CN110938796B - 静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电子设备的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的静电吸盘系统的特征在于，包括：包含电极部的静电吸盘；用于向所述静电吸盘的所述电极部施加电压的电压施加部；及用于控制所述电压施加部进行的电压的施加的电压控制部，所述电压控制部控制所述电压施加部，以便对吸附有第一被吸附体和隔着所述第一被吸附体吸附有第二被吸附体的所述静电吸盘的电极部施加在所述第一被吸附体与所述第二被吸附体接触的状态下用于使所述第一被吸附体和所述第二吸附体从所述静电吸盘一起分离的电压。

Description

静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电 子设备的制造方法

技术领域

本发明涉及静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电子设备的制造方法。

背景技术

在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在对构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)进行形成时，使从成膜装置的蒸镀源蒸发的蒸镀材料经由形成有像素图案的掩模向基板蒸镀，由此形成有机物层或金属层。

在向上蒸镀方式(向上沉积)的成膜装置中，蒸镀源设置在成膜装置的真空容器的下部，基板配置在真空容器的上部，向基板的下表面蒸镀。在这样的向上蒸镀方式的成膜装置的真空容器内，基板由于仅其下表面的周边部由基板支架保持，因此基板因其自重而挠曲，这成为使蒸镀精度下降的一个主要原因。即使在向上蒸镀方式以外的方式的成膜装置中，也有可能产生由基板的自重引起的挠曲。

作为用于减少由基板的自重引起的挠曲的方法，正在研讨使用静电吸盘的技术。即，利用静电吸盘将基板的上表面遍及其整体地吸附，由此能够减少基板的挠曲。

在专利文献1(韩国专利公开公报2007-0010723号)中，提出了利用静电吸盘来吸附基板及掩模的技术。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】韩国专利公开公报2007-0010723号

发明内容

【要解决的课题】

然而，专利文献1没有公开从静电吸盘分离基板及掩模时的电压控制。

本发明的目的在于将静电吸盘吸附的第一被吸附体及第二被吸附体良好地从静电吸盘分离。

【课题的解决方案】

本发明的一实施方式的静电吸盘系统的特征在于，包括：静电吸盘，所述静电吸盘包含电极部；电压施加部，所述电压施加部用于对所述静电吸盘的所述电极部施加电压；及电压控制部，所述电压控制部用于控制所述电压施加部进行的电压的施加，所述电压控制部控制所述电压施加部，以便对吸附有第一被吸附体和隔着所述第一被吸附体吸附有第二被吸附体的所述静电吸盘的电极部施加在所述第一被吸附体与所述第二被吸附体接触的状态下用于使所述第一被吸附体和所述第二吸附体从所述静电吸盘一起分离的电压。

本发明的一实施方式的成膜装置用于在基板上经由掩模进行成膜，其特征在于，所述成膜装置包括用于对作为第一被吸附体的基板和作为第二被吸附体的掩模进行吸附的静电吸盘系统，所述静电吸盘系统是所述本发明的一实施方式的静电吸盘系统。

本发明的一实施方式的被吸附体分离方法用于将被吸附体从包含电极部的静电吸盘的所述电极部分离，其特征在于，包括：对吸附有第一被吸附体和隔着所述第一被吸附体吸附有第二被吸附体的所述静电吸盘的电极部施加在所述第一被吸附体与所述第二被吸附体接触的状态下用于使所述第一被吸附体和所述第二吸附体从所述静电吸盘一起分离的电压的步骤；及在所述电压的施加步骤之后，使支承所述第一被吸附体的支承机构移动，使所述第一被吸附体从所述第二被吸附体相隔离的步骤。

本发明的一实施方式的成膜方法在基板上经由掩模对蒸镀材料进行成膜，其特征在于，包括：向真空容器内送入掩模的步骤；向真空容器内送入基板的步骤；向静电吸盘的电极部施加第一吸附电压，从而将所述基板吸附于静电吸盘的步骤；向所述电极部施加第二吸附电压，从而在所述静电吸盘上隔着所述基板吸附所述掩模的步骤；在所述基板和所述掩模吸附于所述静电吸盘的状态下，使蒸镀材料蒸发，经由所述掩模在所述基板上对蒸镀材料进行成膜的步骤；及使用所述本发明的一实施方式的分离方法，将作为第二被吸附体的所述掩模和作为第一被吸附体的所述基板从所述静电吸盘分离的步骤。

本发明的一实施方式的电子设备的制造方法的特征在于，使用所述本发明的一实施方式的成膜方法来制造电子设备。

【发明效果】

根据本发明，能够将静电吸盘吸附的第一被吸附体及第二被吸附体良好地分离。

附图说明

图1是电子设备的制造装置的一部分的示意图。

图2是本发明的一实施方式的成膜装置的示意图。

图3a～图3c是本发明的一实施方式的静电吸盘系统的概念图及示意图。

图4是表示基板向静电吸盘的吸附顺序的工序图。

图5是表示掩模向静电吸盘的吸附顺序的工序图。

图6是表示掩模及基板从静电吸盘的分离顺序的工序图。

图7是表示向静电吸盘施加的电压的变化的坐标图。

图8是表示电子设备的示意图。

【符号说明】

1：群集装置(クラスタ装置)

11：成膜装置

12：掩模贮存装置

13：传送室

14：传送机器人

20：对准用相机

21：真空容器

22：基板支承单元

23：掩模支承单元

24：静电吸盘

25：蒸镀源

28：静电吸盘Z促动器

29：位置调整机构

30：静电吸盘系统

31：电压施加部

32：电压控制部

33：电极对

41～43：第一吸附部～第三吸附部

241～249：副电极部

331：第一电极

332：第二电极

具体实施方式

以下，参照附图，说明本发明的优选的实施方式及实施例。但是，以下的实施方式及实施例只不过例示性地表示本发明的优选结构，本发明的范围没有限定为这些结构。而且，以下的说明中的装置的硬件结构及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别特定的记载，就不旨在将本发明的范围仅限定于此。

本发明能够适用于使各种材料堆积于基板的表面而进行成膜的装置，能够优选适用于通过真空蒸镀形成所希望的图案的薄膜(材料层)的装置。作为基板的材料，可以选择玻璃、高分子材料的膜、金属等任意的材料，基板也可以是例如在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺等的膜的基板。而且，作为蒸镀材料，可以选择有机材料、金属性材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。需要说明的是，除了以下说明中说明的真空蒸镀装置以外，在包含溅射装置或CVD(Chemical Vapor Deposition化学气相沉积)装置的成膜装置中也可以适用本发明。具体而言，本发明的技术能够适用于有机电子设备(例如，有机发光元件、薄膜太阳能电池)、光学构件等的制造装置。其中，通过使蒸镀材料蒸发而经由掩模向基板蒸镀来形成有机发光元件的有机发光元件的制造装置是本发明的优选适用例之一。

