KR101634922B1 - 제한판 유닛 및 증착 유닛과 증착 장치 - Google Patents

제한판 유닛 및 증착 유닛과 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101634922B1
KR101634922B1 KR1020167000080A KR20167000080A KR101634922B1 KR 101634922 B1 KR101634922 B1 KR 101634922B1 KR 1020167000080 A KR1020167000080 A KR 1020167000080A KR 20167000080 A KR20167000080 A KR 20167000080A KR 101634922 B1 KR101634922 B1 KR 101634922B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
limiting plate
deposition
limiting
plate
restriction
Prior art date
Application number
KR1020167000080A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160015363A (ko
Inventor
유끼 고바야시
가쯔히로 기꾸찌
신이찌 가와또
사또시 이노우에
다까시 오찌
에이이찌 마쯔모또
마사히로 이찌하라
Original Assignee
샤프 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 샤프 가부시키가이샤 filed Critical 샤프 가부시키가이샤
Publication of KR20160015363A publication Critical patent/KR20160015363A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101634922B1 publication Critical patent/KR101634922B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H01L51/56
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C23C14/044Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H01L51/0011
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

증착 유닛(1)은, 증착 마스크(50)와 증착원(10)과 제한판 유닛(20)을 구비하고 있다. 제한판 유닛(20)은 X축 방향으로 이격하여 설치된 복수의 제1 제한판(32)과, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 X축 방향으로 이격하여 설치된 복수의 제2 제한판(42)을 구비하고, 제2 제한판(42)은 X축 방향으로, 제1 제한판(32) 1장에 대하여 적어도 2장 설치되어 있다.

Description

제한판 유닛 및 증착 유닛과 증착 장치{RESTRICTING PLATE UNIT, VAPOR DEPOSITION UNIT, AND VAPOR DEPOSITION DEVICE}
본 발명은, 피성막 기판에 소정 패턴의 증착막을 형성하기 위한 제한판 유닛 및 증착 유닛과 증착 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 다양한 상품이나 분야에서 플랫 패널 디스플레이가 활용되고 있으며, 플랫 패널 디스플레이의 더 한층의 대형화, 고화질화, 저소비 전력화가 요구되고 있다.
그와 같은 상황 아래, 유기 재료의 전계 발광(일렉트로 루미네센스; 이하, 「EL」이라고 기재함)을 이용한 유기 EL 소자를 구비한 유기 EL 표시 장치는, 전고체형으로, 저전압 구동, 고속 응답성, 자발광성 등의 점에서 우수한 플랫 패널 디스플레이로서, 높은 주목을 받고 있다.
유기 EL 표시 장치는, 예를 들어 액티브 매트릭스 방식의 경우, TFT(박막 트랜지스터)가 설치된 유리 기판 등으로 이루어지는 기판 위에, TFT에 전기적으로 접속된 박막 형상의 유기 EL 소자가 설치된 구성을 갖고 있다.
풀 컬러의 유기 EL 표시 장치에서는, 일반적으로 적(R), 녹(G), 청(B)의 각 색의 유기 EL 소자가, 서브 화소로서 기판 위에 배열 형성되어 있으며, TFT를 사용하여 이들 유기 EL 소자를 선택적으로 원하는 휘도로 발광시킴으로써 화상 표시를 행한다.
따라서, 이와 같은 유기 EL 표시 장치를 제조하기 위해서는, 적어도, 각 색으로 발광하는 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층을, 유기 EL 소자마다 소정 패턴으로 형성할 필요가 있다.
이와 같은 발광층을 소정 패턴으로 형성하는 방법으로서는, 예를 들어, 진공 증착법, 잉크젯법, 레이저 전사법 등이 알려져 있다. 예를 들어, 저분자형 유기 EL 표시 장치(OLED)에서는, 주로 진공 증착법이, 발광층의 패터닝에 사용되고 있다.
진공 증착법에서는, 소정 패턴의 개구가 형성된 증착 마스크('섀도 마스크'라고도 칭해짐)가 사용된다. 그리고, 증착원으로부터의 증착 입자(증착 재료, 성막 재료)를 증착 마스크의 개구를 통해 피증착면에 증착시킴으로써, 소정 패턴의 박막이 형성된다. 이때, 증착은, 발광층의 색마다 행해진다(이것을 「구분 도포 증착」이라고 함).
진공 증착법은, 피성막 기판과 증착 마스크를 고정 혹은 순차 이동시켜서 밀착시킴으로써 성막하는 방법과, 피성막 기판과 증착용 마스크를 이격시켜서 주사하면서 성막하는 스캔 증착법으로 크게 구별된다.
전자(前者)의 방법에서는, 피성막 기판과 동등한 크기의 증착 마스크가 사용된다. 그러나, 피성막 기판과 동등한 크기의 증착 마스크를 사용하면, 기판의 대형화에 수반하여, 증착 마스크도 대형화한다. 따라서, 피성막 기판이 커지면, 그에 수반하여, 증착 마스크의 자중 휨이나 신장에 의해, 피성막 기판과 증착 마스크의 사이에 간극이 발생하기 쉬워진다. 그로 인해, 대형 기판에서는, 고정밀도의 패터닝을 행하는 것이 어려워 증착 위치의 어긋남이나 혼색이 발생하고, 고정밀화를 실현하는 것이 곤란하다.
또한, 피성막 기판이 커지면, 증착 마스크뿐만 아니라, 증착 마스크 등을 유지하는 프레임 등도 거대해져서 그 중량도 증가한다. 이로 인해, 피성막 기판이 커지게 되면, 증착 마스크나 프레임 등의 취급이 곤란해져서 생산성이나 안전성에 지장을 초래할 우려가 있다. 또한, 증착 장치 그 자체나, 그에 부수되는 장치도 마찬가지로 거대화, 복잡화하기 때문에, 장치 설계가 곤란해져서 설치 비용도 고액으로 된다.
따라서, 최근 들어, 피성막 기판보다도 작은 증착 마스크를 사용하여 주사하면서 증착(스캔 증착)을 행하는 스캔 증착법이 주목받고 있다.
이와 같은 스캔 증착법에서는, 예를 들어 띠 형상의 증착 마스크를 사용하고, 증착 마스크와 증착원을 일체화하는 등으로 하여, 피성막 기판과, 증착 마스크 및 증착원 중 적어도 한쪽을 상대 이동시키면서 피성막 기판 전체면에 증착 입자를 증착한다.
이로 인해, 스캔 증착법에서는, 피성막 기판과 동등한 크기의 증착 마스크를 사용할 필요가 없어, 대형의 증착 마스크를 사용하는 경우에 특유의 전술한 문제를 개선할 수 있다.
스캔 증착법에서는, 일반적으로, 증착원에, 증착 재료를 가열하여 증발 또는 승화시킴으로써 증착 입자로서 사출(비산)시키는 복수의 사출구(노즐)가 주사 방향에 수직인 방향으로 일정 피치로 설치된다.
따라서, 최근 들어, 스캔 증착 시에, 제한판을 사용하여 증착류(증착 입자의 흐름)를 제한함으로써, 어떤 노즐에 대응하는 증착 영역(성막 영역)에, 그 증착 영역에 인접하는 증착 영역에 증착 입자를 사출시키는 인접 노즐로부터의 증착 입자가 비래하지 않도록 하는 방법이 제안되어 있다.
예를 들어, 특허문헌 1에는, 증착원의 일 측에, 증착원과 증착 마스크 사이의 공간을 복수의 증착 공간으로 구획하는 복수의 차단벽을 제한판으로서 구비한 차단벽 어셈블리를 설치하는 것이 개시되어 있다. 특허문헌 1에 의하면, 제한판인 차단벽에 의해 증착 범위가 제한됨으로써, 증착 패턴이 넓어지지 않아 고정밀의 패턴 증착을 행할 수 있다.
일본 공개특허 공보 「특허공개 제2010-270396호 공보(2010년 12월 2일 공개)」
그러나, 증착 밀도가 높아지면(즉, 고 레이트 시에는), 종래의 제한판에서는, 인접 노즐로부터의 증착 입자의 비래를 방지할 수 없어, 증착 입자를 증착 영역으로 적절하게 유도할 수 없다.
도 22의 (a)·(b)는, 증착원(301)과 증착 마스크(302)의 사이에, 주사 방향(주사축)에 수직인 방향을 따라 제한판(320)을 복수 설치한 경우에 있어서의, 증착 밀도의 차이에 의한 증착류의 차이를 모식적으로 나타내는 도면이다.
또한, 도 22의 (a)는, 증착 밀도가 상대적으로 낮은 경우(저 레이트 시)를 나타내고, 도 22의 (b)는, 증착 밀도가 상대적으로 높은 경우(고 레이트 시)를 나타낸다.
또한, 도 22의 (a)·(b) 중, Y축은, 피성막 기판(200)의 주사 방향을 따른 수평 방향축을 나타내고, X축은, 피성막 기판(200)의 주사 방향에 수직인 방향을 따른 수평 방향축을 나타내고, Z축은, 피성막 기판(200)의 피증착면(201)(피성막면)의 법선 방향이며, 그 피증착면(201)에 직교하는 증착 축선이 연장되는 방향인, X축 및 Y축에 수직인 수직 방향축(상하 방향축)을 나타낸다.
제한판(320)의 상부 개구 에지(320a)를 빠져나가는 증착 입자(401)(증착류)는, 도 22의 (a)에 ×표로 나타낸 바와 같이, 저 레이트 시이면 증착 마스크(302)의 비개구부에서 커트된다.
그러나, 도 22의 (b)에 도시한 바와 같이, 고 레이트가 되면, 제한판(320)의 상부 개구 에지(320a) 부근에서, 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란 정도가 강해져서, 제한판(320)에 의해 제한된 증착류가, 제한판(320)의 개구부(321)를 빠져나간 순간에 퍼져 버린다. 퍼진 증착류의 일부는, 인접하는 노즐(301a)에 의한 피성막 기판(200) 위의 인접 성막 영역에 침입한다.
이 결과, 인접 노즐로부터의 증착 입자(401)가, 정상 패턴막에 혼입되거나, 정상 패턴막 사이에, 저 레이트이면 형성되지 않는 이상 패턴막을 형성하거나 하는 등, 이상 성막을 발생시킨다. 이들 현상은, 혼색 발광 등의 이상 발광을 야기하여 표시 품위를 크게 손상시킬 우려가 있다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 이상 성막의 발생을 방지할 수 있는 제한판 유닛 및 증착 유닛과 증착 장치를 제공하는 데 있다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 따른 증착 유닛은, 증착 마스크와, 상기 증착 마스크를 향해 증착 입자를 사출하는 증착원과, 상기 증착 마스크와 증착원의 사이에 설치되고, 증착원으로부터 사출된 증착 입자의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛을 구비하고, 상기 제한판 유닛은, 제1 방향으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판과, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판 위에, 상기 제1 방향으로 서로 이격하고, 또한 상기 제1 제한판을 따라 설치된, 복수의 제2 제한판을 적어도 구비한 복수단의 제한판을 구비하고, 상기 제2 제한판은, 상기 제1 방향으로, 상기 제1 제한판 1장에 대하여 적어도 2장 설치되어 있다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 따른 증착 유닛은, 증착 마스크와, 상기 증착 마스크를 향해 증착 입자를 사출하는 증착원과, 상기 증착 마스크와 증착원의 사이에 설치되고, 증착원으로부터 사출된 증착 입자의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛을 구비하고, 상기 제한판 유닛은, 제1 방향으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판을 구비하고, 상기 제1 제한판의 상면에는, 상기 제1 제한판을 따라서, 상기 제1 방향으로 돌기부가 적어도 2개 설치되어 있다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 따른 증착 장치는, 본 발명의 일 형태에 따른 상기 증착 유닛과, 상기 증착 유닛에 있어서의 증착 마스크와 피성막 기판을 대향 배치한 상태에서, 상기 증착 유닛 및 상기 피성막 기판 중 한쪽을, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 상대 이동시키는 이동 장치를 구비하고, 상기 증착 마스크의 상기 제2 방향의 폭은, 상기 제2 방향에 있어서의 피성막 기판의 폭보다도 작고, 상기 제2 방향을 따라서 주사하면서, 상기 증착원으로부터 출사된 증착 입자를, 상기 제한판 유닛 및 상기 증착 마스크의 개구부를 통해 상기 피성막 기판에 증착시킨다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 따른 제한판 유닛은, 증착 마스크와 증착원의 사이에 설치되고, 증착원으로부터 사출된 증착 입자의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛으로서, 제1 방향으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판과, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판 위에 상기 제1 방향으로 서로 이격하고, 또한 상기 제1 제한판을 따라 설치된, 복수의 제2 제한판을 적어도 구비한 복수단의 제한판을 구비하고, 상기 제2 제한판은, 상기 제1 방향으로, 상기 제1 제한판 1장에 대하여 적어도 2장 설치되어 있다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 따른 제한판 유닛은, 증착 마스크와 증착원의 사이에 설치되고, 증착원으로부터 사출된 증착 입자의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛으로서, 제1 방향으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판을 구비하고, 상기 제1 제한판의 상면에는, 상기 제1 제한판을 따라서, 상기 제1 방향으로 돌기부가 적어도 2개 설치되어 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 증착원으로부터 사출된 증착 입자의 흐름(증착류)은, 제1 제한판에 의해 퍼짐이 억제된다. 이에 의해, 지향성이 나쁜 증착 성분이 커트(포착)되어, 지향성이 높은 분포로 제한된다. 제어된 증착류는, 증착 밀도가 높은 경우(즉, 고 레이트 시), 그 높은 증착 밀도에 기인하여 발생하는 증착 입자 사이의 충돌·산란 때문에, 제1 제한판 사이의 개구 영역을 통과 후에, 다시 퍼지려고 하지만, 제2 제한판을 적어도 포함하는 후단의 제한판 혹은 상기 돌기부에 의해 포착됨으로써, 퍼짐이 억제되고, 퍼짐이 억제된 상태를 유지하여 증착 마스크를 통과한다. 이때, 제1 방향으로, 제1 제한판 1장에 대하여 제2 제한판이 적어도 2장 설치되어 있거나, 혹은, 상기 돌기부가 적어도 2개 설치되어 있음으로써, 제1 제한판에 있어서의 제1 방향 양 단부측으로 퍼지는 증착류를 효과적으로 포착할 수 있다. 이로 인해, 상기 방향으로의 증착류의 퍼짐을 효과적으로 억제할 수 있다. 이 결과, 이상 패턴막 등의 이상 성막의 발생을 방지할 수 있어, 고정밀의 증착막 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기한 구성에 의하면, 제2 제한판은, 평면에서 볼 때 제1 제한판 위에 배치되고, 제2 제한판은, 제1 제한판 사이의 개구 영역 바로 위에는 존재하지 않으므로, 증착 레이트를 완전히 낮추지 않고 바로 지향성이 나빠진 성분만을 효율적으로 포착할 수 있다.
도 1은, 실시 형태 1에 따른 증착 유닛의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판과 함께 나타내는 단면도이다.
도 2는, 실시 형태 1에 따른 증착 유닛의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판과 함께 나타내는 사시도이다.
도 3은, 실시 형태 1에 따른 제한판 유닛의 주요부의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 4의 (a)·(b)는, 실시 형태 1에 따른 제한판 유닛에 있어서의 제2 제한판 어셈블리의 개략 구성의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 5는, 실시 형태 1에 따른 증착 장치에 있어서의 주요부의 개략 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6의 (a) 내지 (d)는, 비교예로서, 각각, 1장의 제1 제한판에 대하여, 제1 제한판보다도 작은 제2 제한판을 1장만 설치한 예를 나타내는 단면도이다.
도 7은, 비교예로서, 1장의 제1 제한판에 대하여, 제1 제한판 위로부터 증착 마스크의 하단부까지의 높이를 갖는 제2 제한판을 1장만 설치한 예를 나타내는 단면도이다.
도 8은, 제2 제한판의 바람직한 배치의 일례를 나타내는, 실시 형태 1에 따른 증착 유닛의 주요부 단면도이다.
도 9는, 도 8에 도시한 제2 제한판을 설치한 경우의 증착 유닛과, 제2 제한판을 설치하지 않고 제1 제한판을 제2 제한판과 동일한 높이까지 Z축 방향으로 연신한 경우의 증착 유닛을 배열하여 나타내는 단면도이다.
도 10은, 실시 형태 1의 제2 제한판의 변형예 1에 따른 증착 유닛의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판과 함께 나타내는 단면도이다.
도 11의 (a) 내지 (e)는, 실시 형태 1의 제2 제한판의 변형예 2에 따른 제한판 유닛의 주요부에 있어서의 제2 제한판의 패턴예를 나타내는 평면도이다.
도 12는, 실시 형태 1의 제2 제한판의 변형예 3에 따른 제한판 유닛의 주요부에 있어서의 제2 제한판의 패턴예를, 사출구로 함께 나타내는 평면도이다.
도 13은, 실시 형태 1의 제2 제한판의 변형예 4에 따른 제한판 유닛의 주요부에 있어서의 제2 제한판의 패턴예를, 사출구와 함께 나타내는 평면도이다.
도 14는, 실시 형태 2에 따른 증착 유닛의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판과 함께 나타내는 단면도이다.
도 15는, 도 1에 도시한 제2 제한판의 X축 방향의 두께를 두껍게 한 예를 나타내는 증착 유닛의 주요부 단면도이다.
도 16은, 제1 제한판 어셈블리와 증착 마스크의 사이에, 제2 제한판 어셈블리 및 제3 제한판 어셈블리를 설치한 증착 유닛의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 17은, 실시 형태 3의 변형예 2에 따른 증착 유닛의 개략 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 18은, 실시 형태 3의 변형예 3에 따른 증착 유닛의 개략 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 19의 (a)·(b)는, 실시 형태 3의 변형예 3에 따른 각 단의 제한판의 배치 방법의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 20은, 실시 형태 3의 변형예 4에 따른 증착 유닛(1)의 개략 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 21은, 실시 형태 4에 따른 증착 유닛(1)의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판(200)과 함께 나타내는 단면도이다.
도 22의 (a)·(b)는, 증착원과 증착 마스크의 사이에, 주사 방향에 수직인 방향을 따라 제한판을 복수 설치한 경우에 있어서의, 증착 밀도의 차이에 의한 증착류의 차이를 모식적으로 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태의 일례에 대하여, 상세히 설명한다.
〔실시 형태 1〕
본 발명의 실시의 일 형태에 대하여 도 1 내지 도 13에 기초하여 설명하면 이하와 같다.
<증착 유닛의 주요부의 개략 구성>
도 1은, 본 실시 형태에 따른 증착 장치(100)(도 5 참조)에 있어서의 증착 유닛(1)의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판(200)과 함께 나타내는 단면도이다. 또한, 도 2는, 상기 증착 유닛(1)의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판(200)과 함께 나타내는 사시도이다.
또한, 이하에서는, 피성막 기판(200)의 주사 방향(주사축)을 따른 수평 방향축을 Y축으로 하고, 피성막 기판(200)의 주사 방향에 수직인 방향을 따른 수평 방향축을 X축으로 하고, 피성막 기판(200)의 피증착면(201)(피성막면)의 법선 방향이며, 그 피증착면(201)에 직교하는 증착 축선이 연장되는 방향인, X축 및 Y축에 수직인 수직 방향축(상하 방향축)을 Z축으로 하여 설명한다. 또한, 설명의 편의상, 특별히 언급하지 않는 한은, Z축 방향의 화살표 측(도 1의 지면의 상측)을 「상측」으로서 설명한다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 증착 유닛(1)은, 증착원(10)과, 증착 마스크(50)와, 증착원(10)과 증착 마스크(50)의 사이에 설치된 제한판 유닛(20)을 구비하고 있다.
제한판 유닛(20)은, 복수단의 제한판을 구비하고, 각 단의 제한판에 의해, 각각, 제한판 어셈블리가 형성되어 있다. 즉, 제한판 유닛(20)은, Z축 방향으로 배치된 복수의 제한판 어셈블리를 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 제한판 유닛(20)이, 제1 제한판 어셈블리(30) 및 제2 제한판 어셈블리(40)의 2개의 제한판 어셈블리를 구비하고 있다.
증착원(10), 제1 제한판 어셈블리(30), 제2 제한판 어셈블리(40), 증착 마스크(50)는, Z축 방향을 따라서 증착원(10)측으로부터 이 순서대로, 예를 들어 서로 일정한 공극을 갖고(즉, 일정 거리 이격하여) 대향 배치되어 있다.
증착 장치(100)는, 스캔 증착 방식을 이용한 증착 장치이다. 이로 인해, 증착 장치(100)에서는, 증착 마스크(50)와 피성막 기판(200)의 사이에 일정한 공극을 형성한 상태에서, 피성막 기판(200) 및 증착 유닛(1) 중 적어도 한쪽을 상대 이동(주사)시킨다.
이로 인해, 증착원(10), 제1 제한판 어셈블리(30), 제2 제한판 어셈블리(40) 및, 증착 마스크(50)는, 서로 그 상대적인 위치가 고정되어 있다. 따라서, 이들 증착원(10), 제1 제한판 어셈블리(30), 제2 제한판 어셈블리(40), 및 증착 마스크(50)는, 예를 들어 도 5에 도시한 홀더(60)와 같이, 동일한 홀더 등의 유지 부재(도시생략)에 의해 유지되어 있어도 되며, 일체화되어 있어도 된다.
(증착원(10))
증착원(10)은, 예를 들어 내부에 증착 재료를 수용하는 용기이다. 증착원(10)은, 용기 내부에 증착 재료를 직접 수용하는 용기이어도 되며, 로드 로크식 배관을 갖고, 외부로부터 증착 재료가 공급되도록 형성되어 있어도 된다.
증착원(10)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 예를 들어 직사각 형상으로 형성되어 있다. 증착원(10)은, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 그 상면(즉, 제1 제한판 어셈블리(30)와의 대향면)에, 증착 입자(401)를 사출시키는 복수의 사출구(11)(관통구, 노즐)를 갖고 있다. 이들 사출구(11)는, X축 방향(제1 방향, 주사 방향에 수직인 방향)에 일정 피치로 배치되어 있다.
증착원(10)은, 증착 재료를 가열하여 증발(증착 재료가 액체 재료인 경우) 또는 승화(증착 재료가 고체 재료인 경우)시킴으로써 기체 상태의 증착 입자(401)를 발생시킨다. 증착원(10)은, 이와 같이 기체로 한 증착 재료를, 증착 입자(401)로서, 사출구(11)로부터 제1 제한판 어셈블리(30)를 향해서 사출한다.
또한, 도 1, 도 2 및 도 5에서는, X축 방향으로 증착원(10)이 1개 설치되어 있음과 함께, 1개의 증착원(10)에 복수의 사출구(11)가 설치되어 있는 경우를 예로 들어 도시하고 있다. 그러나, X축 방향에 있어서의 증착원(10)의 수와 1개의 증착원(10)에 설치되는 사출구(11)의 수는 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, X축 방향으로 복수의 증착원(10)이 배치되어 있어도 된다. 또한, 1개의 증착원(10)에는, 적어도 1개의 사출구(11)가 형성되어 있으면 된다.
또한, 사출구(11)는, 도 2에 도시한 바와 같이 X축 방향으로 일차원 형상(즉, 라인 형상)으로 배열되어 있어도 되며, 이차원 형상(즉, 면 형상(타일 형상))으로 배열되어 있어도 무방하다.
(증착 마스크(50))
도 1, 도 2 및 도 5에 도시한 바와 같이, 증착 마스크(50)는, 그 주면(면적이 최대인 면)인 마스크면이 XY 평면과 평행한 판 형상물이다. 스캔 증착을 행하는 경우, 증착 마스크(50)에는, 피성막 기판(200)보다도 적어도 Y축 방향의 사이즈가 작은 증착 마스크가 사용된다.
증착 마스크(50)의 주면에는, 증착 시에 증착 입자(401)를 통과시키기 위한 복수의 마스크 개구(51)(개구부, 관통구)가 형성되어 있다. 마스크 개구(51)는, 피성막 기판(200)에 있어서의, 목적으로 하는 증착 영역 이외의 영역에 증착 입자(401)가 부착되지 않도록, 상기 증착 영역의 일부 패턴에 대응하여 설치되어 있다. 마스크 개구(51)를 통과한 증착 입자(401)만이 피성막 기판(200)에 도달하고, 피성막 기판(200)에, 마스크 개구(51)에 대응한 패턴의 증착막(402)이 형성된다.
또한, 상기 증착 재료가 유기 EL 표시 장치에 있어서의 발광층의 재료인 경우, 유기 EL 증착 프로세스에 있어서의 발광층의 증착은, 발광층의 색마다 행해진다.
(제한판 유닛(20))
도 3은, 제한판 유닛(20)의 주요부의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 1 내지 도 3 및 도 5에 도시한 바와 같이, 제한판 유닛(20)은, 제1 제한판 어셈블리(30)와 제2 제한판 어셈블리(40)를 구비하고 있다.
제1 제한판 어셈블리(30)는, X축 방향(제1 방향)으로 서로 이격하고, 또한 서로 평행하게 설치된, 복수의 제1 제한판(32)으로 이루어지는 제1 제한판 열(31)을 구비하고 있다.
또한, 제2 제한판 어셈블리(40)는, 제1 제한판(32) 위에 X축 방향(제1 방향)으로 서로 이격하고, 또한 제1 제한판(32)을 따라 서로 평행하게 설치된, 복수의 제2 제한판(42)으로 이루어지는 제2 제한판 열(41)을 구비하고 있다.
제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)은, 각각, YZ 평면을 주면으로 하고, 각각의 주면이, X축 방향으로 인접함과 함께, XY 평면을 주면으로 하는 증착 마스크(50)의 주면과 피성막 기판(200)의 피증착면(201)에 대하여 수직으로 되도록 배치되어 있다.
이로 인해, 제1 제한판(32)은, 평면에서 볼 때(바꿔 말하면, 증착 마스크(50)의 주면에 수직인 방향, 즉, Z축에 평행한 방향에서 보았을 때), 각각 Y축에 평행하게 연장 설치되어 있으며, 각각 동일 피치로 X축 방향으로 서로 평행하게 복수 배열되어 있다. 이에 의해, X축 방향으로 인접하는 제1 제한판(32) 사이에는, 평면에서 볼 때, 각각, 개구 영역으로서, 제한판 개구(33)가 형성되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 제한판(32)은, 증착원(10)의 사출구(11)가, 각각, 각 제한판 개구(33)의 X축 방향 중앙에 위치하도록 배치되어 있다. 또한, 제한판 개구(33)의 피치는, 마스크 개구(51)의 피치보다도 크게 형성되어 있으며, 증착 마스크(50)의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, X축 방향으로 인접하는 제1 제한판(32) 사이에는, 복수의 마스크 개구(51)가 배치되어 있다.
한편, 제2 제한판(42)은, 제1 제한판(32) 위에 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 X축 방향으로 적어도 2장 설치되어 있다. 도 1 내지 도 3 및 도 5에서는, 제2 제한판(42)이, 제1 제한판(32) 위에 제1 제한판(32)을 따라서 X축 방향으로 2장 1조로 설치되어 있는 경우를 예로 들어 나타내고 있다.
이로 인해, 제2 제한판(42)은, 평면에서 볼 때, 각각 Y축에 평행하게 연장 설치되어 있으며, 2장 1조로 설치된 각 조의 제2 제한판(42)이, 각각 동일 피치로 X축 방향으로 서로 평행하게 복수 배열되어 있다. 이에 의해, X축 방향으로 인접하는 각 조의 제2 제한판(42) 사이에, 각각, 개구 영역으로서, 제한판 개구(43b)가 형성되어 있다.
또한, 평면에서 볼 때 동일한 제1 제한판(32) 위에 설치된, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)은, 서로 이격하여 설치되어 있으며, 쌍을 이루는 제2 제한판(42) 사이에는, 개구 영역으로서 제한판 개구(43a)가 형성되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)은, 각각, 예를 들어 직사각 형상으로 형성되어 있다. 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)은, 각각, 그 단축이 Z축 방향에 평행해지도록 수직으로 배치되어 있다. 이로 인해, 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)은, 그 장축이 Y축 방향(제2 방향)에 평행하게 배치되어 있다.
또한, 도 2에서는, 제1 제한판 어셈블리(30)가, 인접하는 제1 제한판(32) 사이에 각각 제한판 개구(33)가 형성된, 블록 형상의 유닛인 경우를 예로 들어 나타내고 있다.
도 4의 (a)·(b)는, 제2 제한판 어셈블리(40)의 개략 구성의 일례를 나타내는 사시도이다.
제2 제한판 어셈블리(40)는, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 제한판 개구(43a)를 통해 설치된, 한 쌍의 제2 제한판(42)을 1조로 하여, 인접하는 각 조의 제2 제한판(42) 사이에 각각 제한판 개구(43b)가 형성된, 블록 형상의 유닛이어도 되며, 혹은, 예를 들어 도 4의 (b)에 도시한 구성을 갖고 있어도 된다.
도 4의 (b)에 도시한 제2 제한판 어셈블리(40)는, 전술한 제한판 개구(43a·43b)를 통해 배열된 제2 제한판(42)이, 각각, X축 방향과 평행한 한 쌍의 제1 유지 부재(44)와 Y축 방향과 평행한 한 쌍의 제2 유지 부재(45)로 구성되는 프레임 형상의 유지체(46)에, 예를 들어 용접 등의 방법에 의해 일체적으로 유지되어 있다.
또한, 제1 제한판 어셈블리(30)는, 제2 제한판 어셈블리(40)와 마찬가지로, 제한판 개구(33)를 통해 배열된 제1 제한판(32)이, 각각, X축 방향과 평행한 한 쌍의 제1 유지 부재와 Y축 방향과 평행한 한 쌍의 제2 유지 부재로 구성되는, 유지체(46)와 마찬가지의 프레임 형상의 유지체에, 예를 들어 용접 등의 방법에 의해 일체적으로 유지되어 있는 구성을 갖고 있어도 된다.
즉, 각 제한판은, 예를 들어 도 2 및 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 각 제한판을 유지(지지)하는 유지체와 일체적으로 형성되어 있어도 되며, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이 별체로 형성되어 있어도 된다.
제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)의 상대적 위치나 자세를 일정하게 유지할 수 있으면, 이들 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)을 유지하는 방법은, 상기의 방법으로 한정되지 않는다.
제한판 유닛(20)은, 이들 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)에 의해, 증착 마스크(50)와 증착원(10) 사이의 공간을, 제한판 개구(33·43b)로 이루어지는 복수의 증착 공간으로 구획함으로써, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 통과 각도를 제한한다.
증착 밀도가 높아지면, 증착류의 퍼짐이 커지므로, 증착류의 퍼짐을 억제하기 위해서는, 증착류의 퍼짐을 입체적으로 줄일 필요가 있다.
증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)는, 제한판 개구(33)를 통과한 후, 제한판 개구(43b) 사이를 통과하고, 증착 마스크(50)에 형성된 마스크 개구(51)를 통과하여, 피성막 기판(200)에 증착된다.
제1 제한판 어셈블리(30) 및 제2 제한판 어셈블리(40)는, 이들 제1 제한판 어셈블리(30) 및 제2 제한판 어셈블리(40)에 입사한 증착 입자(401)를, 도 1에 도시한 바와 같이, 그 입사 각도에 따라서 선택적으로 커트(포착)한다. 즉, 제1 제한판 어셈블리(30) 및 제2 제한판 어셈블리(40)는, 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)에 충돌한 증착 입자(401)의 적어도 일부를 포착함으로써, 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)의 배치 방향(즉, X축 방향 및 경사 방향)으로의 증착 입자(401)의 이동을 제한한다.
이에 의해, 제1 제한판 어셈블리(30) 및 제2 제한판 어셈블리(40)는, 증착 마스크(50)의 마스크 개구(51)에 입사하는 증착 입자(401)의 입사각을 일정 범위 내로 제한하고, 피성막 기판(200)에 대한 경사 방향으로부터의 증착 입자(401)의 부착을 방지한다.
또한, 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)은, 경사진 증착 성분을 커트하기 위해서 가열하지 않거나, 열교환기(도시생략)에 의해 냉각된다. 이로 인해, 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)은, 증착원(10)의 사출구(11)보다도 낮은 온도(보다 엄밀하게는 증착 재료가 기체가 되는 증착 입자 발생 온도보다도 낮은 온도)로 되어 있다.
이로 인해, 제1 제한판 어셈블리(30)에는, 도 5에 이점쇄선으로 나타낸 바와 같이, 필요에 따라 제1 제한판(32)을 냉각하는, 열교환기 등을 구비한, 냉각 기구(38)가 설치되어 있어도 된다. 마찬가지로, 제2 제한판 어셈블리(40)에는, 도 5에 이점쇄선으로 나타낸 바와 같이, 필요에 따라 제2 제한판(42)을 냉각하는, 열교환기 등을 구비한, 냉각 기구(48)가 설치되어 있어도 된다. 이에 의해, 피성막 기판(200)의 법선 방향과 완전하게 평행하게 되지 않는 불필요한 증착 입자(401)가, 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)에 의해 냉각되어 고화된다. 이에 의해, 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)에 의해 불필요한 증착 입자(401)를 용이하게 포착할 수 있어, 증착 입자(401)의 진행 방향을, 피성막 기판(200)의 법선 방향에 접근시킬 수 있다.
또한, 제한판 유닛(20)을 사용한 경우의 증착 입자(401)의 흐름(증착류) 및 제2 제한판(42)의 바람직한 설계에 대해서는 후술한다.
<증착 장치(100)의 개략 구성>
다음으로, 도 5를 참조하여, 상기 증착 유닛(1)을 사용한 증착 장치(100)의 일례에 대하여 설명한다.
도 5는, 본 실시 형태에 따른 증착 장치(100)에 있어서의 주요부의 개략 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 5는, 본 실시 형태에 따른 증착 장치(100)에 있어서의 X축 방향에 평행한 단면을 나타내고 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 증착 장치(100)는, 진공 챔버(101)(성막 챔버), 기판 홀더(102)(기판 유지 부재), 기판 이동 장치(103), 증착 유닛(1), 증착 유닛 이동 장치(104), 이미지 센서(105) 등의 얼라인먼트 관측 수단 및, 셔터(도시생략)나, 증착 장치(100)를 구동 제어하기 위한 도시하지 않은 제어 회로 등을 구비하고 있다.
그 중, 기판 홀더(102), 기판 이동 장치(103), 증착 유닛(1), 증착 유닛 이동 장치(104)는, 진공 챔버(101) 내에 설치되어 있다.
또한, 진공 챔버(101)에는, 증착 시에 그 진공 챔버(101) 내를 진공 상태로 유지하기 위해서, 그 진공 챔버(101)에 설치된 배기구(도시생략)를 통해 진공 챔버(101) 내를 진공 배기하는 진공 펌프(도시생략)가 설치되어 있다.
<기판 홀더(102)>
기판 홀더(102)는, 피성막 기판(200)을 유지하는 기판 유지 부재이다. 기판 홀더(102)는 TFT 기판 등으로 이루어지는 피성막 기판(200)을, 그 피증착면(201)이, 증착 유닛(1)에 있어서의 증착 마스크(50)에 면하도록 유지한다.
피성막 기판(200)과 증착 마스크(50)는, 일정 거리 이격하여 대향 배치되어 있으며, 피성막 기판(200)과 증착 마스크(50)의 사이에는, 일정한 높이의 공극이 형성되어 있다.
기판 홀더(102)에는, 예를 들어 정전 척 등이 사용되는 것이 바람직하다. 피성막 기판(200)이 기판 홀더(102)에 정전 척 등의 방법에 의해 고정되어 있음으로써, 피성막 기판(200)은, 자중에 의한 휨이 없는 상태에서 기판 홀더(102)에 유지된다.
<기판 이동 장치(103) 및 증착 유닛 이동 장치(104)>
본 실시 형태에서는, 기판 이동 장치(103) 및 증착 유닛 이동 장치(104) 중 적어도 한쪽에 의해, 피성막 기판(200)과, 증착 유닛(1)을, Y축 방향이 주사 방향으로 되도록 상대적으로 이동시켜서 스캔 증착을 행한다.
기판 이동 장치(103)는, 예를 들어 모터(도시생략)를 구비하고, 모터 구동 제어부(도시 생략)에 의해 모터를 구동시킴으로써, 기판 홀더(102)에 유지된 피성막 기판(200)을 이동시킨다.
또한, 증착 유닛 이동 장치(104)는, 예를 들어 모터(도시생략)를 구비하고, 모터 구동 제어부(도시 생략)에 의해 모터를 구동시킴으로써, 증착 유닛(1)을, 피성막 기판(200)에 대하여 상대 이동시킨다.
또한, 이들 기판 이동 장치(103) 및 증착 유닛 이동 장치(104)는, 예를 들어 모터(도시생략)를 구동시킴으로써, 증착 마스크(50)의 비개구 영역에 설치된 얼라인먼트 마커(52) 및 피성막 기판(200)에 있어서의 비증착 영역에 설치된 얼라인먼트 마커(202)에 의해, 증착 마스크(50)와 피성막 기판(200)의 위치 어긋남이 해소되도록 위치 보정을 행한다.
이들 기판 이동 장치(103) 및 증착 유닛 이동 장치(104)는, 예를 들어 롤러식 이동 장치이어도 되며, 유압식의 이동 장치이어도 된다.
이들 기판 이동 장치(103) 및 증착 유닛 이동 장치(104)는, 예를 들어 스테핑 모터(펄스 모터) 등의 모터(XYθ 구동 모터), 롤러 및 기어 등으로 구성되는 구동부와, 모터 구동 제어부 등의 구동 제어부를 구비하고, 구동 제어부에 의해 구동부를 구동시킴으로써, 피성막 기판(200) 또는 증착 유닛(1)을 이동시키는 것이어도 된다. 또한, 이들 기판 이동 장치(103) 및 증착 유닛 이동 장치(104)는, XYZ 스테이지 등으로 이루어지는 구동부를 구비하고, X축 방향, Y축 방향, Z축 방향 중 어느 방향으로도 이동 가능하게 설치되어 있어도 된다.
단, 피성막 기판(200) 및 증착 유닛(1)은, 그 적어도 한쪽이 상대 이동 가능하게 설치되어 있으면 된다. 바꿔 말하면, 기판 이동 장치(103) 및 증착 유닛 이동 장치(104)는, 그 적어도 한쪽이 설치되어 있으면 된다.
예를 들어 피성막 기판(200)이 이동 가능하게 설치되어 있는 경우, 증착 유닛(1)은, 진공 챔버(101)의 내벽에 고정되어 있어도 된다. 반대로, 증착 유닛(1)이 이동 가능하게 설치되어 있는 경우, 기판 홀더(102)는, 진공 챔버(101)의 내벽에 고정되어 있어도 무방하다.
<증착 유닛(1)>
증착 유닛(1)은, 증착원(10), 제1 제한판 어셈블리(30), 제2 제한판 어셈블리(40), 증착 마스크(50), 홀더(60), 부착 방지판(65) 및 셔터(도시생략) 등을 구비하고 있다. 또한, 증착원(10), 제1 제한판 어셈블리(30), 제2 제한판 어셈블리(40), 증착 마스크(50)에 대해서는, 이미 설명하였기 때문에, 여기에서는 그 설명을 생략한다.
또한, 도 5에서는, 일례로서, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)이, 그 바로 아래의 제1 제한판(32)의 X축 방향의 양단부 근방, 구체적으로는 쌍을 이루는 제2 제한판(42)에 있어서의, 각각의 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부측의 에지가, 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부와 일직선상에 위치하고 있는 경우를 예로 들어 도시하고 있다.
(홀더(60))
홀더(60)는, 증착원(10), 제1 제한판 어셈블리(30), 제2 제한판 어셈블리(40), 증착 마스크(50)를 유지하는 유지 부재이다.
홀더(60)에는, 예를 들어 제1 제한판 어셈블리(30) 및 제2 제한판 어셈블리(40)를 지지하기 위해서, 각각에 대응하여, 예를 들어 한 쌍의 슬라이드 장치(61)나 지지 부재(62)가 구비되어 있다.
슬라이드 장치(61)는, 홀더(60)의 X축 방향 양단부에 각각 대향하여 배치된다. 또한, 지지 부재(62)는, 각 슬라이드 장치(61)의 대향면측에 설치되어 있다. 이들 지지 부재(62)는, 서로 대향한 상태에서 Z축 방향이나 X축 방향으로 슬라이드 변위 가능하며, 슬라이드 장치(61)나 제한판 제어 장치(도시생략)의 협동에 의해, 그 움직임이 제어되고 있다.
또한, 제1 제한판 어셈블리(30)에 있어서의 X축 방향의 양단부에는, 지지 부재(62)에 탈착 가능하게 설치된 지지부(37)가 각각 설치되어 있다. 또한, 제2 제한판 어셈블리(40)에 있어서의 X축 방향의 양단부에는, 지지 부재(62)에 착탈 가능하게 설치된 지지부(47)가 각각 설치되어 있다. 이에 의해, 제1 제한판 어셈블리(30) 및 제2 제한판 어셈블리(40)는 홀더(60)로부터 착탈이 가능하며, 이들 제1 제한판 어셈블리(30) 및 제2 제한판 어셈블리(40)에 퇴적된 증착 재료를 정기적으로 회수할 수 있게 되어 있다.
또한, 증착 재료는 가열하면 용융 또는 증발하기 때문에, 가열 처리함으로써 용이하게 회수할 수 있다. 증착 마스크(50)는, 그 개구 폭이나 평면도 등, 요구되는 치수 정밀도가 높기 때문에, 왜곡을 초래할 우려가 있어, 가열 처리를 행할 수 없다. 그러나, 제1 제한판 어셈블리(30) 및 제2 제한판 어셈블리(40)에는, 증착 마스크(50) 정도의 고도의 치수 정밀도는 요구되지 않기 때문에, 가열 처리가 가능하며, 퇴적된 증착 재료를 간단하게 회수할 수 있다. 따라서, 높은 재료의 이용 효율을 확보할 수 있다.
또한, 증착 유닛(1)에는, 예를 들어 홀더(60)에, 증착 마스크(50)에 텐션을 거는 텐션 기구(63)가 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 증착 마스크(50)에 텐션을 건 상태에서 증착 마스크(50)를 수평하게 유지할 수 있어, 증착 마스크(50)와, 증착원(10), 제1 제한판 어셈블리(30) 및 제2 제한판 어셈블리(40)의 상대적인 위치 관계를 고정할 수 있다.
<부착 방지판(65)>
상기 증착 장치(100)에 있어서, 증착원(10)으로부터 비산한 증착 입자(401)는, 증착 마스크(50) 내에 비산하도록 조정되어 있으며, 증착 마스크(50) 밖으로 비산하는 증착 입자는, 부착 방지판(65)(차폐판) 등에 의해 적절히 제거되는 구성으로 하여도 된다.
<셔터>
피성막 기판(200)의 방향으로 증착 입자를 비래시키지 않을 때에는, 셔터(도시생략)를 사용하여, 증착 입자(401)의 증착 마스크(50)로의 도달을 제어하는 것이 바람직하다.
이로 인해, 예를 들어 증착원(10)과 제1 제한판 어셈블리(30)의 사이에는, 증착 입자(401)의 증착 마스크(50)로의 도달을 제어하기 위해서, 필요에 따라 셔터(도시생략)가, 증착 OFF(오프) 신호 혹은 증착 ON(온) 신호에 기초하여 진퇴 가능(삽발 가능)하게 설치되어 있어도 된다.
증착원(10)과 제1 제한판 어셈블리(30)의 사이에 셔터를 적절히 끼움으로써, 증착을 행하지 않는 비증착 영역으로의 증착을 방지할 수 있다. 또한, 셔터는, 증착원(10)과 일체적으로 설치되어 있어도 되며, 증착원(10)과는 별도로 설치되어 있어도 무방하다.
<증착 장치(100)에 있어서의 증착 입자(401)의 흐름>
다음으로, 도 1을 참조하여, 상기 증착 장치(100)에 있어서의, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 흐름(증착류)에 대하여 설명한다.
증착원(10)의 사출구(11)로부터 출사된 증착 입자(401)(증착류)는, 사출구(11)부터 등방적으로 퍼지게 된다. 등방 분포를 갖는 증착류는, 그 X축 방향 양 단부측이 제1 제한판(32)에 의해 커트(포착)됨으로써, 퍼짐이 억제된다.
제1 제한판(32)에 의해 퍼짐이 억제된 증착류는, 고 레이트 시에 높은 증착 밀도가 기인하여 발생하는 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란 때문에, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역인 제한판 개구(33)를 통과 후에, 다시 퍼진다.
그러나, 제한판 개구(33)를 통과 후에 퍼진 증착류는, 제2 제한판(42)에 의해 커트(포착)됨으로써, 다시 퍼짐이 억제된다.
제2 제한판(42)에 의해 퍼짐이 억제된 상태를 유지한 증착류는, 증착 마스크(50)의 마스크 개구(51)를 통과하고, 피성막 기판(200)에 증착된다.
따라서, 본 실시 형태에 의하면, 상기 증착 유닛(1) 및 상기 피성막 기판(200) 중 한쪽을 스캔 축 방향인 Y축 방향으로 상대 이동시키는 이동 장치(기판 이동 장치(103) 및 증착 유닛 이동 장치(104) 중 적어도 한쪽)를 사용하여 상대 이동시킴으로써, 피성막 기판(200)을 스캔축 방향(Y축 방향)으로 주사함으로써, 각 구분 도포층(예를 들어 각 색의 발광층)을 형성할 수 있다.
<비교예>
여기서, 본 실시 형태에 따른 제한판 유닛(20)과의 비교를 위해서, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 제1 제한판(32)보다도 작은 제2 제한판(42)을 1장만 설치한 경우에 대하여 설명한다.
특허문헌 1에는, 제한판의 변형예로서, 증착원과 증착 마스크의 사이에, 복수의 제1 차단벽을 구비하는 제1 차단벽 어셈블리와, 복수의 제2 차단벽을 구비하는 제2 차단벽 어셈블리를, 서로 대응하도록 배치하는 것이 개시되어 있다(예를 들어 특허문헌 1의 도 27 참조).
그러나, 특허문헌 1에서는, 제1 제한판인 제1 차단벽 하나에 대하여, 제2 제한판인 제2 차단벽이 하나밖에 설치되어 있지 않다. 이로 인해, 특허문헌 1에 기재된 방법에서는, 제1 차단벽의 양측으로 퍼지는 증착류의 퍼짐을 완전히 억제할 수 없다. 이 이유를 이하에 설명한다.
도 6의 (a) 내지 (d)는, 비교예로서, 각각, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 제1 제한판(32)보다도 작은 제2 제한판(42)을 1장만 설치한 예를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 7은, 비교예로서, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 제1 제한판(32) 위로부터 증착 마스크(50)의 하단부까지의 높이를 갖는 제2 제한판(42)을 1장만 설치한 예를 나타내는 단면도이다.
1장의 제1 제한판(32)에 대하여 제2 제한판(42)을 1장만 설치하는 경우에, 특허문헌 1과 같이 제2 제한판(42)을 제1 제한판(32)의 중앙에, 제1 제한판(32)에 근접하여 설치한 경우, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 고 레이트 시에, 제1 제한판(32) 통과 후의 증착류의 X축 방향의 양측의 퍼짐을 억제할 수 없다.
또한, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 제2 제한판(42)을, 제1 제한판(32)의 X축 방향의 한쪽의 단부측에 배치한 경우, 고 레이트 시에, 제1 제한판(32)의 X축 방향의 다른 쪽 단부측의 증착류의 퍼짐을 억제할 수 없다.
1장의 제1 제한판(32)에 대하여, 제2 제한판(42)을 1장만 설치하는 경우, 제2 제한판(42)은, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 인접하는 제한판 개구(33)를 통과한 증착류가 교차하는 위치, 즉, 제1 제한판(32)의 X축 방향 양단부와, 인접하는 사출구(11)에 의한 증착 영역(인접 성막 영역)에 대응하는 증착 마스크(50)의 마스크 개구(51)를 연결하는 선이 교차하는 영역에 설치하는 것이 바람직하다.
그러나, 도 6의 (d)에 도시한 바와 같이 증착류가 더 퍼지게 되어 버리는 경우에는, 도 6의 (c)에 도시한 위치에 제2 제한판(42)을 설치하여도, 증착류를 커트(포착)할 수는 없다. 또한, 도 6의 (c)와 도 6의 (d)는, 제2 제한판(42)의 위치는 동일하지만, 증착 레이트가 상이한 경우를 나타내고 있다.
그러나, 도 6의 (d)에 도시한 증착류를 커트하기 위해서, 제2 제한판(42)의 위치를 내리면(제1 제한판(32)에 근접시키면), 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이 퍼짐이 작은 증착류를 커트할 수 없게 될 우려가 있다.
이로 인해, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 제2 제한판(42)을 1장만 사용하여 모든 증착류에 대응하기 위해서는, 도 7에 도시한 바와 같이 제1 제한판(32)으로부터 증착 마스크(50)의 하단부까지의 높이를 갖는 제2 제한판(42)을 설치하지 않을 수 없다.
그러나, 도 7에 도시한 바와 같은 용적이 큰 제2 제한판(42)을 설치하면, 증착 입자(401)가 비산하는 공간 체적이 감소하여, 압력이 상승한다. 그 결과, 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란 확률이 높아진다.
특히, 도 7에서는, Z축 방향에서 공간 체적 분포가 불변이며, 또한 증착 마스크(50) 근방까지 제2 제한판(42)을 높게 하고 있음으로써, 증착 입자(401)가, 제2 제한판(42)으로 둘러싸인 영역에 갇힌 상태가 된다. 이로 인해, 증착 입자(401)의 입자간 산란이 매우 강해진다.
이로 인해, 제1 제한판(32)에 의해 증착류를 제한하여 증착류에 지향성을 갖게 함에도 불구하고, 제2 제한판(42) 사이를 통과시킴으로써, 증착류가 다시 등방적인 분포로 된다. 이 결과, 원래 성막해야 할 개소에서 성막 패턴이 넓어지고, 성막 영역 사이에서 패턴 흐려짐을 야기하여, 증착막(402)의 흐려짐 폭의 증대, 인접 화소로의 혼색, 인접 노즐 영역으로의 증착 입자(401)의 침입, 화소 내에서의 막 두께 불균일에 의한 불균일 발광 등의 문제를 야기한다.
따라서, 모든 증착류에 대응하기 위해서는, 제2 제한판(42)은, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 X축 방향으로 적어도 2장 필요하다.
<효과>
본 실시 형태에 의하면, 도 1 내지 도 3 및 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)은, 동일 YZ면에서 평행해지도록 설치되어 있다. 제2 제한판(42)은 제1 제한판(32)과 쌍이며, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 제2 제한판(42)은, X축 방향으로 적어도 2장 이상으로 구성되어 쌍을 이루고 있다.
본 실시 형태에 의하면, 이와 같이 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)을 배치함과 함께, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 제2 제한판(42)이 X축 방향으로 적어도 2장 설치되어 있다. 이로 인해, X축 방향에 있어서 양측으로 퍼지는 증착류의 퍼짐을 완전히 억제할 수 있어, 제1 제한판(32)의 제한판 개구(33)를 통과 후에 퍼진 증착류를, 제2 제한판(42)에 의해 효율적으로 포착할 수 있어 이상 패턴막 등의 이상 성막을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 의하면, 제1 제한판(32)을 통과 후에 퍼진 증착류는, 제2 제한판(42)에 의해 커트(포착)되어, 퍼짐이 억제된 상태를 유지하여 증착 마스크(50)의 마스크 개구(51)를 통과하고, 피성막 기판(200)에 증착된다. 이로 인해, 본 실시 형태에 의하면, 인접 노즐로부터의 증착 입자(401)가, 정상 패턴막에 혼입되거나, 정상 패턴막 사이에, 이상 패턴막을 형성하거나 하는 등의 이상 성막을 방지할 수 있다.
또한, 제2 제한판(42)은, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 배치된다. 즉, 제2 제한판(42)은, 제1 제한판(32)보다도 좁은 범위에 배치된다. 이로 인해, 본 실시 형태에 의하면, 제2 제한판(42)은, 제한판 개구(33) 바로 위에는 존재하지 않으므로, 증착 레이트를 완전히 낮추지 않아 바로 지향성이 나빠진 성분만을 효율적으로 포착할 수 있다.
<제2 제한판(42)의 바람직한 설계>
다음으로, 제2 제한판(42)의 바람직한 설계에 대하여 설명한다.
(제2 제한판(42)의 X축 방향의 위치)
도 8은, 제2 제한판(42)의 바람직한 배치의 일례를 나타내는, 본 실시 형태에 따른 증착 유닛(1)의 주요부 단면도이다. 또한, 도 8에서도, 도 1과 마찬가지로, 증착 유닛(1)의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판(200)과 함께 나타내고 있다.
제1 제한판(32)의 상부 개구 근방(즉, 제한판 개구(33)에 있어서의 상부 근방)은, 증착 밀도가 높고, 증착 입자(401)의 입자간 산란이 증대되어 증착류가 퍼지기 쉽다.
이로 인해, 퍼진 증착류를 커트하기 위해서는, 평면에서 볼 때 동일한 제1 제한판(32) 위에 설치되는, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)은, 가능한 한 이격하여 설치되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)이, 그 바로 아래의 제1 제한판(32)의 X축 방향의 양단부 근방에 위치하고 있는 것이 보다 바람직하다. 특히, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)이, 적어도, 그 바로 아래인 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향의 양단부의 적어도 일부와 접촉하는 위치에 형성되어 있는 것, 보다 바람직하게는, 도 8에 도시한 바와 같이, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)이, 그 바로 아래의 제1 제한판(32)의 X축 방향의 양단부와 동일 평면에 형성되어 있음으로써, 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향 양 단부측으로 퍼지는 증착류를 효율적으로 포착할 수 있다. 이로 인해, 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향 양 단부측으로의 증착류의 퍼짐을, 더 효과적으로 억제할 수 있다.
단, 원래 사용해야 할 증착류의 퍼짐까지 커트할 우려가 있는 경우에는, 도 8에 도시한 바와 같이 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부(제1 제한판(32)에 있어서의 제한판 개구(33)의 개구 에지)와 제2 제한판(42)의 X축 방향 단부(보다 구체적으로는, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)에 있어서의, 각각의 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부측의 에지)를 동일 평면으로 하거나, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)이, 적어도, 그 바로 아래의 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향의 양단부의 적어도 일부와 접촉하는 위치에 형성하거나 할 필요는 없다.
예를 들어, 증착 마스크(50)나, 형성해야 할 패널(피성막 기판(200))의 설계상, 제1 제한판(32)의 개구 에지의 증착류까지 사용할 필요가 있는 경우에는, 제2 제한판(42)의 에지를, 제1 제한판(32)의 개구 에지의 증착류의 이용이 가능할 정도로 제1 제한판(32)의 개구 에지로부터 이격시켜서 형성하면 된다.
즉, 제1 제한판(32)은, 사출구(11)로부터 출사하는 증착류의 어느 영역을 사용할지를 정하고 있는 것뿐이며, 증착막(402)의 증착 분포는, 사출구(11)(노즐)의 바로 위가 가장 두껍고, 사출구(11)의 단부(노즐 단부) 위를 향함에 따라서 얇아진다.
통상, 마스크 개구(51)는 증착 분포가 평탄한 영역을 사용하고, 노즐 단부의 막 두께가 얇은 개소는 마스크 개구(51)를 형성하지 않고, 증착 마스크(50)로 차폐한다. 그러나, 마스크 개구(51)의 Y축 방향의 길이를 노즐 단부를 향함에 따라서 길게 하는 등의 고안을 함으로써, 노즐 중앙과 노즐 단부에서의 막 두께 분포를 상쇄하는 것이 가능하게 된다. 즉, 마스크 설계에 따라서는, 제1 제한판(32)의 개구 에지의 증착류까지 유효하게 이용할 수 있다.
