JPS63266071A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
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- JPS63266071A JPS63266071A JP10052087A JP10052087A JPS63266071A JP S63266071 A JPS63266071 A JP S63266071A JP 10052087 A JP10052087 A JP 10052087A JP 10052087 A JP10052087 A JP 10052087A JP S63266071 A JPS63266071 A JP S63266071A
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- substrate
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜の形成方法に関し、特に成膜時における
スパッタ蒸着装置や真空蒸着装置内に薄膜を形成する基
板を装着する方法の改良に関する。
スパッタ蒸着装置や真空蒸着装置内に薄膜を形成する基
板を装着する方法の改良に関する。
従来、複数の基板上の特定の領域に選択的に薄膜を形成
する場合第２図に示すように、基板ホルダー１に、複数
の基板２が重ならないように１枚ずつ装着し、しかる後
、個々の基板２の薄膜を彫夕装置や真空源差＠置内に設
置して被成膜基板２に薄膜の成膜を行っていた。
する場合第２図に示すように、基板ホルダー１に、複数
の基板２が重ならないように１枚ずつ装着し、しかる後
、個々の基板２の薄膜を彫夕装置や真空源差＠置内に設
置して被成膜基板２に薄膜の成膜を行っていた。
上述した従来の基板装着方法は、基板ホルダーｌに個々
の被成膜基板２が重ならないように、１枚ずつ装着する
ため、基板ホルダー１への被成膜基板２の装着効率が悪
く大量生産ができなかった。
の被成膜基板２が重ならないように、１枚ずつ装着する
ため、基板ホルダー１への被成膜基板２の装着効率が悪
く大量生産ができなかった。
このため、成膜の処理能力が劣り、費用がかかるという
欠点があった。
欠点があった。
本発明の薄膜の形成方法によれば、複数の基板に選択的
に薄膜を形成する薄膜の形成方法において、任意の基板
の薄膜を形成しない部分を他の基板で重ねるように複数
の基板を重ね合わせた状すで薄膜形成装置内に設置して
薄膜を同時に複数の基板に形成する方法が得られる。
に薄膜を形成する薄膜の形成方法において、任意の基板
の薄膜を形成しない部分を他の基板で重ねるように複数
の基板を重ね合わせた状すで薄膜形成装置内に設置して
薄膜を同時に複数の基板に形成する方法が得られる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の斜視図である。
サーマルへ、ド薄膜抵抗体の保護膜としての耐摩耗層を
成膜する方法★示す。まず基板ホルダー１上に個々のガ
ラスセラミック等の絶縁性基板２の耐摩耗層を形成しな
い部分上に、次の絶縁性基板２を重ね合わせながら装着
する。そして、最後のガラスセラミック等の絶縁性基板
２上に膜を形成しない部分に防着板３を取シ付ける。し
かる後、スバ、り装置にこの基板ホルダー１を装着し成
膜を行うことによって、サーマルへ、ドの耐摩耗層が形
成される。
成膜する方法★示す。まず基板ホルダー１上に個々のガ
ラスセラミック等の絶縁性基板２の耐摩耗層を形成しな
い部分上に、次の絶縁性基板２を重ね合わせながら装着
する。そして、最後のガラスセラミック等の絶縁性基板
２上に膜を形成しない部分に防着板３を取シ付ける。し
かる後、スバ、り装置にこの基板ホルダー１を装着し成
膜を行うことによって、サーマルへ、ドの耐摩耗層が形
成される。
次に他の実施例として、薄膜集積回路で下地の薄膜抵抗
体がＮｉ−Ｃｒ層などの層などの場合の導体（Ｎｉ
Ｃｒ／Ｐｄ／Ａｕ構成及びＴｉ／Ｐｄ／Ａｕ構成等）の
成膜にても行われ、上述した一実施例と同様に、基板ホ
ルダー１に基板２や防着板３を重ね合わせながら装着し
、導体層を形成している。
体がＮｉ−Ｃｒ層などの層などの場合の導体（Ｎｉ
Ｃｒ／Ｐｄ／Ａｕ構成及びＴｉ／Ｐｄ／Ａｕ構成等）の
成膜にても行われ、上述した一実施例と同様に、基板ホ
ルダー１に基板２や防着板３を重ね合わせながら装着し
、導体層を形成している。
以上説明したように、本発明は、基板ホルダー１に個々
の基板２や防着板３を膜の不要な部分で重ね合わせて装
着することによって、基板ホルダー１に基板を数多く設
置でき、大量生産によるコスト低減をはかることができ
る。
の基板２や防着板３を膜の不要な部分で重ね合わせて装
着することによって、基板ホルダー１に基板を数多く設
置でき、大量生産によるコスト低減をはかることができ
る。
また、薄膜パターン形成に用いられる写真蝕刻法が成膜
後の工程で不適当な場合は、本発明により、必要な部分
の成膜が簡単に得られる効果がある。
後の工程で不適当な場合は、本発明により、必要な部分
の成膜が簡単に得られる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の斜視図、第２図は、従来
の方法の斜視図である。 １・・・・・・基板ホルダー、２・・・・・・ガラス及
びセラミック等の絶縁性基板、３・・・・・・防着板。
の方法の斜視図である。 １・・・・・・基板ホルダー、２・・・・・・ガラス及
びセラミック等の絶縁性基板、３・・・・・・防着板。
Claims (1)
- 複数の基板に同時に選択的に薄膜を形成する薄膜の形成
方法において、任意の基板の前記薄膜を形成しない部分
を他の基板でおおうように前記複数の基板を重ね合わせ
た状態で薄膜形成装置内に設置して前記薄膜を形成する
ことを特徴とする薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10052087A JPS63266071A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10052087A JPS63266071A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63266071A true JPS63266071A (ja) | 1988-11-02 |
Family
ID=14276233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10052087A Pending JPS63266071A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63266071A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012017511A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Optorun Co Ltd | 成膜基板ホルダ及び成膜装置 |
| EP2573202A1 (en) | 2011-09-22 | 2013-03-27 | Shincron Co., Ltd. | Thin film forming apparatus |
| WO2013042247A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | 株式会社シンクロン | 薄膜形成装置 |
| JP2013079440A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-05-02 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP10052087A patent/JPS63266071A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012017511A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Optorun Co Ltd | 成膜基板ホルダ及び成膜装置 |
| EP2573202A1 (en) | 2011-09-22 | 2013-03-27 | Shincron Co., Ltd. | Thin film forming apparatus |
| WO2013042247A1 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | 株式会社シンクロン | 薄膜形成装置 |
| US20130074767A1 (en) * | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Shincron Co., Ltd. | Thin film forming apparatus |
| JP2013079440A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-05-02 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
| KR101287652B1 (ko) * | 2011-09-22 | 2013-07-24 | 신크론 컴퍼니 리미티드 | 박막 형성장치 |
| TWI403597B (zh) * | 2011-09-22 | 2013-08-01 | Shincron Co Ltd | A thin film forming apparatus |
| US9499897B2 (en) | 2011-09-22 | 2016-11-22 | Shincron Co., Ltd. | Thin film forming apparatus |
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