CN110938806A - 静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供将吸附于静电吸盘的第1被吸附体和第2被吸附体良好地从静电吸盘分离的静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电子器件的制造方法。本发明的静电吸盘系统的特征在于，该静电吸盘系统包括：静电吸盘，包括多个电极部；电压施加部，用于对所述静电吸盘的所述电极部施加电压；以及电压控制部，用于控制基于所述电压施加部的电压施加，所述电压控制部对所述电压施加部进行控制，以对吸附有第1被吸附体并隔着所述第1被吸附体吸附有第2被吸附体的所述静电吸盘的所述多个电极部分别独立地施加用于使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的第1分离电压。

Description

静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电 子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)时，将从成膜装置的蒸发源蒸发了的蒸镀材料隔着形成有像素图案的掩模蒸镀到基板上，由此形成有机物层、金属层。
在向上蒸镀方式(向上淀积)的成膜装置中，蒸发源设置于成膜装置的真空容器的下部。另一方面，基板配置于真空容器的上部，向基板的下表面蒸镀蒸镀材料。因为在这样的向上蒸镀方式的成膜装置的真空容器内，仅基板的下表面的周边部由基板保持架保持，所以基板因其自重而挠曲，这成为使蒸镀精度下降的一个主要原因。在向上蒸镀方式以外的方式的成膜装置中，也有可能因基板的自重而产生挠曲。
作为用于降低由基板的自重引起的挠曲的方法，正在研究使用静电吸盘的技术。即，通过利用静电吸盘对基板的整个上表面进行吸附，能够降低基板的挠曲。
在专利文献1中，公开了利用静电吸盘吸附基板及掩模的技术。
专利文献1：韩国专利公开公报2007-0010723号
可是，专利文献1没有公开从静电吸盘分离基板和掩模时的电压控制。
发明内容
本发明的目的在于，将被吸附于静电吸盘的第1被吸附体和第2被吸附体良好地从静电吸盘分离。
用于解决课题的技术方案
本发明的第1技术方案的静电吸盘系统，其特征在于，该静电吸盘系统包括：静电吸盘，包括多个电极部；电压施加部，用于对所述静电吸盘的所述电极部施加电压；以及电压控制部，用于控制基于所述电压施加部的电压施加，所述电压控制部对所述电压施加部进行控制，以对吸附有第1被吸附体并隔着所述第1被吸附体吸附有第2被吸附体的所述静电吸盘的所述多个电极部分别独立地施加用于使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的第1分离电压。
本发明的第2技术方案的成膜装置，是用于隔着掩模对基板进行成膜的成膜装置，其特征在于，该成膜装置包括用于吸附作为第1被吸附体的基板和作为第2被吸附体的掩模的所述本发明的第1技术方案的静电吸盘系统。
本发明的第3技术方案的被吸附体分离方法，是用于从包括多个电极部在内的静电吸盘的所述电极部分离被吸附体的方法，其特征在于，该被吸附体分离方法包括对吸附有第1被吸附体并隔着所述第1被吸附体吸附有第2被吸附体的所述静电吸盘的所述电极部施加用于使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的第1分离电压的工序，在施加所述第1分离电压的工序中，进行控制，以对所述多个电极部分别独立地施加所述第1分离电压。
本发明的第4技术方案的成膜方法，是在基板上隔着掩模对蒸镀材料进行成膜的成膜方法，其特征在于，该成膜方法包括：向真空容器内搬入所述掩模的工序；向所述真空容器内搬入所述基板的工序；对静电吸盘的电极部施加第1吸附电压，将所述基板吸附于静电吸盘的工序；对所述电极部施加第2吸附电压，将所述掩模隔着所述基板吸附于所述静电吸盘的工序；在所述基板和所述掩模被吸附于所述静电吸盘的状态下，使蒸镀材料蒸发，在所述基板上隔着所述掩模对蒸镀材料进行成膜的工序；以及使用所述本发明的第3技术方案的被吸附体分离方法，从所述静电吸盘依次分离作为第2被吸附体的所述掩模和作为第1被吸附体的所述基板的工序。
本发明的第5技术方案的电子器件的制造方法，其特征在于，使用所述本发明的第4技术方案的成膜方法来制造电子器件。
发明的效果
根据本发明，能够将被吸附于静电吸盘的第1被吸附体和第2被吸附体良好地分离。
附图说明
图1是电子器件的制造装置的一部分的示意图。
图2是本发明的一实施方式的成膜装置的示意图。
图3是本发明的一实施方式的静电吸盘系统的概念图以及示意图。
图4是表示基板向静电吸盘的吸附顺序的工序图。
图5是表示掩模向静电吸盘的吸附顺序的工序图。
图6是表示掩模及基板自静电吸盘的分离顺序的工序图。
图7是表示施加于静电吸盘的电压的变化的图表。
图8是表示电子器件的示意图。
附图标记说明
1：集群装置
11：成膜装置
12：掩模储存装置
13：搬送室
14：搬送机器人
20：对准用照相机
21：真空容器
22：基板支承单元
23：掩模支承单元
24：静电吸盘
25：蒸发源
28：静电吸盘Z致动器
29：位置调整机构
30：静电吸盘系统
31：电压施加部
32：电压控制部
33：电极对
41～43：第1吸附部～第3吸附部
241～249：子电极部
331：第1电极
332：第2电极
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选的实施方式以及实施例进行说明。但是，以下的实施方式及实施例仅是例示性地表示本发明的优选的结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别地特定记载，本发明的范围就不仅限定于它们。
本发明能够应用于使各种材料堆积在基板的表面而进行成膜的装置，能够优选应用于通过真空蒸镀形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，能够选择玻璃、高分子材料的膜、金属等任意的材料，基板例如可以是在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等膜的基板。另外，作为蒸镀材料，也可以选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。另外，除了在以下说明的真空蒸镀装置以外，在包括溅射装置、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置在内的成膜装置中，也能够应用本发明。本发明的技术具体可应用于有机电子器件(例如，有机发光元件、薄膜太阳能电池)、光学构件等的制造装置。其中，通过使蒸镀材料蒸发而隔着掩模蒸镀到基板上从而形成有机发光元件的有机发光元件的制造装置是本发明的优选应用例之一。
[电子器件的制造装置]
图1是示意性地表示电子器件的制造装置的一部分结构的俯视图。
图1的制造装置例如用于智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造。在智能手机用的显示面板的情况下，例如，在4.5代的基板(约700mm×约900mm)或6代的全尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切割尺寸(约1500mm×约925mm)的基板上进行用于形成有机EL元件的成膜后，将该基板切下来制作多个小尺寸的面板。
电子器件的制造装置通常包括多个集群装置1和在集群装置之间连接的中继装置。
集群装置1具备进行对基板S的处理(例如成膜处理)的多个成膜装置11、收纳使用前后的掩模M的多个掩模储存装置12、以及配置于其中央的搬送室13。如图1所示，搬送室13分别与多个成膜装置11以及掩模储存装置12连接。
