CN106480404B - 一种掩膜集成框架及蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种掩膜集成框架及蒸镀装置，涉及蒸镀技术领域。能够解决蒸镀材料易于在掩膜集成框架上精细金属掩膜版与待蒸镀基板之间间隙处囤积的问题。包括设置有中空区域的中空框架，包括有掩膜图案区以及无效掩膜区的精细金属掩膜版以及第一支撑条，精细金属掩膜版和第一支撑条分别沿第一方向和第二方向跨设于中空框架的中空区域，第一支撑条用于支撑精细金属掩膜版。其中，第一方向与第二方向之间相互交叉，精细金属掩膜版与第一支撑条相交于精细金属掩膜版的无效掩膜区，第一支撑条上设置有凹槽，精细金属掩膜版与第一支撑条相交的无效掩膜区位于凹槽内，凹槽的深度大于或等于精细金属掩膜版的厚度。
Description
技术领域
本发明涉及蒸镀技术领域，尤其涉及一种掩膜集成框架及蒸镀装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板具有自发光、反应快、亮度高、轻薄等诸多优点，已经逐渐成为显示领域的主流。
OLED显示面板包括阵列排布的多个子像素单元，每一个子像素单元包括阳极、发光层和阴极，其中，发光层采用有机电致发光材料形成，目前主要采用掩膜板并通过蒸镀工艺制作在各子像素单元中。掩膜版上具有构图图案，随着屏幕PPI(Pixels Per Inch，每英寸内拥有的像素数目)的增多，掩膜版上的构图图案区域也进一步精细化，形成精细金属掩膜版(FMM Mask)。
在进行蒸镀工艺时，需要将多个精细金属掩膜版焊接在框架上制成掩膜集成框架(Mask Frame Assembly，MFA)，并将该掩膜集成框架置入蒸镀机内使用。
由于精细金属掩膜版在制作时，固定精细金属掩膜版的相对的两侧之间施加有向外的拉力使精细金属掩膜版处于拉伸状态，精细金属掩膜版即在拉伸状态下与框架焊接制成掩膜集成框架。
如图1中所示的掩膜集成框架由框架01以及焊接在框架01上的精细金属掩膜版20构成。如图2所示，为了降低焊接在框架01上的精细金属掩膜版20的悬空部分由于重力的原因而产生的下垂的问题，如图3所示，现有技术中在用于焊接精细金属掩膜版20的框架01上设置有多个支撑条03(Howling Stick)，用于对精细金属掩膜版20的悬空部分进行支撑。如图4所示，在将掩膜集成框架放入蒸镀腔室中后，在掩膜集成框架上放置待蒸镀基板02，并在待蒸镀基板02上方通过磁隔板04的磁性吸附力(如图中箭头所示的方向)，使精细金属掩膜版20与待蒸镀基板02之间紧密贴合，并在磁性吸附力的作用下进行蒸镀操作。
这样一来，如图4所示，精细金属掩膜版20受到磁隔板04的磁吸附力而向待蒸镀基板02贴近，由于精细金属掩膜版20上对应多个支撑条03的位置与待蒸镀基板02之间紧密贴合无法移动，导致精细金属掩膜版20的下垂量没有回缩空间，从而导致在框架01以及支撑条03之间的精细金属掩膜版20与待蒸镀基板02之间仍然存在较大的间隙P。在蒸镀过程中，蒸镀材料极易在间隙P位置处发生囤积，进而导致制得的OLED显示面板上容易产生横向Mura不良，影响OLED显示面板的生产良品率。
发明内容
本发明实施例提供一种掩膜集成框架及蒸镀装置，能够解决由于掩膜集成框架上精细金属掩膜版与放置在掩膜集成框架上的待蒸镀基板之间存在间隙，导致蒸镀材料易于在间隙处囤积的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种掩膜集成框架，包括中空框架，中空框架包括有中空区域。精细金属掩膜版，精细金属掩膜版上包括有掩膜图案区以及包围掩膜图案区的无效掩膜区，精细金属掩膜版相对的两端固定在中空框架上，精细金属掩膜版沿第一方向跨设于中空框架的中空区域。第一支撑条，第一支撑条的两端设置在中空框架上，且第一支撑条沿第二方向跨设于中空框架的中空区域，用于支撑精细金属掩膜版。其中，第一方向与第二方向之间相互交叉，精细金属掩膜版与第一支撑条相交于精细金属掩膜版的无效掩膜区，第一支撑条上设置有凹槽，精细金属掩膜版与第一支撑条相交的无效掩膜区位于凹槽内，凹槽的深度大于或等于精细金属掩膜版的厚度。
