JPH03123021A - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
- Publication number
- JPH03123021A JPH03123021A JP25998989A JP25998989A JPH03123021A JP H03123021 A JPH03123021 A JP H03123021A JP 25998989 A JP25998989 A JP 25998989A JP 25998989 A JP25998989 A JP 25998989A JP H03123021 A JPH03123021 A JP H03123021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film forming
- substrate
- film
- collimator
- phi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 208000031481 Pathologic Constriction Diseases 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 208000037804 stenosis Diseases 0.000 description 1
- 230000036262 stenosis Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は真空成膜装置に関し、さらに詳しくは指向性の
強い成膜を行うことのできる真空成膜装置に関する。
強い成膜を行うことのできる真空成膜装置に関する。
［従来の技術］
従来の真空成膜装置は、第４図に示すように、成膜源１
と基板２の被成膜面とを対向させたのみの構造であった
。従来の負型的な成膜技術でおる加熱ボート蒸着、メー
トセンセル蒸着、電子銃蒸着、ＤＣおよびＲ［スパッタ
リング、イオンスパッタリングなどでは、成膜速度をあ
る程度現実的な値にするために、その成膜源の有効径、
即ち第４図中のＤ２は比較的大きくとっである。各種成
膜技術の中でも成膜源の有効径が比較的小さい電子銃蒸
着時の電子銃の場合でもそのスポラ１〜径は約１ｃｍ程
度あり、理想的な点状の源とはほど遠い。基板の径をＤ
ｌとすると、基板上に大剣する成膜物の最大入射角度差
θは、 となる。この時りは蒸着源と基板間の距離でおる（第４
図参照）。またこれは真空容器中の平均自由工程がＬよ
り十分大きい通常の情況の時を想定している。
と基板２の被成膜面とを対向させたのみの構造であった
。従来の負型的な成膜技術でおる加熱ボート蒸着、メー
トセンセル蒸着、電子銃蒸着、ＤＣおよびＲ［スパッタ
リング、イオンスパッタリングなどでは、成膜速度をあ
る程度現実的な値にするために、その成膜源の有効径、
即ち第４図中のＤ２は比較的大きくとっである。各種成
膜技術の中でも成膜源の有効径が比較的小さい電子銃蒸
着時の電子銃の場合でもそのスポラ１〜径は約１ｃｍ程
度あり、理想的な点状の源とはほど遠い。基板の径をＤ
ｌとすると、基板上に大剣する成膜物の最大入射角度差
θは、 となる。この時りは蒸着源と基板間の距離でおる（第４
図参照）。またこれは真空容器中の平均自由工程がＬよ
り十分大きい通常の情況の時を想定している。
［発明が解決しようとする課題］
式（１）から、蒸着源の径Ｄ２が大きいほどへ削角差θ
は大きくなることがわかる。θが大きくなると、第４図
に示すように、成膜面に形成された基板上の構造物３の
側面にも膜４が成膜されてしまう。このような構造物３
の側壁に堆積する膜３は、例えばレジストステンシスに
よるリフトオフ工程やその他の指向性の強い成膜を必要
とする工程には大きな障害となる。また成膜源が理想的
な点源になっても（Ｄ２→ｏ）、入射角θが零になるの
は基板の中心部のみであって、全基板面ではない。
は大きくなることがわかる。θが大きくなると、第４図
に示すように、成膜面に形成された基板上の構造物３の
側面にも膜４が成膜されてしまう。このような構造物３
の側壁に堆積する膜３は、例えばレジストステンシスに
よるリフトオフ工程やその他の指向性の強い成膜を必要
とする工程には大きな障害となる。また成膜源が理想的
な点源になっても（Ｄ２→ｏ）、入射角θが零になるの
は基板の中心部のみであって、全基板面ではない。
本発明は以上述べたような従来の事情に鑑みてなされた
もので、基板上の構造物の側壁に膜が堆積することのな
い指向性の強い成膜が可能な真空成膜装置を提供するこ
とを目的とする。
もので、基板上の構造物の側壁に膜が堆積することのな
い指向性の強い成膜が可能な真空成膜装置を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、基板の被成膜面と成膜源とを対向して配置し
た真空成膜装置において、成膜源と基板の間に該成膜源
の有効径よりも小さい最小開口径を有するコリメータを
備えてなることを特徴とする真空成膜装置である。
た真空成膜装置において、成膜源と基板の間に該成膜源
の有効径よりも小さい最小開口径を有するコリメータを
備えてなることを特徴とする真空成膜装置である。
［作用］
本発明の作用を第３図を用いて説明する。図中、各構成
部は第４図と同じであるが、成膜源１と基板２間にコリ
メータ５が配置されている。コリメタ５は多数の垂直な
隔壁により分割されており、図のようにその隔壁間に最
小開口径りという距離を持っている。このような多数の
隔壁間を進む成膜物は、基板に到達した時φという最大
入射角差を持つ。コリメータの長さを成膜源と基板間の
距離りとすると、 φ−２ｊａｎ−１ ・・・（２）と
なる。Ｄ＜＜Ｄ２ 、［）＜＜［）１であるのでφくく
θとなる。したがってφはコリメータを使用しない場合
の最大入射角差θよりも大変小さくなる。
部は第４図と同じであるが、成膜源１と基板２間にコリ
メータ５が配置されている。コリメタ５は多数の垂直な
隔壁により分割されており、図のようにその隔壁間に最
小開口径りという距離を持っている。このような多数の
隔壁間を進む成膜物は、基板に到達した時φという最大
入射角差を持つ。コリメータの長さを成膜源と基板間の
距離りとすると、 φ−２ｊａｎ−１ ・・・（２）と
なる。Ｄ＜＜Ｄ２ 、［）＜＜［）１であるのでφくく
θとなる。したがってφはコリメータを使用しない場合
の最大入射角差θよりも大変小さくなる。
このように指向性の強い成膜では、基板上の構造物の側
壁にはほとんど膜の付着は起こらない。
壁にはほとんど膜の付着は起こらない。
［実施例］
次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
実施例１
第１図は本発明の第１の実施例の概略構成図である。基
板２の成膜面と成膜源１とは対向して配置され、その間
に複数の管６よりなるコリメータ１５が備えられている
。管６の内径りは、成膜源の有効径Ｄ２よりも十分小さ
い。
板２の成膜面と成膜源１とは対向して配置され、その間
に複数の管６よりなるコリメータ１５が備えられている
。管６の内径りは、成膜源の有効径Ｄ２よりも十分小さ
い。
以上のように構成された真空成膜装置を用いて成膜を行
ったところ、指向性の強い成膜が可能であった。
ったところ、指向性の強い成膜が可能であった。
また、本実施例では管６の断面は円形としたが、三角、
四角、六角等でもかまわない。
四角、六角等でもかまわない。
実施例２
第２図は本発明の第２の実施例の概略構成図である。基
板２の成膜面と成膜源１とは対向して配置され、その間
に、複数の板７を距離りをおいて平行に設置した平行板
を板方向が直交するように直列に２組配置したコリメー
タ２５が備えられている。板と板との距離りは成膜源の
有効径Ｄ２よりも十分小さい。平行板が１組だけである
と、一つの方向には成膜物の入射角の角度分布をあまり
持たないが、その他の方向では大きな角度分布を持って
しまう。したがって第２図では２組の相互に直交した平
行板を配してコリメータ２５とすることにより、すべて
の方向に指向性の強い成膜ができる。
板２の成膜面と成膜源１とは対向して配置され、その間
に、複数の板７を距離りをおいて平行に設置した平行板
を板方向が直交するように直列に２組配置したコリメー
タ２５が備えられている。板と板との距離りは成膜源の
有効径Ｄ２よりも十分小さい。平行板が１組だけである
と、一つの方向には成膜物の入射角の角度分布をあまり
持たないが、その他の方向では大きな角度分布を持って
しまう。したがって第２図では２組の相互に直交した平
行板を配してコリメータ２５とすることにより、すべて
の方向に指向性の強い成膜ができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば指向性の強い成膜
が可能な成膜装置が得られる。また本発明で用いるコリ
メータは、現在の成膜装置に簡単に付設できるという利
点も有する。
が可能な成膜装置が得られる。また本発明で用いるコリ
メータは、現在の成膜装置に簡単に付設できるという利
点も有する。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例の概略
構成図、第３図は本発明の詳細な説明する説明図、第４
図は従来例による真空成膜装置による成膜の説明図であ
る。 １・・・成膜源 ２・・・基板３・・・
基板上の構造物 ４・・・膜５、１５．２５・・
・コリメータ ６・・・管７・・・板
構成図、第３図は本発明の詳細な説明する説明図、第４
図は従来例による真空成膜装置による成膜の説明図であ
る。 １・・・成膜源 ２・・・基板３・・・
基板上の構造物 ４・・・膜５、１５．２５・・
・コリメータ ６・・・管７・・・板
Claims (1)
- （１）基板の被成膜面と成膜源とを対向して配置した真
空成膜装置において、成膜源と基板の間に該成膜源の有
効径よりも小さい最小開口径を有するコリメータを備え
てなることを特徴とする真空成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1259989A JP2732539B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1259989A JP2732539B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 真空成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123021A true JPH03123021A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2732539B2 JP2732539B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=17341740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1259989A Expired - Fee Related JP2732539B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732539B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343532A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-12-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 耐熱金属でキャップした低抵抗率の導体構造およびその形成方法 |
| EP0633600A1 (en) * | 1993-07-06 | 1995-01-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming thin films |
| JPH09209131A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH09228046A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-02 | Ricoh Co Ltd | 巻き取り式成膜装置 |
| JP2011032579A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
| JP2011049167A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
| JP2011047035A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
| WO2012029545A1 (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | シャープ株式会社 | 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60204694A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-16 | Toshiba Corp | 分子線結晶成長装置 |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP1259989A patent/JP2732539B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60204694A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-16 | Toshiba Corp | 分子線結晶成長装置 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343532A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-12-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 耐熱金属でキャップした低抵抗率の導体構造およびその形成方法 |
| EP0633600A1 (en) * | 1993-07-06 | 1995-01-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming thin films |
| EP0633599A1 (en) * | 1993-07-06 | 1995-01-11 | Japan Energy Corporation | Thin-film forming apparatus |
| US5804046A (en) * | 1993-07-06 | 1998-09-08 | Japan Energy Corporation | Thin-film forming apparatus |
| JPH09209131A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH09228046A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-02 | Ricoh Co Ltd | 巻き取り式成膜装置 |
| JP2011032579A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
| JP2011047035A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
| JP2011049167A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
| WO2012029545A1 (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | シャープ株式会社 | 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置 |
| JP5612106B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2014-10-22 | シャープ株式会社 | 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置 |
| US9391275B2 (en) | 2010-08-30 | 2016-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition method, vapor deposition device and organic EL display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2732539B2 (ja) | 1998-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1995003436A1 (en) | Stationary aperture plate for reactive sputter deposition | |
| JPS63310965A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH02247372A (ja) | 薄膜成膜方法 | |
| JPH03123021A (ja) | 真空成膜装置 | |
| CA2137307A1 (en) | Electrode Forming Method for Surface Acoustic Wave Device | |
| EP2607516B1 (en) | Method for forming a gas blocking layer | |
| JPS6289870A (ja) | 気体の軸対称的な流れを使用して化学蒸着を行なう方法及び装置 | |
| JPS62199767A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JPS5619030A (en) | Production of liquid crystal display element | |
| JP2648111B2 (ja) | コリメーター | |
| JPH03253568A (ja) | カルーセル形スパツタリング装置およびそのスパツタリング方法 | |
| JP2798221B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS63266071A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPH05230627A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPS63262459A (ja) | スパツタリング装置 | |
| KR820002037B1 (ko) | 패턴의 형성방법 | |
| JPH05320893A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS6357765A (ja) | スパツタリング装置 | |
| US11255014B2 (en) | Apparatus for depositing metal film on surface of three-dimensional object | |
| JP2000212730A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JPS63174310A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPH01222045A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH09176839A (ja) | 電子ビーム蒸発装置および方法 | |
| JPS6029468A (ja) | 膜形成方法 | |
| JPH04341583A (ja) | 合成樹脂薄膜のパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |