JP2020002471A - 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、上記の蒸着マスクは、前記厚肉領域が、前記蒸着マスクの長辺方向、及び短辺方向に延びるように配置され、且つ前記蒸着マスクの長辺方向、及び短辺方向に延びるように配置された前記厚肉領域は、前記樹脂開口部を取り囲むように連続していてもよい。
また、上記課題を解決するための本発明の蒸着マスクは、その表面から裏面に至る内壁面によって形作られる空間によって規定される金属開口部を有する金属層と、前記金属開口部と重なる位置に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を有する樹脂層とが積層された蒸着マスクであって、前記金属層は、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い柱状の厚肉領域を複数有し、前記金属開口部は、前記金属層の前記一般領域内の一部に位置している。
また、上記の蒸着マスクは、複数の前記柱状の厚肉領域が、前記樹脂開口部を取り囲むように所定の間隔をあけて配置されていてもよい。
また、上記課題を解決するための本発明の蒸着マスクは、蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を有する樹脂層と、前記樹脂層と積層され、且つ前記樹脂層の一部を露出する金属層と、を有する蒸着マスクであって、前記金属層は、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い柱状の厚肉領域を有し、前記金属層側から前記蒸着マスクを見たとき、前記金属層は、前記樹脂開口部の全てが見えるように配置されている。
また、上記課題を解決するための本発明の蒸着マスクは、その表面から裏面に至る内壁面によって形作られる空間によって規定される金属開口部を有する金属層と、前記金属開口部と重なる位置に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を有する樹脂層とが積層された蒸着マスクであって、前記金属層は、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い厚肉領域を有し、前記金属開口部は、前記金属層の前記一般領域内の一部に位置し、前記蒸着マスクを断面視したとき、前記厚肉領域が、前記厚肉領域と前記一般領域の境界から遠ざかるに従って厚みが大きくなる部分を含む。
また、上記課題を解決するための本発明のフレーム付き蒸着マスクは、上記の蒸着マスクがフレームに固定されている。
また、上記のフレーム付き蒸着マスクは、前記厚肉領域の少なくとも一部が、前記フレームと重なっていてもよい。
また、一実施形態の蒸着マスクは、スリットが設けられた金属マスクと、前記スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクとが積層され、前記金属マスクは、前記スリットが設けられている一般領域と、当該一般領域よりも厚肉な厚肉領域とを有していることを特徴とする。
また、一実施形態の蒸着マスク準備体は、スリットが設けられた金属マスクと、前記スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクとが積層されてなる蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体であって、樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、前記金属マスクは、前記スリットが設けられている一般領域と、当該一般領域よりも厚肉な厚肉領域とを有していることを特徴とする。
また、上記課題を解決するための本発明の蒸着マスクの製造方法は、その表面から裏面に至る内壁面によって形作られる空間によって規定される金属開口部を有する金属層と、樹脂開口部が形成される前の樹脂層とが積層された樹脂層付き金属層を準備する工程と、前記金属層側からレーザーを照射し、前記樹脂層付き金属層の前記樹脂層に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を形成する工程と、を備え、製造された蒸着マスクは、前記金属層が、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い柱状の厚肉領域を複数有し、前記金属開口部が、前記金属層の前記一般領域内の一部に位置している。
また、上記課題を解決するための本発明の蒸着マスクの製造方法は、樹脂開口部が形成される前の樹脂層と、前記樹脂層の一部を露出する金属層とが積層された樹脂層付き金属層を準備する工程と、前記金属層側からレーザーを照射し、前記樹脂層付き金属層の前記樹脂層に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を形成する工程と、を備え、製造された蒸着マスクは、前記金属層が、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い柱状の厚肉領域を有し、前記金属層側から前記蒸着マスクを見たとき、前記金属層は、前記樹脂開口部の全てが見えるように配置されている。
また、上記課題を解決するための本発明の蒸着マスクの製造方法は、その表面から裏面に至る内壁面によって形作られる空間によって規定される金属開口部を有する金属層と、樹脂開口部が形成される前の樹脂層とが積層された樹脂層付き金属層を準備する工程と、前記金属層側からレーザーを照射し、前記樹脂層付き金属層の前記樹脂層に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を形成する工程と、を備え、製造された蒸着マスクは、前記金属層が、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い柱状の厚肉領域を複数有し、前記金属開口部が、前記金属層の前記一般領域内の一部に位置しており、前記蒸着マスクを断面視したとき、前記厚肉領域が、前記厚肉領域と前記一般領域の境界から遠ざかるに従って厚みが大きくなる部分を含む。
また、一実施形態の蒸着マスクの製造方法は、スリットが設けられた金属マスクと、樹脂板とを貼り合わせる工程と、前記金属マスク側からレーザーを照射し、前記樹脂板に蒸着作製するパターンに対応した開口部を形成する工程と、を備え、前記金属マスクとして、前記スリットが設けられている一般領域と、当該一般領域よりも厚肉な厚肉領域とを有している金属マスクが用いられることを特徴とする。
樹脂マスク20は、樹脂から構成され、図1(b)に示すように、スリット15と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部25が設けられている。なお、本願明細書において蒸着作製するパターンとは、当該蒸着マスクを用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、当該蒸着マスクを有機EL素子の有機層の形成に用いる場合には、当該有機層の形状である。また、図示する形態では、開口部が縦横に複数列配置された例を挙げて説明をしているが、開口部25は、スリット15と重なる位置に設けられていればよく、スリット15が、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されている場合には、当該1列のスリット15と重なる位置に開口部25が設けられていればよい。
金属マスク10は、金属から構成され、該金属マスク10の正面からみたときに、開口部25と重なる位置、換言すれば、樹脂マスク20に配置された全ての開口部25がみえる位置に、縦方向或いは横方向に延びるスリット15が複数列配置されている。なお、このことは、本発明における金属マスク10のスリット15が、全ての開口部25がみえる位置に配置されていることを限定するものではなく、開口部25の一部がみえないようにスリット15が配置されていてもよい。なお、図1(b)、図2〜図4では、金属マスク10の縦方向に延びるスリット15が横方向に連続して配置されている。また、本発明では、スリット15が縦方向、或いは横方向に延びるスリット15が複数列配置された例を挙げて説明をしているが、スリット15は、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されていてもよい。また、スリット15が横方向に複数列配置される場合において、当該複数列配置されたスリット15の一部は、図15に示すように、開口部25と重ならない位置に配置されていてもよい。なお、図15では、開口部25と重ならないスリットの横方向の幅が、開口部25と重なるスリットの横方向の幅よりも狭くなっているが、開口部25と重ならないスリット15の横方向の幅は、開口部25と重なるスリットの横方向の幅と同じ幅であってもよく、幅広であってもよい。また、開口部と重ならないスリット15は、図15に示すように複数列配置されていてもよく、横方向に一列のみ配置されていてもよい。また、図示しないが、開口部15と重ならないスリット15は、一般領域10aと、厚肉領域10bの境界をまたぐように設けられていてもよい。或いは、厚肉領域10b内に設けられていてもよい。
次に、本発明の一実施形態の蒸着マスクの製造方法について説明する。本発明の一実施形態の蒸着マスク100の製造方法は、図16に示すように、スリット15が設けられた金属マスク10と、樹脂板30とを貼り合わせる工程(図16(a)参照)と、金属マスク側からレーザーを照射し(図16(b)参照)、前記樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応した開口部を形成する工程(図16(c)参照)とを有し、金属マスク10として、スリット15が設けられている一般領域10aと、当該一般領域10aよりも厚肉な厚肉領域10bとを有している金属マスクが用いられることを特徴とする。以下、本発明の一実施形態の蒸着マスクの製造方法について具体的に説明する。
図16(a)に示す、スリットが設けられた金属マスク10と樹脂板30とを貼り合わせた積層体を準備するにあたり、まず、スリットが設けられた金属マスクを準備する。本発明では、ここで準備される金属マスク10が、上記本発明の一実施形態の蒸着マスク100で説明した、一般領域10aと、厚肉領域10bとを有する金属マスク10が用いられる。以下、スリット15が設けられ、一般領域10aと、厚肉領域10bとを有する金属マスク10の好ましい形成方法の一例について説明する。
当該工程は、本発明の一実施形態の製造方法における任意の工程であるが、完成した蒸着マスクをフレームに固定するのではなく、フレームに固定された状態の樹脂板に対し、後から開口部を設けているので、位置精度を格段に向上せしめることができる。なお、完成した蒸着マスク100をフレームに固定する場合には、開口が決定された金属マスクをフレームに対して引っ張りながら固定するために、本工程を有する場合と比較して、開口位置座標精度は低下することとなる。
次に、図16(b)に示すように、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射し、前記樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応した開口部25を形成し、樹脂マスク20とする。ここで用いるレーザー装置については特に限定されることはなく、従来公知のレーザー装置を用いればよい。これにより、図16(c)に示すような、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を得る。
次に、本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体について説明する。本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体は、スリットが設けられた金属マスクと、スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクとが積層されてなる蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体であって、樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、金属マスクは、スリットが設けられている一般領域と、当該一般領域よりも厚肉な厚肉領域とを有していることを特徴としている。
本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有し、当該有機半導体素子を製造する工程において、以下で説明するフレーム付き蒸着マスクが用いられる点に特徴を有する。
10a…一般領域
10b…厚肉領域
15…スリット
18…ブリッジ
20…樹脂マスク
25…開口部
60…金属フレーム
100…蒸着マスク
200…フレーム付き蒸着マスク
Claims (14)
- その表面から裏面に至る内壁面によって形作られる空間によって規定される金属開口部を有する金属層と、前記金属開口部と重なる位置に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を有する樹脂層とが積層された蒸着マスクであって、
前記金属層は、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い厚肉領域を有し、
前記金属開口部は、前記金属層の前記一般領域内の一部に位置し、
前記蒸着マスクを平面視したときの形状が矩形状であり、前記厚肉領域が前記蒸着マスクの長辺方向、及び短辺方向の何れか一方、又は双方に延びるように配置されている、蒸着マスク。 - 前記厚肉領域が、前記蒸着マスクの長辺方向、及び短辺方向に延びるように配置され、且つ前記蒸着マスクの長辺方向、及び短辺方向に延びるように配置された前記厚肉領域は、前記樹脂開口部を取り囲むように連続している、請求項1に記載の蒸着マスク。
- その表面から裏面に至る内壁面によって形作られる空間によって規定される金属開口部を有する金属層と、前記金属開口部と重なる位置に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を有する樹脂層とが積層された蒸着マスクであって、
前記金属層は、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い柱状の厚肉領域を複数有し、
前記金属開口部は、前記金属層の前記一般領域内の一部に位置している、蒸着マスク。 - 複数の前記柱状の厚肉領域は、前記樹脂開口部を取り囲むように所定の間隔をあけて配置されている、請求項3に記載の蒸着マスク。
- 蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を有する樹脂層と、前記樹脂層と積層され、且つ前記樹脂層の一部を露出する金属層と、を有する蒸着マスクであって、
前記金属層は、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い柱状の厚肉領域を有し、
前記金属層側から前記蒸着マスクを見たとき、前記金属層は、前記樹脂開口部の全てが見えるように配置されている、蒸着マスク。 - その表面から裏面に至る内壁面によって形作られる空間によって規定される金属開口部を有する金属層と、前記金属開口部と重なる位置に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を有する樹脂層とが積層された蒸着マスクであって、
前記金属層は、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い厚肉領域を有し、
前記金属開口部は、前記金属層の前記一般領域内の一部に位置し、
前記蒸着マスクを断面視したとき、前記厚肉領域が、前記厚肉領域と前記一般領域の境界から遠ざかるに従って厚みが大きくなる部分を含む、蒸着マスク。 - 請求項1乃至6の何れか1項に記載の蒸着マスクがフレームに固定されたフレーム付き蒸着マスク。
- 前記厚肉領域の少なくとも一部が、前記フレームと重なる請求項7に記載のフレーム付き蒸着マスク。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載の蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体であって、
一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い厚肉領域を有し、前記一般領域内の一部に金属開口部が位置する金属層と、前記樹脂開口部が形成される前の樹脂層とが積層された、蒸着マスク準備体。 - 蒸着マスクの製造方法であって、
その表面から裏面に至る内壁面によって形作られる空間によって規定される金属開口部を有する金属層と、樹脂開口部が形成される前の樹脂層とが積層された樹脂層付き金属層を準備する工程と、
前記金属層側からレーザーを照射し、前記樹脂層付き金属層の前記樹脂層に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を形成する工程と、を備え、
製造された蒸着マスクを平面視したときの形状が矩形状であり、
製造された蒸着マスクは、前記金属層が、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い厚肉領域を有し、前記金属開口部が、前記金属層の前記一般領域内の一部に位置し、前記厚肉領域が前記蒸着マスクの長辺方向、及び短辺方向の何れか一方、又は双方に延びるように配置されている、蒸着マスクの製造方法。 - 蒸着マスクの製造方法であって、
その表面から裏面に至る内壁面によって形作られる空間によって規定される金属開口部を有する金属層と、樹脂開口部が形成される前の樹脂層とが積層された樹脂層付き金属層を準備する工程と、
前記金属層側からレーザーを照射し、前記樹脂層付き金属層の前記樹脂層に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を形成する工程と、を備え、
製造された蒸着マスクは、前記金属層が、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い柱状の厚肉領域を複数有し、前記金属開口部が、前記金属層の前記一般領域内の一部に位置している、蒸着マスクの製造方法。 - 蒸着マスクの製造方法であって、
樹脂開口部が形成される前の樹脂層と、前記樹脂層の一部を露出する金属層とが積層された樹脂層付き金属層を準備する工程と、
前記金属層側からレーザーを照射し、前記樹脂層付き金属層の前記樹脂層に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を形成する工程と、を備え、
製造された蒸着マスクは、前記金属層が、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い柱状の厚肉領域を有し、
前記金属層側から前記蒸着マスクを見たとき、前記金属層は、前記樹脂開口部の全てが見えるように配置されている、蒸着マスクの製造方法。 - 蒸着マスクの製造方法であって、
その表面から裏面に至る内壁面によって形作られる空間によって規定される金属開口部を有する金属層と、樹脂開口部が形成される前の樹脂層とが積層された樹脂層付き金属層を準備する工程と、
前記金属層側からレーザーを照射し、前記樹脂層付き金属層の前記樹脂層に蒸着パターンの形成に必要な樹脂開口部を形成する工程と、を備え、
製造された蒸着マスクは、前記金属層が、一般領域と、前記一般領域よりも厚みが厚い柱状の厚肉領域を複数有し、前記金属開口部が、前記金属層の前記一般領域内の一部に位置しており、
前記蒸着マスクを断面視したとき、前記厚肉領域が、前記厚肉領域と前記一般領域の境界から遠ざかるに従って厚みが大きくなる部分を含む、蒸着マスクの製造方法。 - 有機半導体素子の製造方法であって、
蒸着マスクを用いて、蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、
前記蒸着マスクとして、請求項1乃至6の何れか1項に記載の蒸着マスク、請求項7、又は8に記載のフレーム付き蒸着マスク、請求項10乃至13の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法で製造された蒸着マスクの何れかを用いる、有機半導体素子の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP5994952B2 (ja) * | 2015-02-03 | 2016-09-21 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、レーザー用マスクおよび有機半導体素子の製造方法 |
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CN111485195A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-08-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 金属掩膜装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002175878A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法 |
JP2003036972A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-02-07 | Lg Electronics Inc | 有機elディスプレイ及び製造方法 |
JP2003100452A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Seiko Epson Corp | マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2003332057A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置 |
JP2004190057A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Nippon Filcon Co Ltd | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
JP2007173107A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | マスク、マスク固定装置、及びマスクを使用して製造するディスプレイの製造方法 |
WO2009069743A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Canon Anelva Corporation | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP2013021165A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Sony Corp | 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法、電子素子および電子素子の製造方法 |
WO2013039196A1 (ja) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法 |
JP2014208899A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-11-06 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07300664A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Fujitsu Ltd | メタルマスクの製造方法とその再生方法 |
JP4635348B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2011-02-23 | 凸版印刷株式会社 | パターン形成用マスクおよびそれを使用したパターン形成装置 |
JP2003272838A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Dainippon Printing Co Ltd | マスキング部材 |
CN101416294B (zh) * | 2006-03-30 | 2011-03-30 | 株式会社美高仁工业 | 微细金属凸点的形成方法 |
JP2009041054A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Sony Corp | 蒸着用マスクおよびその製造方法ならびに表示装置の製造方法 |
JP6142194B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2017-06-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク |
-
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-
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002175878A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法 |
JP2003036972A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-02-07 | Lg Electronics Inc | 有機elディスプレイ及び製造方法 |
JP2003100452A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Seiko Epson Corp | マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2003332057A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置 |
JP2004190057A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Nippon Filcon Co Ltd | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
JP2007173107A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | マスク、マスク固定装置、及びマスクを使用して製造するディスプレイの製造方法 |
WO2009069743A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Canon Anelva Corporation | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP2013021165A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Sony Corp | 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法、電子素子および電子素子の製造方法 |
WO2013039196A1 (ja) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法 |
JP2014208899A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-11-06 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
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