CN107083531B - 限制板单元和蒸镀单元以及蒸镀装置 - Google Patents

Abstract

蒸镀单元(1)具备蒸镀掩模(50)、蒸镀源(10)和限制板单元(20)。限制板单元(20)具备在X轴方向隔开设置的多个第一限制板(32)和俯视时在第一限制板(32)上在X轴方向隔开设置的多个第二限制板(42)，在X轴方向，相对于每1块第一限制板(32)设置有至少2块第二限制板(42)。

Description

限制板单元和蒸镀单元以及蒸镀装置

本案是申请日为2014年3月10日、申请号为201480033438.8、发明名称为 限制板 单元和蒸镀单元以及蒸镀装置的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于在被成膜基板上形成规定图案的蒸镀膜的限制板单元和蒸镀单元以及蒸镀装置。

背景技术

近年来，在各种商品和领域中利用平板显示器，要求平板显示器进一步大型化、高画质化、低消耗电力化。

在这样的状况下，具备利用有机材料的电场发光(电致发光；以下记为“EL”)的有机EL元件的有机EL显示装置，作为全固体型且在低电压驱动、高速响应性、自发光性等方面优异的平板显示器，受到高度关注。

有机EL显示装置，例如在有源矩阵方式的情况下，具有如下结构：在设置有TFT(薄膜晶体管)的由玻璃基板等构成的基板上，设置有与TFT电连接的薄膜状的有机EL元件。

在全彩色的有机EL显示装置中，一般而言，在基板上作为子像素排列形成有红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各色的有机EL元件，使用TFT使这些有机EL元件有选择地以期望的亮度发光，由此，进行图像显示。

因此，为了制造这样的有机EL显示装置，需要在每个有机EL元件以规定图案形成至少发光层，该发光层包含发出各色的光的有机发光材料。

作为以规定图案形成这样的发光层的方法，已知有例如真空蒸镀法、喷墨法、激光转印法等。例如，在低分子型有机EL显示装置(OLED)中，发光层的图案化主要使用真空蒸镀法。

在真空蒸镀法中，使用形成有规定图案的开口的蒸镀掩模(也被称为阴影掩模(shadow mask))。使来自蒸镀源的蒸镀颗粒(蒸镀材料、成膜材料)通过蒸镀掩模的开口蒸镀在被蒸镀面上，由此形成规定图案的薄膜。此时，按发光层的每种颜色进行蒸镀(将此称为“分涂蒸镀”)。

真空蒸镀法大致分为：通过使被成膜基板和蒸镀掩模固定或依次移动而使它们密合来进行成膜的方法；和在使被成膜基板和蒸镀用的掩模隔开而进行扫描的同时进行成膜的扫描蒸镀法。

在前者的方法中，使用与被成膜基板同等大小的蒸镀掩模。然而，当使用与被成膜基板同等大小的蒸镀掩模时，伴随着基板的大型化，蒸镀掩模也大型化。因此，当被成膜基板变大时，与此相伴，由于蒸镀掩模的自重弯曲和伸长，在被成膜基板与蒸镀掩模之间容易产生间隙。因此，在大型基板的情况下，难以进行高精度的图案化，会发生蒸镀位置的错位或混色，难以实现高精细化。

另外，当被成膜基板变大时，不仅蒸镀掩模变得巨大，而且保持蒸镀掩模等的框架等也变得巨大，其重量也增加。因此，当被成膜基板变大时，蒸镀掩模和框架等的操作变得困难，有可能对生产率和安全性造成障碍。另外，蒸镀装置本身和附随于其的装置也同样巨大化、复杂化，因此，装置设计变得困难，设置成本也变高。

因此，近年来，在使用比被成膜基板小的蒸镀掩模进行扫描的同时进行蒸镀(扫描蒸镀)的扫描蒸镀法受到关注。

在这样的扫描蒸镀法中，使用例如带状的蒸镀掩模，将蒸镀掩模和蒸镀源一体化等，在使被成膜基板与蒸镀掩模和蒸镀源中的至少一方相对移动的同时，在被成膜基板整面上蒸镀蒸镀颗粒。

因此，在扫描蒸镀法中，不需要使用与被成膜基板同等大小的蒸镀掩模，能够改善使用大型的蒸镀掩模的情况下特有的上述问题。

在扫描蒸镀法中，一般而言，在蒸镀源，在与扫描方向垂直的方向上以一定间距设置有通过对蒸镀材料进行加热使其蒸发或升华而作为蒸镀颗粒射出(飞散)的多个射出口(喷嘴)。

因此，近年来，提出了如下方法：在扫描蒸镀时，通过使用限制板对蒸镀流(蒸镀颗粒的流动)进行限制，使得在与某个喷嘴对应的 蒸镀区域(成膜区域)，不会飞来来自相邻喷嘴的蒸镀颗粒，该相邻喷嘴使蒸镀颗粒射出到与该蒸镀区域相邻的蒸镀区域。

例如，专利文献1中公开了在蒸镀源的一侧设置遮断壁组件，该遮断壁组件具备将蒸镀源与蒸镀掩模之间的空间划分成多个蒸镀空间的多个遮断壁作为限制板。根据专利文献1，通过利用作为限制板的遮断壁来限制蒸镀范围，能够不使蒸镀图案变宽而进行高精细的图案蒸镀。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开专利公报“特开2010-270396号公报(2010年12月2日公开)”

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，当蒸镀密度变高时(即，在高速率时)，在以往的限制板的情况下，不能防止来自相邻喷嘴的蒸镀颗粒的飞来，不能将蒸镀颗粒适当地导向蒸镀区域。

图22的(a)、(b)是示意性地表示在蒸镀源301与蒸镀掩模302之间，沿着与扫描方向(扫描轴)垂直的方向设置有多个限制板320的情况下，由蒸镀密度的不同导致的蒸镀流的差异的图。

其中，图22的(a)表示蒸镀密度相对低的情况(低速率时)，图22的(b)表示蒸镀密度相对高的情况(高速率时)。

另外，图22的(a)、(b)中，Y轴表示沿着被成膜基板200的扫描方向的水平方向轴，X轴表示沿着与被成膜基板200的扫描方向垂直的方向的水平方向轴，Z轴表示作为被成膜基板200的被蒸镀面201(被成膜面)的法线方向和与该被蒸镀面201正交的蒸镀轴线延伸的方向的、与X轴和Y轴垂直的垂直方向轴(上下方向轴)。

穿过限制板320的上部开口边缘320a的蒸镀颗粒401(蒸镀流)，如在图22的(a)中用×符号表示的那样，在低速率时，被蒸镀掩模302的非开口部截断。

然而，如图22的(b)所示，在为高速率时，在限制板320的上 部开口边缘320a附近，蒸镀颗粒401间的碰撞、散射程度变强，由限制板320限制后的蒸镀流在穿过限制板320的开口部321的瞬间扩展。扩展后的蒸镀流的一部分会侵入由相邻的喷嘴301a进行成膜的被成膜基板200上的相邻成膜区域。

其结果，会发生来自相邻喷嘴的蒸镀颗粒401混入正常图案膜，或者在正常图案膜间形成在低速率时不会形成的异常图案膜等异常成膜。这些现象会引起混色发光等异常发光，有可能会大大损害显示品质。

本发明是鉴于上述问题而作出的，其目的在于提供能够防止异常成膜的发生的限制板单元和蒸镀单元以及蒸镀装置。

用于解决技术问题的手段

为了解决上述技术问题，本发明的一个方案的蒸镀单元具备：蒸镀掩模；向上述蒸镀掩模射出蒸镀颗粒的蒸镀源；和设置在上述蒸镀掩模与蒸镀源之间，限制从蒸镀源射出的蒸镀颗粒的通过角度的限制板单元，上述限制板单元具备多段的限制板，该多段的限制板至少具备：在第一方向相互隔开地设置的多个第一限制板；和在俯视时设置在上述第一限制板上、在上述第一方向相互隔开并且沿着上述第一限制板设置的多个第二限制板，在上述第一方向，相对于每1块上述第一限制板设置有至少2块上述第二限制板。

为了解决上述技术问题，本发明的一个方案的蒸镀单元具备：蒸镀掩模；向上述蒸镀掩模射出蒸镀颗粒的蒸镀源；和设置在上述蒸镀掩模与蒸镀源之间，限制从蒸镀源射出的蒸镀颗粒的通过角度的限制板单元，上述限制板单元具备在第一方向相互隔开地设置的多个第一限制板，在上述第一限制板的上表面，沿着上述第一限制板，在上述第一方向设置有至少2个突起部。

为了解决上述技术问题，本发明的一个方案的蒸镀装置具备：本发明的一个方案的上述蒸镀单元；和在上述蒸镀单元的蒸镀掩模与被成膜基板相对配置的状态下，使上述蒸镀单元和上述被成膜基板中的一个在与上述第一方向垂直的第二方向相对移动的移动装置，上述蒸镀掩模的上述第二方向的宽度小于上述第二方向的被成膜基板的宽度，在沿着上述第二方向扫描的同时，使从上述蒸镀源出射的蒸镀颗 粒通过上述限制板单元和上述蒸镀掩模的开口部蒸镀在上述被成膜基板上。

为了解决上述技术问题，本发明的一个方案的限制板单元为设置在蒸镀掩模与蒸镀源之间，限制从蒸镀源射出的蒸镀颗粒的通过角度的限制板单元，该限制板单元具备多段的限制板，该多段的限制板至少具备：在第一方向相互隔开地设置的多个第一限制板；和在俯视时设置在上述第一限制板上、在上述第一方向相互隔开并且沿着上述第一限制板设置的多个第二限制板，在上述第一方向，相对于每1块上述第一限制板设置有至少2块上述第二限制板。

为了解决上述技术问题，本发明的一个方案的限制板单元为设置在蒸镀掩模与蒸镀源之间，限制从蒸镀源射出的蒸镀颗粒的通过角度的限制板单元，该限制板单元具备在第一方向相互隔开地设置的多个第一限制板，在上述第一限制板的上表面，沿着上述第一限制板，在上述第一方向设置有至少2个突起部。

发明效果

根据本发明的一个方案，从蒸镀源射出的蒸镀颗粒的流动(蒸镀流)被第一限制板抑制扩展。由此，指向性差的蒸镀成分被截断(捕捉)，被限制成指向性高的分布。被控制的蒸镀流在蒸镀密度高的情况下(即，高速率时)，由于因其高蒸镀密度而产生的蒸镀颗粒间的碰撞、散射，在通过第一限制板间的开口区域后，要再次扩展，但通过由至少包括第二限制板的后段的限制板或上述突起部捕捉，扩展被抑制，维持扩展被抑制的状态通过蒸镀掩模。此时，在第一方向，相对于每1块第一限制板设置有至少2块第二限制板、或者设置有至少2个上述突起部，由此，能够有效地捕捉向第一限制板的第一方向两端侧扩展的蒸镀流。因此，能够有效地抑制蒸镀流向上述方向的扩展。其结果，能够防止异常图案膜等异常成膜的发生，能够形成高精细的蒸镀膜图案。另外，根据上述构成，第二限制板在俯视时配置在第一限制板上，第二限制板不存在于第一限制板间的开口区域正上方，因此，能够完全不降低蒸镀速率而仅有效地捕捉指向性变差的成分。

附图说明

图1是将实施方式1的蒸镀单元的主要部分的概略构成与被成膜基板一起表示的截面图。

图2是将实施方式1的蒸镀单元的主要部分的概略构成与被成膜基板一起表示的立体图。

图3是表示实施方式1的限制板单元的主要部分的概略构成的平面图。

图4的(a)、(b)是表示实施方式1的限制板单元中的第二限制板组件的概略构成的一个例子的立体图。

图5是示意性地表示实施方式1的蒸镀装置中的主要部分的概略构成的截面图。

图6的(a)～(d)是作为比较例，分别表示相对于1块第一限制板，仅设置有1块比第一限制板小的第二限制板的例子的截面图。

图7是作为比较例，表示相对于1块第一限制板，仅设置有1块具有从第一限制板上到蒸镀掩模的下端的高度的第二限制板的例子的截面图。

图8是表示第二限制板的优选配置的一个例子的实施方式1的蒸镀单元的主要部分截面图。

图9是将设置有图8所示的第二限制板的情况下的蒸镀单元和不设置第二限制板而将第一限制板在Z轴方向延伸到与第二限制板相同高度的情况下的蒸镀单元并排表示的截面图。

图10是将实施方式1的第二限制板的变形例1的蒸镀单元的主要部分的概略构成与被成膜基板一起表示的截面图。

图11的(a)～(e)是表示实施方式1的第二限制板的变形例2的限制板单元的主要部分中的第二限制板的图案例的平面图。

图12是将实施方式1的第二限制板的变形例3的限制板单元的主要部分中的第二限制板的图案例与射出口一起表示的平面图。

图13是将实施方式1的第二限制板的变形例4的限制板单元的主要部分中的第二限制板的图案例与射出口一起表示的平面图。

图14是将实施方式2的蒸镀单元的主要部分的概略构成与被成膜基板一起表示的截面图。

图15是表示将图1所示的第二限制板的X轴方向的厚度加厚的例 子的蒸镀单元的主要部分截面图。

图16是表示在第一限制板组件与蒸镀掩模之间设置有第二限制板组件和第三限制板组件的蒸镀单元的概略构成的截面图。

图17是表示实施方式3的变形例2的蒸镀单元的概略构成的一个例子的截面图。

图18是表示实施方式3的变形例3的蒸镀单元的概略构成的一个例子的截面图。

图19的(a)、(b)是表示实施方式3的变形例3的各段的限制板的配设方法的一个例子的截面图。

图20是表示实施方式3的变形例4的蒸镀单元1的概略构成的一个例子的截面图。

图21是将实施方式4的蒸镀单元1的主要部分的概略构成与被成膜基板200一起表示的截面图。

图22的(a)、(b)是示意性地表示在蒸镀源与蒸镀掩模之间，沿着与扫描方向垂直的方向设置有多个限制板的情况下，由蒸镀密度的不同导致的蒸镀流的差异的图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式的一个例子进行详细说明。

〔实施方式1〕

根据图1～图13对本发明的一个实施方式进行说明如下。

＜蒸镀单元的主要部分的概略构成＞

图1是将本实施方式的蒸镀装置100(参照图5)的蒸镀单元1的主要部分的概略构成与被成膜基板200一起表示的截面图。另外，图2是将上述蒸镀单元1的主要部分的概略构成与被成膜基板200一起表示的立体图。

此外，以下，将沿着被成膜基板200的扫描方向(扫描轴)的水平方向轴作为Y轴，将沿着与被成膜基板200的扫描方向垂直的方向的水平方向轴作为X轴，将作为被成膜基板200的被蒸镀面201(被成膜面)的法线方向和与该被蒸镀面201正交的蒸镀轴线延伸的方向的、与X轴和Y轴垂直的垂直方向轴(上下方向轴)作为Z轴进行说 明。另外，为了说明方便起见，只要没有特别说明，将Z轴方向的箭头符号一侧(图1的纸面的上侧)作为“上侧”进行说明。

如图1和图2所示，本实施方式的蒸镀单元1具备蒸镀源10、蒸镀掩模50和设置在蒸镀源10与蒸镀掩模50之间的限制板单元20。

限制板单元20具备多段的限制板，利用各段的限制板，分别形成限制板组件。即，限制板单元20具备在Z轴方向配置的多个限制板组件。在本实施方式中，如图1和图2所示，限制板单元20具备第一限制板组件30和第二限制板组件40这2个限制板组件。

蒸镀源10、第一限制板组件30、第二限制板组件40、蒸镀掩模50沿着Z轴方向从蒸镀源10侧起依次例如彼此具有一定空隙(即，隔开一定距离)地相对配置。

蒸镀装置100为使用扫描蒸镀方式的蒸镀装置。因此，在蒸镀装置100中，在蒸镀掩模50与被成膜基板200之间设置有一定空隙的状态下，使被成膜基板200和蒸镀单元1中的至少一个相对移动(扫描)。

因此，蒸镀源10、第一限制板组件30、第二限制板组件40和蒸镀掩模50彼此的相对位置被固定。因此，这些蒸镀源10、第一限制板组件30、第二限制板组件40和蒸镀掩模50，可以如例如图5所示的保持件(holder)60那样，由同一保持件等未图示的保持部件保持，也可以一体化。

(蒸镀源10)

蒸镀源10例如是在内部容纳蒸镀材料的容器。蒸镀源10可以是在容器内部直接容纳蒸镀材料的容器，也可以形成为具有负载锁定式的配管，从外部供给蒸镀材料。

蒸镀源10，如图2所示，形成为例如矩形状。蒸镀源10，如图1和图2所示，在其上表面(即，与第一限制板组件30相对的相对面)，具有使蒸镀颗粒401射出的多个射出口11(贯通口、喷嘴)。这些射出口11在X轴方向(第一方向、与扫描方向垂直的方向)以一定间距配置。

蒸镀源10通过对蒸镀材料进行加热使其蒸发(在蒸镀材料为液体材料的情况下)或升华(在蒸镀材料为固体材料的情况下)来产生气态的蒸镀颗粒401。蒸镀源10将这样成为气体的蒸镀材料作为蒸镀颗 粒401从射出口11向第一限制板组件30射出。

此外，在图1、图2和图5中，列举在X轴方向设置有1个蒸镀源10，并且在1个蒸镀源10设置有多个射出口11的情况为例进行了图示。然而，X轴方向的蒸镀源10的数量以及在1个蒸镀源10设置的射出口11的数量没有特别限定。例如，可以在X轴方向配置有多个蒸镀源10。另外，在1个蒸镀源10只要形成有至少1个射出口11即可。

另外，射出口11可以如图2所示在X轴方向呈一维状(即，线状)排列，也可以呈二维状(即，面状(瓦片状))排列。

(蒸镀掩模50)

如图1、图2和图5所示，蒸镀掩模50是作为其主面(面积最大的面)的掩模面与XY平面平行的板状物。在进行扫描蒸镀的情况下，作为蒸镀掩模50，使用至少Y轴方向的尺寸比被成膜基板200小的蒸镀掩模。

在蒸镀掩模50的主面设置有用于在蒸镀时使蒸镀颗粒401通过的多个掩模开口51(开口部、贯通口)。掩模开口51与被成膜基板200的作为目标的蒸镀区域的一部分的图案对应地设置，使得在上述蒸镀区域以外的区域不附着蒸镀颗粒401。仅通过掩模开口51的蒸镀颗粒401到达被成膜基板200，在被成膜基板200上形成与掩模开口51对应的图案的蒸镀膜402。

此外，在上述蒸镀材料为有机EL显示装置中的发光层的材料的情况下，有机EL蒸镀工艺中的发光层的蒸镀，按发光层的每种颜色进行。

(限制板单元20)

图3是表示限制板单元20的主要部分的概略构成的平面图。

如图1～图3和图5所示，限制板单元20具备第一限制板组件30和第二限制板组件40。

第一限制板组件30具备第一限制板列31，该第一限制板列31包括在X轴方向(第一方向)相互隔开并且相互平行地设置的多个第一限制板32。

另外，第二限制板组件40具备第二限制板列41，该第二限制板列41包括在第一限制板32上在X轴方向(第一方向)相互隔开并且沿 着第一限制板32相互平行地设置的多个第二限制板42。

第一限制板32和第二限制板42分别配置成：以YZ平面为主面，各个主面在X轴方向相邻，并且与以XY平面为主面的蒸镀掩模50的主面以及被成膜基板200的被蒸镀面201垂直。

因此，第一限制板32在俯视时(换言之，在从与蒸镀掩模50的主面垂直的方向、即与Z轴平行的方向看时)分别与Y轴平行地延伸设置，分别以同一间距在X轴方向相互平行地排列有多个。由此，在X轴方向上相邻的第一限制板32间，在俯视时，分别作为开口区域形成有限制板开口33。

此外，在本实施方式中，第一限制板32以蒸镀源10的射出口11分别位于各限制板开口33的X轴方向中央的方式配置。另外，限制板开口33的间距形成得比掩模开口51的间距大，在从与蒸镀掩模50的主面垂直的方向看时，在X轴方向上相邻的第一限制板32间配置有多个掩模开口51。

另一方面，在第一限制板32上，对每1块第一限制板32在X轴方向设置有至少2块第二限制板42。在图1～图3和图5中，列举在第一限制板32上沿着第一限制板32在X轴方向以2块1组设置有第二限制板42的情况为例进行了表示。

因此，第二限制板42在俯视时分别与Y轴平行地延伸设置，以2块1组设置的各组的第二限制板42分别以同一间距在X轴方向相互平行地排列有多个。由此，在X轴方向上相邻的各组的第二限制板42间，分别作为开口区域形成有限制板开口43b。

另外，在俯视时设置在同一第一限制板32上的成对的第二限制板42相互隔开地设置，在成对的第二限制板42间作为开口区域形成有限制板开口43a。

此外，在本实施方式中，第一限制板32和第二限制板42分别形成为例如长方形状。第一限制板32和第二限制板42分别以其短轴与Z轴方向平行的方式垂直地配置。因此，第一限制板32和第二限制板42的长轴与Y轴方向(第二方向)平行地配置。

另外，在图2中，列举第一限制板组件30为在相邻的第一限制板32间分别设置有限制板开口33的块状的单元的情况为例进行了表示。

图4的(a)、(b)为表示第二限制板组件40的概略构成的一个例子的立体图。

第二限制板组件40，可以是如图4的(a)所示，以隔着限制板开口43a设置的一对第二限制板42为1组，在相邻的各组第二限制板42间分别设置有限制板开口43b的块状的单元，或者也可以具有例如如图4的(b)所示的构成。

图4的(b)所示的第二限制板组件40中，隔着上述的限制板开口43a、43b排列的第二限制板42，分别利用例如焊接等方法一体地保持在由与X轴方向平行的一对第一保持部件44和与Y轴方向平行的一对第二保持部件45构成的框状的保持体46。

此外，第一限制板组件30，与第二限制板组件40同样，可以具有以下的构成：隔着限制板开口33排列的第一限制板32，分别利用例如焊接等方法一体地保持在由与X轴方向平行的一对第一保持部件和与Y轴方向平行的一对第二保持部件构成的、与保持体46同样的框状的保持体。

即，各限制板可以如例如图2和图4的(a)所示，与保持(支撑)各限制板的保持体一体地形成，也可以如图4的(b)所示分体地形成。

只要能够将第一限制板32和第二限制板42的相对位置和姿势维持为一定，保持这些第一限制板32和第二限制板42的方法不限于上述的方法。

限制板单元20利用这些第一限制板32和第二限制板42，将蒸镀掩模50与蒸镀源10之间的空间划分成包括限制板开口33、43b的多个蒸镀空间，由此，限制从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的通过角度。

当蒸镀密度变高时，蒸镀流的扩展变大，因此，为了抑制蒸镀流的扩展，需要使蒸镀流的扩展立体地缩小。

从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401，通过限制板开口33后，通过限制板开口43b之间，通过在蒸镀掩模50形成的掩模开口51，被蒸镀在被成膜基板200上。

第一限制板组件30和第二限制板组件40，将入射到这些第一限制板组件30和第二限制板组件40的蒸镀颗粒401，如图1所示，根据其入射角度有选择地截断(捕捉)。即，第一限制板组件30和第二限制 板组件40捕捉与第一限制板32和第二限制板42碰撞的蒸镀颗粒401的至少一部分，由此，限制蒸镀颗粒401向第一限制板32和第二限制板42的配设方向(即，X轴方向和倾斜方向)的移动。

由此，第一限制板组件30和第二限制板组件40将向蒸镀掩模50的掩模开口51入射的蒸镀颗粒401的入射角限制在一定范围内，防止来自倾斜方向的蒸镀颗粒401附着在被成膜基板200上。

此外，第一限制板32和第二限制板42为了将倾斜的蒸镀成分截断，不加热或者通过没有图示的热交换器来冷却。因此，第一限制板32和第二限制板42成为比蒸镀源10的射出口11的温度低的温度(更严格来说，比蒸镀材料变成气体的蒸镀颗粒产生温度低的温度)。

因此，在第一限制板组件30，可以如在图5中用双点划线表示的那样，根据需要，设置有对第一限制板32进行冷却的具备热交换器等的冷却机构38。同样，在第二限制板组件40，可以如在图5中用双点划线表示的那样，根据需要，设置有对第二限制板42进行冷却的具备热交换器等的冷却机构48。由此，与被成膜基板200的法线方向不完全平行的不需要的蒸镀颗粒401被第一限制板32和第二限制板42冷却而固化。由此，在第一限制板32和第二限制板42能够容易地捕捉不需要的蒸镀颗粒401，能够使蒸镀颗粒401的行进方向接近被成膜基板200的法线方向。