<电子设备的制造装置>

图1是示意性地表示电子设备的制造装置的一部分的结构的俯视图。

图1的制造装置例如在智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造中使用。在智能手机用的显示面板的情况下，例如，在对第4.5代的基板(约700mm×约900mm)或第6代的全尺寸(约1500mm×约1850mm)或半切断尺寸(约1500mm×约925mm)的基板进行了用于形成有机EL元件的成膜之后，将该基板剪裁而制作成多个小尺寸的面板。

电子设备的制造装置通常包含多个群集装置1和将群集装置之间相连的中继装置。

群集装置1具备对基板S进行处理(例如成膜)的多个成膜装置11、将使用前后的掩模M收纳的多个掩模贮存装置12、以及在其中央配置的传送室13。如图1所示，传送室13与多个成膜装置11及掩模贮存装置12分别连接。

在传送室13内配置有对基板及掩模进行传送的传送机器人14。传送机器人14从配置于上游侧的中继装置的通路室15向成膜装置11传送基板S。而且，传送机器人14在成膜装置11与掩模贮存装置12之间传送掩模M。传送机器人14是例如具有在多关节臂安装有保持基板S或掩模M的机器人手的结构的机器人。

在成膜装置11(也称为蒸镀装置)中，收纳于蒸镀源的蒸镀材料由加热器加热而蒸发，经由掩模被蒸镀到基板上。由成膜装置11进行与传送机器人14的基板S的交接、基板S与掩模M的相对位置的调整(对准)、基板S向掩模M上的固定、成膜(蒸镀)等一连串的成膜工艺。

在成膜装置11的成膜工序中使用的新的掩模和使用过的掩模分为两个盒地收纳于掩模贮存装置12。传送机器人14将使用过的掩模从成膜装置11向掩模贮存装置12的盒传送，将掩模贮存装置12的其他盒中收纳的新的掩模向成膜装置11传送。

在群集装置1连结有在基板S的流动方向上将来自上游侧的基板S向该群集装置1传递的通路室15以及将在该群集装置1中成膜处理完成后的基板S向下游侧的其他的群集装置传送用的过渡室16。传送室13的传送机器人14从上游侧的通路室15接收基板S，向该群集装置1内的一个成膜装置11(例如，成膜装置11a)传送。而且，传送机器人14从多个成膜装置11中的一个(例如，成膜装置11b)接收该群集装置1中的成膜处理完成后的基板S，向在下游侧连结的过渡室16传送。

在过渡室16与通路室15之间设置有改变基板的朝向的回旋室17。在回旋室17设有从过渡室16接收基板S而使基板S旋转180°并用于向通路室15传送的传送机器人18。由此，在上游侧的群集装置与下游侧的群集装置中，基板S的朝向相同，基板处理变得容易。

通路室15、过渡室16、回旋室17是将群集装置间连结的所谓中继装置，在群集装置的上游侧及/或下游侧设置的中继装置包含通路室、过渡室、回旋室中的至少1个。

成膜装置11、掩模贮存装置12、传送室13、过渡室16、回旋室17等在有机发光元件的制造过程中，维持为高真空状态。通路室15通常维持为低真空状态，但是根据需要也可以维持为高真空状态。

在本实施例中，参照图1，说明了电子设备的制造装置的结构，但是本发明没有限定于此，可以具有其他种类的装置或腔室，也可以改变这些装置或腔室间的配置。

以下，说明成膜装置11的具体的结构。

<成膜装置>

图2是表示成膜装置11的结构的示意图。在以下的说明中，使用将铅垂方向设为Z方向的XYZ正交坐标系。在成膜时将基板S固定成与水平面(XY平面)平行的情况下，将基板S的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向，将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向。而且，绕Z轴的旋转角由θ表示。

成膜装置11包括维持成真空气氛或氮气等非活性气体气氛的真空容器21、设置在真空容器21的内部的基板支承单元22、掩模支承单元23、静电吸盘24、以及蒸镀源25。

基板支承单元22是接收在传送室13设置的传送机器人14传送来的基板S并保持的机构，也称为基板支架。

在基板支承单元22的下方设有掩模支承单元23。掩模支承单元23是接收在传送室13设置的传送机器人14传送来的掩模M并保持的机构，也称为掩模支架。

掩模M具有与形成在基板S上的薄膜图案对应的开口图案，载置在掩模支承单元23上。特别是为了制造智能手机用的有机EL元件而使用的掩模是形成有微细的开口图案的金属制的掩模，也称为FMM(Fine Metal Mask，精细金属掩模)。

在基板支承单元22的上方设有通过静电引力而用于吸附固定基板的静电吸盘24。静电吸盘24具有在电介质(例如，陶瓷材质)基体(matrix)内埋设有金属电极等电气电路的结构。静电吸盘24可以是库仑力类型的静电吸盘，可以是约翰森-拉别克力类型的静电吸盘，也可以是梯度力类型的静电吸盘。静电吸盘24优选为梯度力类型的静电吸盘。通过静电吸盘24为梯度力类型的静电吸盘，即使在基板S为绝缘性基板的情况下，也能够通过静电吸盘24良好地吸附。在静电吸盘24为库仑力类型的静电吸盘的情况下，当向金属电极施加正(+)及负(-)的电位时，通过电介质基体在基板S等被吸附体感应出极性与金属电极相反的极化电荷，通过它们之间的静电引力将基板S吸附固定于静电吸盘24。

静电吸盘24可以通过一个板形成，也可以形成为具有多个副板。而且，在通过一个板形成的情况下，也可以在其内部包含多个电气电路，以便在一个板内控制成根据位置的不同而使静电引力不同。

在本实施方式中，如后所述，在成膜前，通过静电吸盘24不仅吸附保持基板S(第一被吸附体)，而且也吸附保持掩模M(第二被吸附体)。然后，在通过静电吸盘24保持有基板S(第一被吸附体)和掩模M(第二被吸附体)的状态下，进行成膜，在成膜完成之后，解除静电吸盘24对基板S(第一被吸附体)和掩模M(第二被吸附体)的保持。

即，在本实施例中，由静电吸盘吸附并保持在静电吸盘24的铅垂方向的下侧放置的基板S(第一被吸附体)，然后，由静电吸盘24隔着基板S(第一被吸附体)吸附并保持隔着基板S(第一被吸附体)而在静电吸盘24的相反侧放置的掩模M(第二被吸附体)。并且，在利用静电吸盘24保持基板S(第一被吸附体)和掩模M(第二被吸附体)的状态下进行了成膜之后，将基板S(第一被吸附体)和掩模M(第二被吸附体)从静电吸盘24剥离。此时，将掩模M(第二被吸附体)和基板S(第一被吸附体)同时从静电吸盘24剥离。关于此，参照图4～图7在后文叙述。

虽然在图2中未图示，但是可以构成为在静电吸盘24的吸附面的相反侧设置抑制基板S的温度上升的冷却机构(例如，冷却板)以抑制堆积在基板S上的有机材料的变质或劣化。

蒸镀源25包括收纳向基板成膜的蒸镀材料的坩埚(未图示)、用于对坩埚进行加热的加热器(未图示)、在来自蒸镀源的蒸发率成为恒定之前阻止蒸镀材料向基板飞散的挡板(未图示)等。蒸镀源25可以为点(point)蒸镀源或线状(linear)蒸镀源等，根据用途而具有多样的结构。

虽然在图2中未图示，但是成膜装置11包括用于测定在基板上蒸镀的膜的厚度的膜厚监视器(未图示)及膜厚算出单元(未图示)。

在真空容器21的上部外侧(大气侧)设有基板Z促动器26、掩模Z促动器27、静电吸盘Z促动器28、以及位置调整机构29等。上述的促动器和位置调整机构例如由电动机和滚珠丝杠、或者电动机和线性引导件等构成。基板Z促动器26是用于使基板支承单元22升降(Z方向移动)的驱动机构。掩模Z促动器27是用于使掩模支承单元23升降(Z方向移动)的驱动机构。静电吸盘Z促动器28是用于使静电吸盘24升降(Z方向移动)的驱动机构。

位置调整机构29是静电吸盘24的对准用的驱动机构。位置调整机构29使静电吸盘24整体相对于基板支承单元22及掩模支承单元23进行X方向移动、Y方向移动、θ旋转。需要说明的是，在本实施方式中，在吸附有基板S的状态下，通过将静电吸盘24沿X、Y、θ方向进行位置调整来进行调整基板S与掩模M的相对位置的对准。

在真空容器21的外侧上表面，除了上述的驱动机构之外，也可以设置经由在真空容器21的上表面设置的透明窗而用于拍摄在基板S及掩模M上形成的对准标记的对准用相机20。在本实施例中，对准用相机20可以设置在与矩形的基板S、掩模M及静电吸盘24的对角线对应的位置或者与矩形的4个角部对应的位置。

在本实施方式的成膜装置11设置的对准用相机20是为了高精度地调整基板S与掩模M的相对位置而使用的精对准用相机，是虽然其视场角窄但是具有高析像度的相机。成膜装置11除了精对准用相机20之外，也可以具有视场角相对宽且低析像度的粗对准用相机。

需要说明的是，位置调整机构29基于通过对准用相机20取得的基板S(第一被吸附体)及掩模M(第二被吸附体)的位置信息，进行使基板S(第一被吸附体)与掩模M(第二被吸附体)相对移动地调整位置的对准。

成膜装置11具备控制部(未图示)。控制部具有基板S的传送及对准、蒸镀源25的控制、成膜的控制等功能。控制部可以由例如具有处理器、存储器、储存器(storage)、I/O等的计算机构成。在该情况下，控制部的功能通过处理器执行在存储器或存储条中保存的程序来实现。作为计算机，可以使用通用的个人计算机，也可以使用嵌入式的计算机或PLC(programmable logic controller，可编程序逻辑控制器)。或者，可以由ASIC或FPGA那样的电路构成控制部的功能的一部分或全部。而且，可以按照每个成膜装置来设置控制部，可以是一个控制部控制多个成膜装置。

<静电吸盘系统>

参照图3a～图3c，说明本实施方式的静电吸盘系统30。

图3a是本实施方式的静电吸盘系统30的概念性的框图，图3b是静电吸盘24的示意性的剖视图，图3c是静电吸盘24的示意性的俯视图。

如图3a所示，本实施方式的静电吸盘系统30包括静电吸盘24、电压施加部31、以及电压控制部32。

电压施加部31向静电吸盘24的电极部施加用于使其产生静电引力的电压。

电压控制部32根据静电吸盘系统30的吸附工序或成膜装置11的成膜工序的进行，控制通过电压施加部31向电极部施加的电压的大小、电压的施加开始时点、电压的维持时间、电压的施加顺序等。电压控制部32例如能够将向静电吸盘24的电极部包含的多个副电极部241～249的电压施加按照各副电极部独立地进行控制。在本实施方式中，电压控制部32与成膜装置11的控制部另行地实现，但是本发明没有限定于此，可以合并于成膜装置11的控制部。

静电吸盘24包含使吸附面产生用于吸附被吸附体(例如，基板S、掩模M)的静电吸附力的电极部，电极部可以包含多个副电极部241～249。例如，如图3c所示，本实施方式的静电吸盘24包括沿着静电吸盘24的长度方向(Y方向)及/或静电吸盘24的宽度方向(X方向)分割的多个副电极部241～249。

各个副电极部包括为了产生静电吸附力而被施加正(第一极性)及负(第二极性)的电位的电极对33。例如，各个电极对33包括被施加正电位的第一电极331和被施加负电位的第二电极332。

如图3c图示，第一电极331及第二电极332分别具有梳形形状。例如，第一电极331及第二电极332分别包含多个梳齿部和与多个梳齿部连结的基部。各电极331、332的基部向梳齿部供给电位，多个梳齿部使其与被吸附体之间产生静电吸附力。在一个副电极部中，第一电极331的各梳齿部以与第二电极332的各梳齿部相对的方式交替配置。这样，通过将各电极331、332的各梳齿部设为相对且相互装入的结构，能够缩窄被施加不同的电位的电极间的间隔，形成大的不均匀电场，能够通过梯度力吸附基板S。

在本实施例中，说明了静电吸盘24的副电极部241～249的各电极331、332具有梳形形状的情况，但是本发明没有限定于此，只要能够与被吸附体之间产生静电引力，就可以具有多样的形状。

本实施方式的静电吸盘24具有与多个副电极部对应的多个吸附部。例如，如图3c图示，本实施例的静电吸盘24具有与9个副电极部241～249对应的9个吸附部，但是没有限定于此，为了更精细地控制基板S的吸附，可以具有其他个数的吸附部。

吸附部以沿静电吸盘24的长度方向(Y轴方向)及宽度方向(X轴方向)分割的方式设置，但是没有限定于此，也可以仅沿静电吸盘24的长度方向或宽度方向分割。多个吸附部可以通过在物理上的一个板具有多个电极部来实现，也可以通过在物理上分割的多个板分别具有一个或其以上的电极部来实现。

例如，在图3c所示的实施例中，可以是以多个吸附部的每一个分别对应于多个副电极部的每一个的方式实现，也可以是以一个吸附部包含多个副电极部的方式实现。

即，通过电压控制部32控制向副电极部241～249的电压的施加，如后所述，能够使沿着与基板S的吸附进行方向(X方向)交叉的方向(Y方向)配置的3个副电极部241、244、247构成一个吸附部。即，3个副电极部241、244、247虽然能够分别独立地进行电压控制，但是可以通过以向这3个电极部241、244、247同时施加电压的方式进行控制而使这3个电极部241、244、247作为一个吸附部发挥功能。只要多个吸附部分别独立地进行基板的吸附即可，其具体的物理结构及电气电路结构可变化。

<基于静电吸盘系统的吸附及分离方法和电压的控制>

以下，参照图4～图7，说明在静电吸盘24对基板S及掩模M进行吸附及分离的工序及其电压控制。

(基板S的吸附)

图4图示出在静电吸盘24吸附基板S的工序。在本实施方式中，如图4所示，不是基板S的整面被同时吸附于静电吸盘24的下表面，而是沿着静电吸盘24的第一边(短边)从一端朝向另一端依次进行吸附。但是，本发明没有限定于此，例如，也可以从静电吸盘24的对角线上的一个角朝向与之相对的另一个角地进行基板的吸附。而且，也可以从静电吸盘24的中央部朝向周缘部地进行基板的吸附。

为了沿着静电吸盘24的第一边依次吸附基板S，可以控制向多个副电极部241～249施加基板吸附用的第一电压的顺序，也可以是虽然向多个副电极部241～249同时施加第一电压但是使支承基板S的基板支承单元22的支承部的结构或支承力不同。

图4示出通过向静电吸盘24的多个副电极部241～249施加的电压的控制而使基板S由静电吸盘24依次吸附的实施方式。在此，以沿着静电吸盘24的长边方向(Y方向)配置的3个副电极部241、244、247构成第一吸附部41，静电吸盘24的中央部的3个副电极部242、245、248构成第二吸附部42，其余3个副电极部243、246、249构成第三吸附部43的情况为前提进行说明。

首先，向成膜装置11的真空容器21内送入基板S，并将其载置于基板支承单元22的支承部。

接下来，静电吸盘24下降，朝向在基板支承单元22的支承部上载置的基板S移动(图4a)。

当静电吸盘24与基板S充分地接近或接触时，电压控制部32以沿着静电吸盘24的第一边(宽度)从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次施加第一电压(ΔV1)的方式进行控制。

即，以先向第一吸附部41施加第一电压(ΔV1)(图4b)，接下来，向第二吸附部42施加第一电压(ΔV1)(图4c)，最终向第三吸附部43施加第一电压(ΔV1)的方式进行控制(图4d)。

为了使基板S可靠地吸附于静电吸盘24，将第一电压(ΔV1)设定为足够大的电压。

由此，基板S的向静电吸盘24的吸附从基板S的与第一吸附部41对应的一侧经由基板S的中央部朝向第三吸附部43侧进行(即，基板S的吸附沿X方向进行)，基板S在基板中央部未残留褶皱而平坦地吸附于静电吸盘24。

在本实施方式中，说明了在静电吸盘24与基板S充分接近或接触的状态下施加第一电压(ΔV1)的情况，但是也可以在静电吸盘24朝向基板S开始下降之前或下降中途施加第一电压(ΔV1)。

在基板S向静电吸盘24的吸附工序完成之后的规定的时点，如图4e所示，电压控制部32使向静电吸盘24的电极部施加的电压从第一电压(ΔV1)下降成比第一电压(ΔV1)小的第二电压(ΔV2)。

第二电压(ΔV2)是用于维持将基板S吸附于静电吸盘24的状态的吸附维持电压，是比使基板S吸附于静电吸盘24时施加的第一电压(ΔV1)低的电压。当向静电吸盘24施加的电压下降成第二电压(ΔV2)时，与之对应地，在基板S感应出的极化电荷量也比施加了第一电压(ΔV1)时减少，但是在基板S一旦通过第一电压(ΔV1)而吸附于静电吸盘24以后，即使施加比第一电压(ΔV1)低的第二电压(ΔV2)也能够维持基板的吸附状态。

这样，通过使向静电吸盘24的电极部施加的电压下降成第二电压(ΔV2)，能够缩短使基板从静电吸盘24分离所花费的时间。

即，在要将基板S从静电吸盘24分离时，即使向静电吸盘24的电极部施加的电压为零(0)，静电吸盘24与基板S之间的静电引力也不会立即消失，在静电吸盘24与基板S的界面感应出的电荷消失要花费相当长的时间(根据情况的不同，有时为几分钟左右)。特别是在使基板S吸附于静电吸盘24时，通常，为了使该吸附可靠，将第一电压(例如，图5所示的ΔVmax)设定成比使基板吸附于静电吸盘24所需的最小静电引力(Fth)充分大的静电引力发挥作用，但是从这样的第一电压至成为基板能够分离的状态为止要花费相当长的时间。

在本实施例中，为了防止由于这样的基板S从静电吸盘24分离所花费的时间而使整体上的工序时间(Tact)增加，在基板S吸附于静电吸盘24之后，在规定的时点，将向静电吸盘24施加的电压下降成第二电压(ΔV2)。

在图示的实施例中，示出了使向静电吸盘24的第一吸附部41～第三吸附部43施加的电压同时下降成第二电压(ΔV2)的情况，但是本发明没有限定于此，也可以按照各吸附部而使下降成第二电压(ΔV2)的时点或施加的第二电压(ΔV2)的大小分别不同。例如，可以从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次下降成第二电压(ΔV2)。

这样，在向静电吸盘24的电极部施加的电压下降成第二电压(ΔV2)之后，对吸附于静电吸盘24的基板S与载置在掩模支承单元23上的掩模M的相对位置进行调整(对准)。在本实施例中，说明了在向静电吸盘24的电极部施加的电压下降成第二电压(ΔV2)之后进行基板S与掩模M之间的相对位置调整(对准)的情况，但是本发明没有限定于此，也可以在向静电吸盘24的电极部施加第一电压(ΔV1)的状态下进行对准工序。

(掩模M的吸附)

当基板S的吸附及与掩模M的对准调整结束时，隔着吸附的基板S使掩模M进一步吸附于静电吸盘24。具体而言，通过向静电吸盘24的电极部施加掩模M的吸附用的第三电压(ΔV3)，从而隔着基板S使掩模M吸附于静电吸盘24。即，在吸附于静电吸盘24的基板S的下表面吸附掩模M。

图5示出使掩模M吸附于静电吸盘24的工序。

首先，通过静电吸盘Z促动器28使吸附有基板S的静电吸盘24朝向掩模M下降(图5a)。

如果吸附于静电吸盘24的基板S的下表面与掩模M充分接近或接触，则电压控制部32以电压施加部31向静电吸盘24的电极部施加第三电压(ΔV3)的方式进行控制。

第三电压(ΔV3)比第二电压(ΔV2)大，优选为经由基板S而使掩模M通过静电感应能够带电的程度的大小。由此，掩模M能够隔着基板S吸附于静电吸盘24。但是，本发明没有限定于此，第三电压(ΔV3)也可以具有与第二电压(ΔV2)相同的大小。即使第三电压(ΔV3)具有与第二电压(ΔV2)相同的大小，如前所述，由于因静电吸盘24的下降而使静电吸盘24或基板S与掩模M之间的相对距离缩小，因此即使不进一步增大向静电吸盘24的电极部施加的电压的大小，通过在基板静电感应出的极化电荷也能够使掩模M产生静电感应，能得到掩模M隔着基板而能够吸附于静电吸盘24的程度的吸附力。

第三电压(ΔV3)也可以比第一电压(ΔV1)小，也可以考虑工序时间(Tact)的缩短而设为与第一电压(ΔV1)同等程度的大小。

在图5所示的掩模吸附工序中，为了使掩模M能够不残留褶皱地吸附于基板S的下表面，电压控制部32不是向静电吸盘24整体同时施加第三电压(ΔV3)，而是沿着第一边从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次施加。

即，以先向第一吸附部41施加第三电压(ΔV3)(图5b)，接下来，向第二吸附部42施加第三电压(ΔV3)(图5c)，最终向第三吸附部43施加第三电压(ΔV3)的方式进行控制(图5d)。

由此，掩模M向静电吸盘24的吸附从掩模M的与第一吸附部41对应的一侧开始经由掩模M的中央部朝向第三吸附部43侧进行(即，掩模M的吸附沿X方向进行)，掩模M在掩模M的中央部未残留褶皱而平坦地吸附于静电吸盘24。

在本实施方式中，说明了在静电吸盘24与掩模M接近或接触的状态下施加第三电压(ΔV3)的情况，但是也可以在静电吸盘24朝向掩模M开始下降之前或下降的中途施加第三电压(ΔV3)。

在掩模M向静电吸盘24的吸附工序完成之后的规定的时点，如图5e所示，电压控制部32使向静电吸盘24的电极部施加的电压从第三电压(ΔV3)下降成比第三电压(ΔV3)小的第四电压(ΔV4)。

第四电压(ΔV4)是用于维持隔着基板S吸附于静电吸盘24的掩模M的吸附状态的吸附维持电压，是比使掩模M向静电吸盘24吸附时的第三电压(ΔV3)低的电压。当向静电吸盘24施加的电压下降成第四电压(ΔV4)时，与之相对应地，在掩模M感应的极化电荷量也比施加第三电压(ΔV3)时减少，但是掩模M一旦通过第三电压(ΔV3)吸附于静电吸盘24以后，即使施加比第三电压(ΔV3)低的第四电压(ΔV4)，也能够维持掩模的吸附状态。

这样，通过使向静电吸盘24的电极部施加的电压下降成第四电压(ΔV4)，能够减少使掩模M从静电吸盘24分离所花费的时间。

即，在要将掩模M从静电吸盘24分离时，即使向静电吸盘24的电极部施加的电压为零(0)，静电吸盘24与掩模M之间的静电引力也不会立即消失，在基板S与掩模M的界面感应出的电荷消失会花费相当长的时间(根据情况的不同，有时为几分钟左右)。特别是在使静电吸盘24吸附掩模M时，通常，为了使其吸附可靠并缩短吸附花费的时间而施加充分大的电压，但是从这样的第三电压到成为掩模能够分离的状态为止会花费相当长的时间。

在本实施例中，为了防止由于这样的掩模M从静电吸盘24分离所花费的时间而使整体上的工序时间(Tact)增加，在掩模M吸附于静电吸盘24之后，在规定的时点，将向静电吸盘24施加的电压下降成第四电压(ΔV4)。

在示出的实施例中，使向静电吸盘24的第一吸附部41～第三吸附部43施加的电压同时下降成第四电压(ΔV4)，但是本发明没有限定于此，也可以按照各吸附部而使下降成第四电压(ΔV4)的时点或施加的第四电压(ΔV4)的大小分别不同。例如，可以从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次下降成第四电压(ΔV4)。

这样，在掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的状态下，进行将从蒸镀源25蒸发的蒸镀材料经由掩模M向基板S成膜的成膜工序。在本实施例中，说明了利用由静电吸盘24产生的静电吸附力保持掩模M的情况，但是本发明没有限定于此，也可以在静电吸盘24的上部追加设置磁铁板，通过利用磁铁板向金属制的掩模M施加磁力，从而更可靠地使掩模M紧贴于基板S。

(基板S和掩模M从静电吸盘24的分离)

在将基板S和掩模M吸附于静电吸盘24的状态下完成成膜工序时，通过向静电吸盘24施加的电压控制，将吸附的基板S和掩模M从静电吸盘24分离。

图6示出从静电吸盘24分离基板S和掩模M的工序。

如图6a所示，电压控制部32将向静电吸盘24的电极部施加的电压从前述的作为吸附维持电压的第四电压(ΔV4)变更为掩模M及基板S能够同时分离的第五电压(ΔV5)。在此，第五电压(ΔV5)是用于将直接吸附于静电吸盘24的吸附面的基板S和隔着基板S吸附的掩模M这两方从静电吸盘24同时分离的分离电压。从而，第五电压(ΔV5)是大小比使基板S和掩模M分别向静电吸盘24吸附时施加的吸附电压(第一电压ΔV1、第三电压ΔV3)、及为了各自的吸附维持而施加的吸附维持电压(第二电压ΔV2、第四电压ΔV4)低的电压。例如，电压控制部32可以向静电吸盘24的电极部施加零(0)电压(即使之断开)作为第五电压(ΔV5)，或者施加极性与吸附时的电压相反的电压作为第五电压(ΔV5)。其结果是，在掩模M和基板S分别感应出的极化电荷被除去，掩模M及基板S从静电吸盘24同时分离。

这样，在本发明的一实施方式的结构中，在从静电吸盘24的吸附面分离基板S和掩模M的情况下，通过向静电吸盘24施加能够将在2个被吸附体(基板S及掩模M)感应出的全部的极化电荷一起除去的充分低的大小的分离电压(ΔV5；零电压或反极性的电压)，从而将2个被吸附体(基板S及掩模M)一起从静电吸盘24分离。

根据这样的结构，在从静电吸盘24的吸附面分离时，绝缘性的被吸附体即基板S与通常由金属材料构成的被吸附体即掩模M在维持相互接触的状态下分离。从而，在通过施加分离电压(ΔV5)而使在各被吸附体感应出的极化电荷除去时，掩模M侧的极化电荷经由接地的掩模支承单元23被除去，并且绝缘性的被吸附体即基板S侧的极化电荷也经由维持接触状态的金属性的掩模M一起被迅速除去。因此，相应地，能够更迅速地进行2个被吸附体从静电吸盘24的分离。

另外，虽然详细的图示省略，但是在使向静电吸盘24施加的电压下降成作为分离电压的第五电压(ΔV5)的图6a的工序中，优选以按照静电吸盘24的各吸附部而使下降成第五电压(ΔV5)的时点不同的方式进行控制。特别是如前所述，在分别吸附基板S和掩模M的工序中，在从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次分别施加吸附电压(ΔV1、ΔV3)来进行吸附的情况下(参照图4b～图4d及图5b～图5d)，即使在基板S与掩模M同时分离时，也优选同样以从第一吸附部41朝向第三吸附部43依次施加作为分离电压的第五电压(ΔV5)的方式进行控制。

即，以对先施加了吸附电压的区域也先施加分离电压的方式进行控制。

正因为是与先施加了吸附电压的静电吸盘电极部(在前述的例子中，为第一吸附部41)对应的被吸附体(基板S和掩模M)的区域，因此相比较于与后施加吸附电压的静电吸盘电极部(在前述的例子中，为第三吸附部43)对应的区域，由静电吸盘24吸附的期间长，由此，相应地在该区域残存的极化电荷量的大小也大。

在本发明的实施方式中，通过控制成从这样吸附期间相对长且极化电荷量的大小相对大的区域依次施加分离电压(ΔV5)，由此能够进一步缩短被吸附体(基板S和掩模M)的整体从静电吸盘24分离为止的时间。而且，通过这样使被施加分离电压(ΔV5)的区域从吸附产生的极化电荷量的大小大的区域依次扩展，能够使被吸附体(基板S和掩模M)从静电吸盘24的吸附面分离的时机在吸附面内均匀化。

另一方面，除了按照静电吸盘24的各吸附部使下降成第五电压(ΔV5)的时点不同之外，也可以按照各吸附部来改变施加的第五电压(ΔV5)的大小。即，在上述的例子的情况下，可以控制成向先施加吸附电压的静电吸盘电极部(第一吸附部41)施加较大的分离电压(ΔV5)，向后施加吸附电压的静电吸盘电极部(第三吸附部43)施加较小的分离电压(ΔV5)。这样，即使在能够使基板和掩模同时分离的电压的范围内，对应于被施加吸附电压的顺序而按照各吸附区域使作为分离电压施加的第五电压(ΔV5)的大小控制成不同，也能够得到同样的效果。

以上，说明了按照各吸附区域将施加分离电压即第五电压(ΔV5)的时点或大小控制成不同的例子，但是本发明没有限定于此。即，如以上说明所述，本发明的特征在于，通过向静电吸盘24施加能够将在两个被吸附体(基板S和掩模M)感应出的全部的极化电荷一起除去且大小充分低的分离电压(ΔV5；零电压或反极性的电压)，从而2个被吸附体(基板S和掩模M)从静电吸盘24一起分离，只要采取这样的结构即可，对于向静电吸盘24的多个吸附区域的分离电压(ΔV5)的施加，也可以控制成使向第一吸附部41～第三吸附部43施加的电压同时下降成第五电压(ΔV5)。

返回图6，当这样基板S和掩模M在维持接触的状态下从静电吸盘24一起分离而载置于各支承单元22、23上时，通过静电吸盘Z促动器28使静电吸盘24上升，接下来，通过基板Z促动器26使基板支承单元22上升，使基板S从掩模M隔离，由此完成分离工序(图6b)。

以下，参照图7，说明在通过静电吸盘24吸附并保持基板S及掩模M的过程中，向静电吸盘24的电极部或副电极部施加的电压的控制。

首先，为了使基板S吸附于静电吸盘24而在规定的时点(t1)向静电吸盘24的电极部或副电极部施加第一电压(ΔV1)。

第一电压(ΔV1)优选具有能得到足以使基板S吸附于静电吸盘24的静电吸附力的大小，且是为了缩短从向静电吸盘24的电极部或副电极部施加第一电压至基板S产生极化电荷为止花费的时间而尽可能大的电压。例如，优选施加通过电压施加部31能够施加的最大电压(ΔVmax)。

接下来，通过施加的第一电压在基板S感应出极化电荷，在基板S以充分的静电吸附力吸附于静电吸盘24之后(t＝t2)，将向静电吸盘24的电极部或副电极部施加的电压下降成第二电压(ΔV2)。第二电压(ΔV2)只要是例如能够维持基板S吸附于静电吸盘24的状态的最低的电压(ΔVmin)即可。

接下来，为了使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24，将向静电吸盘24的电极部或副电极部施加的电压上升成第三电压(ΔV3)(t＝t3)。第三电压(ΔV3)由于是用于使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的电压，因此优选具有第二电压(ΔV2)以上的大小，考虑工序时间而更优选为电压施加部31能够施加的最大电压(ΔVmax)。

在本实施方式中，在成膜工序后为了缩短将基板S及掩模M从静电吸盘24分离所花费的时间，将向静电吸盘24的电极部或副电极部施加的电压下降成更小的第四电压(ΔV4)(t＝t4)，而不维持成第三电压(ΔV3)。但是，为了维持掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24的状态，第四电压(ΔV4)优选为维持仅将基板S吸附于静电吸盘24的状态所需的第二电压(ΔV2)以上的电压。

在成膜工序完成之后(t5)，为了将基板S和掩模M从静电吸盘24分离而使向静电吸盘24的电极部施加的电压下降成作为分离电压的第五电压(ΔV5)。即，使向静电吸盘24的电极部施加的电压下降成零(0)(即，断开)，或者施加极性与吸附时的电压相反的电压。由此，在基板S和掩模M感应出的极化电荷被除去，基板S与掩模M在维持相互接触的状态下从静电吸盘24分离。接下来，使基板支承单元22上升，使基板S从掩模M隔离，由此完成从静电吸盘24的分离工序。

<成膜工艺>

以下，说明采用了本实施方式的静电吸盘的电压控制的成膜方法。

在真空容器21内的掩模支承单元23载置有掩模M的状态下，通过传送室13的传送机器人14向成膜装置11的真空容器21内送入基板。

进入到真空容器21内的传送机器人14的手下降，将基板S载置到基板支承单元22的支承部上。

接下来，静电吸盘24朝向基板S下降，与基板S充分地接近或接触之后，向静电吸盘24施加第一电压(ΔV1)，吸附基板S。

在本发明的一实施方式中，为了最大限度地确保将基板从静电吸盘24分离所需的时间，在基板向静电吸盘24的吸附完成之后，使向静电吸盘24施加的电压从第一电压(ΔV1)下降成第二电压(ΔV2)。即便向静电吸盘24施加的电压下降成第二电压(ΔV2)，由于到通过第一电压(ΔV1)在基板感应出的极化电荷被放电为止会花费时间，因此在以后的工序中也能够维持静电吸盘24对基板的吸附力。

在基板S吸附于静电吸盘24的状态下，为了计测基板S相对于掩模M的相对位置偏离，而使基板S朝向掩模M下降。在本发明的另一实施方式中，在吸附于静电吸盘24的基板下降的过程中为了可靠地防止基板从静电吸盘24脱落，在基板的下降过程完成之后(即，后述的对准工序即将开始之前)，使向静电吸盘24施加的电压下降成第二电压(ΔV2)。

当基板S下降至计测位置时，利用对准用相机20拍摄在基板S和掩模M上形成的对准标记，从而计测基板与掩模的相对位置偏离。在本发明的另一实施方式中，为了进一步提高基板与掩模的相对位置的计测工序的精度，在对准用的计测工序完成之后(对准工序中)，使向静电吸盘24施加的电压下降成第二电压。即，通过对利用第一电压(ΔV1)使基板较强地吸附于静电吸盘24的状态(将基板维持成更平坦的状态)下的基板与掩模的对准标记进行拍摄，能够提高计测工序的精度。

计测的结果是，如果判明基板相对于掩模的相对位置偏离超过阈值，则使吸附于静电吸盘24的状态的基板S沿水平方向(XYθ方向)移动，将基板相对于掩模进行位置调整(对准)。在本发明的另一实施方式中，在这样的位置调整的工序完成之后，使向静电吸盘24施加的电压下降成第二电压(ΔV2)。由此，能够在整个对准工序(相对位置计测或位置调整)中进一步提高精度。

在对准工序之后，使掩模M隔着基板S吸附于静电吸盘24。因此，向静电吸盘24的电极部或副电极部施加具有第二电压以上的大小的第三电压(ΔV3)。

在这样的掩模M的吸附工序完成之后，使向静电吸盘24的电极部或副电极部施加的电压下降成第四电压(ΔV4)，该第四电压(ΔV4)是能够维持在静电吸盘24吸附有基板和掩模的状态的电压。由此，能够缩短在成膜工序完成后将基板S及掩模M从静电吸盘24分离所花费的时间。

接下来，打开蒸镀源25的挡板，将蒸镀材料经由掩模向基板S蒸镀。

在蒸镀成所希望的厚度之后，使向静电吸盘24的电极部或副电极部施加的电压下降成第五电压(ΔV5；零(0)或反极性的电压)，将基板S和掩模M从静电吸盘24一起分离，接下来，使基板S从掩模M隔离并抬起至送出位置，之后通过进入到成膜装置11内的传送机器人14的手而向真空容器21的外部送出。

<电子设备的制造方法>

接下来，说明使用了本实施方式的成膜装置的电子设备的制造方法的一例。以下，作为电子设备的例子而例示有机EL显示装置的结构及制造方法。

首先，说明制造的有机EL显示装置。图8(a)表示有机EL显示装置60的整体图，图8(b)表示1个像素的截面结构。

如图8(a)所示，在有机EL显示装置60的显示区域61，将具备多个发光元件的像素62呈矩阵状地配置多个。发光元件分别具有具备由一对电极夹持的有机层的结构，详情在后文进行说明。需要说明的是，在此所说的像素是指在显示区域61能够进行所希望的颜色显示的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下，通过表现出互不相同的发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G、第三发光元件62B的组合来构成像素62。像素62多由红色发光元件、绿色发光元件、蓝色发光元件的组合构成，但也可以是黄色发光元件、青绿色发光元件、白色发光元件的组合，只要为至少1个颜色以上即可，没有特别限制。

图8(b)是图8(a)的A-B线处的局部剖视示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件，该有机EL元件具备阳极64、空穴传输层65、发光层66R、66G、66B的任一个、电子传输层67、以及阴极68。在它们之中，空穴传输层65、发光层66R、66G、66B、电子传输层67相当于有机层。而且，在本实施方式中，发光层66R是发出红色的有机EL层，发光层66G是发出绿色的有机EL层，发光层66B是发出蓝色的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也记述为有机EL元件)对应的图案。而且，阳极64按照各发光元件而分离形成。空穴传输层65、电子传输层67以及阴极68可以与多个发光元件62R、62G、62B共用地形成，也可以按照各发光元件形成。需要说明的是，为了防止阳极64与阴极68因杂质发生短路而在阳极64间设置有绝缘层69。此外，由于有机EL层因水分或氧而劣化，因此设置有用于保护有机EL元件免于遭受水分或氧的保护层70。

在图6(b)中，空穴传输层65或电子传输层67由一个层表示，但是根据有机EL显示元件的结构，也可以由包含空穴阻挡层或电子阻挡层的多个层形成。而且，在阳极64与空穴传输层65之间也可以形成空穴注入层，该空穴注入层具有能够使空穴从阳极64向空穴传输层65的注入顺畅地进行的能带结构。同样，在阴极68与电子传输层67之间也可以形成电子注入层。

接下来，具体说明有机EL显示装置的制造方法的例子。

首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)及阳极64的基板63。

在形成有阳极64的基板63上通过旋涂形成丙烯酸树脂，将丙烯酸树脂通过光刻法以在形成有阳极64的部分形成开口的方式进行制图来形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。

将制图有绝缘层69的基板63向第一有机材料成膜装置送入，利用基板保持单元及静电吸盘保持基板，将空穴传输层65在显示区域的阳极64上成膜为共用的层。空穴传输层65通过真空蒸镀来成膜。实际上空穴传输层65形成为比显示区域61大的尺寸，因此不需要高精细的掩模。

接下来，将连空穴传输层65都形成了的基板63向第二有机材料成膜装置送入，利用基板保持单元及静电吸盘进行保持。进行基板与掩模的对准，将基板载置在掩模上，在基板63的配置发出红色的元件的部分成膜出发出红色的发光层66R。

与发光层66R的成膜同样地，通过第三有机材料成膜装置成膜出发出绿色的发光层66G，而且通过第四有机材料成膜装置成膜出发出蓝色的发光层66B。在发光层66R、66G、66B的成膜完成之后，通过第五成膜装置在显示区域61的整体成膜出电子传输层67。电子传输层67在3色的发光层66R、66G、66B形成为共用的层。

使连电子传输层67都形成了的基板在金属性蒸镀材料成膜装置中移动而成膜出阴极68。

根据本发明，在使基板和掩模吸附于静电吸盘24之后，在规定的时点预先降低向静电吸盘24施加的电压。并且在成膜工序完成之后，在将基板和掩模从静电吸盘分离时，施加零(0)(即，断开)或极性与吸附时的电压相反的电压作为分离电压，将基板与掩模以维持相互接触的状态从静电吸盘24同时分离。由此，能够缩短将基板和掩模从静电吸盘24分离所花费的时间，减少工序时间。

然后向等离子体CVD装置移动而成膜出保护层70，完成有机EL显示装置60。

从将制图有绝缘层69的基板63向成膜装置送入至保护层70的成膜完成为止，如果暴露在包含水分或氧的气氛中，则由有机EL材料构成的发光层可能因水分或氧而劣化。因此，在本列中，在真空气氛或非活性气体气氛下进行成膜装置间的基板的送入送出。

上述实施例表现了本发明的一例，本发明没有限定为上述实施例的结构，在其技术构思的范围内可以适当变形。

Claims (11)

1.一种静电吸盘系统，其特征在于，包括：

静电吸盘，所述静电吸盘包含电极部；及

电压控制部，所述电压控制部用于控制对所述静电吸盘的所述电极部施加的电压，

当利用静电力将第一被吸附体吸附于所述静电吸盘且通过静电力将第二被吸附体隔着所述第一被吸附体吸附于所述静电吸盘时，所述电压控制部施加用于使相互接触的所述第一被吸附体和所述第二被吸附体从所述静电吸盘一起分离的分离电压，

所述静电吸盘具有多个电极部，

所述电压控制部对所述多个电极部分别独立地施加所述分离电压，

所述电压控制部在施加所述分离电压时，按照与在所述电极部上吸附所述第一被吸附体时以及隔着所述第一被吸附体吸附所述第二被吸附体时的向所述多个电极部施加吸附电压的顺序相同的顺序，依次对所述多个电极部施加所述分离电压。

2.一种静电吸盘系统，其特征在于，包括：

静电吸盘，所述静电吸盘包含电极部；及

电压控制部，所述电压控制部用于控制对所述静电吸盘的所述电极部施加的电压，

当利用静电力将第一被吸附体吸附于所述静电吸盘且通过静电力将第二被吸附体隔着所述第一被吸附体吸附于所述静电吸盘时，所述电压控制部施加用于使相互接触的所述第一被吸附体和所述第二被吸附体从所述静电吸盘一起分离的分离电压，

所述静电吸盘具有多个电极部，

所述电压控制部对所述多个电极部分别独立地施加所述分离电压，

所述电压控制部使向所述多个电极部分别施加所述分离电压的时期不同。

3.一种静电吸盘系统，其特征在于，包括：

静电吸盘，所述静电吸盘包含电极部；及

电压控制部，所述电压控制部用于控制对所述静电吸盘的所述电极部施加的电压，

当利用静电力将第一被吸附体吸附于所述静电吸盘且通过静电力将第二被吸附体隔着所述第一被吸附体吸附于所述静电吸盘时，所述电压控制部施加用于使相互接触的所述第一被吸附体和所述第二被吸附体从所述静电吸盘一起分离的分离电压，

所述静电吸盘具有多个电极部，

所述电压控制部对所述多个电极部分别独立地施加所述分离电压，

所述电压控制部使向所述多个电极部分别施加的所述电压的大小不同。

4.根据权利要求3所述的静电吸盘系统，其特征在于，

所述电压控制部在向所述多个电极部分别施加的所述分离电压的大小的控制中，在使所述第一被吸附体吸附于所述静电吸盘时以及使所述第二被吸附体隔着所述第一被吸附体吸附于所述静电吸盘时，所述多个电极部中的越早被施加吸附电压的电极部，则越施加更大的所述分离电压。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的静电吸盘系统，其特征在于，

所述第一被吸附体是由绝缘性材料构成的基板，

所述第二被吸附体是由金属性材料构成的掩模。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的静电吸盘系统，其特征在于，

在向所述电极部施加所述分离电压时，所述第二被吸附体由接地的支承机构支承。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的静电吸盘系统，其特征在于，

所述分离电压是零(0)电压，或是与使所述第一被吸附体及所述第二被吸附体吸附于所述静电吸盘时的吸附电压极性相反的电压。

8.一种成膜装置，所述成膜装置用于在基板上经由掩模进行成膜，其特征在于，

所述成膜装置包括用于对作为第一被吸附体的基板和作为第二被吸附体的掩模进行吸附的静电吸盘系统，

所述静电吸盘系统是权利要求1～7中任一项所述的静电吸盘系统。

9.一种分离方法，所述分离方法从静电吸盘的电极部分离吸附于该电极部的被吸附体，其特征在于，包括：

当利用静电力将第一被吸附体吸附于所述静电吸盘且通过静电力将第二被吸附体隔着所述第一被吸附体吸附于所述静电吸盘时，施加用于使相互接触的所述第一被吸附体和所述第二被吸附体从所述静电吸盘一起分离的分离电压的步骤；及

在施加所述电压的步骤之后，使支承所述第一被吸附体的支承机构移动，使所述第一被吸附体从所述第二被吸附体离开的步骤。

10.一种成膜方法，在基板上经由掩模对蒸镀材料进行成膜，其特征在于，包括：

向真空容器内送入掩模的步骤；

向真空容器内送入基板的步骤；

对静电吸盘的电极部施加第一吸附电压，从而将所述基板吸附于静电吸盘的步骤；

对所述电极部施加第二吸附电压，从而在所述静电吸盘上隔着所述基板吸附所述掩模的步骤；

在所述基板和所述掩模吸附于所述静电吸盘的状态下，使蒸镀材料蒸发，经由所述掩模在所述基板上对蒸镀材料进行成膜的步骤；及

使用权利要求9所述的分离方法，将作为第二被吸附体的所述掩模和作为第一被吸附体的所述基板从所述静电吸盘分离的步骤。

11.一种电子设备的制造方法，其特征在于，

使用权利要求10所述的成膜方法来制造电子设备。

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