JP2009087840A - 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機el素子、電子機器 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 112
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 104
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】金属材料を用いてマスクの厚さを薄くする場合、精密なパターンに対して蒸着を行う場合には、マスクの撓みを抑制すべくマスクに張力を与える必要がある。この張力により、マスクを使う毎にマスク形状が変形し、精密な形状を有するマスク形状を維持していくことが困難となるという課題がある。また、単結晶シリコンを用いる場合、単結晶シリコンは脆い材質である。そのため単結晶シリコンを薄く形成すると、機械的に弱くなり、破損を防ぐことが困難となるという課題がある。
【解決手段】第1テーパー部103の上に支持部104、第2テーパー部105、頂部平坦部106を配置する。支持部104、第2テーパー部105、頂部平坦部106により、第1テーパー部103が補強されるため、パターン分離部102の強度を保った状態で第1テーパー部103を薄くできるため、材料効率が高くなり、かつ蒸着膜厚の面内均一性を向上することができる。
【選択図】図1
【解決手段】第1テーパー部103の上に支持部104、第2テーパー部105、頂部平坦部106を配置する。支持部104、第2テーパー部105、頂部平坦部106により、第1テーパー部103が補強されるため、パターン分離部102の強度を保った状態で第1テーパー部103を薄くできるため、材料効率が高くなり、かつ蒸着膜厚の面内均一性を向上することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機EL素子、電子機器に関する。
有機EL装置の画素電極や共通電極、発光層などは、例えば、真空蒸着装置を用いた蒸着法によって形成することができる。真空蒸着装置は、例えば、真空チャンバの下側に膜の材料が貯留された蒸着源が配置され、真空チャンバの上側にメタルマスクと被成膜基板とが密着されて配置された構造となっている。そして、蒸着源から蒸発した膜材料粒子がメタルマスクに形成された開口孔を通過して被成膜基板に蒸着する。
有機ELディスプレイ基板の形成等、微細なパターンを要する構造を形成するためのマスクとしては、加工の容易さや、強度的に優れていることから、ステンレス等の金属材料や、単結晶シリコン等が主として用いられる。この場合、マスクの層厚が厚すぎる場合には、マスクの一部を構成するパターン分離部の側面に蒸着粒子が付着してしまう。その結果、被蒸着基板上へのパターン形成に対する材料効率はパターン分離部形状に依存し、蒸着層の厚さに分布が生じ、さらに蒸着層の厚さが減少してしまう。そのため、層厚再現性が低下し、層厚分布が発生するため、不良品の発生率が上昇してしまう。また、材料効率の低下に伴い、蒸着源の消耗が多くなり、コスト上昇も招いてしまう。そのため、本来入射されるべき蒸着粒子のマスクへの付着を抑制するべく、マスクの厚さを薄くするようマスク材を加工する技術が知られている。
また、特許文献1に示されるように、マスクパターンの開口部がマスクに対して垂直になるよう、マスクを形成し、基板上へのパターン転写を少ない歪みで抑える方法が知られている。
また、特許文献2に示されるように、マスクパターンの開口部周辺をテーパー状に薄層化し、被蒸着基板上へのパターン転写を、蒸着粒子の損失を少なく抑えて行う方法が知られている。
また、特許文献1に示されるように、マスクパターンの開口部がマスクに対して垂直になるよう、マスクを形成し、基板上へのパターン転写を少ない歪みで抑える方法が知られている。
また、特許文献2に示されるように、マスクパターンの開口部周辺をテーパー状に薄層化し、被蒸着基板上へのパターン転写を、蒸着粒子の損失を少なく抑えて行う方法が知られている。
金属材料を用いてマスクの厚さを薄くする場合、精密なパターンに対して蒸着を行う場合には、マスクの撓みを抑制すべくマスクに張力を与える必要がある。この張力により、マスクを使う毎にマスク形状が変形し、精密な形状を有するマスク形状を維持していくことが困難となるという課題がある。
また、単結晶シリコンを用いる場合には、張力を与える必要はないが、単結晶シリコンは脆い材質である。そのため単結晶シリコンを薄く形成すると、機械的に弱くなり、破損を防ぐことが困難となるという課題がある。同様に特許文献1に示されるように、マスクパターンの開口部がマスクに対して垂直となるよう形成した場合でも、マスクの厚さを薄くする必要があり、やはり破損を防ぐことが困難になるという課題がある。
また、特許文献2に示すようにマスクパターンの開口部をテーパー状に薄層化する場合、厚さの薄い開口部周辺はさらに薄くなり、機械的強度を保つことが困難であるという課題がある。
