JP2732539B2 - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
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- JP2732539B2 JP2732539B2 JP1259989A JP25998989A JP2732539B2 JP 2732539 B2 JP2732539 B2 JP 2732539B2 JP 1259989 A JP1259989 A JP 1259989A JP 25998989 A JP25998989 A JP 25998989A JP 2732539 B2 JP2732539 B2 JP 2732539B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は真空成膜装置に関し、さらに詳しくは指向性
の強い成膜を行うことのできる真空成膜装置に関する。
の強い成膜を行うことのできる真空成膜装置に関する。
［従来の技術］ 従来の真空成膜装置は、第４図に示すように、成膜源
１と基板２の被成膜面とを対向させたのみの構造であっ
た。従来の典型的な成膜技術である加熱ボート蒸着、ヌ
ードセンセル蒸着、電子銃蒸着、DCおよびRFスパッタリ
ング、イオンスパッタリングなどでは、成膜速度をある
程度現実的な値にするために、その成膜源の有効径、即
ち第４図中のD2は比較的大きくとってある。各種成膜技
術の中でも成膜源の有効径が比較的小さい電子銃蒸着時
の電子銃の場合でもそのスポット径は約1cm程度であ
り、理想的な点状の源とはほど遠い。基板の径をD1とす
ると、基板上に入射する成膜物の最大入射角度差θは、 となる。この時Ｌは蒸着源と基板間の距離である（第４
図参照）。またこれは真空容器中の平均自由工程がＬよ
り十分大きい通常の情況の時を想定している。
１と基板２の被成膜面とを対向させたのみの構造であっ
た。従来の典型的な成膜技術である加熱ボート蒸着、ヌ
ードセンセル蒸着、電子銃蒸着、DCおよびRFスパッタリ
ング、イオンスパッタリングなどでは、成膜速度をある
程度現実的な値にするために、その成膜源の有効径、即
ち第４図中のD2は比較的大きくとってある。各種成膜技
術の中でも成膜源の有効径が比較的小さい電子銃蒸着時
の電子銃の場合でもそのスポット径は約1cm程度であ
り、理想的な点状の源とはほど遠い。基板の径をD1とす
ると、基板上に入射する成膜物の最大入射角度差θは、 となる。この時Ｌは蒸着源と基板間の距離である（第４
図参照）。またこれは真空容器中の平均自由工程がＬよ
り十分大きい通常の情況の時を想定している。
［発明が解決しようとする課題］ 式（１）から、蒸着源の径D2が大きいほど入射角差θ
は大きくなることがわかる。θが大きくなると、第４図
に示すように、成膜面に形成された基板上の構造物３の
側面にも膜４が成膜されてしまう。このような構造物３
の側壁に堆積する膜３は、例えばレジストステンシスに
よるリフトオフ工程やその他の指向性の強い成膜を必要
とする工程には大きな障害となる。また成膜源が理想的
な点源になっても（D2→０）、入射角θが零になるのは
基板の中心部のみであって、全基板面ではない。
は大きくなることがわかる。θが大きくなると、第４図
に示すように、成膜面に形成された基板上の構造物３の
側面にも膜４が成膜されてしまう。このような構造物３
の側壁に堆積する膜３は、例えばレジストステンシスに
よるリフトオフ工程やその他の指向性の強い成膜を必要
とする工程には大きな障害となる。また成膜源が理想的
な点源になっても（D2→０）、入射角θが零になるのは
基板の中心部のみであって、全基板面ではない。
本発明は以上述べたような従来の事情に鑑みてなされ
たもので、基板上の構造物の側壁に膜が堆積することの
ない指向性の強い成膜が可能な真空成膜装置を提供する
ことを目的とする。
たもので、基板上の構造物の側壁に膜が堆積することの
ない指向性の強い成膜が可能な真空成膜装置を提供する
ことを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、基板の被成膜面と成膜源とを対向して配置
した真空成膜装置において、成膜源と基板の間に該成膜
源の有効径よりも十分小さい開口径を有し、孔がチュー
ブ状または壁状に仕切られたコリメータを備えてなるこ
とを特徴とする真空成膜装置である。
した真空成膜装置において、成膜源と基板の間に該成膜
源の有効径よりも十分小さい開口径を有し、孔がチュー
ブ状または壁状に仕切られたコリメータを備えてなるこ
とを特徴とする真空成膜装置である。
［作用］ 本発明の作用を第３図を用いて説明する。図中、各構
成部は第４図と同じであるが、成膜源１と基板２間にコ
リメータ５が配置されている。コリメータ５は多数の垂
直な隔壁により分割されており、図のようにその隔壁間
に十分小さい開口径Ｄという距離を持っている。このよ
うな多数の隔壁間を進む成膜物は、基板に到達した時φ
という最大入射角差を持つ。コリメータの長さを成膜源
と基板間の距離Ｌとすると、 となる。Ｄ＜＜D2,D＜＜D1であるのでφ＜＜θとなる。
したがってφはコリメータを使用しない場合の最大入射
角差θよりも大変小さくなる。このように指向性の強い
成膜では、基板上の構造物の側壁にはほとんど膜の付着
は起こらない。
成部は第４図と同じであるが、成膜源１と基板２間にコ
リメータ５が配置されている。コリメータ５は多数の垂
直な隔壁により分割されており、図のようにその隔壁間
に十分小さい開口径Ｄという距離を持っている。このよ
うな多数の隔壁間を進む成膜物は、基板に到達した時φ
という最大入射角差を持つ。コリメータの長さを成膜源
と基板間の距離Ｌとすると、 となる。Ｄ＜＜D2,D＜＜D1であるのでφ＜＜θとなる。
したがってφはコリメータを使用しない場合の最大入射
角差θよりも大変小さくなる。このように指向性の強い
成膜では、基板上の構造物の側壁にはほとんど膜の付着
は起こらない。
［実施例］ 次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
実施例１ 第１図は本発明の第１の実施例の概略構成図である。
基板２の成膜面と成膜源１とは対向して配置され、その
間に複数の管６よりなるコリメータ15が備えられてい
る。管６の内径Ｄは、成膜源の有効径D2よりも十分小さ
い。
基板２の成膜面と成膜源１とは対向して配置され、その
間に複数の管６よりなるコリメータ15が備えられてい
る。管６の内径Ｄは、成膜源の有効径D2よりも十分小さ
い。
以上のように構成された真空成膜装置を用いて成膜を
行ったところ、指向性の強い成膜が可能であった。
行ったところ、指向性の強い成膜が可能であった。
また、本実施例では管６の断面は円形としたが、三
角、四角、六角等でもかまわない。
角、四角、六角等でもかまわない。
実施例２ 第２図は本発明の第２の実施例の概略構成図である。
基板２の成膜面と成膜源１とは対向して配置され、その
間に、複数の板７を距離Ｄをおいて平行に設置した平行
板を板方向が直交するように直列に２組配置したコリメ
ータ25が備えられている。板と板との距離Ｄは成膜源の
有効径D2よりも十分小さい。平行板が１組だけである
と、一つの方向には成膜物の入射角の角度分布をあまり
持たないが、その他の方向では大きな角度分布を持って
しまう。したがって第２図では２組の相互に直交した平
行板を配してコリメータ25とすることにより、すべての
方向に指向性の強い成膜ができる。
基板２の成膜面と成膜源１とは対向して配置され、その
間に、複数の板７を距離Ｄをおいて平行に設置した平行
板を板方向が直交するように直列に２組配置したコリメ
ータ25が備えられている。板と板との距離Ｄは成膜源の
有効径D2よりも十分小さい。平行板が１組だけである
と、一つの方向には成膜物の入射角の角度分布をあまり
持たないが、その他の方向では大きな角度分布を持って
しまう。したがって第２図では２組の相互に直交した平
行板を配してコリメータ25とすることにより、すべての
方向に指向性の強い成膜ができる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば指向性の強い成
膜が可能な成膜装置が得られる。また本発明で用いるコ
リメータは、現在の成膜装置に簡単に付設できるという
利点も有する。
膜が可能な成膜装置が得られる。また本発明で用いるコ
リメータは、現在の成膜装置に簡単に付設できるという
利点も有する。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例の概略
構成図、第３図は本発明の作用を説明する説明図、第４
図は従来例による真空成膜装置による成膜の説明図であ
る。 １……成膜源、２……基板 ３……基板上の構造物、４……膜 5,15,25……コリメータ、６……管 ７……板
構成図、第３図は本発明の作用を説明する説明図、第４
図は従来例による真空成膜装置による成膜の説明図であ
る。 １……成膜源、２……基板 ３……基板上の構造物、４……膜 5,15,25……コリメータ、６……管 ７……板
Claims (1)
- 【請求項１】基板の被成膜面と成膜源とを対向して配置
した真空成膜装置において、成膜源と基板の間に該成膜
源の有効径よりも十分小さい開口径を有し、孔がチュー
ブ状または壁状に仕切られたコリメータを備えてなるこ
とを特徴とする真空成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1259989A JP2732539B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1259989A JP2732539B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 真空成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123021A JPH03123021A (ja) | 1991-05-24 |
| JP2732539B2 true JP2732539B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=17341740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1259989A Expired - Fee Related JP2732539B2 (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732539B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300813A (en) * | 1992-02-26 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias |
| JPH0718423A (ja) * | 1993-07-06 | 1995-01-20 | Japan Energy Corp | 薄膜形成装置 |
| JP3717575B2 (ja) * | 1996-02-08 | 2005-11-16 | 株式会社リコー | 薄膜形成装置 |
| JP3717579B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2005-11-16 | 株式会社リコー | 巻き取り式成膜装置 |
| KR20110014442A (ko) * | 2009-08-05 | 2011-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| JP5328726B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
| JP5677785B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
| CN102959121B (zh) * | 2010-08-30 | 2014-12-31 | 夏普株式会社 | 蒸镀方法、蒸镀装置以及有机el显示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60204694A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-16 | Toshiba Corp | 分子線結晶成長装置 |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP1259989A patent/JP2732539B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03123021A (ja) | 1991-05-24 |
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Legal Events
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