JPH03235347A - ウエハハンドリング治具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、薄く加工した半導体ウェハ、特ロレＶ、Ｉ
Ｉ−Ｖｌ族化合物半導体などの割れ易いウェハのハンド
リング治具に関するものである。

〔従来の技術〕

第７図は従来の半導体ウェハ、特に薄く加工されたｌ−
Ｖ族化合物半導体である（）ａＡｓウェハを示す断面図
であυ、図において（１）はＧａＡｓウェハ（たとえば
２００声ｍ以下の厚さのもの）である。なお、図中（ｄ
）は〜５膳である。

１−Ｖ族化合物半導体ウェハ、たとえばＧａＡｓウェハ
（１）は、熱伝導率がＳ１ウエハに比較して約の放熱特
性を向上させるために、ウェハを薄く（たとえば２００
＃ｎ以下）加工したものである。

そのため、表面側に形成された配線金属、絶縁膜、ある
いは裏面側に形成されたグランドメタルによって、大き
な反シを生じる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のＩ−Ｖ族化合物半導体ウェハは、以上のように薄
く加工されているため、表面に形成された配線メタル、
絶縁膜、あるいは裏面に形成されたグランドメタル・等
により、ウェハは大きく反り、カセットを用いた自動化
が難しいばかりでなく、後工程の素子特性のｆｊＡｌｌ
定においてもコンタクト不良を起こし、自動測定にも大
きな障害となっている。また、薄い反ったウェハのハン
ドリングにおいても、真空ビンセントを用いることがで
きないために金属ビンセントを使用しているが、ウェハ
割れの原因となるなどの問題演があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ウェハを導電性支持基板にドーナツツ状に加
工したテープで固定することによυ薄く加工したウェハ
に直接触れずにハンドリングできるだけでなく、カセッ
トからカセットへの移しかえが容易となると共にｔｉ測
測定おいても自動化が可能となるウェハハンドリング治
具を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るウェハハンドリング治具は、たとえば３
“φウェハを支持する場合において４゜φ半導体ウェハ
と同じ径であるとともにオリエンテーションフラタトを
有する熱伝導率が高くしかも電気抵抗の低い金属板で作
られた支持基板と、この上にウェハを固定するために用
いるドーナソツ状の粘着テープ（外径は４Ｉφ内径は３
１φよりも小さい）とから構成したものである。

〔作用〕

この発明においては、固定されるウェハよりも大きく（
たとえは固定されるウェハが３”ψの直径であるならは
、４１φの直径とする）、さらに半導体ウェハと同様に
オリエンテーションフラｙ）が形成されている熱伝導率
が高く、電気抵抗が低い金属製支持基板に、薄く加工さ
れた半導体ウェハ（基板厚は２００μｍ以下）をドーナ
ソツ状に加工した外径が金属製支持基板と同等で内径は
固定するウェハによシも小さいテープで固定するので、
薄く加工したウェハに直接触れずにハンドリングできる
。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は正面図、第２図は第１図の線■−ｎの断面図である
。図において、（１）は薄く加工した半導体ウェハ、（
２）はこの薄く加工したウェハ（１）を支持するための
金属製支持基板、（３）はこの支持基板（２）に薄く加
工したウェハ（１）を固定するために用いるテープ、（
４）は自動化を行う場合にウェハ（１）の方向を決定す
るオリエンテーシ■ンフラットである。

次にこのウェハハンドリング治具についての作用を詳細
に説明する。薄く加工したウェハ（１）をドーナソツ状
のテープ（３）により金属製支持基板（２）に固定する
ことによシ、直接薄く加工したウェハ（１）に触れずに
ハンドリングでき、しかもカセットにこの治具に固定し
たウェハ（１）を入れ、カセットからカセットへ容易に
検しかえができる。また、このウェハ（１）を電気測定
する場合、金属製支持基板（２）にしであるため、ウェ
ハ（１）の裏面側全簡単にアースすることができ、この
支持基板（２）に載せたまま測定することができる。

さらに、測定中に発熱しても、熱伝導率の高い材料を用
いることにより、放熱特性を向上させることができ、発
熱による劣化を低減できる。

なお、上記実施例では支持基板（２）として金属板を用
いたが、金属板以外でもよく、たとえば表面を金属でコ
ーティングしたセラミンク板、あるいは発熱の少ない素
子では表面を金属でコートしたプラスチックの板でもよ
い。この方が軽く作ることが呂来、運搬に有利となる。

次に、第３図および第４図において、（５）は金属製支
持基板（２）に設けた貫通孔で、ウェハ（１）を真空吸
着して矯正するためのものである。その他の構成は上記
実施例と同じである同一符号を付して説明を省略する。

このように固定するウェハ（１）の外周よシも内側に貫
通孔（５）を設けることにより、この支持基板（２）全
真空チャックに乗せた時に、薄く加工したウェハ（１）
も同時に真空吸着できるため、ウェハ（１）の反りを矯
正することができ、電気測定の自動化が容易になる。

さらに、第５図および第６図において、（６）は金属製
支持基板（２）に設けた溝で、薄く加工したウェハ（１
）の基板厚とほぼ同径、同深さを有しかつこのウェハ（
１）を落し込み、ウエ装置１）とテープ（３）との重な
り部分の盛土がシを解消するためのものである。その他
の構成は上に各実施例と同じであるので同一符号を付し
て説明を省略する。

このように薄く加工したウニ／１（１）を支持基板（２
）に設けた溝（６）に落し込むことにより、薄く加工し
たウェハ（１）とこれを固定するために用いるテープ（
３）との重なり部分における盛土がシを低減することが
でき、自動測定の際のプローブのテープ盛土が９部分で
のひつかかシを防止でき、プローブの損傷をおさえるこ
とができる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば薄く加工したウェハを
金属製支持基板にドーナッツ状のテープで固定するよう
にしたので、薄く加工したウェハに直接触れずにハンド
リングできるだけでなく、カセットからカセットへの移
しかえが容易となυ、電気測定においては自動化が可能
となる。さらに！気測定においては金属製支持基板を用
いたので、ウェハのアースが簡単にとれ、しかもその測
定において発熱する場合には金属製支持基板を用いたの
で放熱特性が向上し、発熱による素子の劣化を抑制する
ことができるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一冥施例によるウェハハンドリング
治具を示す正面図、第２図は第１図の線■−ｎの断面図
、第３図はこの発明の他の笑施例金示すウェハハンドリ
ング治具の正面図、第４図は第３図の線ＩＶ−ＩＶの断
面図、第５図はこの発明のさらに異なる実施例を示すウ
ェハハンドリング治具の正面図、第６図は第５図の線Ｖ
ｌ−Ｖｌの断面図、第７図は従来のウェハを示す断面図
である。 図において、（１）は半導体ウェハ、（２）は金属製支
持基板、（３）テープ、（４）はオリエンテーシ冒ンフ
ラ／）（５）は貫通孔、（６）は溝を示す。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持基板に、ウェハをテープで固定したこ
   とを特徴とするウェハハンドリング治具