CN111128836B

CN111128836B - 吸附系统及方法、成膜装置及方法、电子器件的制造方法

Info

Publication number: CN111128836B
Application number: CN201910478797.9A
Authority: CN
Inventors: 柏仓一史; 石井博
Original assignee: Canon Tokki Corp
Current assignee: Canon Tokki Corp
Priority date: 2018-10-31
Filing date: 2019-06-04
Publication date: 2023-11-14
Anticipated expiration: 2039-06-04
Also published as: KR102590797B1; JP7336867B2; JP2020070492A; KR20200048915A; CN111128836A

Abstract

本发明涉及吸附系统及方法、成膜装置及方法、电子器件的制造方法。本发明一实施方式的吸附系统用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：用于吸附所述第一被吸附体并隔着所述第一被吸附体吸附所述第二被吸附体的静电吸盘；用于在利用所述静电吸盘吸附了所述第一被吸附体以及所述第二被吸附体的状态下至少对所述第二被吸附体进行拍摄的光学构件；以及基于利用所述光学构件取得的图像，对所述第一被吸附体和所述第二被吸附体是否紧贴进行判定的判定构件。根据本发明，在进入成膜工序之前，对掩模相对于基板的紧贴状态、即在被基板吸附的掩模上是否产生折皱进行确认，从而将由紧贴不良引起的成膜不良防范于未然。

Description

吸附系统及方法、成膜装置及方法、电子器件的制造方法

技术领域

本发明涉及吸附系统及方法、成膜装置及方法、电子器件的制造方法。

背景技术

在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)时，将从成膜装置的蒸镀源蒸发的蒸镀材料经由形成有像素图案的掩模蒸镀到基板上，从而形成有机物层、金属层。

在向上蒸镀方式(Depo-up：向上沉积)的成膜装置中，蒸镀源设置在成膜装置的真空容器的下部，基板配置在真空容器的上部，向基板的下表面进行蒸镀。在这样的向上蒸镀方式的成膜装置的真空容器内，由于基板仅其下表面的周边部由基板支架保持，因此，基板因其自重而挠曲，这成为蒸镀精度下降的一个主要原因。在向上蒸镀方式以外的方式的成膜装置中，也有可能因基板的自重而产生挠曲。

作为用于降低由基板的自重引起的挠曲的方法，正在研究使用静电吸盘的技术。即，通过利用静电吸盘对基板的整个上表面进行吸附，从而可以降低基板的挠曲。

在专利文献1(韩国专利公开公报2007-0010723号)中，提出有利用静电吸盘来吸附基板以及掩模的技术。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：韩国专利公开公报2007-0010723号

但是，专利文献1没有公开能够监视被静电吸盘吸附的基板和掩模之间的紧贴状态的结构。

掩模相对于基板的紧贴度降低是带来成膜不良的主要原因之一。为了减少该紧贴度降低，如专利文献1那样，新提出了使用静电吸盘来吸附基板和掩模的方式，另外，在这样的方式中，进行了通过改善对静电吸盘施加电压的电压施加方式以使掩模尽可能不残留折皱并且紧贴于基板的各种尝试。

但是，尽管进行了上述各种尝试，随着作为成膜对象的基板以及掩模的大型化，依然有可能产生如下问题等，即，产生在残留有折皱的状态下进行吸附的吸附不良，或者在正常地进行吸附后因未预料的吸附度降低而导致掩模从基板的成膜面离开并在掩模的中央部等再次产生折皱。

发明内容

本发明的目的在于：在进入成膜工序之前，对掩模相对于基板的紧贴状态、即在被基板吸附的掩模上是否产生折皱进行确认，从而将由紧贴不良引起的成膜不良防范于未然。

用于解决课题的方案

本发明的一实施方式的吸附系统用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：静电吸盘，所述静电吸盘用于吸附所述第一被吸附体并隔着所述第一被吸附体吸附所述第二被吸附体；光学构件，所述光学构件用于在利用所述静电吸盘吸附了所述第一被吸附体以及所述第二被吸附体的状态下至少对所述第二被吸附体进行拍摄；以及判定构件，所述判定构件基于利用所述光学构件取得的图像，对所述第一被吸附体和所述第二被吸附体是否紧贴进行判定。

本发明的另一实施方式的吸附系统用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：吸附构件，所述吸附构件用于隔着所述第一被吸附体吸附所述第二被吸附体；光学构件，所述光学构件用于在利用所述吸附构件隔着所述第一被吸附体吸附了所述第二被吸附体的状态下至少对所述第二被吸附体进行拍摄；以及判定构件，所述判定构件基于利用所述光学构件取得的图像，对所述第一被吸附体和所述第二被吸附体是否紧贴进行判定。

本发明的一实施方式的成膜装置用于经由掩模在基板上进行成膜，其特征在于，包括隔着作为第一被吸附体的所述基板对作为第二被吸附体的所述掩模进行吸附的吸附系统，所述吸附系统是上述本发明的实施方式的吸附系统。

本发明的一实施方式的吸附方法用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：利用静电吸盘吸附第一被吸附体的阶段；利用所述静电吸盘隔着所述第一被吸附体吸附第二被吸附体的阶段；利用光学构件至少对所述第二被吸附体进行拍摄的阶段；以及基于利用所述光学构件取得的图像，对所述第一被吸附体和所述第二被吸附体是否紧贴进行判定的阶段。

本发明的另一实施方式的吸附方法用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：隔着所述第一被吸附体吸附所述第二被吸附体的阶段；利用光学构件至少对所述第二被吸附体进行拍摄的阶段；以及基于利用所述光学构件取得的图像，对所述第一被吸附体和所述第二被吸附体是否紧贴进行判定的阶段。

本发明的一实施方式的成膜方法用于将蒸镀材料经由掩模成膜到基板上，其特征在于，包括：使用上述本发明的实施方式的吸附方法，隔着作为第一被吸附体的所述基板对作为第二被吸附体的所述掩模进行吸附的阶段；以及在吸附了所述掩模的状态下，使蒸镀材料放出，经由所述掩模在所述基板上成膜蒸镀材料的阶段。

本发明的一实施方式的电子器件的制造方法的特征在于，使用上述本发明的一实施方式的成膜方法来制造电子器件。

根据本发明，在进入成膜工序之前，对掩模相对于基板的紧贴状态、即在被基板吸附的掩模上是否产生折皱进行确认，从而将由紧贴不良引起的成膜不良防范于未然。

附图说明

图1是电子器件的制造装置的一部分的示意图。

图2是本发明的一实施方式的成膜装置的示意图。

图3的(a)～(c)是本发明的一实施方式的静电吸盘系统的概念图以及示意图。

图4的(a)～(e)是表示基板向静电吸盘的吸附顺序的工序图。

图5的(a)～(e)是表示掩模向静电吸盘的吸附顺序的工序图。

图6的(a)～(c)是表示掩模以及基板从静电吸盘的分离顺序的工序图。

图7是表示施加于静电吸盘的电压的变化的图表。

图8是表示基板和掩模位置对齐时的对准标记的位置关系的俯视图。

图9的(a)是表示在掩模的中央部残留有折皱的状态的图，图9的(b)是表示产生折皱时的对准标记的对齐偏移图案的例子的图。

图10的(a)～(b)是表示掩模整体在一个方向上位置偏移的情况下的、对准标记的对齐偏移图案的例子的图。

图11的(a)～(b)是表示电子器件的示意图。

附图标记说明

S：基板

M：掩模

20：光学构件

24：静电吸盘

Ps：基板对准标记

Pm：掩模对准标记

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的优选实施方式以及实施例进行说明。但是，以下的实施方式以及实施例仅仅例示性地示出本发明的优选结构，本发明的范围并不限定于这些结构。另外，以下说明中的、装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别特定性的记载，其主旨并非将本发明的范围仅限定于此。

