CN112522667B - 一种掩膜版及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种掩膜版及其制备方法，涉及显示技术领域。其中，驱动背板母板包括：背板区域、背板区域之间的过渡区域，及包围背板区域和过渡区域的边缘区域；掩膜版包括：与边缘区域对应的第一区域，及与过渡区域对应的第二区域；第二区域具有至少一个第一半刻子区域，第一半刻子区域的厚度小于第一区域的厚度。本发明中，可在掩膜版与驱动背板母板过渡区域对应的第二区域中，设置至少一个第一半刻子区域，由于第一半刻子区域的厚度，小于掩膜版与驱动背板母板边缘区域对应的第一区域的厚度，因此，可减轻掩膜版中间的重量，如此，可减小掩膜版与驱动背板母板贴合时的下垂量，使得二者能够更紧密地贴合，避免了驱动背板出现多种不良问题。

Description

一种掩膜版及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜版及其制备方法。
背景技术
如今，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)驱动背板可以通过OLED G6 Half产线进行制备。
目前，OLED G6 Half产线在生产驱动背板母板时，可以通过蒸镀工艺对驱动背板母板进行制备，在该过程中可以将掩膜版与驱动背板母板进行贴合，从而控制膜层的蒸镀区域。然而，发明人在应用上述技术的过程中发现，在蒸镀过程中，掩膜版与驱动背板母板极易出现贴合不紧的情况，进而会导致制成的驱动背板出现混色不均、像素图形的阴影(shadow)不均等多种不良问题。
发明内容
本发明提供一种掩膜版及其制备方法，以解决现有的掩膜版与驱动背板母板在蒸镀过程中极易贴合不紧，从而导致驱动背板极易出现多种不良的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种掩膜版，用于通过蒸镀工艺制备驱动背板母板，所述驱动背板母板包括：背板区域、所述背板区域之间的过渡区域，以及包围所述背板区域和所述过渡区域的边缘区域；
所述掩膜版包括：与所述边缘区域对应的第一区域，以及与所述过渡区域对应的第二区域；所述第二区域具有至少一个第一半刻子区域，所述第一半刻子区域的厚度小于所述第一区域的厚度。
可选地，所述背板区域包括：驱动背板，以及所述驱动背板之间的母板间隙；
所述掩膜版还包括：与所述母板间隙对应的第三区域；所述第三区域具有至少一个第二半刻子区域，所述第二半刻子区域的厚度小于所述第一区域的厚度。
可选地，所述掩膜版还包括：与所述驱动背板对应的第四区域；每个所述第一半刻子区域与每个所述第四区域之间的距离均大于1毫米。
可选地，所述第一半刻子区域的厚度与所述第一区域的厚度之间的比值大于或等于20％，且小于或等于50％。
可选地，所述第一半刻子区域的厚度大于或等于20微米，且小于或等于50微米。
可选地，所述掩膜版还包括：与所述驱动背板对应的第四区域；在平行于所述驱动背板的长度方向上至少部分相邻的两个所述第四区域之间设置有所述第二半刻子区域。
可选地，所述掩膜版还包括：与所述驱动背板对应的第四区域；在垂直于所述驱动背板的长度方向上至少部分相邻的两个所述第四区域之间设置有所述第二半刻子区域。
可选地，各个所述第一半刻子区域沿垂直于所述驱动背板的长度方向上并列排布。
可选地，各个所述第一半刻子区域沿平行于所述驱动背板的长度方向上并列排布。
可选地，所述掩膜版还包括：与所述驱动背板对应的第四区域；每个所述第二半刻子区域与每个所述第四区域之间的距离均大于1毫米。
可选地，所述第二半刻子区域的厚度与所述第一区域的厚度之间的比值大于或等于20％，且小于或等于50％。
可选地，所述第二半刻子区域的厚度大于或等于20微米，且小于或等于50微米。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种掩膜版的制备方法，所述掩膜版用于通过蒸镀工艺制备驱动背板母板，所述驱动背板母板包括：背板区域、所述背板区域之间的过渡区域，以及包围所述背板区域和所述过渡区域的边缘区域；所述方法包括：
提供掩膜版基材；所述掩膜版基材包括与所述边缘区域对应的第一区域，以及与所述过渡区域对应的第二区域；
在所述第二区域中进行半刻蚀，得到至少一个第一半刻子区域；所述第一半刻子区域的厚度小于所述第一区域的厚度。
可选地，所述背板区域包括：驱动背板，以及所述驱动背板之间的母板间隙；所述掩膜版基材还包括与所述母板间隙对应的第三区域；所述方法还包括：
在所述第三区域中进行半刻蚀，得到至少一个第二半刻子区域；所述第二半刻子区域的厚度小于所述第一区域的厚度。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
