CN108149192B - 一种金属掩膜版及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种金属掩膜版及其制造方法,涉及金属掩膜技术领域,为解决因金属掩膜容易发生褶皱而造成在基板蒸镀形成的膜层的良率降低的问题。该金属掩膜版包括:框架;多个支撑条,其中部分支撑条沿第一方向跨设于框架的中空区,其余部分支撑条沿第二方向跨设于框架的中空区,以构成支撑网;支撑条的两端分别与框架连接;多个金属掩膜,金属掩膜位于支撑条上方,金属掩膜沿第一方向跨设于框架的中空区,金属掩膜沿第一方向的两侧分别与框架连接,多个金属掩膜沿着第二方向依次排列;其中,沿第一方向设置的支撑条上或/和沿第二方向设置的支撑条上设置有材质去除部,使支撑网的弹性形变大于或等于金属掩膜的弹性形变。
Description
技术领域
本发明涉及金属掩膜技术领域,尤其涉及一种金属掩膜版及其制造方法。
背景技术
目前,显示面板的制造过程中,通常会采用蒸镀工艺制造显示面板中的功能膜层,例如,在有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板的制造过程中,通常采用蒸镀工艺形成OLED显示面板中OLED器件的有机发光层。采用蒸镀工艺制造显示面板中的膜层时,通常将具有对应于膜层图案的掩膜版与显示面板的基板上待蒸镀的一侧贴合,并置于蒸镀源上方,蒸镀源中的蒸镀材料受热形成蒸气散至基板上,并沉积在基板上,以在基板上形成膜层。
现有的掩膜版通常采用金属掩膜版,该金属掩膜版通常包括框架、多个支撑条和多个金属掩膜,其中,框架的中部为中空区,即框架的平面结构呈“回”字结构;多个支撑条中,其中部分支撑条沿第一方向跨设于框架的中空区,其余部分支撑条沿第二方向跨设于框架的中空区,支撑条的两端分别与框架连接,沿第一方向设置的多个支撑条和沿第二方向设置的多个支撑条相互交叉设置构成支撑网,金属掩膜沿着第一方向跨设于框架的中空区,且多个金属掩膜沿着第二方向依次设置,支撑网共同支撑金属掩膜,并对相邻的两个金属掩膜之间的区域进行遮挡。
上述金属掩膜版中,金属掩膜包括掩膜图案区和环绕掩膜图案区的无效掩膜区,掩膜图案区经刻蚀形成与待形成的膜层的图案相同的图案,无效掩膜区也会刻蚀形成一定的图案,以减小金属掩膜的内应力,而金属掩膜通常为厚度较薄但面积相对较大的平面结构,因此,金属掩膜的弹性形变通常较大,而多个支撑条和多个遮蔽条构成支撑网的弹性形变通常因多个支撑条和多个遮蔽条的相互作用而较小,将上述金属掩膜版应用于蒸镀设备中,在基板上形成功能膜层时,请参阅图1,金属掩膜版10位于基板20的下方,金属掩膜14位于基板20与支撑网13之间,基板20在重力作用下下垂,对金属掩膜14施加力,使金属掩膜14拉伸,支撑网13由于弹性形变较小而拉伸量较小,当基板20上方的磁力吸附装置吸附金属掩膜版10,以使金属掩膜版10与基板20贴合时,金属掩膜14在基板20与支撑网13的相互挤压下容易发生褶皱,造成在基板20上蒸镀形成的膜层的良率降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种金属掩膜版,用于解决因金属掩膜容易发生褶皱而造成在基板蒸镀形成的膜层的良率降低的技术问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种金属掩膜版,包括:
框架,所述框架的中部为中空区;
呈板条状的多个支撑条,其中部分所述支撑条沿第一方向跨设于所述框架的中空区,其余部分所述支撑条沿第二方向跨设于所述框架的中空区,以构成支撑网;所述支撑条的两端分别与所述框架连接;所述第一方向与所述第二方向交叉;
多个金属掩膜,所述金属掩膜位于所述支撑条上方,所述金属掩膜沿所述第一方向跨设于所述框架的中空区,所述金属掩膜沿所述第一方向的两侧分别与所述框架连接,多个所述金属掩膜沿着所述第二方向依次排列;沿所述第一方向设置的所述支撑条与相邻的两个所述金属掩膜之间的区域对应,沿所述第二方向设置的所述支撑条与所述金属掩膜中相邻的两个掩膜图案区之间的无效掩膜区对应;
其中,沿所述第一方向设置的所述支撑条上或/和沿所述第二方向设置的所述支撑条上设置有材质去除部,使所述支撑网的弹性形变大于或等于所述金属掩膜的弹性形变。
可选的,所述材质去除部为贯穿所述支撑条的厚度的通孔,所述通孔与所述金属掩膜上的贯通孔不重叠。
可选的,所述材质去除部为不贯穿所述支撑条的厚度的半刻蚀结构,所述半刻蚀结构位于所述支撑条背向所述金属掩膜的一侧。