스캔 증착에서는, 1개의 노즐이 담당하는 증착 영역은, 제1 제한판(32)에 의해 가변이며, 증착류의 균일한 좁은 폭만을 이용하는 경우에는, 다수의 노즐을 사용하여 스캔할 필요가 있다. 또한, 경우에 따라서는, 한 번의 스캔으로 패널(피성막 기판(200)) 전체면을 증착할 수 없어, 노즐을 어긋나게 하여 다시 스캔할 필요가 있다. 이와 같은 경우, 노즐 사이의 변동이나 노즐을 어긋나게 하는 전후에서의 변동(예를 들어 열 이력의 변동)이 증착막에 반영되어, 증착 얼룩으로 되어 시인되기 쉬워진다.
그러나, 전술한 바와 같이 제1 제한판(32)의 개구 에지의 증착류까지 유효 이용함으로써, 이용하는 증착류를 넓게 취하면, 소수의 사출구(11)(노즐)로 증착을 행할 수 있으므로, 증착 얼룩의 정도를 경감할 수 있다고 하는 장점이 있다.
(도 8에 도시한 제2 제한판(42)을 설치하는 경우와, 제1 제한판(32)을 제2 제한판(42)과 동일한 높이까지 Z축 방향으로 연신한 경우의 대비)
도 8에 도시한 제2 제한판(42)은, X축 방향으로부터 보면, 제1 제한판(32)을 Z축 방향으로 연신한 것과 동일한 형상을 갖고 있다.
따라서, 이하에서는, 도 8에 도시한 제2 제한판(42)을 설치하는 경우와, 제1 제한판(32)을 제2 제한판(42)과 동일한 높이까지 Z축 방향으로 연신하는 경우의 증착 입자(401)의 흐름의 차이에 대하여 설명한다.
도 9는, 도 8에 도시한 제2 제한판(42)을 설치한 경우의 증착 유닛(1)과, 제2 제한판(42)을 설치하지 않고 제1 제한판(32)을 제2 제한판(42)과 동일한 높이까지 Z축 방향으로 연신한 경우의 증착 유닛(1)을 배열하여 나타내는 단면도이다.
또한, 도 9 중, 우측의 증착 유닛(1)(우측 도면)이, 도 8에 도시한 제2 제한판(42)을 설치한 경우이며, 좌측의 증착 유닛(1)(좌측 도면)이, 제1 제한판(32)을 제2 제한판(42)과 동일한 높이까지 Z축 방향으로 연신한 경우이다. 또한, 도 9 중, 점선 프레임 영역 A는, 제2 제한판(42)이 설치되어 있는 영역을 나타냄과 함께, 제1 제한판(32)을 Z축 방향으로 연신한 영역을 나타내고, 점선 프레임 영역 B는, 점선 프레임 영역 B에 인접하는, 제1 제한판(32)이나 제2 제한판(42)이 설치되지 않은 영역을 나타낸다.
도 9에 도시한 점선 프레임 영역 A에 있어서의, 좌측 도면의 Z축 방향으로 연신한 제1 제한판(32) 혹은 우측 도면의 제2 제한판(42)이 차지하는 비율은, 전자(좌측 도면) 쪽이 많은 것을 알 수 있다. 이러한 점에서, 점선 프레임 영역 A와 점선 프레임 영역 B의 경계에 있어서의 압력차는, 제2 제한판(42)을 설치한 우측 도면보다도, 제1 제한판(32)을 Z축 방향으로 연신한 좌측 도면 쪽이 큰 것을 알 수 있다.
따라서, 점선 프레임 영역 A로부터 점선 프레임 영역 B에 증착 입자(401)가 침입한 경우, 전술한 압력차의 차이에 의해 좌측 도면에 도시한 증착 유닛(1)은, 증착 입자(401)가 점선 프레임 영역 B에서 퍼지게 되어 버려, 성막 패턴이 확대되는 데 반하여, 우측 도면에 도시한 증착 유닛(1)에서는, 증착류의 퍼짐을 억제할 수 있어, 이상 성막을 방지할 수 있다.
(제1 제한판(32)과 제2 제한판(42) 사이의 Z축 방향의 거리)
제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)의 사이에 간극이 있으면, 간극의 크기에도 의하지만, 제한판 개구(33)를 통과 후에 퍼진 증착류가, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)의 사이의 간극을 통해 누설될 우려가 있어, 누설된 증착류가 인접 노즐 영역에 침입할 우려가 있다.
이로 인해, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)은, 가능한 한 근접하여 설치되어 있는 것이 바람직하고, 서로 접촉(밀착)하여 설치되어 있는 것이 가장 바람직하다.
(제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)의 높이)
제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)의 높이는, 사출구(11)와 증착 마스크(50)의 사이의 거리에 따라 적절히 설정하면 되며, 특별히 한정되는 것은 아니다.
단, 특히, 제2 제한판(42)의 높이가 너무 높으면, 도 7에 도시한 바와 같이 증착류가 갇혀서 산란이 강해지기 때문에, 바람직하지 않다. 반대로, 제2 제한판(42)의 높이가 너무 낮으면, 퍼진 증착류를 커트할 능력이 불충분해질 우려가 있다.
증착류는, 증착 재료나 증착 레이트로 용이하게 변화한다. 이로 인해, 바람직한 높이는 일률적으로 결정할 수는 없지만, 이들 조건에 따라서 포착 효율이 높아지도록, 적절한 높이로 설정하는 것이 바람직하다.
또한, 제2 제한판(42)과 증착 마스크(50) 사이의 거리도 특별히 규정은 없지만, 제2 제한판(42)과 증착 마스크(50)가, 밀착되어 있거나, 혹은 너무 거리가 좁거나 하면, 냉각 기구가 제2 제한판(42)에 구비되지 않는 경우, 열이 제2 제한판(42)을 따라 이동하여 증착 마스크(50)에 전달되고, 열에 의해 증착 마스크(50)가 휠 우려가 있다. 또한, 냉각 기구가 제2 제한판(42)에 구비되어 있었다고 해도, 증착 마스크(50)는, 증착원(10)으로부터의 복사열에 의해 휠 우려가 있으며, 그 경우, 제2 제한판(42)과 접촉하여 파손될 우려가 있다.
이로 인해, 제2 제한판(42)과 증착 마스크(50)는, 적절하게 이격하고 있는 것이 바람직하고, 제2 제한판(42)과 증착 마스크(50)가 이격하도록, 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)의 높이 및 배치가 결정되는 것이 바람직하다.
또한, 제한판 개구(33)를 통과한 증착류가 급격한 압력 변화에 의해 증착 분포가 변하지 않도록, 제2 제한판(42)이, 제1 제한판(32)과 증착 마스크(50) 사이의 공간에 차지하는 체적은, 적은 편이 바람직하다. 이로 인해, 이 점도 고려하여, 제1 제한판(32) 및 제2 제한판(42)의 높이가 결정되는 것이 바람직하다.
<제2 제한판(42)의 변형예 1>
도 10은, 본 변형예에 따른 증착 유닛의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판과 함께 나타내는 단면도이다.
본 변형예에서는, 도 10에 도시한 바와 같이, 제1 제한판(32) 위에 설치된, 쌍을 이루는 제2 제한판(42) 사이의 개구 폭이 위쪽일수록 작아지도록 제2 제한판(42)을 각각 경사지게 설치하고 있다. 바꿔 말하면, 제1 제한판(32) 위에 설치된, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)이, 중앙이 개구된 역 V자 형상(즉, 팔(八)자 형상)이 되도록 제2 제한판(42)을 배치하고 있다.
또한, 본 변형예에서도, 전술한 이유로부터, 제2 제한판(42)은, 제1 제한판(32)에 접촉하여 설치되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)에 있어서의, 각각의 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부측의 에지가, 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부(제1 제한판(32)에 있어서의 제한판 개구(33)의 개구 에지)에 위치하도록 제2 제한판(42)이 설치되어 있는 것이 바람직하다.
본 변형예에 의하면, 도 10에 도시한 바와 같이, Z축 방향에서 공간 체적을 변경시킬 수 있다. 구체적으로는, 증착 마스크(50)측인 위쪽일수록, 제1 제한판(32) 사이의 제한판 개구(33) 위의 공간 체적(구체적으로는, 제2 제한판(42) 사이의 제한판 개구(43b)에 있어서의 공간 체적)이 넓어지도록 되어 있다.
본 변형예에 의하면, 도 7에 도시한 바와 같이 제2 제한판(42)의 높이를 증착 마스크(50) 근방까지 높게 할 필요가 없으며, 또한 위쪽일수록, 제1 제한판(32) 사이의 제한판 개구(33) 위의 공간 체적이 넓어지도록 하고 있기 때문에, 증착 입자(401)의 산란을 억제할 수 있다. 이로 인해, 도 7에서 보이는 문제를 해소할 수 있어, 제1 제한판(32) 사이의 제한판 개구(33)를 통과 후에 퍼진 증착류를 더 효과적으로 포착할 수 있다.
<제2 제한판(42)의 변형예 2>
도 11의 (a) 내지 (e)는, 본 변형예에 따른 제한판 유닛(20)의 주요부에 있어서의 제2 제한판(42)의 패턴예를 나타내는 평면도이다.
도 3에서는, 제2 제한판(42)이, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 제1 제한판(32)의 Y축 방향의 길이와 동일한 길이를 갖고, Y축 방향으로 연속해서 설치되어 있는 경우를 예로 들어 나타내고 있다.
그러나, 도 11의 (a) 내지 (e)에 도시한 바와 같이, 제2 제한판(42)은, 제1 제한판(32)의 Y축 방향의 길이보다도 짧고, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 복수의 제2 제한판(42)이 Y축 방향으로 단속적(불연속)으로 설치되어 있어도 된다.
또한, 이 경우, 도 11의 (b) 내지 (e)에 도시한 바와 같이, X축 방향의 각 위치에 있어서의 제2 제한판(42)(예를 들어 X축 방향으로 인접하는 제2 제한판(42))의 불연속 개소(Y축 방향으로 인접하는 제2 제한판(42)에 있어서의 서로의 대향 단부 사이의 영역)를 Y축 방향에 있어서의 특정한 위치(특정한 Y 좌표)에서 맞출 필요는 없으며, 불연속 개소의 길이도 맞출 필요는 없다.
또한, 이 경우, 도 11의 (c) 내지 (e)에 도시한 바와 같이, X축 방향의 각 위치에 있어서의 제2 제한판(42)의 불연속 개소의 개수도 맞출 필요는 없다. 또한, X축 방향으로 인접하는, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)의 배치 패턴이 동일할 필요는 없을 뿐만 아니라, 도 11의 (c) 내지 (d)에 도시한 바와 같이, 각 조의 제2 제한판(42)의 배치 패턴이 동일할 필요도 없다.
도 11의 (a) 내지 (e)에 도시한 바와 같이 제2 제한판(42)을 불연속으로 함으로써 보다 미세한 조정이 가능하게 되어, 제2 제한판(42)의 교환 작업도 더 용이하게 된다.
단, 이 경우, 증착 입자(401)가, 불연속 개소를 통과하여 인접 성막 영역(인접하는 마스크 개구 영역)에 도달하는 일이 없도록, 도 11의 (d) 내지 (e)에 도시한 바와 같이, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)의 형성 영역 내(즉, 평면에서 보면 각 제1 제한판(32) 위의 영역)에는, Y축 방향의 어느 위치(좌표)에 있어서도, X축 방향에 평행한 방향에서 볼 때, 제2 제한판(42)이 적어도 1개 존재하는(즉, X축 방향에 평행한 방향에서 볼 때, 제2 제한판(42)이 존재하지 않는 Y 좌표 위치는 없는) 것이 바람직하다.
또한, 이 경우, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)의 형성 영역 내에, Y축 방향의 어떠한 위치에 있어서도, X축 방향에 평행한 방향에서 볼 때, 제2 제한판(42)이 적어도 1개 존재하도록 제2 제한판(42)을 배치하면 되므로, 그 영역 내에서 제2 제한판(42)의 Y축 방향의 연신 거리를 맞출 필요는 없다. 또한, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)에 의해 Y축 방향의 길이를 일치시킬 필요도 없다.
또한, 도 11의 (a) 내지 (e)에서는, X축 방향으로 인접하는, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)이, 각각, 그 바로 아래의 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향의 양단부로부터 이격한 위치에 설치되어 있는 경우를 예로 들어 도시하고 있다. 그러나, 이 경우에도, X축 방향으로 인접하는, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)은, 그 적어도 일부(예를 들어, 적어도, 평면에서 볼 때 사출구(11)에 인접하는 제2 제한판(42))가, 그 바로 아래인 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향의 양단부의 적어도 일부와 접촉하는 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
<제2 제한판(42)의 변형예 3>
도 12는, 본 변형예에 따른 제한판 유닛(20)의 주요부에 있어서의 제2 제한판(42)의 패턴예를, 사출구(11)와 함께 나타내는 평면도이다.
전술한 바와 같이, 증착막(402)의 증착 분포는, 사출구(11)(노즐)의 바로 위가 가장 두껍고, 사출구(11)의 단부(노즐 단부) 위를 향함에 따라서 얇아진다. 이로 인해, 사출구(11)의 근방 위쪽은 증착 밀도가 높아 증착 입자(401)의 충돌·산란이 많다.
이로 인해, 제2 제한판(42)의 Y축 방향의 길이나 배치 위치는, 증착 재료나 증착 밀도(증착 레이트)를 고려하여 결정되는 것이 바람직하다.
이로 인해, 제2 제한판(42)의 Y축 방향의 길이가, 제1 제한판(32)의 Y축 방향의 길이보다도 짧은 경우, 제2 제한판(42)은, 평면에서 볼 때 사출구(11)에 인접하여 설치되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우, 제2 제한판(42)은, 제1 제한판(32)을 따라 Y축 방향으로 반드시 단속적으로 형성되어 있을 필요는 없으며, 도 12에 도시한 바와 같이, 평면에서 볼 때 사출구(11)에 인접하는 위치에만 설치되어 있어도 된다.
즉, 사출구(11)의 근방 위쪽은, 증착 밀도가 높고, 증착 입자(401)의 충돌·산란이 많기 때문에, 증착류의 지향성이 나빠지기 쉽다. 이로 인해, 사출구(11)의 근방 위쪽에는 제2 제한판(42)이 설치되어 있는 것이 바람직하다. 그러나, 사출구(11)로부터 멀어지면, 증착 밀도가 낮아져서 충돌·산란이 적기 때문에, 증착류의 지향성이 나빠지기 어렵다. 이로 인해, 평면에서 볼 때 사출구(11)로부터 먼 위치에는, 반드시 제2 제한판(42)이 설치되지 않아도 무방하다.
따라서, 도 12에 도시한 구성으로 함으로써, 필요한 개소에만 제2 제한판(42)을 설치할 수 있으므로, 저렴한 구성으로 할 수 있다.
또한, 도 12에서는, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)이, 그 바로 아래의 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향의 양단부로부터 이격한 위치에 설치되어 있는 경우를 예로 들어 도시하고 있다. 그러나, 이 경우에도, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)은, 그 바로 아래의 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향의 양단부(즉, X축 방향의 양단부의 일부)와 접촉하는 위치(보다 구체적으로는, 상기 X축 방향의 양단부 일부와 동일 평면)에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
<제2 제한판(42)의 변형예 4>
도 13은, 본 변형예에 따른 제한판 유닛(20)의 주요부에 있어서의 제2 제한판(42)의 패턴예를, 사출구(11)와 함께 나타내는 평면도이다.
본 실시 형태, 특히, 도 3, 도 11의 (a) 내지 (e), 및 도 12에서는, 제2 제한판(42)이 직육면체인 경우를 예로 들어 도시하였지만, 제2 제한판(42)의 형상은 직육면체가 아니어도 된다.
예를 들어, 평면에서 볼 때 사출구(11)의 근방과 그 이외의 영역과의 증착 밀도의 차이를 고려하여, 평면에서 볼 때, 제2 제한판(42)의 Y축 방향의 단부가 끝이 가는 형상을 갖고 있어도 된다.
제1 제한판(32) 사이의 제한판 개구(33)를 통과한 증착류의 분포가 급격한 압력 변화로 변하되지 않도록, 제2 제한판(42)이 차지하는 체적은, 적은 편이 바람직하다. 따라서, 도 13에 도시한 형상으로 함으로써, 제한판 개구(33)를 통과한 증착류의 분포(증착막(402)의 증착 분포)의 변화를 억제할 수 있으므로, 보다 정밀도가 높은 제어를 행할 수 있다.
또한, 도 13에서도, 도 12와 마찬가지로, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)이, 그 바로 아래의 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향의 양단부로부터 이격한 위치에 설치되어 있는 경우를 예로 들어 도시하였지만, 이 경우에도, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)은, 그 바로 아래의 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향의 양단부(즉, X축 방향의 양단부 일부)와 접촉하는 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
<제2 제한판(42)의 변형예 5>
또한, 본 실시 형태에서는, 제2 제한판(42)이 균일한 높이를 갖는 경우를 예로 들어 도시하였지만, 제2 제한판(42)의 높이는, 반드시 균일할 필요는 없다.
각 사출구(11)(노즐)는 각각 개체차가 있으므로, 각 사출구(11)로부터의 증착 분포에도 차가 발생한다. 따라서, 각 사출구(11)의 개체차를 저감하기 위해서, 제2 제한판(42)의 높이(Z축 방향의 길이)를 미세 조정하여도 된다.
〔실시 형태 2〕
본 실시 형태에 대하여 도 14 및 도 15에 기초하여 설명하면, 이하와 같다.
또한, 본 실시 형태에서는, 주로, 실시 형태 1과의 상이점에 대하여 설명하는 것으로 하고, 실시 형태 1에서 사용한 구성 요소와 동일한 기능을 갖는 구성 요소에는 동일한 번호를 부여하고, 그 설명을 생략한다.
증착 입자(401)의 충돌·산란에 의한 증착류의 퍼짐이 비교적 작은 경우에는, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 X축 방향으로 제2 제한판(42)을 2장 설치함으로써, 이상 성막을 충분히 억제할 수 있다.
그러나, 증착류의 퍼짐이 매우 큰 경우에는, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 X축 방향으로 제2 제한판(42)을 2장 설치한 것만으로는, 그 크기나 배치에 따라서는, 제2 제한판(42)의 배치 위치보다도 퍼지는 증착류를 포착할 수 없거나, 제2 제한판(42)의 배치 위치보다도 퍼지는 증착류를 포착하기 위해서, 제2 제한판(42)의 배치 위치를 보다 내측으로 하면, 제2 제한판(42)의 배치 위치보다도 외측의 증착류를 포착할 수 없거나 할 우려가 있는 등, 이상 성막을 야기하는 증착 입자(401)의 포착 효과가 충분하다고는 하기 어려운 경우도 있다.