优选的，第一支撑条与精细金属掩膜版均固定在中空框架的上表面。
优选的，凹槽的边缘与位于凹槽的精细金属掩膜版之间留有空隙。
进一步的，精细金属掩膜版为矩形，第二方向与第一方向相互垂直。
优选的，第一支撑条设置有至少两条，相邻两条第一支撑条之间相互平行。
进一步的，精细金属掩膜版设置有至少两个，相邻两个精细金属掩膜版之间相互平行。
进一步的，掩膜集成框架还包括用于对第一支撑条进行支撑加固的第二支撑条，第二支撑条的两端设置在中空框架上，第二支撑条沿第三方向跨设于中空框架的中空区域且与精细金属掩膜版间隔设置。
优选的，第三方向与第二方向相互垂直。
进一步的，当精细金属掩膜版设置有至少两个时，第二支撑条设置在相邻两个精细金属掩膜版之间，且第二支撑条的宽度大于或等于相邻两个精细金属掩膜版之间间隙的宽度。当第二支撑条的宽度大于相邻两个精细金属掩膜版之间间隙的宽度时，第二支撑条与相邻两个精细金属掩膜版的无效掩膜区部分在中空框架所在的平面内的正投影有重叠。
本发明实施例的另一方面，提供一种蒸镀装置，包括蒸镀腔室，以及设置在蒸镀腔室内的磁隔板和蒸镀源，还包括上述任一项的掩膜集成框架。
本发明实施例提供一种掩膜集成框架，包括中空框架，中空框架包括有中空区域。精细金属掩膜版，精细金属掩膜版上包括有掩膜图案区以及包围掩膜图案区的无效掩膜区，精细金属掩膜版相对的两端固定在中空框架上，精细金属掩膜版沿第一方向跨设于中空框架的中空区域。第一支撑条，第一支撑条的两端设置在中空框架上，且第一支撑条沿第二方向跨设于中空框架的中空区域，用于支撑精细金属掩膜版。其中，第一方向与第二方向之间相互交叉，精细金属掩膜版与第一支撑条相交于精细金属掩膜版的无效掩膜区，第一支撑条上设置有凹槽，精细金属掩膜版与第一支撑条相交的无效掩膜区位于凹槽内，凹槽的深度大于或等于精细金属掩膜版的厚度。精细金属掩膜版和第一支撑条分别沿第一方向和第二方向设置在中空框架上，且第一方向与第二方向之间相互交叉，且相交于精细金属掩膜版的无效掩膜区，以使得第一支撑条能够在不遮挡掩膜蒸镀的前提下对精细金属掩膜版的悬空部分在重力作用下的下垂量进行支撑，第一支撑条上设置有凹槽，凹槽的深度大于等于精细金属掩膜版的厚度，精细金属掩膜版与第一支撑条相交的无效掩膜区位于凹槽内，以使得在将精细金属掩膜版吸附于待蒸镀基板上时，精细金属掩膜版各处受到向上的磁吸力，精细金属掩膜版的悬空部分在磁吸力的作用下向上运动，并且在凹槽内能够沿拉伸方向的反方向发生一定范围内的回缩形变，以减小精细金属掩膜版的悬空部分与待蒸镀基板之间的间隙，从而在蒸镀过程中减小蒸镀材料在间隙处的囤积混色，进而降低蒸镀基板发生横向Mura不良的几率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术的掩膜集成框架的结构示意图；
图2为图1的A-A剖视图；
图3为现有技术中设置有支撑条的掩膜集成框架的结构示意图；
图4为图3的A-A剖视图；
图5为本发明实施例提供的一种掩膜集成框架的结构示意图；
图6为图5的B-B剖视图一；
图7为图5中设置有磁隔板和带蒸镀基板的A-A剖视图；
图8为图5的B-B剖视图二；
图9a为本发明实施例提供的一种掩膜集成框架中精细金属掩膜版与第一支撑条的一种设置方式示意图；
图9b为本发明实施例提供的一种掩膜集成框架中精细金属掩膜版与第一支撑条的另一种设置方式示意图；
图10为本发明实施例提供的一种掩膜集成框架中设置有两个第一支撑条的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种掩膜集成框架中还设置有第二支撑条的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种掩膜集成框架中第二支撑条的宽度大于或等于相邻两个精细金属掩膜版之间间隙宽度的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的一种蒸镀装置的结构示意图。
附图标记：
01-框架；02-待蒸镀基板；03-支撑条；04-磁隔板；05-蒸镀腔室；06-蒸镀源；07-掩膜集成框架；10-中空框架；20-精细金属掩膜版；30-第一支撑条；31-凹槽；40-第二支撑条；C-掩膜图案区；D，D＇-无效掩膜区；E-凹槽的边缘与位于凹槽内的精细金属掩膜版之间的空隙；F-第二支撑条的宽度；H-相邻两个精细金属掩膜版之间间隙的宽度；I-第一方向；J-第二方向；K-第三方向；P-精细金属掩膜版与待蒸镀基板之间的间隙；T-凹槽深度；W-精细金属掩膜版厚度；X-中空区域；α-第一方向与第二方向之间的夹角。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种掩膜集成框架，如图5所示，包括中空框架10，中空框架10包括有中空区域X。精细金属掩膜版20，精细金属掩膜版20上包括有掩膜图案区C以及包围掩膜图案区的无效掩膜区D，精细金属掩膜版20相对的两端固定在中空框架10上，精细金属掩膜版20沿第一方向I跨设于中空框架10的中空区域X。第一支撑条30，第一支撑条30的两端设置在中空框架10上，且第一支撑条30沿第二方向J跨设于中空框架10的中空区域X，用于支撑精细金属掩膜版20。其中，第一方向I与第二方向J之间相互交叉，精细金属掩膜版20与第一支撑条30相交于精细金属掩膜版20的无效掩膜区D。如图6所示，第一支撑条30上设置有凹槽31，精细金属掩膜版20与第一支撑条30相交的无效区D位于凹槽31内，凹槽31的深度T大于或等于精细金属掩膜版20的厚度W。
需要说明的是，第一，如图5所示，中空框架10通常为矩形框架，在矩形框架的中心设置有同为矩形的中空区域X。但是本发明中对中空框架10以及中空框架10上设置的中空区域X的形状不做具体限定，中空框架10以及中空框架10上设置的中空区域X可以根据待蒸镀基板所需蒸镀的形状进行具体设置，只要保证中空框架10形成一个首尾相接的封闭环形，将中空区域X包围即可。
第二，如图5所示，精细金属掩膜版20通常为长条形的金属薄片，在精细金属掩膜版20上包括有多个掩膜图案区C，每一个掩膜图案区C的四周由无效掩膜区D包围，精细金属掩膜版20上除掩膜图案区C以外的部分均为无效掩膜区D。在进行蒸镀操作时，蒸镀材料透过精细金属掩膜版20上的掩膜图案区C附着在待蒸镀基板上的对应位置，以在待蒸镀基板上形成所需的图案。因此，对精细金属掩膜版20进行固定的两固定端以及第一支撑条30对精细金属掩膜版20的支撑点均应设置在无效掩膜区D内，以避免影响蒸镀操作时，在待蒸镀基板上的图案形成。
第三，第一支撑条30跨设于中空框架10的中空区域X，且用于对精细金属掩膜版20进行支撑，因此，第一支撑条30必须设置于精细金属掩膜版20的下方，并且至少与精细金属掩膜版20的垂直投影之间有部分重叠，这样一来，当精细金属掩膜版20由于重力原因产生下垂变形时，下垂的部分即搁置于第一支撑条30与精细金属掩膜版20的垂直投影重叠的位置，得到第一支撑条30的支撑，以降低重力下垂的形变量。
第四，当中空框架10为矩形框时，如图5所示，沿第一方向I设置的精细金属掩膜版20，两固定端分别固定于中空框架10上相对的两侧；沿第二方向J设置的第一支撑条30，两固定端固定在中空框架10上除固定精细金属掩膜版20以外剩余的两侧，则第一方向I与第二方向J之间形成相互交叉的状态。此处所说的相互交叉，包括精细金属掩膜版20与第一支撑条30之间在交叉位置相接触的情形，还包括精细金属掩膜版20与第一支撑条30之间不相接触，但精细金属掩膜版20的正投影与第一支撑条30的正投影相互交叉的情形。又例如，当中空框架10为多边形时，则不限于上述的设置方式，只要保证精细金属掩膜版20的两固定端与第一支撑条30的两固定端分别与中空框架10的不同侧边固定，并且第一方向I与第二方向J之间有交叉点，使得第一支撑条30能够对精细金属掩膜版20的下垂量进行支撑即可。另外，第一方向I与第二方向J之间相互交叉也可以理解成第一方向I与第二方向J所在的直线相互交叉，同样第三方向K与第二方向J相互垂直也可以理解成第三方向K与第二方向J所在直线相互垂直，本领域技术人员能够理解精细金属掩膜版20在跨设方向上与第一支撑条的跨设方向之间是相互交叉即可。