在搬送室13内配置有搬送基板以及掩模的搬送机器人14。搬送机器人14将基板S从配置于上游侧的中继装置的路径室15向成膜装置11搬送。另外，搬送机器人14在成膜装置11与掩模储存装置12之间搬送掩模M。搬送机器人14例如是在多关节臂上安装有保持基板S或掩模M的机器人手的结构的机器人。
在成膜装置11(也称为蒸镀装置)中，收纳于蒸发源的蒸镀材料被加热器加热而蒸发，隔着掩模被蒸镀到基板上。利用成膜装置11进行与搬送机器人14交接基板S、基板S与掩模M的相对位置的调整(对准)、基板S向掩模M上的固定、成膜(蒸镀)等一连串成膜工艺。
在掩模储存装置12中，将成膜装置11中的成膜工序所使用的新的掩模和使用完的掩模分开地收纳于两个盒。搬送机器人14将使用完的掩模从成膜装置11向掩模储存装置12的盒搬送，并将收纳于掩模储存装置12的其它的盒内的新的掩模向成膜装置11搬送。
在集群装置1上连结有路径室15和缓冲室16，该路径室15在基板S的流动方向上将来自上游侧的基板S向该集群装置1交接，该缓冲室16用于将在该集群装置1中完成了成膜处理的基板S向下游侧的其它的集群装置交接。搬送室13的搬送机器人14从上游侧的路径室15接受基板S，并向该集群装置1内的成膜装置11之一(例如成膜装置11a)搬送。另外，搬送机器人14从多个成膜装置11之一(例如成膜装置11b)接受在该集群装置1中完成了成膜处理的基板S，并向连结于下游侧的缓冲室16搬送。
在缓冲室16与路径室15之间设置有改变基板的朝向的回转室17。在回转室17设置有搬送机器人18，该搬送机器人18用于从缓冲室16接收基板S并使基板S旋转180°向路径室15搬送。由此，在上游侧的集群装置和下游侧的集群装置中，基板S的朝向相同，基板处理变得容易。
路径室15、缓冲室16、回转室17是将集群装置之间连结的所谓的中继装置，被设置在集群装置的上游侧和下游侧的至少一方的中继装置包括路径室、缓冲室、回转室中的至少一个。
成膜装置11、掩模储存装置12、搬送室13、缓冲室16、回转室17等在有机发光元件的制造过程中被维持为高真空状态。路径室15通常被维持在低真空状态，但也可以根据需要被维持在高真空状态。
在本实施例中，参照图1对电子器件的制造装置的结构进行了说明，但本发明并不限定于此，也可以具有其它种类的装置、腔室，这些装置、腔室间的配置也可以改变。
以下，对成膜装置11的具体结构进行说明。
[成膜装置]
图2是表示成膜装置11的结构的示意图。在以下的说明中，使用以铅垂方向为Z方向的XYZ正交坐标系。在成膜时基板S以与水平面(XY平面)成为平行的方式被固定的情况下，将基板S的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向，将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向。另外，用θ表示绕Z轴的旋转角。
成膜装置11包括被维持在真空气氛或氮气等非活性气体气氛的真空容器21、以及被设置在真空容器21的内部的基板支承单元22、掩模支承单元23、静电吸盘24和蒸发源25。
基板支承单元22是接收并保持由设置于搬送室13的搬送机器人14搬送来的基板S的部件，也被称为基板保持架。
在基板支承单元22的下方设置有掩模支承单元23。掩模支承单元23是接收并保持由设置于搬送室13的搬送机器人14搬送的掩模M的部件，也被称为掩模支架。
掩模M具有与在基板S上形成的薄膜图案对应的开口图案，并被载置在掩模支承单元23之上。特别是为了制造智能手机用的有机EL元件而使用的掩模是形成有微细的开口图案的金属制的掩模，也称为FMM(Fine Metal Mask：精细金属掩模)。
在基板支承单元22的上方设置有用于利用静电引力吸附并固定基板的静电吸盘24。静电吸盘24具有在电介质(例如，陶瓷材料)基体内埋设有金属电极等的电路的构造。静电吸盘24既可以是库仑力类型的静电吸盘，也可以是约翰逊·拉别克力类型的静电吸盘。而且，还可以是梯度力类型的静电吸盘。可是，静电吸盘24优选为梯度力类型的静电吸盘。通过静电吸盘24为梯度力类型的静电吸盘，即使在基板S为绝缘性基板的情况下，也能够通过静电吸盘24良好地进行吸附。例如，在静电吸盘24为库仑力类型的静电吸盘的情况下，当对金属电极施加正(+)以及负(-)的电位时，通过电介质基体在基板S等被吸附体上感应有与金属电极相反极性的极化电荷，通过它们间的静电引力将基板S吸附固定于静电吸盘24。
静电吸盘24既可以由一个板形成，也可以形成为具有多个子板。另外，在由一个板形成的情况下，也可以在其内部包括多个电路，以在一个板内根据位置不同而使静电引力不同的方式进行控制。
在本实施方式中，如后所述，在成膜前利用静电吸盘24不仅吸附并保持基板S(第1被吸附体)，还吸附并保持掩模M(第2被吸附体)。之后，在由静电吸盘24保持有基板S(第1被吸附体)和掩模M(第2被吸附体)的状态下，进行成膜，在完成了成膜以后，解除静电吸盘24对基板S(第1被吸附体)和掩模M(第2被吸附体)的保持。
即，在本实施例中，由静电吸盘吸附并保持被放置在静电吸盘24的铅垂方向的下侧的基板S(第1被吸附体)，之后，隔着基板S(第1被吸附体)由静电吸盘24吸附并保持隔着基板S(第1被吸附体)被放置在静电吸盘24的相反侧的掩模M(第2被吸附体)。并且，在由静电吸盘24保持有基板S(第1被吸附体)和掩模M(第2被吸附体)的状态下进行成膜后，将基板S(第1被吸附体)和掩模M(第2被吸附体)从静电吸盘24剥离。此时，先剥离隔着基板S(第1被吸附体)被吸附的掩模M(第2被吸附体)后，将基板S(第1被吸附体)剥离。对此，参照图4～图7在后面叙述。
虽然在图2中未图示，但也可以通过在静电吸盘24的吸附面的相反侧设置抑制基板S的温度上升的冷却机构(例如冷却板)，来抑制堆积在基板S上的有机材料的变质或劣化。
蒸发源25包括收纳要成膜于基板的蒸镀材料的坩埚(未图示)、用于加热坩埚的加热器(未图示)、和阻止蒸镀材料向基板飞散直到来自蒸发源的蒸发率成为恒定为止的挡板(未图示)等。蒸发源25能够根据点(point)蒸发源或线形(linear)蒸发源等用途而具有多种结构。
虽然在图2中未图示，但成膜装置11包括用于测量蒸镀于基板的膜的厚度的膜厚监视器(未图示)及膜厚计算单元(未图示)。
在真空容器21的上部外侧(大气侧)设置有基板Z致动器26、掩模Z致动器27、静电吸盘Z致动器28和位置调整机构29等。这些致动器和位置调整机构例如由马达和滚珠丝杠、或者马达和线性引导件等构成。基板Z致动器26是用于使基板支承单元22升降(Z方向移动)的驱动部件。掩模Z致动器27是用于使掩模支承单元23升降(Z方向移动)的驱动部件。静电吸盘Z致动器28是用于使静电吸盘24升降(Z方向移动)的驱动部件。
位置调整机构29是用于静电吸盘24的对准的驱动部件。位置调整机构29使静电吸盘24整体相对于基板支承单元22以及掩模支承单元23沿X方向移动、Y方向移动、θ旋转。另外，在本实施方式中，在吸附有基板S的状态下，通过在X、Y、θ方向上对静电吸盘24进行位置调整，进行调整基板S与掩模M的相对位置的对准。
也可以在真空容器21的外侧上表面，除了上述的驱动机构以外，还设置对准用照相机20，该对准用照相机20用于隔着设置于真空容器21的上表面的透明窗而拍摄形成于基板S以及掩模M的对准标记。在本实施例中，对准用照相机20也可以设置在与矩形的基板S、掩模M以及静电吸盘24的对角线对应的位置或者与矩形的4个角部对应的位置。
设置于本实施方式的成膜装置11的对准用照相机20是高精度地调整基板S与掩模M的相对的位置所使用的精细对准用照相机，其是视场角窄但具有高分辨率的照相机。成膜装置11除了精细对准用照相机20以外，也可以具有视场角相对较宽而低分辨率的粗略对准用照相机。
另外，位置调整机构29基于由对准用照相机20取得的基板S(第1被吸附体)以及掩模M(第2被吸附体)的位置信息，进行使基板S(第1被吸附体)和掩模M(第2被吸附体)相对地移动而进行位置调整的对准。
