CN110938800A - 吸附装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供吸附装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法。吸附装置的特征在于，包括：被吸附体支承单元，用于支承被吸附体；静电吸盘，设置在被吸附体支承单元的一侧，用于吸附被吸附体；距离调整部件，用于调整被吸附体支承单元与静电吸盘的距离；以及控制部，用于控制对静电吸盘的电压施加以及距离调整部件对被吸附体支承单元与静电吸盘的距离的调整，控制部控制距离调整部件，以使静电吸盘与被吸附体支承单元之间的距离成为规定的间隔，并进行控制，以在被吸附体支承单元和静电吸盘被隔开规定的间隔的状态下，对静电吸盘施加用于在朝向静电吸盘的方向上吸引由被吸附体支承单元支承的被吸附体的电压。

Description

吸附装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及吸附装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)时，将从成膜装置的蒸镀源蒸发了的蒸镀材料隔着形成有像素图案的掩模蒸镀到基板上，由此形成有机物层、金属层。
在向上蒸镀方式(向上淀积)的成膜装置中，蒸镀源设置于成膜装置的真空容器的下部，基板配置于真空容器的上部，向基板的下表面蒸镀。因为在这样的向上蒸镀方式的成膜装置的真空容器内，仅基板的下表面的周边部由基板保持架保持，所以基板因其自重而挠曲，这成为使蒸镀精度下降的一个主要原因。在向上蒸镀方式以外的方式的成膜装置中，也有可能因基板的自重而产生挠曲。
作为用于降低由基板的自重引起的挠曲的方法，正在研究使用静电吸盘的技术。即，通过利用静电吸盘对基板的整个上表面进行吸附，能够降低基板的挠曲。
在专利文献1(韩国专利公开公报2007-0010723号)中，提出了利用静电吸盘吸附基板及掩模的技术。
专利文献1：韩国专利公开公报2007-0010723号
可是，在以往的技术中，在使掩模隔着基板吸附于静电吸盘的情况下，存在在吸附后的掩模上残留褶皱的问题。
发明内容
本发明的目的在于，将第1被吸附体和第2被吸附体这两者良好地吸附于静电吸盘。
用于解决课题的技术方案
本发明的第1技术方案的吸附装置，其特征在于，该吸附装置包括：被吸附体支承单元，用于支承被吸附体；静电吸盘，设置在所述被吸附体支承单元的一侧，用于吸附所述被吸附体；距离调整部件，用于调整所述被吸附体支承单元与所述静电吸盘的距离；以及控制部，用于控制对所述静电吸盘的电压施加以及所述距离调整部件对所述被吸附体支承单元与所述静电吸盘的距离的调整，所述控制部控制所述距离调整部件，以使所述静电吸盘与所述被吸附体支承单元之间的距离成为规定的间隔，并进行控制，以在所述被吸附体支承单元和所述静电吸盘被隔开所述规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加用于在朝向所述静电吸盘的方向上吸引由所述被吸附体支承单元支承的被吸附体的电压。
本发明的第2技术方案的成膜装置，其特征在于，该成膜装置包括：基板支承单元，用于支承基板；掩模支承单元，设置在所述基板支承单元的一侧，用于支承掩模；静电吸盘，以所述基板支承单元为基准，设置在所述掩模支承单元的相反侧，用于吸附所述基板并隔着所述基板吸附所述掩模；距离调整部件，用于调整所述掩模支承单元与所述静电吸盘的距离；以及控制部，用于控制对所述静电吸盘的电压施加以及所述距离调整部件对所述掩模支承单元与所述静电吸盘的距离的调整，所述控制部控制所述距离调整部件，以使所述静电吸盘隔着所述基板与所述掩模支承单元之间的距离成为规定的间隔，并进行控制，以在所述静电吸盘与所述掩模支承单元隔开所述规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加用于使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状的规定的电压。
本发明的第3技术方案的吸附方法，其特征在于，该吸附方法包括：吸引阶段，对与被吸附体设置规定的间隔而隔开的静电吸盘施加规定的电压，在朝向所述静电吸盘的方向上吸引所述被吸附体；以及吸附阶段，使所述被吸附体与所述静电吸盘相对地接近，使所述被吸附体吸附于所述静电吸盘。
本发明的第4技术方案的吸附方法，是用于吸附被吸附体的方法，其特征在于，该吸附方法包括：第1吸附阶段，对静电吸盘施加第1电压而吸附第1被吸附体；吸引阶段，在隔着所述第1被吸附体，所述静电吸盘和第2被吸附体被隔开规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加规定的电压，使所述第2被吸附体在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状；以及第2吸附阶段，使所述第2被吸附体和所述静电吸盘从所述规定的间隔相对地接近，并隔着所述第1被吸附体将所述第2被吸附体吸附于所述静电吸盘。
本发明的第5技术方案的吸附方法，是用于吸附被吸附体的方法，其特征在于，该吸附方法包括：第1施加阶段，对静电吸盘施加用于将第1被吸附体吸附于所述静电吸盘的第1电压；第1移动阶段，使第2被吸附体和所述静电吸盘相对地移动，以使所述第2被吸附体与所述静电吸盘隔着所述第1被吸附体隔开规定的间隔；第2施加阶段，在所述第2被吸附体与所述静电吸盘隔着所述第1被吸附体隔开规定的间隔的状态下，施加规定的电压，以使所述第2被吸附体在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状；以及第2移动阶段，在施加了所述规定的电压的状态下，使所述第2被吸附体与所述静电吸盘相对地移动，以隔着所述第1被吸附体将所述第2被吸附体吸附于所述静电吸盘。
本发明的第6技术方案的成膜方法，是隔着掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜的成膜方法，其特征在于，该成膜方法包括：向真空容器内搬入掩模的阶段；向所述真空容器内搬入基板的阶段；对静电吸盘施加第1电压来吸附所述基板的阶段；在隔着所述基板将所述静电吸盘和所述掩模隔开规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加规定的电压而使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状的阶段；使所述掩模和所述静电吸盘从所述规定的间隔相对地接近，隔着所述基板将所述掩模吸附于所述静电吸盘的阶段；以及在所述静电吸盘吸附有所述基板及所述掩模的状态下，使蒸镀材料蒸发，隔着所述掩模在所述基板上对蒸镀材料进行成膜的阶段。
本发明的第7技术方案的成膜方法，是隔着掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜的成膜方法，其特征在于，该成膜方法包括：向真空容器内搬入掩模的阶段；向所述真空容器内搬入基板的阶段；第1施加阶段，对静电吸盘施加用于使第1基板吸附于所述静电吸盘的第1电压；第1移动阶段，使所述掩模与所述静电吸盘相对地移动，以使所述掩模和所述静电吸盘隔着所述基板隔开规定的间隔；第2施加阶段，在隔着所述基板将所述静电吸盘和所述掩模隔开规定的间隔的状态下，施加规定的电压，以使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状；第2移动阶段，在被施加了所述规定的电压的状态下，使所述掩模与所述静电吸盘相对地移动，以使所述掩模隔着所述基板吸附于所述静电吸盘；以及在所述静电吸盘吸附有所述基板及所述掩模的状态下，使蒸镀材料蒸发，隔着所述掩模在所述基板上对蒸镀材料进行成膜的阶段。