可选的,所述支撑条上包括至少一个呈凹槽结构的半刻蚀结构,所述凹槽结构沿所述支撑条的长度方向延伸,所述凹槽结构的宽度为所述支撑条的宽度的10%~90%;所述支撑条上包括多个呈凹槽结构的半刻蚀结构时,相邻的两个所述凹槽结构之间的槽楞的宽度为所述凹槽结构的宽度的10%~150%;
或/和,
所述支撑条上包括至少一个呈凹坑结构的半刻蚀结构,所述凹坑结构的直径为所述支撑条的宽度的0.05%~10%;
或/和,
所述支撑条上包括至少一个由相互交叉的多个凹槽构成的呈网状结构的半刻蚀结构,所述网状结构的网格为凸起。
可选的,所述半刻蚀结构在所述支撑条的厚度方向上的深度小于或等于所述支撑条的厚度的二分之一。
可选的,沿所述支撑条的长度方向,所述支撑条包括两个材质保留区和位于两个所述材质保留区之间的材质去除区,所述材质去除部位于所述材质去除区内,所述材质保留区沿所述支撑条的长度方向的长度大于或等于所述支撑条的宽度的5%。
可选的,所述支撑条的厚度为20μm~200μm;所述支撑条的宽度为2mm~30mm。
可选的,所述支撑条的材料的弹性系数大于或等于因瓦合金的弹性系数。
可选的,所述材质去除部的总面积为所述支撑条的面积的50%~90%。
在本发明提供的金属掩膜版中,由于在沿第一方向设置的支撑条上或/和沿第二方向设置的支撑条上设置材质去除部,以将支撑条上与该材质去除部对应的部位的材质去除,以降低支撑条的强度,增加支撑条的弹性形变,从而增加沿第一方向设置的多个支撑条与沿第二方向设置的多个支撑条相互交叉构成的支撑网的弹性形变,使得支撑网的弹性形变大于或等于金属掩膜的弹性形变,当将本发明提供的金属掩膜版应用于蒸镀设备中,在基板上形成功能膜层时,金属掩膜版位于基板的下方,金属掩膜位于基板与支撑网之间,金属掩膜在基板因重力作用下垂时的作用下会被拉伸,蒸镀设备中基板上方的磁力吸附装置吸附金属掩膜版,使金属掩膜版与基板贴合时,由于支撑网的弹性形变大于或等于金属掩膜的弹性形变,因而在支撑网与基板之间会形成足够空间来容纳金属掩膜,使得金属掩膜在支撑网与基板之间保持平展,防止金属掩膜产生褶皱,从而改善后续在基板上蒸镀形成的膜层的良率。
本发明的目的在于提供一种金属掩膜版的制造方法,用于解决因金属掩膜容易发生褶皱而造成在基板蒸镀形成的膜层的良率降低的技术问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种如上述技术方案所述的金属掩膜版的制造方法,包括:
提供中部为中空区的框架;
提供多个支撑条,并采用半刻蚀工艺或/和全刻蚀工艺在至少部分所述支撑条上形成材质去除部;
将其中部分所述支撑条沿第一方向跨设于所述框架的中空区,将其余部分所述支撑条沿第二方向跨设于所述框架的中空区,所述支撑条的两端分别与所述框架连接;所述第一方向与所述第二方向交叉;
将金属掩膜沿所述第一方向跨设于所述框架的中空区,且所述金属掩膜沿所述第一方向的两侧分别与所述框架连接,并将多个所述金属掩膜沿第二方向依次排列;沿所述第一方向设置的所述支撑条与相邻的两个所述金属掩膜之间的区域对应,沿所述第二方向设置的所述支撑条与所述金属掩膜中相邻的两个掩膜图案区之间的无效掩膜区对应。
所述金属掩膜版的制造方法与上述金属掩膜版相对于现有技术所具有的优势相同,在此不再赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为现有技术中金属掩膜版与基板贴合时的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的金属掩膜版的爆炸示意图;
图3为本发明实施例中支撑条的结构示意图一;
图4为图3中支撑条上的通孔与金属掩膜上对应于该支撑条的部位的贯通孔的位置关系图;
图5为本发明实施例中支撑条的结构示意图二;
图6为图5中A-A向视图;
图7为本发明实施例中支撑条的结构示意图三;
图8为图7中B-B向视图;
图9为本发明实施例中支撑条的结构示意图四;
图10为图9中C-C向视图;
图11为本发明实施例中支撑条的结构示意图五;
图12为图11中D向视图;
图13为本发明实施例中支撑条的结构示意图六;
图14为图13中E向视图;
图15为本发明实施例中支撑条的结构示意图七;
图16为图15中F向视图;
图17为本发明实施例提供的金属掩膜版的制造方法的流程图。
附图标记:
10-金属掩膜版, 11-框架,
12-支撑条, 121-材质去除区,