また、特許文献2に示すようにマスクパターンの開口部をテーパー状に薄層化する場合、厚さの薄い開口部周辺はさらに薄くなり、機械的強度を保つことが困難であるという課題がある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態又は適用例として実現することが可能である。なお、便宜上、蒸着マスクの第1面側(被蒸着基板が配置される側)側から第2面側に向かう方向を「上」として定義する。
[適用例1]本適用例にかかる蒸着マスクは、層形成物質の通過領域を規定する蒸着マスクであって、前記蒸着マスクの、前記層形成物質が堆積される被蒸着基板と対向する第1面側は、複数の開口部を含む形状を有しており、前記蒸着マスクの、層形成物質が飛来してくる方向に位置する第2面側に、複数の前記開口部の間に位置する、前記蒸着マスクに対して順テーパー形状を有する第1テーパー部と、前記第1テーパー部と比べ、前記蒸着マスクの法線となす角度が小さい形状を有し、平面視にて前記第1テーパー部内に設けられる支持部と、前記支持部と比べ、前記蒸着マスクの法線とがなす角度が大きく、平面視にて前記支持部内に設けられる第2テーパー部と、前記第2テーパー部に挟まれ、前記蒸着マスクと並行する方向に平坦部を有する頂部平坦部と、を含むパターン分離部を前記第2面側の少なくとも一部に有することを特徴とする。
この適用例によれば、被蒸着基板に層形成物質を供給する開口部に第1テーパー部が配置されている。そのため、パターン分離部の影の影響が抑えられ、従来技術と比べ層形成物質が被蒸着基板に効率的かつ均一に供給される。従って、層形成物質の供給を受けて被蒸着基板に形成される層の厚さの均一性を向上させることができる。また、層形成物質が効率的に被蒸着基板に供給されるため、層形成物質の消耗を抑えることが可能となる。
また、テーパー形状を支えるための支持部が配置され、さらに支持部の上側に第2テーパー部が配置されているため、層形成物質は支持部の影による影響が抑えられた状態で供給される。そのため、層形成物質を効率的に供給し、かつ機械的強度に優れ信頼性の高い蒸着マスクを提供することが可能となる。
また、テーパー形状を支えるための支持部が配置され、さらに支持部の上側に第2テーパー部が配置されているため、層形成物質は支持部の影による影響が抑えられた状態で供給される。そのため、層形成物質を効率的に供給し、かつ機械的強度に優れ信頼性の高い蒸着マスクを提供することが可能となる。
[適用例2]上記適用例にかかる蒸着マスクは、前記パターン分離部の前記頂部平坦部に代えて、前記第2テーパー部同士が繋がる形状を前記第2面側の少なくとも一部に有することを特徴とする。
上記した適用例によれば、パターン分離部は支持部の上側に位置する第2テーパー部が接続された構造を有することとなる。第2テーパー部が接続された形状をとることで、より狭い開口部間隔に対して第1テーパー部と支持部を形成することが可能となり、層形成物質を効率的に供給し、かつ機械的強度に優れ信頼性の高い蒸着マスクを微細化に対応させた状態で提供することが可能となる。
[適用例3]上記適用例にかかる蒸着マスクであって、前記パターン分離部は、前記第2テーパー部に代えて、前記支持部と比べ頂部が細い形状を有することを特徴とする。
上記した適用例によれば、支持部の頂部が、支持部と比べ細い形状を有している。そのため、支持部の影の発生が抑えられ、層形成物質を従来技術と比べ効率的に供給することができる。また、支持部を有しているため、機械的強度にも優れた蒸着マスクを提供することが可能となる。
[適用例4]本適用例にかかる蒸着マスクの製造方法は、層形成物質の通過領域を制御する蒸着マスクの製造方法であって、前記蒸着マスクが形成されるマスク基板の、被蒸着基板と対向する第1面側に、第1エッチング阻止パターンを形成する工程と、前記第1エッチング阻止パターンをエッチングマスクとして前記マスク基板を、前記マスク基板の法線と並行する方向にエッチングを行う工程と、前記マスク基板の前記第1面側と対向する第2面側と、前記第1面側と、にエッチング保護層を形成する工程と、前記マスク基板の前記第2面側に位置する前記エッチング保護層の一部を開口し第2エッチング阻止パターンを形成する工程と、前記第2面側から、前記第1面側に位置する前記第2エッチング阻止パターンに届く深さまでエッチングを行う工程と、前記第2エッチング阻止パターンを除去する工程と、異方性ウェットエッチングを行い、前記マスク基板に対して順テーパー形状を有する第1テーパー部と、前記第1テーパー部と比べ、前記蒸着マスクの法線となす角度が小さい形状を有し、前記第1テーパー部内に設けられる支持部と、前記支持部と比べ、前記マスク基板の法線とがなす角度が大きく、平面視にて前記支持部内に設けられる第2テーパー部と、前記第2テーパー部に挟まれ、前記マスク基板と並行する方向に平坦部を有する頂部平坦部とを含むパターン分離部を同時に形成する工程と、を含むことを特徴とする。
この適用例によれば、被蒸着基板に層形成物質を供給する開口部に第1テーパー部が形成される。そのため、パターン分離部の影の影響が抑えられ、従来技術と比べ層形成物質が被蒸着基板に効率的かつ均一に供給されるパターンが得られる。従って、層形成物質の供給を受けて被蒸着基板に形成される層の厚さの均一性を向上させうる蒸着マスクを製造することができる。
