JP2009035788A - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 真空チャンバ内のターゲット近傍に設けられた構造物に付着した発生した物質が剥離して微粉塵となることを抑えることを目的とする。
【解決手段】 真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて細長片形状のターゲットを配置できるように構成された成膜装置であって、前記ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記ターゲットと前記基材との間に、前記ターゲットの長手方向の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをTとして、半径1.5Tの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。
【選択図】 図2
【解決手段】 真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて細長片形状のターゲットを配置できるように構成された成膜装置であって、前記ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記ターゲットと前記基材との間に、前記ターゲットの長手方向の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをTとして、半径1.5Tの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
本発明は、ターゲットをスパッタリングして処理対象となる基材に成膜をするための成膜装置に関するものである。
従来、円筒ドラムに基材を固定し、円筒ドラムを回転させながら、円筒ドラムの周面に対向するようにして配置されたターゲットにより、基材にスパッタリングを行う装置がある(例えば、特許文献1)。
この種の装置の場合、チャンバ内壁の汚染防止のため、或いは、酸化源とターゲット間での雰囲気分離を行うためにターゲットの側方に防着板や仕切板等の構造物を設ける必要がある。
しかしながら、これらの構造物を、真空チャンバ内の汚染防止等の目的だけのために安易に設けてしまうと、スパッタリングされた物質が前記構造物に付着し、ある一定以上の膜厚になると、膜が剥離し真空チャンバ内に微粉塵が発生し、基材上の膜質に悪影響を与えるという問題があることを知見した。
この種の装置の場合、チャンバ内壁の汚染防止のため、或いは、酸化源とターゲット間での雰囲気分離を行うためにターゲットの側方に防着板や仕切板等の構造物を設ける必要がある。
しかしながら、これらの構造物を、真空チャンバ内の汚染防止等の目的だけのために安易に設けてしまうと、スパッタリングされた物質が前記構造物に付着し、ある一定以上の膜厚になると、膜が剥離し真空チャンバ内に微粉塵が発生し、基材上の膜質に悪影響を与えるという問題があることを知見した。
そこで、本発明は、真空チャンバ内のターゲット近傍に設けられた構造物に付着した発生した物質が剥離して微粉塵となることを抑えることを目的とする。
上記課題を解決すべく、本発明者等は鋭意検討の結果、以下の解決手段を見いだした。
即ち、本発明の成膜装置は、請求項1に記載の通り、真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて細長片形状のターゲットを配置できるように構成された成膜装置であって、前記ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記ターゲットと前記基材との間に、前記ターゲットの長手方向の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをTとして、半径1.5Tの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。
また、請求項2に記載の本発明は、真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて、同形状の細長片形状のターゲットを2個を並べて配置できるように構成された成膜装置であって、前記各ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記各ターゲットと前記基材との間に、前記各ターゲットの長手方向の中心線間の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをTとして、半径2Tの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。
また、請求項3に記載の本発明は、請求項1又は2に記載の成膜装置において、前前記半円筒形状の無構造物空間の側方に防着板を設けることを特徴とする。
また、請求項4に記載の本発明は、請求項1乃至3の何れかに記載の成膜装置において、前記無構造物空間は、前記ターゲットの長手方向の各端縁から外側に、更に、前記各端縁に垂直な断面形状が前記各端縁を中心とする半径Tの半円形状として規定された空間を含むことを特徴とする。
即ち、本発明の成膜装置は、請求項1に記載の通り、真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて細長片形状のターゲットを配置できるように構成された成膜装置であって、前記ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記ターゲットと前記基材との間に、前記ターゲットの長手方向の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをTとして、半径1.5Tの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。
また、請求項2に記載の本発明は、真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて、同形状の細長片形状のターゲットを2個を並べて配置できるように構成された成膜装置であって、前記各ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記各ターゲットと前記基材との間に、前記各ターゲットの長手方向の中心線間の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをTとして、半径2Tの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする。
また、請求項3に記載の本発明は、請求項1又は2に記載の成膜装置において、前前記半円筒形状の無構造物空間の側方に防着板を設けることを特徴とする。
また、請求項4に記載の本発明は、請求項1乃至3の何れかに記載の成膜装置において、前記無構造物空間は、前記ターゲットの長手方向の各端縁から外側に、更に、前記各端縁に垂直な断面形状が前記各端縁を中心とする半径Tの半円形状として規定された空間を含むことを特徴とする。
本発明によれば、スパッタリングの際に真空チャンバ内に微粉塵が発生することを抑えることができるため、スパッタリングにより基材上に形成される膜質の高品質化を図ることができる。
次に、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。
図1は、本発明の成膜装置の概略構成を示すもので、真空チャンバ1の略中央部には、基材支持手段を備えた回転ドラム2が配置され、その回転方向に順に、第1成膜ゾーン3、第2成膜ゾーン4及び酸化ゾーン5が配置される。
スパッタリングを行う第1成膜ゾーン3は、2台の電極からなるスパッタカソード6と、前記スパッタカソード6の回転ドラム2側に配置されたTa、Nb、TiやAl等から構成される細長片形状のターゲット7と、前記スパッタカソード6に交流電圧を印加するためのAC電源8と、Arガス等を導入するためのArガス導入系9から構成される。同様にスパッタリングを行う第2成膜ゾーン4は、2台の電極からなるスパッタカソード10と、Si等から構成されるターゲット11と、前記スパッタカソード10に交流電圧を印加するためのAC電源12と、第2成膜ゾーン4においてArガス等を導入するためのガス導入系13から構成される。尚、各成膜ゾーン3,4の側方には、防着板17,18が設けられている。また、酸化ゾーン5を構成するために、酸化プラズマ源14が設置される。また、第1成膜ゾーン3と酸化ゾーン5の間には、アシスト源又はエッチング源として使用されるイオンビーム源15及びそのための電源16が配置される。
図1は、本発明の成膜装置の概略構成を示すもので、真空チャンバ1の略中央部には、基材支持手段を備えた回転ドラム2が配置され、その回転方向に順に、第1成膜ゾーン3、第2成膜ゾーン4及び酸化ゾーン5が配置される。
スパッタリングを行う第1成膜ゾーン3は、2台の電極からなるスパッタカソード6と、前記スパッタカソード6の回転ドラム2側に配置されたTa、Nb、TiやAl等から構成される細長片形状のターゲット7と、前記スパッタカソード6に交流電圧を印加するためのAC電源8と、Arガス等を導入するためのArガス導入系9から構成される。同様にスパッタリングを行う第2成膜ゾーン4は、2台の電極からなるスパッタカソード10と、Si等から構成されるターゲット11と、前記スパッタカソード10に交流電圧を印加するためのAC電源12と、第2成膜ゾーン4においてArガス等を導入するためのガス導入系13から構成される。尚、各成膜ゾーン3,4の側方には、防着板17,18が設けられている。また、酸化ゾーン5を構成するために、酸化プラズマ源14が設置される。また、第1成膜ゾーン3と酸化ゾーン5の間には、アシスト源又はエッチング源として使用されるイオンビーム源15及びそのための電源16が配置される。
図2は、上記装置の第2の成膜ゾーン4の拡大図であり、ターゲット11の長手方向の中心線Cに垂直な断面図である。
本実施の形態において、無構造物空間は、ターゲット11の短手方向の長さをTとし、ターゲット11の中心線Cとターゲット1の表面の交点C’を中心として、半径1.5Tの半円円筒形状の空間22としている。そして、無構造物空間22の両側方に防着板18,18が設けられ、その上側に円筒ドラム2に取り付けられた基材24が通過することになる。
本実施の形態において、無構造物空間は、ターゲット11の短手方向の長さをTとし、ターゲット11の中心線Cとターゲット1の表面の交点C’を中心として、半径1.5Tの半円円筒形状の空間22としている。そして、無構造物空間22の両側方に防着板18,18が設けられ、その上側に円筒ドラム2に取り付けられた基材24が通過することになる。
上記構成により、ターゲット11からスパッタされた物質が、防着板18,18に付着したとしても、スパッタ中に防着板18,18から前記物質が剥離して微粉塵となることを防ぐことができる。
尚、本実施の形態においては、無構造物空間22を半径1.5Tの半円筒形状として、その両側方に防着板18,18を設けるようにしたが、この防着板18,18の高さは、1.5T以上とすることが好ましい。スパッタ空間とそうではない空間との雰囲気分離を取るために有利になるからである。
