CN104571700A - 触控面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种触控面板，其包括：基板；依次层叠设置在基板的表面上的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅极及第二绝缘层；源极和漏极，源极和漏极设置在第二绝缘层上，且源极和漏极间隔设置，源极及漏极分别通过通孔与低温多晶硅层相连；平坦层，层叠设置在源极、漏极及第二绝缘层上，平坦层设置有第一贯孔，第一贯孔对应漏极设置；填充部，填充第一贯孔，且填充部与漏极电连接；第三绝缘层，层叠设置在平坦层上，第三绝缘设置有第二贯孔，第二贯孔对应填充部设置；像素电极，设置在第三绝缘层上且通过第二贯孔与填充部电连接。本发明触控面板的像素电极不容易断线和脱落。
Description
技术领域
本发明涉及触控领域，尤其涉及一种触控面板。
背景技术
触控装置是一种常见的设备，由于其具有功耗低、体积小、质量轻等特点，因此备受用户的青睐。触控装置通常包括触控面板，低温多晶硅(LowTemperature Ploy-silicon，LTPS)薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)由于能够使得触控面板具有更高的分辨率、更低的能耗、更高的迁移率以及较低的制备温度而得到了广泛的研究及应用。在触控面板中，像素电极与漏极之间相隔隔离，并且像素电极通过贯孔与薄膜晶体管的漏极相连，通常情况下，像素电极与漏极之间的间隔物(比如绝缘层或者平坦层等)较厚从而使得连接像素电极与漏极之间的贯孔的深度较深。因此，当像素电极通过贯孔与漏极相连时，容易造成像素电极的断线，脱落，从而使得触控面板的良率下降。
发明内容
本发明提供了一种触控面板，所述触控面板包括：
基板；
依次层叠设置在所述基板的表面上的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅极及第二绝缘层；
源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第二绝缘层上，且所述源极和所述漏极间隔设置，所述源极及所述漏极分别通过通孔与所述低温多晶硅层相连；
平坦层，层叠设置在所述源极、所述漏极及所述第二绝缘层上，所述平坦层设置有第一贯孔，所述第一贯孔对应所述漏极设置；
填充部，填充所述第一贯孔，且所述填充部与所述漏极电连接；
第三绝缘层，层叠设置在所述平坦层上，所述第三绝缘设置有第二贯孔，所述第二贯孔对应所述填充部设置；
像素电极，设置在所述第三绝缘层上且通过所述第二贯孔与所述填充部电连接。
其中，所述填充部包括第一部分及与所述第一部分相连的第二部分，所述第一部分穿过所述第一贯孔与所述漏极电连接，所述第二部分设置在所述平坦层上且覆盖所述第一贯孔。
其中，所述触控面板还包括遮光层，所述遮光层设置在所述基板的表面上，所述低温多晶硅层通过所述遮光层设置在所述基板的表面上，且所述低温多晶硅层设置在所述遮光层的中部。
其中，所述触控面板还包括触控接收线及触控发射线，所述触控接收线用于接收检测信号，以检测所述触控面板上的触控动作以及触控动作的位置，所述触控发射线用于将表征触控动作及触控位置的信号传输至一芯片，所述触控接收线及所述触控发射线中的至少一条线包括第一透明导线及金属丝线，所述金属丝线设置在所述平坦层上，且所述金属丝线与所述第一透明导线电连接。
其中，所述填充部的材料为金属，所述填充部与所述金属丝线同时形成。
相较于现有技术，本发明触控面板通过在平坦层上设置第一贯孔，并在第一贯孔内填充所述填充部，所述填充部与所述漏极电连接，所述第三绝缘层上设置第二贯孔，所述第二贯孔对应所述填充部设置。当所述像素电极与所述漏极相连时，所述像素电极仅需通过第二贯孔与所述填充部电连接即可。换句话说，通过在平坦层上设置第一贯孔以及在第一贯孔内填充所述填充部以减小所述像素电极与所述漏极之间的深度，从而使得所述像素电极与所述漏极相连时，所述像素电极不容易断线和脱落，从而提高了所述触控面板的良率。进一步地，由于所述填充部的材质为金属或者合金，其阻值小于为透明金属氧化物的像素电极，因此，相较于现有技术中的像素电极直接与漏极相连，本发明的所述像素电极通过所述填充部与所述漏极相连时，能够减小像素电极与所述漏极之间的电阻值。
本发明提供了一种触控面板，所述触控面板包括：
基板；
依次层叠设置在所述基板的表面上的低温多晶硅层及第一绝缘层；
层叠设置在所述第一绝缘层上的两个第一类型重掺杂区域，且两个所述第一类型重掺杂区域间隔设置；
第二绝缘层，设置在所述第一类型重掺杂区域上；
依次层叠设置在所述第二绝缘层上的栅极及第三绝缘层；
源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第三绝缘层上，且所述源极和所述漏极间隔设置，所述源极及所述漏极分别通过通孔与所述第一类型重掺杂区域相连；
平坦层，层叠设置在所述源极、所述漏极及所述第三绝缘层上，所述平坦层设置有第一贯孔，所述第一贯孔对应所述漏极设置；
填充部，填充所述第一贯孔，且所述填充部与所述漏极电连接；
第四绝缘层，层叠设置在所述平坦层上，所述第四绝缘层设置有第二贯孔，所述第二贯孔对应所述填充部设置；
像素电极，设置在所述第四绝缘层上且通过所述第二贯孔与所述填充部电连接。
其中，所述填充部包括第一部分及与所述第一部分相连的第二部分，所述第一部分穿过所述第一贯孔与所述漏极电连接，所述第二部分设置在所述平坦层上且覆盖所述第一贯孔。
其中，所述触控面板还包括遮光层，所述遮光层设置在所述基板的表面上，所述低温多晶硅层通过所述遮光层设置在所述基板的表面上，且所述低温多晶硅层设置在所述遮光层的中部。
其中，所述触控面板还包括触控信号线，所述触控信号线用于检测所述触控面板上的触控动作以及触控动作的位置，且将表征触控动作及触控动作的位置的信号传输至一芯片，所述触控信号线包括第一透明导线及金属丝线，所述金属丝线设置在所述平坦层上，且所述金属丝线与所述第一透明导线电连接。
其中，所述填充部的材料为金属，所述填充部与所述金属丝线同时形成。
其中，所述触控面板还包括第一类型轻掺杂区域，所述第一类型轻掺杂区域设置在所述第一绝缘层上，且设置在两个所述第一类型重掺杂区域之间。
相较于现有技术，本发明触控面板通过在所述平坦层上设置第一贯孔，并在第一贯孔内填充所述填充部，所述填充部与所述漏极电连接，所述第四绝缘层上设置第二贯孔，所述第二贯孔对应所述填充部设置。当所述像素电极与所述漏极相连时，所述像素电极仅需通过第二贯孔与所述填充部电连接即可。换句话说，通过在所述平坦层上设置第一贯孔以及在所述第一贯孔内填充所述填充部以减小所述像素电极与所述漏极之间的深度，从而使得所述像素电极与所述漏极相连时，所述像素电极不容易断线和脱落，从而提高了所述触控面板的良率。进一步地，由于所述填充部的材质为金属或者合金，其阻值小于为透明金属氧化物的像素电极，因此，相较于现有技术中的像素电极直接与漏极相连，本发明的所述像素电极通过所述填充部与所述漏极相连时，能够减小像素电极与所述漏极之间的电阻值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一较佳实施方式的触控面板的剖面结构示意图。
图2为本发明另一较佳实施方式的触控面板的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，图1为本发明一较佳实施方式的触控面板的剖面结构示意图。所述触控面板100包括基板110，依次层叠设置在所述基板110的表面上的低温多晶硅层112、第一绝缘层113、栅极114及第二绝缘层115。所述触控面板100还包括源极116和漏极117，所述源极116和所述漏极117设置在所述第二绝缘层115上，且所述源极116和所述漏极117间隔设置，所述源极116及所述漏极117分别通过通孔与所述低温多晶硅层112相连。所述触控面板100还包括平坦层118，所述平坦层118层叠设置在所述源极116、所述漏极117及所述第二绝缘层115上，所述平坦层118设置有第一贯孔1181，所述第一贯孔1181对应所述漏极117设置。所述触控面板100还包括填充部119，所述填充部119填充所述第一贯孔1181，且所述填充部119与所述漏极117电连接。所述触控面板100还包括第三绝缘层121和像素电极122，所述第三绝缘层121层叠设置在所述平坦层118上，所述第三绝缘层121设置有第二贯孔1211，所述第二贯孔1211对应所述填充部119设置。所述像素电极122设置在所述第三绝缘层121上且通过所述第二贯孔1211与所述填充部119电连接。优选地，所述像素电极122的材料与所述填充部119的材料不同。
所述填充部119包括第一部分1191和与所述第一部分119相连的第二部分1192，所述第一部分1191穿过所述第一贯孔1181与所述漏极117电连接，所述第二部分1192设置在所述平坦层118上且覆盖所述第一贯孔1181。在本实施方式中，所述填充部119的形状为“T”形。所述填充部119的材质为金属或者合金，举例而言，所述填充部119的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。
所述触控面板100还包括遮光层111，所述遮光层111设置在所述基板110的表面上，所述低温多晶硅层112通过所述遮光层111设置在所述基板110的表面上，且所述低温多晶硅层112设置在所述遮光层111的中部。在本实施方式中，低温多晶硅层112、第一绝缘层113、栅极114、第二绝缘层115、源极116和漏极117组成所述低温多晶硅薄膜晶体管，所述遮光层111用于防止所述触控面板100上的低温多晶硅薄膜晶体管漏光。
在本实施方式中，所述触控面板100为互电容式触控面板，所述触控面板100还包括触控接收线123和触控发射线(图未示)。所述触控接收线123用于接收检测信号，以检测所述触控面板100上的触控动作及触控动作的位置，所述触控发射线用于将表征触控动作及触控位置的信号传输至一芯片，以供所述芯片执行所述触控动作及所述触控动作的位置对应的操作。所述触控接收线123及所述触控发射线中的至少一条线包括第一透明导线1231及金属丝线1232，所述金属丝线1232设置在所述平坦层118上，且所述金属丝线1232与所述第一透明导线1231电连接。所述第一透明导线1231的材质可以为透明的金属氧化物且具有导电性，所述第一透明导电线1231可以包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟或者氧化锌等之一或者任意组合，材质为金属氧化物的第一透明导线1231的导电性能与金属的导电性能相较，第一透明导线1231的导电性能较差，因此，通过所述金属丝线1232与所述第一透明导线1231电连接形成的信号线在保证透明度的基础上增加了其导电性能。
优选地，所述填充部119的材质为金属，所述填充部119与所述金属丝线1232同时形成。换句话说，所述填充部119与所述金属丝线1232在同一制程中形成，以节约所述触控面板100的制备工序。所述填充部119和所述金属丝线1232可以通过以下方式形成。首先，在所述平坦层118上设置一层金属层，接着，图案化所述金属层，以形成所述填充部119及所述金属丝线1232。
在本实施方式中，所述基板110可以为玻璃基板，可以理解地，在其他实施方式中，所述基板110也可以为塑料基板或者是绝缘基板。所述第一绝缘层113、所述第二绝缘层115及所述第三绝缘层121的材质可以为氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。
优选地，所述基板110的表面还设置缓冲层，所述缓冲层用于缓冲在所述基板110上制作所述触控面板100的其他结构的过程中受到的应力，以避免所述基板110的损坏或者破裂。所述缓冲层的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。此时，所述遮光层111、所述低温多晶硅层112、所述第一绝缘层113以及其他各层通过所述缓冲层设置在所述基板110的表面上。
相较于现有技术，本发明触控面板100通过在平坦层118上设置第一贯孔1181，并在第一贯孔1181内填充所述填充部119，所述填充部119与所述漏极117电连接，所述第三绝缘层121上设置第二贯孔1211，所述第二贯孔1211对应所述填充部119设置。当所述像素电极122与所述漏极117相连时，所述像素电极122仅需通过第二贯孔1211与所述填充部119电连接即可。换句话说，通过在平坦层118上设置第一贯孔1181以及在第一贯孔1181内填充所述填充部119以减小所述像素电极122与所述漏极117之间的深度，从而使得所述像素电极122与所述漏极117相连时，所述像素电极122不容易断线和脱落，从而提高了所述触控面板100的良率。进一步地，由于所述填充部119的材质为金属或者合金，其阻值小于为透明金属氧化物的像素电极122，因此，相较于现有技术中的像素电极直接与漏极相连，本发明的所述像素电极122通过所述填充部119与所述漏极117相连时，能够减小像素电极122与所述漏极117之间的电阻值。
请参阅图2，图2为本发明另一较佳实施方式的触控面板的剖面结构示意图。所述触控面板200包括基板210，依次层叠设置在所述基板210的表面上的低温多晶硅层212及第一绝缘层213。所述触控面板200还包括层叠设置在所述第一绝缘层213上的两个第一类型重掺杂区域214，且两个所述第一类型重掺杂区域214间隔设置。所述触控面板200还包括第二绝缘层216，依次层叠设置在所述第二绝缘层216上的栅极217及第三绝缘层218。所述第二绝缘层216设置在所述第一类型重掺杂区域214上。所述触控面板200还包括源极219和漏极221，所述源极219和所述漏极221设置在所述第三绝缘层218上，且所述源极219和所述漏极221间隔设置，所述源极219及所述漏极221分别通过通孔与所述第一类型重掺杂区域214相连。所述触控面板200还包括平坦层222，所述平坦层222层叠设置在所述源极219、所述漏极221及所述第三绝缘层218上，所述平坦层222设置有第一贯孔2221，所述第一贯孔2221对应所述漏极221设置。所述触控面板200还包括填充部223，所述填充部223填充所述第一贯孔2221，且所述填充部223与所述漏极221电连接。所述触控面板200还包括第四绝缘层224及像素电极225，所述第四绝缘层224层叠设置在所述平坦层222上，所述第四绝缘层224设置有第二贯孔2241，所述第二贯孔2241对应所述填充部223设置。所述像素电极225设置在所述第四绝缘层224上且通过所述第二贯孔2241与所述填充部223电连接。优选地，所述像素电极225的材料与所述填充部223的材料不同。
所述填充部223包括第一部分2231及与所述第一部分2231连接的第二部分2232，所述第一部分2231穿过所述第一贯孔2241与所述漏极221电连接，所述第二部分2232设置在所述平坦层222上且覆盖所述第一贯孔2241。在本实施方式中，所述填充部223的形状为“T”形。所述填充部223的材质为金属或者合金，举例而言，所述填充部223的材质选自铜、钨、铬、铝及其组合的其中之一。
在本实施方式中，所述触控面板200还包括遮光层211，所述遮光层211设置在所述基板210的表面上，所述低温多晶硅层212通过所述遮光层211设置在所述基板210的表面上，且所述低温多晶硅层212设置在所述遮光层211的中部。在本实施方式中，所述低温多经过层212、所述第一绝缘层213、所述第一类型重掺杂区域214、所述第二绝缘层216、所述栅极217、所述第三绝缘层218、所述源极219及所述漏极221形成低温多晶硅薄膜晶体管，所述遮光层211用于防止所述触控面板200上的低温多晶硅薄膜晶体管漏光。
在本实施方式中，所述触控面板200为自电容式触控面板，所述触控面板200还包括触控信号线226，所述触控信号线226用于检测所述触控面板200上的触控动作以及触控动作的位置，且将表征触控动作及触控动作的文字的信号传输至一芯片，以供所述芯片执行所述触控动作及所述触控动作的位置对应的操作。所述触控信号线226包括第一透明导线2261和金属丝线2262，所述金属丝线2262设置在所述平坦层222上，且所述金属丝线与所述第一透明导线2261电连接。所述第一透明导线2261的材质为透明的金属氧化物且具有导电性，所述第一透明导线2261包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟或者氧化锌等之一或者任意组合，材质为金属氧化物的第一透明导线12261的导电性能与金属的导电性能相较，第一透明导线2261的导电性能较差，因此，通过所述金属丝线2262与所述第一透明导线2261电连接形成的信号线在保证透明度的基础上增加了其导电性能。
优选地，所述填充部223的材料为金属，所述填充部223与所述金属丝线2262同时形成。换句话说，所述填充部223与所述金属丝线2262在同一制程中形成，以节约所述触控面板200的制备工序。所述填充部223和所述金属丝线2262可以通过以下方式形成。首先，在所述平坦层222上设置一层金属层，接着，图案化所述金属层，以形成所述填充部223及所述金属丝线1232。
所处触控面板200还包括第一类型轻掺杂区域215，所述第一类型轻掺杂区域215设置在所述第一绝缘层213上，且设置在两个所述第一类型重掺杂区域214之间。所述第一类型轻掺杂区域215设置在两个所述第一类型重掺杂区域214之间，以减小所述低温多晶硅薄膜晶体管的泄露电流，提高所述低温多晶硅薄膜晶体管的性能。在本实施方式中，所述第一类型为P型，此时，所述第一类型重掺杂区域为P型重掺杂，第一类型轻掺杂为P型轻掺杂。可以理解地，在其他实施方式中，所述第一类型为N型，此时，所述第一类型重掺杂区域为N型重掺杂，第一类型轻掺杂为N型轻掺杂。
在本实施方式中，所述基板210可以为玻璃基板，可以理解地，在其他实施方式中，所述基板110也可以为塑料基板或者是绝缘基板。所述第一绝缘层213、所述第二绝缘层216、所述第三绝缘层218及所述第四绝缘层224的材质可以为氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。
优选地，所述基板210的表面还设置缓冲层，所述缓冲层用于缓冲在所述基板210上制作所述触控面板200的其他结构的过程中受到的应力，以避免所述基板210的损坏或者破裂。所述缓冲层的材质选自氧化硅层，氮化硅层，氮氧化硅层及其组合的其中之一。此时，所述遮光层211、所述低温多晶硅层212、所述第一绝缘层213以及其他各层通过所述缓冲层设置在所述基板210的表面上。
相较于现有技术，本发明触控面板200通过在所述平坦层222上设置第一贯孔2221，并在第一贯孔2221内填充所述填充部223，所述填充部223与所述漏极219电连接，所述第四绝缘层224上设置第二贯孔2241，所述第二贯孔2241对应所述填充部223设置。当所述像素电极225与所述漏极221相连时，所述像素电极225仅需通过第二贯孔2241与所述填充部223电连接即可。换句话说，通过在所述平坦层222上设置第一贯孔2221以及在所述第一贯孔2221内填充所述填充部223以减小所述像素电极225与所述漏极221之间的深度，从而使得所述像素电极225与所述漏极221相连时，所述像素电极225不容易断线和脱落，从而提高了所述触控面板200的良率。进一步地，由于所述填充部223的材质为金属或者合金，其阻值小于为透明金属氧化物的像素电极225，因此，相较于现有技术中的像素电极直接与漏极相连，本发明的所述像素电极225通过所述填充部223与所述漏极221相连时，能够减小像素电极225与所述漏极221之间的电阻值。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (11)
1.一种触控面板，其特征在于，所述触控面板包括：
基板；
依次层叠设置在所述基板的表面上的低温多晶硅层、第一绝缘层、栅极及第二绝缘层；
源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第二绝缘层上，且所述源极和所述漏极间隔设置，所述源极及所述漏极分别通过通孔与所述低温多晶硅层相连；
平坦层，层叠设置在所述源极、所述漏极及所述第二绝缘层上，所述平坦层设置有第一贯孔，所述第一贯孔对应所述漏极设置；
填充部，填充所述第一贯孔，且所述填充部与所述漏极电连接；
第三绝缘层，层叠设置在所述平坦层上，所述第三绝缘设置有第二贯孔，所述第二贯孔对应所述填充部设置；
像素电极，设置在所述第三绝缘层上且通过所述第二贯孔与所述填充部电连接。
2.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述填充部包括第一部分及与所述第一部分相连的第二部分，所述第一部分穿过所述第一贯孔与所述漏极电连接，所述第二部分设置在所述平坦层上且覆盖所述第一贯孔。
3.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括遮光层，所述遮光层设置在所述基板的表面上，所述低温多晶硅层通过所述遮光层设置在所述基板的表面上，且所述低温多晶硅层设置在所述遮光层的中部。
4.如权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括触控接收线及触控发射线，所述触控接收线用于接收检测信号，以检测所述触控面板上的触控动作以及触控动作的位置，所述触控发射线用于将表征触控动作及触控位置的信号传输至一芯片，所述触控接收线及所述触控发射线中的至少一条线包括第一透明导线及金属丝线，所述金属丝线设置在所述平坦层上，且所述金属丝线与所述第一透明导线电连接。
5.如权利要求4所述的触控面板，其特征在于，所述填充部的材料为金属，所述填充部与所述金属丝线同时形成。
6.一种触控面板，其特征在于，所述触控面板包括：
基板；
依次层叠设置在所述基板的表面上的低温多晶硅层及第一绝缘层；
层叠设置在所述第一绝缘层上的两个第一类型重掺杂区域，且两个所述第一类型重掺杂区域间隔设置；
第二绝缘层，设置在所述第一类型重掺杂区域上；
依次层叠设置在所述第二绝缘层上的栅极及第三绝缘层；
源极和漏极，所述源极和所述漏极设置在所述第三绝缘层上，且所述源极和所述漏极间隔设置，所述源极及所述漏极分别通过通孔与所述第一类型重掺杂区域相连；
平坦层，层叠设置在所述源极、所述漏极及所述第三绝缘层上，所述平坦层设置有第一贯孔，所述第一贯孔对应所述漏极设置；
填充部，填充所述第一贯孔，且所述填充部与所述漏极电连接；
第四绝缘层，层叠设置在所述平坦层上，所述第四绝缘层设置有第二贯孔，所述第二贯孔对应所述填充部设置；
像素电极，设置在所述第四绝缘层上且通过所述第二贯孔与所述填充部电连接。
7.如权利要求6所述的触控面板，其特征在于，所述填充部包括第一部分及与所述第一部分相连的第二部分，所述第一部分穿过所述第一贯孔与所述漏极电连接，所述第二部分设置在所述平坦层上且覆盖所述第一贯孔。
8.如权利要求6所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括遮光层，所述遮光层设置在所述基板的表面上，所述低温多晶硅层通过所述遮光层设置在所述基板的表面上，且所述低温多晶硅层设置在所述遮光层的中部。
9.如权利要求6所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括触控信号线，所述触控信号线用于检测所述触控面板上的触控动作以及触控动作的位置，且将表征触控动作及触控动作的位置的信号传输至一芯片，所述触控信号线包括第一透明导线及金属丝线，所述金属丝线设置在所述平坦层上，且所述金属丝线与所述第一透明导线电连接。
10.如权利要求9所述的触控面板，其特征在于，所述填充部的材料为金属，所述填充部与所述金属丝线同时形成。
11.如权利要求6所述的触控面板，其特征在于，所述触控面板还包括第一类型轻掺杂区域，所述第一类型轻掺杂区域设置在所述第一绝缘层上，且设置在两个所述第一类型重掺杂区域之间。
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| GR01 | Patent grant | ||
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