WO2020158236A1 - 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 - Google Patents

蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 Download PDF

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holding frame
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康克 觀田
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株式会社ジャパンディスプレイ
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    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • One of the embodiments of the present invention relates to a vapor deposition mask and a method for manufacturing the vapor deposition mask.
  • one of the embodiments of the present invention relates to a vapor deposition mask including a thin film mask body and a method for manufacturing the vapor deposition mask.
  • Examples of flat panel display devices include liquid crystal display devices and organic EL (Electroluminescence) display devices. These display devices are structures in which thin films containing various materials such as insulators, semiconductors, and conductors are stacked on a substrate. A function as a display device is realized by appropriately patterning and connecting these thin films.
  • the methods for forming a thin film are roughly classified into a gas phase method, a liquid phase method, and a solid phase method.
  • the vapor phase method is classified into a physical vapor phase method and a chemical vapor phase method.
  • a vapor deposition method is known as a typical example of the physical vapor phase method.
  • the simplest method among the vapor deposition methods is the vacuum vapor deposition method.
  • the vacuum vapor deposition method heats a material under high vacuum to sublimate or evaporate the material to generate a vapor of the material (hereinafter, these are collectively referred to as vaporization). In a region for depositing this material (hereinafter referred to as a vapor deposition region), the vaporized material is solidified and deposited to obtain a thin film of the material.
  • a thin film is selectively formed with respect to the vapor deposition region, and vacuum vapor deposition is performed using a mask (vapor deposition mask) in order to prevent the material from being deposited in the other regions (hereinafter, non-vapor deposition regions) ( See Patent Documents 1 and 2.
  • Patent Documents 1 and 2 disclose a vapor deposition mask in which the vapor deposition region is formed of a thin film.
  • the thin film should be stabilized on a holding frame. Structure is required.
  • One of the embodiments of the present invention is to provide a stable connection structure between a thin film and a holding frame that holds the thin film in a vapor deposition mask in which the vapor deposition region is formed of a thin film.
  • An evaporation mask connects a thin film-shaped mask main body having a plurality of openings, a holding frame provided around the mask main body, and the mask main body and the holding frame. And a connecting member for connecting to the holding frame, the first outer edge of the connecting member in a region in contact with the holding frame is outside the second outer edge of the mask body in contact with the connecting member, and in a cross-sectional view. The surface of the connecting member gradually approaches the second outer edge from the first outer edge to the second outer edge.
  • a method for manufacturing a vapor deposition mask provides a mask body having a plurality of openings, and a holding frame having a first surface and a second surface facing the first surface.
  • a first release layer is formed on the first surface so as to expose a part of the first surface
  • a second release layer is formed on the first release layer so as to expose a part of the first release layer.
  • a peeling layer is formed so as to contact the third surface of the holding frame between the first surface and the second surface, the side surface of the first peeling layer, the side surface of the second peeling layer, and the mask body.
  • a connection member is formed on the first release layer and the second release layer, and the first surface of the holding frame and the first release layer and the second release layer are in contact with each other. The surface of the connecting member is exposed.
  • the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part as compared to the actual mode.
  • the examples shown in the drawings are merely examples and do not limit the interpretation of the present invention.
  • the same components as those described above with reference to the drawings already described are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof may be appropriately omitted.
  • the plurality of films when a plurality of films are formed by performing etching or light irradiation on a certain film, the plurality of films may have different functions and roles. However, these plural films are derived from the films formed as the same layer in the same step, and have the same layer structure and the same material. Therefore, these plural films are defined as existing in the same layer.
  • FIG. 1 is a top view of a vapor deposition device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a side view of the vapor deposition device according to the embodiment of the present invention.
  • the vapor deposition chamber 100 is partitioned by an adjacent chamber and a load lock door 102.
  • the vapor deposition chamber 100 can maintain the inside of the vapor deposition chamber 100 in a high vacuum reduced pressure state or a state filled with an inert gas such as nitrogen or argon. Therefore, a decompression device, a gas intake/exhaust mechanism, and the like (not shown) are connected to the vapor deposition chamber 100.
  • the vapor deposition chamber 100 has a configuration capable of accommodating an object on which a vapor deposition film is formed.
  • the vapor deposition source 112 is disposed below the vapor deposition substrate 104.
  • the vapor deposition source 112 has a substantially rectangular shape, and is arranged along one side of the vapor deposition substrate 104.
  • Such an evaporation source 112 is called a linear source type.
  • the vapor deposition chamber 100 has a structure in which the vapor deposition substrate 104 and the vapor deposition source 112 move relative to each other.
  • FIG. 1 shows an example in which the vapor deposition source 112 is fixed and the vapor deposition target substrate 104 moves on it.
  • the evaporation source 112 is filled with a material to be evaporated.
  • the vapor deposition source 112 has a heating unit 122 (see FIG. 3 described later) that heats the material.
  • the heated material is vaporized and becomes vapor to travel from the vapor deposition source 112 toward the vapor deposition substrate 104.
  • the vapor of the material reaches the surface of the deposition target substrate 104, the vapor is cooled and solidified, and the material is deposited on the surface of the deposition target substrate 104. In this way, a thin film of the material is formed on the vapor deposition substrate 104 (on the lower surface of the vapor deposition substrate 104 in FIG. 2).
  • the vapor deposition chamber 100 further includes a holder 108 for holding the vapor deposition substrate 104 and the vapor deposition mask 300, a moving mechanism 110 for moving the holder 108, and a shutter 114.
  • the holder 108 maintains the positional relationship between the deposition target substrate 104 and the deposition mask 300.
  • the vapor deposition substrate 104 and the vapor deposition mask 300 are moved on the vapor deposition source 112 by the moving mechanism 110.
  • the shutter 114 is movably provided on the vapor deposition source 112. When the shutter 114 moves over the vapor deposition source 112, the shutter 114 shields the vapor of the material heated by the vapor deposition source 112.
  • vapor of the material can reach the evaporation target substrate 104 without being blocked by the shutter 114.
  • the opening/closing of the shutter 114 is controlled by a control device (not shown).
  • the linear source type vapor deposition source 112 is shown, but the vapor deposition source 112 is not limited to the above shape and may have any shape.
  • the shape of the vapor deposition source 112 may be a so-called point source type shape in which the material used for vapor deposition is selectively arranged in the center of gravity of the vapor deposition substrate 104 and in the vicinity thereof.
  • the relative positions of the vapor deposition substrate 104 and the vapor deposition source 112 may be fixed, and a mechanism for rotating the vapor deposition substrate 104 may be provided in the vapor deposition chamber 100.
  • the horizontal vapor deposition apparatus has been shown in which the substrate is arranged such that the main surface of the substrate is parallel to the horizontal direction. It can also be used in a vertical vapor deposition apparatus in which substrates are arranged vertically.
  • FIG. 3 is a sectional view of a vapor deposition source according to an embodiment of the present invention.
  • the vapor deposition source 112 includes a storage container 120, a heating unit 122, a vapor deposition holder 124, a mesh-shaped metal plate 128, and a pair of guide plates 132.
  • the storage container 120 is a member that holds a material to be vapor-deposited.
  • a member such as a crucible can be used.
  • the storage container 120 is detachably held inside the heating unit 122.
  • the storage container 120 can include, for example, a metal such as tungsten, tantalum, molybdenum, titanium, nickel, or an alloy thereof.
  • the storage container 120 can include an inorganic insulator such as alumina, boron nitride, or zirconium oxide.
  • the heating unit 122 is detachably held inside the vapor deposition holder 124.
  • the heating unit 122 has a configuration for heating the storage container 120 by a resistance heating method.
  • the heating unit 122 has a heater 126.
  • the heating unit 122 is heated and the material in the storage container 120 is heated and vaporized.
  • the vaporized material is emitted to the outside of the storage container 120 through the opening 130 of the storage container 120.
  • the mesh-shaped metal plate 128 arranged so as to cover the opening 130 suppresses the bumped material from being discharged to the outside of the storage container 120.
  • the heating unit 122 and the vapor deposition holder 124 may include the same material as the storage container 120.
  • the pair of guide plates 132 are provided above the vapor deposition source 112. At least a part of the guide plate 132 is inclined with respect to the side surface of the storage container 120 or the vertical direction.
  • the angle at which the vapor of the material spreads (hereinafter referred to as the injection angle) is controlled by the inclination of the guide plate 132, so that the flight direction of the vapor can be made directional.
  • the ejection angle is determined by the angle ⁇ e (unit: °) formed by the two guide plates 132.
  • the angle ⁇ e is appropriately adjusted depending on the size of the deposition target substrate 104, the distance between the deposition source 112 and the deposition target substrate 104, and the like.
  • the angle ⁇ e is, for example, 40° or more and 80° or less, 50° or more and 70° or less, and typically 60°.
  • the surfaces formed by the inclined surfaces of the guide plate 132 are the critical surfaces 160a and 160b.
  • the material vapor flies in the space between the critical surfaces 160a and 160b.
  • the guide plate 132 may be a part of the surface of the cone.
  • the material to be vapor-deposited can be selected from various materials and may be either an organic compound or an inorganic compound.
  • the organic compound for example, a light emitting material or a carrier transporting organic compound can be used.
  • a metal, an alloy thereof, a metal oxide, or the like can be used as the inorganic compound.
  • a film may be formed by filling one storage container 120 with a plurality of materials.
  • the vapor deposition chamber 100 may be configured so that a plurality of vapor deposition sources can be used to simultaneously heat different materials.
  • FIG. 4 is a top view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention.
  • the vapor deposition mask 300 has a thin film mask body 310, a holding frame 330, and a connecting member 350.
  • the mask body 310 is provided with a plurality of openings 311 penetrating the mask body 310.
  • a region other than the opening 311 of the mask body 310 is called a non-opening portion.
  • the non-openings surround each opening 311.
  • the openings 311 have a plurality of openings 311p arranged according to the pixel pitch of the display device.
  • the vapor deposition mask 300 and the vapor deposition substrate 104 are aligned such that the vapor deposition region of the vapor deposition target substrate 104 and the opening 311 overlap with each other, and the non-vapor deposition region of the vapor deposition substrate 104 overlaps with the non-opening portion. It The vapor of the material passes through the opening 311, and the material is deposited on the vapor deposition region of the deposition target substrate 104.
  • the holding frame 330 is provided around the mask body 310.
  • the connection member 350 is provided between the mask body 310 and the holding frame 330, and connects the mask body 310 and the holding frame 330.
  • the first outer edge 353 of the connection member 350 in the region in contact with the holding frame 330 is outside the second outer edge 313 of the mask body 310 in contact with the connection member 350. That is, the mask body 310 and the holding frame 330 do not overlap with each other in a plan view. In other words, the first outer edge 353 surrounds the second outer edge 313. However, the mask body 310 may overlap the holding frame 330 in a plan view.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention.
  • the sectional view shown in FIG. 5 is a sectional view taken along the line A-A′ in FIG. 4.
  • the connection member 350 is provided on the mask body 310 along the end of the mask body 310.
  • the connection member 350 projects from the end of the mask body 310 toward the outside of the mask body 310.
  • the opening 311 includes a plurality of openings 311p, but the opening 311 is shown as one continuous one for convenience of explanation.