本发明可以应用于在基板的表面堆积各种材料而进行成膜的装置，可以优选应用于通过真空蒸镀而形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，可以选择玻璃、高分子材料的薄膜、金属等任意材料，基板例如可以是在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等薄膜的基板。另外，作为蒸镀材料，也可以选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意材料。需要说明的是，除了在以下的说明中说明的真空蒸镀装置以外，在包括溅射装置、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置在内的成膜装置中也可以应用本发明。本发明的技术具体而言可以应用于有机电子器件(例如，有机发光元件、薄膜太阳能电池)、光学部件等的制造装置。其中，通过使蒸镀材料蒸发并经由掩模蒸镀到基板上而形成有机发光元件的有机发光元件的制造装置是本发明的优选应用例之一。

<电子器件的制造装置>

图1是示意性地表示电子器件的制造装置的局部结构的俯视图。

图1的制造装置例如用于制造智能手机用的有机EL显示装置的显示面板。在智能手机用的显示面板的情况下，例如，在4.5代的基板(约700mm×约900mm)或6代的全尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切割尺寸(约1500mm×约925mm)的基板上，进行用于形成有机EL元件的成膜后，将该基板切下而制作成多个小尺寸的面板。

电子器件的制造装置一般而言包括多个群组装置1和将群组装置之间相连的中继装置。

群组装置1具备：对基板S进行处理(例如，成膜)的多个成膜装置11、收纳使用前后的掩模M的多个掩模储备装置12、以及配置在其中央的输送室13。如图1所示，输送室13与多个成膜装置11以及掩模储备装置12分别连接。

在输送室13内配置有输送基板以及掩模的输送机器人14。输送机器人14将基板S从配置在上游侧的中继装置的通路室15向成膜装置11输送。另外，输送机器人14在成膜装置11与掩模储备装置12之间输送掩模M。输送机器人14例如是具有如下结构的机器人，即在多关节臂上安装有保持基板S或掩模M的机械手。

在成膜装置11(也称为蒸镀装置)中，蒸镀源所收纳的蒸镀材料被加热器加热而蒸发，经由掩模蒸镀到基板上。与输送机器人14之间的基板S的交接、基板S和掩模M的相对位置的调整(对准)、基板S向掩模M上的固定、成膜(蒸镀)等一系列的成膜处理由成膜装置11进行。

在掩模储备装置12中，成膜装置11中的成膜工序要使用的新的掩模和已使用的掩模分开收纳在两个盒体中。输送机器人14将已使用的掩模从成膜装置11输送到掩模储备装置12的盒体，将掩模储备装置12的另一盒体中收纳的新的掩模输送到成膜装置11。

在基板S的输送方向上将来自上游侧的基板S传递到群组装置1的通路室15、以及用于将在该群组装置1中完成成膜处理的基板S传递到下游侧的其他群组装置的缓冲室16与该群组装置1连结。输送室13的输送机器人14从上游侧的通路室15接收基板S并将其输送到该群组装置1内的一个成膜装置11(例如，成膜装置11a)。另外，输送机器人14从多个成膜装置11中的一个成膜装置(例如，成膜装置11b)接收该群组装置1中的成膜处理已完成的基板S，并将其输送到与下游侧连结的缓冲室16。

在缓冲室16与通路室15之间，设置有改变基板的朝向的回旋室17。在回旋室17设置有用于从缓冲室16接收基板S并使基板S旋转180°后输送到通路室15的输送机器人18。由此，在上游侧的群组装置和下游侧的群组装置中，基板S的朝向变为相同，基板处理变得容易。

通路室15、缓冲室16、回旋室17是将群组装置之间连结的所谓中继装置，设置在群组装置的上游侧以及/或者下游侧的中继装置包括通路室、缓冲室以及回旋室中的至少一个。

成膜装置11、掩模储备装置12、输送室13、缓冲室16、回旋室17等在有机发光元件的制造过程中维持在高真空状态。通路室15通常维持在低真空状态，但也可以根据需要维持在高真空状态。

在本实施例中，参照图1对电子器件的制造装置的结构进行了说明，但本发明并不限于此，也可以具有其他种类的装置、腔室，这些装置、腔室之间的配置也可以改变。

以下，说明成膜装置11的具体结构。

<成膜装置>

图2是表示成膜装置11的结构的示意图。在以下的说明中，使用将铅垂方向设为Z方向的XYZ正交坐标系。在基板S在成膜时与水平面(XY平面)平行地被固定的情况下，将基板S的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向，将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向。另外，绕Z轴的旋转角用θ表示。

成膜装置11包括：维持在真空环境或氮气等惰性气体环境的真空容器21；以及设置在真空容器21的内部的、基板支承单元22、掩模支承单元23、静电吸盘24和蒸镀源25。

基板支承单元22是接收并保持设置于输送室13的输送机器人14输送来的基板S的构件，也被称为基板支架。

在基板支承单元22的下方设置有掩模支承单元23。掩模支承单元23是接收并保持设置于输送室13的输送机器人14输送来的掩模M的构件，也被称为掩模支架。

掩模M具有与要在基板S上形成的薄膜图案对应的开口图案，该掩模M载置于掩模支承单元23上。尤其是，制造智能手机用的有机EL元件时使用的掩模是形成有微细的开口图案的金属制的掩模，也称为FMM(Fine Metal Mask：精细金属掩模)。

在基板支承单元22的上方，设置有用于利用静电引力吸附并固定基板的静电吸盘24。静电吸盘24具有在电介质(例如，陶瓷材质)矩阵内埋设有金属电极等电路的结构。静电吸盘24可以是库仑力类型的静电吸盘，也可以是约翰逊-拉别克力类型(Johnsen-Rahbecktype)的静电吸盘，也可以是梯度力类型的静电吸盘。静电吸盘24优选为梯度力类型的静电吸盘。通过使静电吸盘24为梯度力类型的静电吸盘，即便在基板S为绝缘性基板的情况下，也可以利用静电吸盘24良好地进行吸附。在静电吸盘24为库仑力类型的静电吸盘的情况下，在对金属电极施加正(+)以及负(-)的电位时，通过电介质矩阵在基板S等被吸附体上感应与金属电极相反极性的极化电荷，利用它们之间的静电引力将基板S吸附并固定于静电吸盘24。

静电吸盘24既可以由一个板形成，也可以形成为具有多个副板。另外，在由一个板形成的情况下，也可以在其内部包含多个电路，并按照在一个板内静电引力根据位置不同而不同的方式进行控制。

在本实施方式中，如后所述，在成膜前利用静电吸盘24不仅吸附并保持基板S(第一被吸附体)，而且吸附并保持掩模M(第二被吸附体)。此后，在利用静电吸盘24保持基板S(第一被吸附体)和掩模M(第二被吸附体)的状态下，进行成膜，在完成成膜后，解除静电吸盘24对基板S(第一被吸附体)和掩模M(第二被吸附体)的保持。

即，利用静电吸盘吸附并保持放置于静电吸盘24的铅垂方向下侧的基板S(第一被吸附体)，此后，利用静电吸盘24隔着基板S(第一被吸附体)吸附并保持掩模M(第二被吸附体)，该掩模M(第二被吸附体)隔着基板S(第一被吸附体)放置于与静电吸盘24相反的一侧。接着，在利用静电吸盘24保持基板S(第一被吸附体)和掩模M(第二被吸附体)的状态下进行成膜后，从静电吸盘24剥离基板S(第一被吸附体)和掩模M(第二被吸附体)。此时，先剥离隔着基板S(第一被吸附体)被吸附的掩模M(第二被吸附体)后，再剥离基板S(第一被吸附体)。关于基板S和掩模M向静电吸盘24的吸附以及从静电吸盘24的分离的详细情况，参照图4～图7在后面论述。

虽然图2中未图示，但也可以采用如下结构：通过在静电吸盘24的与吸附面相反的一侧设置抑制基板S的温度上升的冷却机构(例如，冷却板)，从而抑制在基板S上堆积的有机材料的变质、劣化。

