JP2017071842A - 成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法 - Google Patents
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 117
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 27
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 152
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 20
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
【課題】成膜時において成膜用マスクの遮蔽部の直下へダメージが加わることを回避することが可能な成膜マスクと、それを用いた成膜方法を提供する。【解決手段】被成膜面に対向する第１面及び第１面とは反対側の第２面、被成膜面の一部を露出させる少なくとも一つの開口部を有し、少なくとも一つの開口部の各々の端部において、第１面側から薄板化された領域を有するマスク本体を備える成膜用マスクである。【選択図】図１
Description
本発明は、成膜用マスクの構成、及びそれを用いた成膜方法に関する。
表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。例えば発光素子として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置においては各画素に有機ＥＬ素子が設けられ、有機ＥＬ素子は、一方をアノード電極、他方をカソード電極として区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「有機ＥＬ層」ともいう）を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、一方の電極が画素ごとに画素電極として設けられ、他方の電極は複数の画素に跨って共通の電位が印加される共通電極として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通電極の電位に対し、画素電極の電位を画素ごとに印加することで、画素の発光を制御している。
表示装置の製造において、発光層として用いられる有機膜を蒸着する際、有機膜が堆積される領域が開口されたマスクを通して成膜する方法が開発されている（例えば特許文献１）。しかし、アレイ基板と成膜用マスクが接触するため、マスクが直接アレイ基板に傷をつけてしまう恐れや、マスクに異物が付着していた際に転写してしまう恐れがある。そのような傷や異物によってアレイ基板の回路が破壊されたり、水分の侵入経路が発生したりすると、駆動不良やダークエッジの原因となり得る。
特許文献１には、金属板にエッチングにより成膜用開口部を設けると同時に、該開口部を形成する遮蔽部のエッジ部分を成膜面側からハーフエッチング処理することを特徴とする成膜用メタルマスクの製造方法が記載されている。更に、金属板にエッチングにより成膜用開口部を設けると同時に、遮蔽部の略中央部分を部分的に基板面側からハーフエッチング処理することを特徴とする成膜用メタルマスクの製造方法が記載されている。
上記の方法によって作製された成膜用メタルマスクは、遮蔽部のエッジ部分が、成膜時に基板面に接触することになる。ここで、遮蔽部のエッジ部分の直下に、例えばトランジスタやそれに接続された配線等が配置されている場合、成膜用メタルマスクとの接触によるダメージは考慮されていない。このようなダメージが加わると、表示装置の製造の歩留まりが低下することが懸念される。
本発明は、成膜時において成膜用マスクの遮蔽部の直下へダメージが加わることを回避することが可能な成膜マスクと、それを用いた成膜方法を提供する。
本発明による成膜用マスクの一態様は、被成膜面に対向する第１面及び第１面とは反対側の第２面、被成膜面の一部を露出させる少なくとも一つの開口部を有し、少なくとも一つの開口部の各々の端部において、第１面側から薄板化された領域を有するマスク本体を備える。
本発明による表示装置の製造方法の一態様は、基板の被成膜面上に、複数の画素を構成する複数の画素電極を含む表示領域、表示領域の外側にトランジスタを含む駆動回路領域、及び駆動回路領域の外側に表示領域を囲む封止領域を形成し、被成膜面に対向する第１面及び第１面とは反対側の第２面とを有し、表示領域を露出させる開口部を有し、少なくとも駆動回路領域を含む領域において、第１面側から薄板化された成膜用マスクの第１面を被成膜面に当接させ、有機材料を含む発光層を成膜することを含む表示装置の製造方法。