  • the holding frame 330 is provided further above the upper surface of the mask body 310. That is, in the vertical direction, the lower end (first surface 331) of the holding frame 330 is provided above the upper end of the mask body 310.
  • the holding frame 330 is provided further outside the outer edge of the mask body 310. That is, the holding frame 330 is provided outside the mask body 310 in the horizontal direction.
  • the vertical direction is a direction orthogonal to the main surface of the mask body 310.
  • the horizontal direction is a direction parallel to the main surface of the mask body 310.
  • the connecting member 350 is in contact with the first surface 331 and the third surface 335 of the holding frame 330. On the other hand, the connecting member 350 is not provided on the second surface 333 of the holding frame 330. The connection member 350 is in contact with a part of the first surface 331 of the holding frame 330 on the mask body 310 side. Similarly, the connecting member 350 is in contact with the third surface 335 of the holding frame 330 from the lower end to the upper end.
  • Figure 6 shows an enlarged view of the area enclosed by the dotted line in Figure 5.
  • the connection member 350 is in contact with the holding frame 330 from the lower end of the third surface 335 of the holding frame 330 to the first outer edge 353.
  • a space is formed between the upper surface of the connecting member 350 and the lower surface of the holding frame 330 located vertically below the holding frame 330 (the area below the holding frame 330 and overlapping with the holding frame 330 in plan view). Absent.
  • the first outer edge 353 refers to a position corresponding to the outer edge of the connecting member 350 in the region where the connecting member 350 contacts the holding frame 330.
  • the first outer edge 353 is an end portion in the direction in which the connection member 350 contacts the first surface 331 of the holding frame 330 in the direction toward the outside of the vapor deposition mask 300.
  • the second outer edge 313 is an area corresponding to the outer edge of the mask body 310 in the area where the mask body 310 contacts the connecting member 350.
  • a plurality of openings 315 are provided in the vicinity of the outer edge of the mask body 310, and the connection member 350 is inserted inside the plurality of openings 315.
  • the surface shape below the connecting member 350 is stepwise from the first outer edge 353 to the second outer edge 313. That is, when starting from the first outer edge 353 and moving on the surface of the connecting member 350 toward the second outer edge 313, the moving point gradually moves to the second outer edge 313 without moving away from the second outer edge 313 in a straight line distance. Get closer.
  • the surface of the connecting member 350 gradually approaches the second outer edge 313 between the first outer edge 353 and the second outer edge 313.
  • the surface of the connecting member 350 does not project from the second outer edge 313 side toward the first outer edge 353 side between the first outer edge 353 and the second outer edge 313.
  • the surface of the connection member 350 from the first outer edge 353 to the second outer edge 313 faces the outside and the lower side of the vapor deposition mask 300, and there is no point facing the upper side.
  • the thickness d1 of the mask body 310 is 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness d2 from the first surface 331 of the holding frame 330 to the lower end of the connecting member 350 located vertically below the holding frame 330 is 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the width w1 at which the connecting member 350 and the first surface 331 of the holding frame 330 contact each other is 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the thickness d1 is displayed in the same size as the thickness d2 and the width w1 for convenience of description, but as described above, the thickness d1 is about 1 as compared with the thickness d2 and the width w1. Digit smaller.
  • the holding frame 330 and the mask main body 310 are fixed by spot welding or the like in a state where the mask main body 310 has a large tensile stress, distortion occurs between the joining portion and the other portion, or The distortion may cause a defect such as damage to the thin film portion.
  • the mask body 310 is a thin film, the heat capacity of the thin film itself is small and the heat generated by welding causes the film to melt immediately. Therefore, it is difficult to obtain a good bond between the holding frame 330 and the mask body 310.
  • the holding frame 330 and the mask body 310 can be evenly joined by using the first connecting member 350.
  • connection member 350 is in contact with the first surface 331 and the third surface 335 of the holding frame 330, so that the connection member 350 and the holding frame 330 are bonded to each other.
  • the strength can be improved. Since the connection member 350 enters the inside of the opening 315 of the mask body 310, the bonding strength between the connection member 350 and the mask body 310 can be improved.
  • the mask body 310 is attached to the holding frame 330 while being strongly pulled. As a result, a strong stress is applied between the mask body 310 and the connecting member 350 and between the holding frame 330 and the connecting member 350.
  • the adhesive strength between the connecting member 350 and the holding frame 330 and the adhesive strength between the connecting member 350 and the mask main body 310 are improved as described above, it is possible to prevent them from coming off.
  • FIGS. 7 to 17 are sectional views showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention.
  • a resist mask 410 having openings 411 is formed on the first surface 331 and the second surface 333 of the holding frame 330 having rigidity.
  • the opening 411 is provided only on the first surface 331 side of the holding frame 330, and is not provided on the second surface 333 side.
  • the peeling layer 420 is formed on the first surface 331 of the holding frame 330 exposed by the opening 411.
  • the peeling layer 420 is a layer for peeling the adhesive layer 460 and the supporting substrate 470 formed over the peeling layer 420 in a later step.
  • the release layer 420 may be referred to as a “first release layer”.
  • a plating layer can be used as the peeling layer 420.
  • the release layer 420 can be formed by an electroplating method in which the holding frame 330 is energized. ..
  • the holding frame 330 a rigid substrate such as a metal substrate such as stainless steel, a silicon substrate, a glass substrate, or a quartz substrate is used.
  • the plate thickness of the holding frame 330 is 300 ⁇ m or more and 3 mm or less, preferably 500 ⁇ m or more and 2 mm or less.
  • a plating layer can be used as the peeling layer 420.
  • the material used for the plating layer is not particularly limited, but nickel (Ni) can be used, for example.
  • the peeling layer 420 can be formed by an electrolytic plating method or an electroless plating method.
  • the resist mask 410 is peeled off to obtain a structure in which a peeling layer 420 is selectively formed on the first surface 331 of the holding frame 330.
  • the release layer 420 is formed to expose a part of the first surface 331 by the above process.
  • a plating layer is formed inside the opening 411 and on the resist mask 410 by electroless plating, and the resist mask 410 is peeled off to remove the plating layer formed on the resist mask 410 (lift-off). By doing so, the peeling layer 420 shown in FIG. 8 may be formed.
  • a resist mask 430 is formed on the first surface 331 and the second surface 333 of the holding frame 330.
  • Each of the resist masks 430 provided on the first surface 331 and the second surface 333 is formed in substantially the same region in plan view.
  • the resist mask 430 is formed in a region overlapping with the holding frame 330 of FIGS. 4 and 5 in a plan view.
  • the resist mask 430 covers the peeling layer 420.
  • the end of the peeling layer 420 exists in a region inside the resist mask 430 rather than the end of the resist mask 430.
  • the peeling layer 420 exists inside the resist mask 430 in a plan view.
  • the resist mask 430 is patterned so that the peeling layer 420 is not exposed.
  • the holding frame 330 is etched from the first surface 331 side and the second surface 333 side using the resist mask 430 as a mask, and the resist mask 430 is removed.
  • FIG. 10 only a part of the area of the holding frame 330 is displayed, but this etching forms the holding frame 330 shown in FIGS. 4 and 5. That is, in FIG. 10, the end portion 405 corresponds to the inner edge of the holding frame 330, and the end portion 407 corresponds to the outer edge of the holding frame 330.
  • the holding frame 330 is etched by wet etching.
  • the etching may be performed by dry etching.
  • the resist mask 430 may be formed on only one of the first surface 331 and the second surface 333.
  • the method of forming the holding frame 330 is not limited to the above etching, and may be performed by a mechanical method such as dicing.
  • the processed holding frame 330 is attached to the supporting substrate 450 by using the adhesive layer 440.
  • the adhesive layer 440 and the support substrate 450 are attached to the second surface 333 side of the holding frame 330.
  • the adhesive layer 440 is attached to the support substrate 450 in a pulled state, and the holding frame 330 is attached to the adhesive layer 440 in that state.
  • the holding frame 330 is attached to the adhesive layer 440 having tensile stress.
  • the support substrate 450 is a substrate having rigidity.
  • the adhesive layer 440 a resin layer of polyimide resin, acrylic resin, epoxy resin, silicone resin, fluororesin, siloxane resin, or the like is used.
  • the adhesive layer 440 an inorganic layer such as a metal layer, a metal oxide layer, or an inorganic insulating layer may be used instead of the resin layer.
  • the adhesive layer 440 is etched using the holding frame 330 as a mask.
  • the etching of the adhesive layer 440 is performed by wet etching. However, the etching of the adhesive layer 440 may be performed by dry etching.
  • the adhesive layer 440 covers the second surface 333 of the holding frame 330.
  • the holding frame 330 and the adhesive layer 440 have substantially the same pattern in a plan view. However, the end portion of the second surface 333 of the holding frame 330 may be exposed from the adhesive layer 440 by the above-described etching of the adhesive layer 440.
  • a support substrate 470 is attached to the first surface 331 side of the holding frame 330 using an adhesive layer 460.
  • the adhesive layer 460 has elasticity. Therefore, as shown in FIG. 13, the adhesive layer 460 is attached so as to contact not only the lower surface 421 of the release layer 420 but also the side surface 423 of the release layer 420. In FIG. 13, the adhesive layer 460 is also attached to the first surface 331 of the holding frame 330 exposed from the peeling layer 420.
  • the adhesive layer 460 may have conductivity, but may have insulating properties.
  • the adhesive layer 460 is illustrated as being attached to a part of the first surface 331 of the holding frame 330, but the configuration is not limited to this.
  • the adhesive layer 460 and the support substrate 470 are attached to the holding frame 330 in a state where there is a gap between the adhesive layer 460 and the holding frame 330, the space between the holding frame 330 and the adhesive layer 460 is large. The distance is smaller than the thickness of the release layer 420.
  • the adhesive layer 460 may be in contact with part of the side surface 423 of the peeling layer 420 in a state where the adhesive layer 460 and the support substrate 470 are attached to the holding frame 330.
  • the adhesive layer 460 may be in contact with the region of the side surface 423 of the peeling layer 420 on the lower surface 421 side.
  • the state shown in FIG. 14 is obtained by etching the adhesive layer 460 in the state shown in FIG.
  • the etching of the adhesive layer 460 is performed by wet etching.
  • the adhesive layer 460 is etched from the end portion 461 where the adhesive layer 460 and the first surface 331 of the holding frame 330 are in contact with each other.
  • the etching of the adhesive layer 460 proceeds from the end portion 461 in the film thickness direction of the adhesive layer 460 and in the direction parallel to the first surface 331.
  • the adhesive layer 460 and the peeling layer 420 form a stepped structure.
  • the adhesive layer 460 is a layer for bonding the holding frame 330 and the supporting substrate 470, and is a layer for peeling the supporting substrate 470 from the holding frame 330 in a later step.
  • the adhesive layer 460 may be referred to as a “second peeling layer”.
  • the adhesive layer 440 When the adhesive layer 460 is etched by wet etching, it is necessary to devise so that the adhesive layer 440 provided on the second surface 333 of the holding frame 330 is not etched.
  • the adhesive layer 440 may be cured before etching the adhesive layer 460.
  • a material having high etching resistance to the etchant of the adhesive layer 460 may be used.
  • the adhesive layers 440 and 460 can be cured by one curing process (for example, heat treatment).
  • the configuration shown in FIG. 15 is obtained.
  • the distance (d4) from the virtual end 409 of the holding frame 330 to the end of the adhesive layer 460 and the distance (d5) from the virtual end 409 to the end of the release layer 420 are the adhesive layer 460. Is gradually increased from the lower surface 463 toward the holding frame 330.
  • the distance between the side surface of the adhesive layer 460 and the virtual end portion 409 is constant in the thickness direction of the adhesive layer 460, and the distance between the side surface of the peeling layer 420 and the virtual end portion 409 is equal to that of the peeling layer 420.
  • the configuration which is constant in the thickness direction is illustrated, the configuration is not limited to this.
  • the distance from the lower surface 463 of the adhesive layer 460 toward the holding frame 330 is the side surface of the adhesive layer 460. It suffices that the distance from the virtual end portion 409 gradually increases.
  • the distance between the side surface of the peeling layer 420 and the virtual end portion 409 is not constant in the thickness direction of the peeling layer 420, the side surface and the virtual end of the peeling layer 420 are moved from the adhesive layer 460 toward the holding frame 330. It suffices that the distance from the portion 409 gradually increases.
  • the mask body 310 provided with the openings 311 and 315 is attached to the adhesive layer 460 (see FIG. 16).
  • the mask body 310 is attached to the adhesive layer 460 while being attached to the support substrate.
  • the mask body 310 may have conductivity, but if there is a means for energizing the connection member 350 without growing through the mask body 310 during the above-described plating process, the mask body 310 will be insulated. May be sex.
  • the mask body 310 is attached to the support substrate in a pulled state. That is, the mask body 310 is attached to the support substrate while the tensile stress is generated in the mask body 310.
  • a resist mask 480 is formed on the surface of the mask body 310 on the holding frame 330 side.
  • the resist mask 480 is provided in a region inside the mask body 310.
  • the resist mask 480 is also formed in a region where the opening 311 is provided.
  • the resist mask 480 exposes a region where the opening 315 is formed.
  • the resist mask 480 is provided to protect a region other than the region where the connection member 350 is formed in the subsequent process.
  • connection member 350 can be formed as shown in FIG. 17 by an electrolytic plating method (or electroforming plating method) in which at least the mask body 310 is energized. That is, the connection member 350 is a plating layer.
  • the connection member 350 includes a part of the first surface 331 of the holding frame 330 exposed from the release layer 420, a side surface 423 of the release layer 420, a part of the upper surface 465 of the adhesive layer 460 exposed from the release layer 420, and an adhesive layer. It is in contact with the side surface 467 of 460, the third surface 335 of the holding frame 330, and the surface of the mask body 310.
  • the peeling layer 420 and the adhesive layer 460 are not provided between the connecting member 350 and the holding frame 330.
  • a member in this example, the peeling layer 420 and the adhesive layer 460 to be peeled off in the subsequent step is provided between the connecting member 350 and the holding frame 330 vertically below the holding frame 330. ) Is not provided. That is, the upper surface 357 of the connecting member 350 is in contact with the first surface 331 of the holding frame 330.
  • the connecting member 350 does not necessarily have to be in contact with the holding frame 330, and the first surface 331 of the holding frame 330 (the connecting member 350 and the holding frame 330 may be used as long as the member does not separate from the holding frame 330 in the manufacturing process of the vapor deposition mask 300. Between) and).
  • the connecting member 350 is formed by the electrolytic plating method, since the adhesive layer 440 is provided on the second surface 333 of the holding frame 330, the connecting member 350 is not formed on the second surface 333 side of the holding frame 330.
  • connection member 350 may be formed by an electroless plating method.
  • the connection member 350 may be something other than the plated layer.
  • the connection member 350 may include solder or resin.
  • the peeling layer 420, the adhesive layer 460, and the region outside the mask body 310 are peeled downward, and the adhesive layer 440 is peeled upward, whereby the vapor deposition mask 300 shown in FIG. 6 can be formed. it can.
  • the first surface 331 of the holding frame 330 is exposed, and the surface of the connection member 350 formed in contact with the release layer 420 and the adhesive layer 460 is exposed.
  • the vapor deposition mask 300 can be formed.
  • FIG. 29 is a diagram corresponding to FIG. 17 of the above embodiment.
  • FIG. 30 is a diagram corresponding to FIG. 6 of the above embodiment. From the state shown in FIG. 29, the peeling layer 420Z, the adhesive layer 460Z, and the region outside the mask body 310Z are peeled downward, and the adhesive layer 440Z is peeled upward, whereby the vapor deposition mask 300Z shown in FIG. 30 is formed.
  • the release layer 420Z and the holding frame 330Z have the same pattern, when the adhesive layer 460Z is formed on the release layer 420Z, the adhesive layer 460Z is etched inward of the patterns of the release layer 420Z and the holding frame 330Z.
  • the structure shown in FIG. in the structure of FIG. 29, unlike the structure of FIG. 17, the peeling layer 420Z is provided vertically below the holding frame 330Z between the upper surface 357Z of the connecting member 350Z and the first surface 331 of the holding frame 330Z.
  • the vapor deposition mask 300 according to the above-described embodiment, it is possible to suppress the occurrence of “burrs” that has occurred in the vapor deposition mask 300Z. As a result, it is possible to suppress color mixing and light emission blur between adjacent pixels due to the wraparound of the vapor deposition material.
  • FIG. 18 is a top view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention.
  • a connection member 350A and a mask body 310A are provided on each window portion of a grid-shaped holding frame 330A.
  • Each mask body 310A has a plurality of openings 311A.
  • Each of the openings 311A has a plurality of openings 311pA arranged in accordance with the pixel pitch of the display device, as in the description of FIGS. 4 and 5.
  • one opening is provided in the holding frame 330, and the connection member 350 and the mask main body 310 are provided inside the opening, but as described above, the holding frame 330A is provided.
  • a plurality of openings may be provided in each of the openings, and the connection member 350A and the mask body 310A may be provided inside each opening.
  • a method of manufacturing the display device 200 to which the thin film forming method using the vapor deposition masks 300 and 300A described in the first and second embodiments is applied will be described.
  • a display device 200 according to the third embodiment a method of manufacturing an organic EL display device in which a plurality of pixels each having an organic light emitting element (hereinafter, light emitting element) are formed on an insulating substrate 202 will be described.
  • the contents described in the first and second embodiments may be omitted.
  • FIG. 20 is a top view of the display device according to the embodiment of the present invention.
  • the display device 200 includes an insulating substrate 202, and a plurality of pixels 204 and a driver circuit 206 (a gate side driver circuit 206a and a source side driver circuit 206b) for driving the pixels 204 are provided thereover.
  • the insulating substrate 202 is, for example, a glass substrate or a resin substrate.
  • the plurality of pixels 204 are periodically arranged, and these define a display area 205. As will be described later, each pixel 204 is provided with a light emitting element 260.
  • the drive circuit 206 is arranged in the peripheral area around the display area 205.
  • Various wirings (not shown) formed of a patterned conductive film extend from the display region 205 and the driving circuit 206 to one side of the insulating substrate 202. These wirings are exposed on the surface in the vicinity of the ends of the insulating substrate 202 to form the terminals 207.
  • These terminals 207 are electrically connected to a flexible printed circuit board (FPC) (not shown).
  • FPC flexible printed circuit board
  • Various signals for driving the display device 200 are input to the driving circuit 206 and the pixel 204 through the terminal 207.
  • a drive IC having an integrated circuit may be further mounted together with the drive circuit 206 or in place of part of the drive circuit 206.
  • FIG. 21 is a schematic sectional view of two adjacent pixels 204 (204a and 204b). A pixel circuit is formed in each pixel 204. The configuration of the pixel circuit is arbitrary. In FIG. 21, a driving transistor 210, a storage capacitor 230, an additional capacitor 250, and a light emitting element 260 are shown as a pixel circuit.
  • the driving transistor 210 includes a semiconductor film 212, a gate insulating film 214, a gate electrode 216, a source electrode 220, and a drain electrode 222.
  • the gate electrode 216 is arranged so as to intersect at least part of the semiconductor film 212 with the gate insulating film 214 interposed therebetween.
  • the semiconductor film 212 has a drain region 212a, a source region 212b, and a channel 212c.
  • the channel 212c is a region where the semiconductor film 212 and the gate electrode 216 overlap.
  • the channel 212c is provided between the drain region 212a and the source region 212b.
  • the capacitor electrode 232 exists in the same layer as the gate electrode 216, and overlaps with the drain region 212a via the gate insulating film 214.
  • An interlayer insulating film 218 is provided over the gate electrode 216 and the capacitor electrode 232. Openings reaching the source region 212b and the drain region 212a are formed in the interlayer insulating film 218 and the gate insulating film 214, respectively.
  • the source electrode 220 and the drain electrode 222 are arranged inside these openings.
  • the drain electrode 222 overlaps with the capacitor electrode 232 via the interlayer insulating film 218.
  • a storage capacitor 230 is formed by the drain region 212a, the capacitance electrode 232, the gate insulating film 214 between them, the capacitance electrode 232, the drain electrode 222, and the interlayer insulating film 218 between them.
  • a flattening film 240 is provided on the drive transistor 210 and the storage capacitor 230.
  • the planarization film 240 has an opening reaching the drain electrode 222.
  • a connection electrode 242 which covers this opening and a part of the upper surface of the planarization film 240 is provided so as to be in contact with the drain electrode 222.
  • An additional capacitance electrode 252 is provided on the flattening film 240.
  • a capacitor insulating film 254 is provided so as to cover the connection electrode 242 and the additional capacitor electrode 252. The capacitor insulating film 254 exposes a part of the connection electrode 242 in the opening of the flattening film 240.
  • the pixel electrode 262 and the drain electrode 222 of the light emitting element 260 are electrically connected via the connection electrode 242.
  • An opening 256 is provided in the capacitor insulating film 254.
  • the partition 258 provided over the capacitor insulating film 254 and the planarization film 240 are in contact with each other through the opening 256.
  • impurities in the planarization film 240 can be removed through the opening 256, and the reliability of the pixel circuit and the light emitting element 260 can be improved.
  • the formation of the connection electrode 242 and the opening 256 is optional.
  • a pixel electrode 262 is provided on the capacitance insulating film 254 so as to cover the connection electrode 242 and the additional capacitance electrode 252.
  • the capacitance insulating film 254 is provided between the additional capacitance electrode 252 and the pixel electrode 262.
  • This structure constitutes the additional capacitance 250.
  • the pixel electrode 262 is shared by the additional capacitor 250 and the light emitting element 260.
  • a partition wall 258 is provided on the pixel electrode 262 to cover an end portion of the pixel electrode 262.
  • the structure from the insulating substrate 202 and the undercoat 208 to the partition 258 may be referred to as an array substrate. Since the array substrate can be manufactured by applying a known material and a known method, the description thereof will be omitted.
  • the light emitting element 260 includes a pixel electrode 262, an EL layer 264, and a counter electrode 272.
  • the EL layer 264 and the counter electrode 272 are provided so as to cover the pixel electrode 262 and the partition 258.
