かう方向に凸状になるように、所定の電圧を印加する第２印加工程と、前記所定の電圧が印加された状態で、前記静電チャックに前記第１被吸着体越しに前記第２被吸着体が吸着されるように前記第２被吸着体と前記静電チャックを相対的に移動させる第２移動工程とを含むことを特徴とする。

本発明の第６態様による成膜方法は、基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、真空容器内にマスクを搬入する工程と、前記真空容器内に基板を搬入する工程と、静電チャックに第１電圧を印加して前記基板を吸着する工程と、前記基板を介して前記静電チャックと、前記マスクとが所定の間隔に離隔されている状態で、前記静電チャックに所定の電圧を印加して前記マスクを前記静電チャックに向かう方向に凸状にする工程と、前記マスクと前記静電チャックを前記所定の間隔から相対的に接近させ、前記静電チャックに前記基板越しに前記マスクを吸着する工程と、前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、蒸着材料を蒸発させて、前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする。

本発明の第７態様による成膜方法は、基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、真空容器内にマスクを搬入する工程と、前記真空容器内に基板を搬入する工程と、基板が静電チャックに吸着されるようにするための電圧を、前記静電チャックに印加する第１印加工程と、前記基板を介して前記静電チャックと、前記マスクが所定の間隔
に離隔されるように、前記マスクと前記静電チャックを相対的に移動させる第１移動工程と、前記基板を介して前記静電チャックと、前記マスクが所定の間隔に離隔された状態で、前記マスクが前記静電チャックに向かう方向に凸状になるように、所定の電圧を印加する第２印加工程と、前記所定の電圧が印加された状態で、前記静電チャックに前記基板越しに前記マスクが吸着されるように、前記マスクと前記静電チャックを相対的に移動させる第２移動工程と、前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、蒸着材料を蒸発させて、前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする。

本発明の第８態様による電子デバイスの製造方法は、本発明の第６態様又は第７態様による成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする。

本発明によれば、静電チャックにより第１被吸着体と第２被吸着体の両方をしわが残らないように良好に吸着することができる。

図１は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。 図２は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。 図３ａは、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの概念図及び模式図である。 図３ｂは、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの概念図及び模式図である。 図３ｃは、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの概念図及び模式図である。 図４は、静電チャックへの基板の吸着工程を示す図である。 図５は、他の実施形態による静電チャックへの基板の吸着工程を示す図である。 図６は、静電チャックに基板が吸着した後の工程を示す図である。 図７は、電子デバイスを示す模式図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に好ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選択することができ、基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板であってもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、金属性材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択してもよい。なお、以下に説明する真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を含む成膜装置にも、本発明を適用することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス（例えば、有機発光素子、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、蒸着材料を蒸発させてマスクを介して基板に蒸着させることで有機発光素子を形成する有機発光素子の製造装置は、本発明の好ましい適用例の一つである。

＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。

図１の製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、４．５世代の基板（約７００ｍｍ×約９００ｍｍ）や６世代のフルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）又はハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板に、有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルを製作する。

電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置１と、クラスタ装置の間を繋ぐ中継装置とを含む。

クラスタ装置１は、基板Ｓに対する処理（例えば、成膜処理）を行う複数の成膜装置１１と、使用前後のマスクＭを収納する複数のマスクストック装置１２と、その中央に配置される搬送室１３と、を具備する。搬送室１３は、図１に示すように、複数の成膜装置１１およびマスクストック装置１２のそれぞれと接続されている。

搬送室１３内には、基板ＳおよびマスクＭを搬送する搬送ロボット１４が配置されている。搬送ロボット１４は、上流側に配置された中継装置のパス室１５から成膜装置１１へと基板Ｓを搬送する。また、搬送ロボット１４は、成膜装置１１とマスクストック装置１２との間でマスクＭを搬送する。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板Ｓ又はマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。

成膜装置１１（蒸着装置とも呼ばれる）では、蒸発源に収納された蒸着材料がヒータによって加熱されて蒸発し、マスクＭを介して基板Ｓ上に蒸着される。搬送ロボット１４との基板Ｓの受け渡し、基板ＳとマスクＭの相対的な位置の調整（アライメント）、マスクＭ上への基板Ｓの固定、成膜（蒸着）などの一連の成膜プロセスは、成膜装置１１によって行われる。

マスクストック装置１２には、成膜装置１１での成膜工程に使われる新しいマスクＭと、使用済みのマスクＭとが、二つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクＭを成膜装置１１からマスクストック装置１２のカセットに搬送し、マスクストック装置１２の他のカセットに収納された新しいマスクＭを成膜装置１１に搬送する。

クラスタ装置１には、基板Ｓの流れ方向において上流側からの基板Ｓを当該クラスタ装置１に受け渡すパス室１５と、当該クラスタ装置１で成膜処理が完了した基板Ｓを下流側の他のクラスタ装置に受け渡すためのバッファー室１６が連結される。搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板Ｓを受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板Ｓを複数の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ｂ）から受け取って、下流側に連結されたバッファー室１６に搬送する。

バッファー室１６とパス室１５との間には、基板Ｓの向きを変える旋回室１７が設置される。旋回室１７には、バッファー室１６から基板Ｓを受け取って基板Ｓを１８０°回転させ、パス室１５に搬送するための搬送ロボット１８が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Ｓの向きが同じになり、基板処理が容易になる。

パス室１５、バッファー室１６、旋回室１７は、クラスタ装置間を連結する、いわゆる中継装置であり、クラスタ装置の上流側及び下流側の少なくとも一方に設置される中継装置は、パス室１５、バッファー室１６、旋回室１７のうち少なくとも１つを含む。

成膜装置１１、マスクストック装置１２、搬送室１３、バッファー室１６、旋回室１７などは、有機発光素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室１５は、通常低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもよい。

本実施例では、図１を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバーを有してもよく、これらの装置やチャンバー間の配置が変わってもよい。

以下、成膜装置１１の具体的な構成について説明する。

＜成膜装置＞
図２は、成膜装置１１の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用いる。成膜時に基板Ｓが水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定された場合、基板Ｓの短手方向（短辺に平行な方向）をＸ方向、長手方向（長辺に平行な方向）をＹ方向とする。また、Ｚ軸まわりの回転角をθで表す。

成膜装置１１は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器２１と、真空容器２１の内部に設けられる、基板支持ユニット２２と、マスク支持ユニット２３と、静電チャック２４と、蒸発源２５とを有する。なお、基板支持ユニット２２、マスク支持ユニット２３はそれぞれ、基板Ｓを第１被吸着体、マスクＭを第２被吸着体としたときの被吸着体支持ユニットに相当する。

基板支持ユニット２２（第１被吸着体支持ユニット）は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送してきた基板Ｓを受取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。

基板支持ユニット２２の下方には、マスク支持ユニット２３（第２被吸着体支持ユニット）が設けられる。マスク支持ユニット２３は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送してきたマスクＭを受取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。

マスクＭは、基板Ｓ上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット２３の上に載置される。特に、スマートフォン用の有機ＥＬ素子を製造するのに使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）とも呼ばれる。

基板支持ユニット２２の上方には、基板Ｓを静電引力によって吸着し固定するための静電チャック２４が設けられる。静電チャック２４は、誘電体（例えば、セラミック材質）マトリックス内に金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する。静電チャック２４は、クーロン力タイプの静電チャックであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよい。さらには、グラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。しかし、静電チャック２４は、グラジエント力タイプの静電チャックであることが好ましい。なぜなら、静電チャック２４がグラジエント力タイプの静電チャックであることによって、基板Ｓが絶縁性基板である場合であっても、静電チャック２４によって良好に吸着することができるからである。例えば、静電チャック２４がクーロン力タイプの静電チャックである場合には、金属電極にプラス（＋）及びマイナス（－）の電圧が
印加されると、誘電体マトリックスを通じて基板Ｓなどの被吸着体に金属電極と反対極性の分極電荷が誘導され、基板Ｓと静電チャック２４との間の静電引力によって基板Ｓが静電チャック２４に吸着固定される。

