JP4871339B2 - スパッタリング方法 - Google Patents
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 74
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 10
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 HfO 2 Chemical class 0.000 description 1
- 229910004143 HfON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
反応容器内のウェハーホルダにウェハーを配置し、該ウェハーを回転させること、
前記ウェハーに対し、ターゲット及びカソードを傾斜させて配置すること、
前記カソードにrf発生器よりrf電流を印加すること、
前記カソードから放出されたスパッタ原子をイオン化すること、前記反応容器内にプラズマを発生させること、並びに、
前 記ウェハーが電位的に浮遊状態となるように、前記ウェハーホルダ内に設けられた下部電極を非接地、非RF接続状態、及び非DC接続状態とすること、
前記プラズマが前記rf発生器のrf電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソードの上に負の自己バイアス電圧が生成し、前記カソードから放出されたスパッタ原子をイオン化し、負バイアス電位により加速するように為し、前記ウェハー表面に作られた孔又は溝の内側表面に膜を堆積させること、
を特徴とする。
図1から図4に従って本発明の第1の実施形態が説明される。マルチカソードスパッタ成膜反応容器10の縦断面図が図1に示される。マルチカソードの配列の下面図は図2に示される。反応容器10は側壁10a、上壁10b、および底壁10cによって形成され、機密構造を有している。さらに反応容器10はターゲットとして用いられる2つまたはいくつかのカソード(例えば4つのカソード11a,11b,11c,11d)と、ウェハーホルダ12と、ウェハーホルダ12の中に組み込まれた部分である下部電極15と、反応容器10のその他の部分からカソードと下部電極15を電気的に絶縁するための絶縁物質13,14を備えている。カソードの数は好ましくは4つである。4つのカソード11a〜11dは反応容器10の上壁の内面に絶縁物質13を介して傾斜状態で固定されている。4つのカソード11a〜11dは上壁の円形外縁に沿って等しい間隔で配置されている。
図5および図6に従って本発明の第2の実施形態が説明される。第2の実施形態において、図5および図6は、それぞれ、図1および図2に対応する。第1実施形態のマルチカソードスパッタ成膜装置に比較して、第2実施形態の装置では、下部電極15に平行な中央カソード11eが追加されている。中央電極11eは、前述した傾斜カソード11a〜11dと実質的に同じ構造を有しており、同じ機能を有している。中央カソードの直径または大きさは傾斜カソードのそれと同じである必要は必ずしもない。中央カソードとこれに関連する構成に関する上記付加を除いて、他のハードウェアのすべては第1実施形態で説明されたものと同じである。それ故に、図5および図6において、第1実施形態で説明された要素と実質的に同じ要素は同じ参照番号が付されている。第2実施形態において得られる動作の方法および利点は、同様にまた、第1実施形態で説明されたものと同じである。
図7に従って本発明の第3実施形態が説明される。図7は、第2実施形態の図5に対応している。ここにおいて唯一の違いは、第2実施形態と比較すると、各カソード11a〜11eがrf電力供給部に加えてDC電力供給部31に接続されていることである。それ故に、動作の間、1つまたはすべてのカソードにrf電力に加えてDC電力が与えられる。カソードへの付加的なDC電力の応用は、その負の電圧の増加をもたらす。これはカソード11a〜11eのスパッタ速度を増加させる。DC電源31を上記のごとく追加すること以外、すべてのハードウェアは、第1または第2の実施形態で説明されたものと同じである。それ故に、図7において、第1または第2の実施形態で説明された要素と実質的に同一な要素には同じ参照番号が付されている。得られる動作の方法および利点は同様にまた第1または第2の実施形態において述べられたそれらと同じである。
11a〜11e カソード
12 ウェハーホルダ
15 下部電極
18 マグネット
19 rf発生器
Claims (3)
- 反応容器圧力を5Paより高い圧力になるように制御すること、
反応容器内のウェハーホルダにウェハーを配置し、該ウェハーを回転させること、
前記ウェハーに対し、ターゲット及びカソードを傾斜させて配置すること、
前記カソードにrf発生器よりrf電流を印加すること、
前記カソードから放出されたスパッタ原子をイオン化すること、前記反応容器内にプラズマを発生させること、並びに、
前記ウェハーが電位的に浮遊状態となるように、前記ウェハーホルダ内に設けられた下部電極を非接地、非RF接続状態、及び非DC接続状態とすること、
前記プラズマが前記rf発生器のrf電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソードの上に負の自己バイアス電圧が生成し、前記カソードから放出されたスパッタ原子をイオン化し、負バイアス電位により加速するように為し、前記ウェハー表面に作られた孔又は溝の内側表面に膜を堆積させること、
を特徴とするスパッタリング方法。 - 前記カソードは、前記rf電流に加えて、DC電流が更に供給されることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリング方法。
- 前記ターゲットはHigh−k誘電材料で形成されており、前記High−k誘電体材料は、HfSiONであることを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008263350A JP4871339B2 (ja) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | スパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008263350A JP4871339B2 (ja) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | スパッタリング方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003332605A Division JP4326895B2 (ja) | 2003-09-25 | 2003-09-25 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009030175A JP2009030175A (ja) | 2009-02-12 |
JP4871339B2 true JP4871339B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=40400983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008263350A Expired - Lifetime JP4871339B2 (ja) | 2008-10-10 | 2008-10-10 | スパッタリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4871339B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI629918B (zh) * | 2013-08-16 | 2018-07-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於高溫低壓環境中的延長的電容性耦合的電漿源 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63140077A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-11 | Sanyo Shinku Kogyo Kk | 誘電体薄膜の製造方法とその装置 |
JPH0193088A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Fujitsu Ltd | 強誘電薄膜の形成方法 |
JP2787956B2 (ja) * | 1989-09-21 | 1998-08-20 | 科学技術振興事業団 | 薄膜形成法 |
JPH07126845A (ja) * | 1993-11-05 | 1995-05-16 | Ulvac Japan Ltd | 誘電体膜の成膜方法 |
JPH10147864A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Nec Corp | 薄膜形成方法及びスパッタ装置 |
JP4344019B2 (ja) * | 1997-05-28 | 2009-10-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオン化スパッタ方法 |
JP3294166B2 (ja) * | 1997-09-22 | 2002-06-24 | 三容真空工業株式会社 | スパッタリング装置 |
JP4502540B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2010-07-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 光学多層膜干渉フィルタの作製装置および作製方法 |
JP4108354B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2008-06-25 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
-
2008
- 2008-10-10 JP JP2008263350A patent/JP4871339B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009030175A (ja) | 2009-02-12 |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
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