JP2021042467A - 吸着装置、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】アライメント以降は基板とマスクの両方が静電チャックに十分吸着されるようにし、アライメント時には静電チャックに吸着された基板がマスクと接触しないようにする。【解決手段】吸着装置は第１被吸着体と第２被吸着体を吸着し、第１電極と第２電極を有する静電チャック、第１電極と第２電極に夫々所定の電位を付与する電位付与部、電位付与を制御する電位制御部を含み、電位制御部は、吸着された第１被吸着体と吸着されていない第２被吸着体の相対位置調整時は第１電極と第２電極に夫々第１電位と第２電位が付与され、相対位置調整後に第１被吸着体を挟んで第２被吸着体を吸着させる際には、第１電位と第２電位の少なくとも一つを変化させ第１電極と第２電極に夫々第３電位と第４電位が付与されるように制御し、第３電位と第４電位との和の絶対値は第１電位と第２電位との和の絶対値よりも大きい。【選択図】図４

Description

本発明は、吸着装置、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法に関するものである。

最近、フラットパネル表示装置として有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）が脚光を浴びている。有機ＥＬ表示装置は、自発光ディスプレイであり、応答速度、視野角、薄型化などの特性が液晶パネルディスプレイより優れており、モニタ、テレビ、スマートフォンに代表される各種の携帯端末などで既存の液晶パネルディスプレイを早いスピードで代替している。また、自動車用ディスプレイ等にも、その応用分野を広げている。

有機ＥＬ表示装置を構成する有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ）は、２つの向かい合う電極（カソード電極、アノード電極）の間に発光を起こす有機物層が形成された基本構造を持つ。例えば、有機発光素子の有機物層と金属電極層は、成膜装置において、成膜材料が収容された成膜源から放出される成膜材料を画素パターンに基づくパターンが形成されたマスクを介して基板に堆積させることで製造される。

上向蒸着方式（デポアップ）の成膜装置において、成膜源は成膜装置の真空容器の下部に設けられ、基板は真空容器の上部に配置され、成膜材料は基板の下面に蒸着される。このような上向蒸着方式の成膜装置の真空容器内において、基板はその下面の周辺部だけが基板ホルダによって保持されるので、基板がその自重によって撓み、これが蒸着精度を落とす一つの要因となっている。上向蒸着方式以外の方式の成膜装置においても、基板の自重による撓みが生じる可能性はある。

基板の自重による撓みを低減するための方法として、静電チャックを使う技術が検討されている。すなわち、基板の上面をその全体にわたって静電チャックで吸着することで、基板の撓みを低減することができる。

特許文献１（韓国特許公開公報第２００７−００１０７２３号）には、静電チャックで基板及びマスクを吸着する技術が提案されている。
ところが、このように静電チャックで基板越しにマスクを吸着する場合には、基板とマスク間のアライメントが完了した後は、基板とマスクの両方を静電チャックによって十分吸着し、両者間の密着度を高める必要があるが、アライメントを行う間には基板とマスクが互いに接触しないようにすることが好ましい。つまり、アライメント完了後、成膜を行う際には、成膜精度を向上させるためには基板とマスクを隙間なく密着させることが好ましいが、アライメントを行っている間には両者間の接触が生じると、基板又はマスクの損傷、或いは前の工程で基板上に成膜された膜などが損傷する可能性があり、かつ、アライメントの精度も低下する。

韓国特許公開公報第２００７−００１０７２３号

したがって、静電チャックで基板越しにマスクを吸着する場合には、アライメント時の要求事項（基板／マスクの損傷防止、及びアライメント精度の低下の抑制）と、アライメ
ント以降の要求事項（基板とマスク間の密着性向上）を共に達成できるように、静電チャックに付与される電位を効果的に制御する必要があるが、従来は、これに関する認識や研究がされていなかった。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、アライメント以降は基板とマスクの両方が静電チャックに十分吸着されるようにし、アライメント時には静電チャックに吸着された基板がマスクと接触しないようにするための技術を提供することを目的とする。

本発明の実施形態による吸着装置は、第１被吸着体と、前記第１被吸着体を挟んで第２被吸着体を吸着するための吸着装置であって、少なくとも第１電極と第２電極を有する静電チャックと、前記第１電極と前記第２電極に、夫々、接地電位に対する所定の電位を付与する電位付与部と、前記電位付与部による電位の付与を制御するための電位制御部とを含み、前記電位制御部は、前記静電チャックに吸着された前記第１被吸着体と、前記静電チャックに吸着されていない前記第２被吸着体との相対位置の調整時には、前記第１電極と前記第２電極に夫々第１電位と第２電位が付与され、また、前記相対位置の調整の後に前記第１被吸着体を挟んで前記第２被吸着体を前記静電チャックに吸着させる際には、前記第１電位と前記第２電位の少なくとも一つを変化させ、前記第１電極と前記第２電極に夫々第３電位と第４電位が付与されるように、前記電位付与部を制御し、前記第３電位と前記第４電位との和の絶対値は、前記第１電位と前記第２電位との和の絶対値よりも大きいことを特徴とする。

本発明の他の実施形態による吸着装置は、第１被吸着体と、前記第１被吸着体を挟んで第２被吸着体を吸着するための吸着装置であって、少なくとも第１電極と第２電極を有する静電チャックと、前記第１電極と前記第２の電極に、夫々、接地電位に対する所定の電位を付与する電位付与部と、前記電位付与部による電位の付与を制御するための電位制御部とを含み、前記電位制御部は、前記静電チャックに吸着された前記第１被吸着体と、前記静電チャックに吸着されていない前記第２被吸着体との相対位置の調整の後に、前記第１電極と前記第２電極に夫々付与される電位の少なくとも一つを変化させることによって、前記第２被吸着体に及ぼす引力が変化するように、前記電位付与部を制御することを特徴とする。

