KR20020076847A - 박막형 전계발광표시소자 제조방법과 그 제조장치 및 이로인하여 얻어진 박막형 전계발광표시소자 - Google Patents

박막형 전계발광표시소자 제조방법과 그 제조장치 및 이로인하여 얻어진 박막형 전계발광표시소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 이온빔(ion-beam)과 보조 전자빔을 구비한 다층박막 증착 장비를 이용하여 상기의 박막형 전계발광 표시소자를 하나의 진공조에서 진공을 파기시키지 않고 인라인(in-line)으로 증착하여 전계발광표시소자를 제조하도록 한 박막형 전계발광표시소자 제조장치를 구성하고, 상기 챔버 내부를 스테인레스 재질인 패턴마스크(pattern mask)의 열팽창으로 인한 불량을 줄일 수 있는 100℃ 이하의 온도로 유지하고, 소재반입도가니의 반입홈에 박막형 전계발광표시소자 구성에 필요한 약품을 증착할 두께를 고려한 알맞은 양을 채운 후, 중성세제(Di water), 알콜, 중성세제(Di water) 순으로 초음파 세척이 실시된 유리 및 세라믹기판을 하부전극(column electrode) 패턴(pattern) 형성용 메탈새도우마스크(metal shadow mask)와 결합시켜서 챔버 내부의 기판지지대에 설치하고, 챔버 내부의 압력을 1x 10-6토르(Torr)이하의 압력으로 배기하여 진공압으로 형성한 후 산소가스를 이온소스(ion source)로 흘려 프라즈마산소이온빔(ion beam)으로 보조하여서 전기, 광학적 특성이 우수한 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 형성하며, 전극패턴(e-Pattern) 형성용 마스크의 두께는 0.1mm이하로 하여 전극과 전극의 계면 특성이 뛰어난 하부전극(column electrode)을 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극으로 형성하는 단계와, 마스크자동이탈장치를 통하여 마스크를 제거한 다음, 절연막의 막질의 향상을 위하여 이온소스(ion source)를 통하여 산소와 아르곤의 이온을 발생시켜 보조하면서 SiO2, Ta2O5의 산화물을 각각 3500Å 두께로 증착하여 절연특성 및 광학적 성질이 우수한 하부절연층을 상기 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극 위에 형성하는단계와, 상기의 하부절연층위에 ZnS에 Mn이 0.5 - 1.0중량%정도로 첨가된 발광층을 5000Å - 7000Å의 두께로 형성하는단계와, 기판의 온도를 250-300℃ 정도로 유지하며, 이온소스(ion source)에 산소와 아르곤의 혼합비가 50 : 50 이 되는 혼합가스를 공급하여 산소와 아르곤의 혼합이온으로 10-20분 동안 플라즈마(plasma) 처리를 실시하는 단계와, 아르곤과 산소의 플라즈마 처리가 끝난 발광층의 상면에 SiO2, Ta2O5로 이루어진 상부절연층을 상기 하부절연층의 형성방법과 동일한 방법으로 형성하는 단계와, 상기 상부절연층 위에 금속전극(또는 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극) 패턴(pattern) 형성용 메탈새도우마스크(metal shadow mask)를 고정시키고 금속전극(또는 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극)을 상기의 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극과 직교하도록 형성한 후 메탈새도우마스크(metal shadow mask)를 제거하는 단계를 거치는 방법으로, 유리나 세라믹 기판에 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 스트립(stripe)상의 직선 형태로 패트링(patterning) 하고, 그 위에 SiO2, Ta2O5가 각각 순차적으로 증착된 하부절연층과, 발광층, 상부절연층을 순차로 형성하고, 상기 상부절연층 위에는 상기 스트립(Sripe)상의 투명전극과 직교하는 투명전극으로 구성되는 금속전극 또는 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 형성한 박막형 전계발광표시소자를 얻도록 한 것이다.

Description

박막형 전계발광표시소자 제조방법과 그 제조장치 및 이로 인하여 얻어진 박막형 전계발광표시소자{a thin film type electro luminescent display panel a manufacturing process equipment bymeans a thin film type electro luminescent display panel}
본 발명은 박막형 전계발광표시소자제조방법과 그 제조장치 및 이로 인하여 얻어진 박막형 전계발광표시소자에 관한 것으로, 이온 빔(ion beam)과 보조 전자빔(e-beam)을 동시에 구비한 다층박막 증착장비를 통하여 전계발광표시소자를 구성하고 있는 모든 박막들의 증착과 열처리를 하나의 챔버(one chamber)에서 인라인(in-line) 방식으로 제작하여 박막형 전계발광표시소자의 제조공정을 획기적으로줄이고, 절연층과 발광층의 계면개선 등의 효과로 전계발광표시소자의 동작특성을 개선시킬 수 있도록 한 다층박막 증착장비를 이용한 박막형 전계발광표시소자 제조방법과 그 제조장치 및 이로 인하여 얻어진 박막형 전계발광표시소자 제조방법에 관한 것이다.
전자산업이 발전함에 따라 표시소자의 두께가 1-2mm에 정도인 초박형의 평판 디스플레이는 주로 노트북용 모니터에 채용되어왔으나 최근에는 50인치(inch) 이상 초대형 플라즈마표시소자(PDP: Plasma Display Panel) 벽걸이 TV까지 채택되고 있으며, 초소형 평판 디스플레이의 주 응용분야인 휴대폰은 기존의 단순 통신 단말기의 역할로부터 전자통신(e-mail)과 인터넷 정보검색기능을 갖는 움직이는 정보 통신 컴퓨터인 스마트폰 등에 이르기까지 다양한 제품의 형태로 응용되고 있다.
이와 같은 액정표시소자(LCD: Liguid Crystal Display), 플라즈마표시소자(PDP: Plasma Display Panel), 전계발광디스플레이(ELD: Electro Luminescent Display), VFD등의 평판 표시장치 중에서 전계발광표시소자는 소자 구조상 유일하게 완전 고체상태의 소자로서, 진동, 충격 및 온도 변화가 심한 특수한 환경에서도 안정적으로 동작이 가능하며, 액정표시소자(LCD: Liguid Crystal Display)와 달리 외부광원이 필요 없는 자발광 표시소자 중에서 가장 적은 소비 전력을 지니는 우수한 화질의 평판 표시소자중의 하나로 현재, 미국, 일본, 핀란드 ,등에서는 각종 군사장비 및 의료기기의 표시장치 및 정밀도가 요구되는 계측기기에 다양하게 응용되고 있다.
현재 세계 최대의 박막형 전계발광표시소자 제조업체인 미국의플래너(Planar)사는 4인치(inch)급의 총천연색의 박막형 전계발광표시소자까지 생산하고 있으며, 최대 화면의 크기가 18인치(inch)에 이르는 등황색 발광 표시소자까지 생산하고 있다.
따라서 현재까지 상용화 되어있는 박막형 전계발광표시소자의 구조는 첨부한 도 1에 도시한 바와 같이 전계발광표시소자를 제조하는데는 ITO(Imdium Tin Oxide)등의 투명 도전막이 소정의 두께로 증착된 글라스(glass)(1)에 스트립(stripe)상의 투명전극(2)을 형성하는 공정과, 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링 법으로 상기 투명전극(2)에 산화물이나 질화물 계통의 하부절연층(3)을 형성하는 공정과, 상기 하부절연층(3)상부에 전자빔 증착법, 스퍼터링, CVD등의 방법으로 발광층(4)을 형성하는 공정과, 상기 발광층(4)상부에 상기 하부절연층(3)의 형성법과 동일한 방법으로 상부절연층(5)을 형성하는 공정과, 상기 상부절연층(5)상부에 금속전극(6)을 형성하는 공정으로 박막형 전계발광표시소자를 제조하였는데, 이와같은 종래의 박막형 전계발광표시소자 제조방법은 그 제조 공정이 복잡할 뿐만 아니라 소자를 완성하기 위하여 투명전극을 소정의 형태로 패턴화 하기 위한 고가의 사진식각 장비 와 스퍼터(sputter)장비 등이 필요로 하게되어서 이는 박막형 전계발광표시소자의 제조원가을 상승시키는 원인이 되어, 평판 디스플레이의 주류를 이루고 있는 액정표시소자(LCD: Liguid Crystal Display)에 비하여 가격 경쟁력을 상실하게 되었다.
이에 본 발명에서는 다층박막을 연속적으로 증착할 수 있는 전자빔 다층박막 증착장비에 박막형 전계발광표시소자의 성능 및 신뢰도에 직접적인 영향을 주는 절연층의 막질의 향상을 위하여 이온빔소스(ion beam source)를 설치하여 박막형 전계발광표시소자를 형성하기 위한 모든 공정을 하나의 진공조 내에서 진공을 파기시키지 않고 연속적으로 증착하여 수분에 취약한 발광층을 대기 중에 노출시키지 않고 제작할 수 있도록 함으로서 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있고, 메탈새도우마스크(metal shadow mask)를 사용함으로써 전극의 패턴(pattern)을 형성하기 위한 고가의 식각장비와 스퍼터장비가 불필요하게 되어 박막형 전계발광표시소자의 제조원가을 획기적으로 줄일 수 있는 박막형 전계발광표시소자 제조방법과 그 제조장치 및 이로 인하여 얻어진 박막형 전계발광표시소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
도1은 종래 박막형전계발광소자의 구성상태 예시도.
도2는 본 발명을 실시하기위한 제조장치의 구성을 예시한 개략도.
도3은 본 발명을 실시하기위한 소재반입도가니 구성을 예시한 개략도.
도4는 본 발명을 실시하는 공정단계 예시도로서,
A내지C는 하부전극인 ITO(Imdium-Tim-Oxide)투명전극형성단계 예시 도.
D내지E는 하부절연층형성단계 예시도.
F는 발광층형성단계 예시도.
G내지H는 상부절연층형성단계 예시도.
I는 상부 금속전극형성단계 예시도.
도5는 본 발명의 구성상태 예시도.
♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
11: 유리 및 세라믹기판. 12: ITO(Imdium-Tim-Oxide)투명전극.
13: 하부절연층. 14: 발광층.
15: 상부절연층. 16: 금속전극
13a,15a: SiO2.13b,15b: Ta2O5.
20: 메탈새도우마스크.
100: 챔버. 101: 다층박막증착용전자빔. 102: 플라즈마이온빔.
103: 유량조절기. 104: 할로겐히터. 105: 전자빔셔터.
106: 두께보정판. 107: 두께측정기. 108: 기판지지대.
109: 마스크자동체결장치. 110: 마스크자동이탈장치.
111: 진공펌프.
120: 소재반입도가니. 121: 반입홈.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 이온빔(ion-beam)과 보조 전자빔을 구비한 다층박막 증착 장비를 이용하여 상기의 박막형 전계발광 표시소자를 하나의 진공조에서 진공을 파기시키지 않고 인라인(in-line)으로 증착하여 전계발광표시소자를 제조하도록 한 박막형 전계발광표시소자 제조장치를 구성하고, 상기 챔버 내부를 스테인레스 재질인 패턴마스크(pattern mask)의 열팽창으로 인한 불량을 줄일 수 있는 100℃ 이하의 온도로 유지하고, 소재반입도가니의 반입홈에 박막형 전계발광표시소자 구성에 필요한 약품을 증착할 두께를 고려한 알맞은 양을 채운 후, 중성세제(Di water), 알콜, 중성세제(Di water) 순으로 초음파 세척이 실시된 유리 및 세라믹기판을 하부전극(column electrode) 패턴(pattern) 형성용 메탈새도우마스크(metal shadow mask)와 결합시켜서 챔버 내부의 기판지지대에 설치하고, 챔버내부의 압력을 1x 10-6토르(Torr)이하의 압력으로 배기하여 진공압으로 형성한 후 산소가스를 이온소스(ion source)로 흘려 프라즈마산소이온빔(ion beam)으로 보조하여서 전기, 광학적 특성이 우수한 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 형성하며, 전극패턴(e-Pattern) 형성용 마스크의 두께는 0.1mm이하로 하여 전극과 전극의 계면 특성이 뛰어난 하부전극(column electrode)을 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극으로 형성하는 단계와, 마스크자동이탈장치를 통하여 마스크를 제거한 다음, 절연막의 막질의 향상을 위하여 이온소스(ion source)를 통하여 산소와 아르곤의 이온을 발생시켜 보조하면서 SiO2, Ta2O5의 산화물을 각각 3500Å 두께로 증착하여 절연특성 및 광학적 성질이 우수한 하부절연층을 상기 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극 위에 형성하는단계와, 상기의 하부절연층위에 ZnS에 Mn이 0.5 - 1.0중량%정도로 첨가된 발광층을 5000Å - 7000Å의 두께로 형성하는단계와, 기판의 온도를 250-300℃ 정도로 유지하며, 이온소스(ion source)에 산소와 아르곤의 혼합비가 50 : 50 이 되는 혼합가스를 공급하여 산소와 아르곤의 혼합이온으로 10-20분 동안 플라즈마(plasma) 처리를 실시하는 단계와, 아르곤과 산소의 플라즈마 처리가 끝난 발광층의 상면에 SiO2, Ta2O5로 이루어진 상부절연층을 상기 하부절연층의 형성방법과 동일한 방법으로 형성하는 단계와, 상기 상부절연층 위에 금속전극(또는 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극) 패턴(pattern) 형성용 메탈새도우마스크(metal shadow mask)를 고정시키고 금속전극(또는 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극)을 상기의 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극과 직교하도록 형성한 후메탈새도우마스크(metal shadow mask)를 제거하는 단계를 거치는 방법으로, 유리나 세라믹 기판에 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 스트립(stripe)상의 직선 형태로 패트링(patterning) 하고, 그 위에 SiO2, Ta2O5가 각각 순차적으로 증착된 하부절연층과, 발광층, 상부절연층을 순차로 형성하고, 상기 상부절연층 위에는 상기 스트립(Sripe)상의 투명전극과 직교하는 투명전극으로 구성되는 금속전극 또는 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 형성한 박막형 전계발광표시소자를 얻도록 한 것이다.
이와같은 본 발명을 첨부된 도면에 의거 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.먼저 본 발명을 실시하기위한 전계발광표시소자 제조장치의 구성을 도2에 의거 살펴보면, 밀폐되는 공간을 구성하고 진공압을 실현하기위한 진공펌프(111)를 구성한 단일 챔버(100) 내부에 유량조절기(103)에 의하여 이온주입유량이 제어되는 프라즈마이온빔(102)과, 전자빔셔터(105)를 구비한 다층박막증착용빔(101)을 바닥면측에 설치하고 그 주변의 내부벽면에는 등 간격으로 적어도 1개이상의 할로겐히터(104)를 설치하며, 그 위측에는 두께보정판(106)과, 마스크자동체결장치(109), 마스크자동이탈장치(110)를 구성하며, 중앙상측에 두께측정기(107)를 구비한 기판지지대(108)를 회동하도록 위측에 설치하여서 구성한다음, 박막형 전계발광표시소자를 얻는데 필요한 약품을 증착할 두께를 고려하여 채운후 세척한 유리나 세라믹기판(11)을 얹어서 넣는 다수의 반입홈(121)을 형성한 도3에 도시한 바와같은 소재반입도가니(120)를 구성하여 상기 도2의 챔버(100) 내부의 기판지지대(108)에올려 놓도록 구성하여 박막형 전계발광표시소자를 제조하기 위한 이온빔(ion beam)과 보조전자빔(e-beam)을 동시에 구성한 다층박막 증착을 위한 박막형 전계발광표시소자 제조장치를 구성하였다.
이하, 본 발명의 박막형 전계발광표시소자 제조장치를 통하여 박막형 전계발광표시소자를 제조하는 제조방법을 첨부도면 도4에 의거 상세하게 설명하면 다음과 같다.
먼저 도3에 도시되어있는 소재반입도가니(120)의 반입홈(121)에 박막형 전계발광표시소자 구성에 필요한 약품을 증착할 두께를 고려하여 적당한 양을 채운 후, 중성세제(Di water) → 알콜 → 중성세제(Di water) 순으로 초음파 세척이 실시된 유리 및 세라믹기판(11)을 챔버(100) 내부의 기판지지대(108)위에 반입 설치하고, 마스크자동체결장치(109)를 이용하여 도4의A와 같이 하부전극(column electrode) 패턴(pattern) 형성용 메탈새도우마스크(metal shadow mask)(20)와 결합시켜서 진공펌프(111)를 가동하여 챔버(100) 내부의 압력을 1x 10-6토르(Torr)이하의 압력으로 배기하여 진공분위기를 형성한 다음, 프라즈마이온빔(102)을 통하여 유량조절기(103)에서 조절된 산소를 흘려 보내면서 이온빔으로 보조하여 하부전극(column electrode)을 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극(12)으로 형성하고, 도2에 도시된 마스크자동이탈장치(110)를 이용하여 도4의B와 같이 메탈새도우마스크(20)를 제거하면 도4의C와 같이 유리 및 세라믹기판(11)의 표면에 하부전극(column electrode)을 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극(12)을 형성하는ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극형성단계를 완료한다.
여기서 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극(12)을 형성할 시에는 산소가스를 도2의 이온소스(ion source)인 프라즈마이온빔(ion beam)(102)으로 보조하여야만 전기, 광학적 특성이 우수한 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 형성할 수 있으며, 전극패턴(e-Pattern) 형성용 매탈새도우마스크의(20) 두께는 0.1mm이하로 하여야만 전극과 전극의 계면 특성이 뛰어난 전극을 형성할 수 있다.
또한, 이때의 챔버(100) 내부의 온도는 100℃ 이하의 온도를 유지하여야 스테인레스 재질로된 패턴마스크(pattern mask)인 메탈새도우마스크(20)의 열팽창으로 인한 불량을 줄일 수 있다.
이와 같은 방법으로 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극형성단계가 완료되면, 상기한 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극(12) 위에 도4의D와 같이 SiO2(13a)와 도4의E와 같이 Ta2O5(13b)의 산화물을 각각 3500Å 두께로 증착하여 하부절연층(13)을 형성함으로서 하부절연층형성단계를 완료한다. 이때 하부절연층(13)의 질의 향상을 위하여 이온소스(ion source)를 통하여 산소와 아르곤의 이온을 발생시켜 보조하여만 절연특성 및 광학적 성질이 우수한 얇은 절연층을 형성할 수 있다.
다음으로 상기의 하부절연층(13)위에 ZnS에 Mn이 0.5 - 1.0중량%정도로 첨가된 발광층(14)을 5000Å - 7000Å의 두께로 도4의F와 같이 형성하는 발광층형성단계를 실시한다.
이때 유리 및 세라믹기판(11)의 온도는 발광층(14)의 결정성을 고려하여250-300℃ 정도로 유지하며, 증착후 발광층(14)의 계면의 특성의 향상을 위하여 상기의 이온소스(ion source)인 플라즈마이온빔(102)을 통하여 산소와 아르곤의 혼합비가 50 : 50 이 되는 혼합가스를 챔버(100)내부에 공급하여 산소와 아르곤의 혼합이온으로 10∼20분 동안 플라즈마(plasma) 처리를 실시하여 플라즈마처리단계를 동시에 수행한다.
아르곤과 산소의 플라즈마 처리가 끝난 발광층(14)의 상면에 도4의G와같이 Ta2O5(15b)와, 도4의H와 SiO2(15a)같이 로 이루어진 상부절연층(15)을 상기의 하부절연층(13)의 형성방법과 동일한 방법으로 형성하여 상부절연층형성단계를 완성한다.
상기와같이 완성한 상부절연층(15)의 상부에 도2에 도시된 마스크자동체결장치(109)를 통하여 전극패턴(pattern) 형성용 메탈새도우마스크(metal shadow mask)(20)를 고정시키고 금속전극(또는 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극)(16)을 상기의 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극과 직교하도록 형성한 후 상기의 마스크자동이탈장치(110)를 통하여 메탈새도우마스크(metal shadow mask)(20)를 제거하여 도4의I와같이 박막형 전계발광표시소자를 완성한다.
즉, 상기한 실시에 의하여 유리나 세라믹 기판(11)에 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극(12)을 스트립(stripe)상의 직선 형태로 패트링(patterning) 되고, 상기 투명전극 상부에는 SiO2(13a), Ta2O5(13b)가 각각 순차적으로 증착된 하부절연층(13)이 형성되며, 그 상부에는 발광층(14)이 형성되며, 상기 발광층(14)의 상부에는 다시 상기 하부절연층에 사용되었던 Ta2O5(15b), SiO2(15a)의 산화물을증착하여 상부절연층(15)이 형성되고, 상기 상부절연층(15)의 위에는 상기 스트립(Sripe)상의 투명전극(12)과 직교하는 In-O, Zn-O, Sn-O계를 기본구성원소로 하고 필요에 따라서 도너원소를 첨가한 투명전극으로 구성되는 금속전극(또는 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극)(16)이 형성된 도5와같은 박막형 전계발광표시소자를 얻게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 박막형 전계발광 표시소자의 제작 시 필요한 전 공정을 하나의 진공조에서 인라인(in-line)으로 형성할 수 있어 박막형 전계발광 표시소자의 제조원가를 감소하면서도 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 제조기술을 제공함은 물론, 발광층의 상,하 양면에 SiO2, Ta2O5의 산화물로된 상부절연층과 하부절연층을 증착 형성 함으로서 박막형전계발광소자의 특성을 가일층 향상시킨 시규한 발명이다.

Claims (5)

  1. 소재반입도가니(120)의 반입홈(121)에 박막형 전계발광표시소자 구성에 필요한 약품을 채운 후, 세척된 유리 및 세라믹기판(11)을 하부전극(column electrode) 패턴(pattern) 형성용 메탈새도우마스크(metal shadow mask)(20)와 결합시켜서 챔버(100) 내부의 기판지지대에 설치하고, 챔버(100) 내부의 압력을 1x 10-6토르(Torr)이하의 압력으로 배기하여 진공압으로 형성한 후 하부전극(column electrode)을 ITO(Imdium-Tim-Oxide) 투명전극(12)으로 형성하는 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극형성단계와,
    마스크자동이탈장치(110)를 통하여 마스크를 제거한 다음, 이온소스(ion source)인 프라즈마이온빔(102)을 통하여 산소와 아르곤의 이온을 발생시켜 보조하면서 SiO2(13a), Ta2O5(13b)의 산화물을 각각 3500Å 두께로 증착하여 하부절연층(13)을 상기 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극(12) 위에 형성하는 하부절연층형성단계와,
    상기의 하부절연층(13)위에 ZnS에 Mn이 0.5 - 1.0중량%정도로 첨가된 발광층(14)을 5000Å - 7000Å의 두께로 형성하는 발광층형성단계와,
    기판의 온도를 250-300℃ 정도로 유지하며, 이온소스(ion source)인 프라즈마이온빔(102)을 통하여 산소와 아르곤의 혼합비가 50 : 50 이 되는 혼합가스를 공급하여 산소와 아르곤의 혼합이온으로 10-20분 동안 플라즈마(plasma) 처리를 실시하는 플라즈마처리단계와,
    아르곤과 산소의 플라즈마 처리가 끝난 발광층(14)의 상면에 Ta2O5(15b)와 SiO2(15a)로 이루어진 상부절연층(15)을 상기 하부절연층(13)의 형성방법과 동일한 방법으로 형성하는 상부절연층형성단계와,
    상기 상부절연층(15) 위에 금속전극패턴(pattern) 형성용 메탈새도우마스크(metal shadow mask)를 고정시키고 금속전극(16)을 상기의 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극과 직교하도록 형성한 후 메탈새도우마스크(metal shadow mask)를 제거하는 금속전극형성단계로 이루어짐을 특징으로 하는 박막형 전계발광표시소자 제조방법.
  2. 유리 및 세라믹기판에 형성된 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극의 표면에 하부절연층을 형성하고, 그 위에 발광층과, 상부절연층과, 금속전극을 차려로 구성하는 박막형 전계발광표시소자를 제조함에 있어서, 밀폐되는 공간을 구성하고 진공압을 실현하기위한 진공펌프(111)를 구성한 단일 챔버(100) 내부에 유량조절기(103)에 의하여 이온주입유량이 제어되는 프라즈마이온빔(102)과, 전자빔셔터(105)를 구비한 다층박막증착용빔(101)을 바닥면측에 설치하고 그 주변의 내부벽면에는 등 간격으로 적어도 1개이상의 할로겐히터(104)를 설치하며, 그 위측에는 두께보정판(106)과, 마스크자동체결장치(109), 마스크자동이탈장치(110)를 구성하며, 중앙상측에 두께측정기(107)를 구비한 기판지지대(108)를 회동하도록 위측에 설치하여서 구성하여서, 다수의 반입홈(121)을 형성한 소재반입도가니(120)를 상기 챔버(100) 내부의 기판지지대(100)에 올려 놓도록 구성하여 하나의 챔버(one chamber)에 이온빔(ion-beam)과 보조전자빔(e-beam)을 동시에 구성함을 특징으로하는 박막형 전계발광표시소자 제조장치.
  3. 유리나 세라믹 기판(11)에 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극(12)을 스트립(stripe)상의 직선 형태로 패트링(patterning) 하며, 상기 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극(12) 상부에는 SiO2(13a), Ta2O5(13b)가 각각 순차적으로 증착된 하부절연층(13)을 형성하여서 그 상부에는 발광층(14)을 형성하며, 상기 발광층(14)의 상부에는 다시 상기 하부절연층(13)에 사용되었던 Ta2O5(15b), SiO2(15a)의 산화물을 증착하여 상부절연층(15)을 형성하고, 상기 상부절연층(15)의 위에는 상기 스트립(Sripe)상의 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극(12)과 직교하는 In-O, Zn-O, Sn-O계를 기본구성원소로 하고 필요에 따라서 도너원소를 첨가한 투명전극으로 구성되는 금속전극(또는 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극)(16)을 형성하여 이루어짐을 특징으로하는 박막형 전계발광표시소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 형성할 시에는 진공조의 온도를 스테인레스 재질인 패턴마스크(pattern mask)의 열팽창으로 인한 불량을 줄일 수 있는 100℃ 이하의 온도를 유지하며, 산소가스를 이온소스(ion source)로 흘려 산소 이온빔(ion beam)으로 보조하여서 전기, 광학적 특성이 우수한 ITO(Imdium Tin Oxide) 투명전극을 형성하며, 전극패턴(e-Pattern) 형성용 마스크의 두께는 0.1mm이하로 하여 전극과 전극의 계면 특성이 뛰어난 전극을 형성함을 특징으로하는 박막형 전계발광표시소자 제조방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 금속 전극을 ITO(Imdium Tin Oxide)투명전극으로 대처하여 형성함을 특징으로 하는 투명전계발광 표시소자.
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