静電チャック２４は、一つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されてもよい。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を含み、一つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御してもよい。

本実施形態では後述のように、成膜処理前に静電チャック２４で基板Ｓ（第１被吸着体）だけでなく、マスクＭ（第２被吸着体）も吸着し保持する。そのため、本実施形態における成膜装置１１は、基板Ｓ（第１被吸着体）やマスクＭ（第２被吸着体）を吸着する吸着装置でもある。

即ち、本実施例では、静電チャック２４の鉛直方向の下側に置かれた基板Ｓ（第１被吸着体）を静電チャックで吸着及び保持し、その後、基板Ｓ（第１被吸着体）を介して静電チャック２４と反対側に置かれたマスクＭ（第２被吸着体）を、基板Ｓ（第１被吸着体）越しに静電チャック２４で吸着し保持する。特に、静電チャック２４で基板Ｓを吸着する際には、静電チャック２４と基板Ｓが所定の間隔ｄに離隔された状態で、静電チャック２４に所定の電圧Ｖ_Ｓを印加して、基板Ｓを引き寄せ、静電チャック２４の静電引力によって凸状になった基板の部分が、静電チャックによる基板Ｓの吸着の起点とするようにする。また、静電チャック２４でマスクＭを基板Ｓ越しに吸着する際には、静電チャック２４とマスクＭが所定の間隔ｄ’に離隔された状態で、静電チャック２４に所定の電圧Ｖ_Ｍを印加して、マスクＭを引き寄せ、静電チャック２４の静電引力によって凸状になったマスクＭの部分が、静電チャックによるマスクＭの吸着の起点となるようにする。これについては、図４～６を参照して後述する。

図２には示さなかったが、静電チャック２４の吸着面とは反対側に基板Ｓの温度上昇を抑える冷却機構（例えば、冷却板）を設けることで、基板Ｓ上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成としてもよい。

蒸発源２５は、基板に成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ（不図示）、るつぼを加熱するためのヒータ（不図示）、蒸発源からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板に飛散することを阻むシャッタ（不図示）などを含む。蒸発源２５は、点（ｐｏｉｎｔ）蒸発源や線形（ｌｉｎｅａｒ）蒸発源など、用途に従って多様な構成を有することができる。

図２に示さなかったが、成膜装置１１は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ（不図示）及び膜厚算出ユニット（不図示）を含む。

真空容器２１の上部外側（大気側）には、基板Ｚアクチュエータ２６、マスクＺアクチュエータ２７、静電チャックＺアクチュエータ２８、位置調整機構２９などが設けられる。これらのアクチュエータ２６，２７，２８（距離調整手段）と位置調整機構２９は、例えば、モータとボールねじ、或いはモータとリニアガイドなどで構成されるが、本発明はこれに限定されず、当該業界で知られている他の構成を採用してもよい。基板Ｚアクチュエータ２６（基板支持ユニット駆動アクチュエータ）は、基板支持ユニット２２を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。マスクＺアクチュエータ２７（マスク支持ユニット駆動アクチュエータ）は、マスク支持ユニット２３を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。静電チャックＺアクチュエータ２８（静電チャック駆動アクチュエータ）は、静電チャック２４を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。
なお、基板ＳとマスクＭを被吸着体として捉えると、前述の基板Ｚアクチュエータ２６とマスクＺアクチュエータ２７は、それぞれ被吸着体を支持する支持ユニットの駆動アクチュエータであるので、まとめて被吸着体支持ユニット駆動アクチュエータとして捉えることもできる。

位置調整機構２９は、静電チャック２４のアライメントのための駆動手段である。位置調整機構２９は、静電チャック２４全体を基板支持ユニット２２及びマスク支持ユニット２３に対して、水平面に平行な面内で、Ｘ方向、Ｙ方向のうちの少なくとも一つの方向に相対的に移動、もしくはθ方向に相対的に回転させる。なお、本実施形態では、基板Ｓを吸着した状態で、静電チャック２４をＸ方向、Ｙ方向の少なくとも一つの方向に移動、θ方向に回転させるように位置調整することで、基板ＳとマスクＭの相対的位置を調整するアライメントを行う。

真空容器２１の外側上面には、上述した駆動機構の他に、真空容器２１の上面に設けられた透明窓を介して、基板Ｓ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ２０を設置してもよい。本実施例においては、アライメント用カメラ２０は、矩形の基板Ｓ、マスクＭ及び静電チャック２４の対角線に対応する位置または、矩形の基板Ｓ、マスクＭ及び静電チャック２４の４つの角部に対応する位置に設置してもよい。

本実施形態の成膜装置１１に設置されるアライメント用カメラ２０は、基板ＳとマスクＭとの相対的な位置を高精度で調整するのに使われるファインアライメント用カメラであり、その視野角は狭いが高解像度を持つカメラである。成膜装置１１は、ファインアライメント用カメラ２０の他に相対的に視野角が広くて低解像度であるラフアライメント用カメラを有してもよい。

尚、位置調整機構２９は、アライメント用カメラ２０によって取得した基板Ｓ（第１被吸着体）及びマスクＭ（第２被吸着体）の位置情報に基づいて、基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を相対的に移動させて位置調整するアライメントを行う。

成膜装置１１は、制御部４０を具備する。制御部４０は、基板ＳやマスクＭの搬送及びアライメントの制御、蒸発源２５の制御、成膜装置１１の制御などの機能を有する。

特に、制御部４０は、基板Ｚアクチュエータ２６による基板支持ユニット２２の昇降、マスクＺアクチュエータ２７によるマスク支持ユニット２３の昇降、及び静電チャックＺアクチュエータ２８による静電チャック２４の昇降を制御する。これによって、制御部４０は、静電チャック２４への基板Ｓ及びマスクＭの吸着工程と、静電チャック２４に吸着された基板ＳとマスクＭの分離工程において、静電チャック２４に対する基板Ｓ、および静電チャック２４に対するマスクＭの少なくとも一方の相対的な距離を調整することができる。

特に、静電チャック２４に基板Ｓを吸着させるため、制御部４０は、静電チャック２４と基板Ｓが所定の間隔に離隔されるように静電チャック２４および基板Ｓの少なくとも一方の昇降を１次制御してから、静電チャック２４に所定の電圧Ｖ_Ｓを印加して発生する静電引力によって、基板Ｓが静電チャック２４に向かう方向に凸状になるようにする。その後、基板Ｓが、静電チャック２４に接触するように静電チャック２４および基板Ｓの少なくとも一方の昇降を２次的に制御する。また、基板Ｓを介してマスクＭを吸着させるために、制御部４０は、静電チャック２４とマスクＭとが所定の間隔に離隔されるように静電チャック２４およびマスクＭの少なくとも一方の昇降を１次制御してから、静電チャック２４に所定の電圧Ｖ_Ｍを印加して発生する静電引力によって、マスクＭが静電チャック２
４に向かう方向に凸状になるようにする。その後、マスクＭが、基板Ｓに接触するように、静電チャック２４およびマスクＭの少なくとも一方の昇降を２次的に制御する。制御部４０のこのような機能は、別途のＺアクチュエータ制御部（不図示）によって構成されてもよい。

制御部４０は、また、静電チャック２４への電圧の印加を制御する機能も有するが、これについては図３を参照して後述する。

制御部４０は、例えば、プロセッサ、メモリー、ストレージ、Ｉ／Ｏなどを持つコンピューターによって構成可能である。この場合、制御部４０の機能はメモリーまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを使用してもよく、組込み型のコンピューターまたはＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を使用してもよい。さらには、制御部４０の機能の一部または全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部が設置されていてもよく、一つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。

＜静電チャックシステム＞
図３ａ～図３ｃを参照して本実施形態による静電チャックシステム３０について説明する。

図３ａは、本実施形態の静電チャックシステム３０の概念的なブロック図であり、図３ｂは、静電チャック２４の模式的な平面図であり、図３ｃは、静電チャック２４の模式的な平面図である。