  • the EL layer 264 includes a hole injection layer and a hole transport layer 266, a light emitting layer 268 (light emitting layers 268a and 268b), and an electron injection layer and an electron transport layer 270.
  • the hole injecting layer and hole transporting layer 266, and the electron injecting layer and electron transporting layer 270 are provided commonly to the plurality of pixels 204 and shared by the plurality of pixels 204.
  • the counter electrode 272 covers the plurality of pixels 204 and is shared by the plurality of pixels 204.
  • the light emitting layer 268 is provided individually for each pixel 204.
  • the EL layer 264 may have various functional layers such as a hole block layer, an electron block layer, and an exciton block layer in addition to the above structure.
  • the structure of the EL layer 264 may be the same between the plurality of pixels 204, or a part of the structure may be different between the adjacent pixels 204.
  • the pixels 204 may be configured such that the structure or material of the light emitting layer 268 is different between the adjacent pixels 204 and the other layers have the same structure.
  • the EL layer 264 and the counter electrode 272 can be formed using the vapor deposition masks of the first and second embodiments. Hereinafter, a method for forming the EL layer 264 and the counter electrode 272 will be described with reference to FIGS. In these drawings, the EL layer 264 and the counter electrode 272 are formed on the partition wall 258 and the pixel electrode 262. However, when the EL layer 264 and the counter electrode 272 are vapor-deposited, the vapor deposition source 112 is arranged below the insulating substrate 202, and the insulating substrate 202 is arranged so that the vapor deposition region faces the vapor deposition source 112. That is, the partition 258 and the pixel electrode 262 are arranged closer to the vapor deposition source 112 than the insulating substrate 202.
  • a hole injection layer and a hole transport layer 266 are formed on the array substrate by using a vapor deposition method.
  • the hole injection layer and hole transport layer 266 are shared by all pixels 204. Therefore, the deposition mask 300 used for depositing the hole injection layer and the hole transport layer 266 has one opening 311 that overlaps the entire display region 205.
  • the vapor deposition mask 300 is arranged between the array substrate and the vapor deposition source 112 so that the opening 311 overlaps the display region 205, and the material contained in the hole injection layer and the hole transport layer 266 is deposited by the vapor deposition source. By vaporizing at 112, the hole injection layer and the hole transport layer 266 are formed.
  • the light emitting layer 268 is formed on the hole injection layer and the hole transport layer 266.
  • a plurality of pixels 204a that emit red light, pixels 204b that emit blue light, and pixels 204c that emit green light are arranged in the display region 205.
  • the pixels 204a, 204b, and 204c are not particularly distinguished, they are simply referred to as the pixel 204.
  • the pixels 204 having different emission colors are normally arranged periodically in sequence.
  • the light emitting layer 268 is formed in different steps for each emission color. For example, when forming the pixel 204a that emits red light, as shown in FIG. 24, the vapor deposition mask is formed so that the opening 311 of the vapor deposition mask 300 (mask body 310) overlaps the pixel 204a and the non-opening portion overlaps the pixels 204b and 204c. 300 are arranged.
  • the vapor deposition mask 300 provided with the openings 311 is positioned at the position where the openings 311 overlap the pixels 204a and the non-opening parts overlap the other pixels 204b and 204c, and the lower surface 148 of the vapor deposition mask 300 is placed on the insulating substrate 202 rather than the upper surface 150.
  • the pixels 204a are arranged so as to be close to each other (FIGS. 24 and 25), and the material of the light emitting layer 268a is vapor-deposited on the pixel 204a.
  • the light emitting layer 268a is selectively formed on the pixel electrode 262 of the pixel 204a (FIG. 26).
  • FIG. 26 In FIG.
  • the vapor deposition mask 300 (mask body 310) is arranged to be in contact with the hole injection layer and the hole transport layer 266 during vapor deposition, but the vapor deposition mask 300 may be arranged to be in contact with the partition 258. It may be disposed apart from 258, the hole injection layer, and the hole transport layer 266.
  • the light emitting layer 268b is formed. As shown in FIGS. 27 and 28, at the position where the opening 311 overlaps the pixel 204b and the non-opening overlaps the other pixels 204a and 204c, the lower surface 148 of the vapor deposition mask 300 is placed on the insulating substrate 202 rather than the upper surface 150. They are arranged close to each other (FIG. 27), and the material of the light emitting layer 268b is vapor-deposited on the pixel 204b. As a result, the light emitting layer 268b is selectively formed on the pixel electrode 262 of the pixel 204b (FIG. 28). The light emitting layer 268c is formed on the pixel 204c by the same method.
  • the electron injection layer, the electron transport layer 270, and the counter electrode 272 are formed. Since the electron injection layer/electron transport layer 270 and the counter electrode 272 are shared by all the pixels 204, the electron injection layer/electron transport layer 270 and the counter electrode 272 can be formed using a vapor deposition mask 300 similar to the vapor deposition of the hole injection layer/hole transport layer 266. As a result, the structure shown in FIG. 21 can be obtained.
  • an optical adjustment layer for adjusting light from the light emitting layer 268 and a polarizing plate may be provided on the counter electrode 272. Further, a protective film for protecting the light emitting element 260 and a counter substrate may be provided on the counter electrode 272.
  • an EL display device is mainly illustrated as a disclosure example, but as another application example, another self-luminous display device, a liquid crystal display device, or an electronic paper type display having an electrophoretic element or the like. Any flat panel type display device such as a device can be used. Further, the present invention can be applied to small to large size without any particular limitation.
  • vapor deposition device 100: vapor deposition chamber, 102: load lock door, 104: vapor deposition substrate, 108: holder, 110: moving mechanism, 112: vapor deposition source, 114: shutter, 120: storage container, 122: heating part, 124: evaporation holder, 126: heater, 128: metal plate, 130: opening, 132: guide plate, 148: lower surface, 149: third surface, 150: upper surface, 160a, 160b: critical surface, 200: display device, 202: insulating substrate, 204: pixel, 205: display area, 206: drive circuit, 207: terminal, 208: undercoat, 210: drive transistor, 212: semiconductor film, 212a: drain area, 212b: source area, 212c: Channel, 214: Gate insulating film, 216: Gate electrode, 218: Interlayer insulating film, 220: Source electrode, 222: Drain electrode, 230: Storage capacitance, 232: Capacitance electrode, 240

Landscapes

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Abstract

蒸着領域が薄膜で形成された蒸着マスクにおいて、薄膜と薄膜を保持する保持枠との間の安定した接続構造を備えた蒸着マスクは、複数の開口が設けられた、薄膜状のマスク本体と、前記マスク本体の周囲に設けられた保持枠と、前記マスク本体と前記保持枠とを接続する接続部材と、を有する。平面視で、前記保持枠に接する領域における前記接続部材の第１外縁は、前記接続部材に接する前記マスク本体の第２外縁よりも外側にある。断面視で、前記第１外縁から前記第２外縁までの間、前記接続部材の表面は、徐々に前記第２外縁に近づく。

Description

蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
　本発明の実施形態の一つは、蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法に関する。特に、本発明の実施形態の一つは、薄膜状のマスク本体を備えた蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法に関する。
　フラットパネル型表示装置の一例として、液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が挙げられる。これらの表示装置は、絶縁体、半導体、導電体などの様々な材料を含む薄膜が基板上に積層された構造体である。これらの薄膜が適宜パターニングされ、接続されることで、表示装置としての機能が実現される。
　薄膜を形成する方法は、大別すると気相法、液相法、固相法に分類される。気相法は物理的気相法と化学的気相法に分類される。物理的気相法の代表的な例として蒸着法が知られている。蒸着法のうち最も簡便な方法が真空蒸着法である。真空蒸着法は、高真空下において材料を加熱することで、材料を昇華又は蒸発させて材料の蒸気を生成する（以下、これらを総じて気化という）。この材料を堆積させるための領域（以下、蒸着領域）において、気化していた材料が固化し、堆積することで材料の薄膜が得られる。蒸着領域に対して選択的に薄膜が形成され、それ以外の領域（以下、非蒸着領域）には材料が堆積しないようにするために、マスク（蒸着マスク）を用いて真空蒸着が行われる（特許文献１及び２参照）。
特開２００９－８７８４０号公報 特開２０１３－２０９７１０号公報
　特許文献１及び２では、蒸着領域が薄膜で形成された蒸着マスクが開示されているが、蒸着領域の薄膜の形状と位置との精度を向上させるためには、当該薄膜を保持枠に安定して接続する構造が要求される。本発明の実施形態の一つは、蒸着領域が薄膜で形成された蒸着マスクにおいて、薄膜と薄膜を保持する保持枠との間の安定した接続構造を提供することを課題の一つとする。
　本発明の一実施形態に係る蒸着マスクは、複数の開口が設けられた、薄膜状のマスク本体と、前記マスク本体の周囲に設けられた保持枠と、前記マスク本体と前記保持枠とを接続する接続部材と、を有し、平面視で、前記保持枠に接する領域における前記接続部材の第１外縁は、前記接続部材に接する前記マスク本体の第２外縁よりも外側にあり、断面視で、前記第１外縁から前記第２外縁までの間、前記接続部材の表面は、徐々に前記第２外縁に近づく。
　本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法は、複数の開口が設けられたマスク本体を用意し、第１面と、前記第１面に対向する第２面とを有する保持枠の前記第１面上に、前記第１面の一部を露出するように第１剥離層を形成し、前記第１剥離層上に、その一部を前記第１剥離層から露出するように第２剥離層を形成し、前記保持枠の前記第１面と前記第２面との間の第３面、前記第１剥離層の側面、前記第２剥離層の側面、及び前記マスク本体に接するように接続部材を形成し、前記第１剥離層及び前記第２剥離層を除去して、前記保持枠の第１面と、前記第１剥離層及び前記第２剥離層に接して形成された前記接続部材の表面と、を露出する。
本発明の一実施形態に係る蒸着装置の上面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着装置の側面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着源の断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの拡大断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の上面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。 本発明に至る過程で確認された問題点を説明する図である。 本発明に至る過程で確認された問題点を説明する図である。
　以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されない。
　図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかし図面に示す例は、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定しない。本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の構成には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
　本発明において、ある一つの膜に対してエッチングや光照射を行うことで複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
　本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体が配置された態様を表現する際に、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、その構造体の直上に他の構造体が配置される場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体が配置される場合と、の両方を含む。
〈第１実施形態〉
　図１～図１７を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、及びそれを用いる蒸着装置について説明する。
［蒸着装置１０の構成］
　図１～図３を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着装置１０の構成について説明する。蒸着装置１０は多様な機能を有する複数のチャンバを備えている。以下に示す例は複数のチャンバのうち１つの蒸着チャンバ１００を示す例である。図１は、本発明の一実施形態に係る蒸着装置の上面図である。図２は、本発明の一実施形態に係る蒸着装置の側面図である。
　図１に示すように、蒸着チャンバ１００は、隣接するチャンバとロードロック扉１０２で仕切られている。蒸着チャンバ１００は、蒸着チャンバ１００の内部を高真空の減圧状態、又は窒素やアルゴンなどの不活性ガスで満たされた状態に維持することができる。したがって、図示しない減圧装置やガス吸排気機構などが蒸着チャンバ１００に接続される。
　蒸着チャンバ１００は、蒸着膜が形成される対象物を収納可能な構成を有する。以下、この対象物として板状の被蒸着基板１０４が用いられる例について説明する。図１及び図２に示すように、被蒸着基板１０４の下に蒸着源１１２が配置される。蒸着源１１２は、概ね長方形の形状を有し、被蒸着基板１０４の一つの辺に沿って配置されている。このような蒸着源１１２をリニアソース型という。リニアソース型の蒸着源１１２が用いられる場合、蒸着チャンバ１００は被蒸着基板１０４と蒸着源１１２とが相対的に移動する構成を有する。図１では、蒸着源１１２が固定され、その上を被蒸着基板１０４が移動する例が示されている。
　蒸着源１１２には蒸着される材料が充填される。蒸着源１１２は、当該材料を加熱する加熱部１２２（後述する図３参照）を有する。蒸着源１１２の加熱部１２２によって材料が加熱されると、加熱された材料は気化し、蒸気となって蒸着源１１２から被蒸着基板１０４に向かう。材料の蒸気が被蒸着基板１０４の表面へ到達すると、当該蒸気は冷却されて固化し、被蒸着基板１０４の表面に材料が堆積する。このようにして被蒸着基板１０４の上（図２では被蒸着基板１０４の下側の面上）に当該材料の薄膜が形成される。
　図２に示すように、蒸着チャンバ１００は、被蒸着基板１０４及び蒸着マスク３００を保持するためのホルダ１０８、ホルダ１０８を移動するための移動機構１１０、及びシャッタ１１４などをさらに備える。ホルダ１０８によって被蒸着基板１０４及び蒸着マスク３００の互いの位置関係が維持される。移動機構１１０によって被蒸着基板１０４及び蒸着マスク３００が蒸着源１１２の上を移動する。シャッタ１１４は蒸着源１１２の上に移動可能に設けられている。シャッタ１１４が蒸着源１１２の上に移動することで、シャッタ１１４は蒸着源１１２によって加熱された材料の蒸気を遮蔽する。シャッタ１１４が蒸着源１１２と重畳しない位置に移動することで、当該材料の蒸気はシャッタ１１４によって遮蔽されず、被蒸着基板１０４に到達することができる。シャッタ１１４の開閉は、図示しない制御装置によって制御される。
　図１に示す例では、リニアソース型の蒸着源１１２を示したが、蒸着源１１２は上記の形状に限定されず、任意の形状を有することができる。例えば、蒸着源１１２の形状は、蒸着に用いられる材料が被蒸着基板１０４の重心及びその付近に選択的に配置された、いわゆるポイントソース型と呼ばれる形状であってもよい。ポイントソース型の場合には、被蒸着基板１０４と蒸着源１１２との相対的な位置が固定され、被蒸着基板１０４を回転するための機構が蒸着チャンバ１００に設けられてもよい。図１及び図２に示す例では、基板の主面が水平方向と平行になるように基板を配置する横型蒸着装置を示したが、蒸着マスク３００は、基板の主面が水平方向に対して垂直になるように基板を配置する縦型蒸着装置に用いることもできる。
　図３は、本発明の一実施形態に係る蒸着源の断面図である。蒸着源１１２は、収納容器１２０、加熱部１２２、蒸着ホルダ１２４、メッシュ状の金属板１２８、及び一対のガイド板１３２を有する。