成膜装置11具备控制部(未图示)。控制部具有基板S的搬送及对准、蒸发源25的控制、成膜的控制等功能。控制部例如能够由具有处理器、存储器、储存装置、I/O等的计算机构成。在这种情况下，通过处理器执行存储在存储器或储存装置中的程序来实现控制部的功能。作为计算机，既可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmable logic controller：可编程逻辑控制器)。或者，控制部的功能的一部分或全部也可以由ASIC或FPGA这样的电路构成。另外，既可以针对每个成膜装置设置控制部，也可以构成为一个控制部控制多个成膜装置。
[静电吸盘系统]
参照图3，对本实施方式的静电吸盘系统30进行说明。
图3(a)是本实施方式的静电吸盘系统30的概念性的框图，图3(b)是静电吸盘24的示意性的剖视图，图3(c)是静电吸盘24的示意性的俯视图。
如图3(a)所示，本实施方式的静电吸盘系统30包括静电吸盘24、电压施加部31和电压控制部32。
电压施加部31对静电吸盘24的电极部施加用于产生静电引力的电压。
电压控制部32根据静电吸盘系统30的吸附工序或成膜装置11的成膜工序的进行，控制从电压施加部31施加于电极部的电压的大小、电压的施加开始时刻、电压的维持时间、施加电压的顺序等。电压控制部32例如能够针对不同的子电极部独立地控制向静电吸盘24的电极部所包括的多个子电极部241～249的电压施加。在本实施方式中，电压控制部32与成膜装置11的控制部独立地构成，但本发明并不限定于此，也可以统一为成膜装置11的控制部。
静电吸盘24包括使吸附面产生用于吸附被吸附体(例如基板S、掩模M)的静电吸附力的电极部，电极部能够采用具备多个子电极部241～249的结构。例如，如图3(c)所示，本实施方式的静电吸盘24包括沿着静电吸盘24的长度方向(Y方向)和/或静电吸盘24的宽度方向(X方向)被分割的多个子电极部241～249。
各个子电极部包括为了产生静电吸附力而施加正(第1极性)以及负(第2极性)的电位的电极对33。例如，各个电极对33包括施加正电位的第1电极331和施加负电位的第2电极332。
如图3(c)所示，第1电极331和第2电极332分别具有梳齿形状。例如，第1电极331以及第2电极332分别包括多个梳齿部和与多个梳齿部连结的基部。各电极331、332的基部向梳齿部供给电位，多个梳齿部在与被吸附体之间产生静电吸附力。在一个子电极部中，第1电极331的各梳齿部以与第2电极332的各梳齿部相向的方式交替配置。这样，通过形成为各电极331、332的各梳齿部相向且彼此交错的结构，能够使施加不同电位的电极间的间隔变窄，能够形成大的不均匀电场，利用梯度力吸附基板S。
在本实施例中，说明了静电吸盘24的子电极部241～249的各电极331、332具有梳齿形状，但本发明并不限定于此，只要能够在与被吸附体之间产生静电引力，就能够具有多种形状。
本实施方式的静电吸盘24具有与多个子电极部对应的多个吸附部。例如，如图3(c)所示，本实施例的静电吸盘24具有与9个子电极部241～249对应的9个吸附部，但并不限定于此，为了更精密地控制基板S的吸附，也可以具有其它的个数的吸附部。
吸附部以在静电吸盘24的长度方向(Y轴方向)和宽度方向(X轴方向)上被分割的方式设置，但并不限定于此，也可以仅在静电吸盘24的长度方向或宽度方向上分割。多个吸附部既可以构成为在物理上一个板具有多个电极部，也可以构成为物理地分割的多个板分别具有一个或更多个的电极部。
例如，在图3(c)所示的实施例中，既可以构成为多个吸附部分别与多个子电极部分别对应，也可以构成为一个吸附部包括多个子电极部。
即，通过控制电压控制部32对子电极部241～249的电压的施加，如后所述，能够使配置在与基板S的吸附行进方向(X方向)交叉的方向(Y方向)上的3个子电极部241、244、247构成一个吸附部。即，3个子电极部241、244、247分别能够独立地进行电压控制，但通过控制成对这3个电极部241、244、247同时施加电压，从而能够使这3个电极部241、244、247作为一个吸附部而发挥功能。只要能够对多个吸附部分别独立地进行基板的吸附，其具体的物理的构造以及电路的构造就可以改变。
[基于静电吸盘系统的吸附及分离方法和电压的控制]
以下，参照图4～图7，对在静电吸盘24上吸附及分离基板S及掩模M的工序及其电压控制进行说明。
(基板S的吸附)
图4表示将基板S吸附于静电吸盘24的工序。在本实施方式中，如图4所示，不是基板S的整个面被同时吸附于静电吸盘24的下表面，而是沿着静电吸盘24的第1边(短边)从一端朝向另一端依次进行吸附。但是，本发明并不限定于此，例如也可以从静电吸盘24的对角线上的一个角朝向与其相向的其它的角进行基板S的吸附。此外，也可以从静电吸盘24的中央部朝向周缘部依次进行基板的吸附。
为了使基板S沿着静电吸盘24的第1边依次被吸附，既可以控制施加的顺序(施加时期)，以在沿着静电吸盘24的第1边的方向上依次对多个子电极部241～249施加用于基板吸附的第1电压，也可以变更基板支承单元22的构造，以使基板S与静电吸盘24之间的距离沿着静电吸盘24的第1边变大，且将对多个子电极部241～249施加第1电压的时刻控制成同时。此外，在本实施例中出现的多个电压中的上述第1电压相当于使静电吸盘24吸附基板S的第1吸附电压。
图4表示通过对静电吸盘24的多个子电极部241～249施加的电压的控制，使基板S依次吸附于静电吸盘24的不同的位置的实施方式。在此，以沿着静电吸盘24的长边方向(Y方向)配置的3个子电极部241、244、247构成第1吸附部41、静电吸盘24的中央部的3个子电极部242、245、248构成第2吸附部42、其余的3个子电极部243、246、249构成第3吸附部43为前提进行说明。
首先，基板S被搬入成膜装置11的真空容器21内，被载置于基板支承单元22的支承部。
接着，静电吸盘24下降，朝向被载置在基板支承单元22的支承部上的基板S移动(图4(a))。
在静电吸盘24与基板S充分地接近或接触时，电压控制部32进行控制，以沿着静电吸盘24的第1边(宽度)从第1吸着部41朝向第3吸着部43依次施加第1电压(ΔV1)。
即，先对第1吸附部41施加第1电压(ΔV1)(图4(b))，接着对第2吸附部42施加第1电压(ΔV1)(图4(c))，最终对第3吸附部43施加第1电压(ΔV1)(图4(d))。
为了使基板S可靠地吸附于静电吸盘24，第1电压(ΔV1)被设定为足够大的电压。
由此，基板S向静电吸盘24的吸附从基板S的与第1吸附部41对应的一侧经由基板S的中央部，朝向第3吸附部43侧进行(即，在X方向上进行基板S的吸附)，基板S在基板中央部不残留褶皱而平坦地被吸附于静电吸盘24。
在本实施方式中，说明了在静电吸盘24与基板S充分接近或接触的状态下施加第1电压(ΔV1)，但也可以在静电吸盘24开始朝向基板S下降之前或者在下降的中途施加第1电压(ΔV1)。
在基板S向静电吸盘24的吸附工序完成后的规定的时刻，如图4(e)所示，电压控制部32将施加于静电吸盘24的电极部的电压从第1电压(ΔV1)降低到比第1电压(ΔV1)小的第2电压(ΔV2)。
第2电压(ΔV2)是用于将基板S维持在被吸附于静电吸盘24的状态的吸附维持电压，是比使基板S吸附于静电吸盘24时施加的第1电压(ΔV1)低的电压。当施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压(ΔV2)时，与之对应地在基板S上感应出的极化电荷量也与施加第1电压(ΔV1)的情况相比减少，但在基板S一旦被第1电压(ΔV1)吸附于静电吸盘24以后，即使施加比第1电压(ΔV1)低的第2电压(ΔV2)，也能够维持基板的吸附状态。
这样，通过将施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第2电压(ΔV2)，能够缩短从静电吸盘24分离基板时所花费的时间。