本発明の実施形態による成膜装置は、基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、第１被吸着体である基板、及び前記基板越しに第２被吸着体であるマスクを吸着するための吸着装置を含み、吸着装置は、前期実施形態による吸着装置のいずれかの一つであることを特徴とする。

本発明の実施形態による吸着方法は、少なくとも第１電極と第２電極を有する静電チャックに、第１被吸着体と、前記第１被吸着体越しに第２被吸着体とを吸着するための方法であって、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体との相対位置の調整時に、接地電位に対する第１電位と第２電位を、前記第１電極と前記第２電極に夫々付与し、前記第２被吸着体は吸着せずに前記第１被吸着体を前記静電チャックに吸着する第１吸着段階と、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体の相対位置の調整の後に、前記接地電位に対する第３電位と第４電位を、前記第１電極と前記第２電極に夫々付与し、前記第１被吸着体を挟んで前記第２被吸着体を前記静電チャックに吸着する第２吸着段階とを含み、前記第３電位と前記第４電位との和の絶対値は、前記第１電位と前記第２電位との和の絶対値よりも大きいことを特徴とする。

本発明の実施形態による成膜方法は、少なくとも第１電極と第２電極を有する静電チャックに基板と前記基板越しにマスクを吸着し、成膜材料を成膜する成膜方法であって、真
空容器内にマスクを搬入する段階と、前記真空容器内に基板を搬入する段階と、接地電位に対する第１電位と第２電位を、前記第１電極と前記第２電極に夫々付与し、前記マスクは吸着せずに前記基板を前記静電チャックに吸着した状態で、前記基板と前記マスクとの相対位置の調整を行う段階と、前記接地電位に対する第３電位と第４電位を、前記第１電極と前記第２電極に夫々付与し、前記基板を挟んで前記マスクを前記静電チャックに吸着する段階と、前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、前記成膜材料を放出させて、前記マスクを介して前記基板に前記成膜材料を成膜する段階とを含み、前記第３電位と前記第４電位との和の絶対値は、前記第１電位と前記第２電位との和の絶対値よりも大きいことを特徴とする。

本発明によれば、アライメント以降は基板とマスクの両方が静電チャックに十分吸着されるようにし、アライメント時には静電チャックに吸着された基板がマスクと接触しないようにすることができる。

図１は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。 図２は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。 図３は、本実施形態の吸着装置の概念的なブロック図である。 図４（ａ）〜図４（ｃ）は、基板及びマスクの静電チャックへの吸着方法の一例を示す端面模式図である。 図５は、電子デバイスを示す模式図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に望ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選択することができ、基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板であってもよい。また、成膜材料としても、有機材料、金属性材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択してもいい。なお、以下の説明において説明する真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を含む成膜装置にも、本発明を適用することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス（例えば、有機発光素子、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、成膜材料を蒸発させてマスクを介して基板に蒸着させることで有機発光素子を形成する有機発光素子の製造装置は、本発明の好ましい適用例の一つである。

＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
図１の製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、４．５世代の基板（約７００ｍｍ×約９００ｍｍ）や６世代のフルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）又はハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板に、有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルに製作する。

電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置１と、クラスタ装置の間を繋ぐ中継装置とを含む。
クラスタ装置１は、基板Ｓに対する処理（例えば、成膜）を行う複数の成膜装置１１と、使用前後のマスクＭを収納する複数のマスクストック装置１２と、その中央に配置される搬送室１３と、を具備する。搬送室１３は、図１に示すように、複数の成膜装置１１およびマスクストック装置１２のそれぞれと接続されている。

搬送室１３内には、基板およびマスクを搬送する搬送ロボット１４が配置されている。搬送ロボット１４は、上流側に配置された中継装置のパス室１５から成膜装置１１へと基板Ｓを搬送する。また、搬送ロボット１４は、成膜装置１１とマスクストック装置１２との間でマスクＭを搬送する。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板Ｓ又はマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。

成膜装置１１（蒸着装置ともいう）では、成膜源に収納された成膜材料がヒータによって加熱されて蒸発し、マスクを介して基板上に蒸着される。搬送ロボット１４との基板Ｓの受け渡し、基板ＳとマスクＭの相対位置の調整（アライメント）、マスクＭ上への基板Ｓの固定、成膜（蒸着）などの一連の成膜プロセスは、成膜装置１１によって行われる。

マスクストック装置１２には、成膜装置１１での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、二つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクを成膜装置１１からマスクストック装置１２のカセットに搬送し、マスクストック装置１２の他のカセットに収納された新しいマスクを成膜装置１１に搬送する。

クラスタ装置１には、基板Ｓの流れ方向において上流側からの基板Ｓを当該クラスタ装置１に伝達するパス室１５と、当該クラスタ装置１で成膜処理が完了した基板Ｓを下流側の他のクラスタ装置に伝えるためのバッファー室１６が連結される。搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板Ｓを受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板Ｓを複数の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ｂ）から受け取って、下流側に連結されたバッファー室１６に搬送する。

バッファー室１６とパス室１５との間には、基板の向きを変える旋回室１７が設置される。旋回室１７には、バッファー室１６から基板Ｓを受け取って基板Ｓを１８０°回転させ、パス室１５に搬送するための搬送ロボット１８が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Ｓの向きが同じくなり、基板処理が容易になる。

パス室１５、バッファー室１６、旋回室１７は、クラスタ装置間を連結する、いわゆる中継装置であり、クラスタ装置の上流側及び／又は下流側に設置される中継装置は、パス室、バッファー室、旋回室のうち少なくとも１つを含む。

成膜装置１１、マスクストック装置１２、搬送室１３、バッファー室１６、旋回室１７などは、有機発光素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室１５は、通常低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもいい。

本実施例では、図１を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバーを有してもよく、これらの装置やチャンバー間の配置が変わってもいい。
以下、成膜装置１１の具体的な構成について説明する。

＜成膜装置＞
図２は、成膜装置１１の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用いる。成膜時に基板Ｓが水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定された場合、基板Ｓの短手方向（短辺に平行な方向）をＸ方向、長手方向（長辺に平行な方向）をＹ方向とする。また、Ｚ軸まわりの回転角をθで表す。

成膜装置１１は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器２１と、真空容器２１の内部に設けられる、基板支持ユニット２２と、マスク支持ユニット２３と、静電チャック２４と、成膜源２５とを含む。

基板支持ユニット２２は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４から基板Ｓを受取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。
基板支持ユニット２２の下方には、マスク支持ユニット２３が設けられる。マスク支持ユニット２３は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４からマスクＭを受取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。

マスクＭは、基板Ｓ上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット２３の上に載置される。特に、スマートフォン用の有機ＥＬ素子を製造するのに使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）ともいう。

基板支持ユニット２２の上方には、基板を静電引力によって吸着し固定するための静電チャック２４が設けられる。静電チャック２４は、誘電体（例えば、セラミック材質）マトリックス内に金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する。金属電極は、電極対を含むように設置することができ、以下では、電極対をなす金属電極を第１電極と第２電極と表すことにする。

静電チャック２４は、クーロン力タイプの静電チャックであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよいし、グラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。静電チャック２４は、グラジエント力タイプの静電チャックであることが好ましい。静電チャック２４がグラジエント力タイプの静電チャックであることによって、基板Ｓが絶縁性基板である場合であっても、静電チャック２４によって良好に吸着することができる。静電チャック２４がクーロン力タイプの静電チャックである場合には、金属電極にプラス（＋）及びマイナス（−）の電位が付与されると、誘電体マトリックスを通じて基板Ｓなどの被吸着体に金属電極と反対極性の分極電荷が誘導され、これら間の静電引力によって基板Ｓが静電チャック２４に吸着固定される。

静電チャック２４は、一つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されてもいい。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を含み、一つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御してもいい。また、静電チャック２４は、一つのプレートで形成されようが、複数のプレートで形成されようが、位置によらず、全面が同じ静電引力になるように制御されてもよい。

本実施形態では、後述のように、成膜前に静電チャック２４で基板Ｓ（第１被吸着体）だけでなく、マスクＭ（第２被吸着体）をも吸着し保持する。
即ち、本実施例では、静電チャック２４の鉛直方向の下側に置かれた基板Ｓ（第１被吸着体）を静電チャック２４で吸着及び保持した状態で、基板ＳとマスクＭとの相対位置を調整し、基板ＳとマスクＭ間の相対位置調整が終わったら、基板Ｓ（第１被吸着体）を挟んで静電チャック２４と反対側に置かれたマスクＭ（第２被吸着体）も静電チャック２４
で吸着し保持する。特に、基板ＳとマスクＭとの相対位置調整後、基板Ｓ越しにマスクＭを静電チャック２４で吸着する際に、電極対をなす第１電極と第２電極にそれぞれ付与される、接地電位に対する電位（以下、略して「電位」と呼ぶ）の和の絶対値は、基板ＳとマスクＭとの相対位置調整時に第１電極と第２電極にそれぞれ付与される電位の和の絶対値よりも大きくなるように、第１電極と第２電極の少なくとも一つの電極に付与される電位を制御する。これについては、図３〜図５を参照して後述する。

図２には図示しなかったが、静電チャック２４の吸着面とは反対側に基板Ｓの温度上昇を抑える冷却機構（例えば、冷却板）を設けることで、基板Ｓ上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成としてもよい。

成膜源２５（蒸着源、蒸発源ともいう）は、基板に成膜される成膜材料が収納されるるつぼ（不図示）、るつぼを加熱するためのヒータ（不図示）、成膜源２５からの蒸発レートが一定になるまで成膜材料が基板に飛散することを阻むシャッタ（不図示）などを含む。成膜源２５は、点（ｐｏｉｎｔ）成膜源や線状（ｌｉｎｅａｒ）成膜源など、用途に従って多様な構成を有することができる。

図２に図示しなかったが、成膜装置１１は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ及び膜厚算出ユニットを含む。

真空容器２１の上部外側（大気側）には、基板Ｚアクチュエータ２６、マスクＺアクチュエータ２７、静電チャックＺアクチュエータ２８、位置調整機構２９などが設けられる。これらのアクチュエータと位置調整機構は、例えば、モータとボールねじ、或いはモータとリニアガイドなどで構成される。基板Ｚアクチュエータ２６は、基板支持ユニット２２を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。マスクＺアクチュエータ２７は、マスク支持ユニット２３を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。静電チャックＺアクチュエータ２８は、静電チャック２４を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。