本実施形態の静電チャックシステム３０は、図３ａに示すように、静電チャック２４と、電圧印加部３１と、電圧制御部３２と、を有する。

電圧印加部３１は、静電チャック２４の電極部に静電引力を発生させるための電圧を印加する。

電圧制御部３２は、静電チャックシステム３０の吸着工程または成膜装置１１の成膜工程の進行に応じて、電圧印加部３１から電極部に加えられる電圧の大きさ、電圧の印加開始時点、電圧の維持時間、電圧の印加順番などを制御する。電圧制御部３２は、例えば、静電チャック２４の電極部が有する複数のサブ電極部２４１～２４９への電圧印加をサブ電極部別に独立的に制御することができる。本実施形態では、電圧制御部３２が成膜装置１１の制御部４０とは別途に構成されるが、本発明はこれに限定されず、成膜装置１１の制御部４０に統合されてもよい。

静電チャック２４は、吸着面に被吸着体（例えば、基板Ｓ、マスクＭ）を吸着するための静電吸着力を発生させる電極部を有し、電極部は、複数のサブ電極部２４１～２４９を有する。例えば、本実施形態の静電チャック２４は、図３ｃに示したように、静電チャック２４の長手方向（Ｙ方向）および、静電チャック２４の短手方向（Ｘ方向）に沿って、分割された複数のサブ電極部２４１～２４９が配置されている。

上述のサブ電極部２４１～２４９はそれぞれ、静電吸着力を発生させるためにプラス（第１極性）及びマイナス（第２極性）の電圧が印加される電極対３３を有する。さらに、複数のサブ電極部２４１～２４９が有する電極対３３は、プラス電圧が印加される第１電極３３１と、マイナス電圧が印加される第２電極３３２とを有する。

第１電極３３１及び第２電極３３２は、図３ｃに示すように、それぞれ櫛歯形状を有する。例えば、第１電極３３１及び第２電極３３２は、それぞれ複数の櫛歯部と、複数の櫛歯部に連結される基部とを有する。各電極３３１，３３２の基部は櫛歯部に電力を供給し、複数の櫛歯部は、被吸着体との間で静電吸着力を生じさせる。サブ電極部２４１～２４９のそれぞれにおいて、第１電極３３１の各櫛歯部は、第２電極３３２の各櫛歯部と対向し、かつ互いに入り組んだ構成となるように、交互に配置される。このように、各電極３３１，３３２の各櫛歯部が対向しかつ互いに入り組んだ構成とすることで、異なる電圧が印加される電極間の間隔を狭くすることができ、大きな不平等電界を形成し、グラジエント力によって基板Ｓを吸着することができる。

本実施例においては、静電チャック２４のサブ電極部２４１～２４９の各電極３３１，３３２が櫛歯形状を有すると説明したが、本発明はそれに限定されず、被吸着体との間で静電引力を発生させることができる限り、多様な形状を持つことができる。

本実施形態の静電チャック２４は、複数のサブ電極部に対応する複数の吸着部を有する。例えば、本実施例の静電チャック２４は、図３ｃに示すように、９つのサブ電極部２４１～２４９に対応する９つの吸着部を有するが、これに限定されず、基板Ｓの吸着をより精密に制御するため、他の個数の吸着部を有してもよい。

吸着部は、静電チャック２４の長手方向（Ｙ方向）及び短手方向（Ｘ方向）に分割されるように設けられるが、これに限定されず、静電チャック２４の長手方向または短手方向だけに分割されてもよい。複数の吸着部は、物理的に一つのプレートが複数の電極部を持つことで構成されてもよく、物理的に分割された複数のプレートそれぞれが一つまたはそれ以上の電極部を持つことで構成されてもよい。

図３ｃに示した実施例において、複数の吸着部それぞれが複数のサブ電極部それぞれに対応するように構成されてもよく、一つの吸着部が複数のサブ電極部を含むように構成されてもよい。

例えば、電圧制御部３２によるサブ電極部２４１～２４９への電圧の印加を制御することで、後述するように、基板Ｓの吸着進行方向（Ｘ方向）と交差する方向（Ｙ方向）に配置された３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７が一つの吸着部を構成するようにすることができる。すなわち、電圧制御部３２は、３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７のそれぞれに対して、独立的に電圧を印加する順序を制御することが可能である。そのため、これら３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７に同時に電圧が印加されるように制御することで、これら３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７を一つの吸着部として機能させることができる。複数の吸着部のそれぞれが独立的に基板Ｓの吸着を行うことができる限り、その具体的な物理的構造及び電気回路的構造を変更してもよい。

＜静電チャックシステムによる吸着方法＞
以下、図４～図６を参照して、静電チャック２４に基板Ｓ及びマスクＭを吸着する方法について説明する。以下では、電圧制御部３２の機能が成膜装置１１の制御部４０の機能とは別であることを前提に説明するが、これは例示的なものであり、後述する電圧制御部３２の機能は、成膜装置１１の制御部４０に統合されてもよい。なお、これらの説明に際し、基板Ｓ、マスクＭや静電チャック２４の移動を分かりやすくするため、上述の基板Ｓアクチュエータ２６、マスクＺアクチュエータ２７、静電チャックＺアクチュエータ２８、位置調整機構２９などは不図示としている。

図４（ａ）～（ｄ）は、静電チャック２４に基板Ｓを吸着する工程（第１吸着工程）を示している。

本実施形態においては、図４（ａ）～（ｄ）に示すように、静電チャック２４の下面に基板Ｓの全面が同時に吸着するのではなく、静電チャック２４の第１辺（短辺）に沿って一端から他端に向かって順次に吸着が進行する。ただし、本発明はこれに限定されず、例えば、静電チャック２４の対角線上の一つの角からこれと対向する他の角に向かって基板の吸着が進行してもよい。

静電チャック２４の第１辺に沿って基板Ｓが順次に吸着するようにするために、以下の方法が挙げられる。まずは、複数のサブ電極部２４１～２４９に基板吸着のための第１電圧を印加する順番を制御して、基板Ｓが順次に吸着するようにする方法がある。もしくは、複数のサブ電極部２４１～２４９に同時に第１電圧を印加し、基板Ｓを支持する基板支持ユニット２２の支持部の構造や支持力を異ならせることで、基板Ｓが順次に吸着する方法を採用してもよい。

図４（ａ）～（ｄ）は、静電チャック２４の複数のサブ電極部２４１～２４９に印加される電圧の制御によって、基板Ｓを基板吸着方向（Ｘ方向）に沿って、静電チャック２４に順次に吸着させる実施形態を示す。ここでは、静電チャック２４の長辺方向（Ｙ方向）に沿って配置される３つのサブ電極部２４１，２４４，２４７が第１吸着部４１（電圧印加の順番が１番目の吸着部）を構成し、静電チャック２４の中央部の３つのサブ電極部２４２、２４５、２４８が第２吸着部４２（電圧印加の順番が２番目の吸着部）を構成し、残り３つのサブ電極部２４３、２４６、２４９が第３吸着部４３（電圧印加の順番が３番目の吸着部）を構成する。

まず、図４（ａ）に示したように、成膜装置１１の真空容器２１内に基板Ｓが搬入され、基板支持ユニット２２の支持部によって支持される。続いて、制御部４０による静電チャックＺアクチュエータ２８の制御によって静電チャック２４が下降し、基板支持ユニット２２の支持部に支持された基板Ｓに向かって移動する。しかしながら、本実施形態とは異なり、制御部４０による基板Ｚアクチュエータ２６の制御を通じて基板支持ユニット２２を上昇させてもよい。または、静電チャックＺアクチュエータ２８と基板Ｚアクチュエータ２６を一緒に制御して、静電チャック２４と基板Ｓを相対的に接近させてもよい。

静電チャック２４が基板Ｓに十分に近接または接触すると、電圧制御部３２は、基板吸着方向（Ｘ方向）である静電チャック２４の第１辺（短手）に沿って第１吸着部４１（１番目の吸着部）から第３吸着部４３（３番目の吸着部）に向かって順次に第１電圧（ΔＶ１）が印加されるよう制御する。

つまり、電圧制御部３２は、図４（ｂ）～（ｄ）に示したように、第１吸着部４１（１番目の吸着部）（図４（ｂ））、第２吸着部４２（２番目の吸着部）（図４（ｃ））、第３吸着部４３（３番目の吸着部）の順に第１電圧が加えられるように制御する（図４（ｄ））。

第１電圧（ΔＶ１）は、基板Ｓを静電チャック２４に確実に吸着させるために十分な大きさの電圧に設定される。

これにより、基板Ｓの静電チャック２４への吸着は、基板Ｓの第１吸着部４１（１番目の吸着部）に対応する長手方向（Ｙ方向）に沿った一方の辺側から吸着が開始され、基板Ｓの中央部を経て、第３吸着部４３（３番目の吸着部）側に対応する長手方向（Ｙ方向）の沿った他方の辺側に向かって、吸着が進行していき（すなわち、Ｘ方向に基板Ｓの吸着が進行していき）、基板Ｓは、基板中央部にしわを残さず、平らに静電チャック２４に吸着される。

本実施形態においては、静電チャック２４が基板Ｓに十分に近接或いは接触した状態で、第１電圧（ΔＶ１）を印加すると説明したが、静電チャック２４が基板Ｓに向かって下降を始める前に、或いは、下降の途中に第１電圧（ΔＶ１）を印加してもよい。

図５（ａ）～（ｅ）は、本発明の他の実施形態による基板の吸着工程を示す。図５（ａ）～（ｅ）に示した本発明の他の実施形態では、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させるための第１電圧（ΔＶ１）を印加する前に、基板Ｓが静電チャック２４から所定の間隔（ｄ）で離隔されるように、基板Ｚアクチュエータ２６及び静電チャックＺアクチュエータ２８の少なくとも一方によって（距離調整手段によって）、静電チャック２４と基板Ｓを相対的に移動させる。

ここで、「静電チャック２４と基板Ｓとの間の距離」を、静電チャック２４の下面の吸着面と基板支持ユニット２２の上面との間の距離として定義する。このように定義することで、基板支持ユニット２２によって支持されている基板Ｓの形状に関係なく静電チャック２４と基板Ｓとの間の距離を定義することができる。

本実施形態において、上述の「所定の間隔ｄ」は、静電チャック２４に印加される電圧に応じて発生する静電引力によって、静電チャック２４と所定の間隔ｄで離隔されている基板Ｓが静電チャック２４に向かう方向に凸状に変形することができる程度の距離を表している。

また、「所定の間隔ｄ」は、静電チャック２４の電極部に第１電圧（ΔＶ１）が印加されて、基板Ｓが静電チャック２４に向かう方向に凸状になったとき、基板Ｓが静電チャック２４には接触しない距離でもある。所定の間隔ｄが小さすぎると、静電チャック２４の電極部に第１電圧（ΔＶ１）が印加されて、基板Ｓが静電チャック２４に向かって凸状となるように変形するとき、基板Ｓの中央部ではなく、中央部と周縁部の間の部分が中央部よりも先に静電チャック２４に接触してしまう。

そこで、「所定の間隔ｄ」は、図５（ｂ）、（ｄ）に示すような、基板支持ユニット２２によって支持されている基板Ｓが自重によって撓んでいる大きさを示す基板の撓み量ｘ以上であることが好ましい。ここで、基板Ｓの撓み量ｘは、基板Ｓが自重によって撓んで凹状になる場合、基板Ｓの水平面からの最大距離ｘを指す。

ただし、静電チャック２４と基板Ｓとの間の距離が大きすぎると、基板Ｓが静電チャック２４に向かって凸状になるためには、相対的に大きい電圧を印加しなければならない問題がある。これを考慮すると、「所定の間隔ｄ」は、基板の撓み量ｘと実質的に同じであることがより好ましい。

図５（ｃ）に示すように、静電チャック２４と基板Ｓとの間の距離、又は基板支持ユニット２２と静電チャック２４との間の距離が所定の間隔ｄに維持された状態で、静電チャック２４の電極部に第１電圧（ΔＶ１）を印加する。すると、基板Ｓの中央部は静電チャック２４からの静電引力によって、静電チャック２４に向かう方向に凸状になる。

続いて、図５（ｄ）に示すように、静電チャック２４と基板Ｓを相対的に接近させると、基板Ｓの中央部が先に静電チャック２４に接触して吸着される。静電チャック２４と基板Ｓをさらに接近させると、基板Ｓの中央部から周縁部に向かって基板Ｓが順次的に静電チャック２４に吸着される。このようにすることで、図５（ｅ）に示すように基板Ｓを静電チャック２４に平らに吸着させることができる。

図５（ａ）～（ｅ）に示した実施例では、静電チャック２４と基板Ｓが所定の間隔ｄで離隔された状態で、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させるための電圧である第１電圧を印加すると説明したが、本発明はこれに限定されず、基板Ｓが凸状になることができる限り、第１電圧より低い所定の電圧Ｖ_Ｓを印加してもよい。この場合、所定の電圧Ｖ_Ｓによって基板Ｓが凸状になった後、静電チャック２４と基板Ｓを相対的に接近させる過程で、または基板Ｓの中央部が静電チャック２４に接触した状態で静電チャック２４に印加される電圧を、第１電圧よりも低い値の所定の電圧Ｖ_Ｓから第１電圧（ΔＶ１）に変更してもよい。

また、図５（ａ）～（ｅ）に示した実施例では、基板Ｓを凸状とするために印加する第１電圧（ΔＶ１）が静電チャック２４の電極部全体に同時に印加されるものとして説明し、上述のように、基板Ｓが凸状になるのであれば、第１電圧よりも低い値の電圧を所定の電圧Ｖ_Ｓとして静電チャック２４の電極部全体に印加してもよいとしたが、本発明はこれに限定されない。すなわち、静電チャック２４に第１電圧（ΔＶ１）又は第１電圧よりも低い値の所定の電圧Ｖ_Ｓを印加することによって、基板Ｓが凸状になるのであれば、静電チャック２４のサブ電極部２４１～２４９別に、または第１～第３吸着部別に順次電圧を印加してもよい。例えば、静電チャック２４の第２吸着部に先に電圧が印加されてから、第１及び第３吸着部に電圧が印加されるように制御してもよい。

図４（ａ）～（ｄ）に示した実施例又は図５（ａ）～（ｅ）に示した実施例に従って、基板Ｓの静電チャック２４への吸着工程（第１吸着工程）が完了した後の所定の時点で、電圧制御部３２は、図６（ａ）に示すように、静電チャック２４の電極部に印加される電圧を、第１電圧（ΔＶ１）から第１電圧（ΔＶ１）より小さい第２電圧（ΔＶ２）に下げる。

第２電圧（ΔＶ２）は、基板Ｓを静電チャック２４に吸着された状態に維持するための吸着維持電圧であり、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させる際に印加した第１電圧（ΔＶ１）より低い電圧である。静電チャック２４に印加される電圧が第１電圧（ΔＶ１）から第２電圧（ΔＶ２）に下がると、これに対応して基板Ｓに誘導される分極電荷量も、図６（ａ）に示すように、第１電圧（ΔＶ１）が加えられた場合に比べて減少する。しかしながら、基板Ｓが一旦第１電圧（ΔＶ１）によって静電チャック２４に吸着されていれば、第１電圧（ΔＶ１）より低い電圧値の第２電圧（ΔＶ２）を印加しても基板の吸着状態を維持することができる。

このように、静電チャック２４の電極部に印加される電圧を第１電圧から第２電圧（ΔＶ２）に下げることで、基板Ｓが静電チャック２４から分離するのにかかる時間を短縮することができる。

つまり、静電チャック２４から基板Ｓを分離しようとする時、静電チャック２４の電極部に加えられる電圧の電圧値をゼロ（０）にしても、直ちに静電チャック２４と基板Ｓとの間の静電引力が消えるのではなく、静電チャック２４と基板Ｓとの界面に誘導された電荷が消えるのに相当な時間（場合によっては、数分程度）がかかる。特に、静電チャック２４に基板Ｓを吸着させる際は、通常、その吸着を確実にするために、静電チャック２４に基板を吸着させるのに必要な最小静電引力よりも十分に大きい静電引力が作用するように第１電圧を設定するが、このような第１電圧（ΔＶ１）を印加してから基板の分離が可能な状態になるまでは相当な時間がかかる。

そこで、本実施例では、このような静電チャック２４からの基板Ｓの分離にかかる時間により全体的な工程時間（Ｔａｃｔ）が増加してしまうことを防止するために、基板Ｓが静電チャック２４に吸着した後に、所定の時点で、静電チャック２４に印加される電圧を
第２電圧（ΔＶ２）に下げる。

図６（ａ）に示した実施例では、静電チャック２４の第１吸着部４１～第３吸着部４３に印加される電圧を同時に第２電圧（ΔＶ２）に下げることとしたが、本発明はこれに限定されず、吸着部別に第２電圧（ΔＶ２）に下げる時点、すなわち吸着部に第２電圧（ΔＶ２）を印加する印加時期や印加される第２電圧（ΔＶ２）の大きさがそれぞれ異なるようにしてもよい。例えば、第１吸着部４１から第３吸着部４３に向かって順次に第２電圧（ΔＶ２）に下げてもよい。

このように、静電チャック２４の電極部に印加される電圧が第２電圧（ΔＶ２）に下がった後、制御部４０による位置調整機構２９の制御を通じて、静電チャック２４に吸着した基板Ｓとマスク支持ユニット２３に支持されたマスクＭの相対的位置を調整（アライメント）する。本実施例では、静電チャック２４の電極部に印加される電圧が第２電圧（ΔＶ２）に下がった後に基板ＳとマスクＭとの間の相対的な位置調整（アライメント）を行うこととしたが、本発明はこれに限定されず、静電チャック２４の電極部に第１電圧（ΔＶ１）が印加されている状態でアライメント工程を行ってもよい。

続いて、静電チャック２４の電極部に第２電圧（ΔＶ２）が継続的に印加されている状態で、制御部４０による静電チャックＺアクチュエータ２８およびマスクＺアクチュエータ２７の少なくとも一方の制御を通じて、静電チャック２４とマスク支持ユニット２３を相対的に移動させて、静電チャック２４とマスクＭとの間の距離が所定の間隔ｄ’を有するようにする。つまり、本発明によれば、マスクＭを基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着する工程において、マスクＭが、基板Ｓの下面に直ちに接触されるようにするのではなく、まず、静電チャック２４とマスクＭが所定の間隔ｄ’を持って離隔された状態になるようにする。

ここで、「静電チャック２４とマスクＭとの間の距離」は、図６（ｂ）に示すように、静電チャック２４の下面の吸着面とマスク支持ユニット２３の上面との間の距離として定義する。このように定義することで、マスク支持ユニット２３によって支持されているマスクＭの形状に関係なく静電チャック２４とマスクＭとの間の距離を定義することができる。また、マスクＭは、厚さが比較的薄く、静電チャック２とマスクＭとの間の距離においてマスクＭ自体の厚さは無視してもよい。

本発明の実施形態によれば、静電チャック２４とマスクＭとの間の距離に該当する「所定の間隔ｄ’」は、所定の電圧Ｖ_Ｍの印加に応じて静電チャック２４に発生する静電引力によって、静電チャック２４と所定の間隔ｄ’で離隔されているマスクＭが静電チャック２４に向かう方向に凸状に変形することができる程度の距離を表している。ここでの所定の電圧Ｖ_Ｍは、マスクＭを基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着させるために印加する電圧である第３電圧（ΔＶ３）であってもよいが、後述するように、ここにのみ限定されるものではない。

また、「所定の間隔ｄ’」は、上述の所定の電圧Ｖ_Ｍが静電チャック２４の電極部に印加されて、マスクＭが静電チャック２４に向かって凸形状になったとき、マスクＭの凸部が静電チャック２４に吸着された基板Ｓには接触しない距離でもある。所定の間隔ｄ’が小さすぎると、所定の電圧Ｖ_Ｍが印加されて、マスクＭが静電チャック２４に向かって凸形状となるように変形するとき、マスクＭの他の部分（例えば、中央部ではなく、中央部と周縁部の間の部分）が中央部よりも基板Ｓに、先に接触してしまう。

そこで、「所定の間隔ｄ’」は、マスク支持ユニット２３によって支持されているマスクＭが自重によって撓んでいる大きさを示すマスクの撓み量ｘと基板Ｓの厚さを足し合わ
せた距離以上であることが好ましい。基板Ｓの厚さは約０．５ｍｍ以上、またはより薄くなっても良い。そしてマスクの撓み量ｘ’は、マスクが自重によって撓んで凹形状になる場合に、マスクＭの水平面からの最大距離ｘ’を指す。

ただし、静電チャック２４とマスクＭとの間の距離が大きすぎると、マスクＭが静電チャック２４に向かって凸状になるためには、相対的に大きい電圧を印加しなければならない問題がある。これを考慮すると、「所定の間隔ｄ’」は、マスクの撓み量ｘ’と基板Ｓの厚さを足し合わせた距離と実質的に同じであることがより好ましい。

なお、静電チャック２４とマスク支持ユニット２３を相対的に１次接近させるために、例えば、図６（ｂ）に示すように、制御部４０による静電チャックＺアクチュエータ２８の制御を通じて、静電チャック２４をマスクＭに向かって下降させてもよい。また、制御部４０によるマスク支持ユニット２３の制御を通じて、マスクＭを静電チャック２４に吸着されている基板Ｓ側に上昇させてもよい。さらには制御部４０が静電チャックＺアクチュエータ２８とマスクＺアクチュエータ２７を一緒に制御して、静電チャック２４とマスク支持ユニット２３を相対的に接近させてもよい。

続いて、図６（ｃ）に示すように、静電チャック２４とマスクＭとの間の距離を所定の間隔ｄ’に維持した状態で、電圧制御部３２は、静電チャック２４の電極部に所定の電圧Ｖ_Ｍが印加されるように制御する。所定の電圧Ｖ_Ｍが静電チャック２４の電極部に印加されることにより、静電チャック２４と所定の間隔ｄ’で離隔されているマスクＭに加えられる静電引力によって、マスクＭが上方に引き寄せられる（吸引工程）。

その結果、マスクＭの中央部が上方に突出して、凸状になり、これにより、それ以降に行われるマスクＭの静電チャック２４への吸着の起点が形成される。

ここでの所定の電圧Ｖ_Ｍは、第２電圧（ΔＶ２）より大きく、基板Ｓを介してマスクＭが静電誘導によって帯電できる程度の大きさであることが好ましい。この所定の電圧Ｖ_Ｍが印加されることより、静電チャック２４と所定の間隔ｄ’に離隔されているマスクＭは、基板Ｓを介して静電チャック２４に向かう方向に凸状になる。この場合、「所定の間隔ｄ’」は、静電チャック２４に印加された吸着維持電圧（第２電圧、ΔＶ２）による静電引力がマスクＭに作用しない限界距離よりは大きくすることができるが、これに限定されない。

一例として、上述の所定の電圧Ｖ_Ｍは、マスクＭを基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着させるための大きさの電圧、すなわち、第３電圧（ΔＶ３）とすることができる。この場合、後続の工程で所定の電圧Ｖ_Ｍから第３電圧（ΔＶ３）に変更する過程が必要なくなるので、電圧の制御が簡単になる。