以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
＜第１実施形態＞
図面を用いて、本実施形態に係る成膜用マスク１００の構成、及びそれを用いた成膜方法について説明する。
図面を用いて、本実施形態に係る成膜用マスク１００の構成、及びそれを用いた成膜方法について説明する。
［構成］
図１は、本実施形態に係る成膜用マスク１００の構成を示す上面図及び断面図である。図１（ａ）は、成膜用マスク１００の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図２は、本実施形態に係る成膜用マスク１００の成膜時における配置を示す断面図である。
図１は、本実施形態に係る成膜用マスク１００の構成を示す上面図及び断面図である。図１（ａ）は、成膜用マスク１００の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図２は、本実施形態に係る成膜用マスク１００の成膜時における配置を示す断面図である。
本実施形態に係る成膜用マスク１００は、被成膜面に対向する第１面１０２ａ及び第１面１０２ａとは反対側の第２面１０２ｂを有する。また、成膜用マスク１００は、少なくとも一つの開口部１０４、第１遮蔽部１０６、及び第２遮蔽部１０８を有するマスク本体１０２を備えている。この例では、マスク本体１０２に長方形の開口部１０４が３行３列の行列状に配列されている。
少なくとも一つの開口部１０４の各々は、被成膜面の一部を露出させる。第２遮蔽部１０８は、開口部１０４の各々の端部において、第１面１０２ａ側から薄板化された領域である。第１遮蔽部１０６は、マスク本体１０２において、開口部１０４及び第２遮蔽部１０８を除く領域である。換言すると、基板１１２の被成膜面１１４に対向する成膜用マスク１００の第１面において、第１遮蔽部１０６が第２遮蔽部１０８よりも被成膜面１１４側に配置される。更に換言すると、基板１１２の被成膜面１１４と成膜用マスク１００の第１遮蔽部１０６とが当接したときに、基板１１２の被成膜面１１４と成膜用マスク１１０の第２遮蔽部１０８との間には空隙が形成される。更に換言すると、第１遮蔽部１０６の端部から、庇状の第２遮蔽部１０８が開口部１０４側に延びている。
本実施形態に係る成膜用マスク１００において、開口部１０４の各々の端部において、第２遮蔽部１０８を有する。この例では、開口部１０４の各々において、第２遮蔽部１０８が開口部１０４の端部を囲むように配置されている。開口部１０４及び第２遮蔽部１０８を除く領域は第１遮蔽部１０６である。
この例では、複数の開口部１０４を囲んで配置された第２遮蔽部１０８の各々は、互いに分離されている。換言すると、開口部１０４の各々において、第１遮蔽部１０６が第２遮蔽部１０８の端部を囲むように配置されている。
このような構成を有することによって、第１遮蔽部が梁の役割を担い、成膜用マスク１００の機械的強度が向上する。
本実施形態に係る成膜用マスク１００は、マスク本体１０２の外郭部に設けられたマスクフレームを更に備えてもよい。図２を参照すると、マスク本体１０２は、成膜時において、マスクフレーム１１０に支持され、基板１１２の被成膜面１１４側に配置される。基板１１２の被成膜面１１４側とは反対側には、金属板１０２から成る成膜用マスク１００を基板１１２に対して固定するためのマグネット１１６が配置されてもよい。
この例では、第１遮蔽部１０６の、基板１１２の被成膜面１１４に対向する表面及び第２遮蔽部１０８の、基板１１２の被成膜面１１４に対向する表面は、それぞれ同一平面上に配置されている。つまり、成膜用マスク１００の、基板１１２の被成膜面１１４に対向する表面は、第１遮蔽部１０６が配置される平面及び第２遮蔽部１０８が配置される平面の２段構成となっている。基板１１２の被成膜面１１４に対向する表面において、第１遮蔽部１０６及び第２遮蔽部１０８の境界は、階段状となっている。
ここで、基板１１２の被成膜面１１４において、成膜用マスク１１０の第１遮蔽部１０６に重畳する領域は、成膜用マスク１１０と接触しているため、薄膜が堆積されることはない。一方、基板１１２の被成膜面１１４において、成膜用マスク１００の第２遮蔽部１０８に重畳する領域は、成膜用マスク１００と接触しないが、第２遮蔽部１０８に覆われるため、薄膜が堆積されることはない。
このような構成を有することによって、成膜用マスク１００の開口部１０４に対応する領域に選択的に薄膜を堆積することと、成膜用マスク１００と被成膜面１１４との接触に起因するダメージの回避を両立することができる。更に、第２遮蔽部に異物が付着していたとしても、第２遮蔽部と基板１１２の被成膜面１１４との空隙のために、成膜に後に当該異物が基板１１２の被成膜面１１４上に転写されることが抑制される。
このような成膜用マスク１００は、金属板１０２に対し、第２遮蔽部１０８に対応する領域をハーフエッチングすることによって作製すればよい。
［成膜方法］
図３は、本実施形態に係る成膜用マスク１００を用いた成膜方法を説明する断面図である。図３（ａ）は、基板１１２に成膜用マスク１００を配置し、薄膜１１８を成膜する前の状態を示す断面図である。図３（ｂ）は、基板１１２に成膜用マスク１００を用いて薄膜１１８を成膜した後を示す断面図である。
図３は、本実施形態に係る成膜用マスク１００を用いた成膜方法を説明する断面図である。図３（ａ）は、基板１１２に成膜用マスク１００を配置し、薄膜１１８を成膜する前の状態を示す断面図である。図３（ｂ）は、基板１１２に成膜用マスク１００を用いて薄膜１１８を成膜した後を示す断面図である。
薄膜１１８の成膜において、基板１１２の被成膜面１１４側の領域は、成膜領域１２０及び成膜禁止領域１２２に分類される。成膜領域１２０は、薄膜１１８が堆積される領域である。成膜禁止領域１２２は、成膜領域１２０を除く被成膜面１１４上の領域であり、薄膜１１８が堆積されない領域である。
従来技術による成膜用マスクを用いた成膜においては、成膜禁止領域と成膜用マスクの遮蔽部とを密着させることによって、薄膜の堆積を遮蔽していた。しかしながら、当該成膜禁止領域が成膜用マスクと接触することが好ましくない場合がある。例えば、成膜禁止領域にトランジスタやそれに接続された配線等の回路が配置されている場合、成膜用マスクの接触によって当該回路が破壊されることが懸念される。これによって製造の歩留まりが低下することが有り得る。
そこで、本実施形態に係る成膜方法においては、成膜禁止領域１２２を、接触禁止領域１２４及び接触可能領域１２６に分類する。接触禁止領域１２４は、上記の理由等によって成膜用マスク１００との接触が好ましくない領域である。接触可能領域１２６は、成膜用マスク１００と接触しても構わない領域である。
本実施形態に係る成膜用マスク１００を用いた成膜方法においては、図３に示すように、第２遮蔽部１０８は、少なくとも接触禁止領域１２４と重畳するように配置される。この状態で薄膜１１８を成膜すると、接触禁止領域１２４と成膜用マスク１００を接触させずに、当該接触禁止領域１２４上への薄膜１１８の堆積を遮蔽することができる。
尚、基板１１２の被成膜面１１４と第２遮蔽部１０８との間の空隙の幅によっては、第２遮蔽部内の端部近傍に回り込んで薄膜が堆積されることも考えられる。その場合は薄膜１１８の回り込み量を考慮し、成膜用マスク１１０の設計時に、第２遮蔽部１０８の端部の配置や、基板１１２の被成膜面１１４と第２遮蔽部１０８との空隙の幅を調整すればよい。
つまり、第２遮蔽部１０８の端部を開口部１０４側に配置することによって、成膜領域１２０に対して開口領域１０４を狭く設計しておき、成膜後に、成膜領域１２０に一致して薄膜１１８が堆積されるよう設計しておけばよい。
また、基板１１２の被成膜面１１４と第２遮蔽部１０８との空隙の幅を小さくすれば回り込み量を小さく抑えることができる。
本実施形態に係る成膜方法は、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の成膜方法に適用することができる。また、上述の回り込み量については、成膜方法、成膜条件、膜種等に依存するため、適宜調整すればよい。
＜変形例１＞
本実施形態の一変形例による成膜用マスク１００ａの構成について説明する。図４は、本変形例に係る成膜用マスク１００ａの構成を示す平面図及び断面図である。
本実施形態の一変形例による成膜用マスク１００ａの構成について説明する。図４は、本変形例に係る成膜用マスク１００ａの構成を示す平面図及び断面図である。
本変形例に係る成膜用マスク１００ａと本実施形態に係る成膜用マスク１００とを比較すると、第２遮蔽部１０８の平面形状が異なっている。本変形例では、第２遮蔽部１０８は、３行３列の行列状に配列された長方形の開口部１０４の全てを囲んでいる。つまり、薄板化された領域は、成膜用マスク１１０に配列された少なくとも一つの開口部１０４の全てを囲んでいる。換言すると、第１遮蔽部１０６は、少なくとも金属板１０２の周辺に沿って配置されている。
このような構成を有することによって、接触可能領域１２６を基板１１２に設ける必要が無いため、基板１１２内の領域を最大限に活用することができる。
このようなレイアウトであっても、接触禁止領域１２４と成膜用マスク１００ａを接触させずに、当該接触禁止領域上に薄膜が堆積することを避けることができる。
＜変形例２＞
本実施形態の他の一変形例による成膜用マスク１００ｂの構成について説明する。図５は、本変形例に係る成膜用マスク１００ｂの構成を示す平面図及び断面図である。
本実施形態の他の一変形例による成膜用マスク１００ｂの構成について説明する。図５は、本変形例に係る成膜用マスク１００ｂの構成を示す平面図及び断面図である。
本変形例に係る成膜用マスク１００ｂと本実施形態に係る成膜用マスク１００とを比較すると、第２遮蔽部１０８の平面形状が異なっている。本変形例においては、長方形の開口部１０４の各々の１辺に第１遮蔽部１０６が隣接している。本変形例のように、第２遮蔽部１０８は開口部１０４の端部の全てを囲まなくても構わない。
＜変形例３＞
本実施形態の他の一変形例による成膜用マスク１００ｃの構成について説明する。図６は、本変形例に係る成膜用マスク１００ｃの構成を示す平面図及び断面図である。
＜変形例３＞
本実施形態の他の一変形例による成膜用マスク１００ｃの構成について説明する。図６は、本変形例に係る成膜用マスク１００ｃの構成を示す平面図及び断面図である。
本変形例に係る成膜用マスク１００ｃと本実施形態に係る成膜用マスク１００とを比較すると、平面形状は相違しないが、断面形状が異なっている。本実施形態に係る成膜用マスク１００ｃでは、基板１１２の被成膜面１１４に対向する表面において、第２遮蔽部１０８は同一の平面上に配置されていた。本変形例では、基板１１２の被成膜面１１４に対向する表面において、第２遮蔽部１０８は同一の平面上に配置されていない。つまり、基板１１２の被成膜面１１４に対向する表面において、第２遮蔽部１０８はテーパー形状を有していてもよい。
このような構成を有することによって、第１遮蔽部１０６と第２遮蔽部１０８との境界近傍における機械的強度を向上させることができる。
＜第２実施形態＞
本発明による成膜方法の応用例として、本発明による成膜方法を用いた表示装置２００の製造方法について説明する。
本発明による成膜方法の応用例として、本発明による成膜方法を用いた表示装置２００の製造方法について説明する。
［表示装置の構成］
本実施形態に係る表示装置の製造方法を用いて作製した表示装置２００の構成を、図面を参照しながら説明する。図７は、本実施形態に係る表示装置の製造方法を用いて作製した表示装置２００の概略構成を示す斜視図である。図８は、本実施形態に係る表示装置の製造方法を用いて作製した表示装置２００の構成を示す断面図である。
本実施形態に係る表示装置の製造方法を用いて作製した表示装置２００の構成を、図面を参照しながら説明する。図７は、本実施形態に係る表示装置の製造方法を用いて作製した表示装置２００の概略構成を示す斜視図である。図８は、本実施形態に係る表示装置の製造方法を用いて作製した表示装置２００の構成を示す断面図である。
表示装置２００は、第１基板２０２に表示領域２０６が設けられている。表示領域２０６は複数の画素２０８が配列することによって構成されている。表示領域２０６の上面には封止材としての第２基板２０４が設けられている。第２基板２０４は表示領域２０６を囲むシール材２１０によって、第１基板２０２に固定されている。第１基板２０２に形成された表示領域２０６は、封止材である第２基板２０４とシール材２１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素２０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。
第１基板２０２は、一端部に端子領域２１４が設けられている。端子領域２１４は第２基板２０４の外側に配置されている。端子領域２１４は、複数の接続端子２１６によって構成されている。接続端子２１６には、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネルとを接続する配線基板が配置される。配線基板と接続する接続端子２１６の接点は、外部に露出している。
図８に示すように、表示装置２００の複数の画素２０８の各々は、トランジスタ２１８及び発光素子２２０を有する。発光素子２２０は、画素電極２２２とこれに対向して配置される共通電極２２４とで発光層２２６を挟んだ構造を有している。画素電極２２２は画素ごとに独立しており、それぞれトランジスタ２１８と接続される。
隣接する２つの画素の間には、バンク２２８が設けられている。バンク１２８は、端部が画素電極１２２の周縁部を覆うように設けられている。なお、バンク１２８は、画素電極１２２の端部で発光層１２６が十分に被覆されず、共通電極１２４と短絡することを防ぎ、隣接する画素１０８間を絶縁するものであるので、絶縁材料で形成されることが好ましい。例えば、バンク１２８を形成するには、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化珪素等の無機材料を用いることが好ましい。
表示装置２００の外縁近傍には、封止領域２３０が配置されている。封止領域２３０は、上面図において閉じた周の形状を成し、行列状に配列された複数の画素２０８を囲む。周状の封止領域２３０内においては、発光層２２６やバンク２２８等といった有機系の膜が除去されている。つまり、周状の封止領域２３０を境に、その内部及び外部に配置された有機系の膜が分離される。有機系の膜は水分の伝搬経路となり易い。以上のような封止領域２３０を設けることによって、表示装置２００の外部から、表示装置２００の内部に配置された画素２０８への水分の伝搬経路を遮断することができる。
本実施形態に係る表示装置２００は、発光素子２２０が発光した光を共通電極２２４側に出射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有している。本実施形態においてはトップエミッション型を例示するが、これに限らず画素電極２２２側に出射する、いわゆるボトムエミッション型に適用することも可能である。
発光層２２６が、例えば有機ＥＬ層から成る場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層２２６は発光性の有機材料を含む発光層２２６に加え、当該発光層２２６を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。本実施形態においては、発光層２２６は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルタ２３４によってフルカラー発光を実現している。
画素電極２２２は、発光層２２６で発光した光を、共通電極２２４側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。或いは、画素電極２２２を金属膜と透明導電膜との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。
一方、共通電極２２４は、発光層２２６で発生した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通電極２２４として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。
共通電極２２４の上部には封止層２３２を設けておくことが好ましい。例えば発光素子２２０として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ層は、水分に極めて弱いため、外部からパネル内部に水分が浸入し、有機ＥＬ層に到達するとダークスポットと呼ばれる発光欠陥点が発生し得る。そのため、封止層２３２としては水分の浸入を遮断できる絶縁膜を用いることが好ましく、無機絶縁材料と有機絶縁材料の複層の膜を用いることができる。例えば、無機絶縁材料を使用する場合、ＳｉＯｘ、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌｘＯｙ、ＡｌｘＮｙ、ＡｌｘＯｙＮｚ、ＡｌｘＮｙＯｚ膜などを使用することができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。また、上述の無機絶縁膜を覆う有機絶縁材料は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを使用することができる。
［表示装置の製造方法］
図面を参照して、本発明による成膜方法を用いた表示装置２００の製造方法について説明する。図９は、本実施形態に係る表示装置２００の製造方法を説明するための平面図である。図１０は、本実施形態に係る表示装置２００の製造方法に用いる成膜用マスク１００を説明するための平面図である。図１１乃至図１４は、本実施形態に係る表示装置２００の製造方法を説明するための断面図である。図１１乃至図１４は、個々の表示装置２００に個片化する前の状態の断面図であり、図９に示したＡ−Ａ´に沿った断面図である。
図面を参照して、本発明による成膜方法を用いた表示装置２００の製造方法について説明する。図９は、本実施形態に係る表示装置２００の製造方法を説明するための平面図である。図１０は、本実施形態に係る表示装置２００の製造方法に用いる成膜用マスク１００を説明するための平面図である。図１１乃至図１４は、本実施形態に係る表示装置２００の製造方法を説明するための断面図である。図１１乃至図１４は、個々の表示装置２００に個片化する前の状態の断面図であり、図９に示したＡ−Ａ´に沿った断面図である。
図１１は、第１基板２０２に対し、画素電極２２２の形成までを行った状態の断面図である。ここまでの工程についての詳細な説明は省略する。
画素電極２２を形成した後、発光層２２６を形成する。発光層２２６は、表示領域２０６に配置される複数の画素２０８に亘って形成される。図９の平面図には、発光層２２６の成膜領域１２０、接触禁止領域１２４、封止領域２３０が示されている。この例では、接触禁止領域１２４は、成膜領域１２０を囲んでいる。
ここで、成膜領域１２０は、表示領域２０６に対応する。接触禁止領域１２４にはトランジスタ２１８を含む駆動回路が配置されるため、駆動回路領域とも呼ぶ。封止領域２３０は、表示領域２０６（成膜領域１２０）及び駆動回路領域（接触禁止領域１２４）を囲み、表示領域２０６及び駆動回路領域（接触禁止領域１２４）に配置された有機層を島状に分離する。つまり、この例では、駆動回路領域（接触禁止領域１２４）は、表示領域２０６を囲んでいる。
つまり、第１基板２０２の被成膜面上に、複数の画素を構成する複数の画素電極２２２を含む表示領域２０６（成膜領域１２０）、表示領域２０６の外側にトランジスタ２１８を含む駆動回路領域（接触禁止領域１２４）、及び駆動回路領域（接触禁止領域１２４）の外側に表示領域２０６（成膜領域１２０）を囲む封止領域２３０を形成する。
本実施形態においては、成膜用マスク１００を用いた蒸着法によって、発光層２２６の堆積と共にパターニングを行う。図１２は、図１０に示した発光層２２６の成膜用マスク１００を第１基板２０２の被成膜面に当接した状態の断面図である。
成膜用マスク１００は、第１基板２０２の被成膜面に対向する第１面及び第１面とは反対側の第２面とを有する。更に、成膜用マスク１００は、表示領域２０６（成膜領域１２０）を露出させる開口部を有し、少なくとも駆動回路領域（接触禁止領域１２４）を含む領域において、第１面１０２ａ側から薄板化されている。成膜用マスク１００の第１面１０２ａを被成膜面に当接する。
ここで、成膜禁止領域１２２は、封止領域２３０を含む必要がある。つまり、封止領域２３０には発光層２２６が堆積されてはならない。封止領域２３０に発光層２２６が堆積されてしまうと、そこに堆積された発光層２２６が水分の伝搬経路となり、表示装置２００の外部から侵入した水分が、封止領域２３０を通過して表示領域２００内の画素に侵入してしまう。これでは、封止領域２３０としての役割を果たさなくなる。
また、この例では、成膜禁止領域１２２内に、トランジスタ２１８等を含む回路が配置される接触禁止領域１２４が存在する。本実施形態に係る成膜方法においては、このトランジスタ２１８は、成膜用マスク１００の第２遮蔽部１０８に重畳するため、成膜時に成膜用マスク１００が直接接触したり、成膜用マスク１００の打痕によって破壊されることが無い。
以上説明した成膜用マスクを通して、有機材料を含む発光層２２６を成膜する。図１３は、図１２に示した状態で発光層２２６成膜した後の状態を示す断面図である。
よって、本実施形態に係る成膜方法によれば、成膜用マスク１００の開口部１０４に対応する領域に選択的に発光層２２６を堆積することと、成膜用マスク１００と第１基板２０２の被成膜面との接触に起因するダメージの回避を両立することができる。よって、表示装置２００の製造における歩留まりが向上し、信頼性の高い表示装置２００を提供することができる。
発光層を形成した後、共通電極２２４、封止層２３２を形成し、第１基板２０２側（アレイ基板側）の工程が終了する。
共通電極２２４は、発光層２２６及び封止領域２３０を覆うように形成されてもよい。これによって、封止領域２３０を境に有機膜を効率的に分離することができ、水分の侵入への耐性が向上した表示装置を提供することができる。
封止層２３２は、共通電極２２４を覆い、無機絶縁層を含んでもよい。封止層２３２としては水分の浸入を遮断できる絶縁膜を用いることが好ましく、無機絶縁材料と有機絶縁材料の複数層の膜を用いることができる。例えば、無機絶縁材料を使用する場合、ＳｉＯｘ、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌｘＯｙ、ＡｌｘＮｙ、ＡｌｘＯｙＮｚ、ＡｌｘＮｙＯｚ膜などを使用することができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。また、上述の無機絶縁膜を覆う有機絶縁材料は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを使用することができる。これによって、水分の侵入への耐性が向上した表示装置を提供することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態による成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法について説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。例えば、表示装置の製造方法について、発光層の成膜を例として本発明による成膜方法を説明したが、本発明による成膜方法は、発光層の成膜のみに限られるものではなく、成膜用マスクを用いた成膜法であれば適用することが可能である。
実際、当業者であれば、特許請求の範囲において請求されている本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
１００：成膜用マスク
１０２：マスク本体
１０２ａ：第１面
１０２ｂ：第２面
１０４：開口部
１０６：第１遮蔽部
１０８：第２遮蔽部
１１０：マスクフレーム
１１２：基板
１１４：被成膜面
１１６：マグネット
１１８：薄膜
１２０：成膜領域
１２２：成膜禁止領域
１２４：接触禁止領域
１２６：接触可能領域
２００：表示装置
２０２：第１基板
２０４：第２基板
２０６：表示領域
２０８：画素
２１０：シール材
２１２：ドライバＩＣ
２１４：端子領域
２１６：接続端子
２１８：トランジスタ
２２０：発光素子
２２２：画素電極
２２４：共通電極
２２６：発光層
２２８：バンク
２３０：封止領域
２３２：封止層
２３４：カラーフィルタ
１０２：マスク本体
１０２ａ：第１面
１０２ｂ：第２面
１０４：開口部
１０６：第１遮蔽部
１０８：第２遮蔽部
１１０：マスクフレーム
１１２：基板
１１４：被成膜面
１１６：マグネット
１１８：薄膜
１２０：成膜領域
１２２：成膜禁止領域
１２４：接触禁止領域
１２６：接触可能領域
２００：表示装置
２０２：第１基板
２０４：第２基板
２０６：表示領域
２０８：画素
２１０：シール材
２１２：ドライバＩＣ
２１４：端子領域
２１６：接続端子
２１８：トランジスタ
２２０：発光素子
２２２：画素電極
２２４：共通電極
２２６：発光層
２２８：バンク
２３０：封止領域
２３２：封止層
２３４：カラーフィルタ
Claims (9)
- 被成膜面に対向する第１面及び前記第１面とは反対側の第２面、前記被成膜面の一部を露出させる少なくとも一つの開口部を有し、前記少なくとも一つの開口部の各々の端部において、前記第１面側から薄板化された領域を有するマスク本体を備えた成膜用マスク。
- 前記薄板化された領域は、前記少なくとも一つの開口部の各々を囲むことを特徴とする請求項１に記載の成膜用マスク。
- 前記薄板化された領域は、前記少なくとも一つの開口部の全てを囲むことを特徴とする請求項１に記載の成膜用マスク。
- 前記マスク本体の外郭部に設けられたマスクフレームを更に備えた請求項１に記載の成膜用マスク。
- 請求項１乃至請求項４に記載の成膜マスクを用いた成膜方法。
- 基板の被成膜面上に、複数の画素を構成する複数の画素電極を含む表示領域、前記表示領域の外側にトランジスタを含む駆動回路領域、及び前記駆動回路領域の外側に前記表示領域を囲む封止領域を形成し、
前記被成膜面に対向する第１面及び前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記表示領域を露出させる開口部を有し、少なくとも前記駆動回路領域を含む領域において、前記第１面側から薄板化された成膜用マスクの前記第１面を前記被成膜面に当接させ、
有機材料を含む発光層を成膜することを含む表示装置の製造方法。 - 前記駆動回路領域は、前記表示領域を囲むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
- 前記発光層及び前記封止領域を覆う共通電極を形成することを更に含む請求項６に記載の表示装置の製造方法。
- 前記共通電極を覆う封止層を形成することを更に含む請求項８に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015200955A JP2017071842A (ja) | 2015-10-09 | 2015-10-09 | 成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法 |
| US15/283,834 US20170104185A1 (en) | 2015-10-09 | 2016-10-03 | Film forming mask, film forming method and method for manufacturing display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015200955A JP2017071842A (ja) | 2015-10-09 | 2015-10-09 | 成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017071842A true JP2017071842A (ja) | 2017-04-13 |
Family
ID=58500050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015200955A Pending JP2017071842A (ja) | 2015-10-09 | 2015-10-09 | 成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170104185A1 (ja) |
| JP (1) | JP2017071842A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018198311A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | シャープ株式会社 | 蒸着マスク、蒸着装置および表示装置の製造方法 |
| CN110872685A (zh) * | 2018-09-03 | 2020-03-10 | 三星显示有限公司 | 沉积掩膜及其制造方法 |
| WO2020158236A1 (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
| CN110872685B (zh) * | 2018-09-03 | 2024-05-14 | 三星显示有限公司 | 沉积掩膜及其制造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN207009484U (zh) * | 2017-07-28 | 2018-02-13 | 昆山维信诺科技有限公司 | 掩膜板 |
| CN112522667B (zh) * | 2019-09-17 | 2022-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4173722B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2008-10-29 | 三星エスディアイ株式会社 | 蒸着マスク、これを利用した有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| CN103981485B (zh) * | 2014-05-09 | 2016-07-06 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 掩膜板及其制造方法 |
-
2015
- 2015-10-09 JP JP2015200955A patent/JP2017071842A/ja active Pending
-
2016
- 2016-10-03 US US15/283,834 patent/US20170104185A1/en not_active Abandoned
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| WO2018198311A1 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | シャープ株式会社 | 蒸着マスク、蒸着装置および表示装置の製造方法 |
| CN110872685A (zh) * | 2018-09-03 | 2020-03-10 | 三星显示有限公司 | 沉积掩膜及其制造方法 |
| CN110872685B (zh) * | 2018-09-03 | 2024-05-14 | 三星显示有限公司 | 沉积掩膜及其制造方法 |
| WO2020158236A1 (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
| CN113330135A (zh) * | 2019-02-01 | 2021-08-31 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法 |
| CN113330135B (zh) * | 2019-02-01 | 2023-12-26 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170104185A1 (en) | 2017-04-13 |
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