JPH0513290A - 半導体ウエーハ - Google Patents
半導体ウエーハInfo
- Publication number
- JPH0513290A JPH0513290A JP16656091A JP16656091A JPH0513290A JP H0513290 A JPH0513290 A JP H0513290A JP 16656091 A JP16656091 A JP 16656091A JP 16656091 A JP16656091 A JP 16656091A JP H0513290 A JPH0513290 A JP H0513290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- mark
- semiconductor
- present
- circular shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Abstract
(57)【要約】
【目的】真円状の半導体ウェーハにより、ドライエッチ
ング工程におけるエッチングレートの面内均一性を向上
させ、又、１枚の半導体基板の有効チップ数を増加させ
る。 【構成】真円状の半導体ウェーハ１に、結晶軸の方向を
示すマーク２を設けたものであり、このマーク２を利用
することにより、目合せ露光を行なう装置において結晶
面の位置の初期設定を行なうことが可能である。
ング工程におけるエッチングレートの面内均一性を向上
させ、又、１枚の半導体基板の有効チップ数を増加させ
る。 【構成】真円状の半導体ウェーハ１に、結晶軸の方向を
示すマーク２を設けたものであり、このマーク２を利用
することにより、目合せ露光を行なう装置において結晶
面の位置の初期設定を行なうことが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造用の半
導体ウェーハに関する。
導体ウェーハに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置製造用の半導体ウェー
ハは、図２に示すように、円柱状に引き上げられた単結
晶のインゴットを円板状に加工した半導体ウェーハ１の
円弧の一部に結晶軸の方向を示す直線部、即ちオリエン
テーションフラット３を設けていた。
ハは、図２に示すように、円柱状に引き上げられた単結
晶のインゴットを円板状に加工した半導体ウェーハ１の
円弧の一部に結晶軸の方向を示す直線部、即ちオリエン
テーションフラット３を設けていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウェーハ
は、半導体製造工程における反応性ガス雰囲気中で高周
波電圧を印加してエッチングを行なうドライエッチング
処理で、半導体ウェーハをのせる電極板の一部に露出し
た部分が生じ、その付近のエッチングレートが部分的に
異なり、半導体ウェーハの面内均一性が悪くなるという
問題点があった。又、オリエンテーションフラットを有
する事により、１枚の半導体ウェーハから作れるチップ
数が制限されるという問題点もあった。
は、半導体製造工程における反応性ガス雰囲気中で高周
波電圧を印加してエッチングを行なうドライエッチング
処理で、半導体ウェーハをのせる電極板の一部に露出し
た部分が生じ、その付近のエッチングレートが部分的に
異なり、半導体ウェーハの面内均一性が悪くなるという
問題点があった。又、オリエンテーションフラットを有
する事により、１枚の半導体ウェーハから作れるチップ
数が制限されるという問題点もあった。
【０００４】本発明の目的は半導体製造工程における面
内均一性を向上させ、かつ、チップ数の収量を増加させ
る半導体ウェーハを提供することにある。
内均一性を向上させ、かつ、チップ数の収量を増加させ
る半導体ウェーハを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェーハ
は、円板状に加工された平面の円周の近傍の一部に設け
てオリエンテーションフラットの代りに結晶軸の方向を
示すマークを有する。
は、円板状に加工された平面の円周の近傍の一部に設け
てオリエンテーションフラットの代りに結晶軸の方向を
示すマークを有する。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例につき、図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００７】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例を説
明する為の半導体ウェーハの平面図である。
明する為の半導体ウェーハの平面図である。
【０００８】図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、円板状
の半導体ウェーハ１に結晶軸の方向を示すマーク２を有
する。マーク２の形状に関しては、光学系で検出可能な
ものであれば、いかなる形状のものでも半導体ウェーハ
の方向合せを同等にできる事は言うまでもない。又、マ
ーク２は、１点だけでなく、何点あってもかまわない。
の半導体ウェーハ１に結晶軸の方向を示すマーク２を有
する。マーク２の形状に関しては、光学系で検出可能な
ものであれば、いかなる形状のものでも半導体ウェーハ
の方向合せを同等にできる事は言うまでもない。又、マ
ーク２は、１点だけでなく、何点あってもかまわない。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は結晶軸の方
向を示すオリエンテーションフラットを有しない為、ガ
スを用いエッチングを行なうドライエッチング工程で半
導体ウェーハをのせる電極板の露出部分が存在せず、半
導体ウェーハの面内でのエッチング均一性が向上する。
又、半導体ウェーハのチップ形成用の有効な面積が増加
するという効果がある。
向を示すオリエンテーションフラットを有しない為、ガ
スを用いエッチングを行なうドライエッチング工程で半
導体ウェーハをのせる電極板の露出部分が存在せず、半
導体ウェーハの面内でのエッチング均一性が向上する。
又、半導体ウェーハのチップ形成用の有効な面積が増加
するという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を説明する為の半導体ウェー
ハの平面図である。
ハの平面図である。
【図２】従来の半導体ウェーハを示す平面図である。
１ 半導体ウェーハ ２ マーク ３ オリエンテーションフラット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 円板状に加工された平面の円周の近傍の
一部に設けてオリエンテーションフラットの代りに結晶
軸の方向を示すマークを有することを特徴とする半導体
ウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16656091A JPH0513290A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 半導体ウエーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16656091A JPH0513290A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 半導体ウエーハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513290A true JPH0513290A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15833528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16656091A Pending JPH0513290A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 半導体ウエーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513290A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716876A (en) * | 1995-10-31 | 1998-02-10 | Nec Corporation | Method for manufacturing completely circular semiconductor wafers |
| CN103854991A (zh) * | 2012-12-04 | 2014-06-11 | 不二越机械工业株式会社 | 制造半导体晶圆的方法 |
| JP2015154075A (ja) * | 2014-02-11 | 2015-08-24 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | ウェハーの製造方法及びそれによって製造されたウェハー |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP16656091A patent/JPH0513290A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716876A (en) * | 1995-10-31 | 1998-02-10 | Nec Corporation | Method for manufacturing completely circular semiconductor wafers |
| CN103854991A (zh) * | 2012-12-04 | 2014-06-11 | 不二越机械工业株式会社 | 制造半导体晶圆的方法 |
| JP2015154075A (ja) * | 2014-02-11 | 2015-08-24 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | ウェハーの製造方法及びそれによって製造されたウェハー |
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