CN113278917B - 掩膜框架 - Google Patents

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Abstract

本发明实施方式涉及显示技术领域,公开了一种掩膜框架,包括:框架本体,所述框架本体包括蒸镀区和位于蒸镀区四周的框臂;至少一条复合支撑条,所述复合支撑条的两端分别固定于相互平行的两个框臂上,每个所述复合支撑条包括:磁性支撑条、以及位于所述磁性支撑条远离所述框臂一侧的非磁性支撑条;所述非磁性支撑条在平行于所述蒸镀区的平面上的正投影完全覆盖所述磁性支撑条在平行于所述蒸镀区的平面上的正投影。利用本实施例中的掩膜框架能够很大程度上提高蒸镀良率。

Description

掩膜框架
技术领域
本发明实施方式涉及显示技术领域,特别涉及一种掩膜框架。
背景技术
OLED显示屏由于具备自发光有机电激发光二极管,对比度高、厚度薄、反应速度快、可弯曲等优异特点,被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。
OLED工艺中的蒸镀工艺段,主要用精密掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)控制有机材料沉积在基板上进而完成各个膜层的蒸镀。精密掩膜板包括框架本体、支撑条和掩膜条,支撑条起遮挡和支撑作用,焊接在框架本体上。
然而,发明人发现当支撑条的材质为无磁性时,焊接后在重力作用下容易下垂,蒸镀基板不能完全与掩膜条紧密贴合造成蒸镀不良,尤其在大尺寸项目上尤为明显;而当支撑条的材质为磁性材质时,则由于磁场分布不均容易导致磁性支撑条侧翻的问题,同样导致蒸镀不良的问题。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种掩膜框架,利用本实施例中的掩膜框架能够很大程度上提高蒸镀良率。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种掩膜框架,包括:框架本体,所述框架本体包括蒸镀区和位于蒸镀区四周的框臂;至少一条复合支撑条,所述复合支撑条的两端分别固定于相互平行的两个框臂上,每个所述复合支撑条包括:磁性支撑条、以及位于所述磁性支撑条远离所述框臂一侧的非磁性支撑条;所述非磁性支撑条在平行于所述蒸镀区的平面上的正投影完全覆盖所述磁性支撑条在平行于所述蒸镀区的平面上的正投影。
另外,所述非磁性支撑条包括第一平坦部、以及自所述第一平坦部伸出、且朝向所述磁性支撑条的第一凸起部,所述第一凸起部沿所述非磁性支撑条的长度方向延伸。
另外,所述第一凸起部自所述第一平坦部的中间区域伸出。
另外,所述磁性支撑条包括:间隔设置的两个子磁性支撑条;所述第一凸起部嵌入所述两个子磁性支撑条之间,所述第一平坦部完全覆盖所述两个子磁性支撑条远离所述框架本体的表面。该方案中磁性支撑条包括:间隔设置的两个子磁性支撑条,第一凸起部嵌入两个子磁性支撑条之间,第一平坦部完全覆盖两个子磁性支撑条远离框架本体的表面,从而改善非磁性支撑条延伸方向上两侧的贴合效果。
另外,所述磁性支撑条包括:第二平坦部、自所述第二平坦部的两端分别伸出的两个第二凸起部,所述两个第二凸起部均朝向远离所述非磁性支撑条延伸;所述第二平坦部与所述两个第二凸起部形成第一凹槽,所述第一凹槽的开口朝向所述非磁性支撑条,所述第一凸起部嵌入所述第一凹槽内。
另外,所述第一凸起部的数目为两个,且两个所述第一凸起部自所述第一平坦部的两端分别伸出;两个所述第一凸起部与所述第一平坦部形成第二凹槽,且所述第二凹槽的开口朝向所述磁性支撑条。
另外,所述磁性支撑条嵌入所述第二凹槽内。该方案中由于非磁性支撑条卡设在凹槽内,因此能够避免非磁性支撑条侧翻的情况发生,从而更好地提升蒸镀良率。
另外,所述磁性支撑条包括第三平坦部、以及自所述第三平坦部伸出的第三凸起部,所述第三凸起部朝向所述非磁性支撑条延伸;所述第三凸起部卡设在所述第二凹槽内,所述第一平坦部完全覆盖所述第三平坦部远离所述框架本体的表面。该方案中第三凸起部卡设在非磁性支撑条的第二凹槽内,因此能够避免非磁性支撑条侧翻的情况发生;同时磁力较强,从而能够为非磁性支撑条提供更大的支持力,以避免非磁性支撑条在重力作用下下垂的情况发生。
另外,所述磁性支撑条包括贯穿所述第三凸起部和所述第三平坦部的导流孔,所述导流孔暴露出所述非磁性支撑条朝向所述框架本体的部分表面。该方案中在清洗掩膜框架时,导流孔能够将进入非磁性支撑条和磁性支撑条之间的清洗药液导出,方便清洗。
另外,所述磁性支撑条上具有多个凹槽或多个镂空孔。该方案中磁性支撑条上具有多个凹槽或多个镂空孔,以减轻磁性支撑条的重量,从而避免由于磁性支撑条重量过重而导致整个复合支撑条下垂的情况。
本发明实施方式相对于相关技术而言提供了一种掩膜框架,包括框架本体,框架本体包括蒸镀区和位于蒸镀区四周的框臂;至少一条复合支撑条,复合支撑条的两端分别固定于相互平行的两个框臂上。本实施例中的支撑条为复合支撑条,且每个复合支撑条包括磁性支撑条、以及位于磁性支撑条远远离框臂一侧的非磁性支撑条,非磁性支撑条在平行于蒸镀区的平面上的正投影完全覆盖磁性支撑条在平行于蒸镀区的平面上的正投影。
在蒸镀过程中,蒸镀基板放置于掩膜框架设置有复合支撑条的一侧,蒸镀基板上方依次设置有冷却板和磁吸板等装置,如此,利用本实施例中的掩膜框架进行蒸镀时,复合支撑条中的磁性支撑条能够被磁吸板吸附,从而将位于磁吸板和磁性支撑条之间的蒸镀基板和非磁性支撑条夹持起来,避免非磁性支撑条在重力作用下下垂,而不能将蒸镀基板与位于支撑条上方的掩膜条紧密贴合;同时由于非磁性支撑条位于磁性支撑条远离框臂一侧,且非磁性支撑条在平行于蒸镀区的平面上的正投影完全覆盖磁性支撑条在平行于蒸镀区的平面上的正投影,因此,即使磁性支撑条发生侧翻,由于非磁性支撑条的存在,也不会影响到蒸镀良率。因此利用本实施例中提供的掩膜框架能够很大程度上提高蒸镀良率。
附图说明
一个或多个实施方式通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施方式的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本发明第一实施方式的掩膜框架的结构示意图;
图2是根据本发明第一实施方式的复合支撑条在宽度方向上的横截面形状示意图;
图3是根据本发明第二实施方式的复合支撑条在宽度方向上的横截面形状示意图;
图4是根据本发明第二实施方式的复合支撑条在宽度方向上的另一种横截面形状示意图;
图5是根据本发明第三实施方式的复合支撑条在宽度方向上的一种横截面形状示意图;
图6是根据本发明第三实施方式的复合支撑条在宽度方向上的另一种横截面形状示意图;
图7是根据本发明第三实施方式的复合支撑条在宽度方向上的再一种横截面形状示意图。
具体实施方式
为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在本发明各实施方式中,为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改,也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种掩膜框架,如图1和图2所示,包括框架本体1,框架本体1包括蒸镀区10和位于蒸镀区10四周的框臂11。本实施例中框架本体1的形状为方形,包括四个框臂11,且两两框臂11相互平行,四个框臂11中间所围成的区域即为蒸镀区10。
至少一条复合支撑条2,复合支撑条2的两端分别固定于相互平行的两个框臂11上。在实际应用中,复合支撑条2可为多条,多条复合支撑条2中每条复合支撑条2的两端分别固定于两个框臂11上。且另外两个相互平行的框臂11上,也可设置多条复合支撑条2,从而提高掩膜框架的整体支撑能力。
本实施例中的支撑条为复合支撑条2,且每个复合支撑条2包括磁性支撑条21、以及位于磁性支撑条21远离框臂11一侧的非磁性支撑条22,非磁性支撑条22在平行于蒸镀区10的平面上的正投影完全覆盖磁性支撑条21在平行于蒸镀区10的平面上的正投影。
具体地说,在蒸镀过程中,蒸镀基板放置于掩膜框架设置有复合支撑条2的一侧,蒸镀基板上方依次设置有冷却板和磁吸板等装置,如此,利用本实施例中的掩膜框架进行蒸镀时,复合支撑条2中的磁性支撑条21能够被磁吸板吸附,从而将位于磁吸板和磁性支撑条21之间的蒸镀基板和非磁性支撑条22夹持起来,避免非磁性支撑条22在重力作用下下垂,而不能将蒸镀基板与位于支撑条上方的掩膜条紧密贴合的情况发生;同时由于非磁性支撑条22位于磁性支撑条21远离框臂11的一侧,且非磁性支撑条22在平行于蒸镀区10的平面上的正投影完全覆盖磁性支撑条21在平行于蒸镀区10的平面上的正投影,因此,即使磁性支撑条21发生侧翻,由于非磁性支撑条22的存在,也不会影响到蒸镀良率。因此利用本实施例中提供的掩膜框架能够很大程度上提高蒸镀良率。
本实施例中附图2所示的磁性支撑条21和非磁性支撑条22平行设置,仅为图示说明不以附图2所示的为限。
可选地,磁性支撑条21上具有多个凹槽或多个镂空孔,以减轻磁性支撑条21的重量,从而避免由于磁性支撑条21重量过重而导致整个复合支撑条2下垂的情况。当然,还可将非磁性支撑条22上也开设多个凹槽或多个镂空孔,不仅能够减轻整个复合支撑条2的重量,同时还能够保证整个复合支撑条2的磁性。
可选地,磁性支撑条21在平行于蒸镀区10的平面上的正投影的边缘位置,与非磁性支撑条22在平行于蒸镀区10的平面上的正投影的边缘位置之间的间隔距离在50微米~100微米之间。本实施例中磁性支撑条21相比于非磁性支撑条22在平行于蒸镀区10的平面上的正投影内缩了50微米~100微米之间,从而避免磁性支撑条21在磁场作用下偏移而遮挡蒸镀材料的情况发生,进一步提高蒸镀良率。
值得说明的是,为保证复合支撑条2在固定到框架本体1的框臂11上后的平整度,避免复合支撑条2突出于框臂11的表面而顶破搭接于掩膜框架上的精密掩膜版,本实施例中在框架本体1的框臂11上设置半刻结构以形成凹陷,复合支撑条2填充半刻结构从而填平凹陷,使得复合支撑条2远离框臂的表面与框臂11靠近支撑条2的表面齐平。
本发明的第二实施方式涉及一种掩膜框架,本实施方式中掩膜框架示意图如图1所示,本实施例中复合支撑条2在宽度方向上的横截面形状示意图如图3和图4所示,第二实施方式是对第一实施方式的变形,不同之处在于,本实施例中给出了复合支撑条2的一种具体结构样式。
如图3和图4所示,本实施例中非磁性支撑条22包括第一平坦部221、以及自第一平坦部221伸出、且朝向磁性支撑条21的第一凸起部222,第一凸起部222沿非磁性支撑条22的长度方向延伸。
如图3和图4所示,第一凸起部222自第一平坦部221的中间区域伸出,其中,第一平坦部221呈长条状,第一平坦部221包括中间区域以及在宽度方向上位于中间区域两侧的边缘区域。非磁性支撑条22在宽度方向上的横截面形状呈“T”字形。
作为一种可选的实现方式,如图3所示,磁性支撑条21包括:间隔设置的两个子磁性支撑条;第一凸起部222嵌入两个子磁性支撑条之间,第一平坦部221完全覆盖两个子磁性支撑条远离框架本体1的表面,从而改善非磁性支撑条21延伸方向上两侧的贴合效果。
可选地,两个子磁性支撑条上具有多个凹槽或多个镂空孔,以减轻磁性支撑条21的重量,从而避免由于磁性支撑条21重量过重而导致整个复合支撑条2下垂的情况。当然,还可将非磁性支撑条22上也开设多个凹槽或多个镂空孔,不仅能够减轻整个复合支撑条2的重量,同时还能够保证整个复合支撑条2的磁性。
可选地,每个子磁性支撑条在平行于蒸镀区的平面上的正投影的边缘位置,与非磁性支撑条22在平行于蒸镀区的平面上的正投影的边缘位置之间的最短间隔距离在50微米~100微米之间。本实施例中每个子磁性支撑条相比于非磁性支撑条22在平行于蒸镀区的平面上的正投影的边缘位置内缩了50微米~100微米之间,从而避免磁性支撑条21在磁场作用下偏移而遮挡蒸镀材料的情况发生,进一步提高蒸镀良率。
作为另一种可选的实现方式,如图4所示,磁性支撑条21包括第二平坦部211、自第二平坦部211的两侧分别伸出的两个第二凸起部212,两个第二凸起部212均朝向远离非磁性支撑条22延伸;第二平坦部211与两个第二凸起部212形成第一凹槽210,第一凹槽210的开口朝向非磁性支撑条22,第一凸起部222嵌入第一凹槽210内,从而改善非磁性支撑条21整体的贴合效果。
本发明的第三实施方式涉及一种掩膜框架,本实施方式中掩膜框架示意图如图1所示,本实施例中复合支撑条2在宽度方向上的横截面形状示意图如图5至图7所示,第二实施方式是对第一实施方式的变形,不同之处在于,本实施例中给出了复合支撑条2的另一种具体结构样式。
如图5至图7所示,本实施例中非磁性支撑条22包括第一平坦部221、以及自第一平坦部221伸出、且朝向磁性支撑条21延伸的第一凸起部222。
如图5至图7所示,第一凸起部222的数目为两个,且两个第一凸起部222自第一平坦部221的两端分别伸出;两个第一凸起部222与第一平坦部221形成第二凹槽220,且第二凹槽220的开口朝向磁性支撑条21。第一平坦部221呈长条状,第一平坦部221包括中间区域以及在宽度方向上位于中间区域两侧的边缘区域,第一平坦部221的两端即为第一平坦部221远离中间区域的两端。如图5至图7所示,非磁性支撑条22在宽度方向上的横截面形状呈“凹”字形结构。
作为一种可选的实现方式,如图5所示,磁性支撑条21嵌入第二凹槽220内,不仅能够为非磁性支撑条22提供支持力,避免非磁性支撑条22在重力作用下下垂,而不能将蒸镀基板与位于支撑条上方的掩膜条紧密贴合的情况发生;由于非磁性支撑条22卡设在凹槽内,因此能够避免非磁性支撑条22侧翻的情况发生,从而更好地提升蒸镀良率。
作为另一种可选的实现方式,如图6所示,本实施例中磁性支撑条21包括第三平坦部213、以及自第三平坦部213伸出的第三凸起部214,第三凸起部214朝非磁性支撑条22延伸;第三凸起部214卡设在第二凹槽220内,第一平坦部221完全覆盖第三平坦部213远离框架本体1的表面。
本实施例中磁性支撑条21在宽度方向上的横截面形状呈“T”字形,且第三凸起部214卡设在非磁性支撑条22的第二凹槽220内,因此能够避免非磁性支撑条22侧翻的情况发生。且由于磁性支撑条21既包括第三凸起部214、还包括第三平坦部213,因此磁力较强,从而能够为非磁性支撑条22提供更大的支持力,以避免非磁性支撑条22在重力作用下下垂的情况发生。
在部分实施例中,如图7所示,磁性支撑条21包括贯穿第三凸起部214和第三平坦部213的导流孔200,导流孔200暴露出非磁性支撑条22朝向框架本体1的部分表面。本实施例中设置贯穿第三凸起部214和第三平坦部213的导流孔200,从而在清洗掩膜框架时,将进入非磁性支撑条22和磁性支撑条21之间的清洗药液导出,方便清洗。
值得说明的是,为保证复合支撑条2在固定到框架本体1的框臂11上后的平整度,避免复合支撑条2突出于框臂11的表面而顶破搭接于掩膜框架上的精密掩膜版,本实施例中在框架本体1的框臂11上设置半刻结构以形成凹陷,复合支撑条2填充半刻结构从而填平凹陷,使得复合支撑条2远离框臂的表面与框臂11靠近支撑条2的表面齐平。
不难发现第二实施方式和第三实施方式是对第一实施方式的变形,第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效,为了减少重复,这里不再赘述。相应地,第二实施方式和第三实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。