따라서, 증착류의 퍼짐이 매우 큰 경우의 대책의 일례로서, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)이 밀착되지 않는 경우에, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)의 간극을 따라 퍼지는 증착류를 커트(포착)하기 위해서, 예를 들어 도 15에 도시한 바와 같이, 제2 제한판(42)의 X축 방향의 길이를 길게 하는(바꿔 말하면, 제2 제한판(42)의 폭을 넓게 하는) 것도 고려된다.
도 15에 도시한 바와 같이, 제2 제한판(42)의 폭(X축 방향의 두께)을 두껍게 함으로써, 제1 제한판(32) 사이의 제한판 개구(33)를 통과 후에 퍼지는 증착류를 억제할 수 있다.
그러나, 이 경우, 제2 제한판(42)의 폭이 두꺼워지는 만큼, 제2 제한판(42)이 무거워져서 얼라인먼트 정밀도가 나오지 않게 된다. 또한, 제2 제한판(42)의 점유 체적이 증가하기 때문에, 제2 제한판(42)을 통과 후의 증착류에 급격한 압력 변화를 발생시킨다. 이로 인해, 제2 제한판(42)의 X축 방향의 폭 그 자체는, 제1 제한판(32)의 X축 방향의 폭에 대하여 상대적으로 얇은 편이 바람직하다.
또한, 예를 들어 제2 제한판(42)의 X축 방향의 폭이 비교적 얇은 경우에도, 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향 양 단부측에, Z축 방향의 길이가 비교적 긴 제2 제한판(42)을 설치할 수 있는 경우에는, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 X축 방향으로 제2 제한판(42)을 2장 설치함으로써, 이상 성막을 충분히 억제할 수 있다.
그러나, 제2 제한판(42)을 설치하는 공간의 높이(즉, 제1 제한판(32)과 증착 마스크(50) 사이의 거리)를 충분히 확보할 수 없어, 증착류의 퍼짐의 크기보다는 비교적 Z축 방향의 길이가 짧은 제2 제한판(42)을 사용할 수밖에 없는 경우도 있다. 이 경우, 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향 양 단부측에 제2 제한판(42)을 설치했다고 하여도, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)의 사이에 간극이 있으면, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)의 사이의 간극으로부터, 상기 X축 방향 양 단부측의 제2 제한판(42) 사이의 간극을 통과하여, 증착류가 인접 성막 영역에 누설될(침입할) 우려가 있다.
또한, 증착류를 포착하기 위해서 제2 제한판(42)의 Z축 방향의 길이를 크게 하면, 증착 입자(401)가 비산하는 공간 체적이 감소하고, 압력이 상승한다. 이로 인해, 제2 제한판(42)을 설치하는 공간의 높이를 충분히 확보할 수 있는 경우에도, 증착류의 퍼짐의 크기에 따라서는, 증착류의 퍼짐의 크기에 충분히 대응할 수 있는 길이의 제2 제한판(42)을 설치하는 것이 곤란한 경우도 있다.
도 14는, 본 실시 형태에 따른 증착 유닛(1)의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판(200)과 함께 나타내는 단면도이다.
또한, 도 14에 도시한 증착 유닛(1)은, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)이 밀착되지 않는 경우에, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여, Z축 방향의 길이가 실시 형태 1보다도 짧은 제2 제한판(42)을 3장 설치한 것을 제외하면, 실시 형태 1에 나타내는 증착 유닛(1)과 동일하다.
도 14에 굵은 파선으로 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향 양 단부측에 설치된 제2 제한판(42)에 의해 포착할 수 없는 증착류는, 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향 중앙에 설치된 제2 제한판(42)에 의해 포착된다. 따라서, 제2 제한판(42)에, 증착류의 퍼짐보다는 비교적 Z축 방향의 길이가 짧은 제한판을 사용한 경우에도, 이상 성막을 충분히 억제할 수 있다.
이와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 제2 제한판(42)을 3장 설치하는 것, 특히, 도 14에 도시한 바와 같이, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)이 밀착되지 않는 경우에, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 제2 제한판(42)을 3장 설치함으로써, 얼라인먼트 정밀도를 낮추지 않고, 또한 증착류가 제1 제한판(32)을 통과 후에 급격한 압력 변화를 발생시키지 않고, 매우 크게 퍼지는 증착류(제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)의 간극이 넓어지는 간극을 따라 퍼지는 증착류)에 대해서도 포착하는 것이 가능하게 된다.
또한, 도 14에서는 제1 제한판(32) 한 장에 대하여 제2 제한판(42)을 3장 설치한 경우를 예로 들어 도시하였지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되는 것은 아니다. 증착류의 퍼짐에 따라서 제1 제한판(32) 한 장에 대하여 제2 제한판(42)을 3장 이상 설치하여도 된다. 단, 제1 제한판(32) 1장당 제2 제한판(42)의 장수를 너무 많이 하면, 고정밀의 패턴을 얻기 위한 위치 정렬이 복잡해져서 제2 제한판(42)의 점유 체적도 증가하므로, 그다지 바람직하지 않다.
또한, 도 14에서는, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)이 밀착되지 않는 경우를 예로 들어 도시하였지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되는 것은 아니며, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)은, 밀착하고 있어도 된다.
예를 들어, 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향 양 단부측에 설치된 제2 제한판(42) 사이에, 그 X축 방향 양 단부측에 설치된 제2 제한판(42)보다도 Z축 방향으로 돌출하는 제2 제한판(42)(예를 들어 상기 X축 방향 양 단부측의 제2 제한판(42)보다도 Z축 방향의 길이가 긴 제2 제한판(42))을 설치함으로써, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)이 밀착되고 있는지 여부에도 불구하고, 상기 X축 방향 양 단부측에 설치된 제2 제한판(42)에 의해 전부 포착할 수 없던 증착류를, 그 X축 방향 양 단부측에 설치된 제2 제한판(42) 사이에 설치된 제2 제한판(42)에 의해 포착할 수 있다.
또한, 이 경우에도, 상기 X축 방향 양 단부측에 설치된 제2 제한판(42) 사이에 설치되는 제2 제한판(42)의 장수는, 특별히 한정되는 것은 아니다. 상기 X축 방향 양 단부측에 설치된 제2 제한판(42) 사이에는, 제2 제한판(42)이, 예를 들어 제1 제한판(32)의 X축 방향 중앙에 1장만 설치되어 있어도 되며, 2장 이상이 서로 이격하여 설치되어 있어도 된다.
또한, 이 경우, 상기 X축 방향 양 단부측에 설치된 제2 제한판(42) 사이에 설치되는 제2 제한판(42)의 높이는, 예를 들어 사용하는 증착 재료나 증착 레이트 등에 따라서 포착 효율이 향상되도록, 증착 입자(401)가 비산하는 공간 체적의 감소에 의한 압력의 상승이 너무 커지지 않는 범위 내에서 적절히 설정하면 되며, 특별히 한정되는 것은 아니다.
또한, 제2 제한판(42)의 변형예에 대해서는, 실시 형태 1에서 나타낸 사상을 반영할 수 있는 것은 물론이다.
〔실시 형태 3〕
본 실시 형태에 대하여 도 16 내지 도 20에 기초하여 설명하면, 이하와 같다.
또한, 본 실시 형태에서는, 주로, 실시 형태 1, 2와의 상이점에 대하여 설명하는 것으로 하고, 실시 형태 1, 2에서 사용한 구성 요소와 동일한 기능을 갖는 구성 요소에는 동일한 번호를 부여하고, 그 설명을 생략한다.
실시 형태 2에서는, 평면에서 볼 때 동일한 제1 제한판(32) 위에 위치하는, 동일 YZ 평면에 있어서의 제2 제한판(42)의 장수(제1 제한판 1장당 제2 제한판(42)의 장수)를 늘림으로써, 증착류의 퍼짐이 큰 경우에, 제1 제한판(32) 사이의 제한판 개구(33)를 통과 후에 퍼지는 증착 입자(401)를 커트(포착)하는 경우를 예로 들어 설명하였다.
그러나, 제1 제한판(32) 1장당 제2 제한판(42)의 장수를 늘리면, 동일 YZ 평면에 차지하는 제2 제한판(42)군의 점유 체적이 커지게 되어, 제2 제한판(42) 전체의 장수도 늘어난다. 이로 인해, 제1 제한판(32) 1장당 제2 제한판(42)의 장수가 늘어나면 늘어날수록, 급격한 압력 변화나 얼라인먼트 정밀도를 내기 위한 위치 정렬 복잡화가 발생하기 쉬워진다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 제1 제한판 어셈블리(30)와 증착 마스크(50)의 사이에, 제2 제한판(42)을 포함하는 다단의 제한판을 설치하는 경우를 예로 들어 설명한다.
도 16은, 제1 제한판 어셈블리(30)와 증착 마스크(50)의 사이에, 제2 제한판 어셈블리(40) 및 제3 제한판 어셈블리(70)를 설치한 증착 유닛(1)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
제3 제한판 어셈블리(70)는, 도 16에 도시한 바와 같이, 제1 제한판(32) 위에 X축 방향으로 서로 이격하고, 또한 제1 제한판(32)을 따라 서로 평행하게 설치된, 복수의 제3 제한판(72)으로 이루어지는 제3 제한판 열(71)을 구비하고 있다.
제3 제한판(72)은, 제2 제한판(42)과 마찬가지로, YZ 평면을 주면으로 하고, 각각의 주면이, X축 방향으로 인접함과 함께, XY 평면을 주면으로 하는 증착 마스크(50)의 주면 및 피성막 기판(200)의 피증착면(201)에 대하여 수직으로 되도록 배치되어 있다.
또한, 도 16에서는, 제3 제한판(72)이, 제2 제한판(42)과 마찬가지로, 제1 제한판(32) 위에 제1 제한판(32)을 따라 X축 방향으로 2장 1조로 설치되어 있는 경우를 예로 들어 도시하고 있다.
이로 인해, 제3 제한판(72)은, 평면에서 볼 때, 각각 Y축에 평행하게 연장 설치되어 있으며, X축 방향으로 2장 1조로 설치된 각 조의 제3 제한판(72)이, 각각 동일 피치로 X축 방향과 서로 평행하게 복수 배열되어 있다. 이에 의해, X축 방향으로 인접하는 각 조의 제3 제한판(72) 사이에, 각각, 개구 영역으로서 제한판 개구(73b)가 형성되어 있다.
또한, 평면에서 볼 때 동일한 제1 제한판(32) 위에 설치된, 쌍을 이루는 제3 제한판(72)은, 서로 이격하여 설치되어 있으며, 쌍을 이루는 제3 제한판(72) 사이에는, 개구 영역으로서 제한판 개구(73a)가 형성되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제3 제한판(72)은, 각각, 예를 들어 직사각 형상으로 형성되어 있다. 제3 제한판(72)은, 각각 그 단축이 Z축 방향과 평행해지도록 수직으로 배치되어 있다. 이로 인해, 제3 제한판(72)은, 그 장축이 Y축 방향과 평행하게 배치되어 있다.
제3 제한판 어셈블리(70)는, 도 4의 (a)에 도시한 제2 제한판 어셈블리(40)와 마찬가지로, 제한판 개구(73a)를 개재하여 설치된, 한 쌍의 제3 제한판(72)을 1조로 하여, 인접하는 각 조의 제3 제한판(72) 사이에 각각 제한판 개구(73b)가 형성된, 블록 형상의 유닛이어도 된다. 또는, 제3 제한판 어셈블리(70)는, 예를 들어 도 4의 (b)에 도시한 제2 제한판 어셈블리(40)와 마찬가지로, 전술한 제한판 개구(73a·73b)를 개재하여 배열된 제3 제한판(72)이, 각각, X축 방향과 평행한 한 쌍의 제1 유지 부재와 Y축 방향과 평행한 한 쌍의 제2 유지 부재로 구성되는, 유지체(46)와 마찬가지의 프레임 형상의 유지체에, 예를 들어 용접 등의 방법에 의해 일체적으로 유지되어 있는 구성을 갖고 있어도 된다.
본 변형예에서도, 제3 제한판(72)의 상대적 위치나 자세를 일정하게 유지할 수 있으면, 제3 제한판(72)을 유지하는 방법은, 상기한 방법으로 한정되지 않는다.
제3 제한판 어셈블리(70)는, 제3 제한판(72)에 의해, 제2 제한판 어셈블리(40)와 증착 마스크(50) 사이의 공간을, 제한판 개구(73b)로 이루어지는 복수의 증착 공간으로 구획함으로써, 제2 제한판(42) 사이의 제한판 개구(43b)를 통과한 증착 입자(401)의 통과 각도를 제한한다.
본 실시 형태에서는, 도 16에 도시한 바와 같이, 제1 제한판 어셈블리(30), 제2 제한판 어셈블리(40), 제3 제한판 어셈블리(70)를, 증착원(10)측으로부터 이 순서대로 서로 이격하여 설치함과 함께, 제1 제한판(32) 1장당, 제2 제한판(42) 및 제3 제한판(72)을 X축 방향으로 각각 2장 사용한다.
그리고, 제1 제한판(32) 사이의 제한판 개구(33)를 통과 후에 매우 크게 퍼지는 증착류(예를 들어 제2 제한판(42)을 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부측에 배치한 경우에 제2 제한판(42)의 배치보다도 퍼지는 증착류)를 포착하기 위해서, 제2 제한판(42)을 각각 제1 제한판(32)의 X축 방향 중앙 옆에 배치한다.
또한, 제2 제한판(42)을 각각 제1 제한판(32)의 X축 방향 중앙 옆에 배치함으로써 제2 제한판(42)의 설치 위치보다도 외측을 통과하는 증착류(예를 들어, 제2 제한판(42)보다도 위쪽(증착 마스크(50)측)에서 교차하는 증착류)의 경로(즉, 증착 입자(401)의 비산 경로) 위에 제3 제한판(72)이 위치하도록, 제3 제한판(72)을, 제2 제한판(42)보다도 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부측에 배치한다.
이에 의해, 본 실시 형태에서는, 하단의 제2 제한판 열(41)(제2 제한판(42)군)은, 상대적으로 퍼짐이 큰 증착류를 포착하고, 상단의 제3 제한판 열(71)(제3 제한판(72)군)은, 상대적으로 퍼짐이 작은 증착류를 포착한다.
본 실시 형태에 의하면, 이와 같이 증착류의 퍼짐 정도에 따라서 각 단의 제한판에 의해 증착 입자(401)의 포착 범위를 서로 다르게 하여 기능 분리함으로써, 동일 YZ 평면의 제한판의 장수를 증가시키지 않고, 퍼진 증착류를 포착할 수 있다. 또한, 동일 YZ 평면에 차지하는 제2 제한판(42)의 장수 증가에 의한 제2 제한판(42)의 점유 체적의 증가를 억제할 수 있다.
따라서, 본 실시 형태에 의하면, 모든 증착류의 퍼짐에 대하여 고정밀도로 제2 제한판(42)을 배치할 수 있고, 제한판 개구(33) 통과 후의 압력 변화를 억제할 수 있어 이상 성막을 효과적으로 방지할 수 있다.
<변형예 1>
또한, 본 실시 형태에서는, 각 단의 제한판이 따로 따로의 제한판 어셈블리로서 설치되어 있는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 제2 제한판 어셈블리(40)가, 다단의 제한판을 구비하고 있는 구성으로 하여도 무방하다. 즉, 예를 들어 하단의 제2 제한판(42)과 상단의 제3 제한판(72)은, 1개의 유지체에 의해 유지되어 있어도 되며, 제2 제한판 어셈블리(40)가, 제2 제한판(42)과 제3 제한판(72)을 구비하고 있어도 무방하다.
<변형예 2>
또한, 제1 제한판(32) 위에 설치되는 각 단의 제한판에 있어서의, 제1 제한판(32) 1장당 X축 방향의 장수는, 2장으로 한정되는 것이 아니라, 1장이어도 되고, 3장 이상이어도 된다.
또한, 제1 제한판(32) 1장당 제한판 1장당 각 단의 제한판의 장수는, 동일하더라도 서로 달라도 무방하다.
도 17은, 본 변형예에 따른 증착 유닛(1)의 개략 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 17에서는, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여, X축 방향으로, 제2 제한판(42)이 2장, 제3 제한판(72)이 1장 설치되어 있는 경우를 예로 들어 도시하고 있다.
또한, 도 17에서도, 제1 제한판(32) 사이의 제한판 개구(33)를 통과 후에 매우 크게 퍼지는 증착류(예를 들어 제2 제한판(42)을 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부측에 배치한 경우에 제2 제한판(42)의 배치보다도 퍼지는 증착류)를 포착하기 위해서, 제2 제한판(42)을 각각 제1 제한판(32)의 X축 방향 중앙 옆에 배치한다.
이때, 제2 제한판(42)의 설치 위치보다도 외측을 통과하는 증착류의 경로 위에 제3 제한판(72)이 위치하도록, 도 16에서는, 제2 제한판(42)보다도 위쪽(증착 마스크(50)측)에서 교차하는 증착류의 교차부보다도 위쪽에 제3 제한판(72)을 X축 방향으로 2장 설치하였지만, 도 17과 같이 1장의 제1 제한판(32) 위에 제3 제한판(72)을 1장만 설치하는 경우, 제3 제한판(72)은, 도 17에 도시한 바와 같이, 상기 교차부에 배치되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 제2 제한판(42)의 설치 위치보다도 외측을 통과하는 증착류를, 1장의 제3 제한판(72)에 의해 효과적으로 포착할 수 있다.
또한, 본 변형예에서는, 제3 제한판(72)이, 제1 제한판(32) 위에 1장의 제1 제한판에 대하여 1장만 설치되어 있기 때문에, X축 방향으로 인접하는 제3 제한판(72) 사이에는, 각각 개구 영역으로서 제한판 개구(73)가 형성되어 있다.
제3 제한판 어셈블리(70)는, 제3 제한판(72)에 의해, 제2 제한판 어셈블리(40)와 증착 마스크(50) 사이의 공간을, 제한판 개구(73)로 이루어지는 복수의 증착 공간으로 구획함으로써, 제2 제한판(42) 사이의 제한판 개구(43b)를 통과한 증착 입자(401)의 통과 각도를 제한한다.
<변형예 3>
또한, 도 16 및 도 17에서는, 제1 제한판 어셈블리(30)와 증착 마스크(50)의 사이에, 제한판을 2단 설치한 경우를 예로 들어 도시하였지만, 제1 제한판 어셈블리(30)와 증착 마스크(50) 사이의 제한판은, 3단 이상으로 구성되어 있어도 된다. 바꿔 말하면, 제1 제한판 어셈블리(30)와 증착 마스크(50)의 사이에, 3개 이상의 제한판 어셈블리가 설치되어 있어도 된다.