即，在欲将基板S从静电吸盘24分离时，即使将施加于静电吸盘24的电极部的电压的电压值设为零(0)，静电吸盘24与基板S之间的静电引力也不会立即消失，而是要花费与在静电吸盘24与基板S的界面感应出的电荷消失相当的时间(根据情况不同，为几分钟左右)。特别是，在使基板S吸附于静电吸盘24时，通常为了可靠地进行该吸附而设定第1电压(例如图5所示的ΔVmax)，以使比使静电吸盘24吸附基板所需的最小静电引力(Fth)充分大的静电引力发挥作用，但从施加这样的第1电压起到成为能够分离基板的状态为止需要相当的时间。
在此，在本实施例中，为了防止由于从这样的静电吸盘24分离基板S所花费的时间而导致整体的工序时间(节拍)增加，在基板S吸附于静电吸盘24之后，在规定的时刻，将施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压(ΔV2)。
在图示的实施例中，示出了将施加于静电吸盘24的第1吸附部41～第3吸附部43的电压同时降低到第2电压(ΔV2)的情况，但本发明并不限定于此，也可以针对不同的吸附部分别使降低到第2电压(ΔV2)的时刻、即对吸附部施加第2电压(ΔV2)的施加时期、所施加的第2电压(ΔV2)的大小不同。例如，也可以从第1吸附部41朝向第3吸附部43依次降低到第2电压(ΔV2)。
这样，在施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第2电压(ΔV2)之后，对吸附于静电吸盘24的基板S和载置在掩模支承单元23上的掩模M的相对位置进行调整(对准)。在本实施例中，对在施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第2电压(ΔV2)之后进行基板S与掩模M之间的相对的位置调整(对准)的情况进行了说明，但本发明并不限定于此，也可以在对静电吸盘24的电极部施加第1电压(ΔV1)的状态下进行对准工序。
(掩模M的吸附)
当基板S的吸附、以及与掩模M的对准调整结束时，使掩模M隔着被吸附的基板S进一步吸附于静电吸盘24。具体而言，通过对静电吸盘24的电极部施加用于吸附掩模M的第3电压(ΔV3)，使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24。即，使掩模M吸附在吸附于静电吸盘24的基板S的下表面。此外，在本实施例中多次出现的电压中的上述第3电压相当于使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘的第2吸附电压。
图5表示使掩模M吸附于静电吸盘24的工序。
首先，利用静电吸盘Z致动器28使吸附有基板S的静电吸盘24朝向掩模M下降(图5(a))。
在吸附于静电吸盘24的基板S的下表面与掩模M充分接近或接触的状态下，则电压控制部32进行控制，使得电压施加部31对静电吸盘24的电极部施加第3电压(ΔV3)。
第3电压(ΔV3)优选为大于第2电压(ΔV2)且隔着基板S能够通过静电感应使掩模M带电的程度的大小。由此，掩模M能够隔着基板S而吸附于静电吸盘24。但是，本发明不限于此，第3电压(ΔV3)也可以具有与第2电压(ΔV2)相同的大小。即使第3电压(ΔV3)具有与第2电压(ΔV2)相同的大小，如上所述，因为由于静电吸盘24的下降而缩短静电吸盘24或基板S与掩模M之间的相对的距离，所以即使不使施加于静电吸盘24的电极部的电压的大小比第2电压(ΔV2)大，利用在基板静电感应出的极化电荷也能够在掩模M上产生静电感应，得到掩模M能够隔着基板吸附于静电吸盘24的程度的吸附力。
第3电压(ΔV3)可以小于第1电压(ΔV1)，也可以考虑到工序时间(节拍)的缩短而设为与第1电压(ΔV1)同等程度的大小。
在图5所示的掩模吸附工序中，为了使掩模M不残留褶皱地被吸附于基板S的下表面，电压控制部32不是遍及整个静电吸盘24同时施加第3电压(ΔV3)，而是沿着第1边从第1吸附部41朝向第3吸附部43依次施加。
即，进行控制，以先对第1吸附部41施加第3电压(ΔV3)(图5(b))，接着，对第2吸附部42施加第3电压(ΔV3)(图5(c))，最终对第3吸附部43施加第3电压(ΔV3)(图5(d))。
由此，掩模M向静电吸盘24的吸附从掩模M的与第1吸附部41对应的一侧经过掩模M的中央部，朝向第3吸附部43侧进行(即，在X方向上进行掩模M的吸附)，在掩模M的中央部不残留褶皱地将掩模M平坦地吸附于静电吸盘24。
在本实施例中，说明了在静电吸盘24与掩模M接近或接触的状态下施加第3电压(ΔV3)，但也可以在静电吸盘24开始朝向掩模M下降之前或者在下降的中途施加第3电压(ΔV3)。
在掩模M向静电吸盘24的吸附工序完成之后的规定的时刻，电压控制部32如图5(e)所示那样，将施加于静电吸盘24的电极部的电压从第3电压(ΔV3)降低到小于第3电压(ΔV3)的第4电压(ΔV4)。
第4电压(ΔV4)是用于维持隔着基板S吸附于静电吸盘24的掩模M的吸附状态的吸附维持电压，是比使掩模M吸附于静电吸盘24时的第3电压(ΔV3)低的电压。若施加于静电吸盘24的电压降低到第4电压(ΔV4)，则与之对应地在掩模M上感应出的极化电荷量也与施加了第3电压(ΔV3)的情况相比减少，但在掩模M一旦被第3电压(ΔV3)吸附于静电吸盘24之后，即使施加比第3电压(ΔV3)低的第4电压(ΔV4)，也能够维持掩模的吸附状态。
这样，通过将施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第4电压(ΔV4)，能够减少将掩模M从静电吸盘24分离所花费的时间。
即，在欲从静电吸盘24分离掩模M时，即使使施加于静电吸盘24的电极部的电压的电压值为零(0)，静电吸盘24与掩模M之间的静电引力也不会立即消失，在基板S与掩模M的界面上感应出的电荷消失需要花费相当长的时间(根据情况不同，为几分钟左右)。特别是，在使掩模M吸附于静电吸盘24时，通常为了可靠地进行该吸附并缩短吸附所花费的时间而施加足够大的电压，但从施加这样的第3电压起到成为掩模能够分离的状态为止需要相当的时间。
因此，在本实施例中，为了防止由于从这样的静电吸盘24分离掩模M所花费的时间而使整体的工序时间(节拍)增加，在掩模M吸附于静电吸盘24之后，在规定的时刻将施加于静电吸盘24的电压降低到第4电压(ΔV4)。
在图5所示的实施例中，将施加于静电吸盘24的第1吸附部41～第3吸附部43的电压同时降低到第4电压(ΔV4)，但本发明并不限定于此，也可以针对不同的吸附部，使降低到第4电压(ΔV4)的时刻、所施加的第4电压(ΔV4)的大小分别不同。例如，也可以从第1吸附部41朝向第3吸附部43依次降低到第4电压(ΔV4)。
这样，在使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的状态下，进行从蒸发源25蒸发的蒸镀材料隔着掩模M在基板S上成膜的成膜工序。在本实施例中，说明了利用静电吸盘24的静电吸附力保持掩模M，但本发明并不限定于此，也可以通过在静电吸盘24的上部追加设置磁铁板，利用磁铁板对金属制的掩模M施加磁力，从而更可靠地使掩模M紧贴于基板S。
(基板S和掩模M自静电吸盘24的分离)
在将基板S和掩模M吸附于静电吸盘24的状态下完成成膜工序时，通过施加于静电吸盘24的电压控制，将所吸附的基板S和掩模M从静电吸盘24分离。
图6表示将基板S和掩模M从静电吸盘24分离的工序。
如图6(a)所示，电压控制部32将施加于静电吸盘24的电极部的电压从作为上述吸附维持电压的第4电压(ΔV4)变更为能够分离掩模M的第5电压(ΔV5)。在此，第5电压(ΔV5)是用于在维持静电吸盘24对基板S的吸附状态的同时仅将隔着基板S吸附的掩模M分离的掩模分离电压，相当于第1分离电压。因此，第5电压(ΔV5)是比使掩模M吸附维持于静电吸盘24时所施加的第4电压(ΔV4)低的、当然也比使掩模M吸附于静电吸盘24时所施加的第3电压(ΔV3)低的大小的电压。而且，第5电压(ΔV5)是即使掩模M被分离，也能够维持静电吸盘24对基板S的吸附状态的大小的电压。