在本发明实施例中，驱动背板母板包括背板区域、背板区域之间的过渡区域，以及包围背板区域和过渡区域的边缘区域，相应的，掩膜版可以包括：与边缘区域对应的第一区域，以及与过渡区域对应的第二区域。其中，第二区域具有至少一个第一半刻子区域，且第一半刻子区域的厚度小于第一区域的厚度。在本发明实施例中，可以在掩膜版的第二区域，也即是在掩膜版与驱动背板母板过渡区域对应的区域中，设置至少一个第一半刻子区域，由于第一半刻子区域的厚度，小于掩膜版与驱动背板母板边缘区域对应的第一区域的厚度，因此，可以减轻掩膜版中间的重量，如此，可以减小掩膜版与驱动背板母板贴合时的下垂量，使得掩膜版与驱动背板母板能够更加紧密地贴合，进而可以避免制成的驱动背板出现多种不良问题。
附图说明
图1示出了一种驱动背板母板的结构示意图；
图2示出了本发明实施例一的一种掩膜版的结构示意图；
图3示出了本发明实施例一的第二种掩膜版的结构示意图；
图4示出了本发明实施例一的第三种掩膜版的结构示意图；
图5示出了本发明实施例一的一种掩膜版的下垂量测试数据图；
图6示出了本发明实施例一的第四种掩膜版的结构示意图；
图7示出了本发明实施例二的一种掩膜版的制备方法的步骤流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
在对本发明实施例进行详细说明之前，首先对目前的掩膜版与驱动背板母板贴合不紧的原因进行分析。发明人通过观察与分析发现，在通过OLED G6 Half产线生产驱动背板母板时，在可以采用4shot曝光方式对驱动背板母板进行曝光，而此种曝光方式会造成驱动背板母板中间存在一条较宽的间距。图1示出了一种驱动背板母板10，参照图1，该驱动背板母板10包括：背板区域11、背板区域11之间的过渡区域12，以及包围背板区域11和过渡区域12的边缘区域13。其中，过渡区域12也即是驱动背板母板中间存在的那条较宽的间距。
发明人进一步发现，在进行至蒸镀工艺的步骤时，掩膜版需要与驱动背板母板进行贴合，而驱动背板母板上的过渡区域12对应到掩膜版上，则掩膜版的中间也会对应存在一个条状的实材区域，该实材区域重量较大，且位于掩膜版中间，将导致掩膜版与驱动背板母板贴合时下垂量较大，从而出现贴合不紧的情况，进而会导致制成的驱动背板出现混色不均、像素图形的阴影(shadow)不均等多种不良问题。
因此，基于上述情况，提出了本发明实施例中的掩膜版及其制备方法，以解决目前的掩膜版与驱动背板母板在蒸镀过程中极易贴合不紧，导致驱动背板极易出现多种不良的问题。
实施例一
参照图2，示出了本发明实施例一的一种掩膜版的结构示意图。该掩膜版20可以用于通过蒸镀工艺制备驱动背板母板10，在实际应用中，该掩膜版20具体可用于通过蒸镀工艺制备驱动背板母板10中的驱动背板显示区域。参照图1，该驱动背板母板10包括：背板区域11、背板区域11之间的过渡区域12，以及包围背板区域11和过渡区域12的边缘区域13。其中，背板区域11中阵列排布有多个驱动背板111。
如图2所示，该掩膜版20包括：与边缘区域13对应的第一区域21，以及与过渡区域12对应的第二区域22，也即是在将掩膜版20与驱动背板母板10进行贴合，以用于蒸镀膜层时，掩膜版20的第一区域21覆盖驱动背板母板10的边缘区域13，掩膜版20的第二区域22覆盖驱动背板母板10的过渡区域12。其中，参照图2，第二区域22具有至少一个第一半刻子区域221，第一半刻子区域221的厚度小于第一区域21的厚度。
在本发明实施例中，可以在掩膜版20的第二区域22，也即是在掩膜版20与驱动背板母板过渡区域12对应的区域中，设置至少一个第一半刻子区域221，由于第一半刻子区域221的厚度，小于掩膜版20与驱动背板母板边缘区域13对应的第一区域21的厚度，因此，可以减轻掩膜版20中间的重量，如此，可以减小掩膜版20与驱动背板母板10贴合时的下垂量，使得掩膜版20与驱动背板母板10能够更加紧密地贴合，进而可以避免制成的驱动背板出现多种不良问题。
可选地，第一半刻子区域221的厚度与第一区域21的厚度之间的比值大于或等于20％，且小于或等于50％，从而可以在减轻掩膜版20重量的同时，保证掩膜版20的强度。在具体应用中，第一区域21的厚度通常可以为100微米，相应的，第一半刻子区域221的厚度可以大于或等于20微米，且小于或等于50微米。
进一步可选地，参照图1，背板区域11包括：驱动背板111，以及驱动背板111之间的母板间隙112，相应的，参照图3，掩膜版20还包括：与母板间隙112对应的第三区域23。其中，第三区域23具有至少一个第二半刻子区域231，第二半刻子区域231的厚度小于第一区域21的厚度。
在本发明实施例中，可以在掩膜版20的第三区域23，也即是在掩膜版20与驱动背板母板的母板间隙112对应的区域中，设置至少一个第二半刻子区域231，由于第二半刻子区域231的厚度，小于掩膜版20与驱动背板母板边缘区域13对应的第一区域21的厚度，因此，可以减轻掩膜版20与母板间隙112对应的区域的重量，如此，可以进一步减小掩膜版20与驱动背板母板10贴合时的下垂量，使得掩膜版20与驱动背板母板10能够更加紧密地贴合，进而可以避免制成的驱动背板出现多种不良问题。
可选地，第二半刻子区域231的厚度与第一区域21的厚度之间的比值大于或等于20％，且小于或等于50％，从而可以在减轻掩膜版20重量的同时，保证掩膜版20的强度。在具体应用中，第一区域21的厚度通常可以为100微米，相应的，第二半刻子区域231的厚度可以大于或等于20微米，且小于或等于50微米。
如图2所示，掩膜版20还包括：与驱动背板111对应的第四区域24，相应的，每个第一半刻子区域221与每个第四区域24之间的距离可以均大于1毫米。
由于在实际应用中，驱动背板111外围具有非显示区域，而非显示区域的宽度通常为1毫米，因此，可以使每个第一半刻子区域221与每个第四区域24之间的距离均大于1毫米，如此，驱动背板111外围的非显示区域可以对应第一半刻子区域221与第四区域24之间厚度较大的掩膜版区域，从而能够使非显示区域中的器件在蒸镀过程中得到较好的保护。另外，由于掩膜版20的第四区域24用于制备驱动背板111的显示区域，因而第四区域24的镂空度较大，而每个第一半刻子区域221与每个第四区域24之间的距离均大于1毫米，也能够保证掩膜版20各区域之间的连接强度。
类似地，每个第二半刻子区域231与每个第四区域24之间的距离也可以均大于1毫米。如此，驱动背板111外围的非显示区域可以对应第二半刻子区域231与第四区域24之间厚度较大的掩膜版区域，从而能够使非显示区域中的器件在蒸镀过程中得到较好的保护。另外，也能够保证掩膜版20各区域之间的连接强度。
在一种可选的实现方式中，参照图3，可以在平行于驱动背板111的长度方向D上至少部分相邻的两个第四区域24之间可以设置有第二半刻子区域231，而在第三区域23中的其他位置均不设置第二半刻子区域231，也即是在平行于驱动背板111的长度方向D上，可以是所有相邻的两个第四区域24之间均设置有第二半刻子区域231，也可以仅某些相邻的两个第四区域24之间设置有第二半刻子区域231。
由于在实际应用中，在平行于驱动背板111的长度方向D上相邻的每两个第四区域24之间的间距大概是12-15毫米，而在垂直于驱动背板111的长度方向D上相邻的每两个第四区域24之间的间距大概是9毫米左右。也即是相比于相邻两个第四区域24之间的横向间距，相邻两个第四区域24之间的纵向间距更大一些，因此，仅在平行于驱动背板111的长度方向D上至少部分相邻的两个第四区域24之间设置第二半刻子区域231，而在第三区域23中的其他位置均不设置第二半刻子区域231，可以在减轻掩膜版20重量的同时，保证掩膜版20的强度。
当然，在具体应用时，可选地，在垂直于驱动背板111的长度方向D上至少部分相邻的两个第四区域24之间也可设置有第二半刻子区域231，如图4所示，也即是在垂直于驱动背板111的长度方向D上，可以是所有相邻的两个第四区域24之间均设置有第二半刻子区域231，也可以仅某些相邻的两个第四区域24之间设置有第二半刻子区域231，本发明实施例对此不作具体限定。
通过对本发明实施例提供的掩膜版进行下垂量测试，可以得到图5所示的下垂量测试数据图。参照图5，纵坐标为下垂量，负号表示下垂方向向下，纵坐标为单位为毫米(mm)，横坐标为分别沿X方向和Y方向的测试点标号，其中，X方向和Y方向如图5所示。在具体测试时，可以沿X方向选取间距相同的31个测试点，以及沿Y方向选取间距相同的31个测试点，进而对这62个测试点的下垂量进行测量，获得图5所示的下垂量测试数据图。参照图5可知，本发明实施例提供的掩膜版的最大下垂量约为0.22毫米，满足下垂量小于或等于250微米的要求。因此，本发明实施例提供的掩膜版可以在蒸镀工艺时与驱动背板母板更加紧密地贴合。
需要说明的是，第一半刻子区域221和第二半刻子区域231可以有多种形状、数量及排布方式，在实际应用中可以根据需求自由选定，本发明实施例对此不作具体限定。
例如，参照图2，可以设置1个第一半刻子区域221，该第一半刻子区域221可以呈条状。参照图3，也可以设置大小和形状均相同的多个第一半刻子区域221，各个第一半刻子区域221均可以呈条状，且各个第一半刻子区域221可以沿垂直于驱动背板111的长度方向D上并列排布。参照图4，也可以设置大小和形状均相同的多个第一半刻子区域221，各个第一半刻子区域221均可以呈条状，且各个第一半刻子区域221可以沿平行于驱动背板111的长度方向D上并列排布。参照图6，还可以设置大小和形状均不同的多个第一半刻子区域221，且多个第一半刻子区域221可以沿平行于驱动背板111的长度方向D上并列排布。
再例如，参照图3和图4，可以在平行于驱动背板111的长度方向D上相邻的每两个第四区域24之间均设置一个第二半刻子区域231。参照图6，也可以在平行于驱动背板111的长度方向D上某些相邻的两个第四区域24之间设置一个第二半刻子区域231，而不是所有相邻的两个第四区域24之间均设置一个第二半刻子区域231。
在本发明实施例中，驱动背板母板包括背板区域、背板区域之间的过渡区域，以及包围背板区域和过渡区域的边缘区域，相应的，掩膜版可以包括：与边缘区域对应的第一区域，以及与过渡区域对应的第二区域。其中，第二区域具有至少一个第一半刻子区域，且第一半刻子区域的厚度小于第一区域的厚度。在本发明实施例中，可以在掩膜版的第二区域，也即是在掩膜版与驱动背板母板过渡区域对应的区域中，设置至少一个第一半刻子区域，由于第一半刻子区域的厚度，小于掩膜版与驱动背板母板边缘区域对应的第一区域的厚度，因此，可以减轻掩膜版中间的重量，如此，可以减小掩膜版与驱动背板母板贴合时的下垂量，使得掩膜版与驱动背板母板能够更加紧密地贴合，进而可以避免制成的驱动背板出现多种不良问题。
实施例二
参照图7，示出了本发明实施例二的一种掩膜版的制备方法的步骤流程图。掩膜版用于通过蒸镀工艺制备驱动背板母板，驱动背板母板包括：背板区域、背板区域之间的过渡区域，以及包围背板区域和过渡区域的边缘区域。该方法具体可以包括以下步骤：
步骤701：提供掩膜版基材；掩膜版基材包括与边缘区域对应的第一区域，以及与过渡区域对应的第二区域。
在本步骤中，首先可以提供一掩膜版基材，可选地，该掩膜版可以为INVAR(因瓦合金，含有35.4％镍的镍铁合金)。该掩膜版基材可以包括与边缘区域对应的第一区域，以及与过渡区域对应的第二区域。
步骤702：在第二区域中进行半刻蚀，得到至少一个第一半刻子区域；第一半刻子区域的厚度小于第一区域的厚度。
在本步骤中，可以在掩膜版基材的第二区域中进行半刻蚀，从而可以在第二区域中刻蚀出至少一个第一半刻子区域，其中，每个第一半刻子区域的厚度均小于第一区域的厚度。
在本发明实施例中，可以在掩膜版的第二区域，也即是在掩膜版与驱动背板母板过渡区域对应的区域中，设置至少一个第一半刻子区域，由于第一半刻子区域的厚度，小于掩膜版与驱动背板母板边缘区域对应的第一区域的厚度，因此，可以减轻掩膜版中间的重量，如此，可以减小掩膜版与驱动背板母板贴合时的下垂量，使得掩膜版与驱动背板母板能够更加紧密地贴合，进而可以避免制成的驱动背板出现多种不良问题。
可选地，第一半刻子区域的厚度与第一区域的厚度之间的比值大于或等于20％，且小于或等于50％，从而可以在减轻掩膜版重量的同时，保证掩膜版的强度。在具体应用中，第一区域的厚度通常可以为100微米，相应的，第一半刻子区域的厚度可以大于或等于20微米，且小于或等于50微米。
进一步可选地，背板区域包括：驱动背板，以及驱动背板之间的母板间隙，相应的，掩膜版基材还包括与母板间隙对应的第三区域。则该制备方法还可以包括下述步骤：在第三区域中进行半刻蚀，得到至少一个第二半刻子区域。其中，第二半刻子区域的厚度小于第一区域的厚度。
在该步骤中，可以在掩膜版基材的第三区域中进行半刻蚀，从而可以在第三区域中刻蚀出至少一个第二半刻子区域，其中，每个第二半刻子区域的厚度均小于第一区域的厚度。
在本发明实施例中，可以在掩膜版的第三区域，也即是在掩膜版与驱动背板母板的母板间隙对应的区域中，设置至少一个第二半刻子区域，由于第二半刻子区域的厚度，小于掩膜版与驱动背板母板边缘区域对应的第一区域的厚度，因此，可以减轻掩膜版与母板间隙对应的区域的重量，如此，可以进一步减小掩膜版与驱动背板母板贴合时的下垂量，使得掩膜版与驱动背板母板能够更加紧密地贴合，进而可以避免制成的驱动背板出现多种不良问题。
可选地，第二半刻子区域的厚度与第一区域的厚度之间的比值大于或等于20％，且小于或等于50％，从而可以在减轻掩膜版重量的同时，保证掩膜版的强度。在具体应用中，第一区域的厚度通常可以为100微米，相应的，第二半刻子区域的厚度可以大于或等于20微米，且小于或等于50微米。
需要说明的是，第一半刻子区域和第二半刻子区域可以有多种形状、数量及排布方式，在实际应用中可以根据需求自由选定，本发明实施例对此不作具体限定。示例性的第一半刻子区域和第二半刻子区域的形状、数量及排布方式，可以参考上述实施例中的相关内容，本实施例在此不再赘述。
在本发明实施例中，驱动背板母板包括背板区域、背板区域之间的过渡区域，以及包围背板区域和过渡区域的边缘区域，相应的，首先可以提供掩膜版基材，该掩膜版基材包括与边缘区域对应的第一区域，以及与过渡区域对应的第二区域，然后可以在第二区域中进行半刻蚀，得到至少一个第一半刻子区域，其中，第一半刻子区域的厚度小于第一区域的厚度。在本发明实施例中，可以在掩膜版的第二区域，也即是在掩膜版与驱动背板母板过渡区域对应的区域中，刻蚀出至少一个第一半刻子区域，由于第一半刻子区域的厚度，小于掩膜版与驱动背板母板边缘区域对应的第一区域的厚度，因此，可以减轻掩膜版中间的重量，如此，可以减小掩膜版与驱动背板母板贴合时的下垂量，使得掩膜版与驱动背板母板能够更加紧密地贴合，进而可以避免制成的驱动背板出现多种不良问题。
对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种掩膜版及其制备方法，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种掩膜版，其特征在于，用于通过蒸镀工艺制备驱动背板母板，所述驱动背板母板包括：背板区域、所述背板区域之间的过渡区域，以及包围所述背板区域和所述过渡区域的边缘区域；
所述掩膜版包括：与所述边缘区域对应的第一区域，以及与所述过渡区域对应的第二区域；所述第二区域具有至少一个第一半刻子区域，所述第一半刻子区域的厚度小于所述第一区域的厚度；
所述背板区域包括：驱动背板，以及所述驱动背板之间的母板间隙；
所述掩膜版还包括：与所述母板间隙对应的第三区域；所述第三区域具有至少一个第二半刻子区域，所述第二半刻子区域的厚度小于所述第一区域的厚度；
所述掩膜版还包括：与所述驱动背板对应的第四区域；在平行于所述驱动背板的长度方向上至少部分相邻的两个所述第四区域之间设置有所述第二半刻子区域。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版还包括：与所述驱动背板对应的第四区域；每个所述第一半刻子区域与每个所述第四区域之间的距离均大于1毫米。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一半刻子区域的厚度与所述第一区域的厚度之间的比值大于或等于20％，且小于或等于50％。
4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第一半刻子区域的厚度大于或等于20微米，且小于或等于50微米。
5.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版还包括：与所述驱动背板对应的第四区域；在垂直于所述驱动背板的长度方向上至少部分相邻的两个所述第四区域之间设置有所述第二半刻子区域。
6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，各个所述第一半刻子区域沿垂直于所述驱动背板的长度方向上并列排布。
7.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，各个所述第一半刻子区域沿平行于所述驱动背板的长度方向上并列排布。
8.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版还包括：与所述驱动背板对应的第四区域；每个所述第二半刻子区域与每个所述第四区域之间的距离均大于1毫米。
9.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二半刻子区域的厚度与所述第一区域的厚度之间的比值大于或等于20％，且小于或等于50％。
10.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述第二半刻子区域的厚度大于或等于20微米，且小于或等于50微米。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI785762B (zh) * 2021-08-26 2022-12-01 達運精密工業股份有限公司 形成金屬遮罩的方法與金屬遮罩

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004307879A (ja) * 2003-04-02 2004-11-04 Mitsubishi Steel Mfg Co Ltd マスキング部品
CN103911584A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 上海天马微电子有限公司 一种掩膜板
CN104062842A (zh) * 2014-06-30 2014-09-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩模板及其制造方法、工艺装置
JP2015010263A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 大日本印刷株式会社 金属フレーム付き蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法
CN204434717U (zh) * 2014-12-05 2015-07-01 信利（惠州）智能显示有限公司 一种掩膜板
CN106086782A (zh) * 2016-06-28 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版组件及其安装方法、蒸镀装置
CN106119773A (zh) * 2016-08-03 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制造方法、蒸镀掩膜板组件及其制造方法
CN106536784A (zh) * 2014-06-06 2017-03-22 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模前体及有机半导体元件的制造方法
JP2019031720A (ja) * 2017-08-09 2019-02-28 株式会社飯沼ゲージ製作所 マスク製造装置及びマスク製造方法
CN109913805A (zh) * 2019-03-27 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7253533B2 (en) * 2004-05-06 2007-08-07 Au Optronics Corporation Divided shadow mask for fabricating organic light emitting diode displays
US20070148337A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Nichols Jonathan A Flame-perforated aperture masks
JP2017071842A (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法
CN107099770B (zh) * 2017-06-08 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、其制作方法和利用其进行蒸镀方法
CN108598292B (zh) * 2018-04-24 2020-08-21 武汉天马微电子有限公司 一种掩膜板及其制作方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004307879A (ja) * 2003-04-02 2004-11-04 Mitsubishi Steel Mfg Co Ltd マスキング部品
CN103911584A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 上海天马微电子有限公司 一种掩膜板
JP2015010263A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 大日本印刷株式会社 金属フレーム付き蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法
CN106536784A (zh) * 2014-06-06 2017-03-22 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模前体及有机半导体元件的制造方法
CN104062842A (zh) * 2014-06-30 2014-09-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩模板及其制造方法、工艺装置
CN204434717U (zh) * 2014-12-05 2015-07-01 信利（惠州）智能显示有限公司 一种掩膜板
CN106086782A (zh) * 2016-06-28 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版组件及其安装方法、蒸镀装置
CN106119773A (zh) * 2016-08-03 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制造方法、蒸镀掩膜板组件及其制造方法
JP2019031720A (ja) * 2017-08-09 2019-02-28 株式会社飯沼ゲージ製作所 マスク製造装置及びマスク製造方法
CN109913805A (zh) * 2019-03-27 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版

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