蒸镀源25包括：收纳将要在基板上成膜的蒸镀材料的坩埚(未图示)、用于对坩埚进行加热的加热器(未图示)、在来自蒸镀源的蒸发率变为恒定之前阻挡蒸镀材料向基板飞散的挡板(未图示)等。蒸镀源25可以根据用途而具有多种结构，例如为点(point)蒸镀源或线性(linear)蒸镀源等。

虽然图2中未图示，但成膜装置11包括用于测定蒸镀到了基板上的膜的厚度的膜厚检测器(未图示)以及膜厚计算单元(未图示)。

在真空容器21的上部外侧(大气侧)，设置有基板Z促动器26、掩模Z促动器27、静电吸盘Z促动器28、位置调整机构29等。这些促动器和位置调整机构例如由电机和滚珠丝杠构成，或者由电机和直线导向件等构成。基板Z促动器26是用于使基板支承单元22升降(Z方向移动)的驱动构件。掩模Z促动器27是用于使掩模支承单元23升降(Z方向移动)的驱动构件。静电吸盘Z促动器28是用于使静电吸盘24升降(Z方向移动)的驱动构件。

位置调整机构29是静电吸盘24的对准用的驱动构件。位置调整机构29使静电吸盘24整体相对于基板支承单元22以及掩模支承单元23进行X方向移动、Y方向移动、θ旋转。需要说明的是，在本实施方式中，在吸附了基板S的状态下，对静电吸盘24在X、Y、θ方向上进行位置调整，从而进行调整基板S和掩模M的相对位置的对准。

在真空容器21的外侧上表面，除了上述驱动机构之外，设置有对准用照相机20，该对准用照相机20用于经由设置在真空容器21的上表面的透明窗对形成于基板S以及掩模M的对准标记进行拍摄。对准标记通常可以形成于长方形的基板S以及掩模M的对角方向的两个角部，或形成于全部四个角部。在与这些基板S以及掩模M上的对准标记的形成位置对应的静电吸盘24上，形成有观察用的孔H(对准标记观察用孔)(参照图3的(c))，经由该观察用孔H利用上述对准用照相机20拍摄对准标记，从而进行基板S与掩模M之间的位置对齐。

对准用照相机20是用于高精度地调整基板S和掩模M的相对位置的精对准用照相机，是视角窄但具有高分辨率的照相机。成膜装置11除了精对准用照相机20之外，也可以还具有视角相对较宽而为低分辨率的粗对准用照相机。

位置调整机构29基于由对准用照相机20取得的基板S(第一被吸附体)以及掩模M(第二被吸附体)的位置信息，进行使基板S(第一被吸附体)和掩模M(第二被吸附体)相对移动而进行位置调整的对准。

在本发明的一实施方式中，为了确认掩模相对于基板的紧贴状态、即在被基板吸附的掩模上是否产生折皱，也使用形成在基板S以及掩模M上的对准标记。将在后面对其论述。

成膜装置11具备控制部(未图示)。控制部具有基板S的输送以及对准、蒸镀源25的控制、成膜的控制等功能。控制部例如可以由具有处理器、内存(memory)、存储器(storage)、I/O等的计算机构成。在该情况下，控制部的功能通过由处理器执行存储在内存或存储器中的程序来实现。作为计算机，可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式计算机或PLC(programmable logic controller：可编程逻辑控制器)。或者，控制部的一部分或全部功能也可以由ASIC或FPGA那样的电路构成。另外，也可以按照每个成膜装置来设置控制部，也可以构成为一个控制部控制多个成膜装置。

<静电吸盘系统>

参照图3的(a)～(c)对本实施方式的静电吸盘系统30进行说明。

图3的(a)是本实施方式的静电吸盘系统30的概念性的框图，图3的(b)是静电吸盘24的示意性的剖视图，图3的(c)是静电吸盘24的示意性的俯视图。

如图3的(a)所示，本实施方式的静电吸盘系统30包括静电吸盘24、电压施加部31以及电压控制部32。

电压施加部31对静电吸盘24的电极部施加用于产生静电引力的电压。

电压控制部32根据静电吸盘系统30的吸附工序或成膜装置11的成膜工序的进展，对从电压施加部31施加于电极部的电压的大小、电压的施加开始时刻、电压的维持时间、电压的施加顺序等进行控制。电压控制部32例如可以按每个副电极部独立地控制向静电吸盘24的电极部所包含的多个副电极部241～249的电压施加。在本实施方式中，电压控制部32与成膜装置11的控制部独立地实现，但本发明并不限于此，也可以合并在成膜装置11的控制部中。

静电吸盘24包括产生用于将被吸附体(例如，基板S、掩模M)吸附于吸附面的静电吸附力的电极部，电极部可以包括多个副电极部241～249。例如，如图3的(c)所示，本实施方式的静电吸盘24沿着静电吸盘24的长度方向(Y方向)以及/或者静电吸盘24的宽度方向(X方向)，包括被分割的多个副电极部241～249。

各个副电极部包括为了产生静电吸附力而被施加正(第一极性)以及负(第二极性)的电位的电极对33。例如，各个电极对33包括被施加正电位的第一电极331和被施加负电位的第二电极332。

如图3的(c)所示，第一电极331以及第二电极332分别具有梳子形状。例如，第一电极331以及第二电极332分别包括多个梳齿部和与多个梳齿部连结的基部。各电极331、332的基部向梳齿部供给电位，多个梳齿部在其与被吸附体之间产生静电吸附力。在一个副电极部中，第一电极331的各梳齿部以与第二电极332的各梳齿部相向的方式交替地配置。这样，通过形成各电极331、332的各梳齿部相向且相互交错的结构，可以缩窄被施加不同的电位的电极之间的间隔，可以形成大的不均匀电场，并利用梯度力吸附基板S。

在本实施例中，说明了静电吸盘24的副电极部241～249的各电极331、332具有梳子形状，但本发明并不限于此，只要能够在其与被吸附体之间产生静电引力，也可以具有多种形状。

本实施方式的静电吸盘24具有与多个副电极部对应的多个吸附部。例如，如图3的(c)所示，本实施例的静电吸盘24具有与9个副电极部241～249对应的9个吸附部，但并不限于此，为了更精细地控制基板S的吸附，也可以具有其他个数的吸附部。

吸附部以在静电吸盘24的长度方向(Y轴方向)以及宽度方向(X轴方向)上被分割的方式设置，但并不限于此，也可以仅在静电吸盘24的长度方向或宽度方向上被分割。多个吸附部可以通过在物理上一个板具有多个电极部来实现，也可以通过在物理上被分割的多个板分别具有一个或一个以上的电极部来实现。

例如，在图3的(c)所示的实施例中，既可以以多个吸附部各自与多个副电极部分别对应的方式来实现，也可以以一个吸附部包括多个副电极部的方式来实现。

即，通过由电压控制部32对向副电极部241～249的电压的施加进行控制，从而如后所述，在与基板S的吸附进展方向(X方向)交叉的方向(Y方向)上配置的三个副电极部241、244、247可以构成一个吸附部。即，三个副电极部241、244、247分别能够独立地进行电压控制，但通过以对这三个电极部241、244、247同时施加电压的方式进行控制，从而这三个电极部241、244、247可以作为一个吸附部发挥功能。只要多个吸附部分别能够独立地进行基板的吸附，其具体的物理结构以及电路结构也可以改变。

<利用静电吸盘系统进行的基板与掩模的吸附以及分离>

以下，参照图4～图7，对将基板S以及掩模M吸附于静电吸盘24的工序和从静电吸盘24将基板S以及掩模M分离的工序、及其电压控制进行说明。

(基板S的吸附)

图4图示将基板S吸附于静电吸盘24的工序。

在本实施方式中，如图4所示，基板S的整个面并非同时吸附于静电吸盘24的下表面，而是沿着静电吸盘24的第一边(短边)从一端朝向另一端依次进行吸附。但是，本发明并不限于此，例如，也可以从静电吸盘24的对角线上的一个角朝向与其相向的另一个角进行基板的吸附。另外，也可以从静电吸盘24的中央部朝向周缘部进行基板的吸附。