作为一例，第5电压(ΔV5)也可以是与前述的第2电压(ΔV2)实质上具有相同大小的电压。但是，本实施例不限定于此，只要能够在维持静电吸盘24对基板S的吸附状态的同时仅分离掩模M，第5电压(ΔV5)也可以比第2电压(ΔV2)高或者比第2电压(ΔV2)低。但是，如上所述，第5电压(ΔV5)也是比第3电压(ΔV3)和第4电压(ΔV4)低的电压。
若施加于静电吸盘24的电压降低到与第2电压(ΔV2)实质上相同的第5电压(ΔV5)，则与此相应地，在掩模M上感应出的电荷量也与被施加第2电压(ΔV2)的情况实质上相同程度地减少。其结果，维持静电吸盘24对基板S的吸附状态，但不维持掩模M的吸附状态地使掩模M从静电吸盘24分离。
虽然省略了详细的图示，但在将施加于静电吸盘24的电压降低到作为掩模分离电压的第5电压(ΔV5)的图6(a)的工序中，优选进行控制，以针对静电吸盘24的不同的吸附部，使降低到第5电压(ΔV5)的时刻不同。特别是如上所述，在吸附掩模M的工序中从第1吸附部41朝向第3吸附部43依次施加掩模吸附电压(ΔV3)而使其吸附的情况下(参照图5(b)～图5(d))，优选在掩模M分离时也同样地进行控制，以从第1吸附部41朝向第3吸附部43依次施加作为掩模分离电压的第5电压(ΔV5)。
即，进行控制，以对先被施加了吸附电压的区域也先施加分离电压。
在与先被施加了吸附电压的静电吸盘电极部(在上述的例子中为第1吸附部41)对应的掩模M的区域的情况下，同与后被施加吸附电压的静电吸盘电极部(在上述的例子中为第3吸附部43)对应的掩模M的区域相比，吸附于静电吸盘24的期间长，因此，相应地残留在该区域中的极化电荷量的大小也大。
在本发明的实施方式中，通过进行控制以这样地从吸附期间相对长、极化电荷量的大小相对大的区域依次施加掩模分离电压(ΔV5)，能够进一步缩短从静电吸盘24到掩模M整体被分离为止的时间。另外，通过这样使被施加掩模分离电压(ΔV5)的区域从基于吸附的极化电荷量的大小较大的区域起依次扩展，能够使掩模M面内的从静电吸盘24的分离时刻均匀化。
另一方面，除了针对静电吸盘24的不同的吸附部使降低到第5电压(ΔV5)的时刻不同以外，也可以针对不同的吸附部而改变所施加的第5电压(ΔV5)的大小。即，在上述的例子的情况下，也可以进行控制，以对先被施加了吸附电压的静电吸盘电极部(第1吸附部41)施加成为较小的绝对值的掩模分离电压(ΔV5)，并对延迟被施加吸附电压的静电吸盘电极部(第3吸附部43)施加成为较大的绝对值的掩模分离电压(ΔV5)。这样，即使进行控制，以在能够进行掩模分离的电压的范围内，按照吸附电压被施加的顺序，使作为掩模分离电压而施加的第5电压(ΔV5)的大小针对不同的吸附区域而不同，也能够得到同样的效果。
返回到图6，在成为这样地掩模M被分离而仅基板S被吸附维持于静电吸盘24的状态时，利用静电吸盘Z致动器28使吸附有基板S的静电吸盘24上升(图6(b))。
接着，电压控制部32将施加于静电吸盘24的电极部的电压从第5电压(ΔV5)变更为第6电压(ΔV6)(图6(c))。在此，第6电压(ΔV6)是用于将吸附于静电吸盘24的基板S从静电吸盘24分离的基板分离电压，相当于第2分离电压。因此，第6电压(ΔV6)是比在仅将基板S吸附维持于静电吸盘24时施加的第5电压(ΔV5)低的大小的电压。
例如，电压控制部32也可以对静电吸盘24的电极部施加零(0)电压(即，断开)作为第6电压(ΔV6)，或者将相反极性的电压作为第6电压(ΔV6)来施加。其结果，在基板S上感应出的极化电荷被去除，基板S从静电吸盘24分离。
并且，虽然省略了详细的图示，但在将施加于静电吸盘24的电压降低到作为基板分离电压的第6电压(ΔV6)的图6(c)的工序中，也能够与上述的掩模分离电压(第5电压ΔV5)施加时同样地，针对静电吸盘24的不同的吸附部使降低到第6电压(ΔV6)的时刻不同、或者将所施加的第6电压(ΔV6)的大小针对吸附部的不同而控制成不同的电压值。
即，在吸附基板S的工序中从第1吸附部41朝向第3吸附部43依次施加基板吸附电压(ΔV1)而使其吸附的情况下(参照图4(b)～图4(d))，优选在分离基板S时也同样地进行控制，以从第1吸附部41朝向第3吸附部43依次施加基板分离电压(ΔV6)。即，先对作为先被施加了吸附电压的区域的第1吸附部41施加基板分离电压(ΔV6)，接着，对第2吸附部42施加基板分离电压(ΔV6)。最后，对后被施加了吸附电压的第3吸附部施加基板分离电压(ΔV6)。或者，优选进行控制，以在能够进行掩模分离的电压的范围内，按照吸附电压被施加的顺序，使板分离电压(ΔV6)的大小针对不同的吸附区域而不同，即，进行控制，对先被施加了吸附电压的第1吸附部41施加成为较小的绝对值的基板分离电压(ΔV6)，并对延迟被施加吸附电压的第3吸附部43施加成为较大的绝对值的基板分离电压(ΔV6)。
由此，与上述的掩模M分离时同样地，能够进一步缩短直到从静电吸盘24分离基板S整体为止的时间，另外，能够使基板S的面内的从静电吸盘24的分离时刻均匀化。另外，如上所述，构成各吸附部的子电极部能够独立地进行电压控制。因此，不仅能够从如上述说明的第1吸附部朝向第3吸附部依次施加掩模分离电压(ΔV5)、基板分离电压(ΔV6)，还能够在变更了掩模分离电压(ΔV5)、基板分离电压(ΔV6)的电压值后，对各个吸附部同时施加。而且，也可以同时进行根据各吸附部分别变更掩模分离电压(ΔV5)和基板分离电压(ΔV6)的电压值的控制和改变施加电压的顺序的控制。通过适当地进行两个控制，能够使来自静电吸盘24的分离时刻更高效地均匀化。以上，假定掩模分离电压(ΔV5)和基板分离电压(ΔV6)的极性相对于吸附电压为相同极性的情况进行了说明，但本发明不限于此。即，施加的电压也可以将与吸附电压相反极性的电压作为掩模分离电压、基板分离电压来施加。在该情况下，吸附电压被施加的顺序越靠前的吸附部，对其施加的电压的电压值的绝对值越大，只要是这样即可。此外，对各吸附部施加的分离电压根据每个吸附部的极化电荷量的大小而不同，因此，例如也有时对第1吸附部施加与吸附电压相同极性的分离电压，并对第3吸附部施加与吸附电压相反极性的分离电压。
以下，参照图7，对在利用静电吸盘24吸附并保持基板S和掩模M的过程中，对静电吸盘24的电极部或子电极部施加的电压的控制进行说明。
首先，为了使基板S吸附于静电吸盘24，在规定的时刻(t1)对静电吸盘24的电极部或子电极部施加第1电压(ΔV1)。
第1电压(ΔV1)具有能够获得足以使基板S吸附于静电吸盘24的静电吸附力的大小，为了缩短从对静电吸盘24的电极部或子电极部施加第1电压起到在基板S上产生极化电荷为止所花费的时间，优选为尽可能大的电压。例如，优选施加能够由电压施加部31施加的最大电压(ΔVmax)。
接着，利用所施加的第1电压在基板S上感应极化电荷，在基板S以充分的静电吸附力吸附于静电吸盘24之后(t＝t2)，将施加于静电吸盘24的电极部或子电极部的电压降低到第2电压(ΔV2)。第2电压(ΔV2)例如只要是能够维持基板S吸附于静电吸盘24的状态的最低的电压(ΔVmin)即可。
而且，为了使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24，将施加于静电吸盘24的电极部或子电极部的电压提高至第3电压(ΔV3)(t＝t3)。第3电压(ΔV3)是用于使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的电压，因此优选具有第2电压(ΔV2)以上的大小，更优选为考虑工序时间而电压施加部31能够施加的最大电压(ΔVmax)。
在本实施方式中，为了缩短在成膜工序后将基板S以及掩模M从静电吸盘24分离所花费的时间，将施加于静电吸盘24的电极部或者子电极部的电压不维持在第3电压(ΔV3)而降低到较小的第4电压(ΔV4)(t＝t4)。但是，为了维持掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的状态，第4电压(ΔV4)优选为仅维持基板S吸附于静电吸盘24的状态所需的第2电压(ΔV2)以上的电压。
在成膜工序完成后(t5)，为了将掩模M从静电吸盘24分离，首先，将施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到仅能够维持基板S的吸附状态的第5电压(ΔV5)。第5电压(ΔV5)是与使掩模M分离而仅维持基板S吸附于静电吸盘24的状态所需的第2电压(ΔV2)实质上相同的大小的电压。作为一例，第5电压(ΔV5)优选为使掩模M分离而仅维持基板S吸附于静电吸盘24的状态所需的最小电压(ΔVmin)。此外，至此说明的施加电压的大小关系是对静电吸盘24的电极部或子电极部施加的电压的极性全部为相同极性的情况。在作为分离电压的第5电压(ΔV5)和第6电压(ΔV6)相对于作为吸附电压的第1～4电压为相反极性的情况下，第1电压～第6电压的绝对值的大小关系成为图7所示的关系。
由此，在掩模M分离后，使施加于静电吸盘24的电极部的电压的电压值降低到零(0)(即，断开)或施加相反极性的电压(t＝t6)。由此，在基板S上感应出的极化电荷被去除，基板S能够从静电吸盘24分离。
[成膜工艺]
以下，对采用本实施方式的静电吸盘的电压控制的成膜方法进行说明。
在掩模M被载置于真空容器21内的掩模支承单元23的状态下，通过搬送室13的搬送机器人14将基板搬入成膜装置11的真空容器21内。
进入真空容器21内的搬送机器人14的手下降，将基板S载置于基板支承单元22的支承部上。
接着，静电吸盘24朝向基板S下降，在充分接近或接触到基板S之后，对静电吸盘24施加第1电压(ΔV1)，吸附基板S。
在本发明的一实施方式中，为了最大限度地确保将基板从静电吸盘24分离所需的时间，在基板向静电吸盘24的吸附完成之后，将施加于静电吸盘24的电压从第1电压(ΔV1)降低到第2电压(ΔV2)。即使将施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压(ΔV2)，由于在通过第1电压(ΔV1)在基板感应出的极化电荷被放电之前需要时间，所以也能够在以后的工序中维持静电吸盘24对基板的吸附力。
在静电吸盘24上吸附有基板S的状态下，为了测量基板S相对于掩模M的相对的位置偏移，使基板S朝向掩模M下降。在本发明的其它的实施方式中，为了可靠地防止在吸附于静电吸盘24的基板的下降的过程中基板从静电吸盘24脱落，在基板的下降过程完成后(即，在后述的对准工序即将开始之前)，将施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压(ΔV2)。
当基板S降低到测量位置时，利用对准用照相机20对形成在基板S和掩模M上的对准标记进行拍摄，测量基板与掩模的相对的位置偏移。在本发明的其它的实施方式中，为了进一步提高基板与掩模的相对的位置的测量工序的精度，在用于对准的测量工序完成之后(对准工序中)，将施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压。即，通过对在利用第1电压(ΔV1)使静电吸盘24较强地吸附基板的状态(更平坦地维持基板的状态)下的基板和掩模的对准标记进行拍摄，能够提高测量工序的精度。
作为测量的结果，如果判明基板相对于掩模的相对的位置偏移超过阈值，则使被吸附于静电吸盘24的状态的基板S在水平方向(XYθ方向)上移动，将基板相对于掩模进行位置调整(对准)。在本发明的其它的实施方式中，在完成这样的位置调整的工序之后，将施加于静电吸盘24的电压降低到第2电压(ΔV2)。由此，能够遍及整个对准工序(相对的位置测量或位置调整)进一步提高精度。
在对准工序之后，使掩模M隔着基板S而吸附于静电吸盘24。因此，对静电吸盘24的电极部或子电极部施加具有第2电压以上的大小的第3电压(ΔV3)。
在完成这样的掩模M的吸附工序之后，将施加于静电吸盘24的电极部或子电极部的电压降低到能够维持基板和掩模被吸附于静电吸盘24的状态的电压即第4电压(ΔV4)。由此，能够缩短在成膜工序完成后将基板S以及掩模M从静电吸盘24分离所花费的时间。
接着，打开蒸发源25的挡板，将蒸镀材料隔着掩模蒸镀到基板S上。
蒸镀到所希望的厚度后，将施加于静电吸盘24的电极部或子电极部的电压降低到第5电压(ΔV5)而分离掩模M，在仅基板吸附于静电吸盘24的状态下，利用静电吸盘Z致动器28使基板上升。在此，第5电压(ΔV5)是维持掩模M被分离、仅基板S吸附于静电吸盘24的状态所需的大小，且是与第2电压(ΔV2)实质上相同大小的电压。
并且，搬送机器人14的手进入成膜装置11的真空容器21内，对静电吸盘24的电极部或者子电极部施加零(0)或相反极性的电压(ΔV6)(t6)，基板从静电吸盘24分离。然后，通过搬送机器人14将蒸镀已完成的基板从真空容器21搬出。
[电子器件的制造方法]
接着，说明使用本实施例的成膜装置的电子器件的制造方法的一例。以下，作为电子器件的例子，例示有机EL显示装置的结构和制造方法。
首先，说明要制造的有机EL显示装置。图8(a)表示有机EL显示装置60的整体图，图8(b)表示1像素的截面构造。
如图8(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61呈矩阵状配置有多个具备多个发光元件的像素62。后面详细说明，发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。另外，在此所说的像素，是指在显示区域61中能够显示所希望的颜色的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下，通过显示互不相同的发光的第1发光元件62R、第2发光元件62G、第3发光元件62B的组合而构成像素62。像素62大多通过红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合而构成，但是也可以通过黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合而构成，只要是至少1种颜色以上就没有特别制限。
图8(b)是图8(a)的A－B线处的局部剖视示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件，该有机EL元件具备阳极64、空穴输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一方、电子输送层67、阴极68。它们当中的空穴输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。此外，在本实施方式中，发光层66R是发出红色光的有机EL层，发光层66G是发出绿色光的有机EL层，发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记载为有机EL元件)相对应的图案。此外，阳极64针对每一个发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67和阴极68既可以以与多个发光元件62R、62G、62B共有的方式形成，也可以针对每一个发光元件而形成。另外，为了防止阳极64和阴极68因异物而短路，在阳极64间设有绝缘层69。而且，由于有机EL层因水分和氧而劣化，所以设有用于保护有机EL元件免受水分和氧影响的保护层70。
在图8(b)中，空穴输送层65和电子输送层67以一个层表示，但是根据有机EL显示元件的构造，也可以以包括空穴阻挡层和电子阻挡层在内的多个层形成。此外，也能够在阳极64与空穴输送层65之间形成空穴注入层，该空穴注入层具有能够从阳极64向空穴输送层65顺利地进行空穴的注入的能带构造。同样地，也能够在阴极68与电子输送层67之间形成电子注入层。
