JP2680941B2 - 半導体製造装置のウェハー搬送ホルダー - Google Patents
半導体製造装置のウェハー搬送ホルダーInfo
- Publication number
- JP2680941B2 JP2680941B2 JP3115195A JP11519591A JP2680941B2 JP 2680941 B2 JP2680941 B2 JP 2680941B2 JP 3115195 A JP3115195 A JP 3115195A JP 11519591 A JP11519591 A JP 11519591A JP 2680941 B2 JP2680941 B2 JP 2680941B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- transfer holder
- wafer transfer
- groove
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置のウェハ
ー搬送ホルダーに関し、特にウェハーを保持する部分の
改良に関する。
ー搬送ホルダーに関し、特にウェハーを保持する部分の
改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のウェハー搬送ホルダー
は、図４の外観図に示すように、アルミナやジルコニア
等のセラミックス一体物か、またアルミニウムやステン
レス等の金属一体物で形成されている。その他に、金属
を母材とし表面にセラミックスを貼り合わせるかコーテ
ィングした材質で形成されたものも用いられている。
は、図４の外観図に示すように、アルミナやジルコニア
等のセラミックス一体物か、またアルミニウムやステン
レス等の金属一体物で形成されている。その他に、金属
を母材とし表面にセラミックスを貼り合わせるかコーテ
ィングした材質で形成されたものも用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のウェハー搬
送ホルダーでは、セラミックスを用いた場合は静電気を
帯び、ウェハーに放電してダメージを与えたり、周囲の
ごみを吸着して汚れやすいという欠点があった。また、
金属を用いた場合は、ウェハーの接触部が金属汚染され
るという問題があった。また、金属を母材とし表面にセ
ラミックスをコーティングした材質は、熱膨張率が互い
に異なることから、特に、高温のウェハーを保持する場
合、母材の膨張に表面のセラミックスが負けてひび割れ
し、剥離しやすいという問題があった。
送ホルダーでは、セラミックスを用いた場合は静電気を
帯び、ウェハーに放電してダメージを与えたり、周囲の
ごみを吸着して汚れやすいという欠点があった。また、
金属を用いた場合は、ウェハーの接触部が金属汚染され
るという問題があった。また、金属を母材とし表面にセ
ラミックスをコーティングした材質は、熱膨張率が互い
に異なることから、特に、高温のウェハーを保持する場
合、母材の膨張に表面のセラミックスが負けてひび割れ
し、剥離しやすいという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のウェハー搬送ホ
ルダーは、セラミックスを母材とし、表面に細かい一連
の溝を設け、この溝中に導電性の薄膜を密着させて製造
装置の取付け部まで導電部を導く構造を有している。
ルダーは、セラミックスを母材とし、表面に細かい一連
の溝を設け、この溝中に導電性の薄膜を密着させて製造
装置の取付け部まで導電部を導く構造を有している。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１のウェハー搬送ホルダーを
示す図で、同図（ａ）は外観図である。ウェハー搬送ホ
ルダー１の母材セラミックス４の表面に細かい溝を設
け、この溝中に導電材５を密着させて装置取付け部３で
導電材が接続固定される。同図（ｂ）は同図（ａ）のウ
ェハー接触部のＡ−Ａ断面詳細図である。導電材５は溝
の中に密着形成されウェハーとは接触しない。同図
（ｃ）は同図（ａ）の装置取付け部のＢ部詳細図であ
る。母材セラミックス４の装置取付け部は、溝底と同じ
面まで削り取ってある。そして溝部の導電材５は取付け
部まで導かれている。
る。図１は本発明の実施例１のウェハー搬送ホルダーを
示す図で、同図（ａ）は外観図である。ウェハー搬送ホ
ルダー１の母材セラミックス４の表面に細かい溝を設
け、この溝中に導電材５を密着させて装置取付け部３で
導電材が接続固定される。同図（ｂ）は同図（ａ）のウ
ェハー接触部のＡ−Ａ断面詳細図である。導電材５は溝
の中に密着形成されウェハーとは接触しない。同図
（ｃ）は同図（ａ）の装置取付け部のＢ部詳細図であ
る。母材セラミックス４の装置取付け部は、溝底と同じ
面まで削り取ってある。そして溝部の導電材５は取付け
部まで導かれている。
【０００６】図２は、本実施例のウェハー搬送ホルダー
の一部を示す図で、表面の導電材の通っている細かな一
連の溝模様の応用例を示す。同図（ａ）は直線溝の外観
図、同図（ｂ）は亀甲状溝の外観図である。図３は本発
明の実施例２を示す図で、ウェハーを吸着して保持し搬
送するホルダーの実施例である。本実施例では、ウェハ
ー吸着部７は円形の吸引溝及び吸引孔により形成され、
この溝及び孔の内面に導電材５を密着させ、製造装置取
付け部まで導くものである。
の一部を示す図で、表面の導電材の通っている細かな一
連の溝模様の応用例を示す。同図（ａ）は直線溝の外観
図、同図（ｂ）は亀甲状溝の外観図である。図３は本発
明の実施例２を示す図で、ウェハーを吸着して保持し搬
送するホルダーの実施例である。本実施例では、ウェハ
ー吸着部７は円形の吸引溝及び吸引孔により形成され、
この溝及び孔の内面に導電材５を密着させ、製造装置取
付け部まで導くものである。
【０００７】以上延べてきたように本実施例のウェハー
搬送ホルダーは、母材をセラミックスとし、ウェハーと
の接触部ではこのセラミックスがウェハーに当たる。但
し、セラミックス表面には細かい一連の溝を設け、この
溝部中に導電性のアルミニウム等の金属や、または炭素
等を薄膜形成技術により密着させて、装置への取付け部
まで導電部を導く。この導電性を有する溝部の材料は、
ウェハーとは接触しないように保持部の溝を深くしてあ
る。また、装置取付け部にて金属部材と接続固定するこ
とにより、導電部を接地するようにし、ウェハー搬送ホ
ルダー表面への帯電を防止する。また、導電材を延性の
ある金属の薄膜にするか、或は母材セラミックスと熱膨
張率にあまり差のない炭素等にすることで、導電材を剥
離しにくくする。更に、溝模様としては、応用例で延べ
た以外に縞模様、格子模様でもよい。いずれも熱応力を
逃がす、或はウェハーとの接触面積を少なくする等の効
果がある。
搬送ホルダーは、母材をセラミックスとし、ウェハーと
の接触部ではこのセラミックスがウェハーに当たる。但
し、セラミックス表面には細かい一連の溝を設け、この
溝部中に導電性のアルミニウム等の金属や、または炭素
等を薄膜形成技術により密着させて、装置への取付け部
まで導電部を導く。この導電性を有する溝部の材料は、
ウェハーとは接触しないように保持部の溝を深くしてあ
る。また、装置取付け部にて金属部材と接続固定するこ
とにより、導電部を接地するようにし、ウェハー搬送ホ
ルダー表面への帯電を防止する。また、導電材を延性の
ある金属の薄膜にするか、或は母材セラミックスと熱膨
張率にあまり差のない炭素等にすることで、導電材を剥
離しにくくする。更に、溝模様としては、応用例で延べ
た以外に縞模様、格子模様でもよい。いずれも熱応力を
逃がす、或はウェハーとの接触面積を少なくする等の効
果がある。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、セラミッ
クスを母材にし、表面に細かい一連の溝を設け、この溝
の中に導電材料を密着させて製造装置の取付け部まで導
電部を導くことにより、セラミックス表面への静電気の
帯電を防止するという効果を有する。また、ウェハー保
持部において導電材料をセラミックス表面から下げて溝
の中に置くことにより、ウェハーと導電材との接触がな
く、特に金属を導電材にした場合のウェハーの金属汚染
を防止するという効果も有する。さらには、母材をセラ
ミックスとし、その表面に延性のある薄膜の導電材を密
着させることで、熱膨張率の差による剥離もしにくくな
るという効果も有する。
クスを母材にし、表面に細かい一連の溝を設け、この溝
の中に導電材料を密着させて製造装置の取付け部まで導
電部を導くことにより、セラミックス表面への静電気の
帯電を防止するという効果を有する。また、ウェハー保
持部において導電材料をセラミックス表面から下げて溝
の中に置くことにより、ウェハーと導電材との接触がな
く、特に金属を導電材にした場合のウェハーの金属汚染
を防止するという効果も有する。さらには、母材をセラ
ミックスとし、その表面に延性のある薄膜の導電材を密
着させることで、熱膨張率の差による剥離もしにくくな
るという効果も有する。
【図１】本発明の実施例１を示す図で、同図（ａ）は外
観図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面詳細図、同
図（ｃ）は同図（ａ）のＢ部詳細図である。
観図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面詳細図、同
図（ｃ）は同図（ａ）のＢ部詳細図である。
【図２】本発明の実施例１の応用例を示す図で、同図
（ａ）、（ｂ）はそれぞれ外観図である。
（ａ）、（ｂ）はそれぞれ外観図である。
【図３】本発明の実施例２を示す図で、同図（ａ）は外
観図、同図（ｂ）はそのＣ−Ｃ断面図である。
観図、同図（ｂ）はそのＣ−Ｃ断面図である。
【図４】従来のウェハー搬送ホルダーの外観図である。
１ ウェハー搬送ホルダー ２ ウェハー ３ 装置取付け部 ４ 母材セラミックス ５ 導電材 ６ ウェハー吸着搬送ホルダー ７ ウェハー吸着部
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミックを母材としウェハーを保持し
搬送する半導体製造装置のウェハー搬送ホルダーにおい
て、ウェハーを保持する範囲のセラミックス表面に細か
い一連の溝を設け、この溝中にウェハーと接触しない厚
さの導電性の薄膜を密着させて製造装置の取付け部まで
導電部を導く構造を有することを特徴とする半導体製造
装置のウェハー搬送ホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115195A JP2680941B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 半導体製造装置のウェハー搬送ホルダー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115195A JP2680941B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 半導体製造装置のウェハー搬送ホルダー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04343446A JPH04343446A (ja) | 1992-11-30 |
| JP2680941B2 true JP2680941B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=14656713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3115195A Expired - Lifetime JP2680941B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 半導体製造装置のウェハー搬送ホルダー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2680941B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053135A (ja) * | 1999-06-03 | 2001-02-23 | Applied Materials Inc | 半導体処理装置のためのロボットブレード |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990049103A (ko) * | 1997-12-11 | 1999-07-05 | 윤종용 | 반도체 설비의 정전기방지 절연방법 및 이를 적용한 절연척 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133644A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハ搬送フオ−ク |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3115195A patent/JP2680941B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053135A (ja) * | 1999-06-03 | 2001-02-23 | Applied Materials Inc | 半導体処理装置のためのロボットブレード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04343446A (ja) | 1992-11-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970701 |