为了沿着静电吸盘24的第一边依次吸附基板S，既可以控制对多个副电极部241～249施加基板吸附用的第一电压的顺序，也可以对多个副电极部241～249同时施加第一电压但使对基板S进行支承的基板支承单元22的支承部的结构、支承力不同。

图4表示通过施加于静电吸盘24的多个副电极部241～249的电压的控制而使基板S依次吸附于静电吸盘24的实施方式。在此，以如下情形为前提进行说明，即沿着静电吸盘24的长边方向(Y方向)配置的三个副电极部241、244、247构成第一吸附部41，静电吸盘24的中央部的三个副电极部242、245、248构成第二吸附部42，剩下的三个副电极部243、246、249构成第三吸附部43。

首先，基板S被送入成膜装置11的真空容器21内，并载置于基板支承单元22的支承部。

接着，静电吸盘24下降，并朝向载置于基板支承单元22的支承部上的基板S移动(图4的(a))。

在静电吸盘24与基板S充分接近或接触时，电压控制部32进行如下控制：沿着静电吸盘24的第一边(短边)从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次施加第一电压(ΔV1)。

即，进行如下控制：首先对第一吸附部41施加第一电压(ΔV1)(图4的(b))，接着对第二吸附部42施加第一电压(ΔV1)(图4的(c))，最后对第三吸附部43施加第一电压(ΔV1)(图4的(d))。

为了使基板S可靠地吸附于静电吸盘24，第一电压(ΔV1)被设定为足够大的电压。

由此，基板S向静电吸盘24的吸附从基板S的与第一吸附部41对应的一侧起经过基板S的中央部朝向第三吸附部43侧进展(即，基板S的吸附在X方向上进展)，基板S在基板中央部产生折皱的情形被抑制，并且，基板S被静电吸盘24吸附。

在本实施方式中，对在静电吸盘24与基板S充分接近或接触的状态下施加第一电压(ΔV1)进行了说明，但也可以在静电吸盘24朝向基板S开始下降之前或者在下降的中途施加第一电压(ΔV1)。

在基板S向静电吸盘24的吸附工序完成后的规定时刻，电压控制部32如图4的(e)所示，将施加于静电吸盘24的电极部的电压从第一电压(ΔV1)降低到比第一电压(ΔV1)小的第二电压(ΔV2)。

第二电压(ΔV2)是用于将基板S维持在吸附于静电吸盘24的状态的吸附维持电压，是比使基板S吸附于静电吸盘24时施加的第一电压(ΔV1)低的电压。当施加于静电吸盘24的电压降低到第二电压(ΔV2)时，与此对应地在基板S上感应的极化电荷量也与施加了第一电压(ΔV1)的情况相比减少，但在基板S一旦利用第一电压(ΔV1)吸附于静电吸盘24以后，即便施加比第一电压(ΔV1)低的第二电压(ΔV2)，也可以维持基板的吸附状态。

这样，通过将施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第二电压(ΔV2)，从而可以缩短使基板从静电吸盘24分离所花费的时间。

在图示的实施例中，示出将施加于静电吸盘24的第一吸附部41～第三吸附部43的电压同时降低到第二电压(ΔV2)，但本发明并不限于此，也可以按每个吸附部使降低到第二电压(ΔV2)的时刻、被施加的第二电压(ΔV2)的大小分别不同。例如，也可以从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次降低到第二电压(ΔV2)。

这样，在施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第二电压(ΔV2)后，对吸附于静电吸盘24的基板S和载置于掩模支承单元23上的掩模M的相对位置进行调整(对准)。在本实施例中，对在施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第二电压(ΔV2)后进行基板S与掩模M之间的相对位置调整(对准)的情况进行了说明，但本发明并不限于此，也可以在第一电压(ΔV1)施加于静电吸盘24的电极部的状态下进行对准工序。

(掩模M的吸附)

当基板S的吸附以及基板S与掩模M的对准调整结束时，隔着被吸附的基板S使掩模M进一步吸附于静电吸盘24。具体而言，通过对静电吸盘24的电极部施加用于吸附掩模M的第三电压(ΔV3)，从而隔着基板S使掩模M吸附于静电吸盘24。即，使掩模M吸附于静电吸盘24所吸附的基板S的下表面。

图5表示使掩模M吸附于静电吸盘24的工序。

首先，利用静电吸盘Z促动器28使吸附有基板S的静电吸盘24朝向掩模M下降(图5的(a))。

如果静电吸盘24所吸附的基板S的下表面与掩模M充分接近或接触，则电压控制部32进行控制以使电压施加部31对静电吸盘24的电极部施加第三电压(ΔV3)。

第三电压(ΔV3)比第二电压(ΔV2)大，优选为能够隔着基板S通过静电感应使掩模M带电这种程度的大小。由此，掩模M可以隔着基板S吸附于静电吸盘24。但是，本发明并不限于此，第三电压(ΔV3)也可以具有与第二电压(ΔV2)相同的大小。即便第三电压(ΔV3)具有与第二电压(ΔV2)相同的大小，如上所述，由于静电吸盘24或基板S与掩模M之间的相对距离因静电吸盘24的下降而缩短，因此，即便不进一步增大施加于静电吸盘24的电极部的电压的大小，也可以利用在基板上静电感应而得到的极化电荷在掩模M上也产生静电感应，从而可以得到掩模M能够隔着基板吸附于静电吸盘24这种程度的吸附力。

第三电压(ΔV3)也可以比第一电压(ΔV1)小，也可以考虑工序时间(Tact)的缩短而设为与第一电压(ΔV1)同等程度的大小。

在图5所图示的掩模吸附工序中，为了使掩模M能够不残留折皱地吸附于基板S的下表面，电压控制部32并非在整个静电吸盘24同时施加第三电压(ΔV3)，而是沿着第一边从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次施加第三电压(ΔV3)。

即，进行如下控制：首先对第一吸附部41施加第三电压(ΔV3)(图5的(b))，接着对第二吸附部42施加第三电压(ΔV3)(图5的(c))，最后对第三吸附部43施加第三电压(ΔV3)(图5的(d))。

由此，掩模M向静电吸盘24的吸附从掩模M的与第一吸附部41对应的一侧起经过掩模M的中央部朝向第三吸附部43侧进展(即，掩模M的吸附在X方向上进展)，掩模M在掩模M的中央部产生折皱的情形被抑制，并且，掩模M被静电吸盘24吸附。

在本实施方式中，对在静电吸盘24与掩模M接近或接触的状态下施加第三电压(ΔV3)进行了说明，但也可以在静电吸盘24朝向掩模M开始下降之前或在下降的中途施加第三电压(ΔV3)。

在掩模M向静电吸盘24的吸附工序完成后的规定时刻，电压控制部32如图5的(e)所示，将施加于静电吸盘24的电极部的电压从第三电压(ΔV3)降低到比第三电压(ΔV3)小的第四电压(ΔV4)。

第四电压(ΔV4)是用于维持隔着基板S吸附于静电吸盘24的掩模M的吸附状态的吸附维持电压，是比使掩模M吸附于静电吸盘24时的第三电压(ΔV3)低的电压。当施加于静电吸盘24的电压降低到第四电压(ΔV4)时，与此对应地在掩模M上感应的极化电荷量也与施加了第三电压(ΔV3)的情况相比减少，但在掩模M一旦利用第三电压(ΔV3)吸附于静电吸盘24以后，即便施加比第三电压(ΔV3)低的第四电压(ΔV4)，也可以维持掩模的吸附状态。

这样，通过将施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到第四电压(ΔV4)，从而可以减少使掩模M从静电吸盘24分离所花费的时间。

在图示的实施例中，将施加于静电吸盘24的第一吸附部41～第三吸附部43的电压同时降低到第四电压(ΔV4)，但本发明并不限于此，也可以按每个吸附部使降低到第四电压(ΔV4)的时刻、被施加的第四电压(ΔV4)的大小分别不同。例如，也可以从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次降低到第四电压(ΔV4)。

这样，在掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的状态下，进行从蒸镀源25蒸发的蒸镀材料经由掩模M成膜在基板S上的成膜工序。在本实施例中，说明了利用静电吸盘24的静电吸附力保持掩模M，但本发明并不限于此，也可以构成为，在静电吸盘24的上部设置磁铁板，利用磁铁板对金属制的掩模M施加磁力，从而更可靠地使掩模M紧贴于基板S。

(基板S和掩模M从静电吸盘24的分离)

当在将基板S和掩模M吸附于静电吸盘24的状态下完成成膜工序时，通过施加于静电吸盘24的电压控制，使被吸附的基板S和掩模M从静电吸盘24分离。

图6表示从静电吸盘24分离基板S和掩模M的工序。

如图6的(a)所示，电压控制部32将施加于静电吸盘24的电极部的电压从上述吸附维持电压即第四电压(ΔV4)变更为掩模M能够分离的第五电压(ΔV5)。在此，第五电压(ΔV5)是用于一边维持静电吸盘24吸附基板S的吸附状态、一边仅将隔着基板S被吸附的掩模M分离的掩模分离电压。因此，第五电压(ΔV5)的大小为：比使掩模M吸附于静电吸盘24时施加的第三电压(ΔV3)低，且比使掩模M吸附保持于静电吸盘24时施加的第四电压(ΔV4)低。而且，第五电压(ΔV5)的大小为：即便掩模M被分离，也可以维持静电吸盘24吸附基板S的吸附状态。

作为一例，第五电压(ΔV5)也可以是具有与上述第二电压(ΔV2)实质上相同的大小的电压。但是，本实施例并不限于此，只要能够一边维持静电吸盘24吸附基板S的吸附状态一边仅将掩模M分离，第五电压(ΔV5)也可以具有比第二电压(ΔV2)高或低的大小。但是，即便在该情况下，第五电压(ΔV5)也具有比第三电压(ΔV3)以及第四电压(ΔV4)低的大小。

当施加于静电吸盘24的电压降低到与第二电压(ΔV2)实质上相同的第五电压(ΔV5)时，与此相应地，在掩模M上感应的电荷量也减少到与施加了第二电压(ΔV2)的情况实质上相同的程度。其结果是，虽然静电吸盘24吸附基板S的吸附状态被维持，但掩模M的吸附状态未被维持，掩模M从静电吸盘24分离。

虽然省略了详细的图示，但在将施加于静电吸盘24的电压降低到掩模分离电压即第五电压(ΔV5)的图6的(a)的工序中，优选为，以按静电吸盘24的每个吸附部使降低到第五电压(ΔV5)的时刻不同的方式进行控制。尤其是，如上所述，当在吸附掩模M的工序中从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次施加掩模吸附电压(ΔV3)来吸附掩模M的情况下(参照图5的(b)～图5的(d))，在掩模M分离时也同样地，优选以从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次施加掩模分离电压即第五电压(ΔV5)的方式进行控制。

即，以对先施加了吸附电压的区域也先施加分离电压的方式进行控制。

正因为是与先施加了吸附电压的静电吸盘电极部(在前述的例子中，是第一吸附部41)对应的掩模M的区域，相比于与之后施加吸附电压的静电吸盘电极部(在前述的例子中，是第三吸附部43)对应的掩模M的区域，被静电吸盘24吸附的期间长，因此，与此相应地，残留在该区域的极化电荷量的大小也大。

在本发明的实施方式中，通过以从如上所述吸附期间相对长而极化电荷量的大小大的区域依次施加掩模分离电压(ΔV5)的方式进行控制，由此，可以进一步缩短直至掩模M整体从静电吸盘24分离为止的时间。另外，通过使如上所述被施加掩模分离电压(ΔV5)的区域从由吸附带来的极化电荷量的大小大的区域开始依次扩展，从而可以使掩模M面内的从静电吸盘24分离的分离时机均匀化。

另一方面，除了按静电吸盘24的每个吸附部使降低到第五电压(ΔV5)的时刻不同之外，也可以按每个吸附部改变被施加的第五电压(ΔV5)的大小。即，在上述例子的情况下，也可以控制为，对先施加了吸附电压的静电吸盘电极部(第一吸附部41)施加更大的掩模分离电压(ΔV5)，对之后施加吸附电压的静电吸盘电极部(第三吸附部43)施加更小的掩模分离电压(ΔV5)。这样，即便控制为使作为掩模分离电压而施加的第五电压(ΔV5)的大小在能够进行掩模分离的电压的范围内与吸附电压被施加的顺序相匹配地按每个吸附区域而不同，也可以得到相同的效果。

回到图6，在如上所述成为掩模M被分离而只有基板S被静电吸盘24吸附维持的状态时，利用静电吸盘Z促动器28使吸附了基板S的静电吸盘24上升(图6的(b))。

接着，电压控制部32将施加于静电吸盘24的电极部的电压从第五电压(ΔV5)变更为第六电压(ΔV6)(图6的(c))。在此，第六电压(ΔV6)是用于将吸附于静电吸盘24的基板S从静电吸盘24分离的基板分离电压。因此，第六电压(ΔV6)是大小比在仅基板S被静电吸盘24吸附维持时施加的第五电压(ΔV5)低的电压。

例如，电压控制部32也可以对静电吸盘24的电极部施加零(0)的电压(即，使其关闭)作为第六电压(ΔV6)，或者施加相反极性的电压作为第六电压(ΔV6)。其结果是，在基板S上感应出的极化电荷被除去，基板S从静电吸盘24分离。

而且，虽然省略了详细的图示，但在将施加于静电吸盘24的电压降低到作为基板分离电压的第六电压(ΔV6)的图6的(c)的工序中，也与上述掩模分离电压(第五电压ΔV5)施加时同样地，可以控制为按静电吸盘24的每个吸附部使降低到第六电压(ΔV6)的时刻不同，或者使被施加的第六电压(ΔV6)的大小按每个吸附部而不同。

即，当在吸附基板S的工序中从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次施加基板吸附电压(ΔV1)地进行了吸附的情况下(参照图4的(b)～图4的(d))，在基板S的分离时也同样地，优选为，以从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次施加基板分离电压(ΔV6)的方式进行控制，或者使基板分离电压(ΔV6)的大小在能够进行基板分离的电压的范围内与吸附电压被施加的顺序相匹配地按每个吸附区域而不同地进行控制。

由此，与上述掩模M分离时同样地，可以进一步缩短直至基板S整体从静电吸盘24分离为止的时间，另外，可以使基板S的面内的从静电吸盘24分离的分离时机均匀化。

以上，对以使施加作为掩模分离电压的第五电压(ΔV5)和作为基板分离电压的第六电压(ΔV6)的时刻、大小按每个吸附区域而不同的方式进行控制的例子进行了说明，但本发明并不限于此。即，在从静电吸盘24将掩模M一次分离后、接着将基板S二次分离这种情况下，也能够以使对静电吸盘24的多个吸附区域(第一吸附部41～第三吸附部43)施加的电压同时分别降低到掩模分离电压(ΔV5)或基板分离电压(ΔV6)的方式进行控制。

以下，参照图7，对在利用静电吸盘24吸附并保持基板S以及掩模M的过程中对静电吸盘24的电极部或副电极部施加的电压的控制进行说明。

首先，为了使基板S吸附于静电吸盘24，在规定时刻(t1)对静电吸盘24的电极部或副电极部施加第一电压(ΔV1)。

第一电压(ΔV1)具有可得到足以使基板S吸附于静电吸盘24的静电吸附力的大小，为了缩短从对静电吸盘24的电极部或副电极部施加第一电压起到在基板S上产生极化电荷为止所花费的时间，优选为尽可能大的电压。例如，优选为，施加利用电压施加部31能够施加的最大电压(ΔVmax)。

接着，利用被施加的第一电压在基板S上感应极化电荷，在基板S以足够的静电吸附力吸附于静电吸盘24后(t＝t2)，将施加于静电吸盘24的电极部或副电极部的电压降低到第二电压(ΔV2)。第二电压(ΔV2)例如是可以维持基板S吸附于静电吸盘24的状态的最低电压(ΔVmin)即可。

接着，为了使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24，将施加于静电吸盘24的电极部或副电极部的电压提高到第三电压(ΔV3)(t＝t3)。第三电压(ΔV3)是用于使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的电压，因此，优选具有第二电压(ΔV2)以上的大小，更优选为考虑到工序时间而电压施加部31能够施加的最大电压(ΔVmax)。

在本实施方式中，为了缩短在成膜工序后从静电吸盘24分离基板S以及掩模M所花费的时间，不将施加于静电吸盘24的电极部或副电极部的电压维持在第三电压(ΔV3)，而将其降低到更小的第四电压(ΔV4)(t＝t4)。但是，为了维持掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的状态，第四电压(ΔV4)优选为为了维持仅基板S吸附于静电吸盘24的状态而需要的第二电压(ΔV2)以上的电压。

在成膜工序完成后(t5)，为了将掩模M从静电吸盘24分离，首先，将施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到可以维持仅吸附基板S的吸附状态的第五电压(ΔV5)。第五电压(ΔV5)是与为了维持掩模M被分离而仅基板S吸附于静电吸盘24的状态而需要的第二电压(ΔV2)实质上相同大小的电压。作为一例，第五电压(ΔV5)优选为为了维持掩模M被分离而仅基板S吸附于静电吸盘24的状态而需要的最小电压(ΔVmin)。

由此，在掩模M分离后，将施加于静电吸盘24的电极部的电压降低到零(0)(即，使其断开)，或者施加相反极性的电压(t＝t6)。由此，在基板S上感应的极化电荷被除去，基板S可以从静电吸盘24分离。

<成膜处理以及掩模紧贴状态确认>

以下，对本实施方式的成膜方法和进入成膜工序之前的掩模相对于基板的紧贴状态确认、以及判定为紧贴不良时的再次吸附控制方法进行说明。

在掩模M载置于真空容器21内的掩模支承单元23的状态下，利用输送室13的输送机器人14向成膜装置11的真空容器21内送入基板。

进入到了真空容器21内的输送机器人14的手部下降，将基板S载置于基板支承单元22的支承部上。

接着，静电吸盘24朝向基板S下降，在与基板S充分接近或接触后，对静电吸盘24施加第一电压(ΔV1)来吸附基板S，在吸附完成时，降低到第二电压(ΔV2)并维持基板吸附状态。

在将基板S吸附于静电吸盘24的状态下，为了测量基板S相对于掩模M的相对位置偏移，使基板S朝向掩模M下降。

在基板S下降至测量位置时，利用对准用照相机20经由对准标记观察用的孔H对形成于基板S和掩模M的对准标记进行拍摄，从而测量基板与掩模的相对位置偏移。

作为测量的结果，若判明基板相对于掩模的相对位置偏移超过阈值，则使处于吸附于静电吸盘24的状态的基板S在水平方向(XYθ方向)上移动，相对于掩模对基板进行位置调整(对准)。

在对准工序之后，对静电吸盘24的电极部或副电极部施加第三电压(ΔV3)，使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24，在吸附完成时，降低到第四电压(ΔV4)并维持掩模吸附状态。

这样，在完成掩模M的吸附时，打开蒸镀源25的挡板，使蒸镀材料经由掩模M蒸镀到基板S上。

在本发明中，如上所述，在掩模M相对于基板S被吸附后，在进行成膜工序之前，确认掩模M相对于基板S的紧贴状态、即在掩模M上是否产生折皱。

因此，在本发明的一实施方式中，使用在上述基板S与掩模M之间的位置对齐时利用的对准标记。

如上所述，在使基板S吸附于静电吸盘24后，在隔着基板S吸附掩模M之前，对分别形成于基板S和掩模M的对准标记进行拍摄，使用该拍摄图像，进行调整基板S与掩模M之间的相对位置误差的对准。

图8是概念性地表示通过该对准工序使基板S和掩模M位置对齐后的状态的俯视图。圆形的标记Ps表示形成在基板S上的基板对准标记，十字形的标记Pm表示形成在掩模M上的掩模对准标记。对准标记Ps、Pm如上所述，例如可以形成于长方形的基板S以及掩模M的四个角部。在对准工序中，对该对准标记进行拍摄，使掩模M和吸附于静电吸盘24的基板S中的任一方或使双方在水平面内在XYθ方向上相对移动，以使对应的各对准标记Ps、Pm的相对位置位于规定的范围内，例如如图8所示使对应的对准标记Ps、Pm实质上位于同一位置，从而进行对准。

这样，在对准完成时，如上所述，使吸附有基板S的静电吸盘24朝向掩模M下降，并且，对静电吸盘24施加掩模吸附电压ΔV3，从而进行掩模M吸附工序。

在本发明中，通过对在该掩模M吸附工序时对静电吸盘施加吸附电压的方式进行控制等，从而尽可能在掩模M上不产生折皱地进行吸附，但是，尽管如此，随着基板S和掩模M的大型化，尤其是在掩模M的中央部因由自重引起的挠曲而依然有可能产生未预料的折皱。

图9的(a)表示在这样的掩模M的中央部残留有由挠曲引起的折皱的状态。这样，当在吸附过程中在掩模M的中央部产生折皱时，在上述基板S与掩模M的对准标记Ps、Pm的对齐状态中会产生一定的图案的偏移。

图9的(b)表示在这样的中央部产生折皱时呈现的对准标记Ps、Pm的对齐偏移图案。如该图所示，当在掩模M的中央部产生了折皱的状态下进行吸附时，形成于掩模M的周缘部(例如，四个角部)的多个掩模对准标记Pm全部相对于基板对准标记Ps相对地位于内侧地产生偏移。这是例如与作为掩模M整体在某一个方向上产生位置偏移的情况下的例子的图10的(a)、(b)区别开的、尤其是在掩模M的中央部残留有折皱的吸附不良时产生的特有的偏移图案。

在本发明的一实施方式中，在吸附掩模M后，在进行成膜工序之前，对基板S以及掩模M的对准标记Ps、Pm进行再次拍摄，并检测在对准标记Ps、Pm的对齐状态中是否产生图9的(b)那样的特定的偏移图案，从而判定在吸附时是否进行了在掩模M的中央部残留有折皱的吸附。

因此，根据本发明的一实施方式，可以在进入成膜工序之前容易地确认掩模M的中央部有无折皱产生。

在确认为在吸附时在掩模M的中央部产生了折皱的情况下，可以通过上述吸附/分离工序使掩模M从静电吸盘24暂时分离后，再次进行吸附。

即，对静电吸盘24施加掩模分离电压ΔV5，在基板S吸附于静电吸盘24的状态下，仅将掩模M暂时分离后，通过上述掩模吸附工序使掩模M再次吸附。在再次吸附时，为了使掩模M的中央部不产生折皱而改变吸附工序条件。即，如上所述，在掩模吸附工序中，使吸附有基板S的静电吸盘24以接近掩模M的方式移动，并且，对静电吸盘24施加掩模吸附电压ΔV3，通过改变此时的吸附有基板S的静电吸盘24与掩模M相互接近的相对移动速度、或改变被施加的吸附电压ΔV3的大小，从而可以防止再次吸附时的折皱。具体而言，通过使吸附有基板S的静电吸盘24与掩模M相互接近的相对移动速度比上一次的掩模吸附时的速度慢，或者使掩模吸附电压ΔV3的大小比上一次的掩模吸附时的电压小，从而可以更稳定地进行再次吸附工序，可以更可靠地防止在掩模上产生折皱。

这样，根据本发明的一实施方式，可以在进入成膜工序之前容易地确认掩模M的中央部有无折皱产生，在确认为产生了折皱的情况下，通过在使掩模M暂时分离后改变吸附工序条件再次进行吸附，从而可以事先有效地防止由紧贴不良引起的成膜不良。

以上，对本发明的一实施方式的、在掩模吸附后在成膜前用于确认掩模M中央部有无折皱产生的结构的例子进行了说明，但本发明并不限于此。例如，上述实施方式是对基板S以及掩模M上的对准用标记Ps、Pm进行观测并根据这些标记的偏移图案来判定有无折皱产生的结构，但作为本发明的其他实施方式，也可以在真空容器21的侧面或底面的位置配置另外的光学构件，利用由该光学构件对掩模M的物理形状自身进行直接拍摄而得到的图像，判定有无折皱的产生。即，也可以是如下结构：不是对形成在掩模上的标记，而是对产生了折皱的情况下的上述图9的(a)那样的掩模中央部的挠曲情形自身使用光学构件直接进行拍摄、观测。

另外，在上述实施方式中，作为吸附基板和掩模的构件，对使用静电吸盘的例子进行了说明，但本发明并不限于此。例如，作为变形例，代替静电吸盘，隔着基板在掩模的相反侧配置磁铁，在利用该磁铁的磁力隔着基板吸附掩模的情况下，作为用于确认基板和掩模之间的紧贴度的结构，也可以应用本发明。在这样的变形例中，基板由基板支架等保持构件支承并载置于掩模上之后，作为利用上述磁铁进行掩模吸附的结果而进行与掩模的紧贴，也可以不设置用于对基板自身进行吸附的另外的构件。

如上所述，在通过吸附后的折皱确认、以及产生折皱时的再次吸附而在中央部不残留折皱地完成掩模M的吸附后，进行经由该掩模M使蒸镀材料蒸镀到基板S上的成膜工序，在蒸镀进行到所希望的厚度时，将施加于静电吸盘24的电极部或副电极部的电压降低到第五电压(ΔV5)以使掩模M分离，在仅基板吸附于静电吸盘24的状态下，利用静电吸盘Z促动器28使基板上升。

接着，输送机器人14的手部进入成膜装置11的真空容器21内，对静电吸盘24的电极部或者副电极部施加零(0)或相反极性的电压(ΔV6)(t6)，基板从静电吸盘24分离。此后，利用输送机器人14将完成了蒸镀的基板从真空容器21送出。

<电子器件的制造方法>

接着，对使用本实施方式的成膜装置的电子器件的制造方法的一例进行说明。以下，作为电子器件的例子而例示有机EL显示装置的结构以及制造方法。

首先，对制造的有机EL显示装置进行说明。图11的(a)是有机EL显示装置60的整体图，图11的(b)表示一个像素的截面结构。

如图11的(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61，呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素62。每一个发光元件具有具备被一对电极夹着的有机层的结构，详细情况在后面说明。需要说明的是，在此所说的像素是指在显示区域61中能够进行所希望的颜色的显示的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下，由示出彼此不同的发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G、第三发光元件62B的组合来构成像素62。像素62大多由红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件的组合来构成，但也可以是黄色发光元件、青色发光元件以及白色发光元件的组合，只要是至少一种颜色以上即可，并未特别限定。

图11的(b)是图11的(a)的A-B线的局部剖面示意图。像素62具有有机EL元件，该有机EL元件在基板63上具备阳极64、空穴输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一方、电子输送层67以及阴极68。其中，空穴输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。另外，在本实施方式中，发光层66R是发出红色光的有机EL层，发光层66G是发出绿色光的有机EL层，发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记为有机EL元件)对应的图案。另外，阳极64按照每个发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67以及阴极68既可以与多个发光元件62R、62G、62B共用而形成，也可以按照每个发光元件形成。需要说明的是，为了防止阳极64和阴极68因异物而短路，在阳极64之间设置有绝缘层69。并且，由于有机EL层会因水分、氧而劣化，因此，设置有用于保护有机EL元件免受水分、氧侵蚀的保护层70。

在图11的(b)中，空穴输送层65和电子输送层67用一层示出，但根据有机EL显示元件的结构，也可以由包括空穴阻挡层、电子阻挡层在内的多层形成。另外，在阳极64和空穴输送层65之间也可以形成空穴注入层，该空穴注入层具有能够顺畅地进行空穴从阳极64向空穴输送层65的注入的能带结构。同样地，在阴极68和电子输送层67之间也可以形成电子注入层。

接着，对有机EL显示装置的制造方法的例子进行具体说明。

首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及阳极64的基板63。

在形成有阳极64的基板63上通过旋涂而形成丙烯酸树脂，通过光刻法以在形成有阳极64的部分形成开口的方式对丙烯酸树脂构图而形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。

将构图有绝缘层69的基板63送入第一有机材料成膜装置，利用基板保持单元以及静电吸盘保持基板，将空穴输送层65作为共用的层而成膜在显示区域的阳极64上。空穴输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上，空穴输送层65形成为比显示区域61大的尺寸，因此不需要高精细的掩模。

接着，将形成至空穴输送层65的基板63送入第二有机材料成膜装置，利用基板保持单元以及静电吸盘进行保持。进行基板和掩模的对准，将基板载置于掩模上，在基板63的配置发出红色光的元件的部分，成膜发出红色光的发光层66R。

与发光层66R的成膜同样地，利用第三有机材料成膜装置来成膜发出绿色光的发光层66G，进而利用第四有机材料成膜装置来成膜发出蓝色光的发光层66B。在发光层66R、66G、66B的成膜完成后，利用第五成膜装置在整个显示区域61成膜电子输送层67。电子输送层67作为共用的层而形成于3色的发光层66R、66G、66B。

使形成至电子输送层67的基板在金属性蒸镀材料成膜装置中移动而成膜阴极68。

此后，移动到等离子体CVD装置而成膜保护层70，完成有机EL显示装置60。

从将构图有绝缘层69的基板63送入成膜装置起直至保护层70的成膜完成为止，若暴露在含有水分、氧在内的环境中，则由有机EL材料制成的发光层可能会因水分、氧而劣化。因此，在本例中，成膜装置之间的基板的送入送出在真空环境或惰性气体环境下进行。

上述实施例示出本发明的一例，本发明并不限定于上述实施例的结构，可以在其技术思想的范围内适当变形。

Claims

1.一种吸附系统，用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：

静电吸盘，所述静电吸盘用于吸附所述第一被吸附体并隔着所述第一被吸附体吸附所述第二被吸附体；

光学构件，所述光学构件用于在利用所述静电吸盘吸附了所述第一被吸附体以及所述第二被吸附体的状态下至少对所述第二被吸附体进行拍摄；

判定构件，所述判定构件基于利用所述光学构件取得的图像，对所述第一被吸附体和所述第二被吸附体是否紧贴进行判定；以及

控制构件，在由所述判定构件判定为所述第一被吸附体和所述第二被吸附体未紧贴的情况下，所述控制构件进行控制，以便在从所述静电吸盘分离所述第二被吸附体后，隔着所述第一被吸附体使所述第二被吸附体再次吸附于所述静电吸盘，

在判定为所述第二被吸附体未紧贴并使所述第二被吸附体再次吸附时，所述控制构件将使吸附有所述第一被吸附体的所述静电吸盘朝向所述第二被吸附体移动的速度设为比最初的吸附时低的速度。

2.一种吸附系统，用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：

在判定为所述第二被吸附体未紧贴并使所述第二被吸附体再次吸附时，所述控制构件使施加于所述静电吸盘的第二被吸附体吸附电压比最初的吸附时小。

3.如权利要求1或2所述的吸附系统，其特征在于，

所述光学构件对形成于所述第一被吸附体的第一被吸附体对准标记以及与所述第一被吸附体对准标记对应地形成于所述第二被吸附体的第二被吸附体对准标记进行拍摄，

所述判定构件基于所取得的所述图像中的、所述第一被吸附体对准标记与所述第二被吸附体对准标记之间的偏移图案，对所述第一被吸附体和所述第二被吸附体是否紧贴进行判定。

4.如权利要求3所述的吸附系统，其特征在于，

所述吸附系统还包括对准构件，在所述第一被吸附体被吸附之后且所述第二被吸附体被吸附之前，所述对准构件进行所述第一被吸附体与所述第二被吸附体之间的位置调整，以使所述第一被吸附体对准标记的位置和对应的所述第二被吸附体对准标记的位置对齐，