また、テーパー形状を支えるための支持部が形成され、さらに支持部の上側に第2テーパー部が形成されているため、層形成物質が支持部の影による影響が抑えられた状態で供給し得る構造を得ることができる。そのため、層形成物質を効率的に供給し、かつ機械的強度に優れ信頼性の高い蒸着マスクの製造方法を提供することが可能となる。
また、テーパー形状を支えるための支持部が形成され、さらに支持部の上側に第2テーパー部が形成されているため、層形成物質が支持部の影による影響が抑えられた状態で供給し得る構造を得ることができる。そのため、層形成物質を効率的に供給し、かつ機械的強度に優れ信頼性の高い蒸着マスクの製造方法を提供することが可能となる。
[適用例5]上記適用例にかかる蒸着マスクの製造方法は、前記パターン分離部の前記頂部平坦部に代えて、前記第2テーパー部同士が繋がる形状を前記第2面側の少なくとも一部に形成することを特徴とする。
上記した適用例によれば、パターン分離部は支持部の上側に位置する第2テーパー部が接続された構造が形成される。第2テーパー部が接続された形状をとることで、より狭い開口部間隔に対して第1テーパー部と支持部を形成することが可能となり、層形成物質を効率的に供給し、かつ機械的強度に優れ信頼性の高い蒸着マスクの製造方法を微細化に対応させた状態で提供することが可能となる。
[適用例6]上記適用例にかかる蒸着マスクの製造方法は、前記マスク基板は単結晶シリコンであり、前記第1テーパー部、前記支持部、前記第2テーパー部、及び前記頂部平坦部は単結晶シリコンの面方位に依存する選択エッチングを用いて形成する工程を含むことを特徴とする。
上記した適用例によれば、単結晶シリコンの面方位に依存するエッチング工程で第1テーパー部、第2テーパー部が形成される。単結晶シリコンの面方位に依存するエッチング工程を用いることで第1テーパー部、第2テーパー部の形状を再現性良く形成することが可能となり、再現性高く蒸着マスクを製造し得る製造工程を提供することが可能となる。
[適用例7]上記適用例にかかる蒸着マスクの製造方法は、前記マスク基板の加工に用いられる前記第1エッチング阻止パターン及び前記第2エッチング阻止パターンは単結晶シリコンを熱酸化法で酸化して得られる酸化シリコン層であることを特徴とする。
上記した適用例によれば、容易かつ強固で高い密着性を有する熱酸化法を用いて第1エッチング阻止パターン及び第2エッチング阻止パターンを形成している。そのため、第1エッチング阻止パターン及び第2エッチング阻止パターンと基板との密着性が悪い場合に生じる、異常エッチングの発生を防止することが可能となり、再現性高く蒸着マスクを製造し得る製造工程を提供することが可能となる。
[適用例8]本適用例にかかる有機EL素子は、上記記載の蒸着マスクを用いて製造されることを特徴とする。
この適用例によれば、蒸着マスクの機械的強度を落とさず、かつ蒸着粒子がパターン分離部の側面に照射されることによる損失を抑えることで、蒸着源から被蒸着基板に照射される蒸着粒子を効率良く付着させることが可能となる。
[適用例9]本適用例にかかる電子機器は、上記記載の有機EL素子を含むことを特徴とする。
この適用例によれば、従来技術と比べ有機EL素子を構成する活性部の層厚むらが抑えられ、色再現性が高く発光効率が高い電子機器を得ることができる。
(第1の実施形態:蒸着マスクの構造)
以下、本実施形態について図面を用いて説明する。
図1(a)は、蒸着マスクを被蒸着基板101から遠い面側から見た平面図、(b)は(a)のA−A’線における蒸着マスクの断面図、(c)は(a)のB−B’線における蒸着マスクの断面図であり、図1(a)では便宜上、R(赤),G(緑),B(青)の画素が当該順に配列される方向をX方向、Rが整列する列、Gが整列する列、Bが整列する列が当該順に配列されている方向をY方向として示している。蒸着マスク100には、パターン分離部102に挟まれるように開口部107が配置されている。開口部107の寸法は、X方向の開口部107間の間隔は90μm、開口部107のX方向の寸法は50μmであり、Y方向の開口部107間の間隔は30μm、開口部107のX方向の寸法は100μmである。開口部107のX方向の間隔とY方向の間隔とは3倍程度異なっている。
以下、本実施形態について図面を用いて説明する。
図1(a)は、蒸着マスクを被蒸着基板101から遠い面側から見た平面図、(b)は(a)のA−A’線における蒸着マスクの断面図、(c)は(a)のB−B’線における蒸着マスクの断面図であり、図1(a)では便宜上、R(赤),G(緑),B(青)の画素が当該順に配列される方向をX方向、Rが整列する列、Gが整列する列、Bが整列する列が当該順に配列されている方向をY方向として示している。蒸着マスク100には、パターン分離部102に挟まれるように開口部107が配置されている。開口部107の寸法は、X方向の開口部107間の間隔は90μm、開口部107のX方向の寸法は50μmであり、Y方向の開口部107間の間隔は30μm、開口部107のX方向の寸法は100μmである。開口部107のX方向の間隔とY方向の間隔とは3倍程度異なっている。