本发明的第8技术方案的电子器件的制造方法，其特征在于，使用本发明的第6技术方案或第7技术方案的成膜方法来制造电子器件。
发明的效果
根据本发明，能够利用静电吸盘良好地吸附第1被吸附体和第2被吸附体这两者以不残留褶皱。
附图说明
图1是电子器件的制造装置的一部分的示意图。
图2是本发明的一实施方式的成膜装置的示意图。
图3a～图3c是本发明的一实施方式的静电吸盘系统的概念图以及示意图。
图4a～4f是表示基板及掩模向静电吸盘的吸附方法的示意图。
图5是表示电子器件的示意图。
附图标记说明
11：成膜装置
21：真空容器
22：基板支承单元
23：掩模支承单元
24：静电吸盘
26：基板Z致动器
27：掩模Z致动器
28：静电吸盘Z致动器
40：控制部
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选的实施方式以及实施例进行说明。但是，以下的实施方式及实施例仅是例示性地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别地特定记载，本发明的范围就不仅限定于它们。
本发明能够应用于使各种材料堆积在基板的表面而进行成膜的装置，能够优选应用于通过真空蒸镀形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，能够选择玻璃、高分子材料的膜、金属等任意的材料，基板例如可以是在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等膜的基板。另外，作为蒸镀材料，也可以选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。另外，除了在以下的说明中说明的真空蒸镀装置以外，在包含溅射装置、CVD(ChemicalVapor Deposition：化学气相沉积)装置在内的成膜装置中，也能够应用本发明。本发明的技术具体可应用于有机电子器件(例如，有机发光元件、薄膜太阳能电池)、光学构件等的制造装置。其中，通过使蒸镀材料蒸发而隔着掩模蒸镀到基板上从而形成有机发光元件的有机发光元件的制造装置是本发明的优选应用例之一。
[电子器件的制造装置]
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的一部分结构的俯视图。
图1的制造装置例如用于智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造。在智能手机用的显示面板的情况下，例如，在4.5代的基板(约700mm×约900mm)或6代的全尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切割尺寸(约1500mm×约925mm)的基板上进行用于形成有机EL元件的成膜后，将该基板切下来制作成多个小尺寸的面板。
电子器件的制造装置通常包括多个集群装置1和在集群装置之间连接的中继装置。
集群装置1具备进行对基板S的处理(例如成膜)的多个成膜装置11、收纳使用前后的掩模M的多个掩模储存装置12、以及配置于其中央的搬送室13。如图1所示，搬送室13分别与多个成膜装置11以及掩模储存装置12连接。
在搬送室13内配置有搬送基板以及掩模的搬送机器人14。搬送机器人14将基板S从配置于上游侧的中继装置的路径室15向成膜装置11搬送。另外，搬送机器人14在成膜装置11与掩模储存装置12之间搬送掩模M。搬送机器人14例如是在多关节臂上安装有保持基板S或掩模M的机器人手的结构的机器人。
在成膜装置11(也称为蒸镀装置)中，收纳于蒸镀源的蒸镀材料被加热器加热而蒸发，隔着掩模被蒸镀到基板上。利用成膜装置11进行与搬送机器人14交接基板S、基板S与掩模M的相对位置的调整(对准)、基板S向掩模M上的固定、成膜(蒸镀)等一连串成膜工艺。
在掩模储存装置12中，将成膜装置11中的成膜工序所使用的新的掩模和使用完的掩模分开地收纳于两个盒。搬送机器人14将使用完的掩模从成膜装置11向掩模储存装置12的盒搬送，并将收纳于掩模储存装置12的其它的盒内的新的掩模向成膜装置11搬送。
在集群装置1上连结有路径室15和缓冲室16，该路径室15在基板S的流动方向上将来自上游侧的基板S向该集群装置1传递，该缓冲室16用于将在该集群装置1中完成了成膜处理的基板S向下游侧的其它的集群装置传递。搬送室13的搬送机器人14从上游侧的路径室15接受基板S，并向该集群装置1内的成膜装置11之一(例如成膜装置11a)搬送。另外，搬送机器人14从多个成膜装置11之一(例如成膜装置11b)接受在该集群装置1中完成了成膜处理的基板S，并向连结于下游侧的缓冲室16搬送。
在缓冲室16与路径室15之间设置有改变基板的朝向的回转室17。在回转室17设置有搬送机器人18，该搬送机器人18用于从缓冲室16接收基板S并使基板S旋转180°向路径室15搬送。由此，在上游侧的集群装置和下游侧的集群装置中，基板S的朝向相同，基板处理变得容易。
路径室15、缓冲室16、回转室17是将集群装置之间连结的所谓的中继装置，被设置在集群装置的上游侧和/或下游侧的中继装置包括路径室、缓冲室、回转室中的至少一个。
成膜装置11、掩模储存装置12、搬送室13、缓冲室16、回转室17等在有机发光元件的制造过程中被维持为高真空状态。路径室15通常被维持在低真空状态，但也可以根据需要被维持在高真空状态。
在本实施例中，参照图1对电子器件的制造装置的结构进行了说明，但本发明并不限定于此，也可以具有其它种类的装置、腔室，这些装置、腔室间的配置也可以改变。
以下，对成膜装置11的具体结构进行说明。
[成膜装置]
图2是表示成膜装置11的结构的示意图。在以下的说明中，使用以铅垂方向为Z方向的XYZ正交坐标系。在成膜时基板S以与水平面(XY平面)成为平行的方式被固定的情况下，将基板S的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向，将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向。另外，用θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置11包括被维持在真空气氛或氮气等非活性气体气氛的真空容器21、以及被设置在真空容器21的内部的基板支承单元22、掩模支承单元23、静电吸盘24和蒸镀源25。
基板支承单元22是接收并保持由设置于搬送室13的搬送机器人14搬送来的基板S的部件，也被称为基板保持架。
在基板支承单元22的下方设置有掩模支承单元23。掩模支承单元23是接收并保持由设置于搬送室13的搬送机器人14搬送来的掩模M的部件，也被称为掩模支架。
掩模M具有与在基板S上形成的薄膜图案对应的开口图案，并被载置在掩模支承单元23之上。特别是为了制造智能手机用的有机EL元件而使用的掩模是形成有微细的开口图案的金属制的掩模，也称为FMM(Fine Metal Mask：精细金属掩模)。
在基板支承单元22的上方设置有用于利用静电引力吸附并固定基板的静电吸盘24。静电吸盘24具有在电介质(例如，陶瓷材料)基体内埋设有金属电极等的电路的构造。静电吸盘24既可以是库仑力类型的静电吸盘，也可以是约翰逊·拉别克力类型的静电吸盘，还可以是梯度力类型的静电吸盘。静电吸盘24优选为梯度力类型的静电吸盘。通过静电吸盘24为梯度力类型的静电吸盘，即使在基板S为绝缘性基板的情况下，也能够通过静电吸盘24良好地进行吸附。例如，在静电吸盘24为库仑力类型的静电吸盘的情况下，当对金属电极施加正(+)以及负(-)的电位时，通过电介质基体在基板S等被吸附体上感应有与金属电极相反极性的极化电荷，通过它们间的静电引力将基板S吸附固定于静电吸盘24。
