JP6948386B2 - 蒸着マスク用金属板、蒸着マスク及びその製造方法 - Google Patents

蒸着マスク用金属板、蒸着マスク及びその製造方法 Download PDF

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Description

実施例は金属板に関する。詳細には、実施例は蒸着マスクに用いられる金属板及びその製造方法に関する。より詳細には、実施例による蒸着マスクを用いてＯＬＥＤパネルを製作することができる。
高解像度及び低消費電力を有する表示装置が要求されることにより、液晶表示装置や電界発光表示装置のような多様な表示装置が開発されている。
電界発光表示装置は、液晶表示装置に比べ、低発光、消費電力、高解像度などの優れた特性により、次世代表示装置としで脚光を浴びている。
電界表示装置は、有機発光表示装置と無機発光表示装置がある。すなわち、発光層の物質によって有機発光表示装置と無機発光表示装置とに区別され得る。
この中でも、有機発光表示装置は、広い視野角を有し、速い応答速度を有するという点、低消費電力が要求されるという点で注目されている。
このような発光層を構成する有機物質は、ファインメタルマスク（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）方式によって基板上に画素を形成するためのパターンが形成され得る。
このとき、ファインメタルマスク、すなわち蒸着用マスクは、基板上に形成されるパターンと対応する貫通孔を有し得、基板上にファインメタルマスクをアライメントした後、有機物質を蒸着することにより、画素を形成する赤色（Ｒｅｄ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ）、青色（Ｂｌｕｅ）のパターンを形成することができる。
最近、仮想現実(ＶＲ、ｖｉｒｔｕａｌ ｒｅａｌｉｔｙ)器機など多様な電子機器で超高解像度（ＵＨＤ、Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）の表示装置が要求される。これに伴って、超高解像度（ＵＨＤ級）のパターンを形成することができる微細なサイズの貫通孔を有するファインメタルマスクが要求される。
蒸着マスクとして用いられる金属板は、エッチング工程によって複数の貫通孔が形成され得る。
このとき、複数の貫通孔が均一でない場合、蒸着の均一性が低下することがあり、これによって形成されるパターンの蒸着効率が低下することにより工程効率が低下するという問題点があった。
一方、高解像度または超高解像度（ＵＨＤ級）のパターンを形成することができる微細なサイズの貫通孔は均一に形成しにくいという問題点を有する。
または、微細なサイズの貫通孔を形成しても隣接した貫通孔が互いに連結されることによって、蒸着不良を発生させることがあるという問題点を有する。
したがって、新しい構造の蒸着マスク用基板、蒸着マスク及びその製造方法が要求される。
実施例は、均一な貫通孔を有する蒸着マスクを提供するためのものである。
実施例は、均一で微細な貫通孔を有する蒸着マスクを提供するためのものである。
蒸着マスクの製作に用いられる金属板は、ベース金属板；前記ベース金属板の第１面上に配置される第１表面層；及び前記ベース金属板の前記第１面と対向する第２面上に配置される第２表面層を含み、前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板と互いに異なる元素を含むか、または異なる組成比を有し、前記ベース金属板のエッチング速度は、前記第１表面層及び前記第２表面層のエッチング速度より大きいものを含む。
実施例による蒸着マスクの製造方法は、ベース金属板の準備ステップ；前記ベース金属板の第１面上に第１表面層を配置するステップ；前記ベース金属板の第２面上に第２表面層を配置するステップ；前記第１表面層上に第１フォトレジスト層を配置し、前記第２表面層上に第２フォトレジスト層を配置するフォトレジスト層形成ステップ；及び前記第１面の第１面孔と前記第２面の第２面孔とが連通する貫通孔を形成するエッチングステップ;を含み、前記エッチングステップは、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも一つの面孔の下記式１によって計算されたエッチングファクターが２．５以上であり、
＜式１＞
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
上記式で、前記Ｂは、エッチングされた前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の深さであり、上記式で、前記Ａは、前記一つの面孔上のブリッジ領域から延びて前記一つの面孔の中心方向に突出したフォトレジスト層の幅を意味する。
実施例の蒸着マスクは、互いに対向する第１面及び第２面を含むベース金属板；前記第１面上の第１表面層；及び前記第２面上の第２表面層;を含む蒸着マスク用金属板を含み、前記蒸着マスク用金属板は蒸着パターン領域と非蒸着領域を含み、前記蒸着パターン領域は複数の貫通孔を含み、前記蒸着パターン領域は有効領域と外郭領域、非有効領域に分けられ、前記有効領域と前記外郭領域に貫通孔が形成され得る。
実施例による金属板は、ベース金属板及び前記ベース金属板上に配置される表面層を含むことができる。
前記表面層は、前記ベース金属板の第１面及び前記第１面と対向される第２面上にそれぞれ配置されることによって、前記ベース金属板の第１面及び第２面におけるエッチング速度を遅くすることができる。これに伴って、前記表面層を含む金属板は、均一な貫通孔を形成することができる。すなわち、蒸着マスクの製作に用いられる前記金属板は、均一性が向上した貫通孔を含むことにより、これを通じて形成されるパターンの均一性が向上し得、パターンの蒸着効率が増加することによって工程効率が向上し得る。
したがって、実施例による蒸着マスクで製作したＯＬＥＤパネルは、パターンの蒸着効率に優れ、蒸着均一性が向上し得る。
基板上に有機物質を蒸着する工程を説明するための概念図である。 基板上に有機物質を蒸着する工程を説明するための概念図である。 基板上に有機物質を蒸着する工程を説明するための概念図である。 実施例による蒸着マスク用金属板及び蒸着マスクの平面図を示した図である。 実施例による蒸着マスク用金属板及び蒸着マスクの平面図を示した図である。 実施例による蒸着マスク用金属板及び蒸着マスクの平面図を示した図である。 実施例による蒸着マスク用金属板及び蒸着マスクの平面図を示した図である。 蒸着マスクの有効領域の平面図を示した図である。 蒸着マスクの有効領域の平面図を示した図である。 図９のＡ−Ａ’の断面図を示した第１実施例の図である。 第１実施例による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 第１実施例による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 第１実施例による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 第１実施例による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 第１実施例による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 実施例による金属板の面孔を撮影した写真である。 比較例による金属板の面孔を撮影した写真である。 実施例のエッチング工程における断面図を示した図である。 比較例のエッチング工程における断面図を示した図である。 図９のＡ−Ａ’の断面図を示した第２実施例の図である。 図９のＡ−Ａ’の断面図を示した第２実施例の図である。 第２実施例による蒸着マスクを示した図である。 蒸着マスク用金属板の厚さ減少による貫通孔形成の容易性を説明するための図である。 エッチングファクターの増加による貫通孔形成の容易性を説明するための図である。 図２２による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 図２２による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 図２２による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 図２２による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 図２２による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 図２２による蒸着マスクの製造工程を示した図である。 第２実施例による蒸着マスクの貫通孔を示した他の図である。 第２実施例による蒸着マスクの貫通孔を示したまた他の図である。
発明の実施のための形態
以下、添付した図面を参照して実施例を具体的に説明する。
添付図面を参照して説明することにおいて、同じ構成要素は同じ図面符号を付与し、これに対する重複説明は省略する。
第１、第２などの用語は、構成要素を説明することに使用され得るが、前記構成要素は、前記用語に限定されず、一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的にのみ用いられる。
また、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くことでなく他の構成要素をさらに備え得ることができるということを意味する。
図１ないし図３を参照して基板上に有機物質を蒸着する工程を説明する。
図１は、実施例による蒸着マスク１００が含まれた有機物蒸着装置を示した図である。
有機物蒸着装置は、蒸着マスク１００、マスクフレーム２００、基板３００、有機物蒸着容器４００及び真空チャンバ５００を含むことができる。
前記蒸着マスク１００は、複数の貫通孔ＴＨを含むことができる。前記蒸着マスク１００は、複数の貫通孔ＴＨを含む蒸着マスク用基板であり得る。このとき、前記貫通孔は、基板上に形成されるパターンと対応するように形成され得る。
前記マスクフレーム２００は、開口部を含むことができる。前記蒸着マスク１００の複数の貫通孔は、前記開口部と対応する領域上に配置され得る。これに伴って、前記有機物蒸着容器４００に供給される有機物質が前記基板３００上に蒸着され得る。前記蒸着マスクは、前記マスクフレーム２００上に配置されて固定され得る。例えば、前記蒸着マスクは引っ張られ、前記マスクフレーム２００上に溶接によって固定され得る。
図１及び図２を参照すると、前記蒸着マスク１００は、前記蒸着マスク１００の最外郭に配置された端部で、互いに反対方向に引っ張られ得る。前記蒸着マスク１００は、前記蒸着マスク１００の長さ方向で、前記蒸着マスク１００の一端及び前記一端と反対の他端が互いに反対方向に引っ張られ得る。前記蒸着マスク１００の一端と前記他端は、互いに向かい合って平行に配置され得る。前記蒸着マスク１００の一端は、前記蒸着マスク１００の最外郭に配置された４個の側面を成す端部のいずれか一つであり得る。例えば、前記蒸着マスク１００は、０．４ないし１．５ｋｇｆの力で引張され得る。これに伴って、引張された前記蒸着マスク１００は、前記マスクフレーム２００上に取付けられ得る。
次いで、前記蒸着マスク１００は、前記蒸着マスク１００の側面領域、すなわち端部を熔接することによって、前記マスクフレーム２００に前記蒸着マスク１００を固定することができる。その次いで、前記マスクフレーム２００の外部に配置される前記蒸着マスク１００の一部分は切断などの方法で除去され得る。例えば、前記溶接過程で前記蒸着マスク１００が変形されることによって、前記蒸着マスク１００が前記蒸着マスク１００及び前記マスクフレーム２００の固定領域を除いた領域に配置される場合には、前記蒸着マスクの一部分を除去することができる。
図１及び図３を参照すると、前記基板３００は、表示装置の製造に用いられる基板であり得る。前記基板３００上には光の３原色の画素を形成するために、赤色（Ｒｅｄ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ）、青色（Ｂｌｕｅ）のパターンが形成され得る。
前記有機物蒸着容器４００は、るつぼであり得る。前記るつぼの内部には有機物質が配置され得る。
前記真空チャンバ５００内で前記るつぼに熱源及び／または電流が供給されることにより、前記有機物質は前記基板３００上に蒸着され得る。
図３は、前記蒸着マスク１００の一つの貫通孔を拡大した図である。
前記蒸着マスク１００は、第１面１０１及び前記第１面と対向する第２面１０２を含むことができる。
前記蒸着マスク１００の前記第１面１０１は、製１面孔Ｖ１を含み、前記蒸着マスク１００の前記第２面１０２は、第２面孔Ｖ２を含むことができる。
前記貫通孔は、前記第１面孔Ｖ１及び前記第２面孔Ｖ２が連通する連結部ＣＡによって形成され得る。
前記第２面孔Ｖ２の幅は、前記第１面孔Ｖ１の幅より大きいことがある。このとき、前記第１面孔Ｖ１の幅は、前記第１面１０１で測定され、前記第２面孔Ｖ２の幅は、前記第２面１０２で測定され得る。
前記第１面孔Ｖ１は、前記基板３００に向かって配置され得る。これにより、前記第１面孔Ｖ１は、蒸着物Ｄ、すなわちパターンと対応する形状を有し得る。
前記第２面孔Ｖ２は、前記有機物蒸着容器４００に向かって配置され得る。これにより、前記第２面孔Ｖ２は、前記有機物蒸着容器４００から供給される有機物質を広い幅で収容でき、前記第２面孔Ｖ２より幅が小さい前記第１面孔Ｖ１を通じて前記基板３００上に微細なパターンを速く形成することができる。
図４ないし図７は、実施例による蒸着マスク用基板及び蒸着マスクの平面図を示した図である。
図４ないし図７を参照すると、実施例による蒸着マスク用基板及び蒸着マスクは、蒸着パターン領域ＤＡ及び非蒸着領域ＮＤＡを含むことができる。
前記蒸着パターン領域ＤＡは，蒸着パターン部を通じて有機物質を蒸着するための領域であり得る。
前記蒸着パターン領域ＤＡは，一つの蒸着マスクに含まれた複数の蒸着パターン部ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３を含むことができる。
複数の蒸着パターン部は、第１有効領域ＡＡ１、第２有効領域ＡＡ２及び第３有効領域ＡＡ３を含むことができる。一つの蒸着パターン部は、第１有効領域ＡＡ１、第２有効領域ＡＡ２及び第３有効領域ＡＡ３のいずれか一つであり得る。
スマートフォンのような小型表示装置の場合、一つの蒸着マスクに含まれた一つの蒸着パターン部は、一つの表示装置を形成するためのものであり得る。これに伴って、一つの蒸着マスクは、複数の蒸着パターン部を含むことができ、複数の表示装置を同時に形成することができる。したがって、実施例による蒸着マスクは、工程効率を向上させることができる。
または、テレビのような大型表示装置の場合、一つの蒸着マスクに含まれた複数の蒸着パターン部が一つの表示装置を形成するための一部であり得る。このとき、前記複数の蒸着パターン部は、マスクの荷重による変形を防止するためのものであり得る。
前記蒸着パターン領域ＤＡは、一つの蒸着マスクに含まれた複数の分離領域ＩＡ１、ＩＡ２を含むことができる。
隣接した蒸着パターン部の間には分離領域ＩＡ１、ＩＡ２が配置され得る。前記分離領域は、複数の蒸着パターン部の間の離隔領域であり得る。例えば、前記第１有効領域ＡＡ１及び前記第２有効領域ＡＡ２の間には第１分離領域ＩＡ１が配置され得る。例えば、前記第２有効領域ＡＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ３の間には第２分離領域ＩＡ２が配置され得る。前記分離領域は、隣接した蒸着パターン部を区別できるようにし、複数の蒸着パターン部を一つの蒸着マスクが支持できるようにする。
蒸着マスクは、前記蒸着パターン領域ＤＡの長さ方向の両側部に非蒸着領域ＮＤＡを含むことができる。実施例による蒸着マスクは、前記蒸着パターン領域ＤＡの水平方向の両側に前記非蒸着領域ＮＤＡを含むことができる。
前記蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、蒸着に関与しない領域であり得る。
前記非蒸着領域ＮＤＡは、マスクフレームに固定するためのフレーム固定領域ＦＡ１、ＦＡ２を含むことができる。例えば、前記蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸着パターン領域ＤＡの一側に第１フレーム固定領域ＦＡ１を含むことができ、前記蒸着パターン領域ＤＡの前記一側と反対の他側に第２フレーム固定領域ＦＡ２を含むことができる。前記第１フレーム固定領域ＦＡ１及び前記第２フレーム固定領域ＦＡ２は、溶接によってマスクフレームと固定される領域であり得る。
前記非蒸着領域ＮＤＡは、ハーフエッチング部ＨＦ１、ＨＦ２を含むことができる。例えば、前記蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記蒸着パターン領域ＤＡの一側に第１ハーフエッチング部ＨＦ１を含むことができ、前記蒸着パターン領域ＤＡの前記一側と反対の他側に第２ハーフエッチング部ＨＦ２を含むことができる。前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１及び前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２は、蒸着マスクの深さ方向に溝が形成される領域であり得る。前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１及び前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２は、蒸着マスクの約１／２厚さの溝部を有し得、蒸着マスクの引張時の応力を分散させることができる。
また、前記ハーフエッチング部は、第１面孔または第２面孔を形成するとき、同時に形成することができる。これを通じて工程効率を向上させることができる。
また、前記蒸着パターン領域ＤＡ領域には表面層を形成し、前記非蒸着領域ＮＤＡには表面層を形成しないか、または、基板の１面または２面のうち一部のみ表面層を形成するか、または１面の一部のみ表面層を形成することによって１面孔または２面孔とハーフエッチング部のエッチングファクターを異なるように形成して応力分散を調整することができる。
ハーフエッチング部は、蒸着パターン領域ＤＡの非有効領域ＵＡに形成され得る。ハーフエッチング部は、蒸着マスクの引張時に応力を分散させるために非有効領域ＵＡの全体または一部に分散して複数配置され得る。
また、ハーフエッチング部は、フレーム固定領域及び／またはフレーム固定領域の周辺領域にも形成され得る。これに伴って、蒸着マスクをフレームに固定するとき、及び／または蒸着マスクをフレームに固定した後に蒸着物を蒸着するときに発生する蒸着マスクの応力を均一に分散させることができる。これに伴って、蒸着マスクが均一な貫通孔を有するように維持できる。
前記非蒸着領域ＮＤＡのマスクフレームに固定するためのフレーム固定領域ＦＡ１、ＦＡ２は、前記非蒸着領域ＮＤＡのハーフエッチング部ＨＦ１、ＨＦ２及び前記ハーフエッチング部ＨＦ１、ＨＦ２と隣接した前記蒸着パターン領域ＤＡの有効領域の間に配置され得る。例えば、前記第１フレーム固定領域ＦＡ１は、前記非蒸着領域ＮＤＡの第１ハーフエッチング部ＨＦ１及び前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１と隣接した前記蒸着パターン領域ＤＡの第１有効領域ＡＡ１の間に配置され得る。例えば、前記第２フレーム固定領域ＦＡ２は、前記非蒸着領域ＮＤＡの第２ハーフエッチング部ＨＦ２及び前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２と隣接した前記蒸着パターン領域ＤＡの第３有効領域ＡＡ３の間に配置され得る。これに伴って、複数の蒸着パターン部を同時に固定することができる。
蒸着マスクは、水平方向Ｘの両終端に半円形状のオープン部を含むことができる。蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の両終端にそれぞれ一つの半円形状のオープン部を含むことができる。例えば、蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の一側には垂直方向Ｙの中心がオープンされたオープン部を含むことができる。例えば、蒸着マスクの前記非蒸着領域ＮＤＡは、水平方向の前記一側と反対の他側には垂直方向の中心がオープンされたオープン部を含むことができる。すなわち、蒸着マスクの両終端は、垂直方向長さの１／２地点にオープン部を含むことができる。例えば、蒸着マスクの両終端は、馬蹄のような形状であり得る。
ハーフエッチング部は、多様な形状に形成され得る。
図４ないし図６を参照すると、前記ハーフエッチング部は、半円形状の溝部を含むことができる。前記溝は、前記蒸着マスクの第１面１０１または第２面１０２のうち少なくとも一つの面上に形成され得る。望ましくは、前記ハーフエッチング部は、第１面孔（蒸着される面側）と対応する面上に形成され得る。これに伴って、前記ハーフエッチング部は、第１面孔と第２面孔の間のサイズの差によって発生し得る応力を分散させることができる。
または、前記ハーフエッチング部は、第１面及び第２面の応力を分散させるために、第１面及び第２面の両面に形成され得る。このとき、前記ハーフエッチング部のハーフエッチング領域は、第１面孔（蒸着される面側）と対応する面でさらに広いことがある。すなわち、実施例による蒸着マスクは、蒸着マスクの第１面及び第２面にそれぞれ溝が形成されることによって、前記ハーフエッチング部を含むことができる。詳しくは、前記第１面に形成されるハーフエッチング部の溝の深さは、前記第２面に形成されるハーフエッチング部の溝の深さより大きいことがある。これに伴って、前記ハーフエッチング部は、第１面孔と第２面孔のサイズの差によって発生し得る応力を分散させることができる。第１面孔、第２面孔及びハーフエッチング部の形成は、蒸着マスクの第１面と第２面における表面積を同様にすることができて、貫通孔のずれを防止することができる。
また、第１面及び第２面に形成される溝は、互いにずれるように形成することができる。これを通じてハーフエッチング部が貫通孔を形成しないようにすることができる。
前記ハーフエッチング部は、曲面及び平面を含むことができる。
前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１の平面は、前記第１有効領域ＡＡ１と隣接するように配置され、前記平面は、蒸着マスクの長さ方向の終端と水平に配置され得る。前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１の曲面は、蒸着マスクの長さ方向の一端に向かって凸の形状であり得る。例えば、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１の曲面は、蒸着マスクの垂直方向の長さの１／２地点が半円形状の半径と対応するように形成され得る。
前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の平面は、前記第３有効領域ＡＡ３と隣接するように配置され、前記平面は、蒸着マスクの長さ方向の終端と水平に配置され得る。前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の曲面は、蒸着マスクの長さ方向の他端に向かって凸の形状であり得る。例えば、前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の曲面は、蒸着マスクの垂直方向の長さの１／２地点が半円形状の半径と対応するように形成され得る。
一方、蒸着マスクの両終端に位置したオープン部の曲面は、ハーフエッチング部に向かうことができる。これに伴って、蒸着マスクの両終端に位置したオープン部は、前記第１または第２ハーフエッチング部と蒸着マスクの垂直方向の長さの１／２地点で隔離距離が最も短いことがある。
図７を参照すると、前記ハーフエッチング部は、四角形状であり得る。前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１及び前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２は、長方形状または正方形状であり得る。
実施例による蒸着マスクは、複数のハーフエッチング部を含むことができる。実施例による蒸着マスクは、前記蒸着パターン領域ＤＡ及び前記非蒸着領域ＮＤＡのうち少なくとも一つの領域に複数のハーフエッチング部を含むことができる。実施例による蒸着マスクは、非有効領域ＵＡにのみハーフエッチング部を含むことができる。前記非有効領域ＵＡは、有効領域ＡＡ以外の領域であり得る。
図４及び図７を参照すると、実施例による蒸着マスクは、２個のハーフエッチング部を含むことができる。例えば、前記ハーフエッチング部は、偶数のハーフエッチング部を含むことができる。実施例による蒸着マスクは、前記非蒸着領域ＮＤＡにのみ配置され得る。
前記ハーフエッチング部は、マスクの中心を基準にＸ軸方向に対称となるか、またはＹ軸方向に対称となるように形成した方が良い。これを通じて両方向への引張力が同一にすることができる。
図５を参照すると、実施例による蒸着マスクは、４個のハーフエッチング部を含むことができる。例えば、前記ハーフエッチング部は、偶数のハーフエッチング部を含むことができる。実施例による蒸着マスクは、前記非蒸着領域ＮＤＡにのみ複数のハーフエッチング部を含むことができる。
前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１及び前記第１有効領域ＡＡ１の間には、第３ハーフエッチング部ＨＦ３をさらに含むことができる。例えば、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第１フレーム固定領域ＦＡ１及び前記第１有効領域ＡＡ１の間に配置され得る。
前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２及び前記第３有効領域ＡＡ３の間には、第４ハーフエッチング部ＨＦ４をさらに含むことができる。例えば、前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、前記第２フレーム固定領域ＦＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ３の間に配置され得る。
互いに対応する水平方向の位置に配置される前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１は、前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２と対応する形状であり得る。互いに対応する水平方向の位置に配置される前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４と対応する形状であり得る。
互いに異なる位置に配置される前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１は、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４のいずれか一つと異なる形状であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１、前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４がすべて同じ形状であり得ることは勿論である。実施例においては４個のハーフエッチング部を説明したが、前記ハーフエッチング部は、前記非有効領域ＵＡに形成される範囲内で多様な形状、多様な個数に形成され得ることは勿論である。すなわち、ハーフエッチング部の形状は、蒸着マスクの水平方向Ｘの中心を基準に相互対称となるように形成されればどんな形状でもよい。また、前記ハーフエッチング部は、６個以上であり得ることは勿論である。
前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、形状であり得る。例えば、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、長方形状であり得る。前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は,蒸着マスクの垂直方向に延長される長方形状であり得る。詳しくは、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、垂直方向Ｙの長さが水平方向Ｘの長さより長くてもよい。これに伴って、前記ハーフエッチング部は、蒸着マスクをフレームに固定するとき発生する応力を効果的に制御することができる。
図６を参照すると、実施例による蒸着マスクは、４個のハーフエッチング部を含むことができる。例えば、前記ハーフエッチング部は、偶数のハーフエッチング部を含むことができる。実施例による蒸着マスクは、前記非蒸着領域ＮＤＡ及び前記蒸着パターン領域ＤＡにそれぞれ複数のハーフエッチング部を含むことができる。
前記非蒸着領域ＮＤＡは、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１及び前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２を含むことができる。
前記蒸着パターン領域ＤＡは、第３ ハーフエッチング部ＨＦ３及び第４ハーフエッチング部ＨＦ４を含むことができる。
前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第１有効領域ＡＡ１及び前記第２有効領域ＡＡ２の間に配置され得る。例えば、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第１分離領域ＩＡ１に配置され得る。
前記第４ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第２有効領域ＡＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ３の間に配置され得る。例えば、前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、前記第２分離領域ＩＡ２に配置され得る。
互いに対応する水平方向の位置に配置される前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１は、前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２と対応する形状であり得る。互いに対応する水平方向の位置に配置される前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３は、前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４と対応する形状であり得る。
互いに異なる位置に配置される前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１は、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４のいずれか一つと異なる形状であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１、前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４がすべて同じ形状であり得ることは勿論である。
前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、四角形状であり得る。例えば、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、長方形状であり得る。前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、蒸着マスクの垂直方向に延長される長方形状であり得る。詳しくは、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３及び前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４は、垂直方向Ｙの長さが水平方向Ｘの長さより長くてもよい。
蒸着マスクの両終端に位置した前記オープン部の垂直方向Ｙの長さは、前記ハーフエッチング部の垂直方向の長さと互いに対応するか、または互いに異なってもよい。
例えば、図４ないし図６を参照すると、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の平面部分の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２より大きくてもよい。
例えば、図５及び図６を参照すると、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３または前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４の垂直方向の長さｄ３は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２より大きくてもよい。前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３または前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４の垂直方向の長さｄ３は、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の平面部分の垂直方向の長さｄ１と対応し得る。
例えば、図７を参照すると、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２と対応し得る。これに伴って、蒸着マスクを引張する場合に、応力が均一に分散することができるので、蒸着マスクの変形（ｗａｖｅ ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ）を減少させることができる。したがって、実施例による蒸着マスクは、均一な貫通孔を有し得るので、パターンの蒸着効率が向上し得る。
望ましくは、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２の８０ないし２００％であり得る（ｄ１：ｄ２＝０．８〜２：１）。前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２の９０ないし１５０％であり得る（ｄ１：ｄ２＝０．９〜１．５：１）。前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ１は、前記オープン部の垂直方向の長さｄ２の９５ないし１１０％であり得る（ｄ１：ｄ２＝０．９５〜１．１：１）。
また、前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の平面部分の垂直方向の長さｄ１、前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４の垂直方向の長さｄ３は、第１有効領域ＡＡ１の垂直方向の長さに対応し得る。これを通じて、有効領域に形成された貫通孔に均一に引張力を付与することができる。
望ましくは、前記第１ハーフエッチング部ＨＦ１または前記第２ハーフエッチング部ＨＦ２の垂直方向の長さｄ１は、前記有効領域の垂直方向の長さの８０ないし１２０％であり得る。
望ましくは、前記第３ハーフエッチング部ＨＦ３または前記第４ハーフエッチング部ＨＦ４の垂直方向の長さｄ３は、前記有効領域の垂直方向の長さの８０ないし１２０％であり得る。
図４の拡大図を参照して、有効領域及び非有効領域に含まれた貫通孔を説明する。図５ないし図７には拡大図を示していないが、有効領域及び非有効領域に貫通孔を含むことは勿論である。
蒸着マスクは、有効領域ＡＡ及び非有効領域ＵＡを含むことができる。前記蒸着マスク１００は、複数の貫通孔ＴＨとブリッジ領域ＢＲを含む有効領域ＡＡ及び前記有効領域の外郭に配置される非有効領域ＵＡを含むことができる。
前記有効領域ＡＡは、複数の貫通孔の中で有機物質を蒸着するための最外郭に位置した貫通孔の外郭を連結したときの内側領域であり得る。前記非有効領域ＵＡは、複数の貫通孔の中で有機物質を蒸着するための最外郭に位置した貫通孔の外郭を連結したときの外側領域であり得る。
前記非有効領域ＵＡは、前記蒸着パターン領域ＤＡの有効領域を除いた領域及び前記非蒸着領域ＮＤＡである。前記非有効領域ＵＡは、有効領域ＡＡ１、ＡＡ２、ＡＡ３の外郭を囲む外郭領域ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ３を含むことができる。
実施例による蒸着マスクは、複数の蒸着パターン部の外郭に位置した複数の外郭領域ＯＡ１、ＯＡ２、ＯＡ３を含むことができる。前記蒸着パターン部の個数は、前記外郭領域の個数と対応し得る。すなわち、一つの蒸着パターン部は、一つの蒸着パターン部の終端から水平方向及び垂直方向からそれぞれ一定の距離で離れた一つの外郭領域を含むことができる。
前記第１有効領域ＡＡ１は、第１外郭領域ＯＡ１内に含まれ得る。前記第１有効領域ＡＡ１は、蒸着物質を形成するための複数の貫通孔を含むことができる。前記第１有効領域ＡＡ１の外郭を囲む前記第１外郭領域ＯＡ１は、複数の貫通孔を含むことができる。前記第１有効領域ＡＡ１は四角形状であり得、前記第１外郭領域ＯＡ１は四角形状であり得る。例えば、前記第１有効領域ＡＡ１は長方形状であり得、前記第１外郭領域ＯＡ１は長方形状であり得る。例えば、前記第１有効領域ＡＡ１は正方形状であり得、前記第１外郭領域ＯＡ１は正方形状であり得る。
前記第１外郭領域ＯＡ１は、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭に位置した貫通孔から水平方向及び垂直方向にそれぞれ二つの貫通孔をさらに含むことができる。例えば、前記第１外郭領域ＯＡ１は、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭に位置した貫通孔の上部及び下部の位置にそれぞれ二つの貫通孔が水平方向に一列に配置され得る。例えば、前記第１外郭領域ＯＡ１は、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭に位置した貫通孔の左側及び右側にそれぞれ二つの貫通孔が垂直方向に一列に配置され得る。前記第１外郭領域ＯＡ１に含まれる複数の貫通孔は、有効領域の最外郭に位置した貫通孔のエッチング不良を減少させるためのものである。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、有効領域に位置した複数の貫通孔の均一性を向上させることができ、これを通じて製造される蒸着パターンの品質を向上させることができる。
前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭の上部及び下部にそれぞれ位置した一つの貫通孔が水平方向に一列に配置された前記第１外郭領域ＯＡ１の貫通孔セットは、前記第１有効領域ＡＡ１の貫通孔と対応する形状であり得る。また、前記第１有効領域ＡＡ１の最外郭の左側及び右側にそれぞれ位置した一つの貫通孔が垂直方向に一列に配置された前記第１外郭領域ＯＡ１の貫通孔セットは、前記第１有効領域ＡＡ１の貫通孔と対応する形状であり得る。これに伴って、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔の均一性を向上させることができる。
前記有効領域に含まれた貫通孔は、前記非有効領域に含まれた貫通孔と部分的に対応する形状を有し得る。前記有効領域に含まれた貫通孔は、前記非有効領域のエッジ部に位置した貫通孔と互いに異なる形状を有し得る。
前記第１外郭領域ＯＡ１の最外郭の角に位置した４個の貫通孔ＥＨは、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔と異なる形状を有し得る。
例えば、前記第１外郭領域ＯＡ１の最外郭の角に位置した４個のエッジホールＥＨは、円形状であり得る。ここで、円形状は、全体的に曲面を含む形状を意味することができる。
例えば、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔は、四角形状であり得る。ここで、四角形状は長方形状であり得、角がラウンドした長方形状を意味することができる。すなわち、有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔は、水平方向の直径と垂直方向の直径が互いに異なり得る。
前記エッジホールＥＨの直径は、前記有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔の水平方向の直径及び垂直方向の直径のいずれか一つと互いに異なり得る。例えば、図４のように、前記エッジホールＥＨの直径は、前記有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔の水平方向の直径と互いに異なり得る。前記エッジホールＥＨの直径は、前記有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔の垂直方向の直径と互いに同じであり得る。
前記エッジホールＥＨを除いた残りの前記非有効領域に含まれた貫通孔は、前記有効領域に含まれた貫通孔と対応する形状を有し得る。
また、非有効領域に含まれた貫通孔は、前記有効領域に含まれた貫通孔と異なる形状を有し得る。これを通じて蒸着マスクの位置による応力の差を調節することができる。
前記非有効領域ＵＡには、貫通孔エッジ部が形成され、前記エッジ部によって有効領域のエッジ部における蒸着不良を除去することができる。すなわち、実施例は蒸着マスクのエッジホールＥＨを非有効領域に形成することによって、有効領域のエッジ部に位置した貫通孔は、前記エッジホールＥＨより内部に位置することができる。これに伴って、有効領域のエッジ部に位置した貫通孔と有効領域の内部に位置した貫通孔のうち一つは同じ蒸着効果を有し得る。詳しくは、前記非有効領域ＵＡに貫通孔が含まれることによって、有効領域のエッジ部に位置した貫通孔と有効領域の内部に位置した貫通孔は均一性が向上し得る。
前記第２有効領域ＡＡ２は、第２外郭領域ＯＡ２内に含まれ得る。前記第２有効領域ＡＡ２は、蒸着物質を形成するための複数の貫通孔を含むことができる。前記第２有効領域ＡＡ２の外郭を囲む前記第２外郭領域ＯＡ２は、複数の貫通孔を含むことができる。
