CN107871826A - 沉积掩模、沉积装置及制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了沉积掩模、沉积装置及制造显示装置的方法，该沉积掩模包括第一区域、凹部区域和图案部分，其中：第一区域限定夹持部分，夹持部分位于沉积掩模的端部处并且被施加力以在沉积掩模的长度方向上使沉积掩模延伸；凹部区域与第一区域邻近并且限定位于端部处的凹部；图案部分包括沉积材料穿行经过的多个图案孔。沿着长度方向，多个第一图案部分布置在第一区域中以及多个第二图案部分布置在凹部区域中。施加的力使第一区域延伸，并且不使凹部区域延伸。力未施加限定图案部分的未延伸位置，并且对于第一图案部分和第二图案部分的未延伸位置，相邻第一图案部分之间的第一距离小于相邻第二图案部分之间的第二距离。

Description

沉积掩模、沉积装置及制造显示装置的方法
相关交叉引用
本申请要求于2016年9月22日提交的第10-2016-0121518号韩国专利申请的优先权及由其产生的所有权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及沉积掩模、使用沉积掩模的沉积装置以及使用沉积装置制造显示装置的方法。
背景技术
基于其移动性的电子设备已被广泛使用。作为便携式电子设备，平板个人计算机(“PC”)以及诸如移动电话的相对小的电子设备正被广泛使用。
这样的便携式电子设备包括用于支持各种功能以及用于向用户提供诸如图像或视频的视觉信息的显示装置。随着用于驱动便携式显示装置的部件的尺寸的减小，便携式显示装置在整个电子设备中的重要性逐渐增大。对于便携式电子设备和显示装置，已经发展了能够从平坦状态以预定角度弯曲的结构。
在显示装置的结构内的有机材料或用作显示装置内的电极的金属可在真空环境下沉积在显示装置的基板上，以通过真空沉积方法形成相对薄的膜。真空沉积方法通过以下执行：将其上待形成有机薄膜的(目标)基板定位在真空腔室中；将沉积掩模附接到定位的基板，该沉积掩模具有与待形成的有机薄膜的图案对应的沉积图案；以及通过使用沉积源使有机材料蒸发或升华，使得有机材料可沉积在基板上以在其上形成有机薄膜。
发明内容
一个或多个实施方式包括沉积掩模和沉积装置以及制造显示装置的方法。
额外的特征将部分地在以下的描述中阐述，并且部分地将从描述而明显，或通过对所呈现的实施方式的实践而习得。
根据一个或多个实施方式，沉积掩模包括第一区域、凹部区域和图案部分，其中：第一区域在沉积掩模的长度方向上延长以限定夹持部分，夹持部分位于沉积掩模在长度方向上的相对端部处并且该夹持部分被施加力以在沉积掩模的长度方向上使沉积掩模延伸，第一区域通过施加至夹持部分的力而在长度方向上延伸；凹部区域在沉积掩模的宽度方向上设置成与第一区域邻近，该凹部区域在沉积掩模的长度方向上延长以限定位于沉积掩模的相对端部中的每个端部处的凹部，该凹部区域不通过施加至夹持部分的力在长度方向上延伸；图案部分包括多个沉积图案孔，沉积材料穿行经过该多个沉积图案孔到达沉积材料沉积于其上的目标。图案部分设置成多个，包括沿着长度方向布置在第一区域中的多个第一图案部分和沿着长度方向布置在凹部区域中的多个第二图案部分。力未施加至夹持部分限定多个图案部分的未延伸位置，并且对于多个图案部分的未延伸位置，相邻第一图案部分之间的第一距离小于相邻第二图案部分之间的第二距离。
图案部分中的每个可具有包括矩形形状、圆形形状和椭圆形形状之一的平面形状。
图案部分中的每个可具有矩形形状并且包括圆拐角。
多个第一图案部分可分别在相邻第一图案部分之间限定多个第一距离，以及多个第二图案部分可分别在相邻第二图案部分之间限定多个第二距离。
第一距离和第二距离可以分别是恒定的。
第二距离可从沉积掩模的中心部分朝沉积掩模的相对端部逐渐增大。
根据一个或多个实施方式，用于沉积薄膜的沉积装置包括掩模框架组件和沉积源，其中，掩模框架组件设置成面对其上沉积薄膜的基板并且沉积材料穿行经过该掩模框架组件到达基板，沉积源设置成面对掩模框架组件并且沉积材料能够从沉积源朝掩模框架组件注射。掩模框架组件包括沉积掩模和框架，其中，沉积材料穿行经过该沉积掩模到达基板并且沉积掩模能够在其长度方向上延伸，在沉积掩模的长度方向上延伸的沉积掩模接合至框架，该框架包括位于其中心部分中的开口。沉积掩模包括第一区域、凹部区域和图案部分，其中：第一区域在长度方向上延长以限定夹持部分，夹持部分位于沉积掩模在长度方向上的相对端部处，并且夹持部分被施加力以在沉积掩模的长度方向上使沉积掩模延伸，第一区域通过施加至夹持部分的力而在长度方向上延伸；凹部区域设置成与第一区域邻近，凹部区域在沉积掩模的长度方向上延长以限定位于沉积掩模的相对端部中的每个端部处的凹部，凹部区域不通过施加至夹持部分的力在长度方向上延伸；图案部分包括沉积材料穿行经过的多个沉积图案孔。图案部分设置成多个，包括沿着长度方向布置在第一区域中的多个第一图案部分和沿着长度方向布置在凹部区域中的多个第二图案部分。力未施加至夹持部分限定多个图案部分的未延伸位置，并且对于多个图案部分的未延伸位置，相邻第一图案部分之间的第一距离小于相邻第二图案部分之间的第二距离。
图案部分中的每个可具有包括矩形形状、圆形形状和椭圆形形状之一的平面形状。
图案部分中的每个可具有矩形形状并且包括圆拐角。
多个第一图案部分可分别在相邻第一图案部分之间限定多个第一距离，以及多个第二图案部分可分别在相邻第二图案部分之间限定多个第二距离。
第一距离和第二距离可以分别是恒定的。
第二距离可从沉积掩模的中心部分朝沉积掩模的相对端部逐渐增大。
接合至框架的沉积掩模可不包括夹持部分。
力施加至夹持部分限定多个图案部分的已延伸位置，并且对于多个图案部分的已延伸位置，第一距离等于第二距离。
根据一个或多个实施方式，制造显示装置的方法包括：制备包括沉积掩模和框架的掩模框架组件，其中沉积掩模在其长度方向上拉伸，并且拉伸的沉积掩模接合至框架；将掩模框架组件和其上沉积显示装置的薄膜的基板设置成在沉积腔室中互相邻近且面对；以及使沉积材料从沉积源通过掩模框架组件并沉积到基板上以形成薄膜。制备掩模框架组件包括：制备沉积掩模，包括限定沉积掩模的第一区域，该第一区域在长度方向上延长以限定夹持部分，夹持部分位于沉积掩模在长度方向上的相对端部处，并且夹持部分被施加力以在沉积掩模的长度方向上使沉积掩模延伸；限定沉积掩模的凹部区域，该凹部区域设置成与第一区域邻近，凹部区域在沉积掩模的长度方向上延长以限定位于沉积掩模的相对端部中的每个端部处的凹部；以及限定图案部分，图案部分包括沉积材料穿行经过的多个沉积图案孔，图案部分设置成多个，包括沿着长度方向布置在第一区域中的多个第一图案部分和沿着长度方向布置在凹部区域中的多个第二图案部分，力未施加至夹持部分限定多个图案部分的未延伸位置，并且对于多个图案部分的未延伸位置，相邻第一图案部分之间的第一距离小于相邻第二图案部分之间的第二距离；通过向位于沉积掩模的相对端部处的夹持部分施加力而在沉积掩模的长度方向上拉伸沉积掩模；拉伸沉积掩模包括：使第一区域延伸并限定相邻第一图案部分之间的延伸的第一距离，该延伸的第一距离大于未延伸位置的第一距离，并且不使沉积掩模的凹部区域延伸；以及将拉伸的沉积掩模附接至框架，该框架包括位于其中心部分中的开口。
图案部分中的每个可具有包括矩形形状、圆形形状和椭圆形形状之一的平面形状。
图案部分中的每个可具有矩形形状并且包括圆拐角。
多个第一图案部分可分别在相邻第一图案部分之间限定多个第一距离，以及多个第二图案部分可分别在相邻第二图案部分之间限定多个第二距离。
第一距离和第二距离可以分别是恒定的。
第二距离可从沉积掩模的中心部分朝沉积掩模的相对端部逐渐地增大。
将拉伸的沉积掩模附接至框架可包括：去除夹持部分。
拉伸沉积掩模可限定多个图案部分的已延伸位置，并且对于多个图案部分的已延伸位置，第一距离可与第二距离对应。
附图说明
从以下结合附图对实施方式的描述，这些和/或其它特征将变得明显且更容易地理解，在附图中：
图1是根据本发明的沉积掩模的实施方式的立体图；
图2是图1的沉积掩模在其非拉伸状态下的俯视平面图；
图3是图2的沉积掩模在其拉伸状态下的俯视平面图；
图4A是沉积装置的实施方式的剖视图，在该沉积装置中，图1的沉积掩模用于薄膜沉积；
图4B是图4A中沉积掩模的端部的实施方式的剖视图；
图5是通过图4A和图4B的沉积装置制造的显示装置的实施方式的俯视平面图；
图6是图5的显示装置沿着线VI-VI'截取的剖视图；以及
图7至图11是示出图1的沉积掩模的修改实施方式的俯视平面图。
具体实施方式
由于本公开允许各种变化和诸多实施方式，因此将在附图中示出具体的实施方式且在书面描述中进行详细描述。参照用于示出一个或多个实施方式的附图，以便获得对其优点以及通过实施所实现的目标的充分理解。然而，实施方式可具有不同的形式，并且不应该被解释为限于本文中所阐述的描述。
在描述元件之间的诸如“在……上”、“连接至”、“在……之间”等关系时，将理解的是，元件可直接与另一元件相关，或者它们之间可存在介入的元件。相反，当元件被称作为“直接”与另一元件相关时，没有介入的元件存在。
虽然如“第一”、“第二”等这样的术语可用于描述各种部件，但这样的部件不必受上述术语限制。上述术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
除非其在上下文中具有明显不同的意思，否则以单数形式使用的表述包含复数的表述。还将理解的是，本文中使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”表示所陈述的特征或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征或部件的存在或添加。
另外，本文中可使用诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中描述的方向之外，相对术语意在包含设备的不同方向。例如，如果附图之一中的设备被翻转，则描述为在其它元件的“下”侧的元件将然后定向在其它元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可根据附图的具体取向而包含“下”和“上”两种取向。相似地，如果附图之一中的设备被翻转，则描述为在其它元件“下方”或“之下”的元件将然后定向在其它元件“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可包含在……上方和在……下方两种取向。
为了便于说明，可能夸大附图中部件的尺寸。换言之，由于附图中的部件的尺寸和厚度是为了便于说明而任意示出的，因此以下实施方式不限于此。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有如由本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。还将理解的是，除非本文中明确地如此限定，否则诸如常用字典中限定的那些术语应该被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义相一致的含义，并且不将以理想的或过于正式的意义来解释。
当某一实施方式可不同地实施时，具体的过程顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
以下将参照附图更详细地描述示例性实施方式。与图号无关，相同或相对应的那些部件给予相同的附图标记，并且省略了多余的说明。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联所列项的任何和全部组合。当诸如“……中的至少一个”的表述在元件的列表之后时，修饰整个元件列表而不修饰该列表的单个元件。
另外，根据本公开的一个或多个实施方式的显示装置可包括各种类型的显示装置。例如，显示装置可包括液晶显示装置或有机发光显示装置。下文中，为了便于描述，将描述显示装置是有机发光显示装置的情况。
具有相对大尺寸的显示装置已经是市场需求所要求的。因此，沉积掩模被制造得比诸如用于形成相对小的显示装置的相关技术的沉积掩模大。另外，在基板上形成薄膜以实现显示装置的相对高分辨率中，需要减小阴影效应。为此，维持沉积掩模相对于目标基板的位置，以减少或防止沉积过程期间它们之间的间隙，并且沉积掩模配置成具有相对小的(最小的)剖面厚度。
通常，为了获得在沉积掩模与目标基板之间不产生间隙或产生最小间隙的结构，沉积掩模与基板彼此粘附，并且由于施加至沉积掩模的相对端部的拉力，沉积掩模以拉紧状态布置在沉积装置框架上。
图1是根据本发明的沉积掩模120的实施方式的立体图，图2是图1的沉积掩模120在非拉伸状态下的俯视平面图，以及图3是示出图2的沉积掩模120的拉伸状态的俯视平面图。
参照图1和图2，根据本发明的沉积掩模120可包括或限定图案部分121、夹持部分122和夹持凹部123。沉积掩模120的这些特征中的一种或多种可以在单个沉积掩模120内设置成多个。
图案部分121可包括在沉积掩模120的区处设置成多个的(沉积)图案孔121h，并且沉积材料穿行经过图案孔121h而传送到诸如基板的目标。沉积掩模120的设置有图案孔121h的区可认为是沉积掩模120的网格区。沉积掩模120的在图案部分121之间并且与图案部分121邻近的区可分别是沉积掩模120的实心区，在实心区中没有设置图案孔121h。
多个图案孔121h可具有彼此相同的平面形状(例如，在俯视平面图中)以具有对应的平面区域。图1和图2将图案孔121h示出为矩形平面形状，但一个或多个实施方式不限于此。换言之，图案孔121h中的每个可具有各种平面形状，例如，多边形形状、圆形形状和椭圆形形状。下文中，为了便于描述，将描述图案孔121h在平面形状中为矩形的情况。
接下来，夹持部分122在沉积掩模120在其长度方向上的相对端部处分别设置成多个。夹持部分122可在第一方向上从沉积掩模120的端部延伸一定长度距离。对于在目标上形成相对薄的膜的沉积方法，夹持部分122可诸如由夹具(未示出)在沉积掩模120的拉伸状态下保持或夹持。
在沉积掩模120的端部的总平面区域之中，夹持凹部123是除位于沉积掩模120的相对端部处的夹持部分122之外的剩余区域，并且在沉积掩模120的拉伸状态下(诸如，当夹持部分122由以上描述的夹具保持时)不延伸。从沉积掩模120的在第二方向上的(端部)边缘，夹持凹部123可形成为从沉积掩模120的在第二方向上的边缘朝图案部分121凹入一定长度距离，并且限定夹持部分122的一定长度距离。通常，为了减小或有效防止因向沉积掩模120施加的拉力而引起的沉积掩模120的变形或损坏，沉积掩模120的在夹持凹部123处的内表面可形成为弯曲表面。然而，夹持凹部123处的内表面的形状不限于此，换言之，夹持凹部123处的内表面的形状可形成为具有一个或多个拐点，在俯视平面图中内表面在该一个或多个拐点处是弯曲的。
下文中，以下将更详细地描述沉积掩模120的夹持凹部123和夹持部分122。
在将诸如有机材料或金属材料的沉积材料沉积在预先设置于基板(图4A的S)上的有效区域或区上的过程期间使用沉积掩模120，其中该基板可形成显示装置(未示出)的一部分。为了减少或有效防止阴影效应的产生，沉积掩模120可在沉积掩模120的相对端部诸如由夹具分别夹持至框架(图4A的110)的状态下诸如通过焊接固定至该框架。
此处，“阴影效应”表示当沉积材料沉积在与预先设置在要沉积沉积材料的基板S上的有效区不同的另一区域时所产生的缺陷。这种缺陷可能在基板S和沉积掩模120的位置不维持相对靠近时和/或基板S和沉积掩模120不彼此附接且它们之间不期望地产生间隙时产生。因此，为了减少或有效防止阴影效应的产生，沉积掩模120的位置在沉积掩模120尽可能多地延伸或拉伸的状态下维持与基板S靠近(诸如，粘附至基板S)以便不在沉积掩模120与基板S之间产生间隙。
为此，在将沉积掩模120更加坚固地附接至框架110(诸如，焊接至框架110)之前，将沉积掩模120的夹持部分122诸如由夹具夹持至框架110。然后，在夹持部分122被夹持的状态下，诸如通过在第一方向(例如，沉积掩模120的长度方向)上向沉积掩模120施加拉力而由夹具将沉积掩模120紧紧地拉着。此后，在沉积掩模120在其长度方向上的相对端部安装在框架110上的状态下，将框架110和处于拉力下的沉积掩模120彼此焊接。在实施方式中，例如，框架110和沉积掩模120可通过它们之间的界面处的焊接部分115(参见图4B)而互相接合。
在执行框架110与沉积掩模120之间的焊接过程之后，去除沉积掩模120的相对端部的延伸得比框架110远的、作为其多余部分的一些部分。在实施方式中，例如，图1和图2中示出的夹持部分122的全部可作为拉伸的沉积掩模120延伸超过框架110的部分而去除。换言之，已通过拉力在长度方向上延伸的并且接合至框架110的沉积掩模120不包括夹持部分122，夹持部分122通过施加至其的拉力而在长度方向上延伸。作为以上过程的结果，可减小沉积掩模120与基板S之间的间隙，并且因此，可有效防止阴影效应的产生。
返回参照图1和图2，多个图案部分121可布置在第一方向(例如，沉积掩模120的长度方向)上和与第一方向相交的第二方向(例如，沉积掩模120的宽度方向)上。沉积掩模120的厚度可在第三方向上延伸，其中，第三方向与第一方向和第二方向两者相交，诸如，与它们垂直。图4A和图4B的剖视图与沉积掩模120的厚度方向对应。
尽管图1和图2示出了在第一方向上布置了矩形形状的五个图案部分121，以及在第二方向上布置了矩形形状的三个图案部分121，但一个或多个实施方式不限于此。稍后将参照图6至图10描述图案部分121的各种修改的示例。此处，为了便于描述，将详细描述这样的示例，在该示例中，图案部分121具有矩形平面形状，并且在第一方向上存在五个图案部分121以及在第二方向上存在三个图案部分121。
图案部分121可包括在第一方向上与第一区域A1重叠(例如，设置成一行)的多个第一图案部分121A以及在第一方向上与第二区域A2重叠的多个第二图案部分121B。沉积掩模120的实心部分围绕图案部分121中的每个。此处，假定第一图案部分121A布置在沉积掩模120的通过夹持和拉伸过程而延伸的第一区域A1中，以及第二图案部分121B布置在沉积掩模120的第二区域A2中，拉力间接影响、不直接施加至或根本不施加至该第二区域A2。沉积掩模120的第一区域A1可被认为限定其相对端部处的夹持部分122。沉积掩模120的第二区域A2可被认为限定夹持凹部123。
第二区域A2设置在沉积掩模120的宽度方向上的两个第一区域A1之间。第一区域A1和第二区域A2可在沉积掩模120的宽度方向上互相交替。如图1和图2中的阴影所示，每个第一区域A1可限定为从沉积掩模120的在第一方向上的边缘向内延伸一定宽度距离，以包括沉积掩模120的在第一(长度)方向上的、在这样的宽度距离内的全部长度部分。如图1和图2中的无阴影部分所示，第二区域A2可限定为在第一区域A1之间延伸一定宽度距离，以包括沉积掩模120的在第一(长度)方向上的、在第一区域A1之间的全部长度部分。
参照图2，在沉积掩模120的初始(非拉伸)状态中，在第一方向上间隔开的两个相邻的第一图案部分121A之间的第一距离d1可小于在第一方向上间隔开的两个相邻的第二图案部分121B之间的第二距离d2。第一距离d1和第二距离d2取自相应图案部分121的诸如沉积掩模120的网格部分与实心部分相遇(即，图案部分121和与其相邻的实心部分之间的界面处)的外边界。第一区域A1内的第一距离d1可以是恒定的或彼此相等的，以及第二区域A2内的第二距离d2可以是恒定的或彼此相等的，但本发明不限于此。如图2中所示，图案部分121在第二方向上交错。
当具有上述结构的沉积掩模120通过夹具延伸(参见图3)并接合至框架110时，由于拉力作用，可减小或有效防止图案部分121在第二方向上的交错。换言之，第一图案部分121A相对于彼此的以及相对于第二图案部分121B的初始位置被限定为使得第一图案部分121A的已延伸位置与第二图案部分121B的初始位置对齐。即使当沉积掩模120在第一区域A1处延伸时，也可以基本维持第二区域A2中的第二图案部分121B的初始位置。
以下将参照图2和图3更详细地描述图案部分121的相对位置。在施加拉力之前(参见图2)，布置在第一区域A1中的第一图案部分121A之间的距离等于第一距离d1。然而，当夹具在沿着沉积掩模120的长度的拉伸方向(参见图3在每个夹持部分122处所示的箭头)上向夹持部分122的相对端部施加拉力时，第一图案部分121A之间的距离(例如，d1')增大至大于第一距离d1。然而，布置在第二区域A2中的第二图案部分121B之间的初始第二距离d2最小程度地(如果有的话)受到施加至第一区域A1的拉力的影响，并且因此，可有效地维持第二图案部分121B之间的第二距离d2。此外，第二图案部分121B之间的第二距离d2可基本上与已延伸位置处的第一图案部分121A之间的增大的第一距离d1'对应(d1'≈d2)。
图4A是沉积装置的实施方式的剖视图，在该沉积装置中，图1的沉积掩模用于薄膜沉积；以及图4B是图4A中的沉积掩模的端部的实施方式的剖视图。
沉积装置100可限定用于形成薄膜的系统。沉积装置100可包括掩模框架组件MF、沉积源130、腔室140、支撑件150、诸如静电卡盘160的固定构件、视觉部分170和压力调节器180。
腔室140中的掩模框架组件MF可设置成面对腔室140中的基板S。掩模框架组件MF可包括框架110和沉积掩模120，其中，框架110在其中心部分中具有与沉积掩模120的一个或多个实施方式重叠的开口，沉积掩模120在其第一(长度)方向上延伸以设置成其相对端部被夹具夹持而安装在框架110上的状态。图4A的沉积掩模120处于这样的状态，在该状态中，如图2中所示的沉积掩模120的初始状态在第一方向上延伸以设置成如图3中所示的延伸状态，并且随后，延伸状态的沉积掩模120的相对端部通过焊接部分115安装在框架110上。如上所述，在将延伸的沉积掩模120安装在框架110上之后，可去除从图1至图3中所示的沉积掩模120的相对端部突出的延伸的夹持部分122。其中，图3通过虚线示出了延伸的第一区域A1，可去除这样的虚线部分。图4A示出由于已去除夹持部分122，沉积掩模120的端部不延伸超过框架110的边缘。
此处，图4中示出的沉积掩模120具有与如参照图1至图3所示的沉积掩模120的结构特性基本上对应的结构特性，此处省略了关于沉积掩模120的附加描述。
另外，腔室140中的沉积源130可面对腔室140中的掩模框架组件MF以朝掩模框架组件MF注射沉积材料。因此，沉积材料可容纳在沉积源130中，并且沉积源130可包括用于加热沉积材料的加热器(未示出)。此处，沉积材料可以是诸如当加热时可以升华或蒸发的材料。沉积材料可包括无机材料、金属和有机材料中的至少一种。然而，为了便于描述，以下将描述其中沉积材料为有机材料的示例。
腔室140可在其中具有密封的空间，并且在其的一部分中具有开口。此处，闸阀141a可设置成与腔室140的开口连通以关闭和打开该开口。
腔室140中的支撑件150可支撑和固定腔室140内的掩模框架组件MF。另外，支撑件150可以是可旋转的或线性地可移动的，以相应地移动掩模框架组件MF，从而使掩模框架组件MF与基板S对齐。
腔室140中的静电卡盘160可布置在腔室140中以面对基板S。此处，静电卡盘160可向沉积掩模120施加吸引力，以将包括沉积掩模120的掩模框架组件MF朝基板S拉引。换言之，静电卡盘160不仅可减小或有效防止沉积掩模120的下垂，还可将沉积掩模120粘附至基板S。
视觉部分170布置成与腔室140的内部连通以便提供视觉图像，诸如，腔室140内的基板S和掩模框架组件MF相对于彼此的拍摄位置等。视觉部分170可包括用于拍摄基板S和掩模框架组件MF的相机。因而，腔室140内的基板S和掩模框架组件MF的位置可基于由视觉部分170拍摄的图像而被监控。另外，基于由视觉部分170产生的基板S和掩模框架组件MF的位置信息，可以移动支撑件150以相对精细地调整掩模框架组件MF的位置。
压力调节器180可包括连接至腔室140的连接管181和设置在连接管181上的泵182。此处，根据泵182的操作，外部空气可通过连接管181引入，和/或腔室140中的气体可通过连接管181排放至腔室140的外部。
另外，沉积装置100可以是用于制造稍后将描述的显示装置20(参见图5)的系统。在沉积薄膜的方法的实施方式中(诸如，在制造显示装置中)，当压力调节器180将腔室140的内部压力调节为等于大气压力或与大气压力相似时，闸阀141a操作以打开腔室140的开口。
此后，基板S可通过打开的开口从腔室140的外部传送至腔室140中。此处，基板S可以以多种方式运送至腔室140中。在实施方式中，例如，基板S可通过设置在腔室140外部的机器臂运送至腔室140中。
作为另一示例，当支撑件150包括梭子(shuttle)部分时，支撑件150通过梭子部分从腔室140排出至腔室140的外部。此后，基板S可通过设置在腔室140外部的附加机器臂在腔室140外部安装在支撑件150上。支撑件150可在支撑基板S的同时从腔室140外部运送至腔室140中。然而，为了便于描述，将详细描述其中基板S通过设置在腔室140外部的机器臂从外部运送至腔室140中的示例。
如上所述，掩模框架组件MF可布置在腔室140中。作为另一示例，与基板S相似，掩模框架组件MF可从腔室140的外部运送至腔室140中。然而，为了便于描述，将详细描述其中掩模框架组件MF布置在腔室140中且仅基板S从腔室140的外部运送至腔室140中的示例。
当基板S运送至腔室140中时，基板S可安装在具有与支撑件150的结构和功能相似的结构和功能的支撑部分(未示出)上。此处，视觉部分170可拍摄基板S和掩模框架组件MF在腔室140中的位置。具体地，视觉部分170可捕获基板S的第一对准标记(未示出)的图像，以及掩模框架组件MF的第二对准标记(未示出)的图像。