　収納容器１２０は蒸着する材料を保持する部材である。収納容器１２０として、例えば坩堝などの部材を用いることができる。収納容器１２０は加熱部１２２の内部において、取り外し可能に保持されている。収納容器１２０は、例えばタングステンやタンタル、モリブデン、チタン、ニッケルなどの金属やその合金を含むことができる。又は、収納容器１２０は、アルミナや窒化ホウ素、酸化ジリコニウムなどの無機絶縁物を含むことができる。
　加熱部１２２は蒸着ホルダ１２４の内部において、取り外し可能に保持されている。加熱部１２２は、抵抗加熱方式で収納容器１２０を加熱する構成を有する。具体的には、加熱部１２２はヒータ１２６を有する。ヒータ１２６に通電することで、加熱部１２２が加熱され、収納容器１２０内の材料が加熱されて気化する。気化した材料は、収納容器１２０の開口部１３０から収納容器１２０の外に出射される。開口部１３０を覆うように配置されたメッシュ状の金属板１２８は、突沸した材料が収納容器１２０の外に放出されることを抑制する。加熱部１２２及び蒸着ホルダ１２４は、収納容器１２０と同様の材料を含むことができる。
　一対のガイド板１３２は、蒸着源１１２の上部に設けられる。ガイド板１３２の少なくとも一部は、収納容器１２０の側面又は鉛直方向に対して傾いている。ガイド板１３２の傾きによって、材料の蒸気の広がる角度（以下、射出角度）が制御され、蒸気の飛翔方向に指向性を持たせることができる。射出角度は二つのガイド板１３２のなす角度θｅ（単位°）によって決まる。角度θｅは被蒸着基板１０４の大きさ及び蒸着源１１２と被蒸着基板１０４との距離などによって適宜調整される。角度θｅは、例えば４０°以上８０°以下、５０°以上７０°以下、典型的には６０°である。ガイド板１３２の傾いた表面によって形成される面が臨界面１６０ａ、１６０ｂである。材料の蒸気は、ほぼ臨界面１６０ａ、１６０ｂに挟まれる空間を飛翔する。図示しないが、蒸着源１１２がポイントソースの場合、ガイド板１３２は円錐の表面の一部であってもよい。
　蒸着する材料はさまざまな材料から選択することができ、有機化合物又は無機化合物のいずれであってもよい。有機化合物としては、例えば発光性の材料又はキャリア輸送性の有機化合物を用いることができる。無機化合物としては、金属、その合金、又は金属酸化物などを用いることができる。一つの収納容器１２０に複数の材料を充填し、成膜を行ってもよい。図示しないが、複数の蒸着源を用い、異なる材料を同時に加熱できるよう、蒸着チャンバ１００を構成してもよい。
［蒸着マスク３００の構成］
　図４～図６を用いて、本発明の一実施形態係る蒸着マスク３００の構成について説明する。図４は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。蒸着マスク３００は薄膜状のマスク本体３１０、保持枠３３０、及び接続部材３５０を有する。マスク本体３１０には、マスク本体３１０を貫通する複数の開口３１１が設けられている。マスク本体３１０の開口３１１以外の領域を非開口部という。非開口部は各々の開口３１１を囲む。開口３１１は、詳細には複数の開口３１１ｐが表示装置の画素ピッチに合わせて配列されている。
　蒸着時には、蒸着対象の被蒸着基板１０４における蒸着領域と開口３１１とが重なり、被蒸着基板１０４における非蒸着領域と非開口部とが重なるように蒸着マスク３００と被蒸着基板１０４とが位置合わせされる。材料の蒸気が開口３１１を通過し、被蒸着基板１０４の蒸着領域に材料が堆積する。
　保持枠３３０は、マスク本体３１０の周囲に設けられている。接続部材３５０はマスク本体３１０と保持枠３３０との間に設けられており、マスク本体３１０と保持枠３３０とを接続する。保持枠３３０に接する領域における接続部材３５０の第１外縁３５３は、接続部材３５０に接するマスク本体３１０の第２外縁３１３よりも外側にある。つまり、平面視において、マスク本体３１０と保持枠３３０とは重なっていない。上記の構成を換言すると、第１外縁３５３は第２外縁３１３を囲んでいる。ただし、平面視において、マスク本体３１０が保持枠３３０と重なっていてもよい。
　図５は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。図５に示す断面図は、図４のＡ－Ａ’線に沿った断面図である。図５に示すように、接続部材３５０は、マスク本体３１０の上において、マスク本体３１０の端部に沿って設けられている。接続部材３５０は、マスク本体３１０の端部からマスク本体３１０の外側に向かって突出している。図４に示すように、開口３１１は複数の開口３１１ｐを含んでいるが、説明の便宜上、開口３１１を１つの連続したものとして示した。
　保持枠３３０は、マスク本体３１０の上面よりもさらに上方に設けられている。つまり、鉛直方向において、保持枠３３０の下端（第１面３３１）はマスク本体３１０の上端よりも上方に設けられている。保持枠３３０は、マスク本体３１０の外縁よりもさらに外側に設けられている。つまり、水平方向において、保持枠３３０はマスク本体３１０よりも外側に設けられている。上記の鉛直方向は、マスク本体３１０の主面に対して直交する方向である。水平方向は、マスク本体３１０の主面に平行な方向である。
　接続部材３５０は、保持枠３３０の第１面３３１及び第３面３３５に接している。一方、保持枠３３０の第２面３３３には接続部材３５０は設けられていない。接続部材３５０は、保持枠３３０の第１面３３１のうちマスク本体３１０側の一部の領域と接している。同様に、接続部材３５０は、保持枠３３０の第３面３３５の下端から上端まで接している。
　図５の点線で囲まれた領域を拡大した図を図６に示す。図６に示すように、接続部材３５０は、保持枠３３０の第３面３３５の下端から第１外縁３５３まで、保持枠３３０に接している。換言すると、保持枠３３０の鉛直下方（保持枠３３０の下方において、平面視で保持枠３３０と重なる領域）に位置する接続部材３５０の上面と保持枠３３０の下面との間に空間は形成されていない。第１外縁３５３は、接続部材３５０が保持枠３３０に接する領域のうち、接続部材３５０の外縁に対応する位置を指す。図６では、第１外縁３５３は、接続部材３５０が保持枠３３０の第１面３３１に接する領域において、蒸着マスク３００の外側に向かう方向における端部である。第２外縁３１３は、マスク本体３１０が接続部材３５０に接する領域のうち、マスク本体３１０の外縁に対応する領域である。図６では、マスク本体３１０の外縁付近に複数の開口３１５が設けられており、その複数の開口３１５の内部に接続部材３５０が入り込んでいる。
　断面視において、接続部材３５０の下方の表面形状は、第１外縁３５３から第２外縁３１３に向かう階段状である。つまり、第１外縁３５３から出発して接続部材３５０の表面を移動して第２外縁３１３に向かう場合、当該移動点は、直線距離において第２外縁３１３から遠ざかることなく徐々に第２外縁３１３に近づく。換言すると、第１外縁３５３から第２外縁３１３までの間、接続部材３５０の表面は徐々に第２外縁３１３に近づく。さらに換言すると、第１外縁３５３から第２外縁３１３までの間、接続部材３５０の表面は、第２外縁３１３側から第１外縁３５３側に向かって突出しない。さらに換言すると、第１外縁３５３から第２外縁３１３までの接続部材３５０の表面は、蒸着マスク３００の外側及び下方を向いており、上方を向いている箇所はない。
　上記の構成において、マスク本体３１０の厚さｄ１は１μｍ以上１０μｍ以下である。保持枠３３０の第１面３３１から、保持枠３３０の鉛直下方に位置する接続部材３５０の下端までの厚さｄ２は、１０μｍ以上１００μｍ以下である。接続部材３５０と保持枠３３０の第１面３３１とが接する幅ｗ１は、１０μｍ以上１００μｍ以下である。図６では、説明の便宜上厚さｄ１が厚さｄ２及び幅ｗ１と同程度の大きさで表示されているが、上記のように、厚さｄ１は厚さｄ２及び幅ｗ１に比べて約１桁小さい。この構造において、例えばマスク本体３１０の引っ張り応力が大きい状態で、スポット溶接等を用いて保持枠３３０とマスク本体３１０とを固定する場合、接合箇所とそうでない箇所との間で歪みが生じる、又は当該歪みによって薄膜部分が破損するなどの不良が起きる場合がある。マスク本体３１０が薄膜の場合は、薄膜自体の熱容量が小さく、溶接によって発生する熱で即座に溶融してしまうため、保持枠３３０とマスク本体３１０との良好な接合を得ることが難しい。本実施形態によると、保持枠３３０とマスク本体３１０との間を、第１接続部材３５０を用いて均一に接合することができる。
　以上のように、本実施形態に係る蒸着マスク３００によると、接続部材３５０が保持枠３３０の第１面３３１及び第３面３３５に接していることで、接続部材３５０と保持枠３３０との接着強度を向上させることができる。接続部材３５０がマスク本体３１０の開口３１５の内部に入り込んでいることで、接続部材３５０とマスク本体３１０との接着強度を向上させることができる。マスク本体３１０の歪みを抑制するために、マスク本体３１０は強く引っ張られた状態で保持枠３３０に貼り付けられる。その結果、マスク本体３１０と接続部材３５０との間、及び保持枠３３０と接続部材３５０との間には強い応力がかかる。しかし、上記のように接続部材３５０と保持枠３３０との接着強度、及び接続部材３５０とマスク本体３１０との接着強度が向上しているため、これらが剥がれてしまうことを抑制できる。
［蒸着マスク３００の製造方法］
　図７～図１７を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク３００の製造方法について説明する。図７～図１７は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
　図７に示すように、剛性を有する保持枠３３０の第１面３３１上及び第２面３３３上に、開口４１１が設けられたレジストマスク４１０を形成する。開口４１１は保持枠３３０の第１面３３１側だけに設けられており、第２面３３３側には設けられていない。そして、開口４１１によって露出された保持枠３３０の第１面３３１上に剥離層４２０を形成する。剥離層４２０は、後の工程で、剥離層４２０上に形成された接着層４６０及び支持基板４７０を剥離するための層である。剥離層４２０を「第１剥離層」という場合がある。剥離層４２０としてめっき層を用いることができる。例えば、図７に示すように開口４１１によって露出された保持枠３３０の上に選択的に剥離層４２０を形成する場合、保持枠３３０に通電する電解めっき法によって剥離層４２０を形成することができる。
　保持枠３３０として、ステンレス等の金属基板、シリコン基板、ガラス基板、又は石英基板などの剛性を有する基板が用いられる。例えば、保持枠３３０の板厚は、３００μｍ以上３ｍｍ以下、好ましくは５００μｍ以上２ｍｍ以下である。
　剥離層４２０として、めっき層を用いることができる。当該めっき層として用いられる材料は特に限定されないが、例えばニッケル（Ｎｉ）を用いることができる。剥離層４２０は、電解めっき法又は無電解めっき法を用いて形成することができる。
　次に、図８に示すように、レジストマスク４１０を剥離することで、保持枠３３０の第１面３３１上に剥離層４２０が選択的に形成された構造を得る。換言すると、上記の工程によって、第１面３３１の一部を露出するように剥離層４２０を形成する。
　図７の工程において、無電解めっき法によって開口４１１内部及びレジストマスク４１０の上にめっき層を形成し、レジストマスク４１０の剥離によって、レジストマスク４１０の上に形成されためっき層を除去（リフトオフ）することで、図８に示す剥離層４２０を形成してもよい。
　次に、図９に示すように、保持枠３３０の第１面３３１上及び第２面３３３上にレジストマスク４３０を形成する。第１面３３１及び第２面３３３に設けられたレジストマスク４３０の各々は、平面視においてほぼ同じ領域に形成される。レジストマスク４３０は、平面視において、図４及び図５の保持枠３３０と重なる領域に形成される。レジストマスク４３０は剥離層４２０を覆っている。換言すると、平面視において、剥離層４２０の端部はレジストマスク４３０の端部よりもレジストマスク４３０の内側の領域に存在する。さらに換言すると、平面視において、剥離層４２０はレジストマスク４３０の内側に存在する。さらに換言すると、レジストマスク４３０は、剥離層４２０が露出されないようにパターニングされる。
　次に、図１０に示すように、レジストマスク４３０をマスクとして、第１面３３１側及び第２面３３３側から保持枠３３０をエッチングし、レジストマスク４３０を除去する。図１０では、保持枠３３０の一部の領域だけが表示されているが、このエッチングによって、図４及び図５に示す保持枠３３０が形成される。つまり、図１０において、端部４０５は保持枠３３０の内縁に相当し、端部４０７は保持枠３３０の外縁に相当する。
　上記の工程において、保持枠３３０のエッチングはウェットエッチングによって行われる。ただし、当該エッチングはドライエッチングによって行われてもよい。保持枠３３０のエッチングをドライエッチングによって行う場合、レジストマスク４３０は第１面３３１又は第２面３３３の一方だけに形成されていればよい。保持枠３３０の形成方法は上記のエッチングに限定されず、ダイシングなどの機械的な方法によって行われてもよい。
　次に、図１１に示すように、接着層４４０を用いて、加工された保持枠３３０を支持基板４５０に貼り付ける。接着層４４０及び支持基板４５０は、保持枠３３０の第２面３３３側に貼り付けられる。接着層４４０は引っ張られた状態で支持基板４５０に貼り付けられ、その状態で保持枠３３０が接着層４４０に貼り付けられる。換言すると、保持枠３３０は引張応力を有する接着層４４０に貼り付けられる。支持基板４５０は剛性を有する基板である。