前記第２有効領域ＡＡ２は、前記第１有効領域ＡＡ１と互いに対応する形状であり得る。前記第２外郭領域ＯＡ２は、前記第１外郭領域ＯＡ１と互いに対応する形状であり得る。
前記第２外郭領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭に位置した貫通孔から水平方向及び垂直方向にそれぞれ二つの貫通孔をさらに含むことができる。例えば、前記第２外郭領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭に位置した貫通孔の上部及び下部の位置にそれぞれ二つの貫通孔が水平方向に一列に配置され得る。例えば、前記第２外郭領域ＯＡ２は、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭に位置した貫通孔の左側及び右側にそれぞれ二つの貫通孔が垂直方向に一列に配置され得る。前記第２外郭領域ＯＡ２に含まれる複数の貫通孔は、有効領域の最外郭に位置した貫通孔のエッチング不良を減少させるためのものである。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、有効領域に位置した複数の貫通孔の均一性を向上させることができ、これを通じて製造される蒸着パターンの品質を向上させることができる。
前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭の上部及び下部にそれぞれ位置した一つの貫通孔が水平方向に一列に配置された前記第２外郭領域ＯＡ２の貫通孔セットは、前記第２有効領域ＡＡ２の貫通孔と対応する形状であり得る。また、前記第２有効領域ＡＡ２の最外郭の左側及び右側にそれぞれ位置した一つの貫通孔が垂直方向に一列に配置された前記第２外郭領域ＯＡ２の貫通孔セットは、前記第２有効領域ＡＡ２の貫通孔と対応する形状であり得る。これに伴って、前記第２有効領域ＡＡ２に含まれた貫通孔の均一性を向上させることができる。
前記第２外郭領域ＯＡ２の最外郭の角に位置した４個の貫通孔は、前記第２有効領域ＡＡ２に含まれた貫通孔と異なる形状を有し得る。
例えば、前記第２外郭領域ＯＡ２の最外郭の角に位置した４個のエッジホールＥＨは、円形状であり得る。ここで、円形状は全体的に曲面を含む形状を意味することができる。前記第２外郭領域ＯＡ２に含まれたエッジホールＥＨは、前記第１外郭領域ＯＡ１に含まれたエッジホールＥＨと対応する形状を含むことができる。
例えば、前記第２有効領域ＡＡ２に含まれた貫通孔は、四角形状であり得る。前記第２有効領域ＡＡ２に含まれた貫通孔は、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔と対応する形状を含むことができる。
前記第３有効領域ＡＡ３は、第３外郭領域ＯＡ３内に含まれ得る。前記第３有効領域ＡＡ３は、蒸着物質を形成するための複数の貫通孔を含むことができる。前記第３有効領域ＡＡ３の外郭を囲む前記第３外郭領域ＯＡ３は、複数の貫通孔を含むことができる。
前記第３有効領域ＡＡ３は、前記第１有効領域ＡＡ１と互いに対応する形状であり得る。前記第３外郭領域ＯＡ３は、前記第１外郭領域ＯＡ１と互いに対応する形状であり得る。
前記第３外郭領域ＯＡ３は、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭に位置した貫通孔から水平方向及び垂直方向にそれぞれ二つの貫通孔をさらに含むことができる。例えば、前記第３外郭領域ＯＡ３は、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭に位置した貫通孔の上部及び下部の位置にそれぞれ二つの貫通孔が水平方向に一列に配置され得る。例えば、前記第３外郭領域ＯＡ３は、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭に位置した貫通孔の左側及び右側にそれぞれ二つの貫通孔が垂直方向に一列に配置され得る。前記第３外郭領域ＯＡ３に含まれる複数の貫通孔は、有効領域の最外郭に位置した貫通孔のエッチング不良を減少させるためのものである。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、有効領域に位置した複数の貫通孔の均一性を向上させることができ、これを通じて製造される蒸着パターンの品質を向上させることができる。
前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭の上部及び下部にそれぞれ位置した一つの貫通孔が水平方向に一列に配置された前記第３外郭領域ＯＡ３の貫通孔セットは、前記第３有効領域ＡＡ３の貫通孔と対応する形状であり得る。また、前記第３有効領域ＡＡ３の最外郭の左側及び右側にそれぞれ位置した一つの貫通孔が垂直方向に一列に配置された前記第３外郭領域ＯＡ３の貫通孔セットは、前記第３有効領域ＡＡ３の貫通孔と対応する形状であり得る。これに伴って、前記第３有効領域ＡＡ３に含まれた貫通孔の均一性を向上させることができる。
前記第３外郭領域ＯＡ３の最外郭の角に位置した４個の貫通孔は、前記第３有効領域ＡＡ３に含まれた貫通孔と異なる形状を有し得る。
例えば、前記第３外郭領域ＯＡ３の最外郭の角に位置した４個のエッジホールＥＨは、円形状であり得る。ここで、円形状は全体的に曲面を含む形状を意味することができる。前記第３外郭領域ＯＡ３に含まれたエッジホールＥＨは、前記第１外郭領域ＯＡ１に含まれたエッジホールＥＨと対応する形状を含むことができる。
例えば、前記第３有効領域ＡＡ３に含まれた貫通孔は、四角形状であり得る。前記第３有効領域ＡＡ３に含まれた貫通孔は、前記第１有効領域ＡＡ１に含まれた貫通孔と対応する形状を含むことができる。
図８及び図９は、蒸着マスクの有効領域の平面図を示した図である。図８及び図９は、前記第１有効領域ＡＡ１、前記第２有効領域ＡＡ２及び前記第３有効領域ＡＡ３のいずれか一つの有効領域の平面図である。図８及び図９は、貫通孔の配列を説明するためのものであって、実施例による蒸着マスクは、図面の貫通孔の個数に限定されないことは勿論である。
前記蒸着マスク１００は、複数の貫通孔を含むことができる。前記図８及び図９に示された複数の貫通孔は、前記第２面孔Ｖ２を示したものであり得る。任意のいずれか一つの貫通孔である基準孔の水平方向の直径Ｃｘと垂直方向の直径Ｃｙを測定する場合、前記基準孔に接する孔（示された図では総６個）間のそれぞれの水平方向の直径Ｃｘ間の偏差と、垂直方向の直径Ｃｙ間の偏差は、２％ないし１０％で具現され得る。すなわち、一つの基準孔の隣接孔の間のサイズの偏差が２％ないし１０％で具現される場合には蒸着の均一度を確保することができる。
例えば、前記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差は、４％ないし９％であり得る。例えば、前記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差は、５％ないし７％であり得る。例えば、前記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差は、２％ないし５％であり得る。
前記基準孔と前記隣接孔間のサイズの偏差が２％未満の場合には、蒸着後にＯＬＥＤパネルでモアレの発生率が高くなり得る。前記基準孔と前記隣接孔間のサイズの偏差が１０％超過の場合には、蒸着後のＯＬＥＤパネルで色むらの発生率が高くなり得る。
前記貫通孔直径の平均偏差は、±５μｍであり得る。例えば、前記貫通孔直径の平均偏差は、±３μｍであり得る。実施例は、前記基準孔と前記隣接孔間のサイズ偏差を±３μｍ以内に具現することにより、蒸着効率が向上し得る。
前記貫通孔は方向により、一列に配置されるか、または互いに交差して配置され得る。
例えば、図８を参照すると、前記貫通孔は、縦軸で一列に配置され、横軸で一列に配置され得る。
例えば、図９を参照すると、前記貫通孔は、縦軸で一列に配置され、横軸で互いに 交差して配置され得る。
または、前記貫通孔は、縦軸で互いに交差して配置され、横軸で一列に配置され得ることは勿論である。
前記貫通孔は、水平方向で測定された第１直径Ｃｘと、垂直方向で測定された第２直径Ｃｙが互いに対応するか、または互いに異なり得る。前記貫通孔は、Ａ−Ａ’の断面方向と対応する第１対角線方向で測定された第３直径と、前記第１対角線方向と交差する第２対角線方向で測定された第４直径が互いに対応するか、または互いに異なり得る。前記貫通孔はラウンドすることがある。
以下、図１０ないし図１５で第１実施例による蒸着マスクを説明する。
図１０は、第１実施例による蒸着マスクの複数の貫通孔の断面を拡大した図である。
実施例による蒸着マスクに含まれる金属板は、互いに対向する第１面及び第２面を含むベース金属板；前記第１面上に配置される第１表面層；及び前記第２面上に配置される第２表面層を含み、前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板と互いに異なる元素を含むか、または元素含有量が異なり得る。これを通じて前記ベース金属板のエッチング速度は、前記第１表面層及び前記第２表面層のエッチング速度と互いに異なり得る。前記第１表面層及び前記第２表面層は、それぞれ金属表面層であり得る。
実施例による蒸着マスクは、ベース金属板；前記ベース金属板の第１面上に配置される第１表面層；及び前記金属層の前記第１面と対向する第２面上に配置される第２表面層を含み、前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板と互いに異なる元素を含むか、または元素含有量が異なり得る。これを通じて前記ベース金属板のエッチング速度は、前記第１表面層及び前記第２表面層のエッチング速度と互いに異なり得る。実施例による蒸着マスクは、前記ベース金属板、第１表面層及び前記第２表面層を貫通し、相互に連通する第１面孔及び第２面孔を含む複数の貫通孔を含むことができる。実施例による蒸着マスクは、各貫通孔の間のブリッジ領域を含み、前記第１表面層または前記第２表面層は、前記ブリッジ領域上に配置され得る。
前記金属板は、複数の貫通孔を含む中央領域及び前記中央領域の外郭に位置した外郭領域を含むことができる。前記中央領域はパターン形成に関与する領域であり、前記外郭領域はパターン形成に関与しない領域であり得る。例えば、前記中央領域は有効領域であり、前記外郭領域は有効領域以外の領域であり得る。前記中央領域に配置される前記第１表面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第１表面層の厚さと対応し、前記中央領域に配置される前記第２表面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第２表面層の厚さと対応し得る。
図１０を参照すると、蒸着マスク１００は、ベース金属板１００ａ及び表面層を含むことができる。例えば、前記蒸着マスク１００は、前記ベース金属板１００ａ、前記ベース金属板１００ａの第１面１０１上に配置される第１表面層１１０及び前記第１面１０１と対向する第２面１０２上に配置される第２表面層１２０を含むことができる。
前記ベース金属板１００ａは、金属物質を含むことができる。前記ベース金属板１００ａは、ニッケル合金を含むことができる。例えば、前記ベース金属板１００ａは、ニッケルと鉄の合金であり得る。このとき、ニッケルは、約３５重量％ないし約３７重量％であり得、前記鉄は、約６３重量％ないし約６５重量％であり得る。一例として、前記ベース金属板１００ａは、ニッケルは約３５重量％ないし約３７重量％、鉄は約６３重量％ないし約６５重量％、微量のＣ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも一つ以上が含まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）を含むことができる。ここで、微量は１重量％以下であることを意味することができる。詳しくは、ここで、微量は０．５重量％以下であることを意味することができる。但し、前記ベース基板１００ａがこれに制限されるず、多様な金属物質を含むことができることは勿論である。
前記インバーのようなニッケル合金は、熱膨脹係数が小さいので、蒸着マスクの寿命が増加できるという長所を有する。但し、インバーのようなニッケル合金は、均一なエッチングが困難であるという問題点を有する。
すなわち、インバーのようなニッケル合金は、エッチング初期にエッチング速度が速いことにより、貫通孔が側面に大きくなることがあり、これに伴って、フォトレジスト層の脱膜が発生し得る。また、インバーをエッチングする場合、貫通孔のサイズが大きくなることにより、微細なサイズの貫通孔を形成が困難となり得る。また、貫通孔が不均一に形成されて、蒸着マスクの製造収率が低下することがある。
したがって、実施例は、ベース金属板表面上に成分、含有量、結晶構造及び腐食速度を異にする表面改質のための表面層を配置することができる。ここで、表面改質とは、エッチングファクターを向上させるために表面に配置される多様な物質からなった層を意味することができる。
実施例の蒸着マスク用の金属板は、ベース金属板の表面上に速いエッチングを阻止するための表面層を含むことができる。前記表面層は、ベース金属板よりエッチング速度が遅いエッチングバリアー層であり得る。前記表面層は、前記ベース金属層と結晶面及び結晶構造が異なり得る。例えば、前記表面層は、前記ベース金属層と互いに異なる元素を含むことにより、結晶面及び結晶構造が互いに異なり得る。
同じ腐食環境において、前記表面層は、前記ベース金属板と腐食電位が異なり得る。例えば、同じ温度の同じエッチング液で同一時間処理したとき、前記表面層は、前記ベース金属板と腐食電流ないし腐食電位が互いに異なり得る。
前記ベース金属板１００ａは、前記第１表面層１１０と互いに異なる元素を含むことができる。また、前記ベース金属板１００ａは、前記第２表面層１２０と互いに異なる元素を含むことができる。すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１００ａに含まれない他の元素を含むことができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、クロム（Ｃｒ）を含み、前記ベース金属板１００ａは、クロム以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、クロム（Ｃｒ）を含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
また、表面層のＣｒの含有量をベース金属板のＣｒ含有量より高く形成して金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
一例として、前記ベース金属板１００ａがニッケルは３６重量％、鉄は６４重量％が含まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）である場合に、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、それぞれクロム（Ｃｒ）を０．０１ないし２４重量％含む合金層であり得る。このとき、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、それぞれクロム（Ｃｒ）を１ないし２４重量％含み、ニッケル（Ｎｉ）を７６ないし９９重量％含むか、またはニッケル（Ｎｉ）及び鉄（Ｆｅ）を７６ないし９９重量％含むことができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０はチタン（Ｔｉ）を含み、前記ベース金属板１００ａはチタン（Ｔｉ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０はチタン（Ｔｉ）を含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
また、表面層のＴｉの含有量をベース金属板のＴｉ含有量より高く形成して金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
一例として、前記ベース金属板１００ａがニッケルは３６重量％、鉄は６４重量％が含まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）である場合に、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、それぞれチタン（Ｔｉ）を０．５ないし１０重量％含む合金層であり得る。このとき、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、それぞれチタン（Ｔｉ）を０．５ないし１０重量％含み、ニッケル（Ｎｉ）を９０ないし９９．５重量％含むか、またはニッケル（Ｎｉ）及び鉄（Ｆｅ）を９０ないし９９．５重量％含むことができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、マンガン（Ｍｎ）を含み、前記ベース金属板１００ａは、マンガン（Ｍｎ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、マンガン（Ｍｎ）系合金を含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
また、表面層のＭｎの含有量をベース金属板のＭｎ含有量より高く形成して金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、モリブデン（Ｍｏ）を含み、前記ベース金属板１００ａは、モリブデン（Ｍｏ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、モリブデン（Ｍｏ）系合金を含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
また、表面層のＭｏの含有量をベース金属板のＭｏ含有量より高く形成して金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、銀（Ａｇ）を含み、前記ベース金属板１００ａは、銀（Ａｇ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、銀（Ａｇ）系合金を含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
また、表面層のＡｇの含有量をベース金属板のＡｇ含有量より高く形成して金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、亜鉛（Ｚｎ）を含み、前記ベース金属板１００ａは、亜鉛（Ｚｎ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、亜鉛（Ｚｎ）系合金を含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
また、表面層のＺｎの含有量をベース金属板のＺｎ含有量より高く形成して金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、窒素（Ｎ）を含み、前記ベース金属板１００ａは、窒素（Ｎ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、窒素（Ｎ）系合金を含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
また、表面層のＮの含有量をベース金属板のＮ含有量より高く形成して金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、アルミニウム（Ａｌ）を含み、前記ベース金属板１００ａは、アルミニウム（Ａｌ）以外の元素を含むことができる。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、アルミニウム（Ａｌ）系合金を含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
また、表面層のＡｌの含有量をベース金属板のＡｌ含有量より高く形成して金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、酸素元素を含むことができる。すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、金属酸化物層であり得る。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、金属酸化物として鉄酸化物、ニッケル酸化物のうち少なくとも一つを含むことができる。前記第１表面層１１０の酸素の含有量は、前記ベース金属板１００ａの酸素の含有量より高いことがある。前記第２表面層１２０の酸素の含有量は、前記ベース金属板１００ａの酸素の含有量より高いことがある。前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０が金属酸化物を含むことにより、金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
また、表面層のＯの含有量をベース金属板のＯ含有量より高く形成して金属板表面における腐食速度を前記ベース金属板１００ａの表面より遅くすることができる。
実施例は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０が前記ベース金属板１００ａと互いに異なる元素を含むことにより、前記第１及び第２表面層の腐食速度を前記ベース金属板より遅くすることができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクのエッチングファクターを増加させることができる。また、実施例による蒸着マスクは、複数の貫通孔を均一に形成することができることにより、Ｒ、Ｇ、Ｂパターンの蒸着効率を向上させることができる。ここで、互いに異なる元素を含むということは、前記ベース金属板１００ａと前記表面層が少なくとも一つの他の元素を含むか、または、すべての元素が同一であっても含有量が異なる合金を含むことを意味することができる。
前記ベース金属板１００ａは、前記第１表面層１１０と含まれる元素の組成が互いに異なり得る。また、前記ベース金属板１００ａは、前記第２表面層１２０と含まれる元素の組成が互いに異なり得る。すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１００ａの構成元素と同じ元素を含む場合にも、同一元素の含有量が互いに異なり得る。
一例として、前記ベース金属板１００ａがニッケルは３６重量％、鉄は６４重量％が含まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）である場合に、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０がニッケルまたは鉄のうち少なくともど一つの元素を含んでも、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１００ａとのニッケルまたは鉄の含有量が互いに異なり得る。
前記第１表面層１１０の窒素の含有量は、前記ベース金属板１００ａの窒素の含有量より大きいか、または小さいことがある。また、前記第２表面層１２０の窒素の含有量は、前記ベース金属板１００ａの窒素の含有量より大きいか、または小さいことがある。例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、窒素（Ｎ）元素を含むことができる。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０の各層は、窒素（Ｎ）元素を２０重量％ないし７０重量％含む窒素系合金であり得る。
前記第１表面層１１０の鉄の含有量は、前記ベース金属板１００ａの鉄の含有量より大きいか、または小さいことがある。また、前記第２表面層１２０の鉄の含有量は、前記ベース金属板１００ａの鉄の含有量より大きいか、または小さいことがある。例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、鉄（Ｆｅ）元素を含むことができる。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０の各層は、鉄（Ｆｅ）元素を２０重量％ないし７０重量％含む鉄系合金であり得る。
前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、互いに対応する元素を含むことができる。ここで、互いに対応するということは、構成元素の含有量％が同じであることを意味し、公差による誤差範囲を含むことができることは勿論である。
前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）及びこれらの合金のうち少なくとも一つの金属を含むことができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか一つの単一元素を含むことができる。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち二つの元素を含む二元系合金であり得る。
例えば、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、酸素（Ｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち三つの元素を含む三元系合金であり得る。
前記ベース金属板１００ａの厚さは、前記表面層より厚さが大きいことがある。例えば、前記ベース金属板１００ａの厚さＴ１は、前記第１表面層１１０の厚さＴ２及び前記第２表面層１２０の厚さＴ３より大きいことがある。
前記金属板１００の厚さは５μｍないし５０μｍであり得る。例えば、前記金属板１００の厚さは、５μｍないし３０μｍであり得る。または、１０μｍないし２５μｍであり得る。前記金属板１００の厚さが５μｍ未満の場合には製造効率が低いことがある。
前記金属板１００の厚さが５０μｍ超過の場合には、貫通孔を形成するための工程効率が低下することがある。
前記ベース金属板１００ａの厚さＴ１は、５０μｍ以下であり得る。例えば、前記ベース金属板１００ａの厚さＴ１は、３０μｍ以下であり得る。また、前記ベース金属板１００ａの厚さＴ１は、２５μｍ以下であり得る。また、前記ベース金属板１００ａの厚さＴ１は、２０μｍ以下であり得る。
前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、互いに対応する厚さを有し得る。ここで、対応するということは公差による誤差を含むことであり得る。前記第１表面層１１０の厚さＴ２は、０．５ｎｍないし１０００ｎｍであり得る。例えば、前記第１表面層１１０の厚さＴ２は、５ｎｍないし８５０ｎｍであり得る。
前記第１表面層１１０の厚さＴ２が０．５ｎｍ未満の場合には、前記第１面１０１におけるエッチング速度の低下効果が減少することにより、貫通孔の均一性が低下することがある。また、５ｎｍ以下の自然酸化膜が生じることもある。
例えば、前記第１表面層１１０の厚さＴ２が０．５ｎｍ未満の場合には、厚さ及び／または幅の偏差が大きい貫通孔が形成されることにより、前記貫通孔を有する金属板によって形成されたパターンが均一でないこともあって、表示装置の製造効率が低下することがある。
また、前記第１表面層１１０の厚さＴ２が０．５ｎｍ未満の場合には、前記第１面１０１におけるエッチング速度の低下効果が減少することにより、微細なサイズの貫通孔の形成が困難となり得る。
また、前記第１表面層１１０の厚さＴ２が０．５ｎｍ未満の場合には、第１面孔Ｖ１の内周面の表面粗さが増加することにより、前記第１面孔Ｖ１を通じて形成される蒸着パターンの品質が低下することがあり、これによって工程効率が低下することがある。
一方、前記第１表面層１１０の厚さＴ２が１０００ｎｍ超過の場合には、製造効率が低下することがある。
前記第２表面層１２０の厚さＴ３は、０．５ｎｍないし１０００ｎｍであり得る。例えば、前記第２表面層１２０の厚さＴ３は、３０ｎｍないし５００ｎｍであり得る。
前記第２表面層１２０の厚さＴ３が０．５ｎｍ未満の場合には、前記第２面１０２でのエッチング速度の低下効果が減少することにより、貫通孔の均一性が低下することがある。例えば、前記第２表面層１２０の厚さＴ３が０．５ｎｍ未満の場合には、厚さ及び／または幅の偏差が大きい貫通孔が形成されることにより、前記貫通孔を有する金属板によって形成されたパターンが均一でないこともあって、表示装置の製造効率が低下することがある。
また、前記第２表面層１２０の厚さＴ３が０．５ｎｍ未満の場合には、前記第２面１０２でのエッチング速度の低下効果が減少することにより、微細なサイズの貫通孔の形成が困難となり得る。
また、前記第２表面層１２０の厚さＴ３が０．５ｎｍ未満の場合には、第２面孔Ｖ２の内周面の表面粗さが増加することがある。
一方、前記第２表面層１２０の厚さＴ３が１０００ｎｍ超過の場合には、製造効率が低下することがある。
前記金属板１００は、貫通孔の厚さ方向により、互いに異なる貫通孔の幅を有し得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の幅Ｗ１は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大きいことがある。詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
例えば、前記第２面孔Ｖ２の幅Ｗ２は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大きいことがある。詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
実施例による蒸着マスクは、複数の貫通孔を含むことができる。詳しくは、前記金属板は、複数の貫通孔を含む中央領域及び前記中央領域に位置した外郭領域を含むことができる。このとき、一つの貫通孔の幅は、２０μｍ以上であり得る。例えば、前記貫通孔の幅は、２０μｍないし４０μｍであり得る。例えば、前記第１面孔の幅Ｗ１及び前記第２面孔の幅Ｗ２のうち少なくとも一つは、２０μｍ以上の幅を有し得る。例えば、前記第１面孔の幅Ｗ１及び前記第２面孔の幅Ｗ２のうち少なくとも一つは、２０μｍないし４０μｍの幅を有し得る。
前記貫通孔の幅が４０μｍ超過の場合には、微細な蒸着パターンの形成が困難となり得る。
前記複数の貫通孔は、第１貫通孔及び前記第１貫通孔と隣接した第２貫通孔を含むことができる。前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔の間に位置する金属板は、ブリッジ領域ＢＲと定義することができる。前記ブリッジ領域ＢＲは、前記中央領域に配置され得る。
前記中央領域に配置される前記第１表面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第１表面層の厚さと対応し得る。
前記中央領域に配置される前記第２表面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第２表面層の厚さと対応し得る。
前記金属板の第１面は第１ブリッジ領域ＢＲ１を含み、前記第１面と反対となる第２面は、第２ブリッジ領域ＢＲ２を含むことができる。
前記ブリッジ領域には、金属板、金属板の第１面上に配置される第１表面層、及び金属板の第２面上に配置される第２表面層が配置され得る。
前記金属板の外郭領域には、金属板、金属板の第１面上に配置される第１表面層、及び金属板の第２面上に配置される第２表面層が配置され得る。
前記貫通孔は、前記ベース金属板、前記第１表面層、及び前記第２表面層を貫通して形成され得る。これに伴って、前記貫通孔の内側面で前記ベース金属板、前記第１表面層及び前記第２表面層が露出することができる。
前記貫通孔の内側面は曲面を含むことができる。前記貫通孔の内側面は全体的にまたは部分的に曲面を含むことができる。前記貫通孔の内側面は曲率が変化する曲面を含むことができる。前記貫通孔の内側面で、前記ベース金属板、前記第１表面層及び前記第２表面層それぞれの曲率は互いに異なり得る。このとき、前記ベース金属板、前記第１表面層及び前記第２表面層それぞれの曲率は、前記ベース金属板厚さの１／２地点、前記第１表面層厚さの１／２地点及び前記第２表面層厚さの１／２地点で測定したことを意味することができる。
前記第２面孔Ｖ２の高さＨ２は、前記第１面孔Ｖ１の高さＨ１より大きいことがある。
一方、前記第１面孔Ｖ１と隣接して、前記第１面１０１上に形成される第３面孔Ｖ３は、前記第２面孔Ｖ２と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４と前記連結部ＣＡを通じて連通することにより、貫通孔を形成することができる。
前記第４貫通孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４より大きいことがある。例えば、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
例えば、前記第４面孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある。詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
前記第４面孔Ｖ４の高さＨ４は、前記第３面孔Ｖ３の高さＨ３より大きいことがある。
前記ベース金属板１００ａのエッチング速度は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０のエッチング速度と互いに異なり得る。例えば、前記金属板の厚さ方向の内部に位置した前記ベース金属板１００ａのエッチング速度は、前記金属板の厚さ方向の外部に位置した前記第１及び第２表面層１１０、１２０のエッチング速度より速いことがある。言い換えれば、前記第１表面層１１０のエッチング速度は、前記ベース金属板１００ａのエッチング速度より遅いことがある。前記第２表面層１２０のエッチング速度は、前記ベース金属板１００ａのエッチング速度より遅いことがある。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１１０ａの構成元素より耐食性が大きい元素を含むことができるので、表面層でのエッチング速度をベース金属板でのエッチング速度より遅くすることができる。すなわち、前記表面層は、前記ベース金属板の構成元素より耐食性が大きい金属元素を含む金属表面層であり得る。
一般的な金属板は、エッチング液の接触面積が大きい金属板外部のエッチング速度が金属板内部のエッチング速度より速いことにより、隣接した貫通孔が重畳され得るという問題点がある。すなわち、ベース金属板１００ａだけで製造された蒸着マスクは、エッチング液と接触するベース金属板１００ａの第１面１０１及び第２面１０２のエッチング速度が速いことにより、前記第１面１０１及び前記第２面１０２で形成される貫通孔の幅が大きくなり得る。これに伴って、微細なパターンを有する貫通孔の形成が困難であり、製造収率が低下することがある。また、複数の貫通孔の均一性が低下することがある。したがって、これを通じて製造されるＯＬＥＤパネルは、パターンの蒸着効率が低く、パターンの蒸着均一性が低下することがある。
一方、実施例は、ベース金属板１００ａの両面上に前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０を含み、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１００ａと異なる元素を含むことができる。これに伴って、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０のエッチング速度は、前記ベース金属板１００ａのエッチング速度より遅いことがある。
すなわち、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１００ａより耐食性が大きい金属元素または金属酸化物を含むことができ、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０がそれぞれ０．５ｎｍないし１０００ｎｍの厚さで配置されることにより、微細な貫通孔を形成することができる。
例えば、実施例による金属板は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０がそれぞれ５ｎｍ超過８００ｎｍ以下、１０ｎｍないし６００ｎｍ、３０ｎｍないし５００ｎｍの厚さで配置されるとき、前記第１面孔Ｖ１の幅Ｗ１と前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４が対応し、前記第２面孔Ｖ２の幅Ｗ２と前記第４貫通孔Ｖ４の幅Ｗ５が対応し得る。例えば、実施例による金属板は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０がそれぞれ５ｎｍ超過８００ｎｍ以下、１０ｎｍないし６００ｎｍ、３０ｎｍないし５００ｎｍの厚さで配置されるとき、前記第１面孔Ｖ１の高さＨ１と前記第３面孔Ｖ３の高さＨ３が対応し、前記第２面孔Ｖ２の高さＨ２と前記第４面孔Ｖ４の高さＨ４が対応し得る。すなわち、複数の貫通孔の幅と高さの均一性が向上し得る。
すなわち、実施例による金属板は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０が配置される領域でエッチング速度が遅いことがあり、貫通孔の幅が小さくかつ深い厚さを有するように形成することができる。これに伴って、金属表面で速いエッチングによって発生し得るフォトレジスト層の脱膜現象を防止することができる。
また、実施例による蒸着マスク製作に用いられる金属板は、表面におけるエッチング速度を制御でき、微細なパターンを有する貫通孔の製造収率が向上し、複数の貫通孔の均一性が向上し得る。これに伴って、このような蒸着マスクで製作したＯＬＥＤパネルは、パターンの蒸着効率に優れ、蒸着均一性が向上し得る。また、実施例による表面層は、耐食性が大きい金属または金属酸化物のうち少なくとも一つを含むことにより、フォトレジスト層の密着力を向上させることができ、エッチング工程でフォトレジスト層の脱膜または分離を防止することができる。これに伴って、実施例による金属板は、複数の貫通孔の製造収率及び工程効率が向上し得る。
図１１ないし図１５を参照して、第１実施例による蒸着マスクの製造工程を説明する。
実施例による蒸着マスクは、ベース金属板の準備ステップ；前記ベース金属板の第１面上に第１表面層を配置するステップ；前記ベース金属板の第２面上に第２表面層を配置するステップ；前記第１表面層上に第１フォトレジスト層配置し、前記第２表面層上に第２フォトレジスト層を配置するフォトレジスト層形成ステップ；前記第１面の第１面孔と前記第２面の第２面孔とが連通する貫通孔を形成するエッチングステップを含むことができる。また、実施例による蒸着マスクに用いられる金属板は、前記エッチングステップ以後に、前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層の除去ステップをさらに含むことができる。
また、前記第１表面層及び前記第２表面層は、同時に形成することができる。これに伴って、工程効率を向上させることができる。また、前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層は、ステップごとに形成することもできることは勿論である。
また、前記第１面孔、第２面孔をステップごとに形成して貫通孔を形成することもできる。
また、第１面孔を形成のための第１フォトレジストを形成して第２面にエッチング防止保護層を形成した後に第１面孔を形成し、第２面孔を形成するためのフォトレジストを形成して第１面にエッチング防止保護層を形成した後に第２面孔を形成することもできる。
また、前記フォトレジスト層の除去ステップ以後に第１、第２表面層を除去するステップをさらに含むことができる。これを通じてＯＬＥＤ蒸着時に表面層によって発生する異物を防止することができる。このような場合、表面層が除去された第１面のＮｉ含有量とベース金属板の厚さの１／２となる中央のＮｉ含有量は異なり得る。望ましくは、第１面のＮｉ含有量がベース金属板の厚さの１／２となる中央のＮｉ含有量より大きいことがある。
先ず、第１ステップは、ベース金属板１００ａの準備ステップである。前記ベース金属板１００ａは、ニッケル合金を準備することができる。例えば、前記ベース金属板１００ａは、ニッケル及び鉄の合金であり得る。
また、強度向上のために不純物を含むことができる。前記不純物は、Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ａｌ、Ｃｒのうち少なくとも一つを含むことができ、全体のベース金属板の２ｗ％以下、１．７ｗ％以下、１．５ｗ％以下であり得る。２ｗ％を越える場合、インバーの基本特性である熱膨脹特性が悪くなり得る。
前記ベース金属板の準備ステップは、多様な厚さ減少ステップを含むことができる。例えば、前記ベース金属板は、圧延ステップによる厚さ減少ステップをさらに含むことができる。
すなわち、第２ステップは、前記ベース金属板１００ａの圧延ステップであり得る。図１１を参照すると、前記ベース金属板１００ａは、５μｍないし５０μｍの厚さＴ１を有し得る。例えば、前記ベース金属板１００ａは、３０μｍ以下の厚さＴ１を有し得る。ここで、前記ベース金属板１００ａの厚さは、圧延工程後に測定された厚さであり得る。このとき、前記圧延工程は冷間圧延工程であり得る。すなわち、初期の金属基板は３０μｍ超過の厚さを有し、圧延ステップによる厚さ減少ステップによって加工されたベース金属板は、３０μｍ以下の厚さ（例えば２５μｍ、２０μｍ）を有し得る。
第３ステップは、前記ベース金属板の第１面上に第１表面層を配置するステップである。
第４ステップは、前記ベース金属板の第２面上に第２表面層を配置するステップである。
図１２を参照すると、前記ベース金属板１００ａ上に第１及び第２表面層１１０、１２０を形成することができる。例えば、前記ベース金属板 １００ａは、蒸着工程により、前記ベース金属板１００ａの一面上に第１表面層１１０を形成することができる。次いで、前記ベース金属板１００ａの前記一面と反対となる他面上に第２表面層１２０が蒸着工程によって形成され得る。
また、第１表面層及び第２表面層は、共に蒸着され得る。
また、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、互いに対応する厚さで前記ベース金属板１００ａ上に配置されることができ、前記ベース金属板１００ａの第１面１０１及び第２面１０２のエッチング速度をすべて低下させることがある。