位置調整機構２９は、静電チャック２４のアライメントのための駆動手段である。位置調整機構２９は、静電チャック２４全体を基板支持ユニット２２及びマスク支持ユニット２３に対して、Ｘ方向移動、Ｙ方向移動、θ回転させる。なお、本実施形態では、基板Ｓを吸着した状態で、静電チャック２４をＸ、Ｙ、θ方向に位置調整することで、基板ＳとマスクＭの相対的位置を調整するアライメントを行う。

真空容器２１の外側上面には、上述した駆動機構の他に、真空容器２１の上面に設けられた透明窓を介して、基板Ｓ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ２０を設置してもよい。本実施例においては、アライメント用カメラ２０は、矩形の基板Ｓ、マスクＭ及び静電チャック２４の対角線に対応する位置または、矩形の４つのコーナー部に対応する位置に設置しても良い。

本実施形態の成膜装置１１に設置されるアライメント用カメラ２０は、基板ＳとマスクＭとの相対的な位置を高精度で調整するのに使われるファインアライメント用カメラであり、その視野角は狭いが高解像度を持つカメラである。成膜装置１１は、ファインアライメント用カメラ２０の他に相対的に視野角が広くて低解像度であるラフアライメント用カメラを有してもよい。

尚、位置調整機構２９は、アライメント用カメラ２０によって取得した基板Ｓ（第１被吸着体）及びマスクＭ（第２被吸着体）の位置情報に基づいて、基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を相対的に移動させて位置調整するアライメントを行う。

成膜装置１１は、制御部（不図示）を具備する。制御部は、基板Ｓの搬送及びアライメント、成膜源２５の制御、成膜の制御などの機能を有する。制御部は、例えば、プロセッサ、メモリー、ストレージ、Ｉ／Ｏなどを持つコンピューターによって構成可能である。この場合、制御部の機能はメモリーまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを使用してもよく、組込み型のコンピューターまたはＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を使用してもよい。または、制御部の機能の一部または全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部が設置されていてもよく、一つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。

＜吸着装置＞
図３を参照して本実施形態による吸着装置３０について説明する。
図３は、本実施形態の吸着装置３０の概念的なブロック図である。図３に示すように、本実施形態の吸着装置３０は、静電チャック２４と、電位付与部３１と、電位制御部３２とを含む。

電位付与部３１は、静電チャック２４の電極部に電位を付与し、２つの電極部の間に電位差を発生させて静電引力を発生させる。なお、電位付与部３１による各電極部への電位の付与は、各電極部と不図示の接地電極との間に所望の電圧をそれぞれ印加することで行っても良い。

電位制御部３２は、吸着装置３０の吸着工程または成膜装置１１の成膜工程の進行に応じて、電位付与部３１から電極部に加えられる電位の大きさ、電位の付与開始時点、電位の維持時間、電位の付与順番などを制御する。電位制御部３２は、例えば、静電チャック２４の電極部に含まれる第１電極２４１と第２電極２４２への電位付与を独立に制御することができる。本実施形態では、電位制御部３２が成膜装置１１の制御部とは別途に設けられるが、本発明はこれに限定されず、成膜装置１１の制御部に統合されてもいい。

静電チャック２４は、吸着面に被吸着体（例えば、基板Ｓ、マスクＭ）を吸着するための静電吸着力を発生させる、複数の電極を有する電極部を含み、電極部は、電極対をなす第１電極２４１と第２電極２４２とを含む。第１電極２４１は、電位制御部３２の制御によって電位付与部３１が所定の電位（Ｖａ）を付与する電極または電極のセットを指し、第２電極２４２は、電位制御部３２の制御によって電位付与部３１が、第１電極２４１に付与される電位（Ｖａ）とは異なる所定の電位（Ｖｂ）を付与する電極または電極のセットを指す。そして、第１電極２４１と第２電極２４２にそれぞれ付与される電位によって、静電チャック２４は、基板Ｓだけを吸着する静電引力か、または基板ＳとマスクＭを共に吸着する静電引力を発生することができる。

図３には、第１電極２４１と第２電極２４２が一つずつ交互に配置されているが、これに限定されず、第１電極２４１と第２電極２４２は他の形態で（例えば、２つずつ交互に）配置されていてもよい。

交互に配置されている第１電極２４１及び第２電極２４２は、被吸着体との間で静電引力を発生させることができるかぎり、多様な形状を有することができる。例えば、第１電極２４１及び第２電極２４２は、それぞれ櫛形状を有してもよい。櫛状の第１電極２４１及び第２電極２４２は、それぞれ複数の櫛歯部と、複数の櫛歯部に連結される基部とを含む。各電極２４１、２４２の基部は櫛歯部に電位を供給し、複数の櫛歯部は、被吸着体との間で静電吸着力を生じさせる。このため、第１電極２４１の各櫛歯部は、第２電極２４
２の各櫛歯部と対向するように、交互に配置される。このように、各電極２４１、２４２の各櫛歯部が対向しかつ互いに入り組んだ構成とすることで、異なる電位が付与される電極間の間隔を狭くすることができ、大きな不平等電界を形成し、グラジエント力によって被吸着体を吸着することができる。

＜吸着装置による吸着及方法及び電位の制御＞
図４（ａ）〜図４（ｃ）は、本発明による吸着方法によって、静電チャック２４に基板Ｓ及びマスクＭを順次に吸着する過程と、その時の電位制御を示す断面模式図である。

図４（ａ）は、真空容器２１内の基板支持ユニット２２に基板Ｓ、そして、マスク支持ユニット２３にマスクＭがそれぞれ載置されている状態を示す。図４（ａ）を参照すると、静電チャック２４から所定の間隔で離隔されている基板Ｓは、静電チャック２４がある方向とは反対方向にマスクＭとも所定の間隔をもって離隔されている。そして、静電チャック２４の第１電極２４１と第２電極２４２には電位が付与されておらず、静電チャック２４には静電引力が誘発されていない。

続いて、第１電極２４１と第２電極２４２に所定の電位を付与し静電チャック２４に基板Ｓを吸着させた後、静電チャック２４に吸着された基板Ｓと、マスクＭとの相対位置を調整する。

図４（ｂ）は、このように、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させた状態で、マスクＭとの相対位置を調整する工程を示している。具体的な図示は省略しているが、マスクとの相対位置の調整は、基板ＳとマスクＭが接触しない範囲内で相互間の離隔距離が狭まった状態で行われることが好ましく、そのため、基板吸着の後、静電チャック２４を下降させるかマスク支持ユニット２３を上昇させて、基板ＳとマスクＭとの相対位置を調整する高さまで基板ＳまたはマスクＭを移動させる工程が追加で行われてもよい。

図４（ｂ）を参照すると、静電チャック２４の第１電極２４１には、第１電位（Ｖ１）が付与され、同時に、第２電極２４２には、第２電位（Ｖ２）が付与される。第１電位（Ｖ１）及び第２電位（Ｖ２）は、静電チャック２４に基板Ｓを吸着させる際に第１電極２４１と第２電極２４２にそれぞれ付与していた電位で、この基板吸着時の付与電位がそのまま維持される状態で、基板ＳとマスクＭとの相対位置を調整（アライメント）する。

このとき、静電チャック２４に基板Ｓのみ吸着され、マスクＭは吸着されない程度の吸引力が誘発する限り、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）それぞれの大きさや極性などに特に制限はない。好ましくは、第１電位（Ｖ１）は１ｋＶ、第２電位（Ｖ２）は−１ｋＶのように、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）は、接地電位に対する電位の絶対値の大きさは同じく、極性は異なる値を有することができる。これによれば、第１電極２４１と第２電極２４２との間の電位差（ΔＶ）は、基板Ｓを十分に吸着することができる大きさとなり、一方、第１電位（Ｖ１）または第２電位（Ｖ２）自体の大きさ、つまり、第１電極２４１または第２電極２４２の接地電位に対する電位は、相対的に小さく（例えば、１ｋＶ）、マスクＭは静電チャック２４の静電引力によって吸引されない。したがって、静電チャック２４に基板Ｓを吸着した状態で、基板ＳとマスクＭのアライメントを行っても、基板ＳとマスクＭは互いに接触しないので、基板Ｓの表面やその上部に形成されている物質膜の損傷を防止することができる。

静電チャック２４に基板Ｓを吸着した状態で基板ＳとマスクＭのアライメント工程を行った後には、基板Ｓ越しにマスクＭを静電チャック２４で吸着する工程を行う。図４（ｃ）は、静電チャック２４に、基板Ｓ越しにマスクＭを吸着させる工程を示している。図４（ｃ）を参照すると、静電チャック２４の第１電極２４１には第３電位（Ｖ３）を付与し
、同時に、第２電極２４２には第４電位（Ｖ４）を付与する。

本発明の実施例では、基板Ｓ越しにマスクＭを静電チャック２４に吸着することができる十分な大きさの吸引力が誘発されるように、第１電極２４１と第２電極２４２の少なくとも一つの電極に付与される電位を変化させる。つまり、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）の和の絶対値が、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）の和の絶対値よりも大きくなるように、第１電極２４１と第２電極２４２の電位を制御する。

より具体的には、図４（ｂ）を参照して前述したように、基板ＳとマスクＭのアライメント時には、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）との間の電位差（ΔＶ）が所定の大きさとなるように、第１電極２４１と第２電極２４２の電位を制御する。つまり、静電チャック２４に基板Ｓのみ吸着される吸引力が発生するように電位差（ΔＶ）を制御する。要するに、基板Ｓを吸着する力は、主に静電チャック２４の電極対２４１、２４２の電位差の大きさを調整することでコントロールすることができる。一方、マスクＭを吸着する力は、電位差（ΔＶ）は同じであっても、静電チャック２４の電極対２４１、２４２を構成する各電極の電位の大きさを調整することによっても変化させることができる。そこで、図４（ｃ）に示すように、基板Ｓ越しにマスクＭを吸着する際には、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）の少なくとも一つの大きさ（絶対値）が大きくなるように、第１電極２４１と第２電極２４２それぞれの電位を制御する。

例えば、基板ＳとマスクＭのアライメント時には、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）は、絶対値の大きさは同じで、極性は異なる電位になるように制御される。一方、アライメント終了後、基板Ｓ越しにマスクＭを吸着する際には、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）の和の絶対値が、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）の和の絶対値よりも大きくなるように、第１電極２４１と第２電極２４２の少なくとも一つの電極に付与される電位を変化させる。つまり、第１電極２４１と第２電極２４２に付与される電位が、＋側または−側に寄せられるように制御する。