此外，关于使用限制板单元20的情况下的蒸镀颗粒401的流动(蒸镀流)以及第二限制板42的优选设计在后面说明。

＜蒸镀装置100的概略构成＞

接着，参照图5，对使用上述蒸镀单元1的蒸镀装置100的一个例子进行说明。

图5是示意性地表示本实施方式的蒸镀装置100的主要部分的概略构成的截面图。此外，图5表示本实施方式的蒸镀装置100的与X轴方向平行的截面。

如图5所示，本实施方式的蒸镀装置100具备真空室101(成膜室)、基板保持件102(基板保持部件)、基板移动装置103、蒸镀单元1、蒸镀单元移动装置104、图像传感器105等对齐观测单元和未图示的闸门(shutter)、用于对蒸镀装置100进行驱动控制的未图示的控制电路等。

其中，基板保持件102、基板移动装置103、蒸镀单元1、蒸镀单元移动装置104设置在真空室101内。

此外，在真空室101中，为了在蒸镀时将该真空室101内保持为真空状态，设置有通过在该真空室101设置的未图示的排气口对真空室101内进行真空排气的未图示的真空泵。

＜基板保持件102＞

基板保持件102为保持被成膜基板200的基板保持部件。基板保持件102保持由TFT基板等构成的被成膜基板200，使得其被蒸镀面201面向蒸镀单元1的蒸镀掩模50。

被成膜基板200和蒸镀掩模50隔开一定距离相对配置，在被成膜基板200与蒸镀掩模50之间设置有一定高度的空隙。

基板保持件102优选使用例如静电卡盘等。通过利用静电卡盘等方法将被成膜基板200固定于基板保持件102，被成膜基板200以没有由自重造成的弯曲的状态被保持于基板保持件102。

＜基板移动装置103和蒸镀单元移动装置104＞

在本实施方式中，利用基板移动装置103和蒸镀单元移动装置104中的至少一个，使被成膜基板200和蒸镀单元1以Y轴方向为扫描方向的方式相对移动来进行扫描蒸镀。

基板移动装置103例如具备未图示的电动机，通过利用未图示的电动机驱动控制部来驱动电动机，使被保持于基板保持件102的被成膜基板200移动。

另外，蒸镀单元移动装置104例如具备未图示的电动机，通过利用未图示的电动机驱动控制部来驱动电动机，使蒸镀单元1相对于被成膜基板200相对移动。

另外，这些基板移动装置103和蒸镀单元移动装置104，例如驱动未图示的电动机，由此，利用在蒸镀掩模50的非开口区域设置的对齐标记52和在被成膜基板200的非蒸镀区域设置的对齐标记202进行位置校正，使得蒸镀掩模50与被成膜基板200的位置错位被消除。

这些基板移动装置103和蒸镀单元移动装置104例如可以为辊式的移动装置，也可以为油压式的移动装置。

这些基板移动装置103和蒸镀单元移动装置104例如可以具备： 由步进电动机(脉冲电动机)等电动机(XYθ驱动电动机)、滚轮、和齿轮等构成的驱动部；和电动机驱动控制部等驱动控制部，利用驱动控制部来驱动驱动部，由此，使被成膜基板200或蒸镀单元1移动。另外，这些基板移动装置103和蒸镀单元移动装置104可以具备由XYZ台等构成的驱动部，设置成在X轴方向、Y轴方向和Z轴方向的任意方向都移动自由。

但是，只要被成膜基板200和蒸镀单元1中的至少一个设置成能够相对移动即可。换言之，只要设置有基板移动装置103和蒸镀单元移动装置104中的至少一个即可。

在例如被成膜基板200设置成能够移动的情况下，蒸镀单元1可以被固定于真空室101的内壁。相反，在蒸镀单元1设置成能够移动的情况下，基板保持件102可以被固定于真空室101的内壁。

＜蒸镀单元1＞

蒸镀单元1具备蒸镀源10、第一限制板组件30、第二限制板组件40、蒸镀掩模50、保持件60、防附着板65和未图示的闸门等。其中，对于蒸镀源10、第一限制板组件30、第二限制板组件40、蒸镀掩模50已经进行了说明，因此，在此省略其说明。

此外，在图5中，作为一个例子，列举以下情况为例进行了图示：成对的第二限制板42位于其正下方的第一限制板32的X轴方向的两端部附近，具体而言，成对的第二限制板42的各个第一限制板32的X轴方向端部侧的边缘与第一限制板32的X轴方向端部位于一条直线上。

(保持件60)

保持件60为保持蒸镀源10、第一限制板组件30、第二限制板组件40和蒸镀掩模50的保持部件。

保持件60中，例如，为了支撑第一限制板组件30和第二限制板组件40，与它们分别对应地设置有例如一对滑动装置61和支撑部件62。

滑动装置61与保持件60的X轴方向两端部分别相对地配设。另外，支撑部件62设置在各滑动装置61的相对面侧。这些支撑部件62能够以相互相对的状态在Z轴方向和X轴方向滑动位移，通过与滑动 装置61和未图示的限制板控制装置的协同作用，控制其动作。

另外，在第一限制板组件30的X轴方向的两端部，分别设置有以能够相对于支撑部件62装卸的方式设置的支撑部37。另外，在第二限制板组件40的X轴方向的两端部，分别设置有以能够相对于支撑部件62装卸的方式设置的支撑部47。由此，第一限制板组件30和第二限制板组件40能够相对于保持件60装卸，从而能够定期回收沉积在这些第一限制板组件30和第二限制板组件40上的蒸镀材料。

此外，蒸镀材料在加热时会熔融或蒸发，因此，能够通过进行加热处理容易地回收。蒸镀掩模50，其开口宽度、平面度等要求的尺寸精度高，因此，有可能导致变形，无法进行加热处理。然而，第一限制板组件30和第二限制板组件40不要求像蒸镀掩模50那样高度的尺寸精度，因此，能够进行加热处理，能够将沉积的蒸镀材料简单地回收。因此，能够确保高的材料利用效率。

另外，优选在蒸镀单元1，例如在保持件60，设置有对蒸镀掩模50施加张力的张力机构63。由此，能够在对蒸镀掩模50施加有张力的状态下水平地保持蒸镀掩模50，能够将蒸镀掩模50与蒸镀源10、第一限制板组件30和第二限制板组件40的相对位置关系固定。

＜防附着板65＞

在上述蒸镀装置100中，可以构成为：从蒸镀源10飞散的蒸镀颗粒401被调整为向蒸镀掩模50内飞散，向蒸镀掩模50外飞散的蒸镀颗粒由防附着板65(遮蔽板)等适当除去。

＜闸门＞

在不使蒸镀颗粒向被成膜基板200的方向飞来时，优选使用未图示的闸门，控制蒸镀颗粒401向蒸镀掩模50的到达。

因此，例如在蒸镀源10与第一限制板组件30之间，为了控制蒸镀颗粒401向蒸镀掩模50的到达，根据需要，可以根据蒸镀OFF(关闭)信号或者蒸镀ON(启动)信号能够进退(能够插拔)地设置有未图示的闸门。

通过在蒸镀源10与第一限制板组件30之间适当插入闸门，能够防止在不进行蒸镀的非蒸镀区域的蒸镀。此外，闸门可以与蒸镀源10一体地设置，也可以与蒸镀源10分开设置。

＜蒸镀装置100中的蒸镀颗粒401的流动＞

接着，参照图1，对上述蒸镀装置100中从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的流动(蒸镀流)进行说明。

从蒸镀源10的射出口11出射的蒸镀颗粒401(蒸镀流)从射出口11各向同性地扩展。具有各向同性分布的蒸镀流，其X轴方向两端侧被第一限制板32截断(捕捉)，由此，扩展被抑制。

扩展被第一限制板32抑制后的蒸镀流，由于在高速率时由高的蒸镀密度产生的蒸镀颗粒401间的碰撞、散射，在通过作为第一限制板32间的开口区域的限制板开口33后，再次扩展。

然而，通过限制板开口33后扩展的蒸镀流，被第二限制板42截断(捕捉)，由此，扩展再次被抑制。

维持扩展被第二限制板42抑制后的状态的蒸镀流，通过蒸镀掩模50的掩模开口51，被蒸镀在被成膜基板200上。

因此，根据本实施方式，通过使用使上述蒸镀单元1和上述被成膜基板200中的一个在作为扫描轴方向的Y轴方向相对移动的移动装置(基板移动装置103和蒸镀单元移动装置104中的至少一个)使上述蒸镀单元1和上述被成膜基板200中的一个相对移动，在扫描轴方向(Y轴方向)扫描被成膜基板200，由此，能够形成各分涂层(例如各色的发光层)。

＜比较例＞

在此，为了与本实施方式的限制板单元20进行比较，对相对于1块第一限制板32仅设置有1块比第一限制板32小的第二限制板42的情况进行说明。

专利文献1中，作为限制板的变形例，公开了在蒸镀源与蒸镀掩模之间，具备多个第一遮断壁的第一遮断壁组件和具备多个第二遮断壁的第二遮断壁组件相互对应地配置(例如参照专利文献1的图27)。

然而，在专利文献1中，相对于一个作为第一限制板的第一遮断壁，仅设置有1个作为第二限制板的第二遮断壁。因此，利用专利文献1中记载的方法，不能完全抑制向第一遮断壁的两侧扩展的蒸镀流的扩展。以下对其理由进行说明。

图6的(a)～(d)是作为比较例，分别表示相对于1块第一限 制板32，仅设置有1块比第一限制板32小的第二限制板42的例子的截面图。另外，图7是作为比较例，表示相对于1块第一限制板32，仅设置有1块具有从第一限制板32上到蒸镀掩模50的下端的高度的第二限制板42的例子的截面图。

在相对于1块第一限制板32仅设置有1块第二限制板42的情况下，在如专利文献1那样将第二限制板42在第一限制板32的中央接近第一限制板32设置的情况下，如图6的(a)所示，不能抑制在高速率时，通过第一限制板32后的蒸镀流的X轴方向的两侧的扩展。

另外，在如图6的(b)所示，将第二限制板42配置在第一限制板32的X轴方向的一个端部侧的情况下，不能抑制在高速率时，第一限制板32的X轴方向的另一个端部侧的蒸镀流的扩展。

在相对于1块第一限制板32，仅设置有1块第二限制板42的情况下，优选第二限制板42，如图6的(c)所示，设置在通过相邻的限制板开口33的蒸镀流交叉的位置、即将第一限制板32的X轴方向两端部和与由相邻的射出口11得到的蒸镀区域(相邻成膜区域)对应的蒸镀掩模50的掩模开口51连结的线交叉的区域。

然而，在如图6的(d)所示，蒸镀流进一步扩展的情况下，即使在66的(c)所示的位置设置第二限制板42，也不能截断(捕捉)蒸镀流。此外，图6的(c)和图6的(d)表示第二限制板42的位置相同但是蒸镀速率不同的情况。

然而，当为了截断图6的(d)所示的蒸镀流，而降低第二限制板42的位置(使其接近第一限制板32)时，有可能如图6的(a)所示不能截断扩展小的蒸镀流。

因此，为了相对于1块第一限制板32仅使用1块第二限制板42应对所有的蒸镀流，不得不如图7所示设置具有从第一限制板32到蒸镀掩模50的下端的高度的第二限制板42。

然而，当设置如图7所示的体积大的第二限制板42时，蒸镀颗粒401飞散的空间体积减少，压力上升。其结果、蒸镀颗粒401间的碰撞、散射概率升高。

特别地，在图7中，在Z轴方向空间体积分布不变，并且，已将第二限制板42升高至蒸镀掩模50附近，由此，蒸镀颗粒401成为被 关在由第二限制板42包围的区域中的状态。因此，蒸镀颗粒401的颗粒间散射非常强。

因此，尽管利用第一限制板32限制蒸镀流使蒸镀流具有了指向性，但是通过使蒸镀流通过第二限制板42间，蒸镀流再次成为各向同性的分布。其结果，在本来要成膜的部位，成膜图案扩展，在成膜区域间引起图案模糊，引起蒸镀膜402的模糊宽度的增大、向相邻像素的混色、蒸镀颗粒401向相邻喷嘴区域的侵入、由像素内的膜厚不均匀导致的不均匀发光等问题。

因此，为了应对所有的蒸镀流，相对于1块第一限制板32，在X轴方向至少需要2块第二限制板42。

＜效果＞

根据本实施方式，如图1～图3和图5所示，第一限制板32和第二限制板42在同一YZ面平行地设置。第二限制板42与第一限制板32成对，相对于1块第一限制板32，第二限制板42在X轴方向至少由2块以上构成而形成对。

根据本实施方式，这样配置第一限制板32和第二限制板42，并且相对于每1块第一限制板32，在X轴方向设置有至少2块第二限制板42。因此，能够完全抑制在X轴方向向两侧扩展的蒸镀流的扩展，能够利用第二限制板42高效率地捕捉通过第一限制板32的限制板开口33后扩展的蒸镀流，能够防止异常图案膜等异常成膜。

另外，根据本实施方式，通过第一限制板32后扩展的蒸镀流，被第二限制板42截断(捕捉)，维持扩展被抑制的状态通过蒸镀掩模50的掩模开口51，被蒸镀在被成膜基板200上。因此，根据本实施方式，能够防止来自相邻喷嘴的蒸镀颗粒401混入正常图案膜、或在正常图案膜间形成异常图案膜等异常成膜。

另外，第二限制板42在俯视时配置在第一限制板32上。即，第二限制板42配置在比第一限制板32窄的范围。因此，根据本实施方式，第二限制板42不存在于限制板开口33正上方，因此，能够有效地仅捕捉真正指向性差的成分，而完全不降低蒸镀速率。

＜第二限制板42的优选设计＞

接着，对第二限制板42的优选设计进行说明。

(第二限制板42的X轴方向的位置)

图8是表示第二限制板42的优选配置的一个例子的本实施方式的蒸镀单元1的主要部分截面图。此外，在图8中也与图1同样，将蒸镀单元1的主要部分的概略构成与被成膜基板200一起表示。

第一限制板32的上部开口附近(即，限制板开口33的上部附近)，蒸镀密度高，蒸镀颗粒401的颗粒间散射增大，蒸镀流容易扩展。

因此，为了截断扩展的蒸镀流，优选在俯视时设置在同一第一限制板32上的成对的第二限制板42尽可能隔开地设置。例如如图5所示，更优选成对的第二限制板42位于其正下方的第一限制板32的X轴方向的两端部附近。特别地，成对的第二限制板42至少形成在与其正下方的第一限制板32的X轴方向的两端部的至少一部分接触的位置，更优选如图8所示，成对的第二限制板42形成为与其正下方的第一限制板32的X轴方向的两端部共面，由此，能够高效率地捕捉向第一限制板32的X轴方向两端侧扩展的蒸镀流。因此，能够更有效地抑制蒸镀流向第一限制板32的X轴方向两端侧的扩展。

但是，在有可能截断本来要使用的蒸镀流的扩展的情况下，不需要如图8所示使第一限制板32的X轴方向端部(第一限制板32的限制板开口33的开口边缘)与第二限制板42的X轴方向端部(更具体而言，成对的第二限制板42的各个第一限制板32的X轴方向端部侧的边缘)共面、或者成对的第二限制板42至少形成在与其正下方的第一限制板32的X轴方向的两端部的至少一部分接触的位置。

例如，在蒸镀掩模50或要形成的面板(被成膜基板200)的设计上需要使用至第一限制板32的开口边缘的蒸镀流的情况下，只要使第二限制板42的边缘从第一限制板32的开口边缘离开能够利用第一限制板32的开口边缘的蒸镀流的程度来形成即可。

即，第一限制板32仅决定了使用从射出口11出射的蒸镀流的哪个区域，蒸镀膜402的蒸镀分布在射出口11(喷嘴)的正上方最厚，随着向射出口11的端部(喷嘴端部)上去而变薄。

通常，掩模开口51使用蒸镀分布平坦的区域，喷嘴端部的膜厚薄的部位不设置掩模开口51，由蒸镀掩模50遮蔽。然而，通过设法使得随着向喷嘴端部去而使掩模开口51的Y轴方向的长度变长等，能够抵 消喷嘴中央和喷嘴端部的膜厚分布。即，通过掩模设计，能够有效利用至第一限制板32的开口边缘的蒸镀流。

在扫描蒸镀中，1个喷嘴负责的蒸镀区域根据第一限制板32而可变，在仅利用蒸镀流的均匀的窄宽度的情况下，需要使用大量的喷嘴进行扫描。另外，根据情况的不同，无法通过一次扫描对面板(被成膜基板200)整个面进行蒸镀，需要移动喷嘴再次进行扫描。在这样的情况下，喷嘴间的偏差和移动喷嘴前后的偏差(例如热历史的偏差)被反映在蒸镀膜上，成为蒸镀不均匀，容易被观察到。

然而，当如上所述有效利用至第一限制板32的开口边缘的蒸镀流，由此较宽地取得利用的蒸镀流时，能够利用数量少的射出口11(喷嘴)进行蒸镀，因此，具有能够使蒸镀不均匀的程度减轻的优点。

(设置图8所示的第二限制板42的情况与将第一限制板32在Z轴方向延伸到与第二限制板42相同高度的情况的对比)

图8所示的第二限制板42，在从X轴方向看时，具有将第一限制板32在Z轴方向延伸而得到的部件相同的形状。

因此，以下，对设置图8所示的第二限制板42的情况和将第一限制板32在Z轴方向延伸到与第二限制板42相同高度的情况下的蒸镀颗粒401的流动的不同进行说明。

图9是将设置有图8所示的第二限制板42的情况下的蒸镀单元1和不设置第二限制板42而将第一限制板32在Z轴方向延伸到与第二限制板42相同高度的情况下的蒸镀单元1并排表示的截面图。

此外，图9中，右侧的蒸镀单元1(右图)为设置有图8所示的第二限制板42的情况，左侧的蒸镀单元1(左图)为将第一限制板32在Z轴方向延伸到与第二限制板42相同高度的情况。另外，图9中，虚线框区域A表示设置有第二限制板42的区域，并且表示将第一限制板32在Z轴方向延伸的区域，虚线框区域B表示与虚线框区域B相邻的没有设置第一限制板32或第二限制板42的区域。

就图9所示的虚线框区域A中左图的在Z轴方向延伸的第一限制板32或者右图的第二限制板42所占的比例而言，可知前者(左图)多。由此可知，就虚线框区域A与虚线框区域B的边界处的压力差而言，将第一限制板32在Z轴方向延伸的左图比设置有第二限制板42 的右图更大。

因此，在蒸镀颗粒401从虚线框区域A侵入到虚线框区域B的情况下，由于上述的压力差的不同，左图所示的蒸镀单元1中，蒸镀颗粒401在虚线框区域B扩展，成膜图案扩展，而在右图所示的蒸镀单元1中，能够抑制蒸镀流的扩展，能够防止异常成膜。

(第一限制板32与第二限制板42之间的Z轴方向的距离)

当第一限制板32与第二限制板42之间存在间隙时，虽然也根据间隙的大小而不同，但是通过限制板开口33后扩展的蒸镀流经有可能通过第一限制板32与第二限制板42之间的间隙而泄露，泄露的蒸镀流有可能侵入到相邻喷嘴区域。

因此，第一限制板32和第二限制板42优选尽可能接近地设置，最优选相互接触(密合)地设置。

(第一限制板32和第二限制板42的高度)

第一限制板32和第二限制板42的高度，只要根据射出口11与蒸镀掩模50之间的距离适当设定即可，没有特别限定。

但是，特别是当第二限制板42的高度过高时，如图7所示，蒸镀流被关起来散射变强，因此不优选。相反，当第二限制板42的高度过低时，截断扩展的蒸镀流的能力有可能不充分。

蒸镀流容易根据蒸镀材料和蒸镀速率而变化。因此，优选的高度不能一概地确定，但是优选根据这些条件设定为适当的高度，使得捕捉效率变高。

此外，第二限制板42与蒸镀掩模50之间的距离也没有特别规定，但是，当第二限制板42与蒸镀掩模50密合或者距离过窄时，在第二限制板42不具备冷却机构的情况下，热在第二限制板42中传导而传导至蒸镀掩模50，蒸镀掩模50有可能由于热而弯曲。另外，即使第二限制板42具备冷却机构，蒸镀掩模50也有可能由于来自蒸镀源10的辐射热而弯曲，在该情况下，有可能与第二限制板42接触而破损。

因此，第二限制板42与蒸镀掩模50优选适度地隔开，优选以第二限制板42与蒸镀掩模50隔开的方式，确定第一限制板32和第二限制板42的高度以及配置。

另外，优选第二限制板42在第一限制板32与蒸镀掩模50之间的 空间所占的体积少，使得通过限制板开口33的蒸镀流的蒸镀分布不会因急剧的压力变化而变化。因此，优选也考虑这一点来确定第一限制板32和第二限制板42的高度。

＜第二限制板42的变形例1＞

图10是将本变形例的蒸镀单元的主要部分的概略构成与被成膜基板一起表示的截面图。

在本变形例中，如图10所示，以设置在第一限制板32上的成对的第二限制板42间的开口宽度越向上方越变小的方式将第二限制板42分别倾斜地设置。换言之，以设置在第一限制板32上的成对的第二限制板42成为中央开口的倒V字状(即“八”字状)的方式配置第二限制板42。

此外，在本变形例中，基于上述的理由，也优选第二限制板42与第一限制板32接触地设置。另外，优选以成对的第二限制板42的各个第一限制板32的X轴方向端部侧的边缘位于第一限制板32的X轴方向端部(第一限制板32的限制板开口33的开口边缘)的方式设置第二限制板42。

根据本变形例，如图10所示，能够在Z轴方向改变空间体积。具体而言，越向作为蒸镀掩模50侧的上方去，第一限制板32间的限制板开口33上的空间体积(具体而言，第二限制板42间的限制板开口43b的空间体积)越扩展。

根据本变形例，不需要如图7所示将第二限制板42的高度提高到蒸镀掩模50附近，另外，因为使得越向上方去，第一限制板32间的限制板开口33上的空间体积越扩展，所以能够抑制蒸镀颗粒401的散射。因此，能够消除在图7中看到的问题，能够更有效地捕捉通过第一限制板32间的限制板开口33后扩展的蒸镀流。

＜第二限制板42的变形例2＞

图11的(a)～(e)是表示本变形例的限制板单元20的主要部分中的第二限制板42的图案例的平面图。

在图3中，列举第二限制板42在俯视时设置在第一限制板32上、具有与第一限制板32的Y轴方向的长度相同的长度、且在Y轴方向连续设置的情况为例进行了表示。

然而，如图11的(a)～(e)所示，第二限制板42也可以比第一限制板32的Y轴方向的长度短，在俯视时在第一限制板32上，多个第二限制板42在Y轴方向断续地(不连续地)设置。

另外，在该情况下，如图11的(b)～(e)所示，不需要在Y轴方向的特定的位置(特定的Y坐标)使X轴方向的各位置的第二限制板42(例如在X轴方向上相邻的第二限制板42)的不连续部位(在Y轴方向上相邻的第二限制板42彼此的相对端部间的区域)对齐，也不需要使不连续部位的长度一致。

另外，在该情况下，如图11的(c)～(e)所示，也不需要使X轴方向的各位置的第二限制板42的不连续部位的个数一致。另外，不仅不需要在X轴方向上相邻的成对的第二限制板42的配设图案相同，而且，如图11的(c)～(d)所示，也不需要各组的第二限制板42的配设图案相同。

通过如图11的(a)～(e)所示，使第二限制板42不连续，能够进行更精细的调整，进而第二限制板42的更换作业也变得容易。

但是，在该情况下，优选：如图11的(d)～(e)所示，在成对的第二限制板42的形成区域内(即，俯视时的各第一限制板32上的区域)，在Y轴方向的任何位置(坐标)，从与X轴方向平行的方向看，至少存在1个第二限制板42(即，从与X轴方向平行的方向看，没有不存在第二限制板42的Y坐标位置)，使得蒸镀颗粒401不会通过不连续部位而到达相邻成膜区域(相邻的掩模开口区域)。

此外，在该情况下，只要配置第二限制板42使得在成对的第二限制板42的形成区域内，在Y轴方向的任何位置，从与X轴方向平行的方向看，至少存在1个第二限制板42即可，因此，在该区域内不需要使第二限制板42的Y轴方向的延伸距离一致。另外，也不需要使第一限制板32和第二限制板42的Y轴方向的长度一致。

另外，在图11的(a)～(e)中，列举在X轴方向上相邻的成对的第二限制板42分别设置在从其正下方的第一限制板32的X轴方向的两端部离开的位置的情况为例进行了图示。然而，在该情况下，也优选在X轴方向上相邻的成对的第二限制板42的至少一部分(例如，至少在俯视时与射出口11相邻的第二限制板42)形成在与其正下方的 第一限制板32的X轴方向的两端部的至少一部分接触的位置。

＜第二限制板42的变形例3＞

图12是将本变形例的限制板单元20的主要部分中的第二限制板42的图案例与射出口11一起表示的平面图。

如上所述，蒸镀膜402的蒸镀分布在射出口11(喷嘴)的正上方最厚，随着向射出口11的端部(喷嘴端部)上去而变薄。因此，射出口11的附近上方，蒸镀密度高，蒸镀颗粒401的碰撞、散射多。

因此，第二限制板42的Y轴方向的长度和配设位置，优选考虑蒸镀材料和蒸镀密度(蒸镀速率)来确定。

因此，在第二限制板42的Y轴方向的长度比第一限制板32的Y轴方向的长度短的情况下，优选第二限制板42在俯视时与射出口11相邻地设置。另外，在该情况下，第二限制板42并不一定需要沿着第一限制板32在Y轴方向断续地形成，也可以如图12所示，仅设置在俯视时与射出口11相邻的位置。

即，射出口11的附近上方，蒸镀密度高，蒸镀颗粒401的碰撞、散射多，因此，蒸镀流的指向性容易变差。因此，优选在射出口11的附近上方设置有第二限制板42。然而，当远离射出口11时，蒸镀密度变低，碰撞、散射少，因此，蒸镀流的指向性难以变差。因此，在俯视时远离射出口11的位置，可以不设置第二限制板42。

因此，通过采用图12所示的结构，能够仅在需要的部位设置第二限制板42，因此，能够制成廉价的结构。

此外，在图12中，列举成对的第二限制板42设置在远离其正下方的第一限制板32的X轴方向的两端部的位置的情况为例进行了图示。然而，在该情况下，也优选成对的第二限制板42形成在与其正下方的第一限制板32的X轴方向的两端部(即，X轴方向的两端部的一部分)接触的位置(更具体而言，形成为与上述X轴方向的两端部的一部分共面)。

＜第二限制板42的变形例4＞

图13是将本变形例的限制板单元20的主要部分中的第二限制板42的图案例与射出口11一起表示的平面图。

在本实施方式特别是图3、图11的(a)～(e)和图12中，列举 第二限制板42为长方体的情况为例进行了图示，但是第二限制板42的形状也可以不是长方体。

例如，考虑俯视时射出口11的附近和其以外的区域的蒸镀密度的不同，在俯视时第二限制板42的Y轴方向的端部可以具有逐渐变细的形状。

优选第二限制板42所占的体积少，使得通过第一限制板32间的限制板开口33的蒸镀流的分布不会因急剧的压力变化而变化。因此，通过采用图13所示的形状，能够抑制通过限制板开口33的蒸镀流的分布(蒸镀膜402的蒸镀分布)的变化，因此，能够进行精度更高的控制。

此外，在图13中，也与图12同样，列举成对的第二限制板42设置在远离其正下方的第一限制板32的X轴方向的两端部的位置的情况为例进行了图示，但是，在该情况下，也优选成对的第二限制板42形成在与其正下方的第一限制板32的X轴方向的两端部(即，X轴方向的两端部的一部分)接触的位置。

＜第二限制板42的变形例5＞

此外，在本实施方式中，列举第二限制板42具有均匀的高度的情况为例进行了图示，但是第二限制板42的高度并不一定需要是均匀的。

各射出口11(喷嘴)各自具有个体差异，因此，来自各射出口11的蒸镀分布也会产生差异。因此，为了降低各射出口11的个体差异，可以对第二限制板42的高度(Z轴方向的长度)进行微调整。

〔实施方式2〕

根据图14和图15对本实施方式进行说明如下。

此外，在本实施方式中，主要对与实施方式1的不同点进行说明，对于与实施方式1中使用的构成要素具有相同功能的构成要素，标注相同的编号，省略其说明。

在由蒸镀颗粒401的碰撞、散射引起的蒸镀流的扩展比较小的情况下，通过相对于1块第一限制板32在X轴方向设置2块第二限制板42，能够充分抑制异常成膜。

然而，在蒸镀流的扩展非常大的情况下，也存在以下的情况：相对于1块第一限制板32在X轴方向仅设置有2块第二限制板42时， 根据其大小和配置，有可能无法捕捉比第二限制板42的配置位置宽的蒸镀流，或者当为了捕捉比第二限制板42的配置位置宽的蒸镀流，而使第二限制板42的配置位置更靠内侧时，有可能无法捕捉比第二限制板42的配置位置靠外侧的蒸镀流，等等，引起异常成膜的蒸镀颗粒401的捕捉效果难以说充分。

因此，作为蒸镀流的扩展非常大的情况的对策的一个例子，在第一限制板32与第二限制板42没有密合的情况下，为了截断(捕捉)穿过第一限制板32与第二限制板42的间隙而扩展的蒸镀流，也可以考虑例如如图15所示，使第二限制板42的X轴方向的长度变长(换言之，使第二限制板42的宽度变宽)。

如图15所示，通过使第二限制板42的宽度(X轴方向的厚度)变厚，能够抑制通过第一限制板32间的限制板开口33后扩展的蒸镀流。

然而，在该情况下，与第二限制板42的宽度变厚的量相应地，第二限制板42变重，而得不到对齐精度。另外，因为第二限制板42的占有体积增加，所以使通过第二限制板42后的蒸镀流产生急剧的压力变化。因此，第二限制板42的X轴方向的宽度本身优选相对于第一限制板32的X轴方向的宽度相对薄。

另外，例如，即使在第二限制板42的X轴方向的宽度比较薄的情况下，在能够在第一限制板32的X轴方向两端侧设置Z轴方向的长度比较长的第二限制板42的情况下，也能够通过相对于1块第一限制板32，在X轴方向设置2块第二限制板42，来充分抑制异常成膜。

然而，也有不能充分确保设置第二限制板42的空间的高度(即，第一限制板32与蒸镀掩模50之间的距离)，仅使用与蒸镀流的扩展的大小相比Z轴方向的长度短的第二限制板42的情况。在该情况下，即使在第一限制板32的X轴方向两端侧设置有第二限制板42，当第一限制板32与第二限制板42之间有间隙时，蒸镀流也有可能从第一限制板32与第二限制板42之间的间隙，通过上述X轴方向两端侧的第二限制板42间的间隙，泄露(侵入)到相邻成膜区域。

另外，当为了捕捉蒸镀流而增大第二限制板42的Z轴方向的长度时，蒸镀颗粒401飞散的空间体积减少，压力上升。因此，即使在能 够充分确保设置第二限制板42的空间的高度的情况下，根据蒸镀流的扩展的大小的不同，也有难以设置能够充分应对蒸镀流的扩展的大小的长度的第二限制板42的情况。

图14是将本实施方式的蒸镀单元1的主要部分的概略构成与被成膜基板200一起表示的截面图。

此外，图14所示的蒸镀单元1，在第一限制板32与第二限制板42没有密合的情况下，相对于1块第一限制板32，设置有3块Z轴方向的长度比实施方式1短的第二限制板42，除此以外与实施方式1所示的蒸镀单元1相同。

如在图14中用粗虚线表示的那样，根据本实施方式，不能由在第一限制板32的X轴方向两端侧设置的第二限制板42捕捉的蒸镀流，由在第一限制板32的X轴方向中央设置的第二限制板42捕捉。因此，即使在第二限制板42使用与蒸镀流的扩展相比Z轴方向的长度短的限制板的情况下，也能够充分抑制异常成膜。

这样，根据本实施方式，通过相对于1块第一限制板32设置3块第二限制板42，特别是如图14所示，在第一限制板32与第二限制板42没有密合的情况下，相对于1块第一限制板32设置3块第二限制板42，也能够捕捉扩展非常大的蒸镀流(穿过第一限制板32与第二限制板42的间隙扩展的蒸镀流)，而不会降低对齐精度，而且，蒸镀流通过第一限制板32后不会产生急剧的压力变化。

此外，图14中，列举相对于每一块第一限制板32设置有3块第二限制板42的情况为例进行了图示，但是本实施方式并不限定于此。也可以根据蒸镀流的扩展，相对于每一块第一限制板32设置3块以上的第二限制板42。但是，当使每一块第一限制板32的第二限制板42的块数过多时，用于得到高精细的图案的位置对准变得复杂，第二限制板42的占有体积也增大，因此，不怎么优选。

另外，在图14中，列举第一限制板32与第二限制板42没有密合的情况为例进行了图示，但是本实施方式并不限定于此，第一限制板32与第二限制板42也可以密合。

例如，通过在设置在第一限制板32的X轴方向两端侧的第二限制板42间，设置与在该X轴方向两端侧设置的第二限制板42相比向Z 轴方向突出的第二限制板42(例如与上述X轴方向两端侧的第二限制板42相比Z轴方向的长度长的第二限制板42)，不论第一限制板32与第二限制板42是否密合，都能够利用在设置在上述X轴方向两端侧的第二限制板42间设置的第二限制板42，来捕捉不能由在上述X轴方向两端侧设置的第二限制板42完全捕捉的蒸镀流。

此外，在该情况下，在设置在上述X轴方向两端侧的第二限制板42间设置的第二限制板42的块数也没有特别限定。在设置在上述X轴方向两端侧的第二限制板42间，例如可以在第一限制板32的X轴方向中央仅设置有1块第二限制板42，也可以相互隔开地设置有2块以上的第二限制板42。

此外，在该情况下，在设置在上述X轴方向两端侧的第二限制板42间设置的第二限制板42的高度，例如，只要根据使用的蒸镀材料和蒸镀速率等，在由蒸镀颗粒401飞散的空间体积的减少造成的压力的上升不会变得过大的范围内适当设定，使得捕捉效率提高即可，没有特别限定。

此外，关于第二限制板42的变形例，能够反映实施方式1中表示的思想这是不言而喻的。

〔实施方式3〕

根据图16～图20对本实施方式进行说明如下。

此外，在本实施方式中，主要对与实施方式1、2的不同点进行说明，对于与实施方式1、2中使用的构成要素具有相同功能的构成要素，标注相同的编号，省略其说明。

在实施方式2中，列举如下的情况为例进行了说明：通过增加在俯视时位于同一第一限制板32上的、同一YZ平面中的第二限制板42的块数(每一块第一限制板的第二限制板42的块数)，在蒸镀流的扩展大的情况下，截断(捕捉)通过第一限制板32间的限制板开口33后扩展的蒸镀颗粒401。

然而，当增加每一块第一限制板32的第二限制板42的块数时，第二限制板42组在同一YZ平面所占的占有体积变大，第二限制板42整体的块数也增加。因此，每一块第一限制板32的第二限制板42的块数越增加，越容易产生急剧的压力变化和用于得到对齐精度的位置 对准的复杂化。

因此，在本实施方式中，列举在第一限制板组件30与蒸镀掩模50之间设置包括第二限制板42的多段的限制板的情况为例进行说明。

图16是表示在第一限制板组件30与蒸镀掩模50之间设置有第二限制板组件40和第三限制板组件70的蒸镀单元1的概略构成的截面图。

第三限制板组件70，如图16所示，具备在第一限制板32上、在X轴方向相互隔开并且沿着第一限制板32相互平行地设置的由多个第三限制板72构成的第三限制板列71。

第三限制板72与第二限制板42同样，配置成：以YZ平面为主面，各个主面在X轴方向相邻，并且与以XY平面为主面的蒸镀掩模50的主面以及被成膜基板200的被蒸镀面201垂直。

此外，在图16中，列举以下的情况为例进行了表示：第三限制板72与第二限制板42同样，在第一限制板32上沿着第一限制板32在X轴方向以2块1组设置。

因此，第三限制板72在俯视时分别与Y轴平行地延伸设置，在X轴方向以2块1组设置的各组的第三限制板72分别以相同间距在X轴方向相互平行地排列有多个。由此，在X轴方向上相邻的各组的第三限制板72间，分别作为开口区域形成有限制板开口73b。

另外，在俯视时在同一第一限制板32上设置的成对的第三限制板72相互隔开地设置，在成对的第三限制板72间，作为开口区域，形成有限制板开口73a。

此外，在本实施方式中，第三限制板72分别形成为例如长方形状。第三限制板72分别以其短轴与Z轴方向平行的方式垂直地配置。因此，第三限制板72的长轴与Y轴方向平行地配置。

第三限制板组件70，可以是与图4的(a)所示的第二限制板组件40同样，以隔着限制板开口73a设置的一对第三限制板72为1组，在相邻的各组第三限制板72间分别设置有限制板开口73b的块状的单元。或者，第三限制板组件70，也可以与例如图4的(b)所示的第二限制板组件40同样，具有以下的构成：隔着上述的限制板开口73a、73b排列的第三限制板72，分别利用例如焊接等方法一体地保持在由 与X轴方向平行的一对第一保持部件和与Y轴方向平行的一对第二保持部件构成的、与保持体46同样的框状的保持体。

在本变形例中，只要能够将第三限制板72的相对位置和姿势维持为一定，保持第三限制板72的方法并不限于上述方法。

第三限制板组件70利用第三限制板72，将第二限制板组件40与蒸镀掩模50之间的空间划分成包括限制板开口73b的多个蒸镀空间，由此，限制通过第二限制板42间的限制板开口43b的蒸镀颗粒401的通过角度。

在本实施方式中，如图16所示，将第一限制板组件30、第二限制板组件40、第三限制板组件70从蒸镀源10侧起依次相互隔开地设置，并且相对于每一块第一限制板32，在X轴方向分别使用2块第二限制板42和第三限制板72。

为了捕捉通过第一限制板32间的限制板开口33后扩展非常大的蒸镀流(例如在将第二限制板42配置在第一限制板32的X轴方向端部侧的情况下，比第二限制板42的配置更宽的蒸镀流)，将第二限制板42分别靠近第一限制板32的X轴方向中央配置。

另外，将第三限制板72配置在比第二限制板42更靠第一限制板32的X轴方向端部侧的位置，使得第三限制板72位于由于将第二限制板42分别靠近第一限制板32的X轴方向中央配置而通过比第二限制板42的设置位置更靠外侧的位置的蒸镀流(例如，在比第二限制板42靠上方(蒸镀掩模50侧)的位置交叉的蒸镀流)的路径(即，蒸镀颗粒401的飞散路径)上。

由此，在本实施方式中，下段的第二限制板列41(第二限制板42组)捕捉扩展相对大的蒸镀流，上段的第三限制板列71(第三限制板72组)捕捉扩展相对小的蒸镀流。

根据本实施方式，通过这样根据蒸镀流的扩展的程度利用各段的限制板使蒸镀颗粒401的捕捉范围不同进行功能分离，能够不增加同一YZ平面的限制板的块数而捕捉扩展后的蒸镀流。另外，能够抑制由在同一YZ平面中所占的第二限制板42的块数的增加导致的第二限制板42的占有体积的增加。

因此，根据本实施方式，能够对所有的蒸镀流的扩展，高精度地 配置第二限制板42，能够抑制通过限制板开口33后的压力变化，能够有效地防止异常成膜。

＜变形例1＞

此外，在本实施方式中，列举各段的限制板作为分别的限制板组件设置的情况为例进行了说明，但是也可以形成为第二限制板组件40具备多段的限制板的结构。即，例如，下段的第二限制板42和上段的第三限制板72可以由1个保持体保持，也可以第二限制板组件40具备第二限制板42和第三限制板72。

＜变形例2＞

另外，设置在第一限制板32上的各段的限制板，相对于每一块第一限制板32，在X轴方向的块数并不限定于2块，可以为1块，也可以为3块以上。

另外，相对于每一块第一限制板32的每一块限制板的各段的限制板的块数，可以相同也可以不同。

图17是表示本变形例的蒸镀单元1的概略构成的一个例子的截面图。

在图17中，列举相对于1块第一限制板32，在X轴方向设置有2块第二限制板42、设置有1块第三限制板72的情况为例进行了图示。

此外，图17中，为了捕捉通过第一限制板32间的限制板开口33后扩展非常大的蒸镀流(例如在将第二限制板42配置在第一限制板32的X轴方向端部侧的情况下，比第二限制板42的配置更宽的蒸镀流)，也将第二限制板42分别靠近第一限制板32的X轴方向中央配置。

此时，以第三限制板72位于通过比第二限制板42的设置位置更靠外侧的位置的蒸镀流的路径上的方式，在图16中，在与在比第二限制板42靠上方(蒸镀掩模50侧)的位置交叉的蒸镀流的交叉部相比更靠上方的位置，在X轴方向设置有2块第三限制板72，但是，在如图17那样，在1块第一限制板32上仅设置1块第三限制板72的情况下，第三限制板72优选如图17所示，配置在上述交叉部。

由此，能够利用1块第三限制板72有效地捕捉通过比第二限制板42的设置位置更靠外侧的位置的蒸镀流。

此外，在本变形例中，在第一限制板32上，相对于每1块第一限 制板仅设置有1块第三限制板72，因此，在X轴方向上相邻的第三限制板72间，分别作为开口区域设置有限制板开口73。

第三限制板组件70利用第三限制板72，将第二限制板组件40与蒸镀掩模50之间的空间划分成包括限制板开口73的多个蒸镀空间，由此，限制通过第二限制板42间的限制板开口43b的蒸镀颗粒401的通过角度。

＜变形例3＞

另外，在图16和图17中，列举在第一限制板组件30与蒸镀掩模50之间设置有2段限制板的情况为例进行了图示，但是第一限制板组件30与蒸镀掩模50之间的限制板也可以由3段以上构成。换言之，在第一限制板组件30与蒸镀掩模50之间可以设置有3个以上的限制板组件。

通过蒸镀单元1在Z轴方向具备多段的限制板组件，并且各限制板组件具备多个限制板，能够应对所有的基板尺寸、图案尺寸、材料等。

例如，当蒸镀速率与图16和图17所示相比进一步变高时，通过第一限制板32间的限制板开口33的蒸镀流，在通过第二限制板42间的限制板开口43b的瞬间也有进一步扩展的可能性。

因此，根据蒸镀速率的不同，为了捕捉通过限制板开口43b后扩展的蒸镀流，可以在Z轴方向进一步设置限制板。

图18是表示本变形例的蒸镀单元1的概略构成的一个例子的截面图。另外，图19的(a)、(b)是表示本变形例的各段的限制板的配设方法的一个例子的截面图。

在图18中，在第三限制板组件70与蒸镀掩模50之间设置有第四限制板组件80。

此外，第四限制板组件80的概略构成，除了设置在第三限制板组件70与蒸镀掩模50之间这一点以外，与第三限制板组件70相同。因此，第四限制板组件80，如图18所示，具备设置在第一限制板32上、在X轴方向相互隔开并且沿着第一限制板32相互平行地设置的由多个第四限制板82构成的第四限制板列81。

第四限制板82与第三限制板72同样，配置成：以YZ平面为主面， 各个主面在X轴方向相邻，并且与以XY平面为主面的蒸镀掩模50的主面以及被成膜基板200的被蒸镀面201垂直。

此外，在图18中，列举第四限制板82与第三限制板72同样，在第一限制板32上沿着第一限制板32在X轴方向以2块1组设置的情况为例进行了表示。

因此，第四限制板82在俯视时分别与Y轴平行地延伸设置，在X轴方向以2块1组设置的各组的第四限制板82，分别以相同间距在X轴方向相互平行地排列有多个。由此，在X轴方向上相邻的各组的第四限制板82间，分别作为开口区域形成有限制板开口83b。

另外，在俯视时设置在同一第一限制板32上的成对的第四限制板82相互隔开地设置，在成对的第四限制板82间，作为开口区域形成有限制板开口83a。

此外，在本变形例中，第四限制板82分别形成为例如长方形状。第四限制板82分别以其短轴与Z轴方向平行的方式垂直地配置。因此，第四限制板82的长轴与Y轴方向平行地配置。

第四限制板82能够通过与第三限制板72的保持方法同样的方法保持。但是，与第三限制板72同样，第四限制板82也是只要能够将第四限制板82的相对位置和姿势维持为一定，其保持方法并没有特别限定。

第四限制板组件80利用第四限制板82，将第三限制板组件70与蒸镀掩模50之间的空间划分成包括限制板开口83b的多个蒸镀空间，由此，限制通过第三限制板72间的限制板开口73b的蒸镀颗粒401的通过角度。

此外，在图18中，相对于每一块第一限制板32，在X轴方向分别各使用2块第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82。

在如图18所示在Z轴方向排列设置多段限制板的情况下，优选如实施方式1所示，第一限制板32的限制板开口33的开口边缘与成对的第二限制板42的各个第一限制板32的X轴方向端部侧的边缘至少一部分接触，例如优选共面地设置。

另外，在如图18所示在Z轴方向排列设置多段限制板的情况下，优选在俯视时在第一限制板32上形成的限制板(第二限制板42、第三 限制板72、第四限制板82)配置成：相互至少一部分接触，并且，在相邻的第一限制板32上分别形成的在同一平面内相互相对的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)间的距离，越向蒸镀掩模50侧越大。

例如，如图18、图19的(a)、(b)所示，优选以在俯视时在第一限制板32上形成的限制板(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)间的开口宽度越向上方越小的方式(即，以成为中央开口的逆V字状(即，“八”字状)的方式)配置各段的限制板。

当在Z轴方向配置的各段的限制板间有间隙的情况下，存在蒸镀流从该间隙泄露的可能性。

然而，通过形成为上述的结构，蒸镀流不会从在第一限制板32上形成的限制板间(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)的间隙泄露。另外，越向作为蒸镀颗粒401飞散方向的蒸镀掩模50侧，第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)上的空间体积越大，因此，能够抑制蒸镀颗粒401的散射。因此，能够更有效地捕捉通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后扩展的蒸镀流。

另外，在该情况下，在第一限制板32上设置的各限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)，优选如图19的(a)所示，具有上段限制板的第一限制板32的X轴方向端部侧的端面与和该限制板接触的下段限制板的第一限制板32的X轴方向中央部侧的端面的至少一部分接触(例如与该端面共面)地形成的结构，更优选如图19的(b)所示，在第一限制板32上设置的相邻段的限制板彼此、即相互接触的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)彼此一部分重叠。

由此，能够更可靠地防止蒸镀流从相邻段的限制板间的间隙泄露。因此，能够更有效地捕捉通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后扩展的蒸镀流。

另外，在如图19的(a)所示使相互接触的限制板彼此仅在各自的边缘接触的情况下，需要将各段的限制板分别精密地对齐。与此相对，通过如图19的(b)所示使相互接触的限制板彼此部分重叠，还有对齐变得容易的优点。

此外，在本变形例中，作为以在俯视时在第一限制板32上形成的限制板(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)间的开口宽度越向上方越小的方式配置各段的限制板的例子，列举在第一限制板32上设置有第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82的情况为例进行了说明，但是在第一限制板32上仅设置有第二限制板42和第三限制板72的情况下也能够得到同样的效果，这是不言而喻的。

在如图10所示在第一限制板32上设置的成对的第二限制板42以成为中央开口的逆V字状的方式配置第二限制板42的情况下，与本变形例相比具有容易设置限制板的优点。然而，图10中，限制板单元20在第一限制板上仅具备第二限制板42，因此，在为了防止由蒸镀颗粒401附着在第二限制板42上造成的污染而更换时，需要将第二限制板42整个更换。另一方面，通过像本变形例那样设置多段的限制板，仅将由蒸镀颗粒401的附着造成的污染严重的限制板更换即可，维护性好。

＜变形例4＞

如图18和图19的(a)、(b)所示，在第二限制板42的最下部(下表面)与第一限制板32的最上部(上表面)接触(密合)的情况下，虽然需要蒸镀速率越高越增加Z轴方向的限制板的段数，但是，在任何情况下，在俯视时配置在第一限制板上的各段的限制板以2块为1组即可，另外，这是最有效的设置方式。

然而，在由于某种原因，第二限制板42的最下部与第一限制板的最上部无法密合的情况下，根据蒸镀速率的不同，仅将在俯视时配置在第一限制板32上的各段的限制板以2块1组配置，也有无法捕捉通过限制板开口33后扩展的蒸镀流的可能性。在该情况下，优选如实施方式2那样，例如以3块以上为1组构成各段的限制板。

但是，在该情况下，限制板间的间隙的数量增加。因此，在本变形例中，也优选以各段的限制板间没有间隙的方式设置。

图20是表示本变形例的蒸镀单元1的概略构成的一个例子的截面图。

在本变形例中，如图20所示，在俯视时在第一限制板32上形成的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)也配置成： 相互至少一部分接触，并且，在相邻的第一限制板32上分别形成的在同一平面内相互相对的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)间的距离，越向蒸镀掩模50侧越大。

因此，在本变形例中，蒸镀流也不会从在第一限制板32上形成的限制板间(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)的间隙泄露。另外，越向作为蒸镀颗粒401的飞散方向的蒸镀掩模50侧，第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)上的空间体积越大，因此，能够抑制蒸镀颗粒401的散射。因此，能够更有效地捕捉通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后扩展的蒸镀流。

＜其他变形例＞

此外，在变形例3和变形例4中，列举第四限制板组件80具备第四限制板82的情况为例进行了图示，但是与第三限制板72同样，第四限制板82也可以与第二限制板42和第三限制板72中的至少一个由同一保持体保持。例如，第二限制板组件40可以具备第二限制板42、第三限制板72和第四限制板82。

另外，关于第三限制板72的变形例，能够反映与在实施方式1、2中表示的第二限制板42同样的思想，这是不言而喻的。另外，关于第四限制板82的变形例，能够反映与第三限制板72同样的思想，这也是不言而喻的。

〔实施方式4〕

根据图21对本实施方式进行说明如下。

此外，在本实施方式中，主要对与实施方式1、2的不同点进行说明，对于与实施方式1中使用的构成要素具有相同功能的构成要素，标注相同的编号，省略其说明。

图21是将本实施方式的蒸镀单元1的主要部分的概略构成与被成膜基板200一起表示的截面图。

本实施方式中，如图21所示，在第一限制板32的上表面，沿着第一限制板32，在X轴方向设置有2个在Z轴方向延伸的突起部32a，代替在第一限制板32上设置第二限制板42，除了这一点以外，与实施方式1相同。

如在实施方式1中说明的那样，第一限制板32和第二限制板42 最优选例如如图8所示，相互接触(密合)地设置。

将图8和图21对比可知，通过形成为图21所示的结构，能够得到与图8同样的效果。

即，根据本实施方式，从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的流动(蒸镀流)被第一限制板32抑制扩展。由此，指向性差的蒸镀颗粒401被截断(捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸镀流在蒸镀密度高的情况下(即，高速率时)，由于因其高蒸镀密度而产生的蒸镀颗粒401间的碰撞、散射，在通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)时，再次要扩展，但是，通过由上述突起部32a捕捉，扩展被抑制，维持扩展被抑制的状态通过蒸镀掩模50。此时，在第一限制板32的上表面，沿着第一限制板32，在上述第一方向设置有2个突起部32a，由此，能够有效地捕捉向第一限制板32的第一方向两端侧扩展的蒸镀流。因此，能够有效地抑制蒸镀流向上述方向的扩展。其结果，能够防止异常图案膜等异常成膜的发生，能够形成高精细的蒸镀膜图案。

另外，突起部32a形成在第一限制板32的上表面，因此，与在限制板开口33正上方设置限制板的情况不同，能够完全不降低蒸镀速率而有效地仅捕捉真正指向性差的成分。

此外，在限制板单元20在第一限制板32上仅具备第二限制板42的情况下，在为了防止由蒸镀颗粒401附着在第二限制板42上造成的污染而更换时，仅更换由蒸镀颗粒401的附着造成的污染严重的限制板即可，具有维护性好的优点。另一方面，根据本实施方式，能够省去在第一限制板32上配置第二限制板42时的对齐的工夫，具有限制板的设置容易的优点。

此外，在第一限制板32设置突起部32a的方法没有特别限定，能够使用模具成形和注射成形等公知的方法。

此外，在如图21所示，在第一限制板32的上表面设置突起部32a，代替在第一限制板32上设置第二限制板42的情况下，也与在第一限制板32上设置第二限制板42的情况同样，优选与第二限制板42对应的突起部32a，与第一限制板32的X轴方向的两端部(即，第一限制板32的突起部32a以外的X轴方向的两端部)的至少一部分接触(例 如与上述两端部共面)地形成。

由此，能够高效率地捕捉向第一限制板32的X轴方向两端侧扩展的蒸镀流。因此，能够更有效地抑制蒸镀流向第一限制板32的X轴方向两端侧的扩展。

此外，在本实施方式中，突起部32a的变形例也能够反映实施方式1、2中表示的关于第二限制板42的思想，这是不言而喻的。例如，对于突起部32a，也能够进行与图11的(a)～(e)所示的第二限制板42同样的变形。即，第二限制板42能够替换表示为突起部32a。

另外，在图21中，列举在第一限制板32的上表面设置有2个突起部32a的情况为例进行了图示，但是也可以相对于1块第一限制板32设置有3个以上突起部32a。

在第一限制板32的上表面设置突起部32a的情况下，也如在实施方式2中说明的那样，例如，通过在设置在第一限制板32的X轴方向两端侧的突起部32a间，设置比在该X轴方向两端侧设置的突起部32a向Z轴方向突出的突起部32a(即，在该情况下，与上述X轴方向两端侧的突起部32a相比Z轴方向的长度长的突起部32a)，能够利用在设置在该X轴方向两端侧的突起部32a间设置的突起部32a，捕捉不能由在上述X轴方向两端侧设置的突起部32a完全捕捉的蒸镀流。

此外，在该情况下，在设置在上述X轴方向两端侧的突起部32a间设置的突起部32a的数量也没有特别限定。在设置在上述X轴方向两端侧的突起部32a间，例如可以在第一限制板32的X轴方向中央仅设置有1个突起部32a，也可以相互隔开地设置有2个以上的突起部32a。

此外，在该情况下，在设置在上述X轴方向两端侧的突起部32a间设置的突起部32a的高度，例如，只要根据使用的蒸镀材料和蒸镀速率等，在由蒸镀颗粒401飞散的空间体积的减少造成的压力的上升不会变得过大的范围内适当设定，使得捕捉效率提高即可，没有特别限定。

此外，这些变形例是一个例子，并不限定于这些。

〔总结〕

本发明的方式1的蒸镀单元1具备：蒸镀掩模50；向上述蒸镀掩 模50射出蒸镀颗粒401的蒸镀源10；和设置在上述蒸镀掩模50与蒸镀源10之间，限制从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的通过角度的限制板单元20，上述限制板单元20具备多段的限制板(例如第一限制板32、第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)，该多段的限制板至少具备：在第一方向(X轴方向)相互隔开地设置的多个第一限制板32；和在俯视时设置在上述第一限制板32上、在上述第一方向相互隔开并且沿着上述第一限制板设置的多个第二限制板42，在上述第一方向，相对于每1块上述第一限制板(第一限制板32)设置有至少2块上述第二限制板42。

根据上述构成，从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的流动(蒸镀流)被第一限制板32抑制扩展。由此，指向性差的蒸镀颗粒401被截断(捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸镀流在蒸镀密度高的情况下(即，高速率时)，由于因其高蒸镀密度而产生的蒸镀颗粒401间的碰撞、散射，在通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后，再次要扩展，但是通过由至少包括第二限制板42的后段的限制板(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)捕捉，扩展被抑制，维持扩展被抑制的状态通过蒸镀掩模50。此时，在第一方向，相对于每1块第一限制板(第一限制板32)，至少设置有2块第二限制板42，由此，能够有效地捕捉向第一限制板32的第一方向两端侧扩展的蒸镀流。因此，能够有效地抑制蒸镀流向上述方向的扩展。其结果，能够防止异常图案膜等异常成膜的发生，能够形成高精细的蒸镀膜图案。另外，根据上述构成，第二限制板42在俯视时配置在第一限制板32上，第二限制板42不存在于第一限制板间的开口区域(限制板开口33)正上方，因此，能够完全不降低蒸镀速率而有效地仅捕捉真正指向性差的成分。

本发明的方式2的蒸镀单元1，在上述方式1中优选：上述第二限制板42的与上述第一方向垂直的第二方向(Y轴方向)的长度比该第二方向的上述第一限制板32的长度短，上述第二限制板42在俯视时设置在上述第一限制板32上且在与上述第一方向垂直的第二方向断续地设置有多个。

根据上述构成，第二限制板42设置在第一限制板32上且在与上 述第一方向垂直的第二方向断续地设置有多个，由此，能够更精细地调整第二限制板42的配置，并且第二限制板42的更换作业变得容易。

本发明的方式3的蒸镀单元1，在上述方式1中优选：在从与上述蒸镀掩模50的主面垂直的方向看时，在上述第一限制板32间分别设置有上述蒸镀源10的蒸镀颗粒401的射出口11，上述第二限制板42的与上述第一方向垂直的第二方向的长度比该第二方向的上述第一限制板32的长度短，在从与上述蒸镀掩模50的主面垂直的方向看时，上述第二限制板42与上述射出口11相邻地设置。

上述射出口11附近上方，蒸镀密度高，因高蒸镀密度而产生的蒸镀颗粒401间的碰撞、散射多，因此，优选设置有第二限制板42。另一方面，当远离上述射出口11时，蒸镀密度变低，蒸镀颗粒401间的碰撞、散射少，因此，可以不设置第二限制板42。

通过采用上述结构，能够仅在需要的部位设置第二限制板42，因此，能够制成廉价的结构。

本发明的方式4的蒸镀单元1，在上述方式3中优选：在从与上述蒸镀掩模50的主面垂直的方向看时，上述第二限制板42的上述第二方向的端部具有逐渐变细的形状。

优选第二限制板42所占的体积少，使得通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)的蒸镀流的分布不会因急剧的压力变化而变化。当采用上述结构时，能够抑制通过第一限制板32间的开口区域的蒸镀流的分布的变化，因此，能够进行更高精度的控制。

本发明的方式5的蒸镀单元1，在上述方式1～4中的任一个方式中优选上述第二限制板42至少形成在与上述第一限制板32的上述第一方向的两端部的至少一部分接触的位置。例如，上述蒸镀单元1优选：上述第二限制板42与上述第一限制板32接触地设置，并且至少形成在与上述第一限制板32的上述第一方向的两端部共面的位置。

第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)的上部附近，蒸镀密度高，蒸镀颗粒401间的散射增大，蒸镀流容易扩展。因此，通过采用上述结构，能够高效率地捕捉向第一限制板32的第一方向两端侧扩展的蒸镀流，能够更有效地抑制蒸镀流向上述第一方向两端侧的扩展。

本发明的方式6的蒸镀单元1，在上述方式1～5中的任一个方式中优选：在上述第一方向，相对于每1块上述第一限制板(第一限制板32)设置有3块上述第二限制板42。

通过在上述第一方向相对于每1块第一限制板(第一限制板32)设置3块第二限制板42，根据第二限制板42的位置，也能够捕捉通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后扩展的蒸镀流、或者通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后扩展非常大的蒸镀流，而不会降低尺寸精度，而且，不会产生急剧的压力变化。

本发明的方式7的蒸镀单元1，在上述方式1～6中的任一个方式中优选至少具备在俯视时设置在上述第一限制板32上的比上述第二限制板42靠上方的位置、在上述第一方向相互隔开并且沿着上述第一限制板32设置的多个第三限制板72。

根据上述构成，在比第二限制板42靠上方的位置至少设置第三限制板72，由此，能够抑制第一方向(X轴方向)的相对于第一限制板32的第二限制板42的块数的增加，并且捕捉通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后扩展的蒸镀流。另外，根据上述构成，能够在第一限制板32上，对于所有蒸镀流的扩展，高精度地设置限制板(第二限制板42和第三限制板72)，能够抑制通过第一限制板32间的开口区域后的压力变化，有效地防止异常成膜。

本发明的方式8的蒸镀单元1，在上述方式1中优选至少具备在俯视时设置在上述第一限制板32上的比上述第二限制板42靠上方的位置、在上述第一方向相互隔开并且沿着上述第一限制板32设置的多个第三限制板72，并且在俯视时在上述第一限制板32上形成的包括上述第二限制板42和第三限制板72的多段的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)配置成：至少一部分接触，并且，在相邻的第一限制板32上分别形成的在同一平面内相互相对的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)间的距离，越向上述蒸镀掩模50侧越大。

根据上述构成，蒸镀流不会从在第一限制板32上形成的限制板间(例如第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)的间隙泄露。另外，因为越向作为蒸镀颗粒401的飞散方向的蒸镀掩模50侧，第一 限制板32间的开口区域(限制板开口33)上的空间体积越大，所以能够抑制蒸镀颗粒401的散射。因此，能够更有效地捕捉通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后扩展的蒸镀流。

本发明的方式9的蒸镀单元1，在上述方式8中优选在俯视时在上述第一限制板32上形成的包括上述第二限制板42和第三限制板72的多段的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)中，相邻段的限制板彼此一部分重叠。

根据上述构成，能够更可靠地防止蒸镀流从相邻段的限制板间的间隙泄露。另外，因为越向作为蒸镀颗粒401的飞散方向的蒸镀掩模50侧，第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)上的空间体积越大，所以能够抑制蒸镀颗粒401的散射。因此，能够更有效地捕捉通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后扩展的蒸镀流。

本发明的方式10的蒸镀单元1，在上述方式1中优选：在上述第一方向，相对于每1块上述第一限制板设置有2块上述第二限制板42，并且设置在上述第一限制板32上的成对的第二限制板42以该成对的第二限制板42间的开口宽度越向上方越小的方式倾斜地设置。

根据上述构成，因为越向作为蒸镀颗粒401的飞散方向的蒸镀掩模50侧，第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)上的空间体积越大(换言之，在相邻的第一限制板上分别形成的在同一平面内相互相对的第二限制板42间的距离(限制板开口43b的上述第一方向的长度)越向蒸镀掩模50侧越大)，所以能够抑制蒸镀颗粒401的散射，能够更有效地捕捉通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后扩展的蒸镀流。

本发明的方式11的蒸镀单元1具备：蒸镀掩模50；向上述蒸镀掩模50射出蒸镀颗粒401的蒸镀源10；和设置在上述蒸镀掩模50与蒸镀源10之间，限制从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的通过角度的限制板单元20，上述限制板单元20具备在第一方向(X轴方向)相互隔开地设置的多个第一限制板32，在上述第一限制板32的上表面，沿着上述第一限制板32，在上述第一方向设置有至少2个突起部32a。

根据上述构成，从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的流动(蒸镀流)被第一限制板32抑制扩展。由此，指向性差的蒸镀颗粒401被截断(捕 捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸镀流在蒸镀密度高的情况(即，高速率时)下，由于因其高蒸镀密度而产生的蒸镀颗粒401间的碰撞、散射，在通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)时，再次要扩展，但是通过由上述突起部32a捕捉，扩展被抑制，维持扩展被抑制的状态通过蒸镀掩模50。此时，在第一限制板32的上表面，沿着第一限制板32，在上述第一方向设置有至少2个突起部32a，由此，能够有效地捕捉向第一限制板32的第一方向两端侧扩展的蒸镀流。因此，能够有效地抑制蒸镀流向上述方向的扩展。其结果，能够防止异常图案膜等异常成膜的发生，能够形成高精细的蒸镀膜图案。另外，根据上述构成，突起部32a形成在第一限制板32的上表面，因此，与在第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)正上方设置限制板的情况不同，能够完全不降低蒸镀速率而有效地仅捕捉真正指向性差的成分。

本发明的方式12的蒸镀单元1，在上述方式11中优选：在从与上述蒸镀掩模50的主面垂直的方向看时，在上述第一限制板32间分别设置有上述蒸镀源10的蒸镀颗粒401的射出口11，与上述第一方向垂直的第二方向(Y轴方向)的上述突起部32a的长度比该第二方向的上述第一限制板32的长度短，在从与上述蒸镀掩模50的主面垂直的方向看时，上述突起部32a与上述射出口11相邻地设置。

上述射出口11附近上方，蒸镀密度高，因高蒸镀密度而产生的蒸镀颗粒401间的碰撞、散射多。另一方面，当远离上述射出口11时，蒸镀密度变低，蒸镀颗粒401间的碰撞、散射少。

因此，优选突起部32a与上述射出口11相邻地设置。通过采用上述结构，能够仅在需要的部位设置突起部32a，因此，能够制成廉价的结构。

本发明的方式13的蒸镀单元1，在上述方式11或12中，上述突起部32a至少形成在与上述第一限制板32的上述第一方向的两端部共面的位置。

第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)的上部附近，蒸镀密度高，蒸镀颗粒401间的散射增大，蒸镀流容易扩展。因此，通过采用上述结构，能够高效率地捕捉向第一限制板32的第一方向两端侧 扩展的蒸镀流，能够更有效地抑制蒸镀流向上述第一方向两端侧的扩展。

本发明的方式14的蒸镀装置100具备：上述方式1～13中的任一方式的蒸镀单元1；和在上述蒸镀单元1的蒸镀掩模50与被成膜基板200相对配置的状态下，使上述蒸镀单元1和上述被成膜基板200中的一个在与上述第一方向垂直的第二方向相对移动的移动装置(基板移动装置103和蒸镀单元移动装置104中的至少一个)，上述蒸镀掩模50的上述第二方向的宽度比上述第二方向的被成膜基板200的宽度小，在沿着上述第二方向扫描的同时，使从上述蒸镀源10出射的蒸镀颗粒401通过上述限制板单元20和上述蒸镀掩模50的开口部(限制板开口33、34b、82b、92b)蒸镀在上述被成膜基板200上。

根据上述构成，从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的流动(蒸镀流)被第一限制板32抑制扩展。由此，指向性差的蒸镀颗粒401被截断(捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸镀流在蒸镀密度高的情况下(即，高速率时)，由于因其高蒸镀密度而产生的蒸镀颗粒401间的碰撞、散射，在通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后，再次要扩展，但是通过由至少包括第二限制板42的后段的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)或者上述突起部32a捕捉，扩展被抑制，维持扩展被抑制的状态通过蒸镀掩模50。此时，在第一方向，相对于每1块第一限制板至少设置有2块第二限制板42，由此，能够有效地捕捉向第一限制板32的第一方向两端侧扩展的蒸镀流。因此，能够有效地抑制蒸镀流向上述方向的扩展。

因此，根据上述构成，在进行使用扫描方式的扫描蒸镀时，能够防止异常图案膜等异常成膜的发生，能够形成高精细的蒸镀膜图案，其中，在扫描蒸镀中，在使被成膜基板200与蒸镀单元1相对移动而扫描的同时进行蒸镀。

本发明的方式15的限制板单元20是设置在蒸镀掩模50与蒸镀源10之间，限制从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的通过角度的限制板单元，该限制板单元具备多段的限制板(第一限制板32、第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)，该多段的限制板至少具备：在第一方向(X轴方向)相互隔开地设置的多个第一限制板32；和在俯视时 设置在上述第一限制板32上、在上述第一方向相互隔开并且沿着上述第一限制板设置的多个第二限制板42，在上述第一方向，相对于每1块上述第一限制板设置有至少2块上述第二限制板42。

根据上述构成，从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的流动(蒸镀流)被第一限制板32抑制扩展。由此，指向性差的蒸镀颗粒401被截断(捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸镀流在蒸镀密度高的情况下(即，高速率时)，由于因其高蒸镀密度而产生的蒸镀颗粒401间的碰撞、散射，在通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)后，再次要扩展，但是通过由至少包括第二限制板42的后段的限制板(第二限制板42、第三限制板72、第四限制板82)捕捉，扩展被抑制，维持扩展被抑制的状态通过蒸镀掩模50。此时，在第一方向相对于每1块第一限制板设置有至少2块第二限制板42，由此，能够有效地捕捉向第一限制板32的第一方向两端侧扩展的蒸镀流。因此，能够有效地抑制蒸镀流向上述方向的扩展。其结果，能够防止异常图案膜等异常成膜的发生，能够形成高精细的蒸镀膜图案。另外，根据上述构成，第二限制板42在俯视时配置在第一限制板32上，第二限制板42不存在于第一限制板间的开口区域(限制板开口33)正上方，因此，能够完全不降低蒸镀速率而有效地仅捕捉真正指向性差的成分。

本发明的方式16的限制板单元20是设置在蒸镀掩模50与蒸镀源10之间，限制从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的通过角度的限制板单元，该限制板单元具备在第一方向(X轴方向)相互隔开地设置的多个第一限制板32，在上述第一限制板32的上表面，沿着上述第一限制板32，在上述第一方向设置有至少2个突起部32a。

根据上述构成，从蒸镀源10射出的蒸镀颗粒401的流动(蒸镀流)被第一限制板32抑制扩展。由此，指向性差的蒸镀颗粒401被截断(捕捉)，被控制成指向性高的分布。被控制的蒸镀流在蒸镀密度高的情况下(即，高速率时)，由于因其高蒸镀密度而产生的蒸镀颗粒401间的碰撞、散射，在通过第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)时，再次要扩展，但是通过由上述突起部32a捕捉，扩展被抑制，维持扩展被抑制的状态通过蒸镀掩模50。此时，在第一限制板32的上表面，沿着第一限制板32，在上述第一方向设置有至少2个突起部32a，由 此，能够有效地捕捉向第一限制板32的第一方向两端侧扩展的蒸镀流。因此，能够有效地抑制蒸镀流向上述方向的扩展。其结果，能够防止异常图案膜等异常成膜的发生，能够形成高精细的蒸镀膜图案。另外，根据上述构成，因为突起部32a形成在第一限制板32的上表面，所以与在第一限制板32间的开口区域(限制板开口33)正上方设置限制板的情况不同，能够完全不降低蒸镀速率而有效地仅捕捉真正指向性差的成分。

此外，在上述的各实施方式和实施方案中，相邻成膜区域不仅包括某个喷嘴301a(关注喷嘴301a)与作为成膜对象的成膜区域(目标成膜区域)直接相邻的成膜区域(由与某个喷嘴301a相邻的喷嘴301a进行成膜的被成膜基板200上的相邻成膜区域)，还包括偏离目标成膜区域的其他成膜区域。即，在蒸镀颗粒401的散射非常强的情况下，也有从关注喷嘴301a出射的蒸镀颗粒401侵入相邻的成膜区域以后的成膜区域(例如目标成膜区域的相邻的成膜区域的相邻的成膜区域)的情况。然而，即使在这样蒸镀颗粒401的散射非常强的情况下，本发明也有效。

本发明并不限定于上述的各实施方式，能够在权利要求表示的范围内进行各种变更，将在不同实施方式中分别公开的技术手段适当组合而得到的实施方式也包括在本发明的技术范围内。此外，通过将在各实施方式中分别公开的技术手段组合，能够形成新的技术特征。

产业上的可利用性

本发明能够适合用于在使用扫描方式的扫描蒸镀中使用的蒸镀单元和限制板单元、以及使用这样的蒸镀单元形成规定的图案的蒸镀装置，其中，在扫描蒸镀中，在使被成膜基板与蒸镀单元相对移动而扫描的同时进行蒸镀。特别地，本发明的蒸镀单元和蒸镀装置以及限制板单元，例如能够适合用于有机EL显示装置的有机层的分涂形成等成膜工艺所使用的有机EL显示装置的制造装置以及制造方法等。

符号说明

1 蒸镀单元

10 蒸镀源

11 射出口

20 限制板单元

30 第一限制板组件

31 第一限制板列

32 第一限制板

32a 突起部

33 限制板开口

37 支撑部

38 冷却机构

40 第二限制板组件

41 第二限制板列

42 第二限制板

43a、43b 限制板开口

44 第一保持部件

45 第二保持部件

46 保持体

47 支撑部

48 冷却机构

50 蒸镀掩模

51 掩模开口

52 对齐标记

60 保持件

61 滑动装置

62 支撑部件

63 张力机构

65 防附着板

70 第三限制板组件

71 第三限制板列

72 第三限制板

73、73a、73b 限制板开口

80 第四限制板组件

81 第四限制板列

82 第四限制板

83a、83b 限制板开口

100 蒸镀装置

101 真空室

102 基板保持件

103 基板移动装置

104 蒸镀单元移动装置

105 图像传感器

200 被成膜基板

201 被蒸镀面

202 对齐标记

401 蒸镀颗粒

402 蒸镀膜

A 虚线框区域

B 虚线框区域。

Claims (5)

1.一种蒸镀单元，其特征在于，具备：

蒸镀掩模；

向所述蒸镀掩模射出蒸镀颗粒的蒸镀源；和

设置在所述蒸镀掩模与蒸镀源之间，限制从蒸镀源射出的蒸镀颗粒的通过角度的限制板单元，

当将与被成膜基板的被蒸镀面的法线方向和被成膜基板的扫描方向垂直的方向设为第一方向时，

所述限制板单元具备在所述第一方向相互隔开地设置的多个第一限制板，

在所述第一限制板的上表面，沿着所述第一限制板，在所述第一方向设置有至少2个突起部。

2.如权利要求1所述的蒸镀单元，其特征在于：

在从与所述蒸镀掩模的主面垂直的方向看时，在所述第一限制板间分别设置有所述蒸镀源的蒸镀颗粒的射出口，

与所述被成膜基板的被蒸镀面的法线方向和所述第一方向垂直的第二方向的所述突起部的长度，比该第二方向的所述第一限制板的长度短，

在从与所述蒸镀掩模的主面垂直的方向看时，所述突起部与所述射出口相邻地设置。

3.如权利要求1或2所述的蒸镀单元，其特征在于：

所述突起部至少形成在与所述第一限制板的所述第一方向的两端部共面的位置。

4.一种蒸镀装置，其特征在于，具备：

权利要求1～3中任一项所述的蒸镀单元；和

移动装置，该移动装置在所述蒸镀单元的蒸镀掩模与被成膜基板相对配置的状态下，使所述蒸镀单元和所述被成膜基板中的一个在与所述被成膜基板的被蒸镀面的法线方向和所述第一方向垂直的第二方向相对移动，

所述蒸镀掩模的所述第二方向的宽度小于所述第二方向的被成膜基板的宽度，

在沿着所述第二方向扫描的同时，使从所述蒸镀源出射的蒸镀颗粒通过所述限制板单元和所述蒸镀掩模的开口部蒸镀在所述被成膜基板上。

5.一种限制板单元，其为设置在蒸镀掩模与蒸镀源之间，限制从蒸镀源射出的蒸镀颗粒的通过角度的限制板单元，所述限制板单元的特征在于：

当将与被成膜基板的被蒸镀面的法线方向和被成膜基板的扫描方向垂直的方向设为第一方向时，

所述限制板单元具备在所述第一方向相互隔开地设置的多个第一限制板，

在所述第一限制板的上表面，沿着所述第一限制板，在所述第一方向设置有至少2个突起部。