静电吸盘24既可以由一个板形成，也可以形成为具有多个子板。另外，在由一个板形成的情况下，也可以在其内部包含多个电路，以在一个板内根据位置不同而使静电引力不同的方式进行控制。
在本实施方式中，如后所述，在成膜前利用静电吸盘24不仅吸附并保持基板S(第1被吸附体)，还吸附并保持掩模M(第2被吸附体)。
即，在本实施例中，由静电吸盘吸附并保持被放置在静电吸盘24的铅垂方向的下侧的基板S(第1被吸附体)，之后，隔着基板S(第1被吸附体)由静电吸盘24吸附并保持隔着基板S(第1被吸附体)被放置在静电吸盘24的相反侧的掩模M(第2被吸附体)。特别是在由静电吸盘24吸附基板S时和/或隔着基板S吸附掩模M时，在静电吸盘24与基板S或掩模M隔开规定的间隔的状态下，对静电吸盘24施加规定的电压，拉近基板S或掩模M，通过静电吸盘24的静电引力而成为凸状的基板S或掩模M的部分成为静电吸盘对基板S或掩模M的吸附的起点。对此，参照图3及图4在后面叙述。
虽然在图2中未图示，但也可以通过在静电吸盘24的吸附面的相反侧设置抑制基板S的温度上升的冷却机构(例如冷却板)，来抑制堆积在基板S上的有机材料的变质或劣化。
蒸镀源25包括收纳要成膜于基板的蒸镀材料的坩埚(未图示)、用于加热坩埚的加热器(未图示)、和阻止蒸镀材料向基板飞散直到来自蒸镀源的蒸发率成为恒定为止的挡板(未图示)等。蒸镀源25能够根据点(point)蒸镀源或线形(linear)蒸镀源等用途而具有多种结构。
虽然在图2中未图示，但成膜装置11包括用于测量蒸镀于基板的膜的厚度的膜厚监视器(未图示)及膜厚计算单元(未图示)。
在真空容器21的上部外侧(大气侧)设置有基板Z致动器26、掩模Z致动器27、静电吸盘Z致动器28和位置调整机构29等。这些致动器26、27、28(距离调整部件)和位置调整机构29例如由马达和滚珠丝杠、或者马达和线性引导件等构成，但本发明不限定于此，也可以采用在本领域公知的其它的结构。基板Z致动器26是用于使基板支承单元22升降(Z方向移动)的驱动部件。掩模Z致动器27是用于使掩模支承单元23升降(Z方向移动)的驱动部件。静电吸盘Z致动器28是用于使静电吸盘24升降(Z方向移动)的驱动部件。
位置调整机构29是用于静电吸盘24的对准的驱动部件。位置调整机构29使静电吸盘24整体相对于基板支承单元22以及掩模支承单元23沿X方向移动、Y方向移动、θ旋转。另外，在本实施方式中，在吸附有基板S的状态下，通过在X、Y、θ方向上对静电吸盘24进行位置调整，进行调整基板S与掩模M的相对位置的对准。
也可以在真空容器21的外侧上表面，除了上述的驱动机构以外，还设置对准用照相机20，该对准用照相机20用于隔着设置于真空容器21的上表面的透明窗而拍摄形成于基板S以及掩模M的对准标记。在本实施例中，对准用照相机20也可以设置在与矩形的基板S、掩模M以及静电吸盘24的对角线对应的位置或者与矩形的4个角部对应的位置。
设置于本实施方式的成膜装置11的对准用照相机20是高精度地调整基板S与掩模M的相对的位置所使用的精细对准用照相机，其是视场角窄但具有高分辨率的照相机。成膜装置11除了精细对准用照相机20以外，也可以具有视场角相对较宽而低分辨率的粗略对准用照相机。
另外，位置调整机构29基于由对准用照相机20取得的基板S(第1被吸附体)以及掩模M(第2被吸附体)的位置信息，进行使基板S(第1被吸附体)和掩模M(第2被吸附体)相对地移动而进行位置调整的对准。
成膜装置11具备控制部40。控制部40具有基板S、掩模M的搬送及对准的控制、蒸镀源25的控制、成膜的控制等功能。
特别是，控制部40对基于基板Z致动器26的基板支承单元22的升降、基于掩模Z致动器27的掩模支承单元23的升降、以及基于静电吸盘Z致动器28的静电吸盘24的升降进行控制。由此，控制部40能够在基板S以及掩模M向静电吸盘24的吸附工序以及所吸附的基板S和掩模M的分离工序中，调整基板S和/或掩模M相对于静电吸盘24的相对的距离。
特别是为了使基板S或使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24，控制部40对静电吸盘24和/或基板S的升降、或静电吸盘24和/或掩模M的升降进行一次控制，以使静电吸盘24与基板S或掩模M隔开规定的距离，然后利用对静电吸盘24施加规定的电压而产生的静电引力，使基板S或掩模M在朝向静电吸盘24的方向上成为凸状。之后，对静电吸盘24和/或基板S的升降、或静电吸盘24和/或掩模M的升降进行二次控制，以使基板S或掩模M与静电吸盘24或基板S接触。控制部40的这样的功能也可以通过另外的Z致动器控制部(未图示)来实现。
另外，控制部40还能够具有控制对静电吸盘24的电压的施加的功能，对此，参照图3在后面叙述。
控制部40例如能够由具有处理器、存储器、储存装置、I/O等的计算机构成。在这种情况下，通过处理器执行存储在存储器或储存装置中的程序来实现控制部40的功能。作为计算机，既可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmablelogic controller：可编程逻辑控制器)。或者，控制部的功能的一部分或全部也可以由ASIC或FPGA这样的电路构成。另外，既可以针对每个成膜装置设置控制部，也可以构成为一个控制部控制多个成膜装置。
[静电吸盘系统]
参照图3a～图3c，对本实施方式的静电吸盘系统30进行说明。
图3a是本实施方式的静电吸盘系统30的概念性的框图，图3b是静电吸盘24的示意性的俯视图，图3c是静电吸盘24的示意性的俯视图。
如图3a所示，本实施方式的静电吸盘系统30包括静电吸盘24、电压施加部31和电压控制部32。
电压施加部31对静电吸盘24的电极部施加用于产生静电引力的电压。
电压控制部32根据静电吸盘系统30的吸附工序或成膜装置11的成膜工序的进行，控制从电压施加部31施加于电极部的电压的大小、电压的施加开始时刻、电压的维持时间、电压的施加顺序等。电压控制部32例如能够针对不同的子电极部独立地控制向静电吸盘24的电极部所包含的多个子电极部241～249的电压施加。在本实施方式中，电压控制部32与成膜装置11的控制部40独立地实现，但本发明并不限定于此，也可以统一为成膜装置11的控制部40。
静电吸盘24包括使吸附面产生用于吸附被吸附体(例如基板S、掩模M)的静电吸附力的电极部，电极部能够包括多个子电极部241～249。例如，如图3c所示，本实施方式的静电吸盘24包括沿着静电吸盘24的长度方向(Y方向)和/或静电吸盘24的宽度方向(X方向)被分割的多个子电极部241～249。
各个子电极部包括为了产生静电吸附力而施加正(第1极性)以及负(第2极性)的电位的电极对33。例如，各个电极对33包括施加正电位的第1电极331和施加负电位的第2电极332。
如图3c所示，第1电极331和第2电极332分别具有梳形。例如，第1电极331以及第2电极332分别包括多个梳齿部和与多个梳齿部连结的基部。各电极331、332的基部向梳齿部供给电位，多个梳齿部在与被吸附体之间产生静电吸附力。在一个子电极部中，第1电极331的各梳齿部以与第2电极332的各梳齿部相向的方式交替配置。这样，通过形成为各电极331、332的各梳齿部相向且彼此交错的结构，能够使施加不同电位的电极间的间隔变窄，能够形成大的不均匀电场，利用梯度力吸附基板S。
在本实施例中，说明了静电吸盘24的子电极部241～249的各电极331、332具有梳形，但本发明并不限定于此，只要能够在与被吸附体之间产生静电引力，就能够具有多种形状。
本实施方式的静电吸盘24具有与多个子电极部对应的多个吸附部。例如，如图3c所示，本实施例的静电吸盘24具有与9个子电极部241～249对应的9个吸附部，但并不限定于此，为了更精密地控制基板S的吸附，也可以具有其它的个数的吸附部。
吸附部以在静电吸盘24的长度方向(Y轴方向)和宽度方向(X轴方向)上被分割的方式设置，但并不限定于此，也可以仅在静电吸盘24的长度方向或宽度方向上分割。多个吸附部既可以通过在物理上一个板具有多个电极部而实现，也可以通过物理地分割的多个板分别具有一个或更多个的电极部而实现。
在图3c所示的实施例中，既可以实现为多个吸附部分别与多个子电极部分别对应，也可以实现为一个吸附部包括多个子电极部。
例如，通过控制电压控制部32对子电极部241～249的电压的施加，如后所述，能够使配置在与基板S的吸附行进方向(X方向)交叉的方向(Y方向)上的3个子电极部241、244、247构成一个吸附部。即，3个子电极部241、244、247分别能够独立地进行电压控制，但通过控制成对这3个电极部241、244、247同时施加电压，从而能够使这3个电极部241、244、247作为一个吸附部而发挥功能。只要能够对多个吸附部分别独立地进行基板的吸附，其具体的物理的构造以及电路的构造就可以改变。
[基于静电吸盘系统的吸附方法]
以下，参照图4a～图4e，对在静电吸盘24上吸附基板S及掩模M的方法进行说明。以下，以电压控制部32的功能与成膜装置11的控制部40的功能不同为前提进行说明，但是这是例示性说明，后述的电压控制部32的功能也可以统一到成膜装置11的控制部40。
图4a图示了将基板S吸附于静电吸盘24的工序(第1吸附阶段)。
在本实施方式中，如图4a所示，不是基板S的整个面被同时吸附于静电吸盘24的下表面，而是沿着静电吸盘24的第1边(短边)从一端朝向另一端依次进行吸附。但是，本发明并不限定于此，例如也可以从静电吸盘24的对角线上的一个角朝向与其相向的其它的角进行基板S的吸附。
为了使基板S沿着静电吸盘24的第1边依次被吸附，既可以控制对多个子电极部241～249施加用于基板吸附的第1电压的顺序，也可以对多个子电极部同时施加第1电压，但使支承基板S的基板支承单元22的支承部的结构和支承力不同。
图4a表示通过对静电吸盘24的多个子电极部241～249施加的电压的控制，使基板S依次吸附于静电吸盘24的实施方式。在此，沿着静电吸盘24的长边方向(Y方向)配置的3个子电极部241、244、247构成第1吸附部41，静电吸盘24的中央部的3个子电极部242、245、248构成第2吸附部42，其余的3个子电极部243、246、249构成第3吸附部43。
首先，如图4a所示，基板S被搬入成膜装置11的真空容器21内，由基板支承单元22的支承部支承。
接着，通过控制部40对静电吸盘Z致动器28的控制，静电吸盘24下降，朝向被基板支承单元22的支承部支承的基板S移动。与此不同，既可以通过控制部40对基板Z致动器26的控制使基板支承单元22上升，或者也可以将静电吸盘Z致动器28和基板Z致动器26一起控制，使静电吸盘24与基板S相对地接近。
在静电吸盘24与基板S充分地接近或接触时，电压控制部32进行控制，以沿着静电吸盘24的第1边(宽度)从第1吸着部41朝向第3吸着部43依次施加第1电压(ΔV1)。
即，如图4a所示进行控制，首先对第1吸附部41施加第1电压，接着对第2吸附部42施加第1电压，最终对第3吸附部43施加第1电压。
为了使基板S可靠地吸附于静电吸盘24，第1电压(ΔV1)被设定为足够大的电压。
由此，基板S向静电吸盘24的吸附从基板S的与第1吸附部41对应的一侧经由基板S的中央部，朝向第3吸附部43侧进行(即，在X方向上进行基板S的吸附)，基板S在基板中央部不残留褶皱而平坦地被吸附于静电吸盘24。
在本实施方式中，说明了在静电吸盘24与基板S充分接近或接触的状态下施加第1电压(ΔV1)，但也可以在静电吸盘24开始朝向基板S下降之前或者在下降的中途施加第1电压(ΔV1)。
图4b表示本发明的其它的实施方式的基板的吸附工序。在图4b所示的本发明的其它的实施方式中，在施加用于使基板S吸附于静电吸盘24的第1电压(ΔV1)之前，利用基板Z致动器26和/或静电吸盘Z致动器28(利用距离调整部件)使静电吸盘24和基板S相对移动，以使基板S以规定的间隔(d)与静电吸盘24隔开。
在此，如图4b所示，“静电吸盘24与基板S之间的距离”由静电吸盘24的下表面的吸附面与基板支承单元22的上表面之间的距离定义。由此，能够与由基板支承单元22支承的基板S的形状无关地定义静电吸盘24与基板S之间的距离。
根据本实施方式，“规定的间隔d”是由于根据施加于静电吸盘24的电压而产生的静电引力，以规定的间隔d与静电吸盘24隔开的基板S能够在朝向静电吸盘24的方向上变形为凸状的程度的距离。
另外，规定的间隔d是在对静电吸盘24的电极部施加第1电压(ΔV1)而使基板S在朝向静电吸盘24的方向上成为凸状时，基板S不与静电吸盘24接触的距离。若规定的间隔d过小，则施加第1电压(ΔV1)而使基板S朝向静电吸盘24变形成凸状时，不是基板S的中央部先与静电吸盘24接触，而是中央部与周缘部之间的部分比中央部先与静电吸盘24接触。
例如，“规定的间隔d”优选为表示由基板支承单元22支承的基板S因自重而挠曲的大小的基板的挠曲量x以上。在此，基板S的挠曲量x是指在基板S因自重而挠曲成为凹状的情况下，基板S距水平面的最大距离x。
但是，若静电吸盘24与基板S之间的距离过大，则基板S朝向静电吸盘24成为凸状，因此，存在不得不施加相对大的电压的问题。考虑到这一点，“规定的间隔d”更优选与基板的挠曲量x实质上相同。
在静电吸盘24与基板S之间的距离、或者基板支承单元22与静电吸盘24之间的距离维持为规定的间隔d的状态下，对静电吸盘24的电极部施加第1电压(ΔV1)。由此，基板S由于来自静电吸盘24的静电引力，在朝向静电吸盘24的方向上成为凸状。
接着，当使静电吸盘24与基板S相对地接近时，基板S的中央部先与静电吸盘24接触而被吸附。当使静电吸盘24和基板S进一步接近时，基板S从基板S的中央部朝向周缘部被依次吸附。由此，能够使基板S平坦地吸附于静电吸盘24。
在图4b所示的实施例中，说明了在静电吸盘24与基板S以规定的间隔d隔开的状态下，施加用于使基板S吸附于静电吸盘24的电压即第1电压的情况，但本发明不限定于此，只要基板S能够成为凸状，也可以施加比第1电压低的规定的电压。在该情况下，也可以在基板S由于规定的电压而成为凸状之后，在使静电吸盘24与基板S相对地接近的过程中，或者在基板S的中央部与静电吸盘24接触的状态下，将施加于静电吸盘24的电压从规定的电压变更为第1电压(ΔV1)。
另外，在图4b所示的实施例中，图示了对静电吸盘24的电极部整体同时施加用于使基板S为凸状而施加的第1电压(ΔV1)或规定的电压的例子，但本发明并不限定于此，只要能够利用施加于静电吸盘24的第1电压(ΔV1)或规定的电压使基板S成为凸状，就也可以针对静电吸盘24的不同的子电极部或者针对不同的吸附部而依次施加电压。例如，也可以进行控制，以在先对静电吸盘24的第2吸附部施加电压之后，对第1吸附部和第3吸附部施加电压。
根据图4a所示的实施例或图4b所示的实施例，在基板S向静电吸盘24的吸附工序(第1吸附阶段)完成后的规定的时刻，如图4c所示，电压控制部32将施加于静电吸盘24的电极部的电压从第1电压(ΔV1)降低到比第1电压(ΔV1)小的第2电压(ΔV2)。
第2电压(ΔV2)是用于将基板S维持在被吸附于静电吸盘24的状态的吸附维持电压，是比使基板S吸附于静电吸盘24时施加的第1电压(ΔV1)低的电压。当施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压(ΔV2)时，如图4c所示，与之对应地在基板S上感应出的极化电荷量也与施加第1电压(ΔV1)的情况相比减少，但在基板S一旦被第1电压(ΔV1)吸附于静电吸盘24以后，即使施加比第1电压(ΔV1)低的第2电压(ΔV2)，也能够维持基板的吸附状态。
这样，通过将施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第2电压(ΔV2)，能够缩短从静电吸盘24分离基板所花费的时间。
即，在欲将基板S从静电吸盘24分离时，即使将施加于静电吸盘24的电极部的电压设为零(0)，静电吸盘24与基板S之间的静电引力也不会立即消失，而是要花费与在静电吸盘24与基板S的界面感应出的电荷消失相当的时间(根据情况不同，为几分钟左右)。特别是，在使基板S吸附于静电吸盘24时，通常为了可靠地进行该吸附而设定第1电压(例如图5所示的ΔVmax)，以使比使静电吸盘24吸附基板所需的最小静电引力充分大的静电引力发挥作用，但在成为能够从这样的第1电压分离基板的状态为止需要相当的时间。
在本实施例中，为了防止由于从这样的静电吸盘24分离基板S所花费的时间而导致整体的工序时间(节拍)增加，在基板S吸附于静电吸盘24之后，在规定的时刻，将施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压。
在图4c所示的实施例中，示出了将施加于静电吸盘24的第1吸附部41～第3吸附部43的电压同时降低到第2电压的情况，但本发明并不限定于此，也可以针对不同的吸附部分别使降低到第2电压的时刻、所施加的第2电压的大小不同。例如，也可以从第1吸附部41朝向第3吸附部43依次降低到第2电压。
这样，在施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第2电压之后，通过控制部40对位置调整机构29的控制，对吸附于静电吸盘24的基板S和被掩模支承单元23支承的掩模M的相对位置进行调整(对准)。在本实施例中，对在施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第2电压之后进行基板S与掩模M之间的相对的位置调整(对准)的情况进行了说明，但本发明并不限定于此，也可以在对静电吸盘24的电极部施加第1电压的状态下进行对准工序。
接着，在对静电吸盘24的电极部继续施加第2电压的状态下，通过控制部40对静电吸盘Z致动器28和/或掩模Z致动器27的控制，使静电吸盘24与掩模支承单元23相对地移动而使静电吸盘24与掩模M之间的距离具有规定的间隔d。即，根据本发明，在隔着基板S将掩模M吸附于静电吸盘24的工序中，不是使掩模M立即与基板S的下表面接触，而是首先使静电吸盘24和掩模M成为具有规定的间隔d而隔开的状态。
在此，如图4d所示，“静电吸盘24与掩模M之间的距离”由静电吸盘24的下表面的吸附面与掩模支承单元23的上表面之间的距离定义。由此，能够与由掩模支承单元23支承的掩模M的形状无关地定义静电吸盘24与掩模M之间的距离。另外，掩模M的厚度比较薄，在静电吸盘2与掩模M之间的距离中掩模M自身的厚度也可以忽略。
根据本发明的实施方式，相当于静电吸盘24与掩模M之间的距离的“规定的间隔d”是能够通过根据规定的电压的施加而在静电吸盘24上产生的静电引力而使与静电吸盘24隔开规定的间隔d的掩模M在朝向静电吸盘24的方向上变形为凸状的程度的距离。规定的电压也可以是为了使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24而施加的电压即第3电压，但如后所述，并不仅限定于此。
另外，规定的间隔d是在施加所述规定的电压而掩模M朝向静电吸盘24成为凸形状时，掩模M的凸部不与吸附于静电吸盘24的基板S接触的距离。若规定的间隔d过小，则施加所述规定的电压而掩模M朝向静电吸盘24变形成凸形状时，掩模M的其它的部分(例如，不是中央部而是中央部与周缘部之间的部分)与中央部相比先与基板S接触。
例如，“规定的间隔d”优选为表示由掩模支承单元23支承的掩模M因自重而挠曲的大小的掩模的挠曲量x与基板S的厚度相加而成的距离以上。基板S的厚度也可以为约0.5mm以上或更薄。而且，掩模的挠曲量x是指在掩模因自重而挠曲成为凹形状的情况下，掩模M距水平面的最大距离x。
但是，若静电吸盘24与掩模M之间的距离过大，则掩模M朝向静电吸盘24成为凸状，因此，存在不得不施加相对大的电压的问题。考虑到这一点，“规定的间隔d”更优选为与将掩模的挠曲量x和基板S的厚度相加而成的距离实质上相同。
为了使静电吸盘24与掩模支承单元23相对地一次接近，例如如图4d所示，既可以通过控制部40对静电吸盘Z致动器28的控制，使静电吸盘24朝向掩模M下降，也可以通过控制部40对掩模支承单元23的控制，使掩模M向吸附于静电吸盘24的基板S侧上升，或者还可以是控制部40将静电吸盘Z致动器28和掩模Z致动器27一起控制，使静电吸盘24与掩模支承单元23相对地接近。
接着，如图4e所示，在将静电吸盘24与掩模M之间的距离维持为规定的间隔d的状态下，电压控制部32进行控制，以对静电吸盘24的电极部施加规定的电压。通过对静电吸盘24施加规定的电压，掩模M被施加于以规定的间隔d与静电吸盘24隔开的掩模M的静电引力吸引到上方(吸引阶段)。
其结果，掩模M的中央部向上方突出，成为凸状，由此，形成之后进行的掩模M向静电吸盘24的吸附的起点。
规定的电压优选为比第2电压(ΔV2)大且掩模M隔着基板S通过静电感应而能够带电的程度的大小。由此，与静电吸盘24隔开规定的间隔d的掩模M隔着基板S在朝向静电吸盘24的方向上成为凸状。在该情况下，“规定的间隔d”能够设定为比由施加于静电吸盘24的吸附维持电压(第2电压、ΔV2)产生的静电引力不作用于掩模M的极限距离大，但并不限定于此。
作为一例，规定的电压能够是用于使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的大小的电压、即第3电压(ΔV3)。在该情况下，在后续的工序中不需要从规定的电压变更为第3电压(ΔV3)的过程，因此电压的控制变得简单。
但是，本发明并不限定于此，规定的电压也可以具有与第2电压(ΔV2)相同的大小。即使规定的电压具有与第2电压(ΔV2)相同的大小，只要静电吸盘24与掩模M之间的距离小于由施加于静电吸盘24的第2电压(ΔV2)产生的静电引力不作用于掩模M的极限距离，掩模M就能够被来自静电吸盘24的静电引力吸引而在朝向静电吸盘24的方向上形成凸状。
规定的电压可以比第1电压(ΔV1)小，也可以考虑到工序时间(节拍)的缩短而设为与第1电压(ΔV1)同等程度的大小。
在吸引阶段，电压控制部32能够进行控制，以遍及整个静电吸盘24同时施加规定的电压。掩模M在至少两侧(例如长边侧)的端部被向外侧拉拽的状态下被夹紧，并被掩模支承单元23支承，因此，即使由于同时施加于整个静电吸盘24的规定的电压而产生的静电引力被施加于整个掩模M，与张力相对较大地作用的周缘部相比，张力相对较小地作用的中央部也向静电吸盘24的方向突出。但是，电压控制部32也可以进行控制，以仅对静电吸盘24的一部分、例如不是周缘部而是中央部施加规定的电压，剩余的部分维持第2电压，或者也可以进行控制，以先对中央部施加然后依次对剩余的部分施加。
接着，如图4f所示，掩模M隔着基板S从中央部朝向周缘部依次吸附于静电吸盘24(第2吸附阶段)。因此，在施加了上述规定的电压、例如第3电压的状态下，通过控制部40对静电吸盘Z致动器28和/或掩模Z致动器27的驱动控制，使静电吸盘24与掩模支承单元23相对地二次接近，掩模M与基板S的下表面接触。
若在第2吸附阶段使静电吸盘24和掩模支承单元23从规定的间隔d相对地接近，则在上述的吸引阶段突出的掩模M的中央部先与基板S的下表面接触而开始吸附于静电吸盘24。然后，从掩模M的中央部在至少两个方向上依次朝向周缘部进行吸附。其结果，至少在掩模M的中央部，掩模M能够不残留褶皱地隔着基板S被吸附。
在规定的电压与用于使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘M的第3电压不同的情况下，电压控制部32进行控制，以在第2吸附阶段对静电吸盘24施加第3电压。例如，电压控制部32既可以在使静电吸盘24与掩模支承单元23相对地接近的同时，将施加于静电吸盘24的电压从规定的电压变更为第3电压，或者也可以在使静电吸盘24与掩模支承单元23相对地接近后，将施加于静电吸盘24的电压从规定的电压变更为第3电压。
为了使静电吸盘24与掩模支承单元23相对地二次接近，能够通过控制部40对静电吸盘Z致动器28的控制，使静电吸盘24朝向掩模M下降。或者，也可以通过控制部40对掩模支承单元23的控制，使掩模M向吸附于静电吸盘24的基板S侧上升，或者控制部40也可以将静电吸盘Z致动器28和掩模Z致动器27一起控制，使静电吸盘24与掩模支承单元23相对地接近。
根据上述的本发明的一实施方式，在使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的掩模吸附工序中，在静电吸盘24与掩模M具有规定的间隔d而隔开的状态下，利用通过对静电吸盘24施加用于吸附掩模的规定的电压而产生的静电引力，以掩模M在朝向静电吸盘24的方向上突出的方式，形成掩模吸附的起点。另外，通过使掩模M和静电吸盘24相对地接近以使掩模M与静电吸盘24接触，从形成的吸附起点依次吸附掩模。由此，能够不残留褶皱地使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24。
但是，本发明并不限定于此，在使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24时，也可以与图4a所图示的方法同样地从掩模M的一边侧朝向另一边侧进行吸附。例如，根据本发明的一实施例，在使基板S吸附于静电吸盘24时，利用图4b所图示的方法进行吸附，在使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24时，也可以与图4a所图示的方法同样地进行掩模吸附。
[成膜工艺]
以下，对采用本实施方式的吸附方法的成膜方法进行说明。
在掩模M被载置于真空容器21内的掩模支承单元23的状态下，通过搬送室13的搬送机器人14将基板搬入成膜装置11的真空容器21内。
进入真空容器21内的搬送机器人14的手将基板S载置于基板支承单元22的支承部上。
接着，静电吸盘24朝向基板S下降，在充分接近或接触到基板S之后，对静电吸盘24施加第1电压(ΔV1)，吸附基板S。
在本发明的一实施方式中，为了最大限度地确保将基板从静电吸盘24分离所需的时间，在基板向静电吸盘24的吸附完成之后，将施加于静电吸盘24的电压从第1电压(ΔV1)降低到第2电压(ΔV2)。即使将施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压(ΔV2)，由于在通过第1电压(ΔV1)在基板感应出的极化电荷被放电之前需要时间，所以也能够在以后的工序中维持静电吸盘24对基板的吸附状态。
在静电吸盘24上吸附有基板S的状态下，为了测量基板S相对于掩模M的相对的位置偏移，使基板S朝向掩模M下降。在本发明的其它的实施方式中，为了可靠地防止在吸附于静电吸盘24的基板的下降的过程中基板从静电吸盘24脱落，也可以在基板的下降过程完成后(即，在后述的对准工序即将开始之前)，将施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压(ΔV2)。
当基板S降低到测量位置时，利用对准用照相机20对形成在基板S和掩模M上的对准标记进行拍摄，测量基板与掩模的相对的位置偏移。在本发明的其它的实施方式中，为了进一步提高基板与掩模的相对的位置的测量工序的精度，也可以在用于对准的测量工序完成之后(对准工序中)，将施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压。通过对在利用第1电压(ΔV1)使静电吸盘24较强地吸附基板的状态(更平坦地维持基板的状态)下的基板和掩模的对准标记进行拍摄，能够提高测量工序的精度。
作为测量的结果，如果判明基板相对于掩模的相对的位置偏移超过阈值，则使被吸附于静电吸盘24的状态的基板S在水平方向(XYθ方向)上移动，将基板相对于掩模进行位置调整(对准)。在本发明的其它的实施方式中，也可以在完成这样的位置调整的工序之后，将施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压(ΔV2)。由此，能够遍及整个对准工序(相对的位置测量或位置调整)进一步提高精度。
在对准工序之后，使静电吸盘24朝向掩模M下降，使静电吸盘24与掩模M之间的距离成为规定的距离d。在静电吸盘24与掩模M隔开规定的距离d的状态下，施加于静电吸盘24的第2电压不使掩模M带电，实质上静电引力不作用于掩模M。
在这样的状态下，对静电吸盘24施加比第2电压大的规定的电压、例如第3电压。若对静电吸盘24施加第3电压，则掩模M通过从该第3电压产生的静电引力被吸引到上方。其结果，不是张力较大地作用的掩模M的周缘部，而是张力相对地较小地作用的中央部向上方突出而成为凸形状。由此，形成掩模吸附的起点。
在第3电压施加于静电吸盘24的状态下，使静电吸盘24朝向掩模M下降和/或使掩模M朝向静电吸盘24上升，使掩模M与吸附于静电吸盘24的基板S的下表面接触。在该过程中，掩模M的中央部先与基板S接触而开始吸附，由此，朝向掩模M的周缘部依次进行吸附。其结果，掩模M不残留褶皱地吸附于静电吸盘24。在完成这样的掩模M的吸附工序之后，将施加于静电吸盘24的电极部或子电极部的电压降低到能够维持基板和掩模被吸附于静电吸盘24的状态的电压即第4电压(ΔV4)。由此，能够缩短在成膜工序完成后将基板S以及掩模M从静电吸盘24分离所花费的时间。
接着，打开蒸镀源25的挡板，将蒸镀材料隔着掩模蒸镀到基板S上。
蒸镀到所希望的厚度后，将施加于静电吸盘24的电极部或子电极部的电压降低到第5电压(ΔV5)而分离掩模M，在仅基板吸附于静电吸盘24的状态下，利用静电吸盘Z致动器28使基板上升。在此，第5电压(ΔV5)是用于维持掩模M被分离、仅基板S吸附于静电吸盘24的状态的大小，且是与第2电压实质上相同大小的电压。
接着，搬送机器人14的手进入成膜装置11的真空容器21内，对静电吸盘24的电极部或者子电极部施加零(0)或相反极性的电压，静电吸盘24从基板分离而上升。然后，通过搬送机器人14将蒸镀已完成的基板从真空容器21搬出。
另外，在上述的说明中，成膜装置11形成为在基板S的成膜面朝向铅垂方向下方的状态下进行成膜的、所谓的向上蒸镀方式(向上淀积)的结构，但并不限定于此，也可以是基板S以与真空容器21的侧面侧垂直地立起的状态被配置，在基板S的成膜面与重力方向平行的状态下进行成膜的结构。
[电子器件的制造方法]
接着，说明使用本实施方式的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下，作为电子器件的例子，例示有机EL显示装置的结构和制造方法。
首先，说明要制造的有机EL显示装置。图5(a)表示有机EL显示装置60的整体图，图5(b)表示1像素的截面构造。
如图5(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。后面详细说明，发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外，在此所说的像素，是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下，通过显示互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合而构成像素62。像素62大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成，但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成，只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图5(b)是图5(a)的A－B线处的局部剖视示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件，该有机EL元件具备阳极64、空穴输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一方、电子输送层67、阴极68。它们当中的空穴输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。此外，在本实施方式中，发光层66R是发出红色光的有机EL层，发光层66G是发出绿色光的有机EL层，发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外，阳极64针对每一个发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67和阴极68既可以以与多个发光元件62R、62G、62B共有的方式形成，也可以针对每一个发光元件而形成。另外，为了防止阳极64和阴极68因异物而短路，在阳极64间设有绝缘层69。而且，由于有机EL层因水分和氧而劣化，所以设有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层70。
在图5(b)中，空穴输送层65和电子输送层67以一个层表示，但是根据有机EL显示元件的构造，也可以以包括空穴阻挡层和电子阻挡层在内的多个层形成。此外，也能够在阳极64与空穴输送层65之间形成空穴注入层，该空穴注入层具有能够从阳极64向空穴输送层65顺利地进行空穴的注入的能带构造。同样地，也能够在阴极68与电子输送层67之间形成电子注入层。
接着，具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先，准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有阳极64的基板63。
在形成有阳极64的基板63之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂，利用光刻法，以在形成有阳极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案形成有绝缘层69的基板63搬入第1有机材料成膜装置，由静电吸盘保持基板，将空穴输送层65作为在显示区域的阳极64之上共同的层而成膜。空穴输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上由于空穴输送层65被形成为比显示区域61大的尺寸，所以不需要高精细的掩模。
接着，将形成有空穴输送层65为止的基板63搬入第2有机材料成膜装置，由静电吸盘保持。进行基板与掩模的对准，由静电吸盘隔着基板保持掩模，在基板63的配置发出红色光的元件的部分，成膜发出红色光的发光层66R。
与发光层66R的成膜同样地，利用第3有机材料成膜装置成膜发出绿色光的发光层66G，而且利用第4有机材料成膜装置成膜发出蓝色光的发光层66B。发光层66R、66G、66B的成膜完成之后，利用第5成膜装置在显示区域61的整体成膜电子输送层67。电子输送层67对3色的发光层66R、66G、66B形成为共同的层。
将形成有电子输送层67为止的基板移动到金属性蒸镀材料成膜装置，成膜阴极68。
根据本发明，通过静电吸盘24吸附并保持基板和/或掩模，在掩模的吸附时，在静电吸盘24和掩模M以规定的间隔隔开的状态下，通过将由于对静电吸盘24施加规定的电压而产生的静电力而朝向静电吸盘24成为凸状的掩模M的中央部作为吸附的起点，掩模没有褶皱地吸附于静电吸盘24。
之后，将基板移动到等离子体CVD装置而成膜保护层70，完成有机EL显示装置60。
从将图案形成有绝缘层69的基板63搬入成膜装置到保护层70的成膜完成为止，若暴露于含有水分和氧的气氛中，则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分和氧而劣化。因而，本例中，基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
上述实施例表示本发明的一个例子，但本发明并不限定于上述实施例的结构，也可以在其技术思想的范围内适当地变形。

Claims (29)

1.一种吸附装置，其特征在于，
该吸附装置包括：
被吸附体支承单元，用于支承被吸附体；
静电吸盘，设置在所述被吸附体支承单元的一侧，用于吸附所述被吸附体；
距离调整部件，用于调整所述被吸附体支承单元与所述静电吸盘的距离；以及
控制部，用于控制对所述静电吸盘的电压施加以及所述距离调整部件对所述被吸附体支承单元与所述静电吸盘的距离的调整，
所述控制部控制所述距离调整部件，以使所述静电吸盘与所述被吸附体支承单元之间的距离成为规定的间隔，并进行控制，以在所述被吸附体支承单元和所述静电吸盘被隔开所述规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加用于在朝向所述静电吸盘的方向上吸引由所述被吸附体支承单元支承的被吸附体的电压。
2.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，
用于进行所述吸引的所述电压是使所述被吸附体在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状的电压。
3.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，
所述距离调整部件包括用于驱动所述被吸附体支承单元的被吸附体支承单元驱动致动器和用于驱动所述静电吸盘的静电吸盘驱动致动器中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，
所述被吸附体支承单元包括用于支承基板的基板支承单元和用于支承掩模的掩模支承单元中的至少一个。
5.一种成膜装置，其特征在于，
该成膜装置包括：
基板支承单元，用于支承基板；
掩模支承单元，设置在所述基板支承单元的一侧，用于支承掩模；
静电吸盘，以所述基板支承单元为基准，设置在所述掩模支承单元的相反侧，用于吸附所述基板并隔着所述基板吸附所述掩模；
距离调整部件，用于调整所述掩模支承单元与所述静电吸盘的距离；以及
控制部，用于控制对所述静电吸盘的电压施加以及所述距离调整部件对所述掩模支承单元与所述静电吸盘的距离的调整，
所述控制部控制所述距离调整部件，以使所述静电吸盘隔着所述基板与所述掩模支承单元之间的距离成为规定的间隔，并进行控制，以在所述静电吸盘与所述掩模支承单元隔开所述规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加用于使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状的规定的电压。
6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
所述规定的间隔是在施加所述规定的电压且所述掩模朝向所述静电吸盘成为凸状时，所述掩模不与吸附于所述静电吸盘的所述基板接触的距离。
7.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
所述规定的间隔为所述掩模支承单元所支承的所述掩模的挠曲量和所述基板的厚度相加而成的距离以上。
8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
所述规定的间隔与所述掩模的挠曲量和所述基板的厚度相加而成的距离实质上相同。
9.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部控制所述距离调整部件，以在所述掩模朝向所述静电吸盘成为凸状的状态下，使所述静电吸盘与所述掩模支承单元相对地接近。
10.根据权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，
所述控制部进行控制，以在使所述静电吸盘与所述掩模支承单元相对地接近的同时或者接近结束之后，将施加于所述静电吸盘的电压从所述规定的电压变更为用于隔着所述基板吸附所述掩模的电压。
11.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，
所述距离调整部件包括用于驱动所述掩模支承单元的掩模支承单元驱动致动器和用于驱动所述静电吸盘的静电吸盘驱动致动器中的至少一个。
12.一种吸附方法，其特征在于，
该吸附方法包括：
吸引阶段，对与被吸附体设置规定的间隔而隔开的静电吸盘施加规定的电压，在朝向所述静电吸盘的方向上吸引所述被吸附体；以及
吸附阶段，使所述被吸附体与所述静电吸盘相对地接近，使所述被吸附体吸附于所述静电吸盘。
13.根据权利要求12所述的吸附方法，其特征在于，
所述吸引阶段的对所述静电吸盘施加的规定的电压是使所述被吸附体在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状的电压。
14.根据权利要求12所述的吸附方法，其特征在于，
所述被吸附体是基板。
15.根据权利要求12所述的吸附方法，其特征在于，
所述被吸附体是掩模。
16.一种吸附方法，是用于吸附被吸附体的方法，其特征在于，
该吸附方法包括：
第1吸附阶段，对静电吸盘施加第1电压而吸附第1被吸附体；
吸引阶段，在隔着所述第1被吸附体，所述静电吸盘和第2被吸附体被隔开规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加规定的电压，使所述第2被吸附体在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状；以及
第2吸附阶段，使所述第2被吸附体和所述静电吸盘从所述规定的间隔相对地接近，并隔着所述第1被吸附体将所述第2被吸附体吸附于所述静电吸盘。
17.根据权利要求16所述的吸附方法，其特征在于，
所述规定的间隔是在施加所述规定的电压且所述掩模朝向所述静电吸盘成为凸状时，所述掩模不与吸附于所述静电吸盘的所述基板接触的距离。
18.根据权利要求16所述的吸附方法，其特征在于，
所述规定的间隔为所述掩模支承单元所支承的所述掩模的挠曲量和所述基板的厚度相加而成的距离以上。
19.根据权利要求18所述的吸附方法，其特征在于，
所述规定的间隔与所述掩模的挠曲量和所述基板的厚度相加而成的距离实质上相同。
20.根据权利要求16所述的吸附方法，其特征在于，
在所述第2吸附阶段，在使所述静电吸盘与所述掩模支承单元相对地二次接近的同时或者二次接近结束后，将施加于所述静电吸盘的电压从所述规定的电压变更为用于隔着所述基板吸附所述掩模的第3电压。
21.根据权利要求16所述的吸附方法，其特征在于，
该吸附方法还包括在所述第1吸附阶段之后，对所述静电吸盘施加用于维持所述基板向所述静电吸盘的吸附的第2电压的阶段，
所述规定的电压为所述第2电压以上。
22.根据权利要求16所述的吸附方法，其特征在于，
所述规定的电压是与用于将所述掩模隔着所述基板吸附于所述静电吸盘的第3电压相同的大小。
23.根据权利要求16所述的吸附方法，其特征在于，
所述第2吸附阶段使所述第2被吸附体从在所述吸引阶段成为凸状的部分起与所述第1被吸附体接触，将所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附于所述静电吸盘。
24.一种吸附方法，是用于吸附被吸附体的方法，其特征在于，
该吸附方法包括：
第1施加阶段，对静电吸盘施加用于将第1被吸附体吸附于所述静电吸盘的第1电压；
第1移动阶段，使第2被吸附体和所述静电吸盘相对地移动，以使所述第2被吸附体与所述静电吸盘隔着所述第1被吸附体隔开规定的间隔；
第2施加阶段，在所述第2被吸附体与所述静电吸盘隔着所述第1被吸附体隔开规定的间隔的状态下，施加规定的电压，以使所述第2被吸附体在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状；以及
第2移动阶段，在施加了所述规定的电压的状态下，使所述第2被吸附体与所述静电吸盘相对地移动，以隔着所述第1被吸附体将所述第2被吸附体吸附于所述静电吸盘。
25.根据权利要求24所述的吸附方法，其特征在于，
所述规定的电压是用于隔着所述基板将所述掩模吸附于所述静电吸盘的第3电压。
26.一种成膜方法，是隔着掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜的成膜方法，其特征在于，
该成膜方法包括：
向真空容器内搬入掩模的阶段；
向所述真空容器内搬入基板的阶段；
对静电吸盘施加第1电压来吸附所述基板的阶段；
在隔着所述基板将所述静电吸盘和所述掩模隔开规定的间隔的状态下，对所述静电吸盘施加规定的电压而使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状的阶段；
使所述掩模和所述静电吸盘从所述规定的间隔相对地接近，隔着所述基板将所述掩模吸附于所述静电吸盘的阶段；以及
在所述静电吸盘吸附有所述基板及所述掩模的状态下，使蒸镀材料蒸发，隔着所述掩模在所述基板上对蒸镀材料进行成膜的阶段。
27.根据权利要求26所述的成膜方法，其特征在于，
所述掩模的吸附阶段使所述掩模从在所述吸引阶段成为凸状的部分起与所述基板接触，将所述掩模隔着所述基板吸附于所述静电吸盘。
28.一种成膜方法，是隔着掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜的成膜方法，其特征在于，
该成膜方法包括：
向真空容器内搬入掩模的阶段；
向所述真空容器内搬入基板的阶段；
第1施加阶段，对静电吸盘施加用于使第1基板吸附于所述静电吸盘的第1电压；
第1移动阶段，使所述掩模与所述静电吸盘相对地移动，以使所述掩模和所述静电吸盘隔着所述基板隔开规定的间隔；
第2施加阶段，在隔着所述基板将所述静电吸盘和所述掩模隔开规定的间隔的状态下，施加规定的电压，以使所述掩模在朝向所述静电吸盘的方向上成为凸状；
第2移动阶段，在被施加了所述规定的电压的状态下，使所述掩模与所述静电吸盘相对地移动，以使所述掩模隔着所述基板吸附于所述静电吸盘；以及
在所述静电吸盘吸附有所述基板及所述掩模的状态下，使蒸镀材料蒸发，隔着所述掩模在所述基板上对蒸镀材料进行成膜的阶段。
29.一种电子器件的制造方法，其特征在于，
使用权利要求26～28中任一项所述的成膜方法来制造电子器件。
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