JP2011181864A - 基板分割方法 - Google Patents

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【課題】集合基板を切断するときに、集合基板とダイシングテープとの良好な接着状態を容易に実現することができる、基板分割方法を提供する。
【解決手段】(i)複数個分の個基板16になる部分を含む集合基板10の一方主面にダイシングテープ20を貼り付ける、第1の工程と、(ii)集合基板10のダイシングテープ20とは反対側から、ダイシングブレード26を用いて集合基板10を切断して、集合基板10から個基板16を分割する、第2の工程とを備える。第1の工程の後、かつ第2の工程の前に、(a)集合基板10及びダイシングテープ20のうち、集合基板10の外周縁近傍部分に、未硬化の樹脂22を塗布する、樹脂塗布工程と、(b)塗布された樹脂22を硬化させる、樹脂硬化工程とをさらに備える。第2の工程は、硬化した樹脂22が集合基板10及びダイシングテープ20に接着した状態で行う。
【選択図】図2

Description

本発明は、基板分割方法に関し、詳しくは、複数個分の個基板になる部分を含む集合基板を切断することにより、集合基板を個基板に分割する基板分割方法に関する。
従来、電子部品を製造する際に、複数個分の個基板になる部分を含む集合基板を切断することにより、集合基板を個基板に分割する基板分割方法が用いられている。
例えば、集合基板にダイシングテープを貼り付け、ダイシングテープを介して集合基板をダイサーのテーブルに固定した状態で、集合基板のダイシングテープを貼り付けた面とは反対側の面から、ダイシングブレードを用いて切削溝を形成することにより、集合基板を個基板に分割する。
また、ダイシング加工とレーザー加工を組み合わせて、集合基板を個基板に分割することが提案されている。例えば、裏面に接着フィルムが貼り付けられた半導体ウェハは、ダイシングブレードを用いて半導体ウェハと接着フィルムを共に切削すると、半導体ウェハの裏面側における切削溝の両側にチッピングが発生する。これを防ぐため、図4(a)の斜視図及び図4(b)の要部断面図に示すように、半導体ウェハ102の裏面102bに接着フィルム103を貼り付けた集合基板を作製し、集合基板の接着フィルム103側にダイシングテープ105を貼り付け、ダイシングテープ105を介して集合基板を、切削装置106のテーブル161に固定した状態で、切削手段162により回転するダイシングブレード621を用いて、半導体ウェハ102の表面102aに、回路122が形成された各領域を区画するストリームラインと呼ばれる切断予定ライン121に沿って、切削溝123を格子状に形成する。このとき、図4(b)に示すように、切削溝123の深さは半導体ウェハ102の厚みよりも小さくし、半導体ウェハ102に切り代124を残す。次いで、レーザー光線を照射して、切り代121及び接着フィルム103を切断する。(例えば、特許文献1参照)。
特開2005-101182号公報
集合基板にダイシングテープを貼り付ける際に、両者を完全に密着させることは難しい。集合基板とダイシングテープとの接着面に気泡が残っていると、その部分でチッピングが発生することがある。集合基板とダイシングテープとの接着強度が十分ではないと、ダイシング加工中に集合基板を固定できなくなり、ダイシング加工不能になる。集合基板とダイシングテープとの接着強度が部分的に十分ではない箇所があると、ダイシング加工時に、集合基板から切断された切断片がダイシングテープから剥離して飛び出す、いわゆるチップ飛びという不良が発生する。
集合基板とダイシングテープとを完全に密着させ、十分な接着強度を得るために、集合基板にダイシングテープを貼り合わせた後にローラなどを用いて押圧して、集合基板とダイシングテープとの間に閉じ込められた空気を抜きながら、集合基板とダイシングテープとを機械的に接着すると、基板の変形やワレ、カケが発生したり、基板に実装した部品の実装不良が発生したりしやすい。そのため、集合基板とダイシングテープとの良好な接着状態を実現することは、容易でない。
本発明は、かかる実情に鑑み、集合基板を切断するときに、集合基板とダイシングテープとの良好な接着状態を容易に実現することができる、基板分割方法を提供しようとするものである。
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した基板分割方法を提供する。
基板分割方法は、(i)複数個分の個基板になる部分を含む集合基板の一方主面にダイシングテープを貼り付ける、第1の工程と、(ii)前記ダイシングテープが貼り付けられた前記集合基板を固定した状態で、前記集合基板の前記ダイシングテープとは反対側から、ダイシングブレードを用いて前記集合基板を切断して、前記集合基板から前記個基板を分割する、第2の工程とを備える。前記第1の工程の後、かつ前記第2の工程の前に、(a)前記集合基板及び前記前記ダイシングテープのうち、前記集合基板の前記一方主面の外周縁の近傍部分に、未硬化の樹脂を塗布する、樹脂塗布工程と、(b)塗布された前記樹脂を硬化させる、樹脂硬化工程とをさらに備える。前記第2の工程は、前記樹脂硬化工程により硬化した前記樹脂が、前記集合基板及び前記前記ダイシングテープのうち、前記集合基板の前記一方主面の前記外周縁の前記近傍部分に接着した状態で行う。
上記方法によれば、硬化した樹脂は、集合基板の一方主面とダイシングテープとが接する接着面の境界線である集合基板の一方主面の外周縁の近傍部分において、集合基板とダイシングテープとに接着し、両者の相対位置を固定する。そのため、集合基板とダイシングテープとの接着状態が保持され、集合基板はダイシングテープから剥がれにくくなり、集合基板とダイシングテープとの接着を強化することができる。
好ましくは、前記樹脂硬化工程において、前記ダイシングテープが貼り付けられ前記樹脂が塗布された前記集合基板を、真空オーブンに入れて加熱することにより、前記樹脂を硬化させる。
この場合、樹脂硬化工程において真空オーブンを用いることで、基板とダイシングテープとの間に残留している空気が抜け、基板とダイシングテープとの間の空隙を低減することができる。集合基板とダイシングテープとの接着力を弱める原因となる空隙を低減することにより、第2の工程において集合基板を切断するときに、基板裏面のチッピングや、チップ飛びを防ぐことができる。
また、集合基板に外部からローラ等で押圧することなく、集合基板とダイシングテープとの間の空隙を低減することができ、集合基板に無理な力が作用しないようにすることができるため、集合基板の変形やワレ、カケが発生したり、集合基板に実装した部品の実装不良が発生したりすることがない。
好ましくは、前記樹脂硬化工程において、前記ダイシングテープが貼り付けられ前記樹脂が塗布された前記集合基板を、真空オーブンに入れて真空状態にした後、加熱することにより、前記樹脂を硬化させる。
この場合、樹脂硬化工程において真空オーブンを用い、真空状態にしたとき、集合基板の一方主面の外周縁の近傍部分に塗布された樹脂が未硬化であるため、集合基板の一方主面の外周縁の全周を連続して囲むように樹脂を塗布しても、集合基板とダイシングテープとの間に残留している空気は、集合基板とダイシングテープとの間から抜け出る。これにより、集合基板とダイシングテープとの間の空隙を低減することができる。集合基板とダイシングテープとの接着力を弱める原因になる空隙を低減することにより、第2の工程において集合基板を切断するときに、基板裏面のチッピングや、チップ飛びを防ぐことができる。
また、集合基板に外部からローラ等で押圧することなく、基板とダイシングテープとの間の空隙を低減することができ、集合基板に無理な力が作用しないようにすることができるため、集合基板の変形やワレ、カケが発生したり、集合基板に実装した部品の実装不良が発生したりすることがない。
好ましくは、前記樹脂塗布工程において、前記集合基板の前記一方主面の前記外周縁の全周を連続して囲むように前記樹脂を塗布する。前記第2の工程において、前記樹脂硬化工程により硬化した前記樹脂は、前記集合基板の前記一方主面と前記ダイシングテープとの間が封止された状態を保持する。
この場合、硬化した樹脂は、集合基板とダイシングテープとの接着面の境界線である集合基板の一方主面の外周縁の全周を連続して封止するため、集合基板とダイシングテープとの接着面に空気が入り込むことを防ぐ。ダイシングテープは、大気圧により、集合基板の一方主面に押圧され、圧力分布が均一になるため、集合基板の一方主面とダイシングテープとの密着性が向上する。これにより、集合基板とダイシングテープとの接着を良好な状態に保つことができる。
本発明は、ダイシングテープが貼り付けられた集合基板の一方主面の外周縁に沿って樹脂を塗布した後、加熱して、樹脂を硬化させるという簡単な工程により、集合基板を切断するときに、集合基板とダイシングテープとの良好な接着状態を容易に実現することができる。
集合基板を分割する工程を示す平面図である。(実施例1) 集合基板を分割する工程を示す平面図である。(実施例1) 集合基板を分割する工程を示す断面図である。(実施例1) 基板分割方法を示す(a)斜視図、(b)要部断面である。(従来例)
以下、本発明の実施の形態の基板分割方法について、図1〜図3を参照しながら説明する。
図1及び図2は、集合基板10を分割する工程を示す平面図である。図3(a)〜(c)は、図1(a)〜(c)の線X−Xに沿って切断した断面図である。
集合基板10は、次の(a)〜(g)の工程により、集合基板10から個基板16を分割する。
(a) まず、図1(a)及び図3(a)に示すように、集合基板10を用意する。集合基板10は、基板本体12の表面12sに、格子状に配置されている個基板16になる部分ごとに不図示の部品が実装され、それらの部品を覆って保護する樹脂膜14が形成されている。樹脂膜14は、個基板16になる部分が配置されている矩形領域とその周囲に形成されている。なお、基板本体12の表面12sに実装される部品がなかったり、樹脂膜14が形成されなかったりしてもよい。基板本体12の内部や表面12sに電気回路が形成されていてもよい。
樹脂膜14は、例えば、基板本体12の表面12sに部品を実装した後、基板本体12の表面12sの周端部に、ディスペンサを用いて樹脂を塗布して、枠状の堰き止め部材を形成する。そして、堰き止め部材の内側にエポキシ系樹脂などを塗布し、硬化させた後、堰き止め部材を取り除くことにより、形成する。
(b) 次いで、図1(b)及び図3(b)に示すように、集合基板10の基板本体12の一方主面である裏面12tに、ダイシングテープ20を貼り付ける。
例えば、一方主面20sが粘着性を有し、他方主面20tが粘着性を有しないダイシングテープ20を用い、ダイシングテープ20の粘着面20s上に集合基板10を置くことにより、集合基板10の基板本体12の裏面12tに、ダイシングテープ20の粘着面20sを貼り付け、仮固定する。ダイシングテープ20は、これに限らず、例えば、紫外光を照射することにより粘着性が弱くなり、剥離しやすくなるUVテープなどを使用してもよい。ダイシングテープ20の基材には、後述する樹脂22の硬化温度(例えば、80℃)に耐えられるPET・シリコーンを使用する。
(c) 次いで、図1(c)及び図3(c)に示すように、集合基板10の基板本体12及びダイシングテープ20のうち、集合基板10の基板本体12の裏面12tの外周縁12kの近傍部分に、未硬化の樹脂22を、ディスペンサなどを用いて塗布する。
樹脂22は、集合基板10の基板本体12の裏面12tの外周縁12kに沿って部分的に塗布しても構わないが、集合基板10の基板本体12の裏面12tの外周縁12kに沿って途切れることなく塗布し、集合基板10の基板本体12の裏面12tの外周縁12kの全周を連続して囲むように塗布することが好ましい。
塗布する樹脂22には、熱硬化性樹脂を使用する。例えば、前述した堰き止め部材用の樹脂や、ICをフリップチップ実装する際の実装面側に塗布するアンダーフィル用樹脂などと同じエポキシ系樹脂を使用する。このエポキシ系樹脂の硬化温度は、80℃程度である。
(d) 次いで、図2(d)に示すように、ダイシングテープ20が貼り付けられ、樹脂22が塗布された状態の集合基板10を、真空オーブンに入れて、設定した真空値まで真空引きを行い、真空状態とする。これにより、集合基板10の基板本体12の裏面12tとダイシングテープ20との間に残っている空気が排出される。
このとき、樹脂22は硬化していないので、集合基板10の基板本体12の裏面12tの外周縁12kの全周を連続して囲むように樹脂22が塗布されていても、集合基板10の基板本体12の裏面12tとダイシングテープ20との間に残留している空気を樹脂22を通して抜くことができる。
(e) 次いで、図2(e)に示すように、真空オーブンを真空状態に保ったまま、オーブン内を、設定した温度まで加熱して、樹脂22を硬化させる。
(f) 次いで、真空オーブンを大気開放し、ダイシングテープ20が貼り付けられ、樹脂22が硬化した状態の集合基板10を、真空オーブンから取り出し、ダイシングテープ20を、ダイサーのテーブルに吸着することにより、集合基板10を固定する。そして、図2(f)に示すように、集合基板10を固定した状態で、個基板16の境界線及びその延長線に沿ってダイシングブレード26を相対移動させて、集合基板の樹脂膜14及び基板本体12を貫通して基板本体12の裏面12tに達する切削溝(図示せず)を集合基板10に形成することにより集合基板10を切断し、集合基板10から個基板16を分割する。
なお、ダイシングブレード26が樹脂22を切断しないように、集合基板10を切断する前に、樹脂22を取り除いておいてもよい。この場合、硬化した樹脂22は粘着物が残らないため、容易に剥がすことができ、洗浄が不要である。
(g)次いで、分割された個基板16が貼り付いている状態のダイシングテープ20をテーブルから剥がして引き延ばすことにより、個基板16間の隙間を広げて、個基板16をダイシングテープ20から剥がす。ダイシングテープ20がUVテープの場合は、紫外光をダイシングテープ20に照射して、分割された個基板16をダイシングテープ20から剥がす。
以上の(a)〜(g)の工程により、集合基板10から個基板16を分割する。
上記(f)の集合基板10を切断する工程において、硬化した樹脂22は、集合基板10の基板本体12の裏面12tとダイシングテープ20とが接する接着面の境界線である基板本体12の裏面12tの外周縁12kの近傍部分において、集合基板10の基板本体12とダイシングテープ20とに接着し、両者の相対位置を固定する。そのため、集合基板10を切断し、分割するときに、集合基板10の基板本体12とダイシングテープ20との接着状態が保持され、集合基板10はダイシングテープ20から剥がれにくくなり、集合基板10とダイシングテープ20との接着を強化することができる。
特に、硬化した樹脂22が基板本体12の裏面12tの外周縁12kの全周を連続して封止する場合には、硬化した樹脂22は、基板本体12の裏面12tの外周縁12kから、集合基板10の基板本体12とダイシングテープ20との接着面に空気が入り込むことを防ぐ。ダイシングテープ20は、大気圧により、集合基板10の基板本体12の裏面12tに押圧され、圧力分布は均一になり、集合基板10の基板本体12とダイシングテープ20との密着性が向上する。これにより、集合基板10の基板本体12とダイシングテープ20との接着を良好な状態に保つことができる。
上記(d)の工程において、真空オーブンを用いて真空引きを行い、集合基板10の基板本体12とダイシングテープ20と間の空隙を低減して、集合基板10の基板本体12とダイシングテープ20との接着状態を良好にすることにより、上記(f)の集合基板10を切断する工程において、基板本体12の裏面12tのチッピングや、チップ飛びを防ぐことができる。
また、集合基板10に外部からローラ等で押圧することなく、基板本体12とダイシングテープ20との間の空隙を低減することができ、集合基板10に無理な力が作用しないようにすることができるため、集合基板10の変形やワレ、カケが発生したり、集合基板10の基板本体12に実装した部品の実装不良が発生したりすることがないようにすることができる。
以上のように、ダイシングテープ20が貼り付けられた集合基板10の基板本体12の裏面12tの外周縁12kの近傍部分に樹脂22を塗布し、加熱して、樹脂22を硬化させるという簡単な工程によって、集合基板10を切断する工程において、集合基板10の基板本体12とダイシングテープ20との良好な接着状態を容易に実現することができる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
10 集合基板
12 基板本体
12s 表面
12t 裏面(一方主面)
12k 外周縁
14 樹脂膜
16 個基板
20 ダイシングテープ
22 樹脂
26 ダイシングブレード

Claims (4)

  1. 複数個分の個基板になる部分を含む集合基板の一方主面にダイシングテープを貼り付ける、第1の工程と、
    前記ダイシングテープが貼り付けられた前記集合基板を固定した状態で、前記集合基板の前記ダイシングテープとは反対側から、ダイシングブレードを用いて前記集合基板を切断して、前記集合基板から前記個基板を分割する、第2の工程と、
    を備えた基板分割方法において、
    前記第1の工程の後、かつ前記第2の工程の前に、
    前記集合基板及び前記前記ダイシングテープのうち、前記集合基板の前記一方主面の外周縁の近傍部分に、未硬化の樹脂を塗布する、樹脂塗布工程と、
    塗布された前記樹脂を硬化させる、樹脂硬化工程と、
    をさらに備え、
    前記第2の工程は、前記樹脂硬化工程により硬化した前記樹脂が、前記集合基板及び前記前記ダイシングテープのうち、前記集合基板の前記一方主面の前記外周縁の前記近傍部分に接着した状態で行うことを特徴とする、基板分割方法。
  2. 前記樹脂硬化工程において、前記ダイシングテープが貼り付けられ前記樹脂が塗布された前記集合基板を、真空オーブンに入れて加熱することにより、前記樹脂を硬化させることを特徴とする、請求項1に記載の基板分割方法。
  3. 前記樹脂硬化工程において、前記ダイシングテープが貼り付けられ前記樹脂が塗布された前記集合基板を、真空オーブンに入れて真空状態にした後、加熱することにより、前記樹脂を硬化させることを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板分割方法。
  4. 前記樹脂塗布工程において、前記集合基板の前記一方主面の前記外周縁の全周を連続して囲むように前記樹脂を塗布し、
    前記第2の工程において、前記樹脂硬化工程により硬化した前記樹脂は、前記集合基板の前記一方主面と前記ダイシングテープとの間が封止された状態を保持することを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一つに記載の基板分割方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015002542A1 (de) * 2015-02-27 2016-09-01 Disco Corporation Waferteilungsverfahren

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03235347A (ja) * 1990-02-13 1991-10-21 Mitsubishi Electric Corp ウエハハンドリング治具
JP2010114306A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの移し替え方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03235347A (ja) * 1990-02-13 1991-10-21 Mitsubishi Electric Corp ウエハハンドリング治具
JP2010114306A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの移し替え方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015002542A1 (de) * 2015-02-27 2016-09-01 Disco Corporation Waferteilungsverfahren
US10032669B2 (en) 2015-02-27 2018-07-24 Disco Corporation Wafer dividing method
DE102015002542B4 (de) 2015-02-27 2023-07-20 Disco Corporation Waferteilungsverfahren

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