X方向に対しては、図1(b)に示すように2段のテーパー部を有するパターン分離部102が配置される。第1テーパー部103が蒸着マスク100となす角度は、例えば54.7°であり、高い強度を保っている。そのため、変形あるいは破損という不良発生を抑制し、かつ層形成物質で構成された、または層形成物質を含む蒸着源(図示せず)からの蒸着粒子がパターン分離部102の側面に付着されることで生じる材料効率の低下や、材料効率の面内分布の発生(形成される層のばらつき)が抑えられる。そのため、面内均一性の高い蒸着層を得ることが可能となる。また、材料効率の低下が抑えられることから蒸着処理に要する層形成時間を短縮することができ、生産性を向上させることが可能となる。さらに、蒸着源の消耗が抑えられることから、少ない量の蒸着源で層形成物質で構成された蒸着層を形成することが可能となり、コスト的にも有利になる。
そして、第1テーパー部103の上に配置される支持部104は、蒸着マスク100となす角θ1が第1テーパー部103よりも大きな角θ2をなすよう配置される。そして、支持部104よりも上には、支持部104と蒸着マスク100とがなす角θ1が支持部104よりも大きな角θ3をなすよう第2テーパー部105が配置されている。第2テーパー部105を配置することで、パターン分離部102の上側に位置するパターン分離部102の角での蒸着粒子の損失を防止することができる。
また、パターン分離部102同士の距離が離れている場合には、第2テーパー部105により挟まれ、蒸着マスク100と並行する方向に平坦部を有する頂部平坦部106が配置される。特に、パターン分離部102の幅が広い場合にこの構造は好ましい。第2テーパー部105は、パターン分離部102の側面に蒸着粒子が付着することで発生する材料効率の低下を防止するために設けられており、パターン分離部102の幅が広い場合には、パターン分離部102の周辺にのみテーパー形状を有することでパターン分離部102の角での蒸着粒子の損失を防止できる。そして、頂部平坦部106を含むことで、パターン分離部102の機械的強度を向上させることができ、より信頼性の高い蒸着マスク100を得ることができる。
ここで、隣接する開口部間の隙間が大きい場合には、上記した頂部平坦部106と第2テーパー部105を有する構造を配置することができるが、ある程度以上隙間が小さくなる場合、頂部平坦部106と第2テーパー部105を有するパターン分離部102を配置することは困難となる。具体的には図1(a)に示すように、一例として例えば、Y方向に関してはR同士が隣接する構造を有する状況で発生する。この場合には、頂部平坦部106と第2テーパー部105を有するパターン分離部102に代えて、図1(c)に示される1段の第1テーパー部103Aにより構成される三角形形状を有するパターン分離部102Aを配置することが必要となる。
この場合でも、X方向には想像線で示されるよう、R,(G,B)、R,・・・と配置される。そのためRと隣接する別のRとの間には、G,Bが配置され、R同士の隙間は大きな値を有する(G,Bについても同様)。従って、X方向にはパターン分離部102を配置することが可能である。
ここで、図1(a)を再度参照すると、X方向には機械的強度が大きいパターン分離部102が配置され、機械的強度の弱い1段のテーパー部のみが配置されたY方向のパターン分離部102Aを補強する網目状の構造が配置される構造が配置されている。
そのため、機械的強度が強く、かつ蒸着源からの蒸着粒子に対してパターン分離部102及びパターン分離部102Aの側面に蒸着粒子が付着することで発生する材料効率の低下を防止することができる。
そのため、機械的強度が強く、かつ蒸着源からの蒸着粒子に対してパターン分離部102及びパターン分離部102Aの側面に蒸着粒子が付着することで発生する材料効率の低下を防止することができる。
(第1の実施形態に関する変形例)
以下、第1の実施形態の変形例について図面を用いて説明する。第1の実施形態では、パターン分離部102に第1テーパー部103、支持部104、第2テーパー部105及び頂部平坦部106を含む形状を持つ蒸着マスク100について説明したが、これは、パターン分離部102に代えて、図2(a)に示すように第2テーパー部105の頂部同士を結合させ、頂部平坦部106を省略した形状を有するパターン分離部102Bを用いても良い。特に、開口部107同士の距離が近くなり、パターン分離部102を形成することが困難となった場合にこの構造は好ましい。パターン分離部102Bを用いることで、パターン分離部102を配置するのが困難になった場合に対しても、機械的強度を確保し得る信頼性の高い蒸着マスク100を得ることができる。この場合でも、第1テーパー部103の上に配置される支持部104は、蒸着マスク100となす角θ1が第1テーパー部103よりも大きな角θ2をなすよう配置される。そして、支持部104よりも上には、支持部104と蒸着マスク100とがなす角θ1が支持部104よりも大きな角θ3をなすよう第2テーパー部105が配置されている。第2テーパー部105を配置することで、パターン分離部102の上側に位置するパターン分離部102の角での蒸着粒子の損失を防止することができる。
以下、第1の実施形態の変形例について図面を用いて説明する。第1の実施形態では、パターン分離部102に第1テーパー部103、支持部104、第2テーパー部105及び頂部平坦部106を含む形状を持つ蒸着マスク100について説明したが、これは、パターン分離部102に代えて、図2(a)に示すように第2テーパー部105の頂部同士を結合させ、頂部平坦部106を省略した形状を有するパターン分離部102Bを用いても良い。特に、開口部107同士の距離が近くなり、パターン分離部102を形成することが困難となった場合にこの構造は好ましい。パターン分離部102Bを用いることで、パターン分離部102を配置するのが困難になった場合に対しても、機械的強度を確保し得る信頼性の高い蒸着マスク100を得ることができる。この場合でも、第1テーパー部103の上に配置される支持部104は、蒸着マスク100となす角θ1が第1テーパー部103よりも大きな角θ2をなすよう配置される。そして、支持部104よりも上には、支持部104と蒸着マスク100とがなす角θ1が支持部104よりも大きな角θ3をなすよう第2テーパー部105が配置されている。第2テーパー部105を配置することで、パターン分離部102の上側に位置するパターン分離部102の角での蒸着粒子の損失を防止することができる。
また、図2(b)に示すように、支持部104の第2テーパー部105に代えて凸形状部108等、支持部104の角部を落とし、影の発生を抑える形状を配置しても良い。この形状を用いる場合、第2テーパー部105と同様に、パターン分離部102の角での蒸着粒子の損失を防止することができる。なお、この構造は例えば複数回のドライエッチング法を用いる等の手段で形成することができる。
また、第1テーパー部103と第2テーパー部105は直線的な構造や、滑らかな形状を持っても良い。さらに、多段の階段状(各段の寸法が異なっても良い)の形状を有していても良い。
(第2の実施形態:蒸着マスクの製造方法)
以下、本実施形態について図面を用いて説明する。図3(a)〜図3(e)、図4(a)〜図4(d)は図5のA−A’線に沿った上記した蒸着マスク100の製造方法について、一例を説明するための工程断面図である。そして図4(e)は図5のB−B’線に沿った方向での、(d)に対応する工程での断面図であり、三角形形状のパターン分離部102Aが形成される。そして、マスク基板110には、図5に示されるよう開口部107が形成される。
以下、本実施形態について図面を用いて説明する。図3(a)〜図3(e)、図4(a)〜図4(d)は図5のA−A’線に沿った上記した蒸着マスク100の製造方法について、一例を説明するための工程断面図である。そして図4(e)は図5のB−B’線に沿った方向での、(d)に対応する工程での断面図であり、三角形形状のパターン分離部102Aが形成される。そして、マスク基板110には、図5に示されるよう開口部107が形成される。
以下、図5のA−A’線に対して、図3(a)〜(e)、及び図4(a)〜(d)に示す工程断面図に従い、製造工程を説明する。なお、ここでは、被蒸着基板101(図1(b)参照)の近くに配置される面を第1面と定義する。
まず、図3(a)に示すように、面方位が(100)である単結晶シリコンを用いた、蒸着マスク100を作るためのマスク基板110を熱酸化し、厚さ1.5μm程度の層厚を有する酸化シリコン層を用いてなる第1エッチング阻止層前駆体302を第1面側及び第2面側に形成する。
次に、図3(b)に示すように、マスク基板110の第1面側にフォトリソグラフ・エッチング工程を行い、第1エッチング阻止パターン303を形成する。
次に、図3(c)に示すように、塩素系のエッチングガスを用いてマスク基板110をエッチングし、開口部107を形成する。エッチングには、例えば誘導結合プラズマ(ICP)装置を用いることができる。このエッチング処理としては、エッチングと、側壁保護層(図示せず)の形成と、を交互に行う、いわゆるボッシュプロセスを用いることが好適であり、垂直に近い断面形状を得ることが可能となる。エッチング深さとしては、例えば40μm程度の深さ程度にエッチングすることができる。
次に、図3(d)に示すように、マスク基板110を洗浄し、側壁保護層(図示せず)等を取り除いた後、例えば熱酸化法を用いて、エッチングにより形成・露出された開口部107を酸化シリコン層等を用いたエッチング保護層としての第2エッチング阻止層305で被覆する。第2エッチング阻止層305の厚さは、例えば0.5μm程度の値に設定することができる。
次に、図3(e)に示すように、マスク基板110の第2面側にフォトリソグラフ・エッチング工程を行い、第3エッチング阻止パターン306を形成する。
次に、図4(a)に示すように、ウェットエッチングを行う。ウェットエッチングには、例えば80℃のテトラメチル水酸化アンモニウム(以下、TMAHと呼ぶ)の25wt%水溶液を用いて、第1面側に作られた第2エッチング阻止層305が露出するようエッチングする。このエッチングは結晶方位に対して選択性を有しており、単結晶シリコンの(111)面を露出させるエッチング液である。
次に、図4(b)に示すように、第2エッチング阻止層305を除去する。第2エッチング阻止層305に酸化シリコン層を用いている場合には、緩衝フッ酸等を用い、時間制御で除去することができる。
次に、図4(c)に示すように、再びTMAHによるウェットエッチングを行う。この工程により、第1テーパー部103、支持部104、第2テーパー部105、頂部平坦部106と、を有するパターン分離部102が形成される。この場合には、TMAHによるウェットエッチングの面方位依存性を用いてエッチングを進めるため、第1テーパー部103、第2テーパー部105は54.7°の角度を持って形成される。そして、支持部104は図3(c)に示す工程で形成された、ほぼ垂直の形状を保つよう処理されている。
次に、図4(d)に示すように、マスク基板110に付着している第1エッチング阻止パターン303、第3エッチング阻止パターン306を除去することで、2段のテーパー部を含むパターン分離部102を有する蒸着マスク100が形成される。ここで第1エッチング阻止パターン303、第3エッチング阻止パターン306を除去する理由は、これらを構成する材質と、マスク基板110とは熱膨張率等が異なるため、反り等が発生する場合があるため、取り除いている。ここで、微細化がさらに進んだ場合、パターン分離部102に代えて図2(a)に示すように、第2テーパー部105の頂部同士を結合させ、頂部平坦部106を省略した形状を有するパターン分離部102Bを形成しても良い。
ここで、B−B’線方向の断面図を図4(e)に示す。図4(e)に示すように、B−B’線断面に示すよう、三角形形状を有するパターン分離部102Aが形成される。
前述したように、RGBが並ぶ方向では第1のRと第2のRとの間にGBが挟まれるためその間隔は大きくなり、パターン分離部102は第1テーパー部103、支持部104、第2テーパー部105、及び頂部平坦部106が形成される。一方、Rが連続(G,Bに着いても同様)する方向ではRR・・・と並ぶためその間隔は小さくなり、第1テーパー部103が繋がった三角形の形状を有するパターン分離部102Aが形成される。この場合には、上記したようにパターン分離部102によりパターン分離部102Aは補強されるため、材料効率が高く、かつ機械的強度が強く、より信頼性の高い蒸着マスク100を形成する工程を提供することができる。
(第2の実施形態に関する変形例)
以下、第2の実施形態の変形例について説明する。第2の実施形態では、TMAHによるエッチングを行ったが、これは、例えばKOH等の溶液を用いても良い。また、図3(e)に示す第1エッチング阻止パターン303、第3エッチング阻止パターン306には酸化シリコン層を用いているが、これは窒化シリコン層や、エッチング液に耐性を有する金属や絶縁体を用いても良い。
以下、第2の実施形態の変形例について説明する。第2の実施形態では、TMAHによるエッチングを行ったが、これは、例えばKOH等の溶液を用いても良い。また、図3(e)に示す第1エッチング阻止パターン303、第3エッチング阻止パターン306には酸化シリコン層を用いているが、これは窒化シリコン層や、エッチング液に耐性を有する金属や絶縁体を用いても良い。
(第3の実施形態:有機EL素子の製造方法)
以下、図6(a)〜(c)を用いて本実施形態にかかる有機EL素子の製造方法について説明する。ここでは、フルカラーの有機EL表示体に用いられる有機EL素子30を作成する際の製造工程として、R,G,B毎に真空蒸着法を用いて各色層を形成する工程について説明する。図6(a)〜(c)に用いられている蒸着マスク100(R,G,B)はそれぞれ、有機EL素子30(R,G,B)に対応する領域に、選択的に蒸着するマスクとして用いられている。
以下、図6(a)〜(c)を用いて本実施形態にかかる有機EL素子の製造方法について説明する。ここでは、フルカラーの有機EL表示体に用いられる有機EL素子30を作成する際の製造工程として、R,G,B毎に真空蒸着法を用いて各色層を形成する工程について説明する。図6(a)〜(c)に用いられている蒸着マスク100(R,G,B)はそれぞれ、有機EL素子30(R,G,B)に対応する領域に、選択的に蒸着するマスクとして用いられている。
まず、ガラスを用いた被蒸着基板101上に、トランジスタや保持容量、及びこれらの配線や駆動回路等を形成した後、画素毎に第1電極308を形成する。次に、この状態の被蒸着基板101上に、蒸着マスク100を設置する。ここで、蒸着マスク100と被蒸着基板101とはマスク保持部材200で所定の空隙を持って配置される。
この表示体では、被蒸着基板101の一辺に平行な線に沿って、全ての画素を、R,G,B、R,G,B・・・・と等間隔に配置する。この蒸着マスク100には、R,G,Bのうちの1色に対応した開口部107が形成されている。蒸着マスク100として、前述の方法で作製されたマスクを使用する。
まず、蒸着マスク100RをRの位置に合わせて、R用の発光層材料からなるターゲットを用いて真空蒸着を行う。これにより、層形成物質で構成された、または層形成物質を含む蒸着源(図示せず)からの蒸着粒子が飛来し、被蒸着基板101のRが配置される位置にある第1電極308に赤色層61が層形成される。赤色層61は、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層、電子輸送層を含む。赤色層61の層形成は例えば以下の手順で行われる。まず、正孔注入層としてm−MTDATAを成層した後に、正孔輸送層としてα−NPDを成層する。さらに、赤色発光層として、BSB−BCNを成層した後、電子輸送層としてAlq3を成層する。赤色層61を形成して得られる有機EL素子30Rの断面形状を図6(a)に示す。