ただし、本発明はこれに限定されず、所定の電圧Ｖ_Ｍは、第２電圧（ΔＶ２）と同じ大きさを有してもよい。所定の電圧Ｖ_Ｍが第２電圧（ΔＶ２）と同じ大きさであっても、静電チャック２４とマスクＭとの間の距離が静電チャック２４に印加された第２電圧（ΔＶ２）による静電引力がマスクＭに作用しない限界距離より小さければ、静電チャック２４からの静電引力によってマスクＭが吸引され、静電チャック２４に向かう方向に凸状になることができる。

また、所定の電圧Ｖ_Ｍは、第１電圧（ΔＶ１）より小さくしてもよく、工程時間（Ｔａｃｔ）の短縮を考慮して第１電圧（ΔＶ１）と同等程度の大きさにしてもよい。

吸引工程で、電圧制御部３２は、所定の電圧Ｖ_Ｍが静電チャック２４の電極部全体に同
時に印加されるように制御することができる。マスクＭは、少なくともＸ方向もしくはＹ方向の両側（例えば、長辺側）の端部を外側に引っ張られた状態でクランピングされて、マスク支持ユニット２３によって支持されている。そのため、静電チャック２４の電極部全体に同時に印加される所定の電圧Ｖ_Ｍによって発生する静電引力がマスクＭ全体に加えられても、張力が大きく作用している周縁部よりは、相対的に張力が小さく作用している中央部が静電チャック２４の方向に突出する。ただし、電圧制御部３２は、所定の電圧Ｖ_Ｍが静電チャック２４の一部、例えば周縁部ではなく、中央部にのみ印加されるようにし、残りの部分は、第２電圧をそのまま維持するようにしてもよい。または中央部に先に印加されるようにし、残りの部分には順次に印加されるように制御してもよい。

続いて、図６（ｄ）に示すように、マスクＭが、基板Ｓを介して静電チャック２４に中央部から周縁部に向かって順次に吸着されるようにする（第２吸着工程）。そこで、上記所定の電圧Ｖ_Ｍ、例えば第３電圧（ΔＶ３）を印加した状態で、制御部４０による静電チャックＺアクチュエータ２８およびマスクＺアクチュエータ２７の少なくとも一方の駆動制御を通じて、静電チャック２４とマスク支持ユニット２３を相対的に２次接近させて、マスクＭが基板Ｓの下面に接触するようにする。

第２吸着工程で静電チャック２４とマスク支持ユニット２３を所定の間隔ｄ’から相対的に接近させると、前述した吸引工程で突出したマスクＭの中央部が先に基板Ｓの下面に接触して静電チャック２４に吸着され始める。そして、マスクＭの中央部からＸ方向とＹ方向の両方の方向にある周縁部に向かって順次に吸着が行われる。その結果、少なくともマスクＭの中央部には、しわを残さず、マスクＭを、基板Ｓを介して吸着させることができる。

所定の電圧Ｖ_Ｍが、静電チャック２４に基板Ｓを介してマスクＭを吸着させるための第３電圧（ΔＶ３）とは異なる場合には、電圧制御部３２は、第２吸着工程で静電チャック２４の電極部に第３電圧（ΔＶ３）が印加されるように制御する。例えば、電圧制御部３２は、静電チャック２４とマスク支持ユニット２３を相対的に接近させつつ、静電チャック２４に印加される電圧を所定の電圧Ｖ_Ｍから第３電圧（ΔＶ３）に変更してもよい。または静電チャック２４とマスク支持ユニット２３を相対的に接近させた後、静電チャック２４に印加される電圧を所定の電圧Ｖ_Ｍから第３電圧（ΔＶ３）に変更してもよい。

静電チャック２４とマスク支持ユニット２３を相対的に２次接近させるために、制御部４０による静電チャックＺアクチュエータ２８の制御を通じて、静電チャック２４がマスクＭに向かって下降するようにすることができる。または、制御部４０によるマスク支持ユニット２３の制御を通じて、マスクＭが、静電チャック２４に吸着されている基板Ｓ側に上昇してもよい。さらには、制御部４０が静電チャックＺアクチュエータ２８とマスクＺアクチュエータ２７を一緒に制御して、静電チャック２４とマスク支持ユニット２３を相対的に接近させてもよい。

上述した本発明の一実施形態によると、マスクＭを基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着させるマスク吸着工程で、静電チャック２４とマスクＭが所定の間隔ｄ’を持って離隔された状態で、静電チャック２４にマスクの吸着のための所定の電圧Ｖ_Ｍを印加することにより発生する静電引力によって、マスクＭが静電チャック２４に向かう方向に突出するようにして、マスク吸着の起点を形成する。また、マスクＭが静電チャック２４に接触するようマスクＭと静電チャック２４を相対的に接近させることで、形成された吸着起点からマスクが順次に吸着される。これにより、しわを残さず、マスクＭを基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着させることができる。

ただし、本発明はこれに限定されず、静電チャック２４に基板Ｓを介してマスクＭを吸
着させる場合において、図４（ａ）～（ｄ）に示した方法と同様に、マスクＭの一辺側から他の辺側に向かって吸着を進めてもよい。また、本発明の一実施例によると、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させる時は、図５（ａ）～（ｅ）に示した方法によって吸着させて、マスクＭを基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着させる時は、図４（ａ）～（ｄ）に示した方法と同様に、マスク吸着を行ってもよい。

＜成膜プロセス＞
以下、本実施形態による吸着方法を採用した成膜方法について説明する。
真空容器２１内のマスク支持ユニット２３にマスクＭが載置された状態で、搬送室１３の搬送ロボット１４によって成膜装置１１の真空容器２１内に基板Ｓが搬入される。

真空容器２１内に進入した搬送ロボット１４のハンドが基板Ｓを基板支持ユニット２２の支持部上に載置する。

続いて、静電チャック２４が基板Ｓに向かって下降し、基板Ｓに十分に近接或いは接触した後に、静電チャック２４に第１電圧（ΔＶ１）を印加し、基板Ｓを吸着する（第１印加工程）。

本発明の一実施形態においては、基板を静電チャック２４から分離するのに必要な時間を最大限に確保するために、基板の静電チャック２４への吸着が完了した後に、静電チャック２４に加えられる電圧を第１電圧（ΔＶ１）から第２電圧（ΔＶ２）に下げる。静電チャック２４に加えられる電圧を第２電圧（ΔＶ２）に下げても、第１電圧（ΔＶ１）によって基板に誘導された分極電荷が放電されるまでに時間がかかるため、以降の工程で静電チャック２４による基板の吸着状態を維持することができる。

静電チャック２４に基板Ｓが吸着された状態で、基板ＳのマスクＭに対する相対的な位置ずれを計測するために、基板ＳをマスクＭに向かって下降させる。本発明の他の実施形態においては、静電チャック２４に吸着された基板の下降の過程で基板Ｓが静電チャック２４から脱落することを確実に防止するために、基板Ｓの下降の過程が完了した後（つまり、後述するアライメント工程が開始する直前）に、静電チャック２４に加える電圧を第２電圧（ΔＶ２）に下げてもよい。

基板Ｓが計測位置まで下降すると、アライメント用カメラ２０で基板ＳとマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影して、基板ＳとマスクＭの相対的な位置ずれを計測する。本発明の他の実施形態では、基板ＳとマスクＭの相対的位置の計測工程の精度をより高めるために、アライメントのための計測工程が完了した後（アライメント工程中）に、静電チャック２４に印加する電圧を第２電圧に下げてもよい。静電チャック２４に基板Ｓを第１電圧（ΔＶ１）によって強く吸着させた状態（基板Ｓをより平らに維持した状態）での基板ＳとマスクＭのアライメントマークを撮影することにより、計測工程の精度を上げることができる。

計測の結果、基板ＳのマスクＭに対する相対的位置ずれが閾値を超えることが判明すれば、静電チャック２４に吸着された状態の基板Ｓを水平方向（ＸＹθ方向）に移動させて、基板ＳをマスクＭに対して、位置調整（アライメント）する。本発明の他の実施形態においては、このような位置調整の工程が完了した後に、静電チャック２４に印加する電圧を第２電圧（ΔＶ２）に下げてもよい。これによって、アライメント工程全体（相対的な位置計測や位置調整）にわたって精度をより高めることができる。

アライメント工程の後、静電チャック２４をマスクＭに向かって下降させて静電チャック２４とマスクＭとの間の距離が所定の距離ｄ’となるようにする（第１移動工程）。静
電チャック２４とマスクＭが所定の距離ｄ’だけ離隔された状態では、静電チャック２４に加えられた第２電圧がマスクＭを帯電させず、実質的に静電引力がマスクＭに作用しない。

このような状態で、静電チャック２４に第２電圧（ΔＶ２）よりも大きい値の所定の電圧Ｖ_Ｍ、例えば第３電圧（ΔＶ３）を印加する（第２印加工程）。第３電圧（ΔＶ３）を静電チャック２４に印加すると、そこから発生する静電引力によりマスクＭが上方に引き寄せられる。その結果、張力が大きく作用するマスクＭの周縁部ではなく、相対的に張力が小さく作用する中央部が上方に突出して凸形状となる。これにより、マスク吸着の起点が形成される。

第３電圧が静電チャック２４に印加された状態で、静電チャック２４をマスクＭに向かって下降させるか、またはマスクＭを静電チャック２４に向かって上昇させて、マスクＭが静電チャック２４に吸着されている基板Ｓの下面に接触するようにする（第２移動工程）。この過程でマスクＭの中央部が先に基板Ｓに接触して吸着が開始され、これから、マスクＭの周縁部に向かって順次に吸着が行われる。その結果、マスクＭは、しわを残さず静電チャック２４に吸着される。このようなマスクＭの吸着工程が完了した後、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部２４１～２４９に印加される電圧を、静電チャック２４に基板とマスクが吸着された状態を維持することができる電圧である、第４電圧（ΔＶ４）に下げる。これにより、成膜工程の完了後に基板ＳおよびマスクＭを静電チャック２４から分離するのにかかる時間を短縮することができる。

続いて、蒸発源２５のシャッタを開け、蒸着材料を、マスクＭを介して基板Ｓに蒸着させる。

所望の厚さに蒸着した後、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に印加される電圧を第５電圧（ΔＶ５）に下げてマスクＭを分離し、静電チャック２４に基板Ｓのみが吸着した状態で、静電チャックＺアクチュエータ２８により、基板Ｓを上昇させる。ここで、第５電圧（ΔＶ５）は、マスクＭが分離され、基板Ｓのみが静電チャック２４に吸着された状態を維持するための大きさであって、第２電圧（ΔＶ２）と実質的に同じ大きさの電圧である。

続いて、搬送ロボット１４のハンドが成膜装置１１の真空容器２１内に進入し、静電チャック２４の電極部或いはサブ電極部に電圧値がゼロ（０）または逆極性の電圧が印加され、静電チャック２４が基板Ｓから分離して上昇する。その後、蒸着が完了した基板Ｓを搬送ロボット１４によって真空容器２１から搬出する。

なお、上述の説明では、成膜装置１１は、基板Ｓの成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式（デポアップ）の構成としたが、これに限定はされず、基板Ｓが真空容器２１の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Ｓの成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図７（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図７（ｂ）は１画素の断面構造を表している。

図７（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数
備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。

図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板６３上に、陽極６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、陰極６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、陽極６４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と陰極６８は、複数の発光素子６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極６４と陰極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。

図７（ｂ）では正孔輸送層６５や電子輸送層６７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、陽極６４と正孔輸送層６５との間には陽極６４から正孔輸送層６５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、陰極６８と電子輸送層６７の間にも電子注入層が形成されことができる。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および陽極６４が形成された基板６３を準備する。

陽極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。

絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の陽極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。

次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、静電チャックでマスクを基板越しに保持し、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。

発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層６６
Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。

電子輸送層６７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて陰極６８を成膜する。

本発明によると、基板Ｓを静電チャック２４によって吸着して保持し、マスクＭの吸着の際、静電チャック２４とマスクＭが所定の間隔ｄ’に離隔された状態で、所定の電圧を静電チャック２４に印加して発生する静電気力によって静電チャック２４に向かって凸状になるマスクＭの中央部を吸着の起点とすることで、マスクＭがしわなく静電チャック２４に吸着される。

その後、プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。

絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。

上記実施例は本発明の一例を示すものでしかなく、本発明は上記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適宜に変形しても良い。

１１：成膜装置
２１：真空容器
２２：基板支持ユニット
２３：マスク支持ユニット
２４：静電チャック
２６：基板Ｚアクチュエータ
２７：マスクＺアクチュエータ
２８：静電チャックＺアクチュエータ
４０：制御部

本発明の第１態様による吸着装置は、マスクを支持するためのマスク支持ユニットと、前記マスク支持ユニットの一側に設置されて、基板を吸着するための静電チャックと、前記マスク支持ユニットと前記静電チャックとの相対位置を調整するための調整手段と、を含み、前記マスクを前記静電チャックに向かう方向に凸状にするように前記静電チャックに向かう方向の力を前記マスクに作用させた状態で、前記調整手段が前記マスク支持ユニットと前記静電チャックとの相対位置を調整することを特徴とする。

本発明の第２態様によるマスクと基板との位置調整方法は、マスクを支持するためのマスク支持工程と、マスク支持ユニットの一側に設置された静電チャックに、基板を吸着する静電チャック工程と、前記静電チャックに向かう方向の力を前記マスクに作用させる作用工程と、前記マスクを前記静電チャックに向かう方向に凸状にするように前記静電チャックに向かう方向の力が前記マスクに作用した状態で、前記マスク支持ユニットと前記静電チャックとの相対位置を調整する調整工程と、を有することを特徴とする。

本発明の第３態様による成膜方法は、本発明の第２態様によるマスクと基板との位置調整方法を行った後に、前記マスクを介して前記基板に成膜を行う成膜工程を有することを特徴とする。

Claims (29)

1. 被吸着体を支持するための被吸着体支持ユニットと、
   前記被吸着体支持ユニットに支持される前記被吸着体に対向するように設置されて、前記被吸着体を吸着するための静電チャックと、
   前記被吸着体支持ユニットと前記静電チャックとの距離を調整するための距離調整手段と、
   前記静電チャックへの電圧印加、及び前記距離調整手段による前記被吸着体支持ユニットと前記静電チャックとの距離の調整を制御するための制御部とを含み、
   前記制御部は、前記静電チャックと前記被吸着体支持ユニットとの間の距離が所定の間隔になるように、前記距離調整手段を制御し、前記被吸着体支持ユニットと前記静電チャックとが前記所定の間隔に離隔された状態で、前記被吸着体支持ユニットによって支持された被吸着体を前記静電チャックに向かう方向に吸引するための電圧が前記静電チャックに印加されるように制御することを特徴とする吸着装置。
2. 前記吸引するための前記電圧は、前記被吸着体を前記静電チャックに向かう方向に凸状にする電圧であることを特徴とする請求項１に記載の吸着装置。
3. 前記距離調整手段は、前記被吸着体支持ユニットを駆動させるための被吸着体支持ユニット駆動アクチュエータと、前記静電チャックを駆動させるための静電チャック駆動アクチュエータの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の吸着装置。
4. 前記被吸着体支持ユニットは、基板を支持するための基板支持ユニットと、マスクを支持するためのマスク支持ユニットの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の吸着装置。
5. 基板を支持するための基板支持ユニットと、
   前記基板支持ユニットとは間隔を空けて設置されて、マスクを支持するためのマスク支持ユニットと、
   前記基板支持ユニットの設置されている位置を基準に、前記マスク支持ユニットの設置されている位置と反対側に設置され、前記基板及び前記基板を介して前記マスクを吸着するための静電チャックと、
   前記マスク支持ユニットと前記静電チャックとの距離を調整するための距離調整手段と、
   前記静電チャックへの電圧印加、及び前記距離調整手段による前記マスク支持ユニットと前記静電チャックとの距離の調整を制御するための制御部とを含み、
   前記制御部は、
   前記基板を介して前記静電チャックと、前記マスク支持ユニットとの間の距離が所定の間隔になるように、前記距離調整手段を制御し、
   前記静電チャックと、前記マスク支持ユニットとが前記所定の間隔に離隔された状態で、前記マスクを前記静電チャックに向かう方向に凸状にするための所定の電圧が前記静電チャックに印加されるように制御することを特徴とする成膜装置。
6. 前記所定の間隔は、前記所定の電圧が印加され、前記マスクが前記静電チャックに向かって凸状になったとき、前記マスクが前記静電チャックに吸着された前記基板に接触しない距離であることを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
7. 前記所定の間隔は、前記マスク支持ユニットに支持されている前記マスクの撓み量と前記基板の厚さを足した距離以上であることを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
8. 前記所定の間隔は、前記マスクの撓み量と前記基板の厚さを足した距離と実質的に同じであることを特徴とする請求項５または７に記載の成膜装置。
9. 前記制御部は、前記マスクが前記静電チャックに向かって凸状になった状態で、前記静電チャックと前記マスク支持ユニットを相対的に接近させるように、前記距離調整手段を制御することを特徴とする請求項５～８のいずれか１項に記載の成膜装置。
10. 前記制御部は、前記静電チャックと前記マスク支持ユニットを相対的に接近させつつ、または接近が終了した後に、前記静電チャックに印加される電圧を、前記所定の電圧から前記基板を介して前記マスクを吸着するための電圧に変更するように制御することを特徴とする請求項９に記載の成膜装置。
11. 前記距離調整手段は、前記マスク支持ユニットを駆動させるためのマスク支持ユニット駆動アクチュエータと、前記静電チャックを駆動させるための静電チャック駆動アクチュエータの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項５～１０のいずれか１項に記載の成膜装置。
12. 被吸着体と所定の間隔を設けて離隔された静電チャックに、所定の電圧を印加して、前記被吸着体を前記静電チャックに向かう方向に吸引する吸引工程と、
    前記被吸着体と前記静電チャックを相対的に接近させ、前記静電チャックに前記被吸着体を吸着させる吸着工程と、を含むことを特徴とする吸着方法。
13. 前記吸引工程の前記静電チャックに印加される所定の電圧は、前記被吸着体を前記静電チャックに向かう方向に凸状にする電圧であることを特徴とする請求項１２に記載の吸着方法。
14. 前記被吸着体は、基板であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の吸着方法。
15. 前記被吸着体は、マスクであることを特徴とする請求項１２または１３に記載の吸着方法。
16. 被吸着体を吸着するための方法であって、
    静電チャックに第１電圧を印加して第１被吸着体を吸着する第１吸着工程と、
    前記第１被吸着体を介して、前記静電チャックと第２被吸着体が所定の間隔に離隔されている状態で、前記静電チャックに所定の電圧を印加して前記第２被吸着体を、前記静電チャックに向かう方向に凸状にする吸引工程と、
    前記第２被吸着体と前記静電チャックを前記所定の間隔から相対的に接近させ、前記静電チャックに前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着する第２吸着工程とを含むことを特徴とする吸着方法。
17. 前記所定の間隔は、前記所定の電圧が印加され、前記第２被吸着体が前記静電チャックに向かって凸状になったとき、前記第２被吸着体が前記静電チャックに吸着された前記第１被吸着体に接触しない距離であることを特徴とする請求項１６に記載の吸着方法。
18. 前記第２被吸着体は、第２被吸着体支持ユニットで支持されており、
    前記所定の間隔は、前記第２被吸着体支持ユニットに支持されている前記第２被吸着体の撓み量と前記第１被吸着体の厚さを足した距離以上であることを特徴とする請求項１６に記載の吸着方法。
19. 前記所定の間隔は、前記第２被吸着体の撓み量と前記第１被吸着体の厚さを足した距離と実質的に同じであることを特徴とする請求項１８に記載の吸着方法。
20. 前記第２吸着工程では、前記静電チャックと、前記第２被吸着体支持ユニットを相対的に接近させつつ、または接近が終了した後に、前記静電チャックに印加される電圧を、前記所定の電圧から前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着するための第３電圧に変更することを特徴とする請求項１８または１９に記載の吸着方法。
21. 前記第１吸着工程の後に、前記第１被吸着体の前記静電チャックへの吸着を維持するための第２電圧を前記静電チャックに印加する工程をさらに含み、
    前記所定の電圧は、前記第２電圧以上であることを特徴とする請求項１６～２０のいずれか１項に記載の吸着方法。
22. 前記所定の電圧は、前記静電チャックに前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着するための第３電圧と同じ大きさであることを特徴とする請求項１６～２１のいずれか１項に記載の吸着方法。
23. 前記第２吸着工程は、前記第２被吸着体の前記吸引工程で凸状になった部分から、前記第１被吸着体に接触させ、前記静電チャックに前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着することを特徴とする請求項１６～２２のいずれか１項に記載の吸着方法。
24. 被吸着体を吸着するための方法であって、
    第１被吸着体を静電チャックに吸着するための電圧を、前記静電チャックに印加する第１印加工程と、
    前記第１被吸着体を介して前記静電チャックと第２被吸着体が所定の間隔に離隔されるように、前記第２被吸着体と前記静電チャックを相対的に移動させる第１移動工程と、
    前記第１被吸着体を介して前記静電チャックと前記第２被吸着体が所定の間隔に離隔された状態で、前記第２被吸着体が、前記静電チャックに向かう方向に凸状になるように、所定の電圧を印加する第２印加工程と、
    前記所定の電圧が印加された状態で、前記静電チャックに前記第１被吸着体越しに前記第２被吸着体が吸着されるように前記第２被吸着体と前記静電チャックを相対的に移動させる第２移動工程とを含むことを特徴とする吸着方法。
25. 前記所定の電圧は、前記静電チャックに前記第１被吸着体越しに前記第２被吸着体を吸着するための電圧であることを特徴とする請求項２４に記載の吸着方法。
26. 基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
    真空容器内にマスクを搬入する工程と、
    前記真空容器内に基板を搬入する工程と、
    静電チャックに第１電圧を印加して前記基板を吸着する工程と、
    前記基板を介して前記静電チャックと、前記マスクとが所定の間隔に離隔されている状態で、前記静電チャックに所定の電圧を印加して前記マスクを前記静電チャックに向かう方向に凸状にする工程と、
    前記マスクと前記静電チャックを前記所定の間隔から相対的に接近させ、前記静電チャックに前記基板越しに前記マスクを吸着する工程と、
    前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、蒸着材料を蒸発させて、前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする成膜方法。
27. 前記マスクの吸着工程は、前記マスクを前記静電チャックに向かう方向に凸状にする工程で前記マスクの凸状になった部分から、前記基板に接触させ、前記静電チャックに前記基板を介して前記マスクを吸着することを特徴とする請求項２６に記載の成膜方法。
28. 基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
    真空容器内にマスクを搬入する工程と、
    前記真空容器内に基板を搬入する工程と、
    前記基板が静電チャックに吸着されるようにするための電圧を、前記静電チャックに印加する第１印加工程と、
    前記基板を介して前記静電チャックと、前記マスクが所定の間隔に離隔されるように、前記マスクと前記静電チャックを相対的に移動させる第１移動工程と、
    前記基板を介して前記静電チャックと、前記マスクが所定の間隔に離隔された状態で、前記マスクが前記静電チャックに向かう方向に凸状になるように、所定の電圧を印加する第２印加工程と、
    前記所定の電圧が印加された状態で、前記静電チャックに前記基板越しに前記マスクが吸着されるように、前記マスクと前記静電チャックを相対的に移動させる第２移動工程と、
    前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、蒸着材料を蒸発させて、前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を成膜する工程とを含むことを特徴とする成膜方法。
29. 請求項２６～請求項２８のいずれか一項に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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