JPH03253568A - カルーセル形スパツタリング装置およびそのスパツタリング方法 - Google Patents
カルーセル形スパツタリング装置およびそのスパツタリング方法Info
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- JPH03253568A JPH03253568A JP2051872A JP5187290A JPH03253568A JP H03253568 A JPH03253568 A JP H03253568A JP 2051872 A JP2051872 A JP 2051872A JP 5187290 A JP5187290 A JP 5187290A JP H03253568 A JPH03253568 A JP H03253568A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカルーセル形スパッタリング装置およびそのス
パッタリング方法に係わシ、特にそのカソード構造釦よ
びそのカソード構造を用いた成膜方法に関するものであ
る。
パッタリング方法に係わシ、特にそのカソード構造釦よ
びそのカソード構造を用いた成膜方法に関するものであ
る。
従来、この種のスパッタリング装置は、正多角形の回転
ドラムの側面にプレート状基板もしくは複数枚の円板状
基板を取り付け、矩形ターゲットの長平方向とドラム回
転軸とが平行となるように矩形ターゲットを配置し、側
面に基板を取り付けた状態で正多角形ドラムを回転させ
ながら、基板上に成膜を行なっていた。
ドラムの側面にプレート状基板もしくは複数枚の円板状
基板を取り付け、矩形ターゲットの長平方向とドラム回
転軸とが平行となるように矩形ターゲットを配置し、側
面に基板を取り付けた状態で正多角形ドラムを回転させ
ながら、基板上に成膜を行なっていた。
従来の矩形カソード構造を有したカルーセル形スパッタ
リング装置を用いて成膜を行なう場合、基板ホルダーを
正多角形回転ドラムの円周上に回転させるので、正多角
形の稜にあたる部分と辺にあたる部分とでは、ターゲッ
トとの最短接近距離とターゲットに対する角度との関係
が異なるため、ターゲット上面のプラズマによってスパ
ッタされたスパッタ原子の基板への付着確率が異なり、
等速回転では基板幅方向の膜厚分布が不均一となる問題
があった。
リング装置を用いて成膜を行なう場合、基板ホルダーを
正多角形回転ドラムの円周上に回転させるので、正多角
形の稜にあたる部分と辺にあたる部分とでは、ターゲッ
トとの最短接近距離とターゲットに対する角度との関係
が異なるため、ターゲット上面のプラズマによってスパ
ッタされたスパッタ原子の基板への付着確率が異なり、
等速回転では基板幅方向の膜厚分布が不均一となる問題
があった。
このような課題を解決するために本発明によるカルーセ
ル形スパッタリング装置は、多角形ドラムの外周上に平
板状基板をその表面が正多角形の一辺となるように取り
付けこの多角形ドラムを円周方向に回転させる正多角形
回転ドラムと、この多角形回転ドラムの中心方向に向け
て一方は中心に向う線に対して時計廻す方向に他方は反
時計廻シ方向に角度をもたせて配置した少なくとも２１
固の矩形状カソード電極部とを有している。
ル形スパッタリング装置は、多角形ドラムの外周上に平
板状基板をその表面が正多角形の一辺となるように取り
付けこの多角形ドラムを円周方向に回転させる正多角形
回転ドラムと、この多角形回転ドラムの中心方向に向け
て一方は中心に向う線に対して時計廻す方向に他方は反
時計廻シ方向に角度をもたせて配置した少なくとも２１
固の矩形状カソード電極部とを有している。
本発明によるスパッタリング方法は、矩形カソード電極
部の各ターゲット上面のプラズマリングによってスパッ
タされたスパッタ原子を、平板状基板上に重ね合わせる
ことにより成膜を行なうものである。
部の各ターゲット上面のプラズマリングによってスパッ
タされたスパッタ原子を、平板状基板上に重ね合わせる
ことにより成膜を行なうものである。
本発明に）いては、各矩形状カソード電極部の時計廻シ
角度（以下、ふシ角と呼ぶ）を適正値に選定することに
よシ、平板状基板上に均一な膜厚分布で成膜される。
角度（以下、ふシ角と呼ぶ）を適正値に選定することに
よシ、平板状基板上に均一な膜厚分布で成膜される。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明によるカルーセル形スパッタＩＪング装
置の一実施例による構成を説明する図であり、同図（＆
）は全体の構Ｆｓ、を示す斜視図、同図中）は同図（ａ
）のＡ−Ａ’線の断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）の電
極部の外形を示す斜視図、同図（ｄ）は同図（Ｃ）のＢ
−Ｂ′線の断面図である。同図に釦いて、１は複数の基
板を側面に取り付けて回転軸Ｃを中心として矢印り方向
に回転しながら成膜する正多角形回転ドラム、２は回転
ドラム１の側面に取シ付けられた被成膜基板、３はスパ
ッタ粒子の斜め入射をカットするために基板２の回転方
向（矢印り方向）と同一方向に開度ＨＩ４Ｉ４症なシャ
ッター ４ｓ 、 ４ｚはシャッター３の開口部内に回
転軸Ｃと直角方向に結ぶ直線に対して正方向、負方向に
角度（−〇。
置の一実施例による構成を説明する図であり、同図（＆
）は全体の構Ｆｓ、を示す斜視図、同図中）は同図（ａ
）のＡ−Ａ’線の断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）の電
極部の外形を示す斜視図、同図（ｄ）は同図（Ｃ）のＢ
−Ｂ′線の断面図である。同図に釦いて、１は複数の基
板を側面に取り付けて回転軸Ｃを中心として矢印り方向
に回転しながら成膜する正多角形回転ドラム、２は回転
ドラム１の側面に取シ付けられた被成膜基板、３はスパ
ッタ粒子の斜め入射をカットするために基板２の回転方
向（矢印り方向）と同一方向に開度ＨＩ４Ｉ４症なシャ
ッター ４ｓ 、 ４ｚはシャッター３の開口部内に回
転軸Ｃと直角方向に結ぶ直線に対して正方向、負方向に
角度（−〇。
十〇）を有して配置された矩形ターゲット、５１゜５、
は各矩形ターゲット４． 、４．の矩形電極部、１．６
２は中央磁極、Ｔ、、７．は各中央磁極６ｈ６２を囲む
外周磁極、８１ ＋ ８２は各中央磁極６１゜６２と外
周磁極７１．７！とによって形成される磁力線、９１
、９１は磁力線ａｔ 、 ａｘ Ｋよって封じ込められ
ているほぼ長トラック状プラズマリング、１０は電極部
５１ 、 Ｓｔに電力を投入する高圧電源、１１は真空
容器である。
は各矩形ターゲット４． 、４．の矩形電極部、１．６
２は中央磁極、Ｔ、、７．は各中央磁極６ｈ６２を囲む
外周磁極、８１ ＋ ８２は各中央磁極６１゜６２と外
周磁極７１．７！とによって形成される磁力線、９１
、９１は磁力線ａｔ 、 ａｘ Ｋよって封じ込められ
ているほぼ長トラック状プラズマリング、１０は電極部
５１ 、 Ｓｔに電力を投入する高圧電源、１１は真空
容器である。
このような構成に釦いて、回転ドラム１０側面に複数の
基板２を取り付け、この正多角形回転ドラム１を矢印り
方向へ回転させながら、矩形ターゲット４ｔ 、 ４ｘ
の上面の長トラック状プラズマリング９＋ 、 ９ｔに
よってスパッタされたスパッタ原子が重ね合わされて大
面積基板２上にほぼ均一な膜厚分布で成膜される。筐た
、成膜範囲はシャッター３によって調整されている。
基板２を取り付け、この正多角形回転ドラム１を矢印り
方向へ回転させながら、矩形ターゲット４ｔ 、 ４ｘ
の上面の長トラック状プラズマリング９＋ 、 ９ｔに
よってスパッタされたスパッタ原子が重ね合わされて大
面積基板２上にほぼ均一な膜厚分布で成膜される。筐た
、成膜範囲はシャッター３によって調整されている。
一般にスパッタ原子の基板への付着ａ車は、コサイン則
によって支配されてカ夛、ターゲット上のプラズマリン
グの位置から基板面内の各位置までの距離とそのなす角
度に分布があれば、付着確＊が異なう、膜厚分蒲が生じ
てしまう。従来のカルーセル形スパッタリング装置に訃
いては、正多角形回転ドラムを回転しながら、成膜を行
った場合、第２図（＆）に示す基板２の中心部と同図（
ｂ）に示す基板２の端にあたる角の部分とでプラズマリ
ング９からの最短接近距離とプラズマリング９に対する
角度とに差が生じ、基板２の幅方向で膜厚が不均一とな
っていた。これに対して本実施例では、シャッター３の
開口部内に矩形電極部Ｓｔ 、 ５ｘ ｔ−開口部中心
線に対して対称にかつふｂ角を置いて配置し、各矩形タ
ーゲット４１．４ｘの上面の長トラック状プラズマリン
グ９１．９□によってスパッタされたスパッタ原子が重
ね合わされ、その結果として第３図に示すように膜厚均
一化が実現できる。つｔ、ｂ同図（＆）に示す矩形ター
ゲット４１による膜厚分布ｄ１と、同図（ｂ）に示す矩
形ターゲット４ｚによる膜厚分布ｄ、とを重ね合わせた
同図（ｃ）に示す膜厚分布ｄ３となる。しかし、対称に
配置した矩形電極部５１ 、５ｚのふシ角を小さくする
と、第４図に第３図と同様の方法で説明すると各矩形タ
ーゲット４１，４□の上面の長トラック状プラズマリン
グ９１，９□による膜厚分布ｄ１ ＋ ｄ２の山高部分
が同図（ａ） 、 （ｂ）に示すように中央寄シになう
、重ね合わせた膜厚分布ｄ３も同図（Ｃ）に示すように
中央山高の分布となってしまう。また、矩形電極部５．
．５．のふシ角を大きくしすぎると、逆転し、ｔＪＸ５
図（１） 、 （ｂ） 、 （ｃ）に同様に示すように
中１；低く、外周が高い膜厚分布ｄ１ ＋ ｄ２ ＋
ｄ３となる。このように各矩形電極部５１．５ｚのふシ
角には適正値が存在してシｂ１その値は基板２の配列径
、正多角形回転ドラム１の分割数、シャッター３の開口
度、ターゲラ） ４１ 、４ｚと基板２との間の距離な
どによシ、一義的に決めることができる。
によって支配されてカ夛、ターゲット上のプラズマリン
グの位置から基板面内の各位置までの距離とそのなす角
度に分布があれば、付着確＊が異なう、膜厚分蒲が生じ
てしまう。従来のカルーセル形スパッタリング装置に訃
いては、正多角形回転ドラムを回転しながら、成膜を行
った場合、第２図（＆）に示す基板２の中心部と同図（
ｂ）に示す基板２の端にあたる角の部分とでプラズマリ
ング９からの最短接近距離とプラズマリング９に対する
角度とに差が生じ、基板２の幅方向で膜厚が不均一とな
っていた。これに対して本実施例では、シャッター３の
開口部内に矩形電極部Ｓｔ 、 ５ｘ ｔ−開口部中心
線に対して対称にかつふｂ角を置いて配置し、各矩形タ
ーゲット４１．４ｘの上面の長トラック状プラズマリン
グ９１．９□によってスパッタされたスパッタ原子が重
ね合わされ、その結果として第３図に示すように膜厚均
一化が実現できる。つｔ、ｂ同図（＆）に示す矩形ター
ゲット４１による膜厚分布ｄ１と、同図（ｂ）に示す矩
形ターゲット４ｚによる膜厚分布ｄ、とを重ね合わせた
同図（ｃ）に示す膜厚分布ｄ３となる。しかし、対称に
配置した矩形電極部５１ 、５ｚのふシ角を小さくする
と、第４図に第３図と同様の方法で説明すると各矩形タ
ーゲット４１，４□の上面の長トラック状プラズマリン
グ９１，９□による膜厚分布ｄ１ ＋ ｄ２の山高部分
が同図（ａ） 、 （ｂ）に示すように中央寄シになう
、重ね合わせた膜厚分布ｄ３も同図（Ｃ）に示すように
中央山高の分布となってしまう。また、矩形電極部５．
．５．のふシ角を大きくしすぎると、逆転し、ｔＪＸ５
図（１） 、 （ｂ） 、 （ｃ）に同様に示すように
中１；低く、外周が高い膜厚分布ｄ１ ＋ ｄ２ ＋
ｄ３となる。このように各矩形電極部５１．５ｚのふシ
角には適正値が存在してシｂ１その値は基板２の配列径
、正多角形回転ドラム１の分割数、シャッター３の開口
度、ターゲラ） ４１ 、４ｚと基板２との間の距離な
どによシ、一義的に決めることができる。
次に本実施例について以下の運転条件によ】膜厚分布の
均一化について説明する。
均一化について説明する。
（比較例の運転条件）
ターゲットの外径寸法５インチ×１８インチ（１２７ｍ
ｘ ４５７ｍ ） 、マグネトロン磁極にて封じ込め
られた長トラック状プラズマリング、基板寸法３００諺
Ｘ ３００ ｍ、のプレート状基板、基板とターゲット
との間の最短接近距離６０ ｍ、アルゴンガス圧力ＩＱ
ｍＴｏｒｒ 、ターゲットとしてＣｕを使用。
ｘ ４５７ｍ ） 、マグネトロン磁極にて封じ込め
られた長トラック状プラズマリング、基板寸法３００諺
Ｘ ３００ ｍ、のプレート状基板、基板とターゲット
との間の最短接近距離６０ ｍ、アルゴンガス圧力ＩＱ
ｍＴｏｒｒ 、ターゲットとしてＣｕを使用。
六角形回転ドラムの直径５ Ｑ ｃｍ 、シャッタ開度
９０度、放題電流・回転速度・成膜時間は任意として成
膜を行ない、＠６図は基板中央高さ位置での幅方向の膜
厚分布を求めたものである。同図から明らかなように３
０Ｗ１角の基板内で幅方向に±２０噂の膜厚分布が生じ
ている。これに対して正多角形回転ドラムの分割数を１
２分割に増大させてドラムｉｌＮ径を１１６ｃｒｎにし
て膜厚の均一化を試みた結果、第７図に示すように幅方
向に±１８嘩程度の改善しか認められず、装置寸法を大
きくした割には効果が得られなかった。
９０度、放題電流・回転速度・成膜時間は任意として成
膜を行ない、＠６図は基板中央高さ位置での幅方向の膜
厚分布を求めたものである。同図から明らかなように３
０Ｗ１角の基板内で幅方向に±２０噂の膜厚分布が生じ
ている。これに対して正多角形回転ドラムの分割数を１
２分割に増大させてドラムｉｌＮ径を１１６ｃｒｎにし
て膜厚の均一化を試みた結果、第７図に示すように幅方
向に±１８嘩程度の改善しか認められず、装置寸法を大
きくした割には効果が得られなかった。
（実施例の運転条件）
ターゲットの外形寸法３インチ×１８インチ（７６雪Ｘ
４５７■）の矩形ターゲット４＋ 、 ４ｔを正多角形
回転ドラム１の回転軸に直角方向に結ぶ直線に対して正
方向、負方向に２０度の角度をふって中心線に対して対
称に２列配置し、それぞれマグネトロン磁極にて長トラ
ック状プラズマリング９１＋９２＋基板寸法３００ ｖ
ｍ Ｘ ３００−のプレート状基板、基板とターゲット
との間の最短接近距離６０箇、アルゴンガス圧力１０ｍ
Ｔｏｒｒ 、ターゲットとしてＣｕを使用、六角形回転
ドラムの直径６０の、シャッター開度９０度、放電電流
・回転速度・成膜時間は任意として成膜を行ない、第８
図は基板中央高さ位置での幅方向の膜厚分布を求めたも
のである。同図から明らかなように３０ｆｆｉ角の基板
内で幅方向に上２゜５−までに膜厚均一化がなされたこ
とが判る。
４５７■）の矩形ターゲット４＋ 、 ４ｔを正多角形
回転ドラム１の回転軸に直角方向に結ぶ直線に対して正
方向、負方向に２０度の角度をふって中心線に対して対
称に２列配置し、それぞれマグネトロン磁極にて長トラ
ック状プラズマリング９１＋９２＋基板寸法３００ ｖ
ｍ Ｘ ３００−のプレート状基板、基板とターゲット
との間の最短接近距離６０箇、アルゴンガス圧力１０ｍ
Ｔｏｒｒ 、ターゲットとしてＣｕを使用、六角形回転
ドラムの直径６０の、シャッター開度９０度、放電電流
・回転速度・成膜時間は任意として成膜を行ない、第８
図は基板中央高さ位置での幅方向の膜厚分布を求めたも
のである。同図から明らかなように３０ｆｆｉ角の基板
内で幅方向に上２゜５−までに膜厚均一化がなされたこ
とが判る。
第９図は本発明に係わるカルーセル形スパッタリング装
置の他の実施例による構成を説明する図で同図（ａ）は
全体の構成を示す図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
’線の断面図、同図（ｃ〉は同図（１）の電極部の外形
を示す斜視図、同図（ｄ）は同図（、）のＢ−Ｂ’線の
断面図であう、前述の図と同一部分には同一符号を付し
である。同図において、５は矩形ターゲット４＋ 、
４ｘの電極部、１２はリング状の内周磁極、１３は内周
磁極１２を囲むリング状の外周磁極、８はリング状の内
周磁極１２と外周磁極１３とによって形成される磁力線
、９は磁力線８によって封じ込められている略長方形状
プラズマリングである。
置の他の実施例による構成を説明する図で同図（ａ）は
全体の構成を示す図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
’線の断面図、同図（ｃ〉は同図（１）の電極部の外形
を示す斜視図、同図（ｄ）は同図（、）のＢ−Ｂ’線の
断面図であう、前述の図と同一部分には同一符号を付し
である。同図において、５は矩形ターゲット４＋ 、
４ｘの電極部、１２はリング状の内周磁極、１３は内周
磁極１２を囲むリング状の外周磁極、８はリング状の内
周磁極１２と外周磁極１３とによって形成される磁力線
、９は磁力線８によって封じ込められている略長方形状
プラズマリングである。
このような構成にかいても、略長方形状プラズマリング
９の相方のリニアープラズマ部分に矩形ターゲット４ｒ
、 ４２が配置されてリニアープラズマによってスパ
ッタされたスパッタ原子の重ね合わせによシ、大面積基
板内で膜厚均一化が可能となる。この場合も前述した運
転条件による略長方形状プラズマリング９によっても同
様の結果が得られ、中小量生産用として回転ドラムの直
径を大きくすること逢＜、大面積基板内に均一な膜厚に
て成膜を要する用途に大きな威力を発揮することができ
る。
９の相方のリニアープラズマ部分に矩形ターゲット４ｒ
、 ４２が配置されてリニアープラズマによってスパ
ッタされたスパッタ原子の重ね合わせによシ、大面積基
板内で膜厚均一化が可能となる。この場合も前述した運
転条件による略長方形状プラズマリング９によっても同
様の結果が得られ、中小量生産用として回転ドラムの直
径を大きくすること逢＜、大面積基板内に均一な膜厚に
て成膜を要する用途に大きな威力を発揮することができ
る。
なシ、前述した実施例にかいては、同一シャッター３の
開口範囲内に矩形電極部４＋、４ｚを中心線に対して対
称に配置した場合について説明したが、本発明は、これ
に限定されるものではなく、第１０図、第１１図に示す
ように同一シャッター３の開口範囲内でなくても正多角
形回転ドラム１に対して相対位置が同じであれば、位相
がずれても同様の効果が得られる。筐た、ｗｃ１２図に
示すように矩形電極部４１ 、４ｘを真空容器１１に対
して角度をもたせて配置しても正多角形回転ドラム１に
対する相対位置が同じであれば、同様の効果が得られる
。この場合、基板２を取シ付は正多角形回転ドラム１の
回転軸Ｃに対して直角となる面に対して一θの角度を有
するカソード電極部５１と↑θの角度を有するカソード
電極５２とを、角度θを自在に調整できる調節機構を設
けてこの調節機構に装着するととくよって容易に実現で
きる。
開口範囲内に矩形電極部４＋、４ｚを中心線に対して対
称に配置した場合について説明したが、本発明は、これ
に限定されるものではなく、第１０図、第１１図に示す
ように同一シャッター３の開口範囲内でなくても正多角
形回転ドラム１に対して相対位置が同じであれば、位相
がずれても同様の効果が得られる。筐た、ｗｃ１２図に
示すように矩形電極部４１ 、４ｘを真空容器１１に対
して角度をもたせて配置しても正多角形回転ドラム１に
対する相対位置が同じであれば、同様の効果が得られる
。この場合、基板２を取シ付は正多角形回転ドラム１の
回転軸Ｃに対して直角となる面に対して一θの角度を有
するカソード電極部５１と↑θの角度を有するカソード
電極５２とを、角度θを自在に調整できる調節機構を設
けてこの調節機構に装着するととくよって容易に実現で
きる。
以上説明したように本発明によれば、正多角形回転ドラ
ムの直径を大きくすることなく、周率な構成で大面積基
板内に均一な膜厚でスパッタ成膜ができるという極めて
優れた効果が得られる。
ムの直径を大きくすることなく、周率な構成で大面積基
板内に均一な膜厚でスパッタ成膜ができるという極めて
優れた効果が得られる。
第１図は本発明によるカルーセル形スパッｆｉ ＩＪン
グ装置の一実施例による構成を説明する図、第２図は従
来のカルーセル形スパッタリング装置の課題を説明する
図、第３図〜第５図は本発明によるスパッタリング方法
を説明する図、ｉｇ６図、第７図は従来の基板中央より
幅方向の膜厚分布を示す図、ｆ８８図は本発明に係わる
基板中央よう幅方向の膜厚分布を示す図、第９図は本発
明の他の実施例による＊ｔＣを説明する図、１ＸｌＯ図
〜第１２図は本発明のさらに他の実施例による構成を説
明する図である。 １・・・・正多角形回転ドラム、２・・・・被成膜基板
、３・・・・シャッター ４．４＋、４・・・・・矩形
ターゲット、５．５ｔ、５ｘ ・・・・カソード電極部
、６ｔ＋６ｘ ・・・・中央磁極、Ｔ１゜７ｘ ・・
・・外周磁極、８ ＋ ８ｔ ＋ ８２・・・・磁力線
、９，９１．！ｉｚ ・・・・プラズマリング、１０・
・・・高圧電源、１１・・・・真空容器、１２・・・・
内周磁板、１３・・・・外周磁極。
グ装置の一実施例による構成を説明する図、第２図は従
来のカルーセル形スパッタリング装置の課題を説明する
図、第３図〜第５図は本発明によるスパッタリング方法
を説明する図、ｉｇ６図、第７図は従来の基板中央より
幅方向の膜厚分布を示す図、ｆ８８図は本発明に係わる
基板中央よう幅方向の膜厚分布を示す図、第９図は本発
明の他の実施例による＊ｔＣを説明する図、１ＸｌＯ図
〜第１２図は本発明のさらに他の実施例による構成を説
明する図である。 １・・・・正多角形回転ドラム、２・・・・被成膜基板
、３・・・・シャッター ４．４＋、４・・・・・矩形
ターゲット、５．５ｔ、５ｘ ・・・・カソード電極部
、６ｔ＋６ｘ ・・・・中央磁極、Ｔ１゜７ｘ ・・
・・外周磁極、８ ＋ ８ｔ ＋ ８２・・・・磁力線
、９，９１．！ｉｚ ・・・・プラズマリング、１０・
・・・高圧電源、１１・・・・真空容器、１２・・・・
内周磁板、１３・・・・外周磁極。
Claims (2)
- （１）多角形ドラムの外周上に平板状基板をその表面が
正多角形の一辺となるよりに取り付けて円周方向に回転
させる正多角形回転ドラムと、前記正多角形回転ドラム
の中心方向に向けて一方は中心に向う線に対して時計廻
り方向に他方は反時計廻り方向に角度をもたせて配置し
た少なくとも２個の矩形状カソード電極部とを備えたこ
とを特徴とするカルーセル形スパッタリング装置。 - （２）請求項１において、前記矩形状カソード電極部の
各ターゲット上面のリニアプラズマによつてスパッタさ
れたスパッタ原子を前記平板状基板上に重ね合わせて成
膜を行なうことを特徴としたスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2051872A JPH0768614B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | カルーセル形スパツタリング装置およびそのスパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2051872A JPH0768614B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | カルーセル形スパツタリング装置およびそのスパツタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03253568A true JPH03253568A (ja) | 1991-11-12 |
| JPH0768614B2 JPH0768614B2 (ja) | 1995-07-26 |
Family
ID=12898975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2051872A Expired - Fee Related JPH0768614B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | カルーセル形スパツタリング装置およびそのスパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0768614B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063064A1 (fr) | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Asahi Glass Company, Limited | Dispositif de projection et procede pour realiser un film de projection |
| JP2003500533A (ja) * | 1999-05-25 | 2003-01-07 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 真空処理装置および工作物の製造方法 |
| JP2007186773A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Bridgestone Corp | 成膜方法及び装置 |
| JP2009035788A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| US7749622B2 (en) | 2002-10-22 | 2010-07-06 | Asahi Glass Company, Limited | Multilayer film-coated substrate and process for its production |
| RU2606363C2 (ru) * | 2015-05-27 | 2017-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Установка карусельного типа для магнетронного напыления многослойных покрытий и способ магнетронного напыления равнотолщинного нанопокрытия |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009063789A1 (ja) * | 2007-11-13 | 2009-05-22 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | 三次元形状のワークへのスパッタリング成膜方法およびそれに用いる装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117220A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP2051872A patent/JPH0768614B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117220A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003500533A (ja) * | 1999-05-25 | 2003-01-07 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 真空処理装置および工作物の製造方法 |
| WO2002063064A1 (fr) | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Asahi Glass Company, Limited | Dispositif de projection et procede pour realiser un film de projection |
| US6863785B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-03-08 | Asahi Glass Company, Limited | Sputtering apparatus and sputter film deposition method |
| US7749622B2 (en) | 2002-10-22 | 2010-07-06 | Asahi Glass Company, Limited | Multilayer film-coated substrate and process for its production |
| JP2007186773A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Bridgestone Corp | 成膜方法及び装置 |
| JP2009035788A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
| RU2606363C2 (ru) * | 2015-05-27 | 2017-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Установка карусельного типа для магнетронного напыления многослойных покрытий и способ магнетронного напыления равнотолщинного нанопокрытия |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0768614B2 (ja) | 1995-07-26 |
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