次に、蒸着マスク100GをGの位置に合わせて、G用の発光層材料からなるターゲットを用いて真空蒸着を行う。これにより、層形成物質で構成された、または層形成物質を含む蒸着源(図示せず)からの蒸着粒子が飛来し、被蒸着基板101のGが配置される位置にある第1電極308に緑色層62が層形成される。緑色層62は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層を兼ねる緑色発光層を含む。緑色層62の層形成は例えば以下の手順で行われる。まず、正孔注入層としてm−MTDATAを成層した後に、正孔輸送層としてα−NPDを成層する。さらに、電子輸送層を兼ねる緑色発光層としてAlq3を成層する。緑色層62を形成して得られる有機EL素子30Gの断面形状を図6(b)に示す。
次に、蒸着マスク100BをBの位置に合わせて、B用の発光層材料からなるターゲットを用いて真空蒸着を行う。これにより、層形成物質で構成された、または層形成物質を含む蒸着源(図示せず)からの蒸着粒子が飛来し、被蒸着基板101のBの位置の第1電極308に青色層63が層形成される。青色層63は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層を兼ねる青色発光層、電子輸送層を含む。青色層63の層形成は例えば以下の手順で行われる。まず、正孔注入層としてm−MTDATAを成層した後に、正孔輸送層としてα−NPDを成層する。さらに、正孔ブロック層を兼ねる発光層としてバソクプロイン(Bathocuproine:2,9−dimethyl−4,7−diphenyl−1,10−phenanthroline)を成層した後、電子輸送層としてAlq3を成層する。青色層63を形成して得られる有機EL素子30Bの断面形状を図6(c)に示す。これらの工程により、蒸着マスク100の機械的強度を落とさず、かつ蒸着粒子がパターン分離部102の側面に照射されることによる損失を抑えることで、蒸着源から被蒸着基板101に照射される蒸着粒子を効率良く付着させることが可能となる。
なお、蒸着マスク100の数を節約する場合にはこの蒸着マスク100(R,G,B)を別に構成せずに、蒸着マスク100を1つのみ作り、各々の工程で画素一つ分だけ横方向に移動して用いても良い。このように蒸着マスク100を用いることで、一枚の蒸着マスク100により被蒸着基板101(図5参照)のRGB各色に対応する層形成を行うことが可能となり、蒸着マスク100を製造費用を低減することができる。また、蒸着マスク100に若干の欠陥がある場合でも、RGB3色のバランスが保たれるため、欠陥に起因する視覚上の影響を小さく抑えることができる。
(第4の実施形態:電子機器)
以下、図7を参照して、上述した有機EL素子30を含む電子機器について説明する。図7(a)に、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ2000は、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。図7(b)に、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに有機EL素子30を含む有機EL表示部1000を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000に表示される画面がスクロールされる。図7(c)に、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての有機EL素子30を含む有機EL表示部1000を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機EL素子30を含む有機EL表示部1000に表示される。
以下、図7を参照して、上述した有機EL素子30を含む電子機器について説明する。図7(a)に、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ2000は、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。図7(b)に、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに有機EL素子30を含む有機EL表示部1000を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000に表示される画面がスクロールされる。図7(c)に、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての有機EL素子30を含む有機EL表示部1000を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機EL素子30を含む有機EL表示部1000に表示される。
なお、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000が搭載される電子機器としては、図7に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、有機EL素子30を含む有機EL表示部1000が適用可能である。
30…有機EL素子、30B…有機EL素子、30G…有機EL素子、30R…有機EL素子、61…赤色層、62…緑色層、63…青色層、100…蒸着マスク、100B…蒸着マスク、100G…蒸着マスク、100R…蒸着マスク、101…被蒸着基板、102…パターン分離部、102A…パターン分離部、102B…パターン分離部、103…第1テーパー部、103A…第1テーパー部、104…支持部、105…第2テーパー部、106…頂部平坦部、107…開口部、108…凸形状部、110…マスク基板、200…マスク保持部材、302…第1エッチング阻止層前駆体、303…第1エッチング阻止パターン、305…第2エッチング阻止層、306…第3エッチング阻止パターン、308…第1電極、1000…有機EL表示部、2000…パーソナルコンピュータ、2001…電源スイッチ、2002…キーボード、2010…本体部、3000…携帯電話機、3001…操作ボタン、3002…スクロールボタン、4000…情報携帯端末、4001…操作ボタン、4002…電源スイッチ。
Claims (9)
- 層形成物質の通過領域を規定する蒸着マスクであって、
前記蒸着マスクの、前記層形成物質が堆積される被蒸着基板と対向する第1面側は、複数の開口部を含む形状を有しており、
前記蒸着マスクの、層形成物質が飛来してくる方向に位置する第2面側に、
複数の前記開口部の間に位置する、前記蒸着マスクに対して順テーパー形状を有する第1テーパー部と、
前記第1テーパー部と比べ、前記蒸着マスクの法線となす角度が小さい形状を有し、平面視にて前記第1テーパー部内に設けられる支持部と、
前記支持部と比べ、前記蒸着マスクの法線とがなす角度が大きく、平面視にて前記支持部内に設けられる第2テーパー部と、
前記第2テーパー部に挟まれ、前記蒸着マスクと並行する方向に平坦部を有する頂部平坦部と、を含むパターン分離部を前記第2面側の少なくとも一部に有することを特徴とする蒸着マスク。 - 請求項1に記載の蒸着マスクであって、前記パターン分離部の前記頂部平坦部に代えて、前記第2テーパー部同士が繋がる形状を前記第2面側の少なくとも一部に有することを特徴とする蒸着マスク。
- 請求項1に記載の蒸着マスクであって、前記パターン分離部は、前記第2テーパー部に代えて、前記支持部と比べ頂部が細い形状を有することを特徴とする蒸着マスク。
- 層形成物質の通過領域を制御する蒸着マスクの製造方法であって、
前記蒸着マスクが形成されるマスク基板の、被蒸着基板と対向する第1面側に、第1エッチング阻止パターンを形成する工程と、
前記第1エッチング阻止パターンをエッチングマスクとして前記マスク基板を、前記マスク基板の法線と並行する方向にエッチングを行う工程と、
前記マスク基板の前記第1面側と対向する第2面側と、前記第1面側と、にエッチング保護層を形成する工程と、
前記マスク基板の前記第2面側に位置する前記エッチング保護層の一部を開口し第2エッチング阻止パターンを形成する工程と、
前記第2面側から、前記第1面側に位置する前記第2エッチング阻止パターンに届く深さまでエッチングを行う工程と、
前記第2エッチング阻止パターンを除去する工程と、
異方性ウェットエッチングを行い、前記マスク基板に対して順テーパー形状を有する第1テーパー部と、前記第1テーパー部と比べ、前記蒸着マスクの法線となす角度が小さい形状を有し、前記第1テーパー部内に設けられる支持部と、前記支持部と比べ、前記マスク基板の法線とがなす角度が大きく、平面視にて前記支持部内に設けられる第2テーパー部と、前記第2テーパー部に挟まれ、前記マスク基板と並行する方向に平坦部を有する頂部平坦部とを含むパターン分離部を同時に形成する工程と、を含むことを特徴とする蒸着マスクの製造方法。 - 請求項4に記載の蒸着マスクの製造方法であって、前記パターン分離部の前記頂部平坦部に代えて、前記第2テーパー部同士が繋がる形状を前記第2面側の少なくとも一部に形成することを特徴とする蒸着マスクの製造方法。
- 請求項4又は5に記載の蒸着マスクの製造方法であって、前記マスク基板は単結晶シリコンであり、前記第1テーパー部、前記支持部、前記第2テーパー部、及び前記頂部平坦部は単結晶シリコンの面方位に依存する選択エッチングを用いて形成する工程を含むことを特徴とする蒸着マスクの製造方法。
- 請求項4乃至6のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法であって、
前記マスク基板の加工に用いられる前記第1エッチング阻止パターン及び前記第2エッチング阻止パターンは単結晶シリコンを熱酸化法で酸化して得られる酸化シリコン層であることを特徴とする蒸着マスクの製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蒸着マスクを用いて製造されることを特徴とする有機EL素子。
- 請求項8に記載の有機EL素子を含むことを特徴とする電子機器。
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JP2009087840A true JP2009087840A (ja) | 2009-04-23 |
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