증착 유닛(1)이, Z축 방향으로 복수단의 제한판 어셈블리를 구비하고 있음과 함께, 각 제한판 어셈블리가 복수의 제한판을 구비하고 있음으로써, 모든 기판 사이즈, 패턴 사이즈, 재료 등에, 용이하게 대응할 수 있다.
예를 들어, 증착 레이트가, 도 16 및 도 17에 도시한 것보다도 더 높아지면, 제1 제한판(32) 사이의 제한판 개구(33)를 통과한 증착류가, 제2 제한판(42) 사이의 제한판 개구(43b)를 통과한 순간에 더 퍼질 퍼질 가능성도 있다.
따라서, 증착 레이트에 의해, 제한판 개구(43b)를 통과 후에 퍼지는 증착류를 포착하기 위해서, Z축 방향으로 제한판을 더 설치하여도 된다.
도 18은, 본 변형예에 따른 증착 유닛(1)의 개략 구성의 일례를 나타내는 단면도이다. 또한, 도 19의 (a)·(b)는, 본 변형예에 따른 각 단의 제한판의 배치 방법의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 18에서는, 제3 제한판 어셈블리(70)와 증착 마스크(50)의 사이에, 제4 제한판 어셈블리(80)를 설치하고 있다.
또한, 제4 제한판 어셈블리(80)의 개략 구성은, 제3 제한판 어셈블리(70)와 증착 마스크(50)의 사이에 설치되어 있는 점을 제외하면, 제3 제한판 어셈블리(70)와 동일하다. 따라서, 제4 제한판 어셈블리(80)는, 도 18에 도시한 바와 같이, 제1 제한판(32) 위에 X축 방향으로 서로 이격하고, 또한 제1 제한판(32)을 따라 서로 평행하게 설치된, 복수의 제4 제한판(82)으로 이루어지는 제4 제한판 열(81)을 구비하고 있다.
제4 제한판(82)은, 제3 제한판(72)과 마찬가지로, YZ 평면을 주면으로 하고, 각각의 주면이, X축 방향으로 인접함과 함께, XY 평면을 주면으로 하는 증착 마스크(50)의 주면 및 피성막 기판(200)의 피증착면(201)에 대하여 수직으로 되도록 배치되어 있다.
또한, 도 18에서는, 제4 제한판(82)이, 제3 제한판(72)과 마찬가지로, 제1 제한판(32) 위에 제1 제한판(32)을 따라 X축 방향으로 2장 1조로 설치되어 있는 경우를 예로 들어 도시하고 있다.
이로 인해, 제4 제한판(82)은, 평면에서 볼 때, 각각 Y축과 평행하게 연장 설치되어 있으며, X축 방향으로 2장 1조로 설치된 각 조의 제4 제한판(82)이, 각각 동일 피치로 X축 방향과 서로 평행하게 복수 배열되어 있다. 이에 의해, X축 방향으로 인접하는 각 조의 제4 제한판(82) 사이에, 각각, 개구 영역으로서 제한판 개구(83b)가 형성되어 있다.
또한, 평면에서 볼 때 동일한 제1 제한판(32) 위에 설치된, 쌍을 이루는 제4 제한판(82)은, 서로 이격하여 설치되어 있으며, 쌍을 이루는 제4 제한판(82) 사이에는, 개구 영역으로서, 제한판 개구(83a)가 형성되어 있다.
또한, 본 변형예에서는, 제4 제한판(82)은, 각각, 예를 들어 직사각 형상으로 형성되어 있다. 제4 제한판(82)은, 각각, 그 단축이 Z축 방향과 평행해지도록 수직으로 배치되어 있다. 이로 인해, 제4 제한판(82)은, 그 장축이 Y축 방향과 평행하게 배치되어 있다.
제4 제한판(82)은, 제3 제한판(72)의 유지 방법과 마찬가지의 방법에 의해 유지할 수 있다. 단, 제3 제한판(72)과 마찬가지로, 제4 제한판(82)도, 제4 제한판(82)의 상대적 위치나 자세를 일정하게 유지할 수 있으면, 그 유지 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니다.
제4 제한판 어셈블리(80)는, 제4 제한판(82)에 의해, 제3 제한판 어셈블리(70)와 증착 마스크(50) 사이의 공간을, 제한판 개구(83b)로 이루어지는 복수의 증착 공간으로 구획함으로써, 제3 제한판(72) 사이의 제한판 개구(73b)를 통과한 증착 입자(401)의 통과 각도를 제한한다.
또한, 도 18에서는, 제1 제한판(32) 1장당, X축 방향으로 제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82)을 각각 2장씩 사용한다.
도 18에 도시한 바와 같이 Z축 방향으로 제한판을 다단 배열하여 설치하는 경우, 실시 형태 1에 도시한 바와 같이, 제1 제한판(32)에 있어서의 제한판 개구(33)의 개구 에지와, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)에 있어서의, 각각의 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부측의 에지는, 적어도 일부가 접촉하고 있는 것이 바람직하며, 예를 들어 동일 평면에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 도 18에 도시한 바와 같이 Z축 방향으로 제한판을 다단 배열하여 설치하는 경우, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 형성된 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))은, 서로 적어도 일부가 접촉하고, 또한 인접하는 제1 제한판(32) 위에 각각 형성된, 동일 평면 내에서 서로 대향하는 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82)) 사이의 거리가, 증착 마스크(50)측일수록 커지도록 배치되어 있는 것이 바람직하다.
예를 들어, 도 18, 도 19의 (a)·(b)에 도시한 바와 같이, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 형성된 제한판(예를 들어, 제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82)) 사이의 개구 폭이 위쪽일수록 작아지도록(즉, 중앙이 개구된 역 V자 형상(즉, 「팔(八)」자 형상)이 되도록) 각 단의 제한판이 배치되어 있는 것이 바람직하다.
Z축 방향으로 배치된 각 단의 제한판 사이에 간극이 있는 경우, 그 간극으로부터 증착류가 누설될 가능성이 있다.
그러나, 전술한 구성으로 함으로써, 제1 제한판(32) 위에 형성된 제한판 사이(예를 들어, 제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))의 간극으로부터 증착류가 누설될 일이 없다. 또한, 증착 입자(401)의 비산 방향인 증착 마스크(50)측일수록, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33)) 위의 공간 체적이 넓어지기 때문에, 증착 입자(401)의 산란을 억제할 수 있다. 이로 인해, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에 퍼진 증착류를 더 효과적으로 포착할 수 있다.
또한, 이 경우, 제1 제한판(32) 위에 설치된 각 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))은, 도 19의 (a)에 도시한 바와 같이, 상단의 제한판에 있어서의 제1 제한판(32)의 X축 방향 단부측의 단부면이, 그 제한판과 접촉하는 하단의 제한판에 있어서의 제1 제한판(32)의 X축 방향 중앙부측의 단부면의 적어도 일부에 접촉(예를 들어 그 단부면과 동일 평면)하여 형성된 구성을 갖고 있는 것이 바람직하며, 도 19의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 제한판(32) 위에 설치된, 인접하는 단의 제한판끼리, 즉, 서로 접촉하는 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))끼리가, 일부 중첩되어 있는 것이 보다 바람직하다.
이에 의해, 인접하는 단의 제한판 사이의 간극으로부터 증착류가 누설되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 이로 인해, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에 퍼진 증착류를 더 효과적으로 포착할 수 있다.
또한, 도 19의 (a)에 도시한 바와 같이 서로 접촉하는 제한판끼리를 각각의 에지에서만 접촉시키는 경우, 각 단의 제한판을 각각 정밀하게 얼라인먼트할 필요가 있다. 이에 반하여, 도 19의 (b)에 도시한 바와 같이 서로 접촉하는 제한판끼리를 일부 중첩시킴으로써, 얼라인먼트가 용이해진다고 하는 이점도 있다.
또한, 본 변형예에서는, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 형성된 제한판(예를 들어, 제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82)) 사이의 개구 폭이 위쪽일수록 작아지도록 각 단의 제한판이 배치된 예로서, 제1 제한판(32) 위에 제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82)이 설치되어 있는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 제1 제한판(32) 위에 제2 제한판(42) 및 제3 제한판(72)만이 설치되어 있는 경우에도, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있는 것은 물론이다.
도 10에 도시한 바와 같이 제1 제한판(32) 위에 설치된, 쌍을 이루는 제2 제한판(42)이, 중앙이 개구된 역 V자 형상으로 되도록 제2 제한판(42)을 배치하는 경우, 본 변형예보다도 제한판의 설치가 용이하다는 장점은 있다. 그러나, 도 10은, 제한판 유닛(20)이, 제1 제한판 위에 제2 제한판(42)만을 구비하고 있기 때문에, 제2 제한판(42)에 증착 입자(401)가 부착됨에 따른 콘터미네이션의 방지를 위한 교환 시에, 제2 제한판(42)을 통째로 바꿀 필요가 있다. 한편, 본 변형예와 같이 제한판을 복수단 설치함으로써, 증착 입자(401)의 부착에 의한 오염이 심한 제한판만을 교환하는 것만으로도 충분하여 메인터넌스성이 좋다.
<변형예 4>
도 18 및 도 19의 (a)·(b)에 도시한 바와 같이, 제2 제한판(42)의 최하부(하면)와 제1 제한판(32)의 최상부(상면)가 접촉(밀착)하고 있는 경우에는, 증착 레이트가 높아질수록 Z축 방향에 있어서의 제한판의 단수를 증가시킬 필요가 있지만, 어떠한 경우에도, 평면에서 볼 때 제1 제한판 위에 배치되는 각 단의 제한판은 2장 1조이어도 되며, 또한 이것이 가장 효과적인 설치 방법이다.
그러나, 어떠한 사정에 의해, 제2 제한판(42)의 최하부와 제1 제한판의 최상부를 밀착할 수 없는 경우, 증착 레이트에 따라서는, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 배치되는 각 단의 제한판을 2장 1조로 한 것만으로는, 제한판 개구(33)를 통과 후에 퍼지는 증착류를 포착하지 못할 가능성도 있다. 이 경우에는, 실시 형태 2와 같이, 예를 들어 3장 이상을 1조로 하여 각 단의 제한판을 구성하는 것이 바람직하다.
단, 이 경우, 제한판 사이의 간극의 수가 증가한다. 이로 인해, 본 변형예에 있어서도, 각 단의 제한판 사이에 간극이 없도록 설치하는 것이 바람직하다.
도 20은, 본 변형예에 따른 증착 유닛(1)의 개략 구성의 일례를 나타내는 단면도이다.
본 변형예에서도, 도 20에 도시한 바와 같이, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 형성된 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))은, 서로 적어도 일부가 접촉하고, 또한 인접하는 제1 제한판(32) 위에 각각 형성된, 동일 평면 내에서 서로 대향하는 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82)) 사이의 거리가, 증착 마스크(50)측일수록 커지도록 배치되어 있다.
이로 인해, 본 변형예에서도, 제1 제한판(32) 위에 형성된 제한판 사이(예를 들어, 제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))의 간극으로부터 증착류가 누설될 일이 없다. 또한, 증착 입자(401)의 비산 방향인 증착 마스크(50)측일수록, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33)) 위의 공간 체적이 넓어지기 때문에, 증착 입자(401)의 산란을 억제할 수 있다. 이로 인해, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에 퍼진 증착류를 더 효과적으로 포착할 수 있다.
<기타 변형예>
또한, 변형예 3 및 변형예 4에서는, 제4 제한판 어셈블리(80)가 제4 제한판(82)을 구비하고 있는 경우를 예로 들어 도시하였지만, 제3 제한판(72)과 마찬가지로, 제4 제한판(82)도, 제2 제한판(42) 및 제3 제한판(72) 중 적어도 한쪽과 동일한 유지체로 유지되어 있어도 된다. 예를 들어, 제2 제한판 어셈블리(40)가, 제2 제한판(42), 제3 제한판(72) 및 제4 제한판(82)을 구비하고 있어도 무방하다.
또한, 제3 제한판(72)의 변형예에 대해서는, 실시 형태 1, 2에서 나타낸 제2 제한판(42)과 마찬가지의 사상을 반영할 수 있음은 물론이다. 또한, 제4 제한판(82)의 변형예에 대해서도, 제3 제한판(72)과 마찬가지의 사상을 반영할 수 있음은 물론이다.
〔실시 형태 4〕
본 실시 형태에 대하여 도 21에 기초하여 설명하면, 이하와 같다.
또한, 본 실시 형태에서는, 주로, 실시 형태 1, 2와의 상이점에 대하여 설명하는 것으로 하고, 실시 형태 1에서 사용한 구성 요소와 동일한 기능을 갖는 구성 요소에는 동일한 번호를 부여하고, 그 설명을 생략한다.
도 21은, 본 실시 형태에 따른 증착 유닛(1)의 주요부의 개략 구성을, 피성막 기판(200)과 함께 나타내는 단면도이다.
본 실시 형태는, 도 21에 도시한 바와 같이, 제1 제한판(32) 위에 제2 제한판(42)을 설치하는 대신에, 제1 제한판(32)의 상면에, 제1 제한판(32)을 따라서 X축 방향으로, Z축 방향으로 연장되는 돌기부(32a)를, 2개 설치하고 있는 점을 제외하면, 실시 형태 1과 동일하다.
실시 형태 1에서 설명한 바와 같이, 제1 제한판(32)과 제2 제한판(42)은, 예를 들어 도 8에 도시한 바와 같이, 서로 접촉(밀착)하여 설치되어 있는 것이 가장 바람직하다.
도 8과 도 21을 대비하면 알 수 있는 바와 같이, 도 21에 도시한 구성으로 함으로써, 도 8과 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
즉, 본 실시 형태에 의하면, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 흐름(증착류)은, 제1 제한판(32)에 의해 퍼짐이 억제된다. 이에 의해, 지향성이 나쁜 증착 입자(401)가 커트(포착)되어 지향성이 높은 분포로 제어된다. 제어된 증착류는, 증착 밀도가 높은 경우(즉, 고 레이트 시), 그 높은 증착 밀도에 기인하여 발생하는 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란 때문에, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과할 때 다시 퍼지려고 하지만, 상기 돌기부(32a)에 의해 포착됨으로써, 퍼짐이 억제되어 퍼짐이 억제된 상태를 유지하여 증착 마스크(50)를 통과한다. 이때, 제1 제한판(32)의 상면에, 제1 제한판(32)을 따라 상기 제1 방향으로 돌기부(32a)가 2개 설치되어 있음으로써, 제1 제한판(32)에 있어서의 제1 방향 양 단부측으로 퍼지는 증착류를 효과적으로 포착할 수 있다. 이로 인해, 상기 방향으로의 증착류의 퍼짐을 효과적으로 억제할 수 있다. 이 결과, 이상 패턴막 등의 이상 성막의 발생을 방지할 수 있어 고정밀의 증착막 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 돌기부(32a)는, 제1 제한판(32)의 상면에 형성되므로, 제한판 개구(33) 바로 위에 제한판을 설치하는 경우와는 달리, 증착 레이트를 완전히 낮추지 않고 바로 지향성이 나빠진 성분만을 효율적으로 포착할 수 있다.
또한, 제한판 유닛(20)이, 제1 제한판(32) 위에 제2 제한판(42)만을 구비하고 있는 경우, 제2 제한판(42)에 증착 입자(401)가 부착됨에 따른 콘터미네이션의 방지를 위한 교환 시에, 증착 입자(401)의 부착에 의한 오염이 심한 제한판만을 교환하는 것만으로도 충분하여 메인터넌스성이 좋다는 이점이 있다. 한편, 본 실시 형태에 의하면, 제1 제한판(32) 위에 제2 제한판(42)을 배치할 때의 얼라인먼트의 수고를 줄일 수 있어 제한판의 설치가 용이하다는 장점이 있다.
또한, 제1 제한판(32)에 돌기부(32a)를 설치하는 방법은 특별히 한정되는 것이 아니라, 주형 성형이나 사출 성형 등의 공지된 방법을 이용할 수 있다.
또한, 도 21에 도시한 바와 같이, 제1 제한판(32) 위에 제2 제한판(42)을 설치하는 대신에 제1 제한판(32)의 상면에 돌기부(32a)를 설치하는 경우에도, 제1 제한판(32) 위에 제2 제한판(42)을 설치하는 경우와 마찬가지로, 제2 제한판(42)에 대응하는 돌기부(32a)가, 제1 제한판(32)의 X축 방향의 양단부(즉, 제1 제한판(32)에 있어서의, 돌기부(32a) 이외의 X축 방향의 양단부)에 있어서의 적어도 일부와 접촉(예를 들어 상기 양단부와 동일 평면)하여 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이에 의해, 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향 양 단부측에 퍼지는 증착류를 효율적으로 포착할 수 있다. 이로 인해, 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향 양 단부측으로의 증착류의 퍼짐을, 더 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에서도 돌기부(32a)의 변형예는, 실시 형태 1, 2에서 나타낸 제2 제한판(42)에 관한 사상을 반영할 수 있는 것은 물론이다. 예를 들어, 돌기부(32a)에 대해서도, 도 11의 (a) 내지 (e)에 도시한 제2 제한판(42)과 마찬가지의 변형을 행할 수 있다. 즉, 제2 제한판(42)은, 돌기부(32a)라고도 대체하여 읽을 수 있다.
또한, 도 21에서는, 제1 제한판(32)의 상면에 돌기부(32a)를 2개 설치한 경우를 예로 들어 도시하였지만, 돌기부(32a)는, 1장의 제1 제한판(32)에 대하여 3개 이상 설치되어 있어도 된다.
제1 제한판(32)의 상면에 돌기부(32a)를 설치하는 경우에도, 실시 형태 2에서 설명한 바와 같이, 예를 들어 제1 제한판(32)에 있어서의 X축 방향 양 단부측에 설치된 돌기부(32a) 사이에, 그 X축 방향 양 단부측에 설치된 돌기부(32a)보다도 Z축 방향으로 돌출하는 돌기부(32a)(즉,이 경우에는, 상기 X축 방향 양 단부측의 돌기부(32a)보다도 Z축 방향의 길이가 긴 돌기부(32a))를 설치함으로써, 상기 X축 방향 양 단부측에 설치된 돌기부(32a)에서 완전히 포착할 수 없던 증착류를, 그 X축 방향 양 단부측에 설치된 돌기부(32a) 사이에 설치된 돌기부(32a)에 의해 포착할 수 있다.
또한, 이 경우에도, 상기 X축 방향 양 단부측에 설치된 돌기부(32a) 사이에 설치되는 돌기부(32a)의 수는, 특별히 한정되는 것은 아니다. 상기 X축 방향 양 단부측에 설치된 돌기부(32a) 사이에는, 돌기부(32a)가, 예를 들어 제1 제한판(32)의 X축 방향 중앙에 1개만 설치되어 있어도 되며, 2개 이상이 서로 이격하여 설치되어 있어도 된다.
또한, 이 경우, 상기 X축 방향 양 단부측에 설치된 돌기부(32a) 사이에 설치되는 돌기부(32a)의 높이는, 예를 들어 사용하는 증착 재료나 증착 레이트 등에 따라서, 포착 효율이 향상되도록, 증착 입자(401)가 비산하는 공간 체적의 감소에 의한 압력의 상승이 너무 커지지 않는 범위 내에서 적절히 설정하면 되며, 특별히 한정되는 것은 아니다.
또한, 이들 변형예는, 일례이며, 이들로 한정되는 것은 아니다.
〔정리〕
본 발명의 형태 1에 따른 증착 유닛(1)은, 증착 마스크(50)와, 상기 증착 마스크(50)를 향해서 증착 입자(401)를 사출하는 증착원(10)과, 상기 증착 마스크(50)와 증착원(10)의 사이에 설치되고, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛(20)을 구비하고, 상기 제한판 유닛(20)은, 제1 방향(X축 방향)으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판(32)과, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판(32) 위에 상기 제1 방향으로 서로 이격하고, 또한 상기 제1 제한판을 따라 설치된, 복수의 제2 제한판(42)을 적어도 구비한 복수단의 제한판(예를 들어, 제1 제한판(32), 제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))을 구비하고, 상기 제2 제한판(42)은, 상기 제1 방향으로, 상기 제1 제한판(제1 제한판(32)) 1장에 대하여 적어도 2장 설치되어 있다.
상기한 구성에 의하면, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 흐름(증착류)은, 제1 제한판(32)에 의해 퍼짐이 억제된다. 이에 의해, 지향성이 나쁜 증착 입자(401)가 커트(포착)되어 지향성이 높은 분포로 제어된다. 제어된 증착류는, 증착 밀도가 높은 경우(즉, 고 레이트 시), 그 높은 증착 밀도에 기인하여 발생하는 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란 때문에, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에, 다시 퍼지려고 하지만, 제2 제한판(42)을 적어도 포함하는 후단의 제한판(예를 들어, 제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))에 의해 포착됨으로써 퍼짐이 억제되고, 퍼짐이 억제된 상태를 유지하여 증착 마스크(50)를 통과한다. 이때, 제1 방향으로, 제1 제한판(제1 제한판(32)) 1장에 대하여 제2 제한판(42)이 적어도 2장 설치되어 있음으로써, 제1 제한판(32)에 있어서의 제1 방향 양 단부측으로 퍼지는 증착류를 효과적으로 포착할 수 있다. 이로 인해, 상기 방향으로의 증착류의 퍼짐을 효과적으로 억제할 수 있다. 이 결과, 이상 패턴막 등의 이상 성막의 발생을 방지할 수 있어 고정밀의 증착막 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기한 구성에 의하면, 제2 제한판(42)은, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 배치되고, 제2 제한판(42)은, 제1 제한판 사이의 개구 영역(제한판 개구(33)) 바로 위에는 존재하지 않으므로, 증착 레이트를 완전히 낮추지 않고 바로 지향성이 나빠진 성분만을 효율적으로 포착할 수 있다.
본 발명의 형태 2에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 1에 있어서, 상기 제2 제한판(42)에 있어서의 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향(Y축 방향)의 길이는, 그 제2 방향에 있어서의 상기 제1 제한판(32)의 길이보다도 짧고, 상기 제2 제한판(42)은, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판(32) 위에 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 복수 단속적으로 설치되어 있는 것이 바람직하다.
상기한 구성에 의하면, 제2 제한판(42)이, 제1 제한판(32) 위에 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 복수 단속적으로 설치되어 있음으로써, 제2 제한판(42)의 배치를 보다 미세하게 조정하는 것이 가능하게 됨과 함께, 제2 제한판(42)의 교환 작업이 용이하게 된다.
본 발명의 형태 3에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 1에 있어서, 상기 증착 마스크(50)의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, 상기 제1 제한판(32) 사이에, 각각 상기 증착원(10)에 있어서의 증착 입자(401)의 사출구(11)가 설치되어 있으며, 상기 제2 제한판(42)에 있어서의 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향의 길이는, 그 제2 방향에 있어서의 상기 제1 제한판(32)의 길이보다도 짧고, 상기 증착 마스크(50)의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, 상기 제2 제한판(42)은, 상기 사출구(11)에 인접하여 설치되어 있는 것이 바람직하다.
상기 사출구(11) 근방 위쪽은 증착 밀도가 높아, 높은 증착 밀도에 기인하여 발생하는 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란이 많기 때문에, 제2 제한판(42)이 설치되어 있는 것이 바람직하다. 한편, 상기 사출구(11)로부터 멀어지면, 증착 밀도가 낮아져서, 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란이 적기 때문에, 제2 제한판(42)은 반드시 설치되어 있지 않아도 된다.
상기 구성으로 함으로써, 필요한 개소에만 제2 제한판(42)을 설치할 수 있으므로, 저렴한 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 형태 4에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 3에 있어서, 상기 제2 제한판(42)은, 상기 증착 마스크(50)의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, 상기 제2 방향에 있어서의 단부가 끝이 가는 형상을 갖고 있는 것이 바람직하다.
제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과한 증착류의 분포가 급격한 압력 변화에 의해 변화되지 않도록, 제2 제한판(42)이 차지하는 체적은, 적은 편이 바람직하다. 상기한 구성으로 하면, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역을 통과한 증착류의 분포의 변화를 억제할 수 있으므로, 보다 정밀도가 높은 제어를 행할 수 있다.
본 발명의 형태 5에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 1 내지 4 중 어느 하나에 있어서, 상기 제2 제한판(42)은, 적어도, 상기 제1 제한판(32)에 있어서의 상기 제1 방향의 양단부의 적어도 일부와 접촉하는 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 증착 유닛(1)은, 상기 제2 제한판(42)은, 상기 제1 제한판(32)에 접촉하여 설치되어 있음과 함께, 적어도, 상기 제1 제한판(32)에 있어서의 상기 제1 방향의 양단부와 동일 평면으로 되는 위치에 형성되어 있는 것이 바람직하다.
제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))에 있어서의 상부 부근은 증착 밀도가 높고, 증착 입자(401) 사이의 산란이 증대하여, 증착류가 퍼지기 쉽다. 이로 인해, 상기한 구성으로 함으로써, 제1 제한판(32)에 있어서의 제1 방향 양 단부측으로 퍼지는 증착류를 효율적으로 포착할 수 있어, 상기 제1 방향 양 단부측으로의 증착류의 퍼짐을 더 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명의 형태 6에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 1 내지 5 중 어느 하나에 있어서, 상기 제2 제한판(42)은, 상기 제1 방향으로, 상기 제1 제한판(제1 제한판(32)) 1장에 대하여 3장 설치되어 있는 것이 바람직하다.
제2 제한판(42)을, 상기 제1 방향으로, 제1 제한판(제1 제한판(32)) 1장에 대하여 3장 설치함으로써, 치수 정밀도를 낮추지 않고, 또한 급격한 압력 변화를 발생시키지 않고, 제2 제한판(42)의 위치에 의해, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에 퍼지는 증착류, 혹은 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에 매우 크게 퍼진 증착류에 대해서도 포착할 수 있다.
본 발명의 형태 7에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 1 내지 6 중 어느 하나에 있어서, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판(32) 위에 있어서의 상기 제2 제한판(42)보다도 위쪽 위치에, 상기 제1 방향으로 서로 이격하고, 또한 상기 제1 제한판(32)을 따라 설치된, 복수의 제3 제한판(72)을 적어도 구비하고 있는 것이 바람직하다.
상기한 구성에 의하면, 제2 제한판(42)보다도 적어도 위쪽에 제3 제한판(72)을 설치함으로써, 제1 방향(X축 방향)에 있어서의, 제1 제한판(32)에 대한 제2 제한판(42)의 장수 증가를 억제하면서, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에 퍼진 증착류를 포착할 수 있다. 또한, 상기한 구성에 의하면, 제1 제한판(32) 위에 모든 증착류의 퍼짐에 대하여 고정밀도로 제한판(제2 제한판(42) 및 제3 제한판(72))을 설치할 수 있고, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역을 통과 후의 압력 변화를 억제하여, 이상 성막을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명의 형태 8에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 1에 있어서, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판(32) 위에 있어서의 상기 제2 제한판(42)보다도 위쪽 위치에, 상기 제1 방향으로 서로 이격하고, 또한 상기 제1 제한판(32)을 따라 설치된, 복수의 제3 제한판(72)을 적어도 구비함과 함께, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판(32) 위에 형성된, 상기 제2 제한판(42) 및 제3 제한판(72)을 포함하는 복수 단의 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))은, 적어도 일부가 접촉하고, 또한 인접하는 제1 제한판(32) 위에 각각 형성된, 동일 평면 내에서 서로 대향하는 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82)) 사이의 거리가, 상기 증착 마스크(50)측일수록 커지도록 배치되어 있는 것이 바람직하다.
상기한 구성에 의하면, 제1 제한판(32) 위에 형성된 제한판 사이(예를 들어, 제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))의 간극으로부터 증착류가 누설될 일이 없다. 또한, 증착 입자(401)의 비산 방향인 증착 마스크(50)측일수록, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33)) 위의 공간 체적이 넓어지기 때문에, 증착 입자(401)의 산란을 억제할 수 있다. 이로 인해, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에 퍼진 증착류를 더 효과적으로 포착할 수 있다.
본 발명의 형태 9에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 8에 있어서, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판(32) 위에 형성된, 상기 제2 제한판(42) 및 제3 제한판(72)을 포함하는 복수단의 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))은, 인접하는 단의 제한판끼리가 일부 중첩하고 있는 것이 바람직하다.
상기한 구성에 의하면, 인접하는 단의 제한판 사이의 간극으로부터 증착류가 누설되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 증착 입자(401)의 비산 방향인 증착 마스크(50)측일수록, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33)) 위의 공간 체적이 넓어지기 때문에, 증착 입자(401)의 산란을 억제할 수 있다. 이로 인해, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에 퍼진 증착류를 더 효과적으로 포착할 수 있다.
본 발명의 형태 10에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 1에 있어서, 상기 제2 제한판(42)은, 상기 제1 방향으로, 상기 제1 제한판 1장에 대하여 2장 설치되어 있음과 함께, 상기 제1 제한판(32) 위에 설치된 쌍의 제2 제한판(42)은, 그 쌍의 제2 제한판(42) 사이의 개구 폭이 위쪽일수록 작아지도록 경사져서 설치되어 있는 것이 바람직하다.
상기한 구성에 의하면, 증착 입자(401)의 비산 방향인 증착 마스크(50)측일수록, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33)) 위의 공간 체적이 넓어지기(바꿔 말하면, 인접하는 제1 제한판 위에 각각 형성된, 동일 평면 내에서 서로 대향하는 제2 제한판(42) 사이의 거리(제한판 개구(43b)의 상기 제1 방향의 길이)가 증착 마스크(50)측일수록 커지기) 때문에, 증착 입자(401)의 산란을 억제할 수 있어, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에 퍼진 증착류를 더 효과적으로 포착할 수 있다.
본 발명의 형태 11에 따른 증착 유닛(1)은, 증착 마스크(50)와, 상기 증착 마스크(50)를 향해서 증착 입자(401)를 사출하는 증착원(10)과, 상기 증착 마스크(50)와 증착원(10)의 사이에 설치되고, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛(20)을 구비하고, 상기 제한판 유닛(20)은, 제1 방향(X축 방향)으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판(32)을 구비하고, 상기 제1 제한판(32)의 상면에는, 상기 제1 제한판(32)을 따라 상기 제1 방향으로 돌기부(32a)가 적어도 2개 설치되어 있다.
상기한 구성에 의하면, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 흐름(증착류)은, 제1 제한판(32)에 의해 퍼짐이 억제된다. 이에 의해, 지향성이 나쁜 증착 입자(401)가 커트(포착)되어 지향성이 높은 분포로 제어된다. 제어된 증착류는, 증착 밀도가 높은 경우(즉, 고 레이트 시), 그 높은 증착 밀도에 기인하여 발생하는 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란 때문에, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과할 때 다시 퍼지려고 하지만, 상기 돌기부(32a)에 의해 포착됨으로써 퍼짐이 억제되고, 퍼짐이 억제된 상태를 유지하여 증착 마스크(50)를 통과한다. 이때, 제1 제한판(32)의 상면에, 제1 제한판(32)을 따라서, 상기 제1 방향으로 돌기부(32a)가 적어도 2개 설치되어 있음으로써, 제1 제한판(32)에 있어서의 제1 방향 양 단부측으로 퍼지는 증착류를 효과적으로 포착할 수 있다. 이로 인해, 상기 방향으로의 증착류의 퍼짐을 효과적으로 억제할 수 있다. 이 결과, 이상 패턴막 등의 이상 성막의 발생을 방지할 수 있어 고정밀의 증착막 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기한 구성에 의하면, 돌기부(32a)는, 제1 제한판(32)의 상면에 형성되므로, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33)) 바로 위에 제한판을 설치하는 경우와는 달리, 증착 레이트를 완전히 낮추지 않고 바로 지향성이 나빠진 성분만을 효율적으로 포착할 수 있다.
본 발명의 형태 12에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 11에 있어서, 상기 증착 마스크(50)의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, 상기 제1 제한판(32) 사이에, 각각 상기 증착원(10)에 있어서의 증착 입자(401)의 사출구(11)가 설치되어 있으며, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향(Y축 방향)에 있어서의 상기 돌기부(32a)의 길이는, 그 제2 방향에 있어서의 상기 제1 제한판(32)의 길이보다도 짧고, 상기 증착 마스크(50)의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, 상기 돌기부(32a)는, 상기 사출구(11)에 인접하여 설치되어 있는 것이 바람직하다.
상기 사출구(11) 근방 위쪽은 증착 밀도가 높아, 높은 증착 밀도에 기인하여 발생하는 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란이 많다. 한편, 상기 사출구(11)로부터 멀어지면, 증착 밀도가 낮아져서, 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란이 적다.
이로 인해, 돌기부(32a)는, 상기 사출구(11)에 인접하여 설치되어 있는 것이 바람직하다. 상기 구성으로 함으로써, 필요한 개소에만 돌기부(32a)를 설치할 수 있으므로, 저렴한 구성으로 할 수 있다.
본 발명의 형태 13에 따른 증착 유닛(1)은, 상기 형태 11 또는 12에 있어서, 상기 돌기부(32a)는, 적어도, 상기 제1 제한판(32)에 있어서의 상기 제1 방향의 양단부와 동일 평면으로 되는 위치에 형성되어 있다.
제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))에 있어서의 상부 부근은 증착 밀도가 높아, 증착 입자(401) 사이의 산란이 증대하여, 증착류가 퍼지기 쉽다. 이로 인해, 상기한 구성으로 함으로써, 제1 제한판(32)에 있어서의 제1 방향 양 단부측으로 퍼지는 증착류를 효율적으로 포착할 수 있어, 상기 제1 방향 양 단부측으로의 증착류의 퍼짐을 더 효과적으로 억제할 수 있다.
본 발명의 형태 14에 따른 증착 장치(100)는, 상기 형태 1 내지 13 중 어느 하나의 증착 유닛(1)과, 상기 증착 유닛(1)에 있어서의 증착 마스크(50)와 피성막 기판(200)을 대향 배치한 상태에서, 상기 증착 유닛(1) 및 상기 피성막 기판(200) 중 한쪽을, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 상대 이동시키는 이동 장치(기판 이동 장치(103) 및 증착 유닛 이동 장치(104) 중 적어도 한쪽)를 구비하고, 상기 증착 마스크(50)의 상기 제2 방향의 폭은, 상기 제2 방향에 있어서의 피성막 기판(200)의 폭보다도 작고, 상기 제2 방향을 따라서 주사하면서, 상기 증착원(10)으로부터 출사된 증착 입자(401)를, 상기 제한판 유닛(20) 및 상기 증착 마스크(50)의 개구부(제한판 개구(33·34b·82b·92b))를 통해 상기 피성막 기판(200)에 증착시킨다.
상기한 구성에 의하면, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 흐름(증착류)은, 제1 제한판(32)에 의해 퍼짐이 억제된다. 이에 의해, 지향성이 나쁜 증착 입자(401)가 커트(포착)되어 지향성이 높은 분포로 제어된다. 제어된 증착류는, 증착 밀도가 높은 경우(즉, 고 레이트 시), 그 높은 증착 밀도에 기인하여 발생하는 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란 때문에, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에, 다시 퍼지려고 하지만, 제2 제한판(42)을 적어도 포함하는 후단의 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82)) 혹은 상기 돌기부(32a)에 의해 포착됨으로써 퍼짐이 억제되어, 퍼짐이 억제된 상태를 유지하여 증착 마스크(50)를 통과한다. 이때, 제1 방향으로, 제1 제한판 1장에 대하여 제2 제한판(42)이 적어도 2장 설치되어 있음으로써, 제1 제한판(32)에 있어서의 제1 방향 양 단부측으로 퍼지는 증착류를 효과적으로 포착할 수 있다. 이로 인해, 상기 방향으로의 증착류의 퍼짐을 효과적으로 억제할 수 있다.
따라서, 상기한 구성에 의하면, 피성막 기판(200)과 증착 유닛(1)을 상대적으로 이동시켜서 주사하면서 증착을 행하는, 스캐닝 방식을 이용한 스캔 증착을 행할 때, 이상 패턴막 등의 이상 성막의 발생을 방지할 수 있어 고정밀의 증착막 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 형태 15에 따른 제한판 유닛(20)은, 증착 마스크(50)와 증착원(10)의 사이에 설치되고, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛으로서, 제1 방향(X축 방향)으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판(32)과, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판(32) 위에 상기 제1 방향으로 서로 이격하고, 또한 상기 제1 제한판을 따라 설치된, 복수의 제2 제한판(42)을 적어도 구비한 복수단의 제한판(제1 제한판(32), 제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))을 구비하고, 상기 제2 제한판(42)은, 상기 제1 방향으로, 상기 제1 제한판 1장에 대하여 적어도 2장 설치되어 있다.