第五，如图7所示，只有满足凹槽31的深度T大于或等于精细金属掩膜版20的厚度W，当磁隔板04的磁吸附力吸附精细金属掩膜版20向上与待蒸镀基板02贴近，直至精细金属掩膜版20的两固定端与待蒸镀基板02紧密贴合的过程中，第一支撑条30也同时向上与待蒸镀基板02贴近，由于精细金属掩膜版20位于凹槽31内，凹槽31的上表面对精细金属掩膜版20的重力下垂变形部分具有向上的推力，上推力抵消掉精细金属掩膜版20的一部分重力，精细金属掩膜版20上向两侧拉伸的力(如图7中虚线箭头所示(能够使得重力下垂变形程度恢复一部分。由于精细金属掩膜版20对应凹槽31的位置在凹槽31的上表面与待蒸镀基板02的下表面之间仍然留有间隙，精细金属掩膜版20对应凹槽31的位置能够在拉伸力的作用下产生横向的移动。当凹槽31的深度T等于精细金属掩膜版20的厚度W时，精细金属掩膜版20对应凹槽31的位置在拉伸力的作用下移动需要首先克服与凹槽31上表面之间的摩擦阻力，这样会使得一部分的拉伸力被摩擦阻力抵消，从而减小精细金属掩膜版20下垂变形的恢复量，而若凹槽31的深度T大于精细金属掩膜版20的厚度W过多，则凹槽31的上表面对精细金属掩膜版20的上推力较小，无法使下垂变形产生恢复。因此，如图7所示，较为优选的，需要使凹槽31的深度T略大于精细金属掩膜版20的厚度W。
本发明实施例提供一种掩膜集成框架，包括中空框架，中空框架包括有中空区域。精细金属掩膜版，精细金属掩膜版上包括有掩膜图案区以及包围掩膜图案区的无效掩膜区，精细金属掩膜版相对的两端固定在中空框架上，精细金属掩膜版沿第一方向跨设于中空框架的中空区域。第一支撑条，第一支撑条的两端设置在中空框架上，且第一支撑条沿第二方向跨设于中空框架的中空区域，用于支撑精细金属掩膜版。其中，第一方向与第二方向之间相互交叉，精细金属掩膜版与第一支撑条相交于精细金属掩膜版的无效掩膜区，第一支撑条上设置有凹槽，精细金属掩膜版与第一支撑条相交的无效掩膜区位于凹槽内，凹槽的深度大于或等于精细金属掩膜版的厚度。精细金属掩膜版和第一支撑条分别沿第一方向和第二方向设置在中空框架上，且第一方向与第二方向之间相互交叉，且相交于精细金属掩膜版的无效掩膜区，以使得第一支撑条能够在不遮挡掩膜蒸镀的前提下对精细金属掩膜版的悬空部分在重力作用下的下垂量进行支撑，第一支撑条上设置有凹槽，凹槽的深度大于等于精细金属掩膜版的厚度，精细金属掩膜版与第一支撑条相交的无效掩膜区位于凹槽内，以使得在将精细金属掩膜版吸附于待蒸镀基板上时，精细金属掩膜版各处受到向上的磁吸力，精细金属掩膜版的悬空部分在磁吸力的作用下向上运动，并且在凹槽内能够沿拉伸方向的反方向发生一定范围内的回缩形变，以减小精细金属掩膜版的悬空部分与待蒸镀基板之间的间隙，从而在蒸镀过程中减小蒸镀材料在间隙处的囤积混色，进而降低蒸镀基板发生横向Mura不良的几率。
优选的，如图5所示，第一支撑条30与精细金属掩膜版20均固定在中空框架10的上表面。
由于掩膜集成框架上的精细金属掩膜版20通常是在两端拉伸的状态下焊接固定在中空框架10上，以使得精细金属掩膜版20在中空框架10上具有向两固定端方向的拉伸力，因此，将精细金属掩膜版20焊接在中空框架10的上表面，如图7中黑色实体填充的部分所示，能够尽量增大焊点面积，进一步提高精细金属掩膜版20与中空框架10之间固定的稳定性。
其中，精细金属掩膜版20也可以焊接固定在中空框架10的内侧壁上，但是这样的焊接方式加工工艺难度较大，不易实现，而且焊接在中空框架10的内侧壁时，精细金属掩膜版20的两端需要向竖直方向弯折，弯折面与中空框架10的内侧壁之间焊接，由于在蒸镀装置的蒸镀过程中，精细金属掩膜版20承担自身重力以及贴合在精细金属掩膜版20之上的待蒸镀基板02的重力均为竖直方向的力，焊接固定的方向与受力方向同向，因此焊点容易撕裂(焊接固定方向与受力方向相互垂直时，焊点较为牢固不易撕裂)，进而发生焊点脱焊而导致精细金属掩膜版20脱落的问题。
同样的，如图5所示，在焊接精细金属掩膜版20之前，第一支撑条30在中空框架10上的优选的固定方式也为焊接固定在中空框架10的上表面上。
此外，由于第一支撑条30无需在拉伸状态下固定在中空框架10上，因此，当第一支撑条30具有足够的强度能够对精细金属掩膜版20进行支撑的情况下，还可以通过其他固定方式将第一支撑条30固定设置于中空框架10的内侧壁上。例如，通过螺纹紧固连接的方式对第一支撑条30进行固定。具体的，增加第一支撑条30的厚度以提高第一支撑条30的支撑能力，并在第一支撑条30的两固定端分别加工螺纹孔，在中空框架10对应第一支撑条30两固定端的内侧壁上加工有置入槽，将第一支撑条30两固定端分别插入置入槽中并通过螺纹紧固连接件进行固定连接。其中，螺纹紧固连接件可以从中空框架10的上表面、下表面或者侧面打孔伸入与螺纹孔紧固连接。此处对于第一支撑条30的固定连接方式仅为举例说明，本发明对第一支撑条30的固定连接方式不做具体限定，只要能够保证第一支撑条30对精细金属掩膜版20的支撑作用且不影响蒸镀，本领域技术人员可以根据现有技术进行固定方式的其他常规设计。
为了减小位于凹槽31内的精细金属掩膜版20在受到其两端拉伸力的作用下而发生移动时与凹槽31的侧壁之间的摩擦阻力，优选的，如图8所示，凹槽31的边缘与位于凹槽31的精细金属掩膜版20之间留有空隙E。
这样一来，精细金属掩膜版20在受到磁隔板04的磁吸附力而向上移动与待蒸镀基板02贴近的过程中，位于凹槽31内的精细金属掩膜版20在凹槽31内具有足够的自由移动的空间，在拉伸力的作用下恢复下垂变形量时，精细金属掩膜版20在凹槽31内的移动也不会受到与凹槽31的侧壁之间的摩擦阻力的影响，从而降低摩擦阻力对精细金属掩膜版20下垂变形恢复程度的阻碍，提高了精细金属掩膜版20下垂变形量的恢复程度。
进一步的，如图5所示，精细金属掩膜版20的形状均为矩形，第二方向J与第一方向I相互垂直。
如图5所示，通常情况下，精细金属掩膜版20的形状为矩形，与第一方向I交叉设置的第二方向J上所跨设的第一支撑条30，设置于精细金属掩膜版20的相邻两个掩膜图案区C之间的无效掩膜区D位置。
如图9a所示，若第二方向J与第一方向I间的夹角α小于90°，该夹角α的角度越小，为了避免第一支撑条30与精细金属掩膜版20相交于精细金属掩膜版20的掩膜图案区C内而影响待蒸镀基板的蒸镀效果，精细金属掩膜版20上相邻两个掩膜图案区C之间的无效掩膜区D＇(如图中虚线框所示)则必须增大，当精细金属掩膜版20上设置有多个掩膜图案区C时，增大无效掩膜区D＇则必然会减少掩膜图案区C的设置，从而使得单次蒸镀的蒸镀效率降低。
如图9b所示，当第二方向J与第一方向I相互垂直时，其夹角α等于90°。此时精细金属掩膜版20上相邻两个掩膜图案区C之间的无效掩膜区D＇(如图中虚线框所示)可以设置的最小，仅略大于第一支撑条30的宽度即可，这样一来，能够减小无效掩膜区D＇的设置空间，从而增加精细金属掩膜版20上掩膜图案区C的设置密度，提高使用精细金属掩膜版20的单次蒸镀效率。
优选的，第一支撑条30设置有至少两条，如图10所示，第一支撑条30设置有两条，相邻两条第一支撑条30之间相互平行。
这样一来，如图10所示，两条第一支撑条30均布且相互平行的设置在精细金属掩膜版20上相邻两个掩膜图案区C之间的无效掩膜区D位置处，以对精细金属掩膜版20进行支撑，从而进一步提高第一支撑条30对精细金属掩膜版20的支撑作用。相邻两条第一支撑条30之间相互平行，分别设置在不同的无效掩膜区D处，不会增加相邻两个掩膜图案区C之间的无效掩膜区D的空间，因此不会对待蒸镀基板的蒸镀造成影响。
进一步的，精细金属掩膜版20设置有至少两个，如图10所示，精细金属掩膜版20设置有两个，相邻两个精细金属掩膜版20之间相互平行。
如图10所示，为了对中空框架10的中空区域X进行充分利用，以提高单次蒸镀的蒸镀效率，精细金属掩膜版20需要在中空区域X内尽量密集设置，使相邻两个精细金属掩膜版20之间相互平行，能够尽可能提高精细金属掩膜版20在中空区域X内的设置数量，有效利用中空区域X的空间，并且避免相邻精细金属掩膜版20之间发生部分交叠而影响待加工基板上的蒸镀效果。
进一步的，如图11所示，掩膜集成框架还包括用于对第一支撑条30进行支撑加固的第二支撑条40，第二支撑条40的两端设置在中空框架10上，第二支撑条40沿第三方向K跨设于中空框架10的中空区域X且与精细金属掩膜版20间隔设置。
需要说明的是，本发明中对于第二支撑条40在中空框架10上的具体设置位置、设置方式均不做限定，第二支撑条40设置在中空框架10的上表面、下表面或内侧壁均可，通过焊接、粘贴、螺纹紧固连接等方式均可。
如图11所示，第二支撑条40固定连接在中空框架10的上表面且设置在第一支撑条30以下，以对第一支撑条30起到进一步加固的作用。第二支撑条40跨设于中空框架10的中空区域X且与精细金属掩膜版20间隔设置，以使得第二支撑条40的设置位置避开精细金属掩膜版20的掩膜图案区C，避免在蒸镀过程中对精细金属掩膜版20的蒸镀图案造成遮挡。
优选的，如图11所示，第三方向K与第二方向J相互垂直。
这样一来，一方面能够提高第二支撑条40对第一支撑条30的加固能力，另一方面，由于第二方向J与第一方向I相互垂直，第三方向K与第二方向J相互垂直则与第一方向I相互平行，这样能够减小第二支撑条40对相邻两个第二金属掩膜版20之间空间的占用。
进一步的，如图12所示，当精细金属掩膜版20设置有至少两个时，第二支撑条40设置在相邻两个精细金属掩膜版20之间，且第二支撑条40的宽度F大于或等于相邻两个精细金属掩膜版20之间间隙的宽度H。当第二支撑条40的宽度F大于相邻两个精细金属掩膜版20之间间隙的宽度H时，第二支撑条40与相邻两个精细金属掩膜版20的无效掩膜区D部分在中空框架10所在的平面内的正投影有重叠。
这样一来，设置在相邻两个精细金属掩膜版20之间的第二支撑条40能够由精细金属掩膜版20的下表面覆盖相邻两个精细金属掩膜版20之间的空间。在通过本发明的掩膜集成框架对待蒸镀基板进行掩膜蒸镀时，蒸镀源上激发出的蒸镀材料透过精细金属掩膜版20上掩膜图案区C的可透过部分附着在待蒸镀基板的下表面上，由于在在相邻两个精细金属掩膜版20之间设置有第二支撑条40，且第二支撑条40的宽度F大于等于相邻两个精细金属掩膜版20之间间隙的宽度H，因此，第二支撑条40对相邻两个精细金属掩膜版20之间间隙起到了阻挡的作用，降低了蒸镀源上激发出的蒸镀材料囤积在待蒸镀基板对应相邻两个精细金属掩膜版20之间间隙位置处的可能性，提高了待蒸镀基板的蒸镀准确性。
此外，如图12所示，当第二支撑条40的宽度F大于相邻两个精细金属掩膜版20之间间隙的宽度H时，第二支撑条40在中空框架10所在的平面内的正投影仅与相邻两个精细金属掩膜版20的无效掩膜区D部分在中空框架10所在的平面内的正投影重叠，从而不会遮挡精细金属掩膜版20的掩膜图案区C，即不会对待蒸镀基板上的蒸镀图案造成影响。
本发明实施例的另一方面，提供一种蒸镀装置，如图13所示，包括蒸镀腔室05，以及设置在蒸镀腔室05内的磁隔板04和蒸镀源06，还包括上述任一项的掩膜集成框架07。
如图13所示，将本发明中的掩膜集成框架07放置入蒸镀装置的蒸镀腔室05内，将待蒸镀基板02放置在掩膜集成框架07上，首先通过磁隔板04对掩膜集成框架07进行吸附，如图8所示，由于在第一支撑条30上对应精细金属掩膜版20的位置处设置有凹槽31，精细金属掩膜版20在磁隔板04的吸附力的作用下能够恢复一部分由重力产生的下垂形变，从而尽可能的缩小掩膜集成框架07与待蒸镀基板02之间的间隙。在此情况下在蒸镀腔室05内对待蒸镀基板02进行蒸镀，能够尽可能降低蒸镀源06激发出的蒸镀材料在掩膜集成框架07与待蒸镀基板02之间的间隙处的囤积，从而减轻制得的OLED显示面板上横向Mura不良的产生，提高OLED显示面板的生产良品率。
在以上对于掩膜集成框架07的具体设置方式及工作过程的说明中，已经对蒸镀装置及其蒸镀过程进行了详细的说明，此处不再进行赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种掩膜集成框架，其特征在于，包括：
中空框架，所述中空框架包括有中空区域；
精细金属掩膜版，所述精细金属掩膜版上包括有掩膜图案区以及包围所述掩膜图案区的无效掩膜区，所述精细金属掩膜版相对的两端固定在所述中空框架上，所述精细金属掩膜版沿第一方向跨设于所述中空框架的中空区域；
第一支撑条，所述第一支撑条的两端设置在所述中空框架上，且所述第一支撑条沿第二方向跨设于所述中空框架的中空区域，用于支撑所述精细金属掩膜版；
其中，所述第一方向与所述第二方向之间相互交叉，所述精细金属掩膜版与所述第一支撑条相交于所述精细金属掩膜版的无效掩膜区，所述第一支撑条上设置有凹槽，所述精细金属掩膜版与所述第一支撑条相交的无效掩膜区位于所述凹槽内，所述凹槽的深度大于或等于所述精细金属掩膜版的厚度；
所述中空框架为矩形。
2.根据权利要求1所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述第一支撑条与所述精细金属掩膜版均固定在所述中空框架的上表面。
3.根据权利要求1或2所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述凹槽的边缘与位于所述凹槽的所述精细金属掩膜版之间留有空隙。
4.根据权利要求1所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述精细金属掩膜版为矩形，所述第二方向与所述第一方向相互垂直。
5.根据权利要求1所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述第一支撑条设置有至少两条，相邻两条所述第一支撑条之间相互平行。
6.根据权利要求1所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述精细金属掩膜版设置有至少两个，相邻两个所述精细金属掩膜版之间相互平行。
7.根据权利要求1或6所述的掩膜集成框架，其特征在于，还包括用于对所述第一支撑条进行支撑的第二支撑条，所述第二支撑条的两端设置在所述中空框架上，所述第二支撑条沿第三方向跨设于所述中空框架的中空区域且与所述精细金属掩膜版间隔设置。
8.根据权利要求7所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述第三方向与所述第二方向相互垂直。
9.根据权利要求8所述的掩膜集成框架，其特征在于，当所述精细金属掩膜版设置有至少两个时，所述第二支撑条设置在相邻两个所述精细金属掩膜版之间，且所述第二支撑条的宽度大于或等于相邻两个所述精细金属掩膜版之间间隙的宽度；
当所述第二支撑条的宽度大于相邻两个所述精细金属掩膜版之间间隙的宽度时，所述第二支撑条与相邻两个所述精细金属掩膜版的无效掩膜区部分在所述中空框架所在的平面内的正投影有重叠。
10.一种蒸镀装置，包括蒸镀腔室，以及设置在所述蒸镀腔室内的磁隔板和蒸镀源，其特征在于，还包括上述权利要求1-9任一项所述的掩膜集成框架。
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