第５ステップは、前記第１表面層１１０上に第１フォトレジスト層Ｐ１配置し、前記第２表面層１２０上に第２フォトレジスト層Ｐ２を配置するフォトレジスト層形成ステップである。図１３を参照すると、前記第１表面層１１０上にオープン領域を有する第１フォトレジスト層Ｐ１を配置し、前記第２表面層１２０上にオープン領域を有する第２フォトレジスト層Ｐ２を配置することができる。詳しくは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０上にそれぞれフォトレジスト物質を塗布し、露光及び現像工程によって前記第１フォトレジスト層Ｐ１、及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２をそれぞれ配置することができる。
前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域の幅が異なるように配置されることにより、前記第１面１０１上に形成される前記第１面孔Ｖ１と前記第２面１０２上に形成される前記第２面孔Ｖ２の幅が異なり得る。
前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、金属板に貫通孔を形成するために複数のオープン領域を含むことができる。
第６ステップは、金属板に貫通孔を形成するステップである。
前記第１表面層１１０上には、部分的に前記第１フォトレジスト層Ｐ１が配置され得る。前記第１表面層１１０の上に前記第１フォトレジスト層Ｐ１が配置される領域には、貫通孔が形成されないこともある。すなわち、前記第１フォトレジスト層Ｐ１は、エッチング工程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前記第１フォトレジスト層Ｐ１は、前記第１フォトレジスト層Ｐ１の下部に配置された前記第１表面層１１０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
前記第２表面層１２０上には、部分的に前記第２フォトレジスト層Ｐ２が配置され得る。前記第２表面層１２０の上に前記第２フォトレジスト層Ｐ２が配置される領域には、貫通孔が形成されないこともある。すなわち、前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、エッチング工程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、前記第２フォトレジスト層Ｐ２の下部に配置された前記第２表面層１２０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
一方、前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域には、エッチング工程でエッチングが行われ得る。これに伴って、前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域に金属板の貫通孔が形成され得る。
また、第１面孔を形成のための第１フォトレジストを形成して第２面にエッチング防止保護層を形成した後に第１面孔を形成し、第２面孔を形成するためのフォトレジストを形成して第１面にエッチング防止保護層を形成した後に第２面孔を形成することもできる。
図１４を参照すると、エッチング工程によって金属板の第１面に前記第１面孔Ｖ１が形成され、前記第１面と反対となる第２面に前記第２面孔Ｖ２が形成され、前記連結部ＣＡによって前記第１面孔Ｖ１及び前記第２面孔Ｖ２が連通されることによって貫通孔が形成され得る。
例えば、前記エッチング工程は、湿式エッチング工程によって行われ得る。これに伴って、前記第１面１０１及び前記第２面１０２が同時にエッチングされることができ、工程効率性が向上し得る。一例として、前記湿式エッチング工程は、塩化鉄を含むエッチング液を用いて、約４５℃で行われ得る。このとき、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３５ないし４５重量％含むことができる。詳しくは、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３６重量％含むことができる。例えば、ＦｅＣｌ３を４３重量％含んだ前記エッチング液の比重は２０℃で１．４７であり得る。ＦｅＣｌ３を４１重量％含んだ前記エッチング液の比重は２０℃で１．４４であり得る。ＦｅＣｌ３を３８重量％含んだ前記エッチング液の比重は２０℃で１．３９であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、金属表面層のエッチング速度がベース金属板のエッチング速度より遅くすることができる範囲内の多様なエッチング液を使用できることは勿論である。
第７ステップは、前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層の除去ステップである。図１５を参照すると、前記第１フォトレジスト層Ｐ１、及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２を除去するにより、前記ベース金属板１００ａ上に第１表面層１１０及び第２表面層１２０が配置され、複数の貫通孔を有する金属板を形成することができる。
前記工程で下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも一つの面孔のエッチングファクターは、２．５以上であり得る。これに伴って、実施例の貫通孔はエッチング特性に優れ、フォトレジスト層の剥離または分離による製造収率低下を防止することができる。
＜式１＞
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
上記式で、前記Ｂは、エッチングされた前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の深さであり、前記Ａは、前記一つの面孔上のブリッジ領域から延びて前記一つの面孔の中心方向に突出したフォトレジスト層の幅を意味する。詳しくは、前記Ａは、前記一つの面孔上に突出したフォトレジスト層一側の幅及び前記一側と反対となる他側の幅の平均値を意味する。
図１８を参照して、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔を形成するエッチングステップについて説明する。
前記エッチングステップで、フォトレジスト層Ｐがオープンされた領域に前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔が形成され得る。このとき、エッチング液は、オープン領域に位置したフォトレジスト層側面の下部にも接触できることにより、アンダーカットが発生し得る。これに伴って、前記一つの面孔上にフォトレジスト層の突出部が位置することができる。
前記突出部は、前記面孔と離隔して、前記面孔上に配置され得る。前記突出部は、前記面孔の端ＶＥを囲むことができる。前記突出部は、前記面孔を部分的に覆うことができる。前記突出部の端ＰＥは、前記面孔の端ＶＥから一定の間隔で離隔し得る。前記突出部の端ＰＥは、前記面孔上に配置され得る。前記突出部は、前記面孔と接触しないこともある。前記突出部は、前記ブリッジ領域または前記外郭領域に接触したフォトレジスト層が延びて前記面孔上に配置され得る。
前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の形状は、前記フォトレジスト層のオープン領域の形状と対応し得る。例えば、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の形状が円形状の場合には、前記フォトレジスト層のオープン領域の形状も円形状であり得る。
前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の平均直径は、前記一つの面孔上のフォトレジスト層のオープン領域の平均直径より大きいことがある。例えば、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の平均直径は、２５μｍないし３５μｍ であり得る。例えば、前記一つの面孔上のフォトレジスト層のオープン領域の平均直径は、２０μｍないし３０μｍであり得る。
すなわち、フォトレジスト層のオープン領域と貫通孔の幅は、互いに異なり得る。詳しくは、フォトレジスト層のオープン領域の幅より前記フォトレジスト層のオープン領域の下部に形成された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の幅は、さらに大きいことがある。ここで、一つの面孔の幅は、金属板の一面で測定した最大の直径を意味することができる。また、フォトレジスト層のオープン領域の幅と比較される一つの面孔の幅は、上、下に対応する位置に配置される幅を意味することができる。
前記フォトレジスト層のオープン領域の幅と前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の幅の値差が小さいほどエッチング特性に優れる。詳しくは、前記フォトレジスト層のオープン領域の幅と前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔の幅の値差の小さいほどアンダーカットの発生する領域が縮小され得る。これに伴って、貫通孔の設計の便宜性が向上することができ、微細な貫通孔を工程で効率的に形成することができる。
前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び前記面孔の平均直径の割合は、１：１．５以下の値を有し得る。例えば、前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び前記面孔の平均直径の割合は、１：１．１ないし１：１．４の値を有し得る。例えば、前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び前記面孔の平均直径の割合は、１：１．３ないし１：１．４の値を有し得る。前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び前記面孔の平均直径の割合が１：１．５超過の場合には、エッチング特性が低下することがある。
上記式１のＡ値は、下記式２のように表現され得る。
＜式２＞
Ａ＝（Ａ１＋Ａ２）／２
図１８を参照すると、上記式２のＡ１は、前記一つの面孔上のフォトレジスト層突出部の一側の幅を意味し、上記式２のＡ２は前記一つの面孔上のフォトレジスト層突出部の前記一側と反対となる他側の幅を意味することができる。
すなわち、前記第１面孔及び前記第２面孔のうち一つの面孔のエッチングファクターは、下記の式３でさらに整理され得る。
＜式３＞
Figure 0006948386

実施例による蒸着マスクは、貫通孔を形成するエッチングステップで、エッチングファクターが２．５以上に測定され得る。前記エッチングファクターが大きいほど、金属板の厚さ方向、すなわち、貫通孔の深さ方向にエッチング特性に優れることを意味することができる。
前記エッチングファクターが小さいほど、貫通孔の幅が大きくなることを意味することができる。すなわち、前記エッチングファクターが小さいほど貫通孔の幅が大きくなることにより、フォトレジスト層が浮いたり、分離される現象が発生し得る。
前記金属板の少なくとも一面は面孔を含み、このとき、上記式１のＡ値は８以下であり得る。例えば、上記式１のＡ値は５以下であり得る。例えば、上記式１のＡ値は４ないし５であり得る。
上記式１のＡ値が８超過の場合には、エッチングファクターが低下することがある。上記式１のＡ値が８超過の場合には、前記フォトレジスト層のオープン領域の平均直径と前記一つの貫通孔の平均直径の差が大きいので、微細な貫通孔の設計が困難であり得る。
以下、実施例及び比較例を通じて本発明をさらに詳細に説明する。このような実施例は、本発明をさらに詳細に説明するために例として提示したものに過ぎない。したがって本発明がこのような実施例に限定されるものではない。
＜実験例１：フォトレジスト層オープン領域の平均直径とオープン領域下部に形成された面孔の平均直径のサイズ評価＞
冷間圧延されたインバーベース金属板上にＮｉ−Ｃｒ合金材の第１表面層及び第２表面層を蒸着して形成した。
このとき、Ｎｉ−Ｃｒ合金は、ニッケルが７６ないし９９重量％、クロムが１ないし２４重量％の合金であった。
以後、第１表面層及び第２表面層のうち一つの金属表面層上に複数のオープン領域を含むフォトレジスト層を形成した。以後、エッチング工程は、複数のオープン領域を含むフォトレジスト層が形成された面でのみ行われた。
これを通じて、フォトレジスト層のオープン領域の下部に第１面孔及び第２面孔のうち一つの面孔を形成した。
冷間圧延されたインバーベース金属板上にＮｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金材の第１表面層及び第２表面層を蒸着して形成した。
このとき、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金は、ニッケル及び鉄が７６ないし９９重量％、クロムが１ないし２４重量％の合金であった。
以後、第１表面層及び第２表面層のうち一つの金属表面層上に複数のオープン領域を含むフォトレジスト層を形成した。以後、エッチング工程は、複数のオープン領域を含むフォトレジスト層が形成された面でのみ行われた。
これを通じて、フォトレジスト層のオープン領域の下部に第１面孔及び第２面孔のうち一つの面孔を形成した。実施例２は、実施例１と表面層の合金組成が異なること以外に各層の厚さ、エッチング工程の条件は同一であった。
比較例１
冷間圧延されたインバーベース金属板を準備した。
以後、前記インバーベース金属板の一面上に複数のオープン領域を含むフォトレジスト層を形成した。以後、エッチング工程は、複数のオープン領域を含むフォトレジスト層が形成された面でのみ行われた。
これを通じて、フォトレジスト層のオープン領域の下部に第１面孔及び第２面孔のうち一つの面孔を形成した。
前記比較例１は、実施例１及び２とベース金属板の厚さが同一であって、エッチング工程の条件も同一であった。
実施例１及び実施例２によるフォトレジスト層オープン領域の平均直径と前記オープン領域下部に形成された面孔の平均直径との差は、比較例１によるフォトレジスト層オープン領域の平均直径と前記オープン領域下部に形成された面孔の平均直径との差より小さいものと測定された。
実施例１及び実施例２によるフォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び面孔の平均直径は、１：１．５以下と測定された。詳しくは、実施例１及び実施例２によるフォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び面孔の平均直径は、１：１．１ないし１：１．４と測定された。
比較例１によるフォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び面孔の平均直径の割合は、１：１．７以上と測定された。詳しくは、比較例１によるフォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び面孔の平均直径の割合は、１：１．７ないし１：１．８と測定された。
図１６及び図１７は、実施例１及び比較例１によって形成された面孔の写真である。
図１６を参照すると、実施例１によって形成された任意のフォトレジスト層オープン領域の直径は２３．８μｍであり、前記フォトレジスト層のオープン領域の下部に配置された任意の面孔の直径は３２．８５μｍである。
一方、図１７を参照すると、比較例１によって形成された任意のフォトレジスト層オープン領域の直径は２２．４３μｍであり、前記フォトレジスト層のオープン領域の下部に配置された任意の面孔の直径は３９．１５μｍである。
実施例１及び実施例２によるフォトレジスト層のオープン領域の平均直径及び面孔の平均直径は１：１．４以下の割合を満足することにより、貫通孔のエッチング特性に優れることを確認した。また、実施例による蒸着マスクは、均一性が向上した貫通孔を含むことができ、これを通じて蒸着されるパターン形状の均一性が向上することを確認した。
＜実験例２： エッチングファクター評価＞
Figure 0006948386
前記表１は、実施例１、実施例２及び比較例１によるエッチングファクターを示す。
実施例１及び実施例２による蒸着マスクのエッチングファクターは、２．５以上であることが分かる。例えば、実施例１及び実施例２による蒸着マスクのエッチングファクターは、２．５ないし２．７であることが分かる。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、エッチング工程でフォトレジスト層の脱膜を防止することができ、面孔または貫通孔のエッチング特性に優れることが分かる。
一方、比較例１による蒸着マスクのエッチングファクターは、２．０未満であることが分かる。詳しくは、比較例１による蒸着マスクのエッチングファクターは、１．７であることが分かる。これに伴って、比較例１による蒸着マスクは、エッチング工程でフォトレジスト層の脱膜が発生することができ、面孔または貫通孔のエッチング特性が低下することが分かる。
エッチング速度は、単位時間当りエッチングされる量を意味するものであって、
比較例１による冷間圧延されたインバーベース金属板は、外部表面のエッチング速度が内部のエッチングと類似する。冷間圧延の工程を経る場合でも、外部表面と内部は同じ成分であり、外部表面と内部の結晶構造は同じか、または類似するので、インバー材料自体だけではエッチング特性を向上させにくいことが分かる。
一方、実施例１及び２は、エッチングファクターを２．５以上に向上させることができる第１及び第２表面層を含むことができる。実施例１の金属表面層は、ベース金属板よりエッチング速度を遅くすることができるクロムを含む二元系合金である。実施例２の金属表面層は、ベース金属板よりエッチング速度を遅くすることができるクロムを含む三元系合金である。
実施例１及び２による金属表面層は、ベース金属板と異なる元素、例えば、Ｃｒのように耐食性に優れる金属元素を含むことができる。これに伴って、実施例１、２による金属表面層のエッチング速度は、ベース金属板のエッチング速度より遅いことが分かる。これに伴って、実施例による金属板は、微細な貫通孔を形成することができる。
表面層のエッチング速度は、ベース金属板のエッチング速度より遅いことがある。すなわち、ベース金属板のエッチング速度は、表面層のエッチング速度より相対的に速いことがある。すなわち、金属板のベース層をエッチングするとき、表面層の側面方向（図１８のＡ１、Ａ２方向）は、エッチング速度が相対的に遅いことがあり、ベース金属板の深さ方向（図１８のＢ方向）のエッチング速度は、相対的に速いことがある。したがって、実施例のエッチングファクターを高めることができ、これを通じて微細な貫通孔を形成できるようになる。表面層のエッチング速度とベース金属板のエッチング速度は、金属板をエッチングしながら時間当りエッチングされた量を測定して確認することができる。このような方式で測定して見ると、表面層がエッチングされる時間には、エッチングされた量が相対的に少なく、ベース金属板がエッチングされる時間には、エッチングされた量が相対的に多いことを確認することができる。
図１８は、実施例１による面孔の断面図である。
図１８を参照すると、エッチングファクターが２．５以上のとき、面孔の幅が少なく、深さ方向にエッチング特性に優れる。また、エッチングファクターが２．５以上のとき、フォトレジスト層及び隣接した貫通孔の間に位置するブリッジ領域ＢＲの接触面積が広いことがあって、フォトレジスト層の脱膜を安定的に防止することができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクを通じて微細な蒸着パターンを形成することができる。
図１９は、比較例１による面孔の断面図である。
図２０を参照すると、比較例１による面孔は、エッチングファクターが１．７であるので、隣接した貫通孔が重畳され得る。または、フォトレジスト層の脱膜現象が発生し得る。これに伴って、比較例１は、貫通孔の製造収率及び工程効率が低下することが分かる。
実施例による蒸着マスクは、金属板、互いに対向する第１面及び第２面を含むベース金属板、前記第１面上に配置される第１表面層、及び前記第２面上に配置される第２表面層を含み、前記金属板は複数の貫通孔を含み、前記金属板のエッチングファクターは２．５以上であり得る。
実施例による蒸着マスクは、貫通孔を形成する前に、前記ベース金属板上に金属表面層を配置することができる。これに伴って、前記表面層は、前記貫通孔が配置される領域上に配置されず、オープンされ得る。
前記貫通孔の内部領域は、前記表面層と異なる元素を含むことができる。また、前記貫通孔の内部領域は、前記表面層と同一元素を含んでも、含まれる元素の組成が異なり得る。これに伴って、金属表面層のエッチング速度を遅くすることができる。
すなわち、実施例による蒸着マスクは、貫通孔を形成するためのエッチング工程で、金属表面層よりベース金属板のエッチング速度が速いことがあって、エッチング効率が向上し、貫通孔の均一性が向上し得る。
また、実施例による蒸着マスクで製作したＯＬＥＤパネルは、パターンの蒸着効率に優れ、蒸着均一性が向上し得る。
図２０及び図２１を参照して、第２実施例による蒸着マスクを説明する。