122-材质保留区, 123-通孔,
124-凹槽结构, 125-槽楞,
126-凹坑结构, 127-网状结构,
128-网格, 13-支撑网,
14-金属掩膜, 141-贯通孔,
20-基板, I-第一方向,
J-第二方向。
具体实施方式
为了进一步说明本发明实施例提供的金属掩膜版及其制造方法,下面结合说明书附图进行详细描述。
请参阅图2至图16,本发明实施例提供的金属掩膜版10包括:框架11,所述框架11的中部为中空区;呈板条状的多个支撑条12,其中部分所述支撑条12沿第一方向I跨设于所述框架11的中空区,其余部分所述支撑条12沿第二方向J跨设于所述框架11的中空区,以构成支撑网13;所述支撑条12的两端分别与所述框架11连接;所述第一方向I与所述第二方向J交叉;多个金属掩膜14,所述金属掩膜14位于所述支撑条12上方,所述金属掩膜14沿所述第一方向I跨设于所述框架11的中空区,所述金属掩膜14沿所述第一方向I的两侧分别与所述框架11连接,多个所述金属掩膜14沿着所述第二方向J依次排列;沿所述第一方向I设置的所述支撑条12与相邻的两个所述金属掩膜14之间的区域对应,沿所述第二方向J设置的所述支撑条12与所述金属掩膜14中相邻的两个掩膜图案区之间的无效掩膜区对应;其中,沿所述第一方向I设置的所述支撑条12上或/和沿所述第二方向J设置的所述支撑条12上设置有材质去除部,使所述支撑网13的弹性形变大于或等于所述金属掩膜14的弹性形变。
本发明实施例提供的金属掩膜版10可以应用于蒸镀设备中,以采用蒸镀工艺制造显示面板中的功能膜层,例如,制造OLED显示面板中OLED器件的有机发光层,举例来说,请参阅图2,本发明实施例提供的金属掩膜版10包括框架11、多个支撑条12和多个金属掩膜14,其中,框架11的中部为中空区,例如,请参阅图2,框架11可以为矩形框架11,在矩形框架11的中部设置有同为矩形的中空区,框架11的平面结构呈“回”字结构,但在实际应用中,框架11的形状以及框架11中部的中空区的形状可以根据基板20上所需蒸镀的形状进行具体设置,在此不做限定,一般来说,应为一个封闭环状结构;在本发明实施例中,设定有相互交叉的第一方向I和第二方向J,例如,请参阅图2,假设图2中左右方向为第二方向J,图2中与左右方向垂直的方向为第一方向I,需要说明的是,在本发明实施例中设定第一方向I和第二方向J只是为了方便对本发明实施例提供的金属掩膜版10的结构进行清楚说明,并不代表该种结构的金属掩膜版10只能按照图中所示的第一方向I和第二方向J进行设定;在本发明实施例中,支撑条12呈板条状,多个支撑条12中,其中部分支撑条12沿第一方向I跨设于框架11的中空区,其余部分支撑条12沿第二方向J跨设于框架11的中空区,即其中部分支撑条12的长度方向沿第一方向I设置,其余部分支撑条12的长度方向沿第二方向J设置,沿第一方向I设置的多个支撑条12与沿第二方向J设置的多个支撑条12相互交叉构成支撑网13,其中,在实际铺设时,可以将沿第二方向J设置的支撑条12设置在沿第一方向I设置的支撑条12的上方,支撑条12的数量可以根据实际需要设定,例如可以根据金属掩膜14的数量以及每个金属掩膜14上掩膜图案区的数量设定,假设金属掩膜14的数量为M,则沿第一方向I设置的支撑条12的数量可以为M-1,假设每个金属掩膜14上掩膜图案区的数量为N,则沿第二方向J设置的支撑条12的数量可以为大于或等于1,且小于或等于N-1,优选地,沿第二方向J设置的支撑条12的数量为N-1;金属掩膜14位于支撑条12上方,多个金属掩膜14中,每个金属掩膜14均沿第一方向I跨设于框架11的中空区,且每个金属掩膜14沿第一方向I的两侧分别与框架11连接,具体地,金属掩膜14沿第一方向I的两侧可以分别采用焊接的方式与框架11连接,多个金属掩膜14沿第二方向J依次排列,即多个金属掩膜14沿图2中左右方向依次排列;沿第一方向I设置的支撑条12与相邻的两个金属掩膜14之间的区域对应,沿第二方向J设置的支撑条12与金属掩膜14中相邻的两个掩膜图案区之间的无效掩膜区对应;在本发明实施例中,请参阅图3至图16,沿第一方向I设置的支撑条12上或/和沿第二方向J设置的支撑条12上设置有材质去除部,该材质去除部可以理解为将支撑条12上该部位的至少部分材质去除,以降低支撑条12的强度,增加支撑条12的弹性形变,从而使得沿第一方向I设置的多个支撑条12与沿第二方向J设置的多个支撑条12相互交叉构成的支撑网13的弹性形变,大于或等于金属掩膜14的弹性形变。需要说明的是,在本发明实施例中,沿第一方向I设置的支撑条12上或/和沿第二方向J设置的支撑条12上设置有材质去除部,在实际应用中,可以在沿第一方向I设置的多个支撑条12中的其中至少一个支撑条12上设置材质去除部,或者,可以在沿第二方向J设置的多个支撑条12中的其中至少一个支撑条12上设置材质去除部,或者,可以在沿第一方向I设置的多个支撑条12中的其中至少一个支撑条12上设置材质去除部,并在沿第二方向J设置的多个支撑条12中的其中至少一个支撑条12上设置材质去除部。
