JPS60174875A - メタルマスク - Google Patents

メタルマスク

Info

Publication number
JPS60174875A
JPS60174875A JP2296084A JP2296084A JPS60174875A JP S60174875 A JPS60174875 A JP S60174875A JP 2296084 A JP2296084 A JP 2296084A JP 2296084 A JP2296084 A JP 2296084A JP S60174875 A JPS60174875 A JP S60174875A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal mask
mask
masks
auxiliary
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2296084A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Fujiwara
幸一 藤原
Shigeyuki Tsurumi
重行 鶴見
Masayoshi Asahi
朝日 雅好
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2296084A priority Critical patent/JPS60174875A/ja
Publication of JPS60174875A publication Critical patent/JPS60174875A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は電子部品の高密度微細・リーンi成に用いられ
るメタルマスクに関する。
〈従来技術〉 従来、メタルマスクを用い真空蒸着法によシソルダバン
プが形成されている。このような電子部品の接続のため
のソルダバンプバ一般ニピッチが200μm1直径10
0μm程度である。
一方、超伝導集積回路、GaAa集積回路等のような超
高速デバイスを実現するには、超高密度実装が不可欠で
あシ、高密度微細なソルダバンプの形成が要求される。
この場合従来は、メタルマスクを通常化学エツチングに
よシバターン形成するため、微細なパターンを形成する
には孔のアスペクト比の制限上、メタルマスクの板厚を
薄くせざるを得なかった。このためメタルマスクの剛性
が低下し、蒸着基板との密着性が損なわれるなど、微細
ノ4ターン形成が困難となっていた。
このような欠点を解決するため、板厚の異なるメタルマ
スクを重ね合わせて使用する方法が考えられるが、2種
のメタルマスクを溶接等で張シ合あわせたシ、または枠
にねじ等で固定す、る方法ではメタルマスクの維持管理
上程々の問題を生ずる。
〈発明の目的〉 本発明は上記従来の欠点を解消するメタルマスクを提供
することを目的とし、主メタルマスクと補助メタルマス
クとを一体に吸引貼着して用いることによシ主メタルマ
スクを補強し、平坦性を高めると共にメタルマスクの使
用、再生を容易にしたものである。
〈発明の構成〉 上記目的を達成するための本発明の構成は、主メタルマ
スクと補助メタルマスクとから成シ、これら主メタルマ
スクと補助メタルマスクとを吸引し一体化して使用する
ための貫通孔が該補助メタルマスクに設けられているこ
とを特徴とする。
更にその好適な実施態様として、上記補助メタルマスク
の表面に溝が刻設されておシ、該溝の底部に上記貫通孔
が設けられると共に核補助メタルマスクには主メタルマ
スクのパター゛シよシ大きいパターンが形成されておシ
、一方主メタルマスクの板厚は上記補助メタルマスクよ
シ薄いことを特徴とする。
〈実施例〉 第1図(a) (b)および第2図に本発明に係るメタ
ルマスクの一実施例を示す。図示するようにメタルマス
クは補助メタルマスク1と主メタルマスク4とから成る
。補助メタルマスク1は円板状の外形を有し本実施例で
は外径65+mn、板厚250μmのMoよりなる。該
補助メタルマスク1には主メタルマスク4のパターンよ
シ大きいパターンが形成されている。更に該補助メタル
マスク10周縁部に溝3が刻設されている。該溝3は補
助メタルマスク1の周縁部に沿って環状に形成されてお
シ、該溝3の底部に貫通孔2が穿設されている。該貫通
孔2は主メタルマスク4を吸引するためのものであり、
均等な吸引効果を得ることができるように溝全体に均等
に設けられている。
尚本実施例では幅2mm、深さ120μmの溝3が設け
られておシ、又、貫通孔2は左右対称に4ケ所設けられ
ている。該補助メタルマスク1は第2図に示すように主
メタルマスク4と一体に吸着して用いられる。主メタル
マスク4は外径65 trrm−、板厚25μmの円板
状をなしており、Moによシ形成されている。該主メタ
ルマスク4には所定の微細パターンが形成されている。
これら主メタルマスク4と補助メタルマスク1とは第2
図に示す保持装置によシ一体に吸引保持される。
第2図において、5は直径2イ/テのS1ウエハよ構成
る蒸着基板、6は蒸着基板5を保持するメタルマスクホ
ルダ11の受台、7はメタルマスクホルダ11の押え枠
、8は吸引用の溝であり、押え枠7の内面に刻設されて
いる。9は吸引孔であシ、押え枠70側部を貫通して穿
設されておυ、溝8と外部とに連通している。主メタル
マスク4と補助メタルマスク1とは上記ホルダ11に装
着され、吸引孔9及び溝8を通して、外部の真空ポンプ
によシ真空吸引され、一体と″なって押え枠7に固着さ
れる。この真空吸引によシ、主メタルマスク4、補助メ
タルマスク1を一体に押え枠7に固着する操作は、ノタ
ーニングされた蒸着基板5と主メタルマスク4゛の位置
合わせ6際に行なわれるものであシ、位置合わせが完了
すると真空吸引を停止し、主メタルマスク4と補助メタ
ルマスク1を蒸着基板5上に静置させ、押え枠7に螺合
するねじ10を締付ける。これによシ主メタルマスク4
、補助メタルマスク1、蒸着基板5は一体に受台6に圧
着される。蒸着基板上に所足の物質を蒸着する際は、メ
タルマスクホルダ11ごと蒸着装置に取シつける。蒸着
が終了すると、メタルマスクホルダ11の締めつけねじ
10を緩めることにより、主メタルマスク4、補助メタ
ルマスク1及び蒸着基板は直ちに分離できる。
本発明のメタルマスクは上述のように位置合わせの際の
み一体化されメタルマスクの保管時は分離されるため、
補助メタルマスク1と主メタルマスク4の組合わせを迅
速かつ簡単に行えるので、メタルマスクの維持管理が容
易となシ、しかも補助メタルマスクの共通化を図ること
によシメタルマスク製作費の低減に有効である。
また、主メタルマスクと補助メタルマスクの共通位置に
ガイドピン用の孔を開け、ガイド治具により主メタルマ
スクと補助メタルマスクの組立を迅速に行えるようにす
れば、主メタルマスクと補助メタルマスクを使用の都度
組み合わせる煩わしさも解決できる。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明のメタルマスクは使用時の
み真空吸引によシ一体化するものであるから、メタルマ
スクの保管場所の節約、使用後に蒸着物質を除去し再生
する際の容易さ、補助メタルマスクの共通化による種類
、枚数の低減によるメタルマスク製作費の削減等実用上
大きな利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明に係る補助メタルマスクの平面図
、第1図伽)はその断面図、第2図は本発明に係るメタ
ルマスクの組立状態を示す断面図である。 図面中、 1は補助メタルマスク、 2は貫通孔、 3は溝、 4は主メタルマスク、 5は蒸着基板、 6はメタルマスクホルダの受台、 7はメタルマスクホルダの押え枠、 8は押え枠内面の溝、 9は押え枠内部の吸引孔、 10は押え枠の締付けねじ、 11はメタルマスクホルダである。 特許出願人 日本電(&電話公社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 主メタルマスクと補助メタルマスクとから1r
    、シ、これら主メタルマスクと補助メタルマスクとを吸
    引し一体化して使用するための貫通孔が該補助メタルマ
    スクに設けられていることを特徴とするメタルマスク。
  2. (2)上記補助メタルマスクの表面に溝が刻設されてお
    シ、該溝の一部に上記貫通孔が設けられると共に該補助
    メタルマスクには主メタルマスクのパターンより大きい
    /ぐターンが形成されており、一方主メタルマスクの板
    厚は上記補助メタルマスクよシ薄いことを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載のメタルマスク。
JP2296084A 1984-02-13 1984-02-13 メタルマスク Pending JPS60174875A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2296084A JPS60174875A (ja) 1984-02-13 1984-02-13 メタルマスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2296084A JPS60174875A (ja) 1984-02-13 1984-02-13 メタルマスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60174875A true JPS60174875A (ja) 1985-09-09

Family

ID=12097160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2296084A Pending JPS60174875A (ja) 1984-02-13 1984-02-13 メタルマスク

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60174875A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015209574A (ja) * 2014-04-28 2015-11-24 トヨタ自動車株式会社 表面に膜を有する部材を製造する方法
WO2016088632A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 シャープ株式会社 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、および蒸着方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5414344A (en) * 1977-07-05 1979-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Fixing method for substrate to cacuum deposition electrode attaching jig

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5414344A (en) * 1977-07-05 1979-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Fixing method for substrate to cacuum deposition electrode attaching jig

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015209574A (ja) * 2014-04-28 2015-11-24 トヨタ自動車株式会社 表面に膜を有する部材を製造する方法
WO2016088632A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 シャープ株式会社 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、および蒸着方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6589382B2 (en) Aligning mask segments to provide a stitched mask for producing OLED devices
KR20030004073A (ko) 정렬 장치 및 유기 재료 증착 방법
US7436443B2 (en) Mounting plate for solid-state imaging device and method for bonding solid-state imaging device to mounting plate
US20070194420A1 (en) Semiconductor package having an optical device and a method of making the same
JPS62116761A (ja) マスキング装置
JPS60174875A (ja) メタルマスク
JPH01226160A (ja) 電子部品接続用の端子装置および端子の製造方法
JPH03278554A (ja) チップトレーの構造
JP2007077471A (ja) 成膜マスク装置
JP2663957B2 (ja) 半導体保持装置及びダイシング方法
JPH06275704A (ja) 半導体チップ突き上げ針の製造方法及びその製造用治具
JP2565673Y2 (ja) ウエハの保持装置
JPS585986B2 (ja) 蒸着電極装着用治具への基板装填方法
JPH03253038A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH1046339A (ja) 基板ハンドリング方法
JPH11220014A (ja) 小型チップ部品実装用チップトレー
JP2000192225A (ja) 成膜マスク装置
JPS6437036U (ja)
JPH0710494Y2 (ja) 基板エッチング装置
JPS61124145A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07111972B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01295432A (ja) バンプの製法
JPH06291213A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
JPS61271841A (ja) 半導体基板の研磨方法
JP3117825B2 (ja) バンプ配列用基板