また、本実施の形態では、無構造物空間22の両側に防着板18,18を設けているため、真空チャンバ1の内壁の汚染を防ぐことができる。
尚、本実施の形態においては、無構造物空間22を半径1.5Tの半円筒形状として、その両側方に防着板18,18を設けるようにしたが、この防着板18,18の高さは、1.5T以上とすることが好ましい。スパッタ空間とそうではない空間との雰囲気分離を取るために有利になるからである。
また、本実施の形態では、無構造物空間22の両側に防着板18,18を設けているため、真空チャンバ1の内壁の汚染を防ぐことができる。
次に、図3を参照して、2個のターゲットを並べて配置する場合の実施の形態について説明する。
ターゲット7,7は、いずれも同形状の細長片形状をしており、ターゲット7,7の長手方向の中心線をC1,C2とし、中心線C1,C2の中心線をC3とし、ターゲット7,7の短手方向の長さをTとし、中心線C3とターゲット7,7の表面の延長線との交点C3’としている。
そして、交点C3’を通り、各ターゲット7,7の長手方向に平行に延びる線を中心軸として、半径2Tの半円筒形状の無構造物空間26とし、その両側方に防着板17,17を設けるようにしている。
この無構造物空間26の上側には、円筒ドラム2に取り付けられた基材24が通過することになる。
ターゲット7,7は、いずれも同形状の細長片形状をしており、ターゲット7,7の長手方向の中心線をC1,C2とし、中心線C1,C2の中心線をC3とし、ターゲット7,7の短手方向の長さをTとし、中心線C3とターゲット7,7の表面の延長線との交点C3’としている。
そして、交点C3’を通り、各ターゲット7,7の長手方向に平行に延びる線を中心軸として、半径2Tの半円筒形状の無構造物空間26とし、その両側方に防着板17,17を設けるようにしている。
この無構造物空間26の上側には、円筒ドラム2に取り付けられた基材24が通過することになる。
上記構成により、ターゲット7,7からスパッタされた物質が、防着板17,17に付着したとしても、スパッタ中に防着板3から前記物質が剥離して微粉塵となることを防ぐことができる。
また、本実施の形態では、無構造物空間26の両側に防着板17,17を設けているため、真空チャンバ1の内壁の汚染を防ぐことができる。
尚、本実施の形態においては、無構造物空間26を半径2Tの半円筒形状として、その両側方に防着板17,17を設けるようにしたが、この防着板17,17の高さは、2.0T以上とすることが好ましい。スパッタ空間とそうではない空間との雰囲気分離を取るために有利になるからである。
また、本実施の形態では、無構造物空間26の両側に防着板17,17を設けているため、真空チャンバ1の内壁の汚染を防ぐことができる。
尚、本実施の形態においては、無構造物空間26を半径2Tの半円筒形状として、その両側方に防着板17,17を設けるようにしたが、この防着板17,17の高さは、2.0T以上とすることが好ましい。スパッタ空間とそうではない空間との雰囲気分離を取るために有利になるからである。
次に、本発明の他の実施の形態について図3を参照して説明する。図3は、図2の無構造物空間26とターゲット7,7のみを、ターゲット7,7の長手方向から表したものである。
図示した無構造物空間26は、ターゲット7の長手方向の各端縁5eから外側に、更に、各端縁5e,5eを中心として半径Tの1/4円筒形状の空間を含んでいる。
これにより、更に、微粉塵の発生を抑えることが可能となる。
図示した無構造物空間26は、ターゲット7の長手方向の各端縁5eから外側に、更に、各端縁5e,5eを中心として半径Tの1/4円筒形状の空間を含んでいる。
これにより、更に、微粉塵の発生を抑えることが可能となる。
また、上記ターゲット11やターゲット7の寸法は、特に制限するものではないが、例えば、短手方向Tは110mm〜145mmとすることができ、長手方向の長さは600〜900mmとすることができる。
また、ターゲット11やターゲット7の形状は、矩形状、或いは、楕円形状等があるが、楕円形状の場合は、幅が短い方を短手方向とし、長い方を長手方向とする。
また、ターゲット11やターゲット7の形状は、矩形状、或いは、楕円形状等があるが、楕円形状の場合は、幅が短い方を短手方向とし、長い方を長手方向とする。
また、本発明において、無構造物空間とは、防着板、ガス配管、チャンバー壁、基板やシャッター等の構造物のない空間をいうものとする。
また、本発明において成膜方式は、スパッタリングによるものであれば特に制限はなく、ECRスパッタ方式、ターゲットの裏面に磁石を配置してスパッタを行うマグネトロンスパッタ方式、DC電源を使用するのがDCマグネトロンスパッタ方式、RF電源を使用するのがRFマグネトロンスパッタ方式等を挙げることができる。
また、本発明において成膜方式は、スパッタリングによるものであれば特に制限はなく、ECRスパッタ方式、ターゲットの裏面に磁石を配置してスパッタを行うマグネトロンスパッタ方式、DC電源を使用するのがDCマグネトロンスパッタ方式、RF電源を使用するのがRFマグネトロンスパッタ方式等を挙げることができる。
次に、本発明の実施例について比較例とともに説明する。
(実施例1)
図2に示す構造の成膜装置の成膜ゾーン4のみを使用して、円筒ドラム2に基材として厚さ525±25μmのSiウエハを取り付け、細長片形状のターゲット11として短手方向の長さ(T)を145mm、長手方向の長さ630mmのSiを、真空チャンバ内を0.15Paとして、7.0kWの電力でスパッタリングし、円筒ドラム2を回転して酸化ゾーン5により酸化を行うことを繰り返し、膜厚500ÅのSiO2膜を成膜した。
(実施例1)
図2に示す構造の成膜装置の成膜ゾーン4のみを使用して、円筒ドラム2に基材として厚さ525±25μmのSiウエハを取り付け、細長片形状のターゲット11として短手方向の長さ(T)を145mm、長手方向の長さ630mmのSiを、真空チャンバ内を0.15Paとして、7.0kWの電力でスパッタリングし、円筒ドラム2を回転して酸化ゾーン5により酸化を行うことを繰り返し、膜厚500ÅのSiO2膜を成膜した。
(比較例1)
図2に示す構成に対して、基材から0.6Tの距離にターゲット11を配置し、これ以外は、実施例1と同じ条件で成膜を行った。
図2に示す構成に対して、基材から0.6Tの距離にターゲット11を配置し、これ以外は、実施例1と同じ条件で成膜を行った。
実施例1及び比較例1の装置により成膜した際に、真空チャンバ内に発生した微粉塵の密度を図5に示す。
図5から、比較例1は、全体的に微粉塵の密度が高く、特に、1.61μm以上の微粉塵の密度が非常に高かった。これに対して、実施例1では、スパッタリングによる成膜の際に膜質に悪影響を与える微粉塵の密度を低減できることがわかった。
図5から、比較例1は、全体的に微粉塵の密度が高く、特に、1.61μm以上の微粉塵の密度が非常に高かった。これに対して、実施例1では、スパッタリングによる成膜の際に膜質に悪影響を与える微粉塵の密度を低減できることがわかった。
1 真空チャンバ
2 回転ドラム
3 第1成膜ゾーン
4 第2成膜ゾーン
5 酸化ゾーン
6 スパッタカソード
7 ターゲット
8 AC電源
9 ガス導入系
10 スパッタカソード
11 ターゲット
12 AC電源
13 ガス導入系
14 酸化プラズマ源
15 イオンビーム源
16 電源
17 防着板
18 防着板
22 無構造物空間
24 基材
26 無構造物空間
2 回転ドラム
3 第1成膜ゾーン
4 第2成膜ゾーン
5 酸化ゾーン
6 スパッタカソード
7 ターゲット
8 AC電源
9 ガス導入系
10 スパッタカソード
11 ターゲット
12 AC電源
13 ガス導入系
14 酸化プラズマ源
15 イオンビーム源
16 電源
17 防着板
18 防着板
22 無構造物空間
24 基材
26 無構造物空間
Claims (4)
- 真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて細長片形状のターゲットを配置できるように構成された成膜装置であって、前記ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記ターゲットと前記基材との間に、前記ターゲットの長手方向の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをTとして、半径1.5Tの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする成膜装置。
- 真空チャンバ内に、その周面に処理対象となる基材を保持するとともに回転可能に構成された円筒ドラムと、前記円筒ドラムの周面と対向する位置に、該円筒ドラムの軸方向を揃えて、同形状の細長片形状のターゲットを2個を並べて配置できるように構成された成膜装置であって、前記各ターゲットと前記基材とが最も接近する位置において、前記各ターゲットと前記基材との間に、前記各ターゲットの長手方向の中心線間の中心線を中心軸とし、前記ターゲットの短手方向の長さをTとして、半径2Tの半円筒形状の無構造物空間を設けることを特徴とする成膜装置。
- 前記半円筒形状の無構造物空間の側方に防着板を設けることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
- 前記無構造物空間は、前記ターゲットの長手方向の各端縁から外側に、更に、前記各端縁に垂直な断面形状が前記各端縁を中心とする半径Tの半円形状として規定された空間を含むことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の成膜装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03229870A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-10-11 | Optical Coating Lab Inc | 平面及び非平面の支持体上に光学的な性能を有する薄いフィルムを付着させる方法 |
JPH03253568A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-12 | Ube Ind Ltd | カルーセル形スパツタリング装置およびそのスパツタリング方法 |
JPH10330934A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-15 | Natl Res Council Of Canada | コーティングを基板上に堆積する堆積方法および堆積装置 |
JPH1171667A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Raiku:Kk | スパッタリング装置のターゲット構造 |
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-
2007
- 2007-08-02 JP JP2007202271A patent/JP2009035788A/ja active Pending
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