所述第一被吸附体对准标记包括形成于所述第一被吸附体的相向的两端部的多个第一被吸附体对准标记，

所述第二被吸附体对准标记包括与所述多个第一被吸附体对准标记的每一个分别对应地形成于所述第二被吸附体的相向的两端部的多个第二被吸附体对准标记，

当在所取得的所述图像中具有偏移图案的情况下，所述判定构件判定为所述第二被吸附体未与所述第一被吸附体紧贴，所述偏移图案是形成于所述第二被吸附体的相向的两端部的所述第二被吸附体对准标记位于相比利用所述对准构件进行位置调整后的对应的所述第一被吸附体对准标记朝向所述第二被吸附体的中央部向内侧偏移的位置的图案。

5.如权利要求4所述的吸附系统，其特征在于，

所述第一被吸附体对准标记分别形成于所述第一被吸附体的相向的两个角部，所述第二被吸附体对准标记分别形成于所述第二被吸附体的相向的两个角部。

6.如权利要求4所述的吸附系统，其特征在于，

所述第一被吸附体对准标记分别形成于所述第一被吸附体的四个角部，所述第二被吸附体对准标记分别形成于所述第二被吸附体的四个角部。

7.如权利要求1或2所述的吸附系统，其特征在于，

所述光学构件从所述第二被吸附体的侧面侧或从与所述第一被吸附体吸附的吸附面的相反侧的非吸附面侧，对吸附于所述第一被吸附体的所述第二被吸附体进行拍摄。

8.一种吸附系统，用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：

吸附构件，所述吸附构件用于隔着所述第一被吸附体吸附所述第二被吸附体；

光学构件，所述光学构件用于在利用所述吸附构件隔着所述第一被吸附体吸附了所述第二被吸附体的状态下至少对所述第二被吸附体进行拍摄；

控制构件，在由所述判定构件判定为所述第一被吸附体和所述第二被吸附体未紧贴的情况下，所述控制构件进行控制，以便在从所述吸附构件分离所述第二被吸附体后，隔着所述第一被吸附体使所述第二被吸附体再次吸附于所述吸附构件，

在判定为所述第二被吸附体未紧贴并使所述第二被吸附体再次吸附时，所述控制构件将使吸附有所述第一被吸附体的所述吸附构件朝向所述第二被吸附体移动的速度设为比最初的吸附时低的速度。

9.一种吸附系统，用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：

在判定为所述第二被吸附体未紧贴并使所述第二被吸附体再次吸附时，所述控制构件使施加于所述吸附构件的第二被吸附体吸附电压比最初的吸附时小。

10.一种成膜装置，用于经由掩模在基板上进行成膜，其特征在于，

包括隔着作为第一被吸附体的所述基板对作为第二被吸附体的所述掩模进行吸附的吸附系统，

所述吸附系统是权利要求1～9中任一项所述的吸附系统。

11.一种吸附方法，用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：

利用静电吸盘吸附第一被吸附体的阶段；

利用所述静电吸盘隔着所述第一被吸附体吸附第二被吸附体的阶段；

利用光学构件至少对所述第二被吸附体进行拍摄的拍摄阶段；以及

基于利用所述光学构件取得的图像，对所述第一被吸附体和所述第二被吸附体是否紧贴进行判定的判定阶段，

当在所述判定阶段判定为所述第一被吸附体和所述第二被吸附体未紧贴的情况下，在从所述静电吸盘分离所述第二被吸附体后，隔着所述第一被吸附体使所述第二被吸附体再次吸附于所述静电吸盘，

隔着所述第一被吸附体吸附所述第二被吸附体的阶段是使吸附有所述第一被吸附体的所述静电吸盘朝向所述第二被吸附体移动并且对所述静电吸盘施加第二被吸附体吸附电压的阶段，

在判定为所述第二被吸附体未紧贴并使所述第二被吸附体再次吸附的阶段，将使吸附有所述第一被吸附体的所述静电吸盘朝向所述第二被吸附体移动的速度设为比最初的吸附时低的速度来吸附所述第二被吸附体。

12.一种吸附方法，用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：

利用静电吸盘吸附第一被吸附体的阶段；

在使所述第二被吸附体再次吸附的阶段，使施加于所述静电吸盘的所述第二被吸附体吸附电压比最初的吸附时小来吸附所述第二被吸附体。

13.如权利要求11或12所述的吸附方法，其特征在于，

利用所述光学构件进行拍摄的所述拍摄阶段是对形成于所述第一被吸附体的第一被吸附体对准标记以及与所述第一被吸附体对准标记对应地形成于所述第二被吸附体的第二被吸附体对准标记进行拍摄的阶段，

在所述判定阶段，基于所取得的所述图像中的、所述第一被吸附体对准标记与所述第二被吸附体对准标记之间的偏移图案，对所述第一被吸附体和所述第二被吸附体是否紧贴进行判定。

14.如权利要求13所述的吸附方法，其特征在于，

在吸附所述第一被吸附体的阶段之后且吸附所述第二被吸附体的阶段之前，所述吸附方法还包括对准阶段，在所述对准阶段，进行所述第一被吸附体与所述第二被吸附体之间的位置调整，以使所述第一被吸附体对准标记的位置和对应的所述第二被吸附体对准标记的位置对齐，

在所述判定阶段，在所取得的所述图像中具有偏移图案的情况下，判定为所述第二被吸附体未与所述第一被吸附体紧贴，所述偏移图案是形成于所述第二被吸附体的相向的两端部的所述第二被吸附体对准标记位于相比在所述对准阶段进行位置调整后的对应的所述第一被吸附体对准标记朝向所述第二被吸附体的中央部向内侧偏移的位置的图案。

15.如权利要求14所述的吸附方法，其特征在于，

16.如权利要求14所述的吸附方法，其特征在于，

17.如权利要求11或12所述的吸附方法，其特征在于，

利用所述光学构件进行拍摄的所述拍摄阶段是从所述第二被吸附体的侧面侧或从与所述第一被吸附体吸附的吸附面的相反侧的非吸附面侧对吸附于所述第一被吸附体的所述第二被吸附体进行拍摄的阶段。

18.一种吸附方法，用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：

利用吸附构件隔着所述第一被吸附体吸附所述第二被吸附体的阶段；

利用光学构件至少对所述第二被吸附体进行拍摄的阶段；以及

当在所述判定阶段判定为所述第一被吸附体和所述第二被吸附体未紧贴的情况下，在从所述吸附构件分离所述第二被吸附体后，隔着所述第一被吸附体使所述第二被吸附体再次吸附于所述吸附构件，

隔着所述第一被吸附体吸附所述第二被吸附体的阶段是使吸附有所述第一被吸附体的所述吸附构件朝向所述第二被吸附体移动并且对所述吸附构件施加第二被吸附体吸附电压的阶段，

在判定为所述第二被吸附体未紧贴并使所述第二被吸附体再次吸附的阶段，将使吸附有所述第一被吸附体的所述吸附构件朝向所述第二被吸附体移动的速度设为比最初的吸附时低的速度来吸附所述第二被吸附体。

19.一种吸附方法，用于吸附第一被吸附体和第二被吸附体，其特征在于，包括：

在使所述第二被吸附体再次吸附的阶段，使施加于所述吸附构件的所述第二被吸附体吸附电压比最初的吸附时小来吸附所述第二被吸附体。

20.一种成膜方法，用于将蒸镀材料经由掩模成膜到基板上，其特征在于，包括：

使用权利要求11～19中任一项所述的吸附方法，隔着作为第一被吸附体的所述基板对作为第二被吸附体的所述掩模进行吸附的阶段；以及

在吸附了所述掩模的状态下，使蒸镀材料放出，经由所述掩模在所述基板上成膜蒸镀材料的阶段。

21.一种电子器件的制造方法，其特征在于，使用权利要求20所述的成膜方法来制造电子器件。