第１実施例の特徴と矛盾する場合を除き、第１及び第２実施例の特徴を結合して適用できることは勿論である。前に説明した第１実施例と重複する説明は省略することができる。同じ構成要素には同じ図面符号を付与することができる。
図２０及び図２１を参照すると、第２実施例による蒸着マスクに含まれる金属板は、ベース金属板１００ａ及び金属表面層を含むことができる。
前記ベース金属板１００ａの一面または両面には、金属表面層が配置され得る。
前記ベース金属板１００ａの一面には、第１表面層１１０が配置され、前記一面と反対となる他面には第２表面層１２０が配置され得る。
蒸着マスク用金属板は、前記ベース金属板１００ａの両面に前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０を含むことができる。前記ベース金属板１００ａは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０の間にサンドイッチ構造に配置され得る。
前記ベース金属板１００ａは、前記表面層と互いに異なる物質を含むことができる。前記ベース金属板１００ａは、前記第１表面層１１０と互いに異なる元素を含むことができる。また、前記ベース金属板１００ａは、前記第２表面層１２０と互いに異なる元素を含むことができる。
また、前記ベース金属板１００ａは、前記第１、２金属表面層１１０、１２０と互いに異なる組成比を有し得る。
実施例は、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０が前記ベース金属板１００ａと互いに異なる元素を含むことにより、前記第１及び第２表面層の腐食速度を前記ベース金属板より遅くすることができる。すなわち、バルク金属板であるベース金属板１００ａの腐食速度が金属表面層の腐食速度より速いことがある。これに伴って、実施例による蒸着マスクのエッチングファクターを増加させることができる。また、実施例による蒸着マスクは、複数の貫通孔を均一に形成できることにより、Ｒ、Ｇ、Ｂパターンの蒸着効率を向上させることができる。
前記表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇなどの金属原素の以外にＮｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂなどの１次イオン化エネルギーが４５０ないし８５０ｋｊ／Ｍｏlに該当する多様な元素を含むことができる。
前記表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも一つ以上の元素を含むことができる。例えば、前記表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Si、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ及びＳｂの中で互いに異なる二つの元素が含まれた二元系層であり得る。例えば、前記表面層１００ｂ、１００ｃは、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ及びＳｂの中で互いに異なる三つの元素が含まれた三元系層であり得る。例えば、前記表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ及びＳｂの中で互いに異なる元素を四つ以上含まれた層であり得ることは勿論である。
前記表面層は、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｎのうち少なくとも一つの元素を含むことができる。一例として、前記表面層は、金属酸化物層であり得る。このとき、前記表面層は、ベース金属板の圧延工程後の移送過程で５ｎｍ以下に形成され得る自然酸化膜ではない、別のスパッタリングなど工程によって形成された表面層であり得る。一例として、前記表面層は、クロム層またはクロム合金層であり得る。このとき、前記表面層のクロム含有量（重量％）は、ベース金属層のクロム含有量（重量％）より大きいことがある。前記表面層は、蒸着マスクに用いられる金属板表面における腐食速度を遅くすることができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、エッチングファクターが向上し得る。
前記ベース金属板１００ａの厚さは、前記表面層の厚さより大きいことがある。前記ベース金属板１００ａの厚さは、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０のうち少なくとも一つの厚さより大きいことがある。
前記ベース金属板１００ａの厚さは３０μｍ以下であり得る。例えば、前記ベース金属板１００ａの厚さは１μｍないし３０μｍであり得る。例えば、前記ベース金属板１００ａの厚さは５μｍないし１９．９μｍであり得る。例えば、前記ベース金属板１００ａの厚さは１５μｍないし１９．５μｍであり得る。例えば、前記ベース金属板１００ａの厚さは１０μｍないし１９．８μｍであり得る。前記ベース金属板１００ａの厚さが３０μｍ超過の場合には、隣接した貫通孔の間の距離（ｐｉｔｃｈ）が増加することがある。これに伴って、高解像度または超高解像度の表示装置を形成する効率が低下することがある。実施例のベース金属板は、２０μｍ以下の厚さであり得、隣接した貫通孔の間の距離（ｐｉｔｃｈ）が減少し得る。したがって、高解像度及び／または超高解像度の表示装置を提供することに適し得る。すなわち、実施例による蒸着マスクは、インチ当たりピクセル（ＰＰＩ、ｐｉｘｅｌｓ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）が増加できる。
前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、互いに対応する厚さを有し得る。ここで、対応するということは公差による誤差を含むことであり得る。
前記表面層は、ベース金属板の一面または両面で０．５ｎｍないし１０００ｎｍ以下であり得る。前記表面層は、ベース金属板の一面または両面で５ｎｍないし８５０ｎｍ以下の厚さで配置され得る。前記表面層は、ベース金属板の一面または両面で１０ｎｍないし６００ｎｍ以下の厚さで配置され得る。
前記第表面層１１０の厚さは、２０ｎｍないし５００ｎｍであり得る。例えば、前記第１表面層１１０の厚さは、２０ｎｍないし５０ｎｍであり得る。例えば、前記第１表面層１１０の厚さは、２５ｎｍないし３５ｎｍであり得る。
前記第２表面層１２０の厚さは、２０ｎｍないし５００ｎｍであり得る。例えば、前記第２表面層１２０の厚さは、２０ｎｍないし５０ｎｍであり得る。例えば、前記第２表面層１２０の厚さは、２５ｎｍないし３５ｎｍであり得る。
前記表面層の厚さが１ｎｍ未満の場合には、金属表面層によるエッチングファクターの向上効果が減少し得る。これに伴って、貫通孔の均一性が低下することがある。すなわち、前記表面層の厚さが１ｎｍ未満の場合には、厚さ及び／または幅の偏差が大きい貫通孔が形成されることにより、前記貫通孔を有する金属板によって形成されたパターンの均一でないことがあって、表示装置の製造効率が低下することがある。
また、前記表面層の厚さが１ｎｍ未満の場合には、微細なサイズの貫通孔の形成が困難となり得る。
前記表面層の厚さが１μｍ超過の場合には、製造効率が低下することがある。前記ベース金属板１００ａと前記表面層との間の界面は、陽イオンまたは陰イオン性物質を含むことができる。前記ベース金属板１００ａは、酸性エッチング溶液によって２０μｍ以下の薄い厚さを有し得る。これに伴って、前記ベース金属板１００ａの表面には、酸性溶液のプロトン（Ｈ+）のような陽イオンまたは酸性溶液の解離による共役塩基の陰イオンを含むことができる。一例として、前記ベース金属板１００ａと前記表面層との間の界面は、塩酸、硫酸、リン酸、酢酸のような酸性溶液の解離によるＣｌ−、ＨＳＯ４ −、Ｈ２ＰＯ４ −、ＣＨ３ＣＯ２ −のいずれか一つのイオンを０．１重量％以下に含むことができる。但し、酸性溶液は、水洗によって除去され得るので、実質的にプロトン（Ｈ+）のような陽イオンまたは酸性溶液の解離による共役塩基の陰イオンは、ほとんど残っていないこともある。ここで、実質的にほとんど残っていないということは、プロトン（Ｈ+）のような陽イオンまたは酸性溶液の解離による共役塩基の陰イオンが０．０１重量％以下に検出されることを意味することができる。
前記ベース金属板１００ａは、酸性溶液によってエッチング処理された表面を含むことができる。前記ベース金属板１００ａは、圧延された表面を含む金属板より、大きい粗さを有し得る。詳しくは、前記ベース金属板１００ａは、圧延されたインバー金属板より算術平均粗さ（Ｒａ）及び十点平均粗さ（Ｒｚ）の値が大きいことがある。
前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、５０ｎｍ超過であり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、５０ｎｍ＜Ｒａ＜３００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、５０ｎｍ＜Ｒａ＜２００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は、７０ｎｍ＜Ｒａ＜１５０ｎｍであり得る。
前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）は、８００ｎｍ超過であり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）は、８００ｎｍ＜Ｒｚ＜２５００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）は、８００ｎｍ＜Ｒｚ＜２０００ｎｍであり得る。例えば、前記ベース金属板と前記表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板１００ａの十点平均粗さ（Ｒｚ）は、８００ｎｍ＜Ｒｚ＜１５００ｎｍであり得る。
前記ベース金属板１００ａと直接接触される前記第１表面層１１０の一面の粗さは、蒸着マスク用金属板の表面を形成する前記第１表面層１１０の前記一面と反対となる他面より大きいことがある。これに伴って、前記ベース金属板１００ａと前記第１表面層１１０との間の界面は、密着特性に優れる。また、蒸着マスク用金属板の表面を形成する前記第１表面層１１０の他面は、一面より粗さが小さいことがあって、エッチング品質を向上させることができる。
前記ベース金属板１００ａと直接接触される前記第２表面層１２０の一面の粗さは、蒸着マスク用金属板の表面を形成する前記第２表面層１２０の前記一面と反対となる他面より大きいことがある。これに伴って、前記ベース金属板１００ａと前記第２表面層１２０との間の界面は、密着特性に優れる。また、蒸着マスク用金属板の表面を形成する前記第２表面層１２０の他面は、一面より粗さが小さいことがあって、エッチング品質を向上させることができる。
また、前記ベース金属板は、前記貫通孔を形成して表面層を除去することもできる。この場合、前記表面層が除去されたベース金属板の表面で測定された算術平均粗さ（Ｒａ）は５０ｎｍ超過であり得る。
前記蒸着マスク１００は、貫通孔の厚さ方向によって、互いに異なる貫通孔の幅を有し得る。
図２０を参照すると、前記第１面孔Ｖ１の幅Ｗ１は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大きいことがある。詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
前記第２面孔Ｖ２の幅Ｗ２は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大きいことがある。詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
前記第１面孔Ｖ１と隣接して、前記第１面１０１上に形成される第３面孔Ｖ３は、前記第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４と前記連結部ＣＡを通じて連通することにより、貫通孔を形成することができる。
前記第４貫通孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４より大きいことがある。例えば、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。例えば、前記第４面孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある。詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
図２１を参照すると、前記第１面孔Ｖ１の幅Ｗ１は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より小さいことがある。詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が増加できる。さらに詳しくは、前記第１面孔Ｖ１は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に増加できる。
前記第２面孔Ｖ２の幅Ｗ２は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ３より大きいことがある。詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第２面孔Ｖ２は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。
前記第１面孔Ｖ１と隣接して、前記第１面１０１上に形成される第３面孔Ｖ３は、前記第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４と前記連結部ＣＡを通じて連通することにより、貫通孔を形成することができる。
前記第４貫通孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４より大きいことがある。例えば、前記第３貫通孔Ｖ３の幅Ｗ４は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より小さいことがある。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が大きいことがある。詳しくは、前記第３面孔Ｖ３は、前記第１面１０１から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に増加できる。例えば、前記第４面孔Ｖ４の幅Ｗ５は、前記連結部ＣＡの幅Ｗ６より大きいことがある。詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が減少し得る。さらに詳しくは、前記第４面孔Ｖ４は、前記第２面１０２から前記連結部ＣＡに向かって行くほど前記貫通孔の幅が漸次的に減少し得る。これに伴って、微細なサイズの蒸着パターンを効率的に形成することができる。
図２０及び図２１を参照すると、実施例による蒸着マスクは、複数の貫通孔を含むことができる。このとき、一つの貫通孔の幅は４０μｍ以下であり得る。例えば、前記貫通孔の幅は５μｍないし４０μｍであり得る。例えば、前記貫通孔の幅は１０μｍないし３５μｍであり得る。例えば、前記第１面孔の幅Ｗ１及び前記第２面孔の幅Ｗ２のうち少なくとも一つは、４０μｍ以下の幅を有し得る。前記貫通孔の幅が４０μｍ超過の場合には、微細な蒸着パターンの形成が困難となり得る。
前記第１面孔とＶ１隣接して、前記第１面１０１上に形成される第３面孔Ｖ３は、前記第２面孔Ｖ１と隣接して、前記第２面１０２上に形成される第４面孔Ｖ４とそれぞれ前記連結部ＣＡを通じて連通することにより、複数の貫通孔を形成することができる。
実施例による蒸着マスクは、任意の第１貫通孔及び前記第１貫通孔と隣接した第２貫通孔との間にブリッジ領域ＢＲを含むことができる。例えば、前記第１面孔Ｖ１及び前記第３面孔Ｖ３の間の前記第１面１０１には、第１ブリッジ領域ＢＲ１を含むことができ、前記第２面孔Ｖ１及び前記第４面孔Ｖ４の間の前記第２面１０２には、第２ブリッジ領域ＢＲ２を含むことができる。前記第１ブリッジ領域ＢＲ１は、前記第２ブリッジ領域ＢＲ２の平面積より大きいことがある。前記ブリッジ領域は、複数の貫通孔が一定の間隔で離隔できるように支持することができる。
図２２ないし図２４を参照して、実施例による多様な断面構造の蒸着マスクを説明する。
蒸着マスクは、互いに対向する第１面及び第２面を含み、前記第１面上の第１面孔Ｖ１と前記第２面上の第２面孔Ｖ２との間には変曲点Ｐ２を含むことができる。
前記変曲点Ｐ２を基準として、前記第１面孔Ｖ１までの角度と前記第２面孔Ｖ２までの角度は互いに異なり得る。このとき、変曲点は、連結部ＣＡの終端の任意の地点であり得る。
図２２を参照すると、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する蒸着マスクの傾斜角度θ１は、９０度以下であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が９０度を超過すると、蒸着物質を収容することが困難であって、蒸着効率が低下することがある。
前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度θ１は、２０度ないし７０度の範囲であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が２０度ないし７０度の範囲であるとき、蒸着の均一性が向上し得る。
例えば、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度は、３０度ないし６０度の範囲であり得る。例えば、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度は、３２度ないし３８度または５２度ないし５８度の範囲であり得る。
前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、７０度以下であり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、６０度以下であり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、５０度以下であり得る。これに伴って、蒸着物質をよく収容できる傾斜角度を有し得る。
前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マスクの傾斜角度θ２は、９０度超過であり得る。
前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マスクの傾斜角度θ２は、９０度超過１１０度以下であり得る。
また、前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マスクの傾斜角度θ２は、９５度以上１００度以下であり得る。
すなわち、蒸着マスクの傾斜角度θ２が１１０度超過の場合には、前記連結部より大幅の第１面孔はシャドウ領域ＳＡを含むことができる。これに伴って、第１面孔を通じて放出される蒸着パターンの広がる現象が発生し得る。蒸着マスクの傾斜角度θ２が９０度未満の場合、マスクを通じて蒸着をさせた後にマスクを除去するとき、蒸着用基板から蒸着物質が離れることができる。
実施例による蒸着マスクは、連結領域の幅より蒸着パターンが大きく形成されることにより、高解像度及び／または超高解像度の表示装置の提供が困難であるという問題を解決するため、蒸着マスク用金属板の全体厚さを２０μｍ以下に形成することができる。また、第１面孔の高さＨ１が大きいほど蒸着パターンが広がるので、第１面孔の高さＨ１を５μｍ以下に形成することができる。例えば、第１面孔の高さＨ１は３μｍ以下であり得る。一方、前記第２面孔Ｖ２の高さＨ２は前記第１面孔Ｖ１の高さＨ１より大きいことがある。また、実施例は、蒸着マスク用金属板に金属表面層を形成してエッチングファクターを高めることにより、微細な蒸着パターンを形成することができる。
図２３を参照して、蒸着マスク用金属板が２０μｍ以下に形成されることによる貫通孔形成の容易性を説明する。
図２３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、蒸着マスク用金属板の厚さＴを変化させた場合に、エッチングによる貫通孔の形成可否を説明した図である。
フォトレジスト層のオープン領域の幅を一定にし、同じ材質の金属板を用いて、同じ時間の間エッチングさせた場合に、蒸着マスク用金属板の厚さが大きい図２３（ａ）、図２３（ｂ）では貫通孔が形成されないことが分かる。一方、蒸着マスク用金属板の厚さが小さい図２３（ｃ）では貫通孔が形成されることが分かる。すなわち、実施例による蒸着マスク用金属板は、２０μｍ以下の薄い厚さを有し得、微細なサイズの貫通孔を速く形成することができるので、製造工程が向上し得る。
図２４を参照して、エッチングファクターの増加による微細貫通孔形成の容易性を説明する。