このとき、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）間の電位差（ΔＶ）は、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）間の電位差（ΔＶ）と同一になるように制御されることができる。同じ電位差を維持することで、マスクＭの吸着が行われる間に、基板Ｓは引き続き静電チャック２４に吸着されている状態となる。例えば、前述した例のように、第１電位（Ｖ１）は１ｋＶ、第２電位（Ｖ２）は−１ｋＶである場合、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）は、２ｋＶの電位差（ΔＶ）を維持しつつ、制御することができる。すなわち、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）は、それぞれ、２ｋＶと０ｋＶ、４ｋＶと２ｋＶ、０ｋＶと−２ｋＶ、または−２ｋＶと−４ｋＶなどのように制御することができる。このうち、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）のいずれかが接地電位である場合（例えば、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）が、２ｋＶと０ｋＶ、または０ｋＶと−２ｋＶである場合）は、他の場合（例えば、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）が、４ｋＶと２ｋＶ、または−２ｋＶと−４ｋＶである場合）に比べて、相対的に低電位の電源で第１電極２４１と第２電極２４２それぞれに電位を付与することができる。

これとは異なり、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）間の電位差（ΔＶ）が、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）間の電位差（ΔＶ）よりも大きくなるように、制御することもできる。この場合は、基板Ｓを吸着する力が増加し、基板Ｓは引き続き静電チャック２４に吸着されていることができ、また、マスクＭを吸着する力も共に増加し、基板ＳとマスクＭの密着度を高めることもできる。

＜成膜プロセス＞
以下、本実施形態による静電チャックの電位制御を採用した成膜方法について説明する
。
真空容器２１内のマスク支持ユニット２３にマスクＭが支持された状態で、搬送室１３の搬送ロボット１４によって成膜装置１１の真空容器２１内に基板が搬入される。
真空容器２１内に進入した搬送ロボット１４のハンドが下降し、基板Ｓを基板支持ユニット２２の支持部上に載置する。

続いて、静電チャック２４が基板Ｓに向かって下降し、基板Ｓに十分に近接或いは接触した後に、静電チャック２４の電極対、すなわち第１電極２４１と第２電極２４２にそれぞれ第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）を付与し、基板Ｓを吸着する。

本発明の一実施形態においては、基板Ｓを静電チャック２４に十分吸着させるとともに、後述する基板ＳとマスクＭのアライメント時にマスクＭが吸引され基板Ｓと接触することを防止するために、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）は、大きさは同じで極性は異なるように制御される。

静電チャック２４に基板Ｓが吸着された状態で、基板ＳのマスクＭに対する相対的な位置ずれを計測するために、基板ＳをマスクＭに向かって下降させる。このとき、第１電極２４１と第２電極２４２にそれぞれ付与される第１の電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）は、同じ大きさで維持される。

基板Ｓが計測位置まで下降すると、アライメント用カメラ２０で基板ＳとマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影して、基板とマスクの相対的な位置ずれ量を計測する。計測の結果、基板のマスクに対する相対的な位置ずれ量が閾値を超えることが判明すれば、静電チャック２４に吸着された状態の基板Ｓを水平方向（ＸＹθ方向）に移動させて、基板をマスクに対して、位置調整（アライメント）する。なお、基板ＳとマスクＭにそれぞれ形成されたアライメントマークの計測を行う計測工程の後に行われる、基板ＳとマスクＭの少なくとも一方を移動させる位置調整工程の際には、計測工程における基板ＳとマスクＭとの間の間隔よりも、位置調整工程における基板ＳとマスクＭとの間の間隔が大きくなるようにしてもよい。このようにすることで、基板ＳとマスクＭとを相対移動させる際に基板ＳとマスクＭとが接触して基板Ｓや基板Ｓ上に形成されている素子、マスクＭの損傷をより確実に抑制することができるようになる。このような場合には、少なくとも、アライメント工程のうちの計測工程において、第１電極２４１に第１の電位（Ｖ１）が付与され、第２電極２４２に第２電位（Ｖ２）が付与されるようにすることが好ましい。

アライメント工程の後、マスクＭを基板Ｓ越しに静電チャック２４に吸着させる。このため、静電チャック２４の電極対、つまり、第１電極２４１と第２電極２４２に、それぞれ第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）を付与する。このとき、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）の電位差は、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）の電位差と同じで、かつ、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）との和の絶対値は、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）との和の絶対値よりも大きくなるように、第１電極２４１と第２電極２４２の少なくとも一つの電極に付与される電位を変化させる。実施例によっては、第３電位（Ｖ３）と第４電位（Ｖ４）の電位差は、第１電位（Ｖ１）と第２電位（Ｖ２）の電位差よりも大きくすることもできる。

このようなマスクＭの吸着工程が完了した後、成膜源２５のシャッタを開け、成膜材料をマスクを介して基板Ｓに蒸着させる。

なお、上述の説明では、成膜装置１１は、基板Ｓの成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式（デポアップ）の構成としたが、これに限定はされず、基板Ｓが真空容器２１の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Ｓの成
膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図５（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図５（ｂ）は１画素の断面構造を表している。

図５（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。

図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板６３上に、陽極６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、陰極６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、陽極６４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と陰極６８は、複数の発光素子６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極６４と陰極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。

図５（ｂ）では正孔輸送層６５や電子輸送層６７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、陽極６４と正孔輸送層６５との間には陽極６４から正孔輸送層６５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、陰極６８と電子輸送層６７の間にも電子注入層が形成されることができる。

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および陽極６４が形成された基板６３を準備する。

陽極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。

絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の有機材料成膜装置に搬入し、静電チ
ャックにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の陽極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。

次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、静電チャックにてマスクを基板越しに保持し、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。

発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３有機材料成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。

電子輸送層６７まで形成された基板を金属性材料成膜装置で移動させて陰極６８を成膜する。
その後、プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。

絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。

上記実施例は本発明の一例を示したが、本発明は上記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形しても良い。

１１：成膜装置
２１：真空容器
２２：基板支持ユニット
２３：マスク支持ユニット
２４：静電チャック
３０：吸着装置
３１：電位付与部
３２：電位制御部
２４１、２４２：電極対（第１電極、第２電極）

本発明の実施形態による吸着装置は、第１被吸着体と、第２被吸着体と、第１電極と第２電極を有し、前記第１被吸着体に対して前記第２被吸着体の反対側に設けられた静電チャックと、前記第１電極と前記第２電極に、接地電位に対する所定の電位を付与する電位付与部と、前記電位付与部による電位の付与を制御するための電位制御部とを備え、前記電位制御部は、前記第１電極に第１電位を付与し前記第２電極に第２電位を付与した後に、前記第１電位と前記第２電位の少なくとも一つを変化させ、前記第１電極に第３電位を付与し前記第２電極に第４電位を付与し、前記第３電位と前記第４電位との電位差は、前記第１電位と前記第２電位との電位差と同一であり、前記第３電位と前記第４電位との和の絶対値は、前記第１電位と前記第２電位との和の絶対値よりも大きいことを特徴とする。

本発明の他の実施形態による吸着装置は、第１被吸着体と、第２被吸着体と、第１電極
と第２電極を有し、前記第１被吸着体に対して前記第２被吸着体の反対側に設けられた静電チャックと、前記第１電極と前記第２電極に、接地電位に対する所定の電位を付与する電位付与部と、前記電位付与部による電位の付与を制御するための電位制御部とを備え、前記電位制御部は、前記静電チャックに前記第１被吸着体が吸着され、前記静電チャックに前記第２被吸着体が吸着されていない状態から、前記第１電極と前記第２電極に付与される電位の少なくとも一つを変化させることによって、前記第２被吸着体に及ぼす引力を変化させ、前記第１電極に付与される電位と前記第２電極に付与される電位との間の電位差は変化させずに、前記第１電極に付与される電位と前記第２電極に付与される電位との和の絶対値を大きくすることを特徴とする。

本発明の実施形態による成膜装置は、基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、第１被吸着体である基板、及び前記基板越しに第２被吸着体であるマスクを吸着するための吸着装置を含み、吸着装置は、実施形態による吸着装置のいずれかの一つであることを特徴とする。

本発明の実施形態による吸着方法は、第１電極と第２電極を有する静電チャックに、第１被吸着体と第２被吸着体とを吸着するための方法であって、接地電位に対する第１電位前記第１電極に付与し前記第２電極に前記接地電位に対する第２電位を付与し、前記第２被吸着体は吸着せずに前記第１被吸着体を前記静電チャックに吸着する第１吸着段階と、前記接地電位に対する第３電位を前記第１電極に付与し前記接地電位に対する第４電位を前記第２電極に付与し、前記第１被吸着体を挟んで前記第２被吸着体を前記静電チャックに吸着する第２吸着段階とを含み、前記第３電位と前記第４電位との電位差は、第１電位と前記第２電位との電位差と同一であり、前記第３電位と前記第４電位との和の絶対値は、前記第１電位と前記第２電位との和の絶対値よりも大きいことを特徴とする。

本発明の実施形態による成膜方法は、第１電極と第２電極を有する静電チャックに基板とマスクを吸着し、成膜材料を成膜する成膜方法であって、真空容器内にマスクを搬入する段階と、前記真空容器内に基板を搬入する段階と、接地電位に対する第１電位を前記第１電極に付与し前記接地電位に対する第２電位を前記第２電極に付与し、前記マスクは吸
着せずに前記基板を前記静電チャックに吸着する段階と、前記接地電位に対する第３電位を前記第１電極に付与し前記接地電位に対する第４電位を前記第２電極に付与し、前記基板を挟んで前記マスクを前記静電チャックに吸着する段階と、前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、前記成膜材料を放出させて、前記マスクを介して前記基板に前記成膜材料を成膜する段階とを含み、前記第３電位と前記第４電位との電位差は、前記第１電位と前記第２電位との電位差と同一であり、前記第３電位と前記第４電位との和の絶対値は、前記第１電位と前記第２電位との和の絶対値よりも大きいことを特徴とする。

Claims (21)

1. 第１被吸着体と、前記第１被吸着体を挟んで第２被吸着体を吸着するための吸着装置であって、
   少なくとも第１電極と第２電極を有する静電チャックと、
   前記第１電極と前記第２電極に、夫々、接地電位に対する所定の電位を付与する電位付与部と、
   前記電位付与部による電位の付与を制御するための電位制御部とを含み、
   前記電位制御部は、前記静電チャックに吸着された前記第１被吸着体と、前記静電チャックに吸着されていない前記第２被吸着体との相対位置の調整時には、前記第１電極と前記第２電極に夫々第１電位と第２電位が付与され、また、前記相対位置の調整の後に前記第１被吸着体を挟んで前記第２被吸着体を前記静電チャックに吸着させる際には、前記第１電位と前記第２電位の少なくとも一つを変化させ、前記第１電極と前記第２電極に夫々第３電位と第４電位が付与されるように、前記電位付与部を制御し、
   前記第３電位と前記第４電位との和の絶対値は、前記第１電位と前記第２電位との和の絶対値よりも大きいことを特徴とする吸着装置。
2. 前記第３電位と前記第４電位との電位差は、第１電位と前記第２電位との電位差と同一であることを特徴とする第１項に記載の吸着装置。
3. 前記第３電位と前記第４電位との電位差は、第１電位と前記第２電位との電位差よりも大きいことを特徴とする第１項に記載の吸着装置。
4. 前記第１電位と前記第２電位は、絶対値の大きさは同一で、極性は反対であることを特徴とする第１項に記載の吸着装置。
5. 前記第３電位と前記第４電位のうち一つは、０Ｖであることを特徴とする第１項に記載の吸着装置。
6. 前記第１電極と前記第２電極は、交互に配置されていることを特徴とする第１項に記載の吸着装置。
7. 前記第１被吸着体は、絶縁性の基板で、前記第２被吸着体は、金属性のマスクであることを特徴とする第１項に記載の吸着装置。
8. 第１被吸着体と、前記第１被吸着体を挟んで第２被吸着体を吸着するための吸着装置であって、
   少なくとも第１電極と第２電極を有する静電チャックと、
   前記第１電極と前記第２電極に、夫々、接地電位に対する所定の電位を付与する電位付与部と、
   前記電位付与部による電位の付与を制御するための電位制御部とを含み、
   前記電位制御部は、前記静電チャックに吸着された前記第１被吸着体と、前記静電チャックに吸着されていない前記第２被吸着体との相対位置の調整の後に、前記第１電極と前記第２電極に夫々付与される電位の少なくとも一つを変化させることによって、前記第２被吸着体に及ぼす引力が変化するように、前記電位付与部を制御することを特徴とする吸着装置。
9. 前記電位制御部は、前記静電チャックに吸着された前記第１被吸着体と、前記静電チャックに吸着されていない前記第２被吸着体との相対位置の調整の後に、前記静電チャックと前記第２被吸着体を支持する支持機構との間の離隔距離を維持したまま、前記第１電極
   と前記第２電極に夫々付与される電位の少なくとも一つを変化させることによって、前記第２被吸着体に及ぼす引力が変化するように、前記電位付与部を制御することを特徴とする第８項に記載の吸着装置。
10. 前記電位制御部は、前記第１電極に付与される電位と前記第２電極に付与される電位との間の電位差は変化せずに、前記第１電極に付与される電位と前記第２電極に付与される電位との和の絶対値が大きくなるように、前記電位付与部を制御することを特徴とする第８項に記載の吸着装置。
11. 前記電位制御部は、前記第１電極に付与される電位と前記第２電極に付与される電位との間の電位差、及び電位の和の絶対値が大きくなるように、前記電位付与部を制御することを特徴とする第８項に記載の吸着装置。
12. 基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、
    第１被吸着体である基板、及び前記基板越しに第２被吸着体であるマスクを吸着するための吸着装置を含み、
    前記吸着装置は、第１項〜第１１項のいずれか一項に記載の吸着装置であることを特徴とする成膜装置。
13. 少なくとも第１電極と第２電極を有する静電チャックに、第１被吸着体と、前記第１被吸着体越しに第２被吸着体とを吸着するための方法であって、
    前記第１被吸着体と前記第２被吸着体との相対位置の調整時に、接地電位に対する第１電位と第２電位を、前記第１電極と前記第２電極に夫々付与し、前記第２被吸着体は吸着せずに前記第１被吸着体を前記静電チャックに吸着する第１吸着段階と、
    前記第１被吸着体と前記第２被吸着体の相対位置の調整の後に、前記接地電位に対する第３電位と第４電位を、前記第１電極と前記第２電極に夫々付与し、前記第１被吸着体を挟んで前記第２被吸着体を前記静電チャックに吸着する第２吸着段階とを含み、
    前記第３電位と前記第４電位との和の絶対値は、前記第１電位と前記第２電位との和の絶対値よりも大きいことを特徴とする吸着方法。
14. 前記第３電位と前記第４電位との電位差は、第１電位と前記第２電位との電位差と同一であることを特徴とする第１３項に記載の吸着方法。
15. 前記第３電位と前記第４電位との電位差は、第１電位と前記第２電位との電位差よりも大きいことを特徴とする第１３項に記載の吸着方法。
16. 前記第１の電位と前記第２電位は、絶対値の大きさは同じで、極性は反対であることを特徴とする第１３項に記載の吸着方法。
17. 前記第３電位と前記第４電位のうち一つは、０Ｖであることを特徴とする第１３項に記載の吸着方法。
18. 前記第１電極と前記第２電極は、交互に配置されていることを特徴とする第１３項に記載の吸着方法。
19. 前記第１被吸着体は絶縁性の基板であり、前記第２被吸着体は金属性のマスクであることを特徴とする第１３項に記載の吸着方法。
20. 少なくとも第１電極と第２電極を有する静電チャックに基板と前記基板越しにマスクを吸着し、成膜材料を成膜する成膜方法であって、
    真空容器内にマスクを搬入する段階と、
    前記真空容器内に基板を搬入する段階と、
    接地電位に対する第１電位と第２電位を、前記第１電極と前記第２電極に夫々付与し、前記マスクは吸着せずに前記基板を前記静電チャックに吸着した状態で、前記基板と前記マスクとの相対位置の調整を行う段階と、
    前記接地電位に対する第３電位と第４電位を、前記第１電極と前記第２電極に夫々付与し、前記基板を挟んで前記マスクを前記静電チャックに吸着する段階と、
    前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、前記成膜材料を放出させて、前記マスクを介して前記基板に前記成膜材料を成膜する段階とを含み、
    前記第３電位と前記第４電位との和の絶対値は、前記第１電位と前記第２電位との和の絶対値よりも大きいことを特徴とする成膜方法。
21. 第２０項の成膜方法を用いて、電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

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