상기한 구성에 의하면, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 흐름(증착류)은, 제1 제한판(32)에 의해 퍼짐이 억제된다. 이에 의해, 지향성이 나쁜 증착 입자(401)가 커트(포착)되어 지향성이 높은 분포로 제어된다. 제어된 증착류는, 증착 밀도가 높은 경우(즉, 고 레이트 시), 그 높은 증착 밀도에 기인하여 발생하는 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란 때문에, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과 후에, 다시 퍼지려고 하지만, 제2 제한판(42)을 적어도 포함하는 후단의 제한판(제2 제한판(42), 제3 제한판(72), 제4 제한판(82))에 의해 포착됨으로써, 퍼짐이 억제되어 퍼짐이 억제된 상태를 유지하여 증착 마스크(50)를 통과한다. 이때, 제1 방향으로, 제1 제한판 1장에 대하여 제2 제한판(42)이 적어도 2장 설치되어 있음으로써, 제1 제한판(32)에 있어서의 제1 방향 양 단부측으로 퍼지는 증착류를 효과적으로 포착할 수 있다. 이로 인해, 상기 방향으로의 증착류의 퍼짐을 효과적으로 억제할 수 있다. 이 결과, 이상 패턴막 등의 이상 성막의 발생을 방지할 수 있어, 고정밀의 증착막 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기한 구성에 의하면, 제2 제한판(42)은, 평면에서 볼 때 제1 제한판(32) 위에 배치되고, 제2 제한판(42)은, 제1 제한판 사이의 개구 영역(제한판 개구(33)) 바로 위에는 존재하지 않으므로, 증착 레이트를 완전히 낮추지 않고 바로 지향성이 나빠진 성분만을 효율적으로 포착할 수 있다.
본 발명의 형태 16에 따른 제한판 유닛(20)은, 증착 마스크(50)와 증착원(10)의 사이에 설치되고, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛으로서, 제1 방향(X축 방향)에 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판(32)을 구비하고, 상기 제1 제한판(32)의 상면에는, 상기 제1 제한판(32)을 따라, 상기 제1 방향으로 돌기부(32a)가 적어도 2개 설치되어 있다.
상기한 구성에 의하면, 증착원(10)으로부터 사출된 증착 입자(401)의 흐름(증착류)은, 제1 제한판(32)에 의해 퍼짐이 억제된다. 이에 의해, 지향성이 나쁜 증착 입자(401)가 커트(포착)되어 지향성이 높은 분포로 제어된다. 제어된 증착류는, 증착 밀도가 높은 경우(즉, 고 레이트 시), 그 높은 증착 밀도에 기인하여 발생하는 증착 입자(401) 사이의 충돌·산란 때문에, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33))을 통과할 때 다시 퍼지려고 하지만, 상기 돌기부(32a)에 의해 포착됨으로써, 퍼짐이 억제되어 퍼짐이 억제된 상태를 유지하여 증착 마스크(50)를 통과한다. 이때, 제1 제한판(32)의 상면에, 제1 제한판(32)을 따라, 상기 제1 방향으로 돌기부(32a)가 적어도 2개 설치되어 있음으로써, 제1 제한판(32)에 있어서의 제1 방향 양 단부측으로 퍼지는 증착류를 효과적으로 포착할 수 있다. 이로 인해, 상기 방향으로의 증착류의 퍼짐을 효과적으로 억제할 수 있다. 이 결과, 이상 패턴막 등의 이상 성막의 발생을 방지할 수 있어, 고정밀의 증착막 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기한 구성에 의하면, 돌기부(32a)는, 제1 제한판(32)의 상면에 형성되므로, 제1 제한판(32) 사이의 개구 영역(제한판 개구(33)) 바로 위에 제한판을 설치하는 경우와는 달리, 증착 레이트를 완전히 낮추지 않고 바로 지향성이 나빠진 성분만을 효율적으로 포착할 수 있다.
또한, 전술한 각 실시 형태 및 실시 형태에 있어서, 인접 성막 영역에는, 어떤 노즐(301a)(주목 노즐(301a))이 성막 대상으로 하는 성막 영역(목표 성막 영역)에 직접 인접하는 성막 영역(어떤 노즐(301a)에 인접하는 노즐(301a)에 의한 피성막 기판(200) 위의 인접 성막 영역)뿐만 아니라, 목표 성막 영역으로부터 벗어나는 다른 성막 영역도 포함된다. 즉, 증착 입자(401)의 산란이 매우 강한 경우에는, 인접 이후의 성막 영역(예를 들어, 목표 성막 영역의 인접한 인접한 성막 영역)에, 주목 노즐(301a)로부터 출사된 증착 입자(401)가 침입하는 경우도 한다. 그러나, 이와 같이 증착 입자(401)의 산란이 매우 강한 경우에 있어서도, 본 발명은 유효하다.
본 발명은 전술한 각 실시 형태로 한정되는 것이 아니라, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하며, 서로 다른 실시 형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시 형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다. 또한, 각 실시 형태에 각각 개시된 기술적 수단을 조합함으로써, 새로운 기술적 특징을 형성할 수 있다.
본 발명은, 피성막 기판과 증착 유닛을 상대적으로 이동시켜서 주사하면서 증착을 행하는, 스캐닝 방식을 이용한 스캔 증착에 사용되는 증착 유닛 및 제한판 유닛과, 그와 같은 증착 유닛을 사용하여 소정의 패턴을 성막하는 증착 장치에 바람직하게 이용할 수 있다. 특히, 본 발명의 증착 유닛 및 증착 장치와 제한판 유닛은, 예를 들어 유기 EL 표시 장치에 있어서의 유기층의 구분 도포 형성 등의 성막 프로세스에 사용되는, 유기 EL 표시 장치의 제조 장치와 제조 방법 등에 바람직하게 이용할 수 있다.
1: 증착 유닛
10: 증착원
11: 사출구
20: 제한판 유닛
30: 제1 제한판 어셈블리
31: 제1 제한판 열
32: 제1 제한판
32a: 돌기부
33: 제한판 개구
37: 지지부
38: 냉각 기구
40: 제2 제한판 어셈블리
41: 제2 제한판 열
42: 제2 제한판
43a, 43b: 제한판 개구
44: 제1 유지 부재
45: 제2 유지 부재
46: 유지체
47: 지지부
48: 냉각 기구
50: 증착 마스크
51: 마스크 개구
52 :얼라인먼트 마커
60: 홀더
61: 슬라이드 장치
62: 지지 부재
63: 텐션 기구
65: 부착 방지판
70: 제3 제한판 어셈블리
71: 제3 제한판 열
72: 제3 제한판
73, 73a, 73b: 제한판 개구
80: 제4 제한판 어셈블리
81: 제4 제한판 열
82: 제4 제한판
83a, 83b: 제한판 개구
100: 증착 장치
101: 진공 챔버
102: 기판 홀더
103: 기판 이동 장치
104: 증착 유닛 이동 장치
105: 이미지 센서
200: 피성막 기판
201: 피증착면
202: 얼라인먼트 마커
401: 증착 입자
402: 증착막
A: 점선 프레임 영역
B: 점선 프레임 영역

Claims (16)

  1. 증착 마스크와,
    상기 증착 마스크를 향해 증착 입자를 사출하는 증착원과,
    상기 증착 마스크와 증착원의 사이에 설치되고, 증착원으로부터 사출된 증착 입자의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛을 구비하고,
    상기 제한판 유닛은,
    제1 방향으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판과, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판 위에 상기 제1 방향으로 서로 이격하고, 또한 상기 제1 제한판을 따라 설치된, 복수의 제2 제한판을 적어도 구비한 복수단의 제한판을 구비하고,
    상기 제2 제한판은, 상기 제1 방향으로, 상기 제1 제한판 1장에 대하여 적어도 2장 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 제한판에 있어서의 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향의 길이는, 그 제2 방향에 있어서의 상기 제1 제한판의 길이보다도 짧고,
    상기 제2 제한판은, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판 위에 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 복수 단속적으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 증착 마스크의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, 상기 제1 제한판 사이에, 각각 상기 증착원에 있어서의 증착 입자의 사출구가 설치되어 있으며,
    상기 제2 제한판에 있어서의 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향의 길이는, 그 제2 방향에 있어서의 상기 제1 제한판의 길이보다도 짧고,
    상기 증착 마스크의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, 상기 제2 제한판은, 상기 사출구에 인접하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 제한판은, 상기 증착 마스크의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, 상기 제2 방향에 있어서의 단부가 끝이 가는 형상을 갖고 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 제한판은, 적어도, 상기 제1 제한판에 있어서의 상기 제1 방향의 양단부의 적어도 일부와 접촉하는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 제한판은, 상기 제1 방향으로, 상기 제1 제한판 1장에 대하여 3장 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  7. 제1항에 있어서,
    평면에서 볼 때 상기 제1 제한판 위에 있어서의, 상기 제2 제한판보다도 위쪽 위치에, 상기 제1 방향으로 서로 이격하고, 또한 상기 제1 제한판을 따라 설치된, 복수의 제3 제한판을 적어도 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  8. 제1항에 있어서,
    평면에서 볼 때 상기 제1 제한판 위에 있어서의, 상기 제2 제한판보다도 위쪽 위치에, 상기 제1 방향으로 서로 이격하고, 또한 상기 제1 제한판을 따라 설치된, 복수의 제3 제한판을 적어도 구비함과 함께,
    평면에서 볼 때 상기 제1 제한판 위에 형성된, 상기 제2 제한판 및 제3 제한판을 포함하는 복수단의 제한판은, 적어도 일부가 접촉하고, 또한 인접하는 제1 제한판 위에 각각 형성된, 동일 평면 내에서 서로 대향하는 제한판 사이의 거리가, 상기 증착 마스크측일수록 커지도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  9. 제8항에 있어서,
    평면에서 볼 때 상기 제1 제한판 위에 형성된, 상기 제2 제한판 및 제3 제한판을 포함하는 복수단의 제한판은, 인접하는 단의 제한판끼리가 일부 중첩하고 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 제한판은, 상기 제1 방향으로, 상기 제1 제한판 1장에 대하여 2장 설치되어 있음과 함께,
    상기 제1 제한판 위에 설치된 쌍의 제2 제한판은, 그 쌍의 제2 제한판 사이의 개구 폭이 위쪽일수록 작아지도록 경사져서 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  11. 증착 마스크와,
    상기 증착 마스크를 향해 증착 입자를 사출하는 증착원과,
    상기 증착 마스크와 증착원의 사이에 설치되고, 증착원으로부터 사출된 증착 입자의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛을 구비하고,
    상기 제한판 유닛은,
    제1 방향으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판을 구비하고,
    상기 제1 제한판의 상면에는, 상기 제1 제한판을 따라, 상기 제1 방향으로 돌기부가 적어도 2개 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 증착 마스크의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, 상기 제1 제한판 사이에, 각각 상기 증착원에 있어서의 증착 입자의 사출구가 설치되어 있으며,
    상기 제1 방향에 수직인 제2 방향에 있어서의 상기 돌기부의 길이는, 그 제2 방향에 있어서의 상기 제1 제한판의 길이보다도 짧고,
    상기 증착 마스크의 주면에 수직인 방향에서 보았을 때, 상기 돌기부는, 상기 사출구에 인접하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 돌기부는, 적어도, 상기 제1 제한판에 있어서의 상기 제1 방향의 양단부와 동일 평면으로 되는 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 증착 유닛.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 증착 유닛과,
    상기 증착 유닛에 있어서의 증착 마스크와 피성막 기판을 대향 배치한 상태에서, 상기 증착 유닛 및 상기 피성막 기판 중 한쪽을, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 상대 이동시키는 이동 장치를 구비하고,
    상기 증착 마스크의 상기 제2 방향의 폭은, 상기 제2 방향에 있어서의 피성막 기판의 폭보다도 작고,
    상기 제2 방향을 따라서 주사하면서, 상기 증착원으로부터 출사된 증착 입자를, 상기 제한판 유닛 및 상기 증착 마스크의 개구부를 통해 상기 피성막 기판에 증착시키는 것을 특징으로 하는, 증착 장치.
  15. 증착 마스크와 증착원의 사이에 설치되고, 증착원으로부터 사출된 증착 입자의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛으로서,
    제1 방향으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판과, 평면에서 볼 때 상기 제1 제한판 위에 상기 제1 방향으로 서로 이격하고, 또한 상기 제1 제한판을 따라 설치된, 복수의 제2 제한판을 적어도 구비한 복수단의 제한판을 구비하고,
    상기 제2 제한판은, 상기 제1 방향으로, 상기 제1 제한판 1장에 대하여 적어도 2장 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 제한판 유닛.
  16. 증착 마스크와 증착원의 사이에 설치되고, 증착원으로부터 사출된 증착 입자의 통과 각도를 제한하는 제한판 유닛으로서,
    제1 방향으로 서로 이격하여 설치된, 복수의 제1 제한판을 구비하고,
    상기 제1 제한판의 상면에는, 상기 제1 제한판을 따라, 상기 제1 방향으로 돌기부가 적어도 2개 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 제한판 유닛.
KR1020167000080A 2013-06-11 2014-03-10 제한판 유닛 및 증착 유닛과 증착 장치 KR101634922B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013122785A JP5856584B2 (ja) 2013-06-11 2013-06-11 制限板ユニットおよび蒸着ユニット並びに蒸着装置
JPJP-P-2013-122785 2013-06-11
PCT/JP2014/056141 WO2014199686A1 (ja) 2013-06-11 2014-03-10 制限板ユニットおよび蒸着ユニット並びに蒸着装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160015363A KR20160015363A (ko) 2016-02-12
KR101634922B1 true KR101634922B1 (ko) 2016-06-29

Family

ID=52021992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167000080A KR101634922B1 (ko) 2013-06-11 2014-03-10 제한판 유닛 및 증착 유닛과 증착 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10184167B2 (ko)
JP (1) JP5856584B2 (ko)
KR (1) KR101634922B1 (ko)
CN (2) CN107083531B (ko)
WO (1) WO2014199686A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10100397B2 (en) * 2015-02-25 2018-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition unit, vapor deposition device, and vapor deposition method
KR102352280B1 (ko) * 2015-04-28 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 제조 장치 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체 제조 방법
US20180309091A1 (en) * 2015-10-20 2018-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Restriction unit, vapor deposition device, production method for vapor deposition film, production method for electroluminescence display device, and electroluminescence display device
JP6963604B2 (ja) * 2016-09-30 2021-11-10 シェンジェン ロイオル テクノロジーズ カンパニー リミテッドShenzhen Royole Technologies Co., Ltd. Oled蒸着用メタルマスク及びoled蒸着方法
JP2018170152A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 Tianma Japan株式会社 Oled表示装置の製造方法、マスク及びマスクの設計方法
CN206706191U (zh) * 2017-05-22 2017-12-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 蒸镀装置
CN107686969A (zh) * 2017-08-22 2018-02-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸发源装置
CN111201336A (zh) * 2017-10-13 2020-05-26 凸版印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法
US10658630B2 (en) * 2017-11-01 2020-05-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Evaporation plate for depositing deposition material on substrate, evaporation apparatus, and method of depositing deposition material on substrate
CN110055498B (zh) * 2018-01-19 2022-08-12 京东方科技集团股份有限公司 面蒸镀源及其制作方法、蒸镀方法、蒸镀装置
CN108239752A (zh) * 2018-02-13 2018-07-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀设备
CN111155057A (zh) * 2020-01-20 2020-05-15 绵阳京东方光电科技有限公司 限制结构、线源装置及蒸镀系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010165620A (ja) 2009-01-19 2010-07-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2012124564A1 (ja) 2011-03-14 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI252706B (en) * 2002-09-05 2006-04-01 Sanyo Electric Co Manufacturing method of organic electroluminescent display device
US20040086639A1 (en) * 2002-09-24 2004-05-06 Grantham Daniel Harrison Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly
JP4139186B2 (ja) * 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
JP2004214120A (ja) * 2003-01-08 2004-07-29 Sony Corp 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法
JP2004238663A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Sony Corp 蒸着装置
JP5620146B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US9246101B2 (en) * 2010-03-09 2016-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha Deposition mask, deposition apparatus, and deposition method
CN102834541B (zh) * 2010-04-12 2014-07-09 夏普株式会社 蒸镀装置和蒸镀方法
CN102860132B (zh) * 2010-05-18 2015-06-17 夏普株式会社 有机el元件的制造方法和制造装置
US9580791B2 (en) * 2010-05-28 2017-02-28 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition mask, and manufacturing method and manufacturing device for organic EL element using vapor deposition mask
WO2012029545A1 (ja) * 2010-08-30 2012-03-08 シャープ株式会社 蒸着方法、蒸着装置、及び有機el表示装置
CN103124803B (zh) * 2010-09-27 2015-06-17 夏普株式会社 蒸镀方法、蒸镀装置和有机el显示装置
JP5291839B2 (ja) * 2010-12-21 2013-09-18 シャープ株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP5616812B2 (ja) * 2011-02-10 2014-10-29 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置並びに蒸着方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010165620A (ja) 2009-01-19 2010-07-29 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2012124564A1 (ja) 2011-03-14 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105283576A (zh) 2016-01-27
US20160122861A1 (en) 2016-05-05
WO2014199686A1 (ja) 2014-12-18
CN105283576B (zh) 2017-03-08
CN107083531B (zh) 2019-02-19
JP5856584B2 (ja) 2016-02-10
CN107083531A (zh) 2017-08-22
US10184167B2 (en) 2019-01-22
JP2014240507A (ja) 2014-12-25
KR20160015363A (ko) 2016-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101634922B1 (ko) 제한판 유닛 및 증착 유닛과 증착 장치
JP6068514B2 (ja) 蒸着ユニットおよび蒸着装置
WO2016171075A1 (ja) 蒸着装置および蒸着方法
WO2016136595A1 (ja) 蒸着ユニット、蒸着装置、および蒸着方法
KR101442941B1 (ko) 증착 마스크, 증착장치 및 증착방법
KR101594285B1 (ko) 증착 장치 및 증착 방법
CN103484817B (zh) 用于沉积的掩模和用其制造有机发光二极管显示器的方法
KR20160041976A (ko) 증착 장치 및 유기 일렉트로 루미네센스 소자의 제조 방법
CN104428439B (zh) 掩模单元和蒸镀装置
CN108026630B (zh) 蒸镀源和蒸镀装置以及蒸镀膜制造方法
JP2019516865A (ja) 高精度シャドーマスク堆積システム及びその方法
KR20140022804A (ko) 증착 장치, 증착 방법, 유기 el 디스플레이 및 조명 장치
WO2017069066A1 (ja) スキャン蒸着用金属マスク、蒸着装置および蒸着方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置
WO2017006810A1 (ja) 蒸着装置および蒸着方法
US20180309091A1 (en) Restriction unit, vapor deposition device, production method for vapor deposition film, production method for electroluminescence display device, and electroluminescence display device
KR20130113303A (ko) 진공 증착 장치 및 그 증착원
TW201546305A (zh) 蒸鍍裝置及蒸鍍方法
KR102076843B1 (ko) 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant