JP6380049B2 - 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、パターンの形成方法、及び有機半導体素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 247
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 276
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 276
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 161
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 161
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 38
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 10
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 8
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- HUZRXZVIBUNCKL-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-[[2-(4-chlorophenyl)-5-methyl-1,3-oxazol-4-yl]methoxy]phenyl]methyl-(4-methylphenoxy)carbonylamino]acetic acid Chemical compound CC=1OC(C=2C=CC(Cl)=CC=2)=NC=1COC(C=1)=CC=CC=1CN(CC(O)=O)C(=O)OC1=CC=C(C)C=C1 HUZRXZVIBUNCKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229910017868 Cu—Ni—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920005648 ethylene methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003562 lightweight material Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
また、上記の蒸着マスクにおいて、前記スリットが、2つ以上の前記開口部と重なっていてもよい。
また、上記の蒸着マスクにおいて、前記樹脂マスクの厚みが、4μm以上で8μm以下の範囲であってもよい。
また、上記の蒸着マスクにおいて、前記樹脂マスクが、溝を有していてもよい。
また、上記の蒸着マスクにおいて、前記樹脂マスクが、前記開口部を複数有しており、いずれかの前記開口部の間に、前記溝を有していてもよい。
また、上記の蒸着マスクにおいて、前記一般領域の厚みが、5μm以上25μm以下であってもよい。
また、一実施形態の蒸着マスク準備体は、スリットが設けられた金属マスクと、前記スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクとが積層されてなる蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体であって、樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、前記金属マスクは、前記スリットが設けられている一般領域と、当該一般領域よりも厚肉な厚肉領域とを有している。
また、前記金属マスクを、厚みが15μm以上35μm以下の金属板を準備し、前記金属板の一部を、厚み方向に5μm以上加工して、前記一般領域を形成し、前記一般領域内に前記スリットを形成することにより得てもよい。
また、エッチング加工により、前記金属板に前記一般領域を形成してもよい。
また、レーザー加工により、前記開口部を形成してもよい。
また、上記課題を解決するための本開示の実施の形態にかかる蒸着マスクの製造方法は、上記蒸着マスクを製造するための方法であって、レーザー加工により、前記開口部を形成する。
また、上記の製造方法で用いられる前記金属マスクが、金属板の前記厚肉領域となる部分をマスキングし、当該金属板のマスキングがされていない領域をスリミング加工することで、前記一般領域を形成する工程と、前記一般領域内に、前記スリットを形成する工程と、によって得られる金属マスクであってもよい。
また、上記の製造方法において、フレーム上に、前記樹脂板が貼り合わされた金属マスクを固定した後に、前記金属マスク側からレーザーを照射し、前記樹脂板に蒸着作製するパターンに対応した開口部を形成する工程を行ってもよい。
また、一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、前記蒸着パターンを形成する工程において、前記フレームに固定される前記蒸着マスクが、スリットが設けられた金属マスクと、前記スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクとが積層され、前記金属マスクは、前記スリットが設けられている一般領域と、当該一般領域よりも厚肉な厚肉領域と、を有している。
樹脂マスク20は、樹脂から構成され、図1(b)に示すように、スリット15と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部25が設けられている。なお、本願明細書において蒸着作製するパターンとは、当該蒸着マスクを用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、当該蒸着マスクを有機EL素子の有機層の形成に用いる場合には、当該有機層の形状である。また、図示する形態では、開口部が縦横に複数列配置された例を挙げて説明をしているが、開口部25は、スリット15と重なる位置に設けられていればよく、スリット15が、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されている場合には、当該1列のスリット15と重なる位置に開口部25が設けられていればよい。
金属マスク10は、金属から構成され、該金属マスク10の正面からみたときに、開口部25と重なる位置、換言すれば、樹脂マスク20に配置された全ての開口部25がみえる位置に、縦方向或いは横方向に延びるスリット15が複数列配置されている。なお、このことは、本発明における金属マスク10のスリット15が、全ての開口部25がみえる位置に配置されていることを限定するものではなく、開口部25の一部がみえないようにスリット15が配置されていてもよい。なお、図1(b)、図2〜図4では、金属マスク10の縦方向に延びるスリット15が横方向に連続して配置されている。また、本発明では、スリット15が縦方向、或いは横方向に延びるスリット15が複数列配置された例を挙げて説明をしているが、スリット15は、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されていてもよい。また、スリット15が横方向に複数列配置される場合において、当該複数列配置されたスリット15の一部は、図15に示すように、開口部25と重ならない位置に配置されていてもよい。なお、図15では、開口部25と重ならないスリットの横方向の幅が、開口部25と重なるスリットの横方向の幅よりも狭くなっているが、開口部25と重ならないスリット15の横方向の幅は、開口部25と重なるスリットの横方向の幅と同じ幅であってもよく、幅広であってもよい。また、開口部と重ならないスリット15は、図15に示すように複数列配置されていてもよく、横方向に一列のみ配置されていてもよい。また、図示しないが、開口部15と重ならないスリット15は、一般領域10aと、厚肉領域10bの境界をまたぐように設けられていてもよい。或いは、厚肉領域10b内に設けられていてもよい。
次に、本発明の一実施形態の蒸着マスクの製造方法について説明する。本発明の一実施形態の蒸着マスク100の製造方法は、図16に示すように、スリット15が設けられた金属マスク10と、樹脂板30とを貼り合わせる工程(図16(a)参照)と、金属マスク側からレーザーを照射し(図16(b)参照)、前記樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応した開口部を形成する工程(図16(c)参照)とを有し、金属マスク10として、スリット15が設けられている一般領域10aと、当該一般領域10aよりも厚肉な厚肉領域10bとを有している金属マスクが用いられることを特徴とする。以下、本発明の一実施形態の蒸着マスクの製造方法について具体的に説明する。
図16(a)に示す、スリットが設けられた金属マスク10と樹脂板30とを貼り合わせた積層体を準備するにあたり、まず、スリットが設けられた金属マスクを準備する。本発明では、ここで準備される金属マスク10が、上記本発明の一実施形態の蒸着マスク100で説明した、一般領域10aと、厚肉領域10bとを有する金属マスク10が用いられる。以下、スリット15が設けられ、一般領域10aと、厚肉領域10bとを有する金属マスク10の好ましい形成方法の一例について説明する。
当該工程は、本発明の一実施形態の製造方法における任意の工程であるが、完成した蒸着マスクをフレームに固定するのではなく、フレームに固定された状態の樹脂板に対し、後から開口部を設けているので、位置精度を格段に向上せしめることができる。なお、完成した蒸着マスク100をフレームに固定する場合には、開口が決定された金属マスクをフレームに対して引っ張りながら固定するために、本工程を有する場合と比較して、開口位置座標精度は低下することとなる。
次に、図16(b)に示すように、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射し、前記樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応した開口部25を形成し、樹脂マスク20とする。ここで用いるレーザー装置については特に限定されることはなく、従来公知のレーザー装置を用いればよい。これにより、図16(c)に示すような、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を得る。
次に、本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体について説明する。本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体は、スリットが設けられた金属マスクと、スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクとが積層されてなる蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体であって、樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、金属マスクは、スリットが設けられている一般領域と、当該一般領域よりも厚肉な厚肉領域とを有していることを特徴としている。
本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有し、当該有機半導体素子を製造する工程において、以下で説明するフレーム付き蒸着マスクが用いられる点に特徴を有する。
10a…一般領域
10b…厚肉領域
15…スリット
18…ブリッジ
20…樹脂マスク
25…開口部
60…金属フレーム
100…蒸着マスク
200…フレーム付き蒸着マスク
Claims (14)
- 蒸着マスクであって、
前記蒸着マスクは、スリットが設けられた金属マスクと、前記スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部が設けられた樹脂マスクとが積層され、
前記金属マスクは、一般領域と、当該一般領域よりも厚肉な厚肉領域とから構成され、
前記厚肉領域の厚みは、前記一般領域の厚みよりも5μm以上厚く、且つ15μm以上35μm以下の範囲であり、
前記スリットは、前記一般領域を貫通するようにして設けられている、
蒸着マスク。 - 前記スリットが、2つ以上の前記開口部と重なっている、
請求項1に記載の蒸着マスク。 - 前記樹脂マスクの厚みが、4μm以上で8μm以下の範囲である、
請求項1又は2に記載の蒸着マスク。 - 前記樹脂マスクが、溝を有している、
請求項1乃至3の何れか1項に記載の蒸着マスク。 - 前記樹脂マスクが、前記開口部を複数有しており、
いずれかの前記開口部の間に、前記溝を有する、
請求項4に記載の蒸着マスク。 - 請求項1乃至4の何れか1項に記載の蒸着マスクが、フレームに固定されてなる、
フレーム付き蒸着マスク。 - 蒸着マスクの製造方法であって、
樹脂板とスリットが設けられた金属マスクとが積層された金属マスク付き樹脂板を準備する工程と、
前記樹脂板の前記スリットと重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部を形成する工程と、を含み、
前記金属マスクが、一般領域と、当該一般領域よりも厚肉な厚肉領域とから構成され、前記厚肉領域の厚みは、前記一般領域の厚みよりも5μm以上厚く、且つ15μm以上35μm以下の範囲であり、前記スリットが、前記一般領域を貫通するようにして設けられた金属マスクである、
蒸着マスクの製造方法。 - 前記金属マスクを、
厚みが15μm以上35μm以下の金属板を準備し、
前記金属板の一部を、厚み方向に5μm以上加工して、前記一般領域を形成し、
前記一般領域内に前記スリットを形成することにより得る、
請求項7に記載の蒸着マスクの製造方法。 - エッチング加工により、前記金属板に前記一般領域を形成する、
請求項8に記載の蒸着マスクの製造方法。 - レーザー加工により、前記開口部を形成する、
請求項7乃至9の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法。 - 請求項1乃至5の何れか1項に記載の蒸着マスクを製造するための方法であって、
レーザー加工により、前記開口部を形成する、
蒸着マスクの製造方法。 - 請求項1乃至5の何れか1項に記載の蒸着マスクを製造するための蒸着マスク準備体であって、
樹脂板とスリットが設けられた金属マスクとが積層され、
前記金属マスクが、一般領域と、当該一般領域よりも厚肉な厚肉領域とから構成され、
前記厚肉領域の厚みは、前記一般領域の厚みよりも5μm以上厚く、且つ15μm以上35μm以下の範囲であり、前記スリットが、前記一般領域を貫通するようにして設けられた金属マスクである、
蒸着マスク準備体。 - 蒸着で作製されるパターンの形成方法であって、
請求項1乃至5の何れか1項に記載の蒸着マスク、又は、請求項6に記載のフレーム付き蒸着マスク、又は、請求項7〜11の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法で製造された蒸着マスクを使用する、
パターンの形成方法。 - 有機半導体素子の製造方法であって、
請求項1乃至5の何れか1項に記載の蒸着マスク、又は、請求項6に記載のフレーム付き蒸着マスク、又は、請求項7〜11の何れか1項に記載の蒸着マスクの製造方法で製造された蒸着マスクを使用する、
有機半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014240433A JP6380049B2 (ja) | 2013-03-26 | 2014-11-27 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、パターンの形成方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013063295 | 2013-03-26 | ||
JP2013063295 | 2013-03-26 | ||
JP2014240433A JP6380049B2 (ja) | 2013-03-26 | 2014-11-27 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、パターンの形成方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014059432A Division JP5812139B2 (ja) | 2013-03-26 | 2014-03-24 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017253046A Division JP6601483B2 (ja) | 2013-03-26 | 2017-12-28 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015078441A JP2015078441A (ja) | 2015-04-23 |
JP6380049B2 true JP6380049B2 (ja) | 2018-08-29 |
Family
ID=53010098
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014240433A Active JP6380049B2 (ja) | 2013-03-26 | 2014-11-27 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、パターンの形成方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2015183439A Pending JP2016000865A (ja) | 2013-03-26 | 2015-09-16 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2017253046A Active JP6601483B2 (ja) | 2013-03-26 | 2017-12-28 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2019177803A Active JP6885439B2 (ja) | 2013-03-26 | 2019-09-27 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015183439A Pending JP2016000865A (ja) | 2013-03-26 | 2015-09-16 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2017253046A Active JP6601483B2 (ja) | 2013-03-26 | 2017-12-28 | 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP2019177803A Active JP6885439B2 (ja) | 2013-03-26 | 2019-09-27 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP6380049B2 (ja) |
CN (2) | CN109554663B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5994952B2 (ja) * | 2015-02-03 | 2016-09-21 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、レーザー用マスクおよび有機半導体素子の製造方法 |
JP6465075B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2019-02-06 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及びに有機elディスプレイの製造方法 |
JP7180193B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2022-11-30 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、薄膜製造装置、薄膜の製造方法、および有機半導体素子の製造方法 |
CN111485195A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-08-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 金属掩膜装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07300664A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Fujitsu Ltd | メタルマスクの製造方法とその再生方法 |
JP2002175878A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法 |
JP4635348B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2011-02-23 | 凸版印刷株式会社 | パターン形成用マスクおよびそれを使用したパターン形成装置 |
KR20030002947A (ko) * | 2001-07-03 | 2003-01-09 | 엘지전자 주식회사 | 풀칼라 유기 el 표시소자 및 제조방법 |
JP2003332057A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el素子製造に用いる真空蒸着用多面付けマスク装置 |
JP3775493B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2006-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法 |
JP2003272838A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Dainippon Printing Co Ltd | マスキング部材 |
JP4104964B2 (ja) * | 2002-12-09 | 2008-06-18 | 日本フイルコン株式会社 | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
JP2007173107A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | マスク、マスク固定装置、及びマスクを使用して製造するディスプレイの製造方法 |
JP4826924B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-11-30 | 株式会社みくに工業 | 微細金属バンプの形成方法 |
JP2009041054A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Sony Corp | 蒸着用マスクおよびその製造方法ならびに表示装置の製造方法 |
KR20090127288A (ko) * | 2007-11-30 | 2009-12-10 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP2013021165A (ja) * | 2011-07-12 | 2013-01-31 | Sony Corp | 蒸着用マスク、蒸着用マスクの製造方法、電子素子および電子素子の製造方法 |
WO2013039196A1 (ja) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法 |
JP6142194B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2017-06-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク |
TWI665320B (zh) * | 2013-03-26 | 2019-07-11 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法 |
-
2014
- 2014-03-24 CN CN201811201328.4A patent/CN109554663B/zh active Active
- 2014-03-24 CN CN201910052563.8A patent/CN109913802B/zh active Active
- 2014-11-27 JP JP2014240433A patent/JP6380049B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-16 JP JP2015183439A patent/JP2016000865A/ja active Pending
-
2017
- 2017-12-28 JP JP2017253046A patent/JP6601483B2/ja active Active
-
2019
- 2019-09-27 JP JP2019177803A patent/JP6885439B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109554663A (zh) | 2019-04-02 |
JP2015078441A (ja) | 2015-04-23 |
CN109554663B (zh) | 2020-03-17 |
JP2018059211A (ja) | 2018-04-12 |
JP2020002471A (ja) | 2020-01-09 |
JP6601483B2 (ja) | 2019-11-06 |
CN109913802B (zh) | 2021-12-21 |
CN109913802A (zh) | 2019-06-21 |
JP6885439B2 (ja) | 2021-06-16 |
JP2016000865A (ja) | 2016-01-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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