本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施方式是实现本发明的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (10)

1.一种掩膜框架,其特征在于,包括框架本体,所述框架本体包括蒸镀区和位于蒸镀区四周的框臂;
至少一条复合支撑条,所述复合支撑条的两端分别固定于相互平行的两个框臂上,每个所述复合支撑条包括:磁性支撑条、以及位于所述磁性支撑条远离所述框臂一侧的非磁性支撑条;
所述非磁性支撑条在平行于所述蒸镀区的平面上的正投影完全覆盖所述磁性支撑条在平行于所述蒸镀区的平面上的正投影。
2.根据权利要求1所述的掩膜框架,其特征在于,所述非磁性支撑条包括第一平坦部、以及自所述第一平坦部伸出、且朝向所述磁性支撑条的第一凸起部,所述第一凸起部沿所述非磁性支撑条的长度方向延伸。
3.根据权利要求2所述的掩膜框架,其特征在于,所述第一凸起部自所述第一平坦部的中间区域伸出。
4.根据权利要求3所述的掩膜框架,其特征在于,所述磁性支撑条包括:间隔设置的两个子磁性支撑条;
所述第一凸起部嵌入所述两个子磁性支撑条之间,所述第一平坦部完全覆盖所述两个子磁性支撑条远离所述框架本体的表面。
5.根据权利要求3所述的掩膜框架,其特征在于,所述磁性支撑条包括:第二平坦部、自所述第二平坦部的两端分别伸出的两个第二凸起部,所述两个第二凸起部均朝向所述非磁性支撑条延伸;
所述第二平坦部与所述两个第二凸起部形成第一凹槽,所述第一凹槽的开口朝向所述非磁性支撑条,所述第一凸起部嵌入所述第一凹槽内。
6.根据权利要求2所述的掩膜框架,其特征在于,所述第一凸起部的数目为两个,且两个所述第一凸起部自所述第一平坦部的两端分别伸出;
两个所述第一凸起部与所述第一平坦部形成第二凹槽,且所述第二凹槽的开口朝向所述磁性支撑条。
7.根据权利要求6所述的掩膜框架,其特征在于,所述磁性支撑条嵌入所述第二凹槽内。
8.根据权利要求6所述的掩膜框架,其特征在于,所述磁性支撑条包括第三平坦部、以及自所述第三平坦部伸出的第三凸起部,所述第三凸起部朝向所述非磁性支撑条延伸;
所述第三凸起部卡设在所述第二凹槽内,所述第一平坦部完全覆盖所述第三平坦部远离所述框架本体的表面。
9.根据权利要求8所述的掩膜框架,其特征在于,所述磁性支撑条包括贯穿所述第三凸起部和所述第三平坦部的导流孔,所述导流孔暴露出所述非磁性支撑条朝向所述框架本体的部分表面。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的掩膜框架,其特征在于,所述磁性支撑条上具有多个凹槽或多个镂空孔。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106480404A (zh) * 2016-12-28 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜集成框架及蒸镀装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103668052A (zh) * 2012-09-07 2014-03-26 昆山允升吉光电科技有限公司 一种复合掩模板组件
KR102586049B1 (ko) * 2015-11-13 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106480404A (zh) * 2016-12-28 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜集成框架及蒸镀装置

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