図２４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、エッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）を変化させた場合に、エッチングによる貫通孔の形成可否を説明した図である。図２４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、フォトレジスト層のオープン領域の幅を一定にし、同じ材質の金属板を用いて、エッチングファクターの変化を示した図である。
図２４（ａ）は、オープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔の中心方向に突出した一端の幅（ａ）とエッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が１：０．５の割合であることにより、エッチングファクターが０．５であることを示した図である。
＜式１＞
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
上記式１で、前記Ｂは、エッチングされた面孔の中心方向の深さであり、前記Ａは、オープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔の中心方向に突出した一端の幅である。
図２４（ｂ）は、オープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔の中心方向に突出した一端の幅（ａ）とエッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が１：１の割合であることにより、エッチングファクターが１．０であることを示した図である。
図２４（ｃ）は、オープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔の中心方向に突出した一端の幅（ａ）とエッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が１：２の割合であることにより、エッチングファクターが２．０であることを示した図である。
図２４（ａ）、図２４（ｂ）、図２４（ｃ）を参照すると、同じ金属板の深さで、エッチングファクターが増加するほど微細なサイズの貫通孔が形成されることが分かる。すなわち、高解像度及び／または超高解像度の表示装置を製造するための蒸着マスクは、エッチングされた面孔の中心方向の深さ（ｂ）が増加するべきである。このために、実施例による蒸着マスク用金属板は、ベース金属板上に金属表面層を含むことができる。
実施例による蒸着マスクのエッチングファクターは１．２以上であり得る。実施例による蒸着マスクのエッチングファクターは１．５以上であり得る。実施例による蒸着マスクのエッチングファクターは１．６以上であり得る。実施例による蒸着マスクのエッチングファクターは２．０以上であり得る。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、解像度が６００ＰＰＩ以上であり得る。例えば、実施例による蒸着マスクは解像度が７００ＰＰＩ以上であり得る。例えば、実施例による蒸着マスクは解像度が８００ＰＰＩ以上であり得る。
図２５ないし図３０は、図２２による蒸着マスクの製造工程を示した図である。
実施例による蒸着マスクは、ベース金属板の準備ステップ；前記ベース金属板上に金属表面層を配置する表面層形成ステップ；前記表面層上にオープンされたフォトレジスト層を配置するフォトレジスト層形成ステップ；及び前記オープンされたフォトレジスト層と対応する位置に面孔を形成するエッチングステップ;を含んで製造され得る。
先ず、図２５を参照して、金属基板の準備ステップを説明する。金属基板ＭＳは金属物質を含むことができる。金属基板ＭＳはニッケル合金を含むことができる。例えば、金属基板ＭＳはニッケルと鉄の合金であり得る。このとき、ニッケルは約３５重量％ないし約３７重量％であり得、前記鉄は約６３重量％ないし約６５重量％であり得る。一例として、金属基板ＭＳは、ニッケルは約３５重量％ないし約３７重量％、鉄は約６３重量％ないし約６５重量％、微量のＣ、Ｓｉ、Ｓ、Ｐ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも一つ以上が含まれたインバー（Ｉｎｖａｒ）を含むことができる。
前記金属基板ＭＳの厚さＴｏは２０μｍ超過であり得る。例えば、前記金属基板ＭＳの厚さＴｏは３０μｍ以下であり得る。詳しくは、前記金属基板ＭＳの厚さＴｏは２５μｍ以下であり得る。これに伴って、前記ベース金属板１００ａの厚さを２０μｍ以下に製造することができる。
または、前記金属基板ＭＳの厚さＴｏは２０μｍ以下であり得る。これに伴って、前記ベース金属板１００ａの厚さを１５μｍ以下に製造することができる。
前記ベース金属板の準備ステップは、多様な厚さ減少ステップを含むことができる。例えば、前記ベース金属板は、化学的または電気的処理による厚さ減少ステップをさらに含むことができる。すなわち、前記ベース金属板の準備ステップは、厚さが２０μｍ超過の前記金属基板ＭＳを、厚さが２０μｍ以下のベース金属板に処理するステップを含むことができる。
図２６を参照して、ベース金属板の形成ステップを説明する。
前記金属基板ＭＳは、化学的または電気的方法で処理されることによって、前記金属基板ＭＳより約１５％ないし約２５％範囲程度に厚さが減少し得る。
前記金属基板ＭＳは、化学的薬品を通じてエッチングされることにより、前記金属基板ＭＳより厚さが約２０％減少されたベース金属板１００ａを形成することができる。このとき、前記化学的薬品は酸性溶液であって、多様な有機酸溶液または多様な無機酸溶液であり得る。または、前記金属基板ＭＳは、電気的に電解されることにより、前記金属基板ＭＳより厚さが約２０％減少されたベース金属板１００ａを形成することができる。
すなわち、実施例によるベース金属板１００ａは、圧延方式を使用せずに製造され得る。超高解像度の表示装置を製造するためには、２０μｍ以下の厚さを有するインバーを提供するべきである。厚い原材料を反復的な圧延工程を通じて、薄いインバーで加工することができるが、工程の難易度が高く、工程費用が高くなるという問題点がある。このような問題を解決するため、前記化学的または電気的方法でインバーを薄い厚さに加工することができる。これに伴って、非圧延ベース金属板１００ａの厚さＴ１は２０μｍ以下であり得る。例えば、前記非圧延ベース金属板１００ａの厚さＴ１は１５μｍ以下であり得る。
図２７を参照して、金属表面層形成ステップを説明する。
前記ベース金属板１００ａの表面は、前記化学的または電気的処理によって、エッチングファクターが低下することがある。すなわち、前記ベース金属板１００ａの表面は、化学または電気処理で粗さが大きいように変形されることにより、エッチングファクターの低下を発生させることができる。
したがって、前記ベース金属板１００ａの一面または両面に金属表面層を形成することができる。例えば、金属板の両面エッチングを通じて、第１面孔及び第２面孔を形成する場合には、前記ベース金属板１００ａの両面に第１表面層１１０及び第２表面層１２０を形成することができる。
または、図３２のように、金属板の一面のエッチングを通じて第２面孔のみを形成する場合には、前記ベース金属板１００ａの一面に金属表面層を形成することができる。
前記表面層は、エッチングファクターを向上させることができる多様な材料であり得る。前記表面層は、エッチングファクターを１．２以上に提供するための多様な材料であり得る。前記表面層は、エッチングファクターを１．５以上に提供するための多様な材料であり得る。前記表面層は、エッチングファクターを１．６以上に提供するための多様な材料であり得る。前記表面層は、エッチングファクターを２．０以上に提供するための多様な材料であり得る。
前記表面層は１μｍ以下に形成され得る。前記表面層は１００ｎｍ以下に形成され得る。前記表面層は５０ｎｍ以下に形成され得る。前記表面層は、Ａl、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｎのうち少なくとも一つの元素を含むことができる。
前記第１表面層１１０の厚さＴ２は、１ｎｍないし１００ｎｍであり得る。前記第１表面層１１０の厚さＴ２は、１ｎｍないし５０ｎｍであり得る。
前記第２表面層１２０の厚さＴ３は、１ｎｍないし１００ｎｍであり得る。前記第２表面層１２０の厚さＴ３は、１ｎｍないし５０ｎｍであり得る。
すなわち、前記表面層は、含まれる元素によってフォトレジスト層との密着力が異なることがあり、エッチングファクターが異なり得る。したがって、金属表面層に含まれる元素によって、１ｎｍないし１００ｎｍの範囲で多様な最適の厚さを有し得る。
前記表面層は、蒸着、電気メッキ、溶液工程など多様な方法で形成され得る。例えば、前記表面層は、薄膜形状に形成するために蒸着工程で形成され得る。または、前記表面層は、蒸着工程より厚く製造するためにメッキによって形成することができる。または、前記表面層は、ナノまたはマイクロ粒子を含む溶液で処理して形成することができる。また、前記表面層は、前記ベース金属板を酸化処理して、エッチングファクターを高めることができる。
図２８を参照して、フォトレジスト層形成ステップを説明する。
前記第１表面層１１０上に第１フォトレジスト層Ｐ１配置し、前記第２表面層１２０上に第２フォトレジスト層Ｐ２を配置することができる。
前記第１表面層１１０上にオープン領域を有する第１フォトレジスト層Ｐ１を配置し、前記第２表面層１２０上にオープン領域を有する第２フォトレジスト層Ｐ２を配置することができる。詳しくは、前記第１表面層１００ａ及び前記第２表面層１２０上にそれぞれフォトレジスト物質を塗布し、露光及び現像工程によって前記第１フォトレジスト層Ｐ１、及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２をそれぞれ配置することができる。
前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域の幅が異なるように配置されることにより、前記第１面１０１上に形成される前記第１面孔Ｖ１と前記第２面１０２上に形成される前記第２面孔Ｖ２の幅が異なり得る。
前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、蒸着マスク用金属板に貫通孔を同時に形成するために複数のオープン領域を含むことができる。
図２９を参照して、面孔形成のためのエッチングステップを説明する。
前記第１表面層１１０上には、部分的に前記第１フォトレジスト層Ｐ１が配置され得る。前記第１表面層１１０の上に前記第１フォトレジスト層Ｐ１が配置される領域は、貫通孔が形成されないこともある。すなわち、前記第１フォトレジスト層Ｐ１は、エッチング工程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前記第１フォトレジスト層Ｐ１は、前記第１フォトレジスト層Ｐ１の下部に配置された前記第１表面層１１０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
前記第２表面層１２０上には、部分的に前記第２フォトレジスト層Ｐ２が配置され得る。前記第２表面層１２０上に前記第２フォトレジスト層Ｐ２が配置される領域は、貫通孔が形成されないこともある。すなわち、前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、エッチング工程で物理的／化学的安全性を維持できる物質を含むことができる。これに伴って、前記第２フォトレジスト層Ｐ２は、前記第２フォトレジスト層Ｐ２の下部に配置された前記第２表面層１２０及び前記ベース金属板１００ａのエッチングを阻止することができる。
一方、前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域は、エッチング工程でエッチングが行われ得る。これに伴って、前記第１フォトレジスト層Ｐ１及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２のオープン領域に金属板の貫通孔が形成され得る。
エッチング工程によって金属板の第１面に前記第１面孔Ｖ１が形成され、前記第１面と反対となる第２面に前記第２面孔Ｖ２が形成され、前記連結部ＣＡによって前記第１面孔Ｖ１及び前記第２面孔Ｖ２が連通されることによって貫通孔が形成され得る。
例えば、前記エッチング工程は、湿式エッチング工程によって行われ得る。これに伴って、前記第１面１０１及び前記第２面１０２が同時にエッチングされることができ、工程効率性が向上し得る。一例として、前記湿式エッチング工程は、塩化鉄を含むエッチング液を用いて約４５℃で行われ得る。このとき、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３５ないし４５重量％含むことができる。詳しくは、前記エッチング液はＦｅＣｌ３を３６重量％含むことができる。例えば、ＦｅＣｌ３を４３重量％含んだ前記エッチング液の比重は２０℃で１．４７であり得る。ＦｅＣｌ３を４１重量％含んだ前記エッチング液の比重は２０℃で１．４４であり得る。但し、実施例はこれに制限されず、多様なエッチング液を使用できることは勿論である。
蒸着マスク用金属板は、前記第１表面層１１０、前記ベース金属板１００ａ及び前記第２表面層１２０を貫通する貫通孔を形成するため、前記第１表面層１１０の下面及び前記第２表面層１２０の上面にエッチング液が接触され得る。このとき、前記第１表面層１１０及び前記第２表面層１２０は、前記ベース金属板１００ａよりエッチング液に強い物質を含むことができ、エッチングファクターを向上させることができる。
図３０を参照して、フォトレジスト層の除去による蒸着マスクの形成ステップを説明する。前記第１フォトレジスト層Ｐ１、及び前記第２フォトレジスト層Ｐ２を除去することにより、前記ベース金属板１００ａ上に第１表面層１１０及び第２表面層１２０が配置され、複数の貫通孔を有する金属板を形成することができる。
前記エッチングステップ以後に、下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも一つの面孔のエッチングファクターは、１．２以上であり得る。下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも一つの面孔のエッチングファクターは、１．５以上であり得る。下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも一つの面孔のエッチングファクターは、１．６以上であり得る。下記式１によって計算された前記第１面孔及び前記第２面孔のうち少なくとも一つの面孔のエッチングファクターは、２．０以上であり得る。
蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、１．２以上であり得る。蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、１．５以上であり得る。蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、１．６以上であり得る。蒸着マスクの第１面孔及び第２面孔のエッチングファクターは、２．０以上であり得る。
望ましくは、前記第１面孔より大きい前記第２面孔のエッチングファクターは、１．２以上であり得る。前記第１面孔より大きい前記第２面孔のエッチングファクターは、１．５以上であり得る。前記第２面孔のエッチングファクターは、１．６以上であり得る。前記第２面孔のエッチングファクターは、２．０以上であり得る。
＜式１＞
Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ＝Ｂ／Ａ
上記式１で、前記Ｂは、エッチングされた面孔の中心方向の深さである。
前記Ａは、オープンされたフォトレジスト層のブリッジ領域から延びて前記面孔の中心方向に突出した一端の幅である。
また、実施例による蒸着マスクは、２０μｍ以下の厚さを有し得る。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、高解像度及び超高解像度の表示装置を提供することができる。
実施例による蒸着マスクは、多様な構造を有し得る。
実施例による第１面孔の傾斜角度は、多様であり得る。
図３１を参照すると、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する蒸着マスクの傾斜角度θ１は、９０度以下であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が９０度を超過すると、蒸着物質を収容することが困難であって、蒸着効率が低下することがある。
前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度θ１は、２０度ないし７０度の範囲であり得る。前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度が２０度ないし７０度の範囲であるとき、蒸着の均一性が向上し得る。
例えば、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度は、３０度ないし６０度の範囲であり得る。例えば、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度は、３２度ないし３８度または５２度ないし５８度の範囲であり得る。
前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、７０度以下であり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、６０度以下であり得る。例えば、前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３との間の傾斜角度は、５０度以下であり得る。これに伴って、蒸着物質をよく収容できる傾斜角度を有し得る。
前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マスクの傾斜角度θ２は、９０度以下であり得る。すなわち、前記連結部の幅は、第１面孔の幅より大きいことがあるので、前記シャドー領域ＳＡを含まないこともある。
これは、蒸着方式に従って異なり得る。図２２の場合、蒸着時の蒸着のための蒸発源（ＳＯＵＲＣＥ）物質とこのＰ１地点までの蒸着角度が大きいので、Ｐ１地点に蒸着物が附着する可能性がある場合に容易であり、図３１の実施例の場合、蒸発源（ＳＯＵＲＣＥ）物質は、金属基板との接着力が低いので、Ｐ１地点で蒸着物質と金属基板が附着しない場合に容易である。
前記第２面を基準に前記変曲点までの角度と前記変曲点を基準に前記第１面孔までの角度は、それぞれ９０度以下であり得る。このとき、前記第２面を基準に前記変曲点までの角度は、前記変曲点を基準に前記第１面孔までの角度よりさらに小さいことがある。すなわち、前記変曲点Ｐ２と前記第１面孔Ｖ１の終端の任意の地点Ｐ１とを連結する蒸着マスクの傾斜角度θ２は、前記変曲点Ｐ２と前記第２面孔Ｖ２の終端の任意の地点Ｐ３とを連結する傾斜角度θ１よりさらに大きいことがある。
一例として、金属表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｏ、Ｔｉのうち少なくとも一つの元素を含むことができる。例えば、実施例による蒸着マスクの金属板は、インバー金属板上にＣｒ含有の表面層を形成するか、またはＯ含有の表面層を形成することにより、表面におけるエッチング速度を遅くすることができ、変曲点と第１面孔との間の傾斜角度を９０度以下に形成することができる。
前記第２面孔の幅は、前記変曲点の幅より大きく、前記変曲点の幅は、前記第１面孔の幅より大きいことがある。または、前記第２面孔の幅は、前記変曲点の幅より大きく、前記変曲点の幅は、前記第１面孔の幅と対応し得る。例えば、前記第１面孔の幅及び前記変曲点の幅は、０．５：１ないし１：１の割合であり得る。
これに伴って、第１面孔を通じて放出される蒸着パターンが広がる現象を防止することができる。
実施例による蒸着マスクは、連結部の幅が蒸着パターンの幅と対応するか、または連結部の幅が蒸着パターンより大きく形成されることにより、高解像度及び／または超高解像度の表示装置を提供することができる。実施例による蒸着マスクは、解像度が８００ＰＰＩ以上であり得る。
実施例は、第１面孔を含まないことがある。
図３２を参照すると、蒸着マスク用金属板の一面でのみエッチングが行われる場合には、前記ベース金属板１００ａの一面でのみ第２表面層１２０を含むことができる。これに伴って、実施例は、第２面孔のみを含む貫通孔を形成することができる。第２面孔は、蒸着物質を収容できる形態であり、第２面孔の終端と対応する幅に有機物質を蒸着することができるので、蒸着物質が第１面孔の厚さによって、拡散する現象を防止することができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、蒸着効率を向上させることができる。
したがって、実施例による蒸着マスクは、高解像度の表示装置を製造することができる。
以下、実施例及び比較例を通じて本発明をさらに詳細に説明する。このような実施例は、本発明をさらに詳細に説明するために例として提示したものに過ぎない。したがって、本発明がこのような実施例に限定されるものではない。
比較例１は、ベース蒸着マスク用３０μｍ金属板上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングして貫通孔を形成した。
比較例２は、比較例１のベース蒸着マスク用３０μｍ金属板を酸性溶液でエッチングして２０μｍ以下の厚さに薄く処理されたベース金属板上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングして貫通孔を形成した。
実施例１は、比較例２のベース金属板上にＮｉ金属表面層を形成した。Ｎｉ含有の金属表面層上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングして貫通孔を形成した。
実施例２は、比較例２のベース金属板上にＣｒ及びＮｉ金属表面層を形成した。Ｃｒ及びＮｉの二元系合金を含む金属表面層上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングして貫通孔を形成した。
実施例３は、比較例２のベース金属板上にＦｅ及びＮｉ金属表面層を形成した。Ｆｅ及びＮｉの二元系合金を含む金属表面層上にフォトレジスト層を配置し、湿式エッチングして貫通孔を形成した。
前述したように、湿式エッチングを通じる貫通孔形成の後に表面層は除去され得る。
比較例及び実施例のフォトレジスト層のオープン領域の幅、エッチング液の温図及びエッチング液の種類は同じ条件で、エッチングファクターを測定した。
＜実験例１：フォトレジスト層の密着力、エッチングファクター及び貫通孔品質評価＞
Figure 0006948386
前記表２は、実施例及び比較例のフォトレジスト層の密着力、エッチングファクター及び貫通孔品質の評価結果を示したものである。
フォトレジスト層の脱膜が発生しない場合、○で表示した。
貫通孔の直径の最大値と最小値のサイズ偏差が±３μｍ以内であるとき、○で表示した。詳しくは、基準孔と隣接したホールのサイズ偏差が±３μｍ以内であるとき、○で表示した。
前記表２を参照すると、実施例１ないし実施例３の金属表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅのうち少なくとも一つの元素を含むことによってエッチングファクターが１．２以上に向上することを確認することができる。実施例１ないし実施例３の金属表面層のエッチングファクターは、１．５以上に向上することを確認することができる。実施例１ないし実施例３の金属表面層のエッチングファクターは、１．６以上に向上することを確認することができる。実施例１ないし実施例３の金属表面層のエッチングファクターは、２．０以上に向上することを確認することができる。実施例１ないし実施例３の金属表面層は、ニッケル層またはニッケル含有二元系合金を含むことにより、エッチングファクターが２．８以上に向上することを確認することができる。これに伴って、実施例による蒸着マスクは、貫通孔の間隔（ｐｉｔｃｈ）を縮小させることができる。また、実施例による蒸着マスクは、微細なサイズの貫通孔を優れた品質で形成することができ、これを通じて超高解像度のＯＬＥＤパネルを製造することができる。
上述した実施例に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例において例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野における通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組合せまたは変形されて実施可能である。したがって、このような組合せと変形に関係した内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
また、以上で実施例を中心に説明したが、これは単なる例示にすぎず、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有した者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示されていない様々な変形と応用が可能であることが分かるだろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に関係した差異点は、添付した特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

Claims (14)

  1. 蒸着マスクの製作に用いられる金属板において、
    ベース金属板；
    前記ベース金属板の第１面上に配置される第１表面層；及び
    前記ベース金属板の前記第１面と対向する第２面上に配置される第２表面層を含み、
    前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板と互いに異なる元素を含むか、または異なる組成比を有し、
    ＦｅＣｌ ３ を３６重量％含むエッチング液を用いた４５℃での湿式エッチング工程における、前記第１表面層及び前記第２表面層のエッチング速度は、前記ベース金属板のエッチング速度より遅く、
    前記第１表面層及び前記第２表面層は、Ｔｉの割合が０．５重量％ないし１０重量％である、金属板。
  2. 前記ベース金属板の厚さは、５μｍないし５０μｍである、請求項１に記載の金属板。
  3. 前記ベース金属板の厚さは、１５μｍないし３０μｍである、請求項１に記載の金属板。
  4. 前記第１表面層の厚さは、５ｎｍ超過８５０ｎｍ以下であり、
    前記第２表面層の厚さは、３０ｎｍ超過５００ｎｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の金属板。
  5. 前記ベース金属板と前記第１表面層及び前記第２表面層との間の界面で測定された前記ベース金属板の算術平均粗さ（Ｒａ）は５０ｎｍ超過であり、十点平均粗さ（Ｒｚ）は８００ｎｍ超過である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の金属板。
  6. 前記第１表面層及び前記第２表面層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｂのうち少なくとも二つ以上を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の金属板。
  7. 前記ベース金属板は、インバー（Ｉｎｖａｒ）を含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の金属板。
  8. 前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ベース金属板に含まれていない他の元素をさらに含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の金属板。
  9. 前記金属板は、複数の貫通孔を含む中央領域及び前記中央領域の外郭に位置した外郭領域を含み、
    前記中央領域に配置される前記第１表面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第１表面層の厚さと対応し、
    前記中央領域に配置される前記第２表面層の厚さは、前記外郭領域に配置される第２表面層の厚さと対応する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の金属板。
  10. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の金属板を含み、
    前記金属板は、蒸着パターン領域と非蒸着領域とを含み、蒸着パターン領域は、複数の貫通孔を含み、
    前記蒸着パターン領域は、有効領域と外郭領域、非有効領域に分けられ、前記有効領域と外郭領域に貫通孔が形成される蒸着マスク。
  11. 前記ベース金属板、前記第１表面層及び前記第２表面層を貫通し、相互間に連通する第１面孔及び第２面孔を含む、請求項１０に記載の蒸着マスク。
  12. 前記外郭領域の角部の貫通孔の形状は、前記有効領域の貫通孔の形状と相異なる、請求項１０または１１に記載の蒸着マスク。
  13. 前記蒸着マスクは、各貫通孔の間のブリッジ領域を含み、前記第１表面層及び前記第２表面層は、前記ブリッジ領域上に配置される、請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
  14. 前記非有効領域にハーフエッチング部を含む、請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の蒸着マスク。

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018052197A1 (ko) 2016-09-13 2018-03-22 엘지이노텍 주식회사 증착 마스크용 금속판, 증착 마스크 및 이의 제조방법
CN112424972A (zh) * 2018-08-29 2021-02-26 悟勞茂材料公司 掩模的制造方法、掩模及框架一体型掩模
KR102642138B1 (ko) * 2018-09-04 2024-03-04 엘지이노텍 주식회사 증착용 마스크 및 이의 제조 방법
KR102109037B1 (ko) * 2018-11-13 2020-05-11 (주)애니캐스팅 다중배열전극을 이용한 유기 증착 마스크 제조 방법
KR20200056525A (ko) 2018-11-14 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 마스크 제조 방법
JP7481330B2 (ja) * 2018-11-19 2024-05-10 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 合金金属板及びこれを含む蒸着用マスク
JP7383224B2 (ja) * 2019-07-19 2023-11-20 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 金属遮光板、カメラモジュールおよび電子機器
KR20210042026A (ko) * 2019-10-08 2021-04-16 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판, 금속판의 제조 방법, 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
CN110699637B (zh) * 2019-10-17 2021-03-23 昆山国显光电有限公司 掩膜版的制作方法、掩膜版和显示面板的制作方法
CN110777328A (zh) * 2019-11-21 2020-02-11 昆山国显光电有限公司 一种掩膜版、蒸镀系统及掩膜版的制备方法
KR20210094261A (ko) * 2020-01-21 2021-07-29 엘지이노텍 주식회사 Oled 화소 증착을 위한 금속 재질의 증착용 마스크
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
CN113025957A (zh) * 2021-03-08 2021-06-25 昆山国显光电有限公司 金属掩膜板及显示面板
TWI777604B (zh) * 2021-06-08 2022-09-11 友達光電股份有限公司 畫素陣列及其製作方法,金屬光罩及其製作方法
TWI785762B (zh) * 2021-08-26 2022-12-01 達運精密工業股份有限公司 形成金屬遮罩的方法與金屬遮罩
CN116511842B (zh) * 2023-04-27 2023-10-03 寰采星科技(宁波)有限公司 一种精密金属掩模板的制作方法及精密金属掩模板

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5726163A (en) * 1980-07-23 1982-02-12 Hitachi Ltd Mask for forming thin film and its manufacture
US4775599A (en) * 1985-12-24 1988-10-04 Kawasaki Steel Corporation Cold rolled steel sheets having an improved press formability
JPH02270249A (ja) * 1989-04-10 1990-11-05 Nkk Corp シヤドウマスク用金属薄板及びその製造方法
JP2001237072A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
JP2002105621A (ja) * 2000-09-27 2002-04-10 Tokyo Process Service Kk 金属板とその製造方法及び露光装置
JP2003064451A (ja) * 2001-06-11 2003-03-05 Hitachi Ltd 複合傾斜合金板とその製造方法およびこの複合傾斜合金板を用いたシャドウマスクを備えたカラー陰極線管
JP4547130B2 (ja) * 2003-01-30 2010-09-22 株式会社アルバック 蒸着マスクの製造方法
JP4197259B2 (ja) 2003-02-10 2008-12-17 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び蒸着マスク
JP4506214B2 (ja) * 2003-03-13 2010-07-21 東レ株式会社 有機電界発光装置およびその製造方法
JP4782404B2 (ja) * 2004-10-26 2011-09-28 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 蒸着マスク、有機ｌｅｄ、及び有機ｌｅｄの製造方法
KR101291795B1 (ko) * 2006-06-27 2013-07-31 엘지디스플레이 주식회사 섀도우마스크 형성방법 및 그 섀도우마스크를 포함하는증착장치와 그 증착장치를 이용한 유기전계발광소자의제조방법
KR101001875B1 (ko) * 2006-09-30 2010-12-17 엘지이노텍 주식회사 등방성 에칭을 이용한 미세 패턴 형성방법 및 이를 이용하여 제조된 미세패턴이 형성된 반도체 기판 면상 부재
KR100766902B1 (ko) 2006-10-30 2007-10-15 삼성에스디아이 주식회사 마스크 및 그 제조 방법
JP5262226B2 (ja) 2007-08-24 2013-08-14 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
KR20090065825A (ko) 2007-12-18 2009-06-23 엘지디스플레이 주식회사 쉐도우 마스크 및 그 제조방법
KR100948770B1 (ko) 2008-06-27 2010-03-24 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법
JP2010196091A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Sony Corp 蒸着用マスクおよびその製造方法
KR101182239B1 (ko) * 2010-03-17 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체
US9580791B2 (en) 2010-05-28 2017-02-28 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition mask, and manufacturing method and manufacturing device for organic EL element using vapor deposition mask
KR101820020B1 (ko) * 2011-04-25 2018-01-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
KR20130057794A (ko) 2011-11-24 2013-06-03 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조 방법
CN103764388B (zh) * 2011-12-29 2016-08-17 奥秘合金设计有限公司 冶金结合的不锈钢
TWI479041B (zh) * 2012-01-12 2015-04-01 Dainippon Printing Co Ltd A method of manufacturing a vapor deposition mask, a method for producing a vapor deposition mask, and a method of manufacturing the organic semiconductor device
KR101951029B1 (ko) 2012-06-13 2019-04-26 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
KR102002494B1 (ko) 2012-11-30 2019-07-23 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
JP6086305B2 (ja) * 2013-01-11 2017-03-01 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
JP2015036436A (ja) * 2013-08-13 2015-02-23 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
CN103451598B (zh) * 2013-09-05 2016-03-02 中山新诺科技有限公司 一种oled显示面板生产用新型精细金属掩膜版及制作方法
KR102134363B1 (ko) * 2013-09-10 2020-07-16 삼성디스플레이 주식회사 메탈 마스크 제작 방법 및 이를 이용한 메탈 마스크
JP2015103427A (ja) 2013-11-26 2015-06-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
JP5626491B1 (ja) * 2014-03-06 2014-11-19 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
KR102273049B1 (ko) 2014-07-04 2021-07-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
KR102316680B1 (ko) * 2014-11-24 2021-10-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 어셈블리와, 이의 제조 방법
JP6515520B2 (ja) * 2014-12-15 2019-05-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板および蒸着マスク
KR102278606B1 (ko) * 2014-12-19 2021-07-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 이를 포함하는 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP6372755B2 (ja) * 2014-12-24 2018-08-15 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板および蒸着マスク
KR101603200B1 (ko) * 2015-04-24 2016-03-14 엘지이노텍 주식회사 금속기판 및 이를 이용한 증착용마스크
KR102541449B1 (ko) 2015-12-22 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 어셈블리
EP3419074B1 (en) 2016-02-16 2021-04-14 LG Innotek Co., Ltd. Metal plate, mask for deposition and manufacturing method therefor
KR102590890B1 (ko) * 2016-02-16 2023-10-19 엘지이노텍 주식회사 금속판, 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널
KR102651680B1 (ko) 2016-02-17 2024-03-27 엘지이노텍 주식회사 금속판, 및 이를 이용한 oled 패널
CN105803389B (zh) 2016-05-18 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法
WO2018052197A1 (ko) 2016-09-13 2018-03-22 엘지이노텍 주식회사 증착 마스크용 금속판, 증착 마스크 및 이의 제조방법

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