　接着層４４０として、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、及びシロキサン樹脂などの樹脂層が用いられる。接着層４４０として樹脂層が用いられる場合、例えば接着層４４０にレーザ照射を行うことで、支持基板４５０と接着層４４０とを分離することができる。接着層４４０として、樹脂層以外に金属層、酸化金属層、又は無機絶縁層などの無機層が用いられてもよい。
　図１１に示す状態で、保持枠３３０をマスクとして接着層４４０をエッチングする。接着層４４０のエッチングはウェットエッチングによって行われる。ただし、接着層４４０のエッチングはドライエッチングによって行われてもよい。この接着層４４０のエッチングの後に支持基板４５０を接着層４４０から剥離することで、図１２に示すような構成が得られる。接着層４４０は保持枠３３０の第２面３３３を覆っている。平面視において、保持枠３３０及び接着層４４０は略同一のパターンである。ただし、上記の接着層４４０のエッチングによって、保持枠３３０の第２面３３３の端部は接着層４４０から露出されていてもよい。
　次に、図１３に示すように、保持枠３３０の第１面３３１側に、接着層４６０を用いて支持基板４７０を貼り付ける。接着層４６０は弾性を有している。したがって、図１３に示すように、接着層４６０は剥離層４２０の下面４２１だけでなく剥離層４２０の側面４２３にも接するように貼り付けられる。図１３では、接着層４６０は、剥離層４２０から露出された保持枠３３０の第１面３３１にも貼り付けられている。接着層４６０は導電性を有していてもよいが、絶縁性であってもよい。
　図１３では、接着層４６０が保持枠３３０の第１面３３１の一部に貼り付けられた構成を例示したが、この構成に限定されない。例えば、接着層４６０と保持枠３３０との間に間隙がある状態で接着層４６０及び支持基板４７０が保持枠３３０に貼り付けられた場合であっても、保持枠３３０と接着層４６０との間の距離が剥離層４２０の厚さよりも小さければよい。換言すると、接着層４６０及び支持基板４７０が保持枠３３０に貼り付けられた状態において、接着層４６０が剥離層４２０の側面４２３の一部に接していればよい。特に、この状態において、接着層４６０が剥離層４２０の側面４２３のうち下面４２１側の領域に接していればよい。
　次に、図１３に示す状態で接着層４６０をエッチングすることで、図１４に示す状態が得られる。接着層４６０のエッチングはウェットエッチングによって行われる。図１３に示す状態で接着層４６０をウェットエッチングすると、接着層４６０は、接着層４６０と保持枠３３０の第１面３３１とが接触した端部４６１からエッチングされる。接着層４６０のエッチングは、端部４６１から接着層４６０の膜厚方向及び第１面３３１に平行な方向に進行する。その結果、図１４に示すように、接着層４６０及び剥離層４２０によって階段状の構造体が形成される。つまり、接着層４６０の上面４６５の一部が剥離層４２０から露出された構成が得られる。接着層４６０は保持枠３３０と支持基板４７０とを接着する層であるが、後の工程で、支持基板４７０を保持枠３３０から剥離するための層である。接着層４６０を「第２剥離層」という場合がある。
　接着層４６０をウェットエッチングでエッチングする場合、保持枠３３０の第２面３３３に設けられた接着層４４０がエッチングされないように工夫する必要がある。例えば、接着層４６０のエッチングの前に接着層４４０を硬化してもよい。又は、接着層４４０として、接着層４６０のエッチャントに対するエッチング耐性が高い材料を用いてもよい。接着層４４０及び接着層４６０の各々として、異なる材料が用いられることで、例えば、接着層４４０及び接着層４６０を１回の硬化処理（例えば熱処理）で硬化することができる。
　次に、接着層４６０から支持基板４７０を剥離することで、図１５に示す構成が得られる。図１５の状態において、保持枠３３０の仮想端部４０９から接着層４６０の端部までの距離（ｄ４）及び仮想端部４０９から剥離層４２０の端部までの距離（ｄ５）が、接着層４６０の下面４６３から保持枠３３０に向かって徐々に大きくなっている。図１５の状態では、接着層４６０の側面と仮想端部４０９までの距離は接着層４６０の厚さ方向に一定であり、剥離層４２０の側面と仮想端部４０９までの距離は剥離層４２０の厚さ方向に一定である構成を例示したが、この構成に限定されない。例えば、接着層４６０の側面と仮想端部４０９との距離が、接着層４６０の厚さ方向に一定ではない場合、接着層４６０の下面４６３から保持枠３３０に向かって、接着層４６０の側面と仮想端部４０９との距離が徐々に大きくなっていればよい。同様に、剥離層４２０の側面と仮想端部４０９との距離が、剥離層４２０の厚さ方向に一定ではない場合、接着層４６０から保持枠３３０に向かって、剥離層４２０の側面と仮想端部４０９との距離が徐々に大きくなっていればよい。
　図１５に示す状態を形成した後に、開口３１１、３１５が設けられたマスク本体３１０を接着層４６０に貼り付ける（図１６参照）。図示しないが、この工程においてマスク本体３１０は支持基板に貼り付けられた状態で接着層４６０に貼り付けられる。マスク本体３１０は導電性を有していてもよいが、前述しためっき工程の際に、接続部材３５０を成長させるためにマスク本体３１０を介することなく通電する手段があれば、マスク本体３１０は絶縁性であってもよい。マスク本体３１０は引っ張られた状態で支持基板に貼り付けられている。つまり、マスク本体３１０に引張応力が発生した状態で、マスク本体３１０が支持基板に貼り付けられている。マスク本体３１０の保持枠３３０側の面にはレジストマスク４８０が形成されている。レジストマスク４８０は、マスク本体３１０の内部の領域に設けられている。レジストマスク４８０は、開口３１１が設けられた領域にも形成されている。一方で、レジストマスク４８０は開口３１５が形成された領域を露出する。レジストマスク４８０は、この後の工程で接続部材３５０が形成される領域以外の領域を保護するために設けられる。
　図１６に示す状態で、少なくともマスク本体３１０に通電する電解めっき法（又は、電鋳めっき法）によって、図１７に示すように接続部材３５０を形成することができる。つまり、接続部材３５０はめっき層である。接続部材３５０は、剥離層４２０から露出された保持枠３３０の第１面３３１の一部、剥離層４２０の側面４２３、剥離層４２０から露出された接着層４６０の上面４６５の一部、接着層４６０の側面４６７、保持枠３３０の第３面３３５、及びマスク本体３１０の表面に接している。この状態において、接続部材３５０と保持枠３３０との間には、剥離層４２０及び接着層４６０は設けられていない。換言すると、図１７の状態において、保持枠３３０の鉛直下方において、接続部材３５０と保持枠３３０との間には、その後の工程で剥離される部材（この例では、剥離層４２０及び接着層４６０）は設けられていない。つまり、接続部材３５０の上面３５７は保持枠３３０の第１面３３１に接している。
　接続部材３５０は必ずしも保持枠３３０に接している必要はなく、蒸着マスク３００の製造工程において保持枠３３０から剥離しない部材であれば、保持枠３３０の第１面３３１（接続部材３５０と保持枠３３０との間）に設けられていてもよい。
　電解めっき法によって接続部材３５０を形成する場合、保持枠３３０の第２面３３３には接着層４４０が設けられているため、保持枠３３０の第２面３３３側には接続部材３５０は形成されない。
　接続部材３５０は、無電解めっき法によって形成されてもよい。接続部材３５０はめっき層以外のものであってもよい。例えば、接続部材３５０は、はんだ又は樹脂などを含んでもよい。
　図１７に示す状態から、剥離層４２０、接着層４６０、及びマスク本体３１０の外側の領域を下方に剥がし、接着層４４０を上方に剥がすことで、図６に示す蒸着マスク３００を形成することができる。換言すると、剥離層４２０及び接着層４６０を除去して、保持枠３３０の第１面３３１を露出し、剥離層４２０及び接着層４６０と接して形成された接続部材３５０の表面を露出することで、蒸着マスク３００を形成することができる。上記の構成を有することで、図１７の状態において、剥離層４２０、接着層４６０、及びマスク本体３１０の外側の領域を下方に剥がす場合に、これらの部材は接続部材３５０に引っ掛かることなく下方に剥がされる。
［本発明に至る過程で確認された問題点］
　図２９及び図３０を用いて、本発明に至る過程で確認された問題点について説明する。以下に示す問題点は、本発明に至る過程において、発明者の鋭意研究によって新たに見出された課題であって、蒸着マスクの問題点として一般的に知られた問題点ではない。以下の説明において、上記の実施形態と同じ構成及び製造方法については、説明を省略する場合がある。
　図２９は、上記の実施形態の図１７に対応する図である。図３０は、上記の実施形態の図６に対応する図である。図２９に示す状態から、剥離層４２０Ｚ、接着層４６０Ｚ、及びマスク本体３１０Ｚの外側の領域を下方に剥がし、接着層４４０Ｚを上方に剥がすことで、図３０に示す蒸着マスク３００Ｚが形成される。
　本発明に至る前の蒸着マスク３００Ｚの製造方法では、例えば図７及び図８に示すように、剥離層４２０Ｚのパターニングは行われていなかった。したがって、保持枠３３０Ｚのパターニングの際に、剥離層４２０Ｚ及び保持枠３３０Ｚが同一のマスク（例えば、図９のレジストマスク４３０に対応するマスク）を用いて同一工程でエッチングされていた。その結果、図２９に示すように、剥離層４２０Ｚは保持枠３３０Ｚと同一のパターンを有していた。剥離層４２０Ｚ及び保持枠３３０Ｚが同一パターンを有しているため、剥離層４２０Ｚ上に接着層４６０Ｚを形成する際に、接着層４６０Ｚが剥離層４２０Ｚ及び保持枠３３０Ｚのパターンの内側方向にエッチングされ、図２９に示す構造となっていた。図２９の構造は、図１７の構造とは異なり、保持枠３３０Ｚの鉛直下方において、接続部材３５０Ｚの上面３５７Ｚと保持枠３３０Ｚの第１面３３１との間に剥離層４２０Ｚが設けられていた。
　図２９に示す状態から、剥離層４２０Ｚ、接着層４６０Ｚ、及びマスク本体３１０Ｚの外側の領域を下方に剥がすと、剥離層４２０Ｚの一部が接続部材３５０Ｚの上面３５７Ｚに引っ掛かってしまう場合がある。この引っ掛かりによって、接続部材３５０Ｚの上面３５７Ｚを含む領域が破壊されてしまう場合がある。図３０に示すように、接続部材３５０Ｚの一部が折れてしまうと、「バリ」が発生してしまう場合がある。「バリ」が発生すると、蒸着マスク３００Ｚを成膜対象の基板に密着させることができなくなる。そのため、蒸着物質が蒸着マスク３００Ｚの開口３１１Ｚ以外の領域にも形成されてしまう。つまり、蒸着物質の回り込みが発生してしまう。蒸着物質の回り込みが起きると、隣接する画素間の混色や発光ボケなどの問題が起きてしまう。
　一方で、上記の実施形態に係る蒸着マスク３００によると、蒸着マスク３００Ｚで発生していた「バリ」の発生を抑制することができる。その結果、蒸着物質の回り込みに起因する隣接する画素間の混色や発光ボケなどを抑制することができる。
〈第２実施形態〉
　図１８及び図１９を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクについて説明する。図１８は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。図１９は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。
　図１８及び図１９に示すように、蒸着マスク３００Ａは、格子状の保持枠３３０Ａの各々の窓の部分に接続部材３５０Ａ及びマスク本体３１０Ａが設けられている。各々のマスク本体３１０Ａには、複数の開口３１１Ａが設けられている。それぞれの開口３１１Ａは、図４及び図５の説明と同様、複数の開口３１１ｐＡが表示装置の画素ピッチに合わせて配列されている。図４及び図５では、保持枠３３０に１つの開口が設けられており、その開口の内部に接続部材３５０及びマスク本体３１０が設けられた構成を例示したが、上記のように、保持枠３３０Ａに複数の開口が設けられ、各々の開口の内部に接続部材３５０Ａ及びマスク本体３１０Ａが設けられてもよい。
〈第３実施形態〉
　本実施形態では、第１及び第２実施形態で説明した蒸着マスク３００、３００Ａを用いた薄膜形成法を応用した表示装置２００の製造方法について説明する。第３実施形態に係る表示装置２００として、それぞれ有機発光素子（以下、発光素子）を有する複数の画素が絶縁基板２０２上に形成された有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。第１及び第２実施形態で述べた内容については省略することがある。
［アレイ基板の構成］
　図２０は、本発明の一実施形態に係る表示装置の上面図である。表示装置２００は絶縁基板２０２を有し、その上に複数の画素２０４及び画素２０４を駆動するための駆動回路２０６（ゲート側駆動回路２０６ａ、ソース側駆動回路２０６ｂ）が設けられている。絶縁基板２０２は、例えば、ガラス基板や樹脂基板である。複数の画素２０４は周期的に配置され、これらによって表示領域２０５が定義される。後述するように、各画素２０４には発光素子２６０が設けられる。
　駆動回路２０６は、表示領域２０５の周囲の周辺領域に配置される。パターニングされた導電膜で形成されるさまざまな配線（図示しない）が、表示領域２０５及び駆動回路２０６から絶縁基板２０２の一辺へ延びている。これらの配線は、絶縁基板２０２の端部付近で表面に露出されることで、端子２０７が形成される。これらの端子２０７は図示しないフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ）と電気的に接続される。表示装置２００を駆動するための各種信号が端子２０７を介して駆動回路２０６及び画素２０４に入力される。図示しないが、駆動回路２０６とともに、あるいはその一部の代わりに集積回路を有する駆動ＩＣがさらに搭載されてもよい。
　図２１は、隣接する二つの画素２０４（２０４ａ及び２０４ｂ）にわたる断面模式図である。各画素２０４には画素回路が形成される。画素回路の構成は任意である。図２１では、画素回路として駆動トランジスタ２１０、保持容量２３０、付加容量２５０、及び発光素子２６０が示されている。
　画素回路に含まれる各素子はアンダーコート２０８を介して絶縁基板２０２の上に設けられる。駆動トランジスタ２１０は、半導体膜２１２、ゲート絶縁膜２１４、ゲート電極２１６、ソース電極２２０、及びドレイン電極２２２を含む。ゲート電極２１６は、ゲート絶縁膜２１４を介して半導体膜２１２の少なくとも一部と交差するように配置される。半導体膜２１２は、ドレイン領域２１２ａ、ソース領域２１２ｂ、及びチャネル２１２ｃを有する。チャネル２１２ｃは、半導体膜２１２とゲート電極２１６とが重なる領域である。チャネル２１２ｃはドレイン領域２１２ａとソース領域２１２ｂとの間に設けられる。
　容量電極２３２はゲート電極２１６と同一の層に存在し、ゲート絶縁膜２１４を介してドレイン領域２１２ａと重なる。ゲート電極２１６及び容量電極２３２の上には層間絶縁膜２１８が設けられる。層間絶縁膜２１８及びゲート絶縁膜２１４には、ソース領域２１２ｂ及びドレイン領域２１２ａに達する開口がそれぞれ形成されている。これらの開口の内部にソース電極２２０及びドレイン電極２２２が配置される。ドレイン電極２２２は、層間絶縁膜２１８を介して容量電極２３２と重なる。ドレイン領域２１２ａ、容量電極２３２、及びそれらの間のゲート絶縁膜２１４、並びに、容量電極２３２、ドレイン電極２２２、及びそれらの間の層間絶縁膜２１８によって保持容量２３０が形成される。
　駆動トランジスタ２１０及び保持容量２３０の上には平坦化膜２４０が設けられる。平坦化膜２４０は、ドレイン電極２２２に達する開口を有している。この開口と平坦化膜２４０の上面の一部を覆う接続電極２４２がドレイン電極２２２と接するように設けられる。平坦化膜２４０上には付加容量電極２５２が設けられている。接続電極２４２及び付加容量電極２５２を覆うように容量絶縁膜２５４が設けられている。容量絶縁膜２５４は、平坦化膜２４０の開口において接続電極２４２の一部を露出する。これにより、接続電極２４２を介し、発光素子２６０の画素電極２６２とドレイン電極２２２とが電気的に接続される。容量絶縁膜２５４には開口２５６が設けられている。容量絶縁膜２５４の上に設けられた隔壁２５８と平坦化膜２４０とは、開口２５６を介して接触する。この構成によって、開口２５６を通して平坦化膜２４０中の不純物を除去することができ、画素回路や発光素子２６０の信頼性を向上させることができる。なお、接続電極２４２や開口２５６の形成は任意である。
　容量絶縁膜２５４の上には、接続電極２４２及び付加容量電極２５２を覆うように、画素電極２６２が設けられる。容量絶縁膜２５４は付加容量電極２５２と画素電極２６２との間に設けられている。この構造によって付加容量２５０が構成される。画素電極２６２は、付加容量２５０及び発光素子２６０によって共有される。画素電極２６２の上には、画素電極２６２の端部を覆う隔壁２５８が設けられる。絶縁基板２０２及びアンダーコート２０８から隔壁２５８までの構造をアレイ基板ということがある。アレイ基板は、公知の材料及び公知の方法を適用して製造することができるため、その説明は省略する。
［発光素子２６０の構成］
　図２１に示すように、発光素子２６０は、画素電極２６２、ＥＬ層２６４、及び対向電極２７２を含む。ＥＬ層２６４及び対向電極２７２は、画素電極２６２及び隔壁２５８を覆うように設けられている。図２１に示す例では、ＥＬ層２６４は、ホール注入層及びホール輸送層２６６、発光層２６８（発光層２６８ａ、２６８ｂ）、及び電子注入層及び電子輸送層２７０を有している。ホール注入層及びホール輸送層２６６、並びに、電子注入層及び電子輸送層２７０は複数の画素２０４に共通に設けられ、複数の画素２０４に共有される。同様に、対向電極２７２は複数の画素２０４を覆い、複数の画素２０４によって共有される。一方、発光層２６８は各画素２０４に対して個別に設けられている。
　画素電極２６２、対向電極２７２、及びＥＬ層２６４の各々の構造及び材料としては、公知のものを適用することができる。例えばＥＬ層２６４は、上記の構成以外にホールブロック層、電子ブロック層、及び励起子ブロック層など、さまざまな機能層を有していてもよい。
　ＥＬ層２６４の構造は、複数の画素２０４間で同一でも良く、隣接する画素２０４間で構造の一部が異なっていてもよい。例えば隣接する画素２０４間で発光層２６８の構造又は材料が異なり、他の層は同一の構造を有するよう、画素２０４が構成されていてもよい。
［発光素子２６０の形成方法］
　ＥＬ層２６４及び対向電極２７２は、第１及び第２実施形態の蒸着マスクを用いて形成することができる。以下、図２２～図２８を用いてＥＬ層２６４及び対向電極２７２の形成方法を説明する。これらの図ではＥＬ層２６４及び対向電極２７２が隔壁２５８及び画素電極２６２の上に形成されている。しかし、ＥＬ層２６４及び対向電極２７２の蒸着時には、絶縁基板２０２の下に蒸着源１１２が配置され、蒸着領域が蒸着源１１２に対面するように絶縁基板２０２が配置される。つまり、隔壁２５８や画素電極２６２が絶縁基板２０２よりもより蒸着源１１２に近くなるように配置される。
　図２２及び図２３に示すように、アレイ基板上にホール注入層及びホール輸送層２６６を蒸着法を用いて形成する。ホール注入層及びホール輸送層２６６は全ての画素２０４によって共有される。したがって、ホール注入層及びホール輸送層２６６の蒸着に用いられる蒸着マスク３００は、表示領域２０５全体と重なる一つの開口３１１を有する。詳細は省略するが、この開口３１１が表示領域２０５と重なるように、アレイ基板と蒸着源１１２との間に蒸着マスク３００を配置し、ホール注入層及びホール輸送層２６６に含まれる材料を蒸着源１１２において気化させることで、ホール注入層及びホール輸送層２６６が形成される。
　次に、ホール注入層及びホール輸送層２６６の上に発光層２６８を形成する。フルカラー表示を行う場合、表示領域２０５には赤色に発光する画素２０４ａ、青色に発光する画素２０４ｂ、及び緑色に発光する画素２０４ｃがそれぞれ複数配置される。画素２０４ａ、２０４ｂ、及び２０４ｃを特に区別しない場合、単に画素２０４という。画素２０４がマトリクス状に配列される場合、通常、発光色の異なる画素２０４が順に周期的に配列される。発光層２６８は発光色ごとに、異なる工程で形成される。例えば、赤色発光する画素２０４ａを形成する場合、図２４に示すように、蒸着マスク３００（マスク本体３１０）の開口３１１が画素２０４ａと重なり、非開口部が画素２０４ｂ及び２０４ｃと重なるよう、蒸着マスク３００が配置される。
　このように、開口３１１が画素２０４ａと重なり、非開口部が他の画素２０４ｂ及び２０４ｃと重なる位置で、開口３１１が設けられた蒸着マスク３００を、その下面１４８が上面１５０よりも絶縁基板２０２に近くなるように配置し（図２４及び図２５）、画素２０４ａに発光層２６８ａの材料を蒸着する。これにより、画素２０４ａの画素電極２６２の上に発光層２６８ａが選択的に形成される（図２６）。図２６では、蒸着時に蒸着マスク３００（マスク本体３１０）がホール注入層及びホール輸送層２６６に接するように配置されているが、蒸着マスク３００は隔壁２５８と接するように配置されてもよく、隔壁２５８やホール注入層及びホール輸送層２６６から離れて配置されてもよい。
　次に、発光層２６８ａの形成と同様に、発光層２６８ｂが形成される。図２７及び図２８に示すように、開口３１１が画素２０４ｂと重なり、非開口部が他の画素２０４ａ及び２０４ｃと重なる位置で、蒸着マスク３００を、その下面１４８が上面１５０よりも絶縁基板２０２に近くなるように配置し（図２７）、画素２０４ｂに発光層２６８ｂの材料を蒸着する。これにより、画素２０４ｂの画素電極２６２の上に発光層２６８ｂが選択的に形成される（図２８）。画素２０４ｃ上における発光層２６８ｃの形成も同様の方法で行われる。
　次に、電子注入層及び電子輸送層２７０及び対向電極２７２を形成する。電子注入層及び電子輸送層２７０及び対向電極２７２は全ての画素２０４によって共有されるため、ホール注入層及びホール輸送層２６６の蒸着と同様の蒸着マスク３００を用いて形成することができる。これにより、図２１に示した構造を得ることができる。図示しないが、対向電極２７２の上に、発光層２６８からの光を調整する光学調整層及び偏光板が設けられてもよい。また、対向電極２７２の上に、発光素子２６０を保護するための保護膜及び対向基板が設けられてもよい。
　本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の蒸着マスク又はその製造方法を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
　本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
　上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
１０：蒸着装置、　１００：蒸着チャンバ、　１０２：ロードロック扉、　１０４：被蒸着基板、　１０８：ホルダ、　１１０：移動機構、　１１２：蒸着源、　１１４：シャッタ、　１２０：収納容器、　１２２：加熱部、　１２４：蒸着ホルダ、　１２６：ヒータ、　１２８：金属板、　１３０：開口部、　１３２：ガイド板、　１４８：下面、　１４９：第３面、　１５０：上面、　１６０ａ、１６０ｂ：臨界面、　２００：表示装置、　２０２：絶縁基板、　２０４：画素、　２０５：表示領域、　２０６：駆動回路、　２０７：端子、　２０８：アンダーコート、　２１０：駆動トランジスタ、　２１２：半導体膜、　２１２ａ：ドレイン領域、　２１２ｂ：ソース領域、　２１２ｃ：チャネル、　２１４：ゲート絶縁膜、　２１６：ゲート電極、　２１８：層間絶縁膜、　２２０：ソース電極、　２２２：ドレイン電極、　２３０：保持容量、　２３２：容量電極、　２４０：平坦化膜、　２４２：接続電極、　２５０：付加容量、　２５２：付加容量電極、　２５４：容量絶縁膜、　２５６：開口、　２５８：隔壁、　２６０：発光素子、　２６２：画素電極、　２６４：ＥＬ層、　２６６：ホール注入・輸送層、　２６８：発光層、　２７０：電子注入・輸送層、　２７２：対向電極、　３００：蒸着マスク、　３１０：マスク本体、　３１１、３１５：開口、　３１３：第２外縁、　３３０：保持枠、　３３１：第１面、　３３３：第２面、　３３５：第３面、　３５０：接続部材、　３５３：第１外縁、　３５７：上面、　４０５、４０７：端部、　４０９：仮想端部、　４１０：レジストマスク、　４１１：開口、　４２０：剥離層、　４２１：下面、　４２３：側面、　４３０：レジストマスク、　４４０、４６０：接着層、　４５０：支持基板、　４６１：端部、　４６３：下面、　４６５：上面、　４７０：支持基板、　４８０：レジストマスク

Claims (9)

  1. 　複数の開口が設けられた、薄膜状のマスク本体と、
    　前記マスク本体の周囲に設けられた保持枠と、
    　前記マスク本体と前記保持枠とを接続する接続部材と、を有し、
    　平面視で、前記保持枠に接する領域における前記接続部材の第１外縁は、前記接続部材に接する前記マスク本体の第２外縁よりも外側にあり、
    　断面視で、前記第１外縁から前記第２外縁までの間、前記接続部材の表面は、徐々に前記第２外縁に近づく、蒸着マスク。
  2. 　断面視で、前記接続部材の表面は、前記第１外縁から前記第２外縁に向かう階段状である、請求項１に記載の蒸着マスク。
  3. 　断面視で、前記第１外縁から前記第２外縁までの間、前記接続部材の表面は、前記第２外縁側から前記第１外縁側に向かって突出しない、請求項１に記載の蒸着マスク。
  4. 　前記接続部材は、めっき層である、請求項１に記載の蒸着マスク。
  5. 　複数の開口が設けられたマスク本体を用意し、
    　第１面と、前記第１面に対向する第２面とを有する保持枠の前記第１面上に、前記第１面の一部を露出するように第１剥離層を形成し、
    　前記第１剥離層上に、その一部を前記第１剥離層から露出するように第２剥離層を形成し、
    　前記保持枠の前記第１面と前記第２面との間の第３面、前記第１剥離層の側面、前記第２剥離層の側面、及び前記マスク本体に接するように接続部材を形成し、
    　前記第１剥離層及び前記第２剥離層を除去して、前記保持枠の第１面と、前記第１剥離層及び前記第２剥離層に接して形成された前記接続部材の表面と、を露出する、蒸着マスクの製造方法。
  6. 　平面視で、前記保持枠に接する領域における前記接続部材の第１外縁は、前記接続部材に接する前記マスク本体の第２外縁よりも外側にあり、
    　断面視で、前記第１外縁から前記第２外縁までの間、前記接続部材の表面は、徐々に前記第２外縁に近づく、請求項５に記載の蒸着マスクの製造方法。
  7. 　断面視で、前記接続部材の表面は、前記第１外縁から前記第２外縁に向かう階段状である、請求項６に記載の蒸着マスクの製造方法。
  8. 　断面視で、前記第１外縁から前記第２外縁までの間、前記接続部材の表面は、前記第２外縁側から前記第１外縁側に向かって突出しない、請求項６に記載の蒸着マスクの製造方法。
  9. 　前記接続部材は、電解めっき法により形成される、請求項５に記載の蒸着マスクの製造方法。
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