当将本发明实施例提供的金属掩膜版10应用于蒸镀设备中,在基板20上形成功能膜层时,将上述金属掩膜版10与基板20重叠,金属掩膜版10位于基板20上待蒸镀的一侧,通常的,金属掩膜版10位于基板20的下方,金属掩膜14位于基板20与支撑网13之间,并将重叠的基板20和金属掩膜版10置于蒸镀设备中磁力吸附装置与蒸镀源之间,重叠的基板20和金属掩膜版10位于蒸镀源上方,此时,金属掩膜14在基板20因重力作用下垂时的作用下会被拉伸;然后,利用蒸镀设备中基板20上方的磁力吸附装置吸附金属掩膜版10,使金属掩膜版10与基板20贴合,此时,由于支撑网13的弹性形变大于或等于金属掩膜14的弹性形变,因而在支撑网13与基板20之间会形成足够空间来容纳金属掩膜14,使得金属掩膜14在支撑网13与基板20之间保持平展,防止金属掩膜14产生褶皱;然后,蒸镀源中的蒸镀材料受热形成蒸气散至基板20上,并沉积在基板20上,以形成功能膜层。
由上述可知,在本发明实施例提供的金属掩膜版10中,由于在沿第一方向I设置的支撑条12上或/和沿第二方向J设置的支撑条12上设置材质去除部,以将支撑条12上与该材质去除部对应的部位的材质去除,以降低支撑条12的强度,增加支撑条12的弹性形变,从而增加沿第一方向I设置的多个支撑条12与沿第二方向J设置的多个支撑条12相互交叉构成的支撑网13的弹性形变,使得支撑网13的弹性形变大于或等于金属掩膜14的弹性形变,当将本发明实施例提供的金属掩膜版10应用于蒸镀设备中,在基板20上形成功能膜层时,金属掩膜版10位于基板20的下方,金属掩膜14位于基板20与支撑网13之间,金属掩膜14在基板20因重力作用下垂时的作用下会被拉伸,蒸镀设备中基板20上方的磁力吸附装置吸附金属掩膜版10,使金属掩膜版10与基板20贴合时,由于支撑网13的弹性形变大于或等于金属掩膜14的弹性形变,因而在支撑网13与基板20之间会形成足够空间来容纳金属掩膜14,使得金属掩膜14在支撑网13与基板20之间保持平展,防止金属掩膜14产生褶皱,从而改善后续在基板20上蒸镀形成的膜层的良率。
另外,在本发明实施例提供的金属掩膜版10中,由于在沿第一方向I设置的支撑条12上或/和沿第二方向J设置的支撑条12上设置材质去除部,使得支撑网13的弹性形变大于或等于金属掩膜14的弹性形变,因而金属掩膜14在基板20因重力作用下垂时的作用下被拉伸时,支撑网13也可以随着被拉伸,从而可以防止金属掩膜14受到支撑网13的干扰。
值得说明的是,在本发明实施例中,支撑网13的弹性形变大于或等于金属掩膜14的弹性形变,通常,金属掩膜14包括未被刻蚀的盲板区和被刻蚀有多个贯通孔141的刻蚀区,而盲板区的弹性形变与刻蚀区的弹性形变通常会有差异,因此,在确定支撑网13的弹性形变时,需要同时考虑金属掩膜14的整体弹性形变和局部弹性形变,其中,金属掩膜14的局部弹性形变通常可以包括盲板区弹性形变和刻蚀区弹性形变。
在上述实施例中,在支撑条12上设置材质去除部时,材质去除部的结构可以为多种,下面示例性列举几种结构,但在实际应用中,材质去除部的结构包括但不限于下列几种结构。
方式一,请参阅图3和图4,材质去除部可以为贯穿支撑条12的厚度的通孔123,即支撑条12对应于该材质去除部的部位的材质在支撑条12的厚度方向上全部去除,以形成贯穿支撑条12的厚度的通孔123,此时,请参阅图4,支撑条12上的通孔123与金属掩膜14上对应于该支撑条12的部位的贯通孔141不重叠,如此,当本发明实施例提供的金属掩膜版10与基板20贴合时,基板20上与支撑条12上的通孔123对应的部位则由金属掩膜14遮挡,金属掩膜14上对应于该支撑条12的部位的贯通孔141则由支撑条12进行遮挡,以防止后续蒸镀过程中蒸镀材料沉积在基板20上与支撑条12上的通孔123对应的部位,并防止后续正对过程中蒸镀材料沉积在基板20上与金属掩膜14上对应于该支撑条12的部位的贯通孔141对应的部位。需要说明的是,在本发明实施例中,通孔123的结构可以为多种,例如,通孔123的横截面可以为方形、圆形、三角形等,在此不作限定。