基于第一对准标记和第二对准标记的位置，可识别腔室140中基板S和掩模框架组件MF的位置。此处，沉积装置100包括附加控制器(未示出，设置在沉积系统外部或内)，以监控基板S和掩模框架组件MF的位置。当识别了腔室140中的基板S和掩模框架组件MF的位置时，可控制用于支撑基板S的支撑部分和用于支撑掩模框架组件MF的支撑件150中的至少一个，以调整包括沉积掩模120的掩模框架组件MF的位置。
此后，随着基板S的有效区域和掩模框架组件MF的图案部分121的位置调整至腔室140中的对准位置，沉积源130操作以朝掩模框架组件MF喷射沉积材料。在穿行经过掩模框架组件MF的沉积掩模120中的多个图案孔121h之后，沉积材料可在其期望的有效区域处沉积在基板S上。此处，为了将沉积源130的沉积材料沉积到基板S上，泵182影响腔室140中气体的运动以将气体排放到腔室140的外部，并且因此，可使腔室140的内部压力维持在真空状态或接近真空状态。
下文中，将详细描述通过包括沉积掩模120的沉积装置100制造的显示装置20的实施方式和显示装置20的制造方法。
图5是通过图4A和图4B的沉积装置100制造的显示装置20的实施方式的俯视平面图，以及图6是沿着线VI-VI'截取的图5的显示装置20的剖视图。显示装置20可包括在Y-方向上延伸的一对(长)边以及在与Y-方向相交的X-方向上延伸的一对(短)边。显示装置20的厚度可在与Y-方向和X-方向两者相交(诸如，与它们垂直)的Z-方向上延伸。
参照图5和图6，显示装置20可包括位于基板21上的显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。图像可生成并显示在显示区域DA中。图像可以不显示在非显示区域NDA中。显示装置20的发射部分D可布置在显示区域DA中。将信号(例如，控制、驱动、电力等)传输至显示区域DA的导线(未示出)可布置在非显示区域NDA中并连接至显示区域DA的元件，诸如发射部分D。另外，焊盘部分C可布置在非显示区域NDA中。
显示装置20可包括基板21，它的层设置在基板21上。在显示装置20的层之中，发射部分D设置在基板21的显示区域DA中。另外，显示装置20可包括位于发射部分D上方的薄膜封装层E。此处，基板21可包括玻璃材料，但不限于此。基板21可包括塑料材料或诸如不锈钢(“SUS”)和Ti的金属材料。另外，基板21可包括聚酰亚胺(“PI”)。下文中，为了便于描述，将详细描述基板21包括玻璃材料的情况。
发射部分D可以位于基板21上。此处，发射部分D可包括薄膜晶体管(“TFT”)、覆盖TFT的钝化层27和位于钝化层27上的有机发光设备(“OLED”)28。
缓冲层22位于基板21的上表面上。缓冲层22可包括有机化合物和/或无机化合物，并且可包括SiOx(x≥1)或SiNx(x≥1)。
TFT的有源层23以预定的图案布置在缓冲层22上方。有源层23通过栅极绝缘层24的一部分内嵌在TFT处。有源层23包括或限定源极区23-1和漏极区23-3以及源极区23-1与漏极区23-3之间的沟道区23-2。
有源层23可包括各种材料。在实施方式中，例如，有源层23可包括诸如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。作为另一示例，有源层23可包括氧化物半导体。作为另一示例，有源层23可包括有机半导体材料。下文中，为了便于描述，以下将详细地描述其中有源层23包括非晶硅的示例。
在制造显示装置20的方法的实施方式中，有源层23可通过以下获得：将非晶硅材料层布置在缓冲层22上；将非晶硅材料层晶化成多晶硅层；以及使多晶硅层图案化。有源层23的源极区23-1和漏极区23-3根据TFT的种类(例如，显示装置20的驱动TFT或开关TFT)，掺杂杂质。
TFT的与有源层23对应的栅电极25和内嵌栅电极25的层间绝缘层26布置在栅极绝缘层24的上表面上。
另外，接触孔H1设置在或形成在层间绝缘层26和栅极绝缘层24中。TFT的源电极27-1和漏电极27-2布置在层间绝缘层26上，以便分别接触有源层23的源极区23-1和漏极区23-3。
钝化层27布置在如上所述获得的TFT的上方。OLED 28的像素电极28-1布置在钝化层27上。像素电极28-1在设置于或形成于钝化层27中的通孔H2处接触TFT的漏电极27-2。钝化层27可具有包括无机材料和/或有机材料的单层结构或多层结构。钝化层27可以是与下层的轮廓无关的具有平坦上表面的平坦化层，或者可以是根据下层的轮廓而具有非线性上表面的弯曲(例如，非平坦)层。另外，钝化层27可包括透明绝缘体材料以便实现共振效应。
在将像素电极28-1布置在钝化层27上方之后，像素限定层29覆盖像素电极28-1和钝化层27。像素限定层29包括有机材料和/或无机材料，并且开口设置或形成在像素限定层29中且暴露像素电极28-1。
另外，OLED 28的中间层28-2和相对电极28-3布置在像素电极28-1上方。
像素电极28-1用作OLED 28的阳电极，以及相对电极28-3用作OLED 28的阴电极，或者，反之亦然。
像素电极28-1和相对电极28-3通过中间层28-2互相绝缘，并且将不同极性的电压施加至中间层28-2以在发射部分D处发光。
中间层28-2可包括有机发射材料层。作为另一示例，中间层28-2可包括有机发射层，以及还可包括空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)中的至少之一。然而，实施方式不限于此，并且中间层28-2可包括有机发射层，以及还可包括各种其它功能层(未示出)。
另外，显示图像的单元像素可设置在显示装置20的显示区域DA中。一个单元像素可包括显示图像的多个子像素，并且该多个子像素可发射各种光颜色。在实施方式中，例如，多个子像素可包括分别发射红光、绿光和蓝光的子像素，或者分别发射红光、绿光、蓝光和白光的子像素(未用附图标记表示)。每个单元像素和/或子像素可包括发射光的像素显示区域和不发射光的像素非显示区域。在实施方式中，OLED 28可设置在像素显示区域中，而发射部分D的其它元件可设置在像素非显示区域处。
另外，薄膜封装层E可包括多个无机层，或者无机层和有机层。薄膜封装层E可通常设置成跨越单元像素和/或子像素。
薄膜封装层E的有机层包括聚合物，并且可以是由聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任一种形成的单个层或层堆叠。有机层可包括聚丙烯酸酯，并且详细地，可包括聚合的单体组合物，聚合的单体组合物包括基于二丙烯酸酯的单体和基于三丙烯酸酯的单体。单体组合物还可包括基于单丙烯酸酯的单体。此外，单体组合物还可包括诸如二苯基(2,3,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦(“TPO”)的光引发剂，但一个或多个实施方式不限于此。
薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单个层或层堆叠。详细地，无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的任一种。
暴露于显示装置20外部的薄膜封装层E的顶层或最上层可包括无机层，以减小或有效防止水分侵入OLED 28中或发射部分D的其它层中。
薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构或堆叠式结构，在夹层结构或堆叠式结构中至少一个有机层插入在至少两个无机层之间。在另一示例中，薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，在该夹层结构中至少一个无机层插入在至少两个有机层之间。在另一示例中，薄膜封装层E可包括其中至少一个有机层插入在至少两个无机层之间的夹层结构以及其中至少一个无机层插入在至少两个有机层之间的夹层结构。
薄膜封装层E可从OLED 28的顶部顺序地包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。
在另一示例中，薄膜封装层E可从OLED 28的顶部顺序地包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
在另一示例中，薄膜封装层E可从OLED 28的顶部顺序地包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
包括氟化锂(LiF)的卤化金属层可另外包括在OLED 28与薄膜封装层E的第一无机层之间。卤化金属层可减少或有效防止在制造显示装置20的方法的实施方式中当以溅射方法形成第一无机层时对OLED 28的损坏。
在显示装置20的剖面(厚度)方向上，第一有机层可比第二无机层薄，以及第二有机层可比第三无机层薄。
因此，显示装置20可包括中间层28-2，显示装置20的精确图案针对中间层28-2而形成。因而，中间层28-2可布置在发射部分D内的精确位置处，以将图像准确地实现在单元像素的显示区域DA处。另外，即使沿基板21重复地布置中间层28-2，也可在基板21的期望有效区处将图案一致地实现为在它们之间具有恒定的或均匀的距离，并且因此，在连续制造过程期间，显示装置20可以呈现均匀的质量。
在实施方式中，中间层28-2可通过如上所述的沉积掩模120和使用沉积掩模120的沉积装置100制造为薄膜。
图7至图11是示出图1的沉积掩模120的修改实施方式的俯视平面图。
参照图7，根据修改实施方式的沉积掩模220可包括与参照图1至图3所示的沉积掩模120的元件相同的元件。换言之，沉积掩模220包括图案部分221、夹持部分222和夹持凹部223，其中，图案部分221包括沉积材料穿行经过的多个(沉积)图案孔221h，夹持部分222在沉积掩模120的延伸期间在由夹具夹持的同时在第一方向上延伸，夹持凹部223在沉积掩模120的延伸期间在夹持部分222由夹具夹持的同时不延伸。
另外，沉积掩模220的多个图案部分221可布置在第一方向上和与第一方向相交的第二方向上，并且可包括在第一方向上与第一区域A1重叠的多个第一图案部分221A和在第一方向上与第二区域A2重叠的多个第二图案部分221B。另外，在沉积掩模120的初始(未延伸)状态中，两个相邻的第一图案部分221A之间的第一距离d1可小于两个相邻的第二图案部分221B之间的第二距离d2和第二距离d3中的每个。第一区域A1内的第一距离d1可以是恒定的或彼此相等的，以及第二区域A2内的第二距离可以不是恒定的或彼此相等的，但本发明不限于此。
然而，图7的沉积掩模220与图1和图2的沉积掩模120的不同之处在于，从沉积掩模220的中心部分到其相应的相对端部，两个相邻的第二图案部分221B之间的第二距离逐渐增大。换言之，相对靠近端部的第二图案部分221B之间的第二距离d3可大于相对靠近沉积掩模220的中心部分的第二图案部分221B之间的第二距离d2。
参考图7和图3，当具有上述结构的沉积掩模220在由夹具夹持的同时延伸时，第一图案部分221A和第二图案部分221B可通过调整拉伸强度而如图3的沉积掩模120的那样互相平行地布置在第一方向和第二方向两个方向上。换言之，由于使沉积掩模120延伸的拉力的施加，第一图案部分221A的已延伸位置限定它们之间的第一距离(参见图3的d1')，该第一距离与第二图案部分221B之间的初始第二距离d2和d3对应。
另外，图8至图10示出图1至图3中所示的图案部分121的各种修改实施方式。
图8示出圆形图案部分321，图9示出椭圆形图案部分421，以及图10示出具有圆拐角的矩形图案部分521。分别参照图8至图10，沉积掩模320包括图案部分321、夹持部分322和夹持凹部323；沉积掩模420包括图案部分421、夹持部分422和夹持凹部423；以及沉积掩模520包括图案部分521、夹持部分522和夹持凹部523；其中，沉积材料穿行经过图案部分321、421和521，夹持部分322、422和522在沉积掩模320、420和520的延伸期间在由夹具夹持的同时在第一方向上延伸，以及夹持凹部323、423和523在沉积掩模320、420和520的延伸期间在夹持部分322、422和522由夹具夹持的同时不延伸。
如参照图8至图10所示，图案部分321、421和521可具有各种平面形状。然而，在任何情况下，布置在不同形状的图案部分321、421和521的平面区域内的沉积图案孔321h、421h和521h可具有相同的平面形状，例如，直线形状或正方形形状，但不限于此。
另外，即使当图案部分321、421和521具有各种平面形状时，相邻的第一图案部分321A、421A和521A之间的第一距离d1也可小于相邻的第二图案部分321B、421B和521B之间的第二距离d2。另外，尽管附图中未示出，但图8至图10中示出的图案部分321、421和521的相邻的第二图案部分321B、421B和521B之间的第二距离可如图7中所示的从沉积掩模320、420和520的中心部分朝相对端部逐渐增大。
另外，图11示出沉积掩模620的另一修改实施方式，沉积掩模620具有用于布置在沉积掩模620的宽度方向上的三个区的、设置在沉积掩模620的相对端部处的夹持部分622。
参照图11，沉积掩模620可包括与参照图1至图3所示的沉积掩模120的元件相同的元件。换言之，沉积掩模620包括图案部分621、夹持部分622和夹持凹部623，其中，图案部分621包括沉积材料穿行经过的多个图案孔621h，夹持部分622各自在沉积掩模620的延伸期间在由夹具夹持的同时在第一方向上延伸，夹持凹部623在沉积掩模620的延伸期间在夹持部分622由夹具夹持的同时不延伸。
另外，沉积掩模620的多个图案部分621可布置在第一方向上和与第一方向相交的第二方向上，并且可包括在第一方向上与第一区域A1重叠的多个第一图案部分621A和在第一方向上与第二区域A2重叠的多个第二图案部分621B。另外，在沉积掩模620的初始(未延伸)状态中，两个相邻的第一图案部分621A之间的第一距离d1可小于两个相邻的第二图案部分621B之间的第二距离d2。
然而，图11的沉积掩模620可包括在第一方向上与夹持部分622重叠(例如，布置成一行的)的三个第一区域A1和在沉积掩模620的延伸期间不被夹具夹持并且可布置在沉积掩模620的第二(宽度)方向上的三个第一区域A1之间的两个第二区域A2。
换言之，图11的沉积掩模620可包括在第一方向上的五个图案部分621和在第二方向上的五个图案部分621，换言之，总共二十五个图案部分621。然而，一个或多个实施方式不限于上述数量的图案部分621。图11的图案部分621的数量是为了便于描述的示例。换言之，一个单个沉积掩模620可包括在沿着第一方向和/或第二方向的多个列中的图案部分621。
由于延伸的沉积掩模620的夹持部分622在第一方向上延伸的同时接合至框架110(参见图4)，因此图案部分621可如图3的沉积掩模120中那样有规律地互相平行地布置。换言之，由于使沉积掩模620延伸的拉力的施加，第一图案部分621A的已延伸位置限定它们之间的第一距离(参见图3的d1')，该第一距离与第二图案部分621B之间的初始第二距离(图11中的d2)对应。
此外，图11的一个单个沉积掩模620包括多个图案部分621，并且因此，可大大降低用于制造掩模框架组件MF(参见图4)所需的沉积掩模620的总数量。因此，可减少制造沉积掩模620所花费的持续时间。
在一个或多个实施方式中，例如，为了将沉积材料沉积在基板S(参见图4)上的多个有效区域处，沉积掩模包括多个图案部分。由于图1至图3或图11中示出的沉积掩模120或沉积掩模620包括在一个沉积掩模120或沉积掩模620中的多个列中的图案部分121或图案部分621，因此减少了通过其夹持部分122或夹持部分622在第一方向上延伸且接合至框架110的沉积掩模120或沉积掩模620的总数量。因此，可减少制造沉积掩模120或沉积掩模620所花费的持续时间。
根据沉积掩模和沉积装置及使用该沉积装置制造显示装置的方法的一个或多个实施方式，即使当沉积掩模的夹持部分在框架和延伸的沉积掩模互相接合的时候延伸时，可能不发生延伸的掩模的图案部分与目标基板的有效区的不对准。
应理解的是，本文中描述的实施方式应仅以描述性的意义来理解，并不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征的描述通常应认为可用于其它实施方式中的其它相似特征。
虽然已参照附图描述了一个或多个实施方式，但本领域普通技术人员将理解的是，在不背离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可对其形式和细节作出各种改变。

Claims (19)

1.沉积掩模，包括：
第一区域，在所述沉积掩模的长度方向上延长以限定夹持部分，所述夹持部分位于所述沉积掩模在所述长度方向上的相对端部处，并且所述夹持部分被施加力以在所述沉积掩模的所述长度方向上使所述沉积掩模延伸，所述第一区域通过施加至所述夹持部分的所述力而在所述长度方向上延伸；
凹部区域，在所述沉积掩模的宽度方向上设置成与所述第一区域邻近，所述凹部区域在所述沉积掩模的所述长度方向上延长，以限定位于所述沉积掩模的所述相对端部中的每个端部处的凹部，所述凹部区域不通过施加至所述夹持部分的所述力在所述长度方向上延伸；以及
图案部分，包括多个沉积图案孔，沉积材料穿行经过所述多个沉积图案孔到达目标，所述沉积材料沉积在所述目标上，
其中，
所述图案部分设置成多个，包括：
多个第一图案部分，沿着所述长度方向布置在所述第一区域中；以及
多个第二图案部分，沿着所述长度方向布置在所述凹部区域中，
所述力未施加至所述夹持部分限定多个所述图案部分的未延伸位置，以及
对于所述多个所述图案部分的所述未延伸位置，所述多个第一图案部分中的相邻第一图案部分之间的第一距离小于所述多个第二图案部分中的相邻第二图案部分之间的第二距离。
2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述图案部分中的每个具有包括矩形形状、圆形形状和椭圆形形状之一的平面形状。
3.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，所述图案部分中的每个具有所述矩形形状并且包括圆拐角。
4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，
所述多个第一图案部分分别在所述多个第一图案部分中的相邻第一图案部分之间限定多个第一距离，以及所述多个第二图案部分分别在所述多个第二图案部分中的相邻第二图案部分之间限定多个第二距离，以及
对于所述多个所述图案部分的所述未延伸位置，所述多个第一距离和所述多个第二距离分别是恒定的。
5.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，
所述多个第一图案部分分别在所述多个第一图案部分中的相邻第一图案部分之间限定多个第一距离，以及所述多个第二图案部分分别在所述多个第二图案部分中的相邻第二图案部分之间限定多个第二距离，以及
对于所述多个所述图案部分的所述未延伸位置，所述多个第二距离从所述沉积掩模的中心部分朝所述沉积掩模的所述相对端部逐渐增大。
6.用于沉积薄膜的沉积装置，所述装置包括：
掩模框架组件，设置成面对基板，所述基板上沉积所述薄膜，并且沉积材料穿行经过所述掩模框架组件到达所述基板；以及
沉积源，设置成面对所述掩模框架组件，并且所述沉积材料能够从所述沉积源朝所述掩模框架组件注射，
其中，所述掩模框架组件包括：
沉积掩模，所述沉积材料穿行经过所述沉积掩模到达所述基板，并且所述沉积掩模能够在所述沉积掩模的长度方向上延伸；以及
框架，在所述沉积掩模的所述长度方向上延伸的所述沉积掩模接合至所述框架，所述框架包括位于所述框架的中心部分中的开口，
其中，所述沉积掩模包括：
第一区域，在所述长度方向上延长以限定夹持部分，所述夹持部分位于所述沉积掩模在所述长度方向上的相对端部处，并且所述夹持部分被施加力以在所述沉积掩模的所述长度方向上使所述沉积掩模延伸，所述第一区域通过施加至所述夹持部分的所述力而在所述长度方向上延伸；
凹部区域，设置成与所述第一区域邻近，所述凹部区域在所述沉积掩模的所述长度方向上延长以限定位于所述沉积掩模的所述相对端部中的每个端部处的凹部，所述凹部区域不通过施加至所述夹持部分的所述力在所述长度方向上延伸；以及
图案部分，包括所述沉积材料穿行经过的多个沉积图案孔，
其中，所述图案部分设置成多个，包括：
多个第一图案部分，沿着所述长度方向布置在所述第一区域中；以及
多个第二图案部分，沿着所述长度方向布置在所述凹部区域中，
所述力未施加至所述夹持部分限定多个所述图案部分的未延伸位置，以及
对于所述多个所述图案部分的所述未延伸位置，所述多个第一图案部分中的相邻第一图案部分之间的第一距离小于所述多个第二图案部分中的相邻第二图案部分之间的第二距离。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述图案部分中的每个具有包括矩形形状、圆形形状和椭圆形形状之一的平面形状。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述图案部分中的每个具有所述矩形形状并且包括圆拐角。
9.根据权利要求6所述的装置，其中，
所述多个第一图案部分分别在所述多个第一图案部分中的相邻第一图案部分之间限定多个第一距离，以及所述多个第二图案部分分别在所述多个第二图案部分中的相邻第二图案部分之间限定多个第二距离，以及
所述多个第一距离和所述多个第二距离分别是恒定的。
10.根据权利要求6所述的装置，其中，
所述多个第一图案部分分别在所述多个第一图案部分中的相邻第一图案部分之间限定多个第一距离，以及所述多个第二图案部分分别在所述多个第二图案部分中的相邻第二图案部分之间限定多个第二距离，以及
所述多个第二距离从所述沉积掩模的中心部分朝所述沉积掩模的所述相对端部逐渐增大。
11.根据权利要求6所述的装置，其中，接合至所述框架的所述沉积掩模不包括所述夹持部分。
12.根据权利要求6所述的装置，其中，
所述力施加至所述夹持部分限定多个所述图案部分的已延伸位置，以及
对于所述多个所述图案部分的所述已延伸位置，所述第一距离等于所述第二距离。
13.制造显示装置的方法，所述方法包括：
制备包括沉积掩模和框架的掩模框架组件，所述沉积掩模在所述沉积掩模的长度方向上拉伸，并且所拉伸的沉积掩模接合至所述框架；
将所述掩模框架组件和基板设置成在沉积腔室中互相邻近且面对，其中所述基板上沉积所述显示装置的薄膜；以及
使沉积材料从沉积源通过所述掩模框架组件并沉积到所述基板上以形成所述薄膜，
其中，所述制备所述掩模框架组件包括：
制备所述沉积掩模，包括：
限定所述沉积掩模的第一区域，所述第一区域在所述长度方向上延长以限定夹持部分，所述夹持部分位于所述沉积掩模在所述长度方向上的相对端部处，并且所述夹持部分被施加力以在所述沉积掩模的所述长度方向上拉伸所述沉积掩模；
限定所述沉积掩模的凹部区域，所述凹部区域设置成与所述第一区域邻近，所述凹部区域在所述沉积掩模的所述长度方向上延长，以限定位于所述沉积掩模的所述相对端部中的每个端部处的凹部；
以及
限定图案部分，所述图案部分包括所述沉积材料穿行经过的多个沉积图案孔，所述图案部分设置成多个，包括沿着所述长度方向布置在所述第一区域中的多个第一图案部分和沿着所述长度方向布置在所述凹部区域中的多个第二图案部分，
其中，
所述力未施加至所述夹持部分限定多个所述图案部分的未延伸位置，以及
对于所述多个所述图案部分的所述未延伸位置，所述多个第一图案部分中的相邻第一图案部分之间的第一距离小于所述多个第二图案部分中的相邻第二图案部分之间的第二距离；
通过向位于所述沉积掩模的所述相对端部处的所述夹持部分施加所述力而在所述沉积掩模的所述长度方向上拉伸所述沉积掩模，其中，所述拉伸所述沉积掩模包括：
使所述第一区域延伸并限定所述相邻第一图案部分之间的延伸的第一距离，所述延伸的第一距离大于所述未延伸位置的所述第一距离，以及
不使所述沉积掩模的所述凹部区域延伸；以及
将所拉伸的沉积掩模附接至所述框架，所述框架包括位于所述框架的中心部分中的开口。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述图案部分中的每个具有包括矩形形状、圆形形状和椭圆形形状之一的平面形状。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述图案部分中的每个具有所述矩形形状并且包括圆拐角。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述多个第一图案部分分别在所述多个第一图案部分中的相邻第一图案部分之间限定多个第一距离，以及所述多个第二图案部分分别在所述多个第二图案部分中的相邻第二图案部分之间限定多个第二距离，以及
所述多个第一距离和所述多个第二距离分别是恒定的。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述多个第一图案部分分别在所述多个第一图案部分中的相邻第一图案部分之间限定多个第一距离，以及所述多个第二图案部分分别在所述多个第二图案部分中的相邻第二图案部分之间限定多个第二距离，以及
所述多个第二距离从所述沉积掩模的中心部分朝所述沉积掩模的所述相对端部逐渐地增大。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，将所拉伸的沉积掩模附接至所述框架包括：去除所述夹持部分。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述拉伸所述沉积掩模限定多个所述图案部分的已延伸位置，以及
对于所述多个所述图案部分的所述已延伸位置，所述第一距离等于所述第二距离。
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