接着，具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。
首先，准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有阳极64的基板63。
在形成有阳极64的基板63之上通过旋转涂覆形成丙烯酸树脂，利用光刻法，以在形成有阳极64的部分形成开口的方式将丙烯酸树脂形成图案并形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将图案形成有绝缘层69的基板63搬入第1有机材料成膜装置，由基板保持单元和静电吸盘保持基板，将空穴输送层65作为在显示区域的阳极64之上共同的层而成膜。空穴输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上由于空穴输送层65被形成为比显示区域61大的尺寸，所以不需要高精细的掩模。
接着，将形成有空穴输送层65为止的基板63搬入第2有机材料成膜装置，由基板保持单元和静电吸盘保持。进行基板与掩模的对准，将基板载置在掩模上，在基板63的配置发出红色光的元件的部分，成膜发出红色光的发光层66R。
与发光层66R的成膜同样地，利用第3有机材料成膜装置成膜发出绿色光的发光层66G，而且利用第4有机材料成膜装置成膜发出蓝色光的发光层66B。发光层66R、66G、66B的成膜完成之后，利用第5成膜装置在显示区域61的整体成膜电子输送层67。电子输送层67对3色的发光层66R、66G、66B形成为共同的层。
将形成有电子输送层67为止的基板移动到金属性蒸镀材料成膜装置，成膜阴极68。
根据本发明，在使基板和掩模吸附于静电吸盘24之后，在规定的时刻预先降低对静电吸盘24施加的电压。并且，在完成成膜工序之后，在将基板和掩模从静电吸盘依次分离时，施加于静电吸盘24的电压维持对基板的吸附，但降低到能够仅分离掩模的电压，先从静电吸盘24分离掩模。之后，使施加于静电吸盘24的电压的电压值降低到零(0)(即，断开)或对静电吸盘24施加相反极性的电压，将基板从静电吸盘24分离。其结果，能够缩短将基板和掩模的至少一方从静电吸盘24分离所花费的时间，减少工序时间。
之后，将基板移动到等离子体CVD装置而成膜保护层70，完成有机EL显示装置60。
从将图案形成有绝缘层69的基板63搬入成膜装置到保护层70的成膜完成为止，若暴露于含有水分和氧的气氛中，则由有机EL材料构成的发光层有可能因水分和氧而劣化。因而，本实施例中，基板在成膜装置间的搬入搬出在真空气氛或非活性气体气氛下进行。
上述实施例仅是本发明的一个例子，但本发明并不限定于上述实施例的结构，也可以在其技术思想的范围内适当地变形。

Claims (33)

1.一种静电吸盘系统，其特征在于，
该静电吸盘系统包括：
静电吸盘，包括多个电极部；
电压施加部，用于对所述静电吸盘的所述电极部施加电压；以及
电压控制部，用于控制基于所述电压施加部的电压施加，
所述电压控制部对所述电压施加部进行控制，以对吸附有第1被吸附体并隔着所述第1被吸附体吸附有第2被吸附体的所述静电吸盘的所述多个电极部分别独立地施加用于使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的第1分离电压。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘系统，其特征在于，
所述电压控制部对所述电压施加部进行控制，以在通过施加所述第1分离电压而使所述第2被吸附体分离之后，对所述多个电极部分别独立地施加使所述第1被吸附体从所述静电吸盘分离的第2分离电压。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘系统，其特征在于，
所述第1分离电压是在维持第1被吸附体吸附于所述静电吸盘的状态下仅使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的电压。
4.根据权利要求2或3所述的静电吸盘系统，其特征在于，
所述第1分离电压的绝对值大于所述第2分离电压的绝对值。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的静电吸盘系统，其特征在于，
所述第2分离电压是电压值为零或者与使所述第1被吸附体以及所述第2被吸附体吸附于所述静电吸盘时的吸附电压相反极性的电压。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的静电吸盘系统，其特征在于，
在对所述多个电极部分别独立地施加所述第1分离电压时，进行控制，以使所述第1分离电压分别向所述多个电极部施加的施加时期不同。
7.根据权利要求6所述的静电吸盘系统，其特征在于，
所述第1分离电压分别向所述多个电极部施加的施加时期的控制为，进行控制，以与对所述多个电极部分别施加使所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附时的吸附电压的顺序相同的顺序，对所述多个电极部分别施加所述第1分离电压。
8.根据权利要求2～7中任一项所述的静电吸盘系统，其特征在于，
在对所述多个电极部分别独立地施加所述第1分离电压时，进行控制，以使对所述多个电极部分别施加的所述第1分离电压的大小不同。
9.根据权利要求8所述的静电吸盘系统，其特征在于，
对所述多个电极部分别施加的第1分离电压的大小的控制为，进行控制，以在所述第1分离电压为与所述吸附电压相同极性的电压的情况下，按照对所述多个电极部分别施加使所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附时的吸附电压的顺序，对所述多个电极部中的先被施加了使所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附时的吸附电压的电极部，施加绝对值较小的电压。
10.根据权利要求8所述的静电吸盘系统，其特征在于，
对所述多个电极部分别施加的第1分离电压的大小的控制为，进行控制，以在所述第1分离电压相对于所述吸附电压为相反极性的电压的情况下，按照对所述多个电极部分别施加使所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附时的吸附电压的顺序，对所述多个电极部中的先被施加了使所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附时的吸附电压的电极部，施加绝对值较大的电压。
11.根据权利要求2～10中任一项所述的静电吸盘系统，其特征在于，
在对所述多个电极部分别独立地施加所述第2分离电压时，进行控制，以使所述第2分离电压向所述多个电极部分别施加的施加时期不同。
12.根据权利要求11所述的静电吸盘系统，其特征在于，
所述第2分离电压分别向所述多个电极部施加的施加时期的控制为，进行控制，以与对所述多个电极部分别施加使所述第1被吸附体吸附于所述电极部时的吸附电压的顺序相同的顺序，对所述多个电极部分别施加所述第2分离电压。
13.根据权利要求2～12中任一项所述的静电吸盘系统，其特征在于，
在对所述多个电极部分别独立地施加所述第2分离电压时，进行控制，以使对所述多个电极部分别施加的所述第2分离电压的大小不同。
14.根据权利要求13所述的静电吸盘系统，其特征在于，
对所述多个电极部分别施加的所述第2分离电压的大小的控制为，进行控制，以在所述第2分离电压为与所述吸附电压相同极性的电压的情况下，按照对所述多个电极部分别施加使所述第1被吸附体吸附于所述电极部时的吸附电压的顺序，对所述多个电极部中的先被施加了使所述第1被吸附体吸附于所述电极部时的吸附电压的电极部，施加绝对值较小的电压。
15.根据权利要求13所述的静电吸盘系统，其特征在于，
对所述多个电极部分别施加的所述第2分离电压的大小的控制为，进行控制，以在所述第2分离电压相对于所述吸附电压为相反极性的电压的情况下，按照对所述多个电极部分别施加使所述第1被吸附体吸附于所述电极部时的吸附电压的顺序，对所述多个电极部中的先被施加了使所述第1被吸附体吸附于所述电极部时的吸附电压的电极部，施加绝对值较大的电压。
16.一种成膜装置，是用于隔着掩模对基板进行成膜的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置包括用于吸附作为第1被吸附体的基板和作为第2被吸附体的掩模的权利要求1～15中任一项所述的静电吸盘系统。
17.一种被吸附体分离方法，是用于从包括多个电极部在内的静电吸盘的所述电极部分离被吸附体的方法，其特征在于，
该被吸附体分离方法包括对吸附有第1被吸附体并隔着所述第1被吸附体吸附有第2被吸附体的所述静电吸盘的所述电极部施加用于使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的第1分离电压的工序，
在施加所述第1分离电压的工序中，进行控制，以对所述多个电极部分别独立地施加所述第1分离电压。
18.根据权利要求17所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
该被吸附体分离方法还包括如下工序：在通过施加所述第1分离电压而使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离之后，对所述多个电极部分别独立地施加使所述第1被吸附体从所述静电吸盘分离的第2分离电压。
19.根据权利要求18所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
所述第1分离电压是在维持第1被吸附体吸附于所述电极部的状态下仅使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的电压。
20.根据权利要求18或19所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
所述第1分离电压的绝对值大于所述第2分离电压的绝对值。
21.根据权利要求18～20中任一项所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
所述第2分离电压是电压值为零或者与使所述第1被吸附体以及所述第2被吸附体吸附于所述静电吸盘时的吸附电压相反极性的电压。
22.根据权利要求18～21中任一项所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
在对所述多个电极部分别独立地施加所述第1分离电压时，进行控制，以使所述第1分离电压分别向所述多个电极部施加的施加时期不同。
23.根据权利要求22所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
所述第1分离电压分别向所述多个电极部施加的施加时期的控制为，进行控制，以与对所述多个电极部分别施加使所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附时的吸附电压的顺序相同的顺序，对所述多个电极部分别施加所述第1分离电压。
24.根据权利要求18～23中任一项所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
在对所述多个电极部分别独立地施加所述第1分离电压时，进行控制，以使对所述多个电极部分别施加的所述第1分离电压的大小不同。
25.根据权利要求24所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
对所述多个电极部分别施加的所述第1分离电压的大小的控制为，进行控制，以在所述第1分离电压为与所述吸附电压相同极性的电压的情况下，按照对所述多个电极部分别施加使所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附时的吸附电压的顺序，对所述多个电极部中的先被施加了使所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附时的吸附电压的电极部，施加绝对值较小的所述第1分离电压。
26.根据权利要求24所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
对所述多个电极部分别施加的所述第1分离电压的大小的控制为，进行控制，以在所述第1分离电压相对于所述吸附电压为相反极性的电压的情况下，按照对所述多个电极部分别施加使所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附时的吸附电压的顺序，对所述多个电极部中的先被施加了使所述第2被吸附体隔着所述第1被吸附体吸附时的吸附电压的电极部，施加绝对值较大的所述第1分离电压。
27.根据权利要求18～26中任一项所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
在对所述多个电极部分别独立地施加所述第2分离电压时，进行控制，以使所述第2分离电压向所述多个电极部分别施加的施加时期不同。
28.根据权利要求27所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
所述第2分离电压分别向所述多个电极部施加的施加时期的控制为，进行控制，以与对所述多个电极部分别施加使所述第1被吸附体吸附于所述电极部时的吸附电压的顺序相同的顺序，对所述多个电极部分别施加所述第2分离电压。
29.根据权利要求18～28中任一项所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
在对所述多个电极部分别独立地施加所述第2分离电压时，进行控制，以使对所述多个电极部分别施加的所述第2分离电压的大小不同。
30.根据权利要求29所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
对所述多个电极部分别施加的所述第2分离电压的大小的控制为，进行控制，以在所述第2分离电压为与所述吸附电压相同极性的电压的情况下，按照对所述多个电极部分别施加使所述第1被吸附体吸附于所述电极部时的吸附电压的顺序，对所述多个电极部中的先被施加了使所述第1被吸附体吸附于所述电极部时的吸附电压的电极部，施加绝对值较小的所述第2分离电压。
31.根据权利要求29所述的被吸附体分离方法，其特征在于，
对所述多个电极部分别施加的所述第2分离电压的大小的控制为，进行控制，以在所述第2分离电压相对于所述吸附电压为相反极性的电压的情况下，按照对所述多个电极部分别施加使所述第1被吸附体吸附于所述电极部时的吸附电压的顺序，对所述多个电极部中的先被施加了使所述第1被吸附体吸附于所述电极部时的吸附电压的电极部，施加绝对值较大的所述第2分离电压。
32.一种成膜方法，是在基板上隔着掩模对蒸镀材料进行成膜的成膜方法，其特征在于，
该成膜方法包括：
向真空容器内搬入所述掩模的工序；
向所述真空容器内搬入所述基板的工序；
对静电吸盘的电极部施加第1吸附电压，将所述基板吸附于静电吸盘的工序；
对所述电极部施加第2吸附电压，将所述掩模隔着所述基板吸附于所述静电吸盘的工序；
在所述基板和所述掩模被吸附于所述静电吸盘的状态下，使蒸镀材料蒸发，在所述基板上隔着所述掩模对蒸镀材料进行成膜的工序；以及
使用权利要求17～31中任一项所述的被吸附体分离方法，从所述静电吸盘依次分离作为第2被吸附体的所述掩模和作为第1被吸附体的所述基板的工序。
33.一种电子器件的制造方法，其特征在于，
使用权利要求32所述的成膜方法来制造电子器件。
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