请参阅图5至图16,在本发明实施例中,材质去除部还可以为不贯穿支撑条12的厚度的半刻蚀结构,也就是说,在支撑条12的厚度方向上,支撑条12对应于材质去除部的部位的部分材质被去除,此时,半刻蚀结构位于支撑条12背向金属掩膜14的一侧,以便后续采用化学试剂对金属掩膜版10进行清洗。
材质去除部为不贯穿支撑条12的厚度的半刻蚀结构时,半刻蚀结构的结构形状可以为多种。
方式二,请参阅图5至图10,半刻蚀结构可以为沿支撑条12的长度方向延伸的凹槽结构124,凹槽结构124的宽度可以为支撑条12的宽度D的10%~90%,支撑条12上可以设置一个半刻蚀结构,也可以设置多个半刻蚀结构,即支撑条12上可以一个沿支撑条12的长度方向延伸的凹槽结构124,也可以设置多个沿支撑条12的长度方向延伸的凹槽结构124。具体地,请参阅图5和图6,当支撑条12上设置一个半刻蚀结构时,即支撑条12上设置有一个沿支撑条12的长度方向延伸的凹槽结构124时,该凹槽结构124的宽度d1可以大于或等于支撑条12的宽度D的50%;请参阅图7至图10,当支撑条12上设置多个半刻蚀结构时,即支撑条12上设置有多个沿支撑条12的长度方向延伸的凹槽结构124时,此时,凹槽结构124的宽度d2可以为支撑条12的宽度D的10%~50%,相邻的两个凹槽结构124之间的槽楞125的宽度d3可以设定为凹槽结构124的宽度d2的10%~150%,请参阅图7和图8,当相邻的两个凹槽结构124之间的槽楞125的宽度d3为凹槽结构124的宽度d2的50%~150%时,多个凹槽结构124与所有相邻的两个凹槽之间的槽楞125可以构成图7和图8所示出的沟楞结构,请参阅图9和图10,当相邻的两个凹槽结构124之间的槽楞125的宽度d3为凹槽结构124的宽度d2的10%~50%时,多个凹槽结构124与所有相邻的两个凹槽之间的槽楞125可以构成图9和图10所示出的沟槽结构。
方式三,请参阅图11至图14,半刻蚀结构还可以呈凹坑结构126,支撑条12上可以设置一个半刻蚀结构,也可以设置多个半刻蚀结构,即支撑条12上可以设置一个凹坑结构126,也可以设置多个凹坑结构126,优选地,支撑条12上设置多个凹坑结构126。当支撑条12上设置有呈凹坑结构126的半刻蚀结构时,凹坑结构126的直径可以设定为支撑条12的宽度的0.05%~10%,请参阅图11和图12,当凹坑结构126的直径为支撑条12的宽度的0.05%~2%时,凹坑结构126呈图11和图12中所示出的点状凹坑结构126,请参阅图13和图14,当凹坑结构126的直径为支撑条12的宽度的2%~10%时,凹坑结构126呈图13和图14中所示出的凹坑结构126。
方式四,请参阅图15和图16,半刻蚀结构还可以为由相互交叉的多个凹槽构成的网状结构127,支撑条12上设置有至少一个呈网状结构127的半刻蚀结构,即支撑条12上设置有至少一个由相互交叉的多个凹槽构成的网状结构127,其中,网状结构127的网格128为凸起。
上述实施例中,支撑条12上设置有材质去除部,材质去除部的数量可以为一个,该材质去除部可以为方式一、方式二、方式三、方式四中的一种,其中,该材质去除部为方式二所示出的结构时,该材质去除部为图5和图6所示出的结构;该材质去除部为方式三所示出的结构时,该材质去除部可以为图11和图12所示出的结构,也可以为图13和图14所示出的结构;该材质去除部为方式四所示出的结构时,网状结构127可以覆盖支撑条12背向金属掩膜14的整个表面,也可以只覆盖支撑条12背向金属掩膜14的表面的部分区域。在实际应用中,材质去除部的数量也可以为多个,且各材质去除部的结构可以相同,即支撑条12上的材质去除部的结构均为方式一所示出的结构;或者,支撑条12上的材质去除部的结构均为方式二所示出的结构,此时,支撑条12上设置多个凹槽结构124,相邻的两个凹槽结构124之间的槽楞125的宽度为凹槽结构124的宽度的10%~150%,即支撑条12上的多个材质去除部构成的结构可以为图7和图8所示出的结构,也可以为图9和图10所示出的结构;或者,支撑条12上的材质去除部的结构均为方式三所示出的结构,此时,支撑条12上的多个材质去除部构成的结构可以为图11和图12所示出的结构,也可以为图13和图14所示出的结构;或者,支撑条12上的材质去除部的结构均为方式四所示出的结构,此时,多个网状结构127之间相互不连接。材质去除部的数量也可以为多个,多个材质去除部中,至少一个材质去除部的结构与其它材质去除部的结构不同,也就是说,支撑条12上可以包括方式一、方式二、方式三、方式四中的至少两种。
在上述实施例中,当材质去除部为半刻蚀结构时,请参阅图3至图16,半刻蚀结构在支撑条12的厚度方向上的深度h可以小于或等于支撑条12的厚度H的二分之一,以防止半刻蚀结构在支撑条12的厚度方向上的深度太深(如大于支撑条12的厚度的二分之一)而造成半刻蚀结构处的脆性增加,防止支撑网13的弹性形变降低。
在上述实施例中,支撑条12上的材质去除部可以均匀覆盖支撑条12背向金属掩膜14的表面,或者,支撑条12上的材质去除部可以仅均匀覆盖支撑条12背向金属掩膜14的表面的部分区域。在本发明实施例中,支撑条12上材质去除部均匀覆盖支撑条12背向金属掩膜14的表面中沿支撑条12的长度方向的中部区域,具体地,请参阅图2至图16,在本发明实施例中,沿支撑条12的长度方向,支撑条12包括两个材质保留区122和位于两个材质保留区122之间的材质去除区121,材质去除部位于材质去除区121内,即材质去除部覆盖材质去除区121内,材质去除区121为支撑条12上沿支撑条12的长度方向的中部区域,材质保留区122沿支撑条12的长度方向的长度大于或等于支撑条12的宽度的5%。如此设计,可以防止因材质去除部覆盖范围太大而造成支撑条12的强度降低。
在本发明实施例中,支撑条12的厚度和宽度可以根据实际需要设定,例如,支撑条12的厚度和宽度可以根据金属掩膜14的尺寸进行设定,例如,金属掩膜14的厚度为20μm~30μm、宽度为20mm~250mm,则支撑条12的厚度可以为20μm~200μm,支撑条12的宽度可以为2mm~30mm。需要说明的是,在满足支撑条12对金属掩膜14的支撑以及对相邻的两个金属掩膜14之间的区域进行遮挡的前提下,支撑条12的厚度和支撑条12的宽度应设定为最小,以增加支撑条12的弹性,进而增加支撑网13的弹性形变。
本发明实施例提供的金属掩膜版10中,框架11、支撑条12和金属掩膜14可以采用相同的材料,例如,框架11的材料、支撑条12的材料和金属掩膜14的材料可以均采用因瓦合金,在实际应用中,为了增加多个支撑条12相互交叉构成的支撑网13的弹性形变,支撑条12的材料还可以选用弹性系数大于或等于因瓦合金的弹性系数的材料。
在本发明实施例中,材质去除部的总面积可以限定为支撑条12的面积的50%~90%,以增加支撑条12的弹性,进而增加多个支撑条12相互交叉构成的支撑网13的弹性形变。
需要说明的是,在上述实施例中,在支撑条12上形成材质去除部时,可以采用多种方式进行,例如,可以采用冲压、镗孔等方式进行,考虑到支撑条12上每个材质去除部的尺寸可能较小,为方便材质去除部的形成,可以采用刻蚀的方式进行,具体地,当支撑条12上的材质去除部均为贯通支撑条12的厚度的通孔123时,则可以采用全刻蚀工艺来实现;当支撑条12上的材质去除部中,至少部分为不贯通支撑条12的厚度的半刻蚀结构时,则可以采用半刻蚀工艺来实现,如半色调刻蚀工艺。
请参阅图17,本发明实施例还提供一种金属掩膜版的制造方法,用于制造如上述实施例所述的金属掩膜版,所述金属掩膜版的制造方法包括:
步骤S1、提供中部为中空区的框架。
步骤S2、提供多个支撑条,并采用半刻蚀工艺或/和全刻蚀工艺在至少部分支撑条上形成材质去除部。
步骤S3、将其中部分支撑条沿第一方向跨设于框架的中空区,将其余部分支撑条沿第二方向跨设于框架的中空区,支撑条的两端分别与框架连接;第一方向与第二方向交叉。
步骤S4、将金属掩膜沿第一方向跨设于框架的中空区,且金属掩膜沿第一方向的两侧分别与框架连接,并将多个金属掩膜沿第二方向依次排列;沿第一方向设置的支撑条与相邻的两个金属掩膜之间的区域对应,沿第二方向设置的支撑条与金属掩膜中相邻的两个掩膜图案区之间的无效掩膜区对应。
所述金属掩膜版的制造方法与上述金属掩膜版相对于现有技术所具有的优势相同,在此不再赘述。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种金属掩膜版,其特征在于,包括:
框架,所述框架的中部为中空区;
呈板条状的多个支撑条,其中部分所述支撑条沿第一方向跨设于所述框架的中空区,其余部分所述支撑条沿第二方向跨设于所述框架的中空区,以构成支撑网;所述支撑条的两端分别与所述框架连接;所述第一方向与所述第二方向交叉;
多个金属掩膜,所述金属掩膜位于所述支撑条上方,所述金属掩膜沿所述第一方向跨设于所述框架的中空区,所述金属掩膜沿所述第一方向的两侧分别与所述框架连接,多个所述金属掩膜沿着所述第二方向依次排列;沿所述第一方向设置的所述支撑条与相邻的两个所述金属掩膜之间的区域对应,沿所述第二方向设置的所述支撑条与所述金属掩膜中相邻的两个掩膜图案区之间的无效掩膜区对应;
其中,沿所述第一方向设置的所述支撑条上或/和沿所述第二方向设置的所述支撑条上设置有材质去除部,使所述支撑网的弹性形变大于或等于所述金属掩膜的弹性形变。
2.根据权利要求1所述的金属掩膜版,其特征在于,所述材质去除部为贯穿所述支撑条的厚度的通孔,所述通孔与所述金属掩膜上的贯通孔不重叠。
3.根据权利要求1所述的金属掩膜版,其特征在于,所述材质去除部为不贯穿所述支撑条的厚度的半刻蚀结构,所述半刻蚀结构位于所述支撑条背向所述金属掩膜的一侧。
4.根据权利要求3所述的金属掩膜版,其特征在于,
所述支撑条上包括至少一个呈凹槽结构的半刻蚀结构,所述凹槽结构沿所述支撑条的长度方向延伸,所述凹槽结构的宽度为所述支撑条的宽度的10%~90%;所述支撑条上包括多个呈凹槽结构的半刻蚀结构时,相邻的两个所述凹槽结构之间的槽楞的宽度为所述凹槽结构的宽度的10%~150%;
或/和,
所述支撑条上包括至少一个呈凹坑结构的半刻蚀结构,所述凹坑结构的直径为所述支撑条的宽度的0.05%~10%;
或/和,
所述支撑条上包括至少一个由相互交叉的多个凹槽构成的呈网状结构的半刻蚀结构,所述网状结构的网格为凸起。
5.根据权利要求3所述的金属掩膜版,其特征在于,所述半刻蚀结构在所述支撑条的厚度方向上的深度小于或等于所述支撑条的厚度的二分之一。
6.根据权利要求1所述的金属掩膜版,其特征在于,沿所述支撑条的长度方向,所述支撑条包括两个材质保留区和位于两个所述材质保留区之间的材质去除区,所述材质去除部位于所述材质去除区内,所述材质保留区沿所述支撑条的长度方向的长度大于或等于所述支撑条的宽度的5%。
7.根据权利要求1所述的金属掩膜版,其特征在于,所述支撑条的厚度为20μm~200μm;所述支撑条的宽度为2mm~30mm。
8.根据权利要求1所述的金属掩膜版,其特征在于,所述支撑条的材料的弹性系数大于或等于因瓦合金的弹性系数。
9.根据权利要求1所述的金属掩膜版,其特征在于,所述材质去除部的总面积为所述支撑条的面积的50%~90%。
10.一种如权利要求1~9任一所述的金属掩膜版的制造方法,其特征在于,包括:
提供中部为中空区的框架;
提供多个支撑条,并采用半刻蚀工艺或/和全刻蚀工艺在至少部分所述支撑条上形成材质去除部;
将其中部分所述支撑条沿第一方向跨设于所述框架的中空区,将其余部分所述支撑条沿第二方向跨设于所述框架的中空区,所述支撑条的两端分别与所述框架连接;所述第一方向与所述第二方向交叉;
将金属掩膜沿所述第一方向跨设于所述框架的中空区,且所述金属掩膜沿所述第一方向的两侧分别与所述框架连接,并将多个所述金属掩膜沿第二方向依次排列;沿所述第一方向设置的所述支撑条与相邻的两个所述金属掩膜之间的区域对应,沿所述第二方向设置的所述支撑条与所述金属掩膜中相邻的两个掩膜图案区之间的无效掩膜区对应。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810132122.4A CN108149192B (zh) | 2018-02-08 | 2018-02-08 | 一种金属掩膜版及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810132122.4A CN108149192B (zh) | 2018-02-08 | 2018-02-08 | 一种金属掩膜版及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108149192A CN108149192A (zh) | 2018-06-12 |
CN108149192B true CN108149192B (zh) | 2020-01-03 |
Family
ID=62457050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810132122.4A Active CN108149192B (zh) | 2018-02-08 | 2018-02-08 | 一种金属掩膜版及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108149192B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108914058B (zh) * | 2018-08-20 | 2020-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种精密金属掩膜版、蒸镀装置和蒸镀制程 |
CN109735801A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 金属掩膜装置 |
EP3693492A1 (en) * | 2019-02-06 | 2020-08-12 | Dainippon Printing Co., Ltd. | Deposition mask apparatus, mask support mechanism, and production method for deposition mask apparatus |
CN111733380B (zh) * | 2020-06-28 | 2022-10-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种掩膜版组件、张网方法及蒸镀装置 |
CN112080720A (zh) * | 2020-08-12 | 2020-12-15 | 福建华佳彩有限公司 | 一种支撑条、oled蒸镀掩膜板及其制作方法 |
CN114107897A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-01 | 合肥维信诺科技有限公司 | 掩膜板及掩膜组件 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008031528A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Kyocera Corp | Cvd用マスク及びそれを用いて製造するディスプレイの製造方法 |
JP2014194062A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-09 | Sony Corp | マスクフレームユニット、マスク装置及び処理方法 |
KR102130546B1 (ko) * | 2013-10-11 | 2020-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치 |
KR102330330B1 (ko) * | 2014-12-16 | 2021-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법 |
CN105803389B (zh) * | 2016-05-18 | 2019-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
CN105826469A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-08-03 | 唐军 | 大尺寸掩膜基板的制作方法 |
KR102532305B1 (ko) * | 2016-06-15 | 2023-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법 |
CN106480404B (zh) * | 2016-12-28 | 2019-05-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜集成框架及蒸镀装置 |
CN206692714U (zh) * | 2017-04-14 | 2017-12-01 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 一种精密掩膜板框架 |
-
2018
- 2018-02-08 CN CN201810132122.4A patent/CN108149192B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108149192A (zh) | 2018-06-12 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |