CN104282717A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光显示装置包括位于像素限定层上的间隔物。像素限定层包括对应于像素的开口。装置还包括发射具有不同颜色的光的第一像素到第三像素。第一像素和第二像素在行方向上被交替地布置，以及第三像素在行方向上被连续地布置。交替地布置有第一像素和第二像素的行和连续地布置有第三像素的行在列方向上彼此相邻。间隔物布置在两个第三像素之间。
Description
相关申请的交叉引用
2013年7月5日提交的、题为“有机发光显示装置及其制造方法”的第10-2013-0078984号韩国专利申请通过引用的方式整体地并入本文。
技术领域
本文中描述的一个或多个实施方式涉及显示装置。
背景技术
已经开发出各种类型的平板显示器。实例包括液晶显示器、有机发光显示装置和电泳显示装置。在有机发光显示装置中，每个像素均响应于施加至有机发光二极管的阳极和阴极的信号而从有机发光二极管发射光。每个二极管均包括有机发光层，该有机发光层发射具有与有机发光层中流动的电流相对应的亮度的光。
发明内容
根据一个实施方式，有机发光显示装置包括：衬底；位于衬底之上的像素限定层，该像素限定层包含对应于多个像素的多个开口；以及位于像素限定层上的间隔物，其中多个像素包含发射不同颜色光的多个第一像素、多个第二像素、和多个第三像素，其中第一像素和第二像素在行方向上被交替地布置以及第三像素在行方向上被连续地布置，其中交替地布置有第一像素和第二像素的行和连续地布置有第三像素的行在列方向上彼此相邻，间隔物布置在第三像素中的两个之间。
另外，交替地布置有第一像素和第二像素的行和连续地布置有第三像素的行被交替地布置。
另外，装置还包括包含位于衬底上的第一到第三阳极的多个阳极；位于多个阳极上的有机发光层；以及位于有机发光层上的阴极，其中，第一阳极位于第一像素中，第二阳极位于第二像素中，第三阳极位于第三像素中，并且多个阳极的部分区域位于像素限定层的下面，其中间隔物与第三阳极重叠。
另外，有机发光层包含：位于第一像素中并发射第一颜色的光的第一有机发光层；位于第二像素中并发射第二颜色的光的第二有机发光层；以及位于第一到第三像素中并发射第三颜色的光的第三有机发光层。
第三有机发光层可位于第一有机发光层和第二有机发光层之上。此外，或者可选地，第三有机发光层可位于第一有机发光层和第二有机发光层之下。
另外，像素限定层的高度大体上为从2000到5000埃，间隔物的高度大体上为3000到7000埃。间隔物和第一像素之间的距离与间隔物和第二像素之间的距离为大约8μm或更大。间隔物和第三像素之间的距离为大约3μm或更小。像素限定层和间隔物可单独形成或者形成为一体。
根据另一个实施方式，制造有机发光显示装置的方法包括：准备衬底；形成包含位于衬底上的多个第一阳极、多个第二阳极和多个第三阳极的多个阳极；在多个阳极和衬底上形成像素限定层，像素限定层包含暴露多个阳极的相应区域的多个开口；在像素限定层上形成间隔物；在第一阳极上形成第一有机发光层以及在第二阳极上形成第二有机发光层；在第三阳极、第一有机发光层和第二有机发光层上形成第三有机发光层；以及在第三有机发光层上形成阴极。第一阳极和第二阳极在行方向上交替地布置并且第三阳极在行方向上连续地布置。交替地布置有第一阳极和第二阳极的行和连续地布置有第三阳极的行在列方向上彼此相邻。间隔物布置在使在行方向上相邻的两个第三阳极暴露的开口之间。
另外，第一有机发光层和第二有机发光层通过激光转印方式形成。间隔物可通过沉积形成在像素限定层上。间隔物通过选择性地移除像素限定层而形成。间隔物可被形成以重叠第三阳极。
另外，像素限定层的高度大体上可为2000到5000埃。间隔物的高度大体上可为3000到7000埃。间隔物和第一阳极之间的距离与间隔物和第二阳极之间的距离为大约8μm或更大。间隔物和第三阳极之间的距离为大约3μm或更小。
根据另一个实施方式，制造有机发光显示装置的方法包括：准备衬底，该衬底包含基底、布置在基底上的多个薄膜晶体管、以及位于薄膜晶体管上并具有多个通孔的绝缘层，该通孔暴露所述多个薄膜晶体管的相应区域；在衬底上形成多个阳极，多个阳极通过多个通孔连接至多个薄膜晶体管，多个阳极包含多个第一阳极、多个第二阳极、和多个第三阳极；在多个阳极上形成像素限定层，像素限定层包含暴露多个阳极各自的区域的多个开口；在像素限定层上形成间隔物；在第一到第三阳极上形成第三有机发光层；在第一阳极和第三有机发光层上形成第一有机发光层以及在第二阳极和第三有机发光层上形成第二有机发光层；以及在第一到第三有机发光层上形成阴极。
第一阳极和第二阳极在行方向上交替地布置并且第三阳极在行方向上连续地布置。交替地布置有第一阳极和第二阳极的行和连续地布置有第三阳极的行在列方向上彼此相邻。间隔物布置在使在行方向上相邻的两个第三阳极暴露的开口之间。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施方式，对本领域的技术人员而言特征将变得显而易见，其中：
图1示出有机发光显示装置的实施方式；
图2示出沿着图1中截面线II-II’的视图；
图3示出制造有机发光显示装置的方法的实施方式；
图4到10示出与制造有机发光显示装置的方法相对应的实施方式的不同阶段的剖面图；
图11示出根据另一个实施方式的有机发光显示装置的剖面图；
图12示出制造有机发光显示装置的方法的另一个实施方式；
图13示出根据另一个实施方式的有机发光显示装置的剖面图。
图14示出制造有机发光显示装置的方法的另一个实施方式。
具体实施方式
示例性实施方式在下文中参考附图更全面地描述。但是，这些实施方式可体现为不同的形式并且不应被解释为限制本文所述的实施方式。更确切地，提供这些实施方式以使本发明变得透彻和完整，并且对本领域的技术人员充分地传达示例性实施方式。
在附图中，层和区域的尺寸可能被放大以清楚地说明。还应当理解当层或元件被称作“在另一个层或衬底之上”，该层或元件可直接在其它层或衬底之上，或者中间层也可以存在。而且，应当理解当层被称作“在另一个层之下”，该层可直接在另一个层之下，以及一个或一个以上的中间层也可以存在。此外，还应当理解当一个层被称作“在两个层之间”，该层可以是两个层之间仅有的层，或者一个或一个以上的中间层也可以存在。全文中，同样的附图标记指的是相同的元件。
图1示出有机发光显示装置的实施方式的平面图。图2示出沿着图1的线II-II’的有机发光显示装置的剖面图。
参考图1至图2，有机发光显示装置1包括衬底10、像素限定层30、和间隔物SP。衬底10可包括基底11、缓冲层12、栅极绝缘层13、层间绝缘层14、多个薄膜晶体管和平面化层15，其中多个薄膜晶体管中的每一个均包括半导体层SM、栅电极G、源电极S、和漏电极D。
基底11可以由例如玻璃、石英、陶瓷、塑料等绝缘材料制成。在一个实施方式中，基底11可具有平板形状。并且，根据一些实施方式，基底11可由通过外力容易变形的材料制成。基底11可支撑其他布置在基底11上的组成元件。
缓冲层12可布置在基底11上。缓冲层12阻止杂质元素渗入基底11的上表面并用于平面化基底11的上表面。缓冲层可由各种能够完成这种功能的材料制成。例如氮化硅(SiNx)层、二氧化硅(SiO2)层、氮氧化硅(SiOxNy)层之一可用作缓冲层12。根据一些实施方式，缓冲层12可省略。
半导体层SM可布置在缓冲层11上。半导体层SM可形成为非晶硅层或者多晶硅层。根据一些实施方式，半导体层SM可由有机半导体材料制成。半导体层SM可包括未掺杂杂质的沟道区域。源区域和漏区域分别布置在沟道区的两侧并分别与源电极S和漏电极D接触。
栅极绝缘层13可布置在半导体层SM上。栅极绝缘层13可使栅电极G和半导体层SM彼此绝缘。例如，栅极绝缘层13可由氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)形成。
栅电极G可布置在栅极绝缘层13上。栅电极G可布置为与半导体层SM的至少一部分重叠。依据电压是否被施加到栅电极G上，半导体层SM可能或者不能成为导通状态。例如，当相对高的电压被施加到栅电极G上时，半导体层SM处于导通状态，因此漏电极D和源电极S可彼此电连接。当相对低的电压被施加到栅电极G上时，半导体层SM处于非导通状态，因此漏电极D和源电极S可彼此绝缘。
层间绝缘层14可布置在栅电极G上。层间绝缘层14可覆盖栅电极G以使栅电极G从源电极S和漏电极D绝缘。层间绝缘层14可由氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)等制成。
源电极S和漏电极D可布置在层间绝缘层14上。源电极S和漏电极D可通过穿过层间绝缘层14和栅极绝缘层13的通孔分别与半导体层SM连接。
源电极S、漏电极D、栅电极G和半导体层SM可形成薄膜晶体管。薄膜晶体管可根据施加于栅电极G上的电压决定是否将传递给源电极S的信号传递给漏电极D。
平面化层15可布置在层间绝缘层14、源电极S和漏电极D上。为了提高布置在平面化层15上的有机发光层41、42和43的发光效率，平面化层15移除在源电极S和漏电极D上的台阶以形成平整的表面，这将在下面更详细的说明。
平面化层15可由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基醚树脂、聚亚苯基硫醚树脂、苯并环丁烯(BCB)中的一种或多种材料制成。通孔V可形成在平面化层15中，并且下面描述的阳极21、22和23通过通孔V接触漏电极D以彼此电连接。
像素限定层30可布置在衬底10上。多个开口可形成在像素限定层30中，并且多个像素P1、P2和P3可通过多个开口各自的内部区域限定。为了降低有机发光显示装置1的厚度，需要降低像素限定层30的高度h1。然而，当像素限定层30的高度h1过于小时，布置在一个像素中的有机发光层渗入到其它相邻像素中，从而降低了有机发光显示装置1的显示质量。因此，像素限定层30的高度h1可具有最小界限。例如，像素限定层30的高度h1大体上可为2000到5000埃。
多个像素可包括第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3。第一到第三像素P1、P2和P3可以为具有不同颜色的像素。例如，第一像素P1可以为红色像素，第二像素P2可以为绿色像素，以及第三像素P3可以为蓝色像素。第一像素P1和第二像素P2可沿行方向交替地布置。第三像素P3可沿行方向连续地布置。交替地布置有第一像素P1和第二像素P2的行、以及连续地布置有第三像素P3的行，可以在列方向上彼此相邻。交替地布置有第一像素P1和第二像素P2的行、以及连续地布置有第三像素P3的行，可以沿列方向交替地布置。
间隔物SP可由大体上与像素限定层30相同的或者不同的材料制成。间隔物SP可布置在像素限定层30上。间隔物SP可布置在两个相邻的第三像素P3之间。当第一有机层41或第二有机层42通过激光转印方式形成时，布置有间隔物SP的区域与没有布置间隔物SP的区域相比更向上突出。因此，距间隔物SP相对较近的第三像素P3中的区域与供体膜之间的距离大于距间隔物SP相对较远的第一像素P1、第二像素P2中的区域与供体膜之间的距离。
因此，当第一有机层41形成在第一像素P1中时，或者当第二有机层42形成在第二像素P2中时，间隔物所导致的结果是，第一有机层41或者第二有机层42渗入第三像素P3的可能性可被降低。间隔物SP还允许第三像素P3与第一像素P1之间的距离以及第三像素P3与第二像素P2之间的距离被减小。这可转化为有机发光显示装置1的孔径比和分辨率的改善或提高。这将在下面参考图8详细描述。
当间隔物SP的高度过大时，供体膜与第一像素P1和第二像素P2之间的距离过大。因此，第一有机层41不能平滑地转印到第一像素P1，或者第二有机层42不能平滑地转印到第二像素P2。相反地，当间隔物SP的高度过小时，第一有机层41或第二有机层42可渗入第三像素P3中。为了使第一有机层41和/或第二有机层42平滑地转印到第一像素P1和/或第二像素P2，并阻止第一有机层41和/或第二有机层42渗入第三像素P3中，从像素限定层30的上部测量的间隔物SP的高度h2大体上可为3000到7000埃。
当间隔物SP和第三像素P3之间的距离d1过大时，间隔物SP可能不能有效地完成阻止第一有机层41和/或第二有机层42渗入第三像素P3的功能。为了阻止第一有机层41和/或第二有机层42渗入第三像素P3，间隔物SP与第三像素P3之间的距离d1可为大约3μm或更小。
当间隔物SP和第一像素P1之间的距离d3过小时，第一有机层41不能正确地转印到邻近间隔物SP的第一像素P1的区域。因此，为了使第一有机层41转印到第一像素P1中，间隔物SP和第一像素P1之间的距离d3可为大约8μ为或更大。类似地，间隔物SP和第二像素P2之间的距离d2可为大约8μ为或更大。
间隔物SP可与第三阳极23重叠。也就是说，间隔物SP的至少一部分区域可布置在第三阳极23上。例如，当像素限定层30的厚度小时，根据像素限定层30的下部形状，像素限定层30的上表面的形状可以是弯曲的。间隔物SP的与第三阳极23重叠的区域可布置在像素限定层30的上表面的最高部分。因此，当间隔物SP与第三阳极23重叠时，即使少量的材料被用于形成间隔物SP，间隔物SP也可形成为具有足够的高度。
有机发光显示装置1还包括多个阳极21、22和23、有机发光层41、42和43、以及阴极50。
多个阳极21、22和23可布置在衬底上。多个阳极21、22和23可由反射性导电材料、透明导电材料或半透明导电材料制成。例如，反射性导电材料可使用锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)，透明导电材料可使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、或氧化铟(In2O3)，半透明导电材料可使用包括镁(Mg)和银(Ag)中的一种或多种的共沉积材料，或者镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)、锂(Li)、和铝(Al)中的一种或多种材料。
多个阳极21、22和23中的每一个可通过通孔V与薄膜晶体管连接。多个阳极21、22和23彼此隔开以分别布置在多个像素P1、P2和P3中的一个像素中。多个阳极可包括第一阳极21、第二阳极22和第三阳极23。第一阳极21可布置在第一像素P1中，第二阳极22可布置在第二像素P2中，第三阳极23可布置在第三像素P3中。多个阳极21、22和23中的每一个的边缘区域可布置在像素限定层30的下面，但是不必限制于此。
有机发光层41、42和43可布置在多个阳极21、22和23上。当电流流入有机发光层41、42和43中时，可发射光。更具体地说，当空穴和电子被提供至有机层41、42和43且激子(由空穴和电子的复合而形成)的能量水平从激发态变化为基态时，可发射出具有与变化能量水平相对应的颜色的光。根据一些实施方式，由有机发光层41、42和43发射的光的颜色可以是红色、蓝色和绿色中的一个。由有机发光层41、42和43发射的光的亮度可响应于有机层中流动电流的大小而发生变化。
有机发光层41、42和43可包括发射具有不同颜色的光的第一有机发光层41、第二有机发光层42和第三有机发光层43。或者，发光层可通过不同颜色的滤光片发射白光。
例如，第一有机发光层41可发射红光，第二有机发光层42可发射绿光，第三有机发光层可发射蓝光，但是不必限制于此。第一有机发光层41布置在第一阳极21上以布置在第一像素P1中。第二有机发光层42布置在第二阳极22上以布置在第二像素P2中。第三有机发光层43可布置在第一到第三阳极21、22和23上，并布置在第一和第二有机发光层41和42上。第三有机发光层43可布置在有机发光显示装置1的前侧。布置在第一像素P1或第二像素P2中的第三有机发光层43不发光，因此不影响第一像素P1和第二像素P2的颜色。也就是说，第三有机发光层43主要在第三像素P3中发光，但可在第一像素P1和第二像素P2中将电子传输到第一有机发光层41和第二有机发光层42。
阴极50可布置在有机发光层41、42和43上。阴极50可朝向多个阳极21、22和23布置。阴极50可整体地布置在有机发光显示装置1的前侧，但是不必限制于此。阴极50可由与阳极21、22和23相同的材料制成，但是不必限制于此。例如，在阳极21、22和23是反射电极的情况中，阴极50可以是透明或半透明电极。在阳极21、22和23是透明或半透明电极的情况中，阴极50可以是反射电极。
图3到10描述用于制造有机发光显示装置1的方法的实施方式。具体地，图3示出包括在制造有机发光显示装置的方法中的工序的流程图。图4到图10示出处于方法的不同阶段的有机发光显示装置的剖面图。详细地，图4到图10参照与图1的II-II’相同的区域示出有机发光显示装置的剖面图。
参考图3，方法可包括：步骤S10，准备衬底10；步骤S20，形成阳极21、22和23；步骤S30，形成像素限定层30；步骤S40，形成间隔物SP；步骤S50，形成第一和第二有机发光层41和42；步骤S60，形成第三有机发光层43；以及步骤S70，形成阴极50。
例如，衬底10可如图4所示准备。衬底10基本上可与图2所示衬底10相同。
在形成阳极21、22和23的步骤S20中，多个阳极21、22和23可形成在衬底10上，如图5所示。阳极21、22和23可通过使用掩膜的沉积形成，但是不必限制于此。多个阳极21、22和23中的每一个可通过通孔V与薄膜晶体管连接。
在形成像素限定层30的步骤S30中，如图6所示，像素限定层30形成在衬底10上。像素限定层30可通过使用掩膜的沉积形成，但是不必限制于此。例如，通过在整个表面上覆盖用于形成像素限定层30的材料然后移除开口，可形成具有如图6所示形状的像素限定层30。可形成像素限定层30以使至少一部分区域与阳极21、22和23重叠。像素限定层30可形成为具有大体上2000到5000埃的高度。
在形成间隔物SP的步骤S40中，如图7所示，间隔物SP可形成在像素限定层30上。间隔物SP可通过使用单独掩膜的涂覆或者沉积形成。间隔物SP可形成在沿行方向彼此相邻的两个第三像素P3之间。可形成间隔物SP以使其与第三阳极23重叠。可形成间隔物SP以使从像素限定层30的上表面起的高度h2基本为2000到5000埃。可形成间隔物SP以使其与第一像素P1之间的距离以及其与第二像素P2之间的距离为大约8μ间或更大。可形成间隔物SP以使其与第三像素P3之间的距离大约为3μ距或更小。
在形成第一和第二有机发光层41和42的步骤S50中，第一和第二有机发光层41和42可通过使用激光转印方式形成。参考图8，当形成第一有机发光层41时，可布置供体膜DF以接触间隔物SP，间隔物SP形成在事先形成的有机发光显示装置1的结构中的较高位置处。因为供体膜DF可受重力而弯曲，所以距间隔物SP相对较近的第三像素P3中的区域与供体膜DF之间的距离大于距间隔物SP相对较远的第一像素P1和第二像素P2中的区域与供体膜DF之间的距离。
光掩模LM可布置在供体膜DF上。开口可形成在光掩模LM中。形成在光掩模LM中的开口可布置在第一像素P1上。激光L可通过光掩模LM的开口辐射至供体膜DF。通过辐射至供体膜DF的激光L，有机材料从供体膜DF形成液滴以向下方释放。有机材料的液滴接触第一阳极21。结果是，第一有机发光层41的转印可被执行。
第二有机发光层42可由与形成第一有机层21的方法基本相同的方法形成。通过这种方法，第一和第二有机层21和22可如图9所示形成。因为当第一有机层41或第二有机层42被转印时，因为靠近间隔物SP的第三像素P3中的区域与供体膜DF之间的距离大于第一和第二像素P1和P2中的区域与供体膜DF之间的距离，所以第一有机层41和第二有机层42渗入第三像素P3的可能性可降低。因此，即使像素之间的距离减小了，也可阻止第一有机层41和第二有机层42渗入第三像素P3。结果是，能够提高有机发光显示装置1的孔径比和分辨率。
如图10所示，在形成第三有机发光层43的步骤S60中，第三有机发光层43可形成在有机发光显示装置1的前侧。第三有机发光层43可形成在第一和第二有机发光层41和42上。第三有机发光层43可不使用单独的掩模而形成。
在形成阴极50的步骤S70中，阴极50可形成在第三有机发光层43上。通过阴极50的形成，可形成如图2所示的有机发光显示装置。
图11示出另一个实施方式的有机发光显示装置2的剖面图。图12示出制造图11中的有机发光显示装置的方法的实施方式。
参考图11和12，在有机发光显示装置2中，第三有机发光层43可布置在第一和第二有机发光层41和42的下面。即使第三有机发光层43布置在第一和第二有机发光层41和42的下面，有机发光显示装置2的工序与图1和2中的有机发光显示装置1也基本上相同。并且有机发光显示装置2的平面图与图1基本相同。
制造有机发光显示装置2的方法可包括：步骤S10，准备衬底10；步骤S20，形成阳极21、22、和23；步骤S30，形成像素限定层30；步骤S40，形成间隔物SP步骤S51，形成第三有机发光层43；步骤S61，形成第一和第二有机发光层41和42；以及步骤S70，形成阴极50。为了制造有机发光显示装置2，形成第三有机发光层43的步骤S51可以先于形成第一和第二有机发光层41和42的步骤S61。用于制造有机发光显示装置2的方法的其它说明与参考图3到图10描述的有机发光显示装置1的制造方法的说明基本上相同，因此省略。
图13示出另一个实施方式的有机发光显示装置3的剖面图。图14示出制造图13所示的有机发光显示装置3的方法的流程图。
参考图13，在有机发光显示装置3中，间隔物SP和像素限定层30可形成为一体。从而，在间隔物SP和像素限定层30之间可以不存在边界。并且，与其它区域相比，像素限定层30的从上表面相对突出的区域可被限定为间隔物SP。有机发光显示装置3的其它描述与用于图1和2中的有机发光显示装置1的描述基本上相同，因此省略。
参考图14，制造有机发光显示装置3的方法可包括：步骤S10，准备衬底10；步骤S20，形成阳极21、22和23；步骤S31，形成像素限定层30和间隔物SP；步骤S50，形成第一和第二有机发光层41和42；步骤S60，形成第三有机发光层43；以及步骤S70，形成阴极50。在形成像素限定层30和间隔物SP的步骤S31中，用于形成像素限定层30的材料被涂覆在事先形成的有机发光显示装置3的结构上。然后涂覆的材料被选择性地移除，使得在形成有间隔物SP的区域中的移除量小于在像素限定层30的其他区域中的移除量。结果是，间隔物SP和像素限定层30可形成为一体。用于制造有机发光显示装置3的方法的其它说明与参考图3到图10描述的有机发光显示装置1的制造方法的说明基本上相同，因此省略。
根据一些实施方式，在有机发光显示装置中，间隔物SP和像素限定层30可形成为一体。同时，第三有机发光层43可布置在第一和第二有机发光层41和42的下面。
通过总结和回顾，为了改善有机发光显示装置的孔径比和分辨率，像素之间的距离可减小。当像素之间的距离减小时，有效发光区域增加，因此孔径比和分辨率可增加。根据一个或多个实施方式，布置在一个像素中的有机发光层被阻止渗入相邻像素(例如具有不同颜色)中。
如果这个渗入没有被阻止，则可能发生像素颜色失真。并且，有机发光显示装置的显示质量可能降低。具体地，当用于发射绿光或红光的有机发光层渗入蓝色像素中时，蓝色像素的颜色可能失真。
在此已经公开了举例的实施方式，并且尽管采用了特定术语，使用这些术语并以通用的和叙述的意义来解释而不是限制的目的。在一些情况下，对于递交本申请的领域的技术人员而言以下内容是显而易见的，与具体实施方式有关的所描述的特征、特点和/或元件可以被单独使用，或者可以与具体实施方式有关的所描述的特征、特点、和/或元件结合起来使用，除非另有特别说明。因此，那些本领域的技术人员应当理解，可使用在形式上和细节上的各种变化而不脱离如权利要求所阐述的本发明的精神和范围。
Claims (20)
1.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括：
衬底；
像素限定层，位于所述衬底之上，所述像素限定层包含对应于多个像素的多个开口；以及
间隔物，位于所述像素限定层之上，
其中所述多个像素包含发射不同颜色光的多个第一像素、多个第二像素和多个第三像素，
其中所述第一像素和所述第二像素在行方向上被交替地布置并且所述第三像素在行方向上被连续地布置，以及
其中交替地布置有所述第一像素和所述第二像素的行和连续地布置有所述第三像素的行在列方向上彼此相邻，并且所述间隔物布置在所述第三像素中的两个之间。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
交替地布置有所述第一像素和所述第二像素的行和连续地布置有所述第三像素的行被交替地布置。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：
多个阳极，包含位于所述衬底上的第一阳极、第二阳极和第三阳极；
有机发光层，位于所述多个阳极上；以及
阴极，位于所述有机发光层上，其中，
所述第一阳极位于所述第一像素中，所述第二阳极位于所述第二像素中，所述第三阳极位于所述第三像素中，并且所述多个阳极的部分区域位于所述像素限定层的下面，并且其中所述间隔物与所述第三阳极重叠。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光层包含：
第一有机发光层，位于所述第一像素中并发射第一颜色的光；
第二有机发光层，位于所述第二像素中并发射第二颜色的光；以及
第三有机发光层，位于所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中并发射第三颜色的光。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，
所述第三有机发光层位于所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之上。
6.如权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，
所述第三有机发光层位于所述第一有机发光层和所述第二有机发光层之下。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述像素限定层的高度为2000到5000埃，以及
所述间隔物的高度为3000到7000埃。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述间隔物与所述第一像素之间的距离和所述间隔物与所述第二像素之间的距离为8μm或更大。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述间隔物与所述第三像素之间的距离为3μm或更小。
10.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，
所述像素限定层和所述间隔物形成为一体。
11.一种制造有机发光显示装置的方法，其特征在于，包括：
形成多个阳极，所述多个阳极包含位于衬底上的多个第一阳极、多个第二阳极和多个第三阳极；
在所述多个阳极和所述衬底上形成像素限定层，所述像素限定层包含暴露所述多个阳极的相应区域的多个开口；
在所述像素限定层上形成间隔物；
在所述第一阳极上形成第一有机发光层以及在所述第二阳极上形成第二有机发光层；
在所述第三阳极、所述第一有机发光层和所述第二有机发光层上形成第三有机发光层；以及
在所述第三有机发光层上形成阴极，
其中所述第一阳极和所述第二阳极在行方向上交替地布置以及所述第三阳极在行方向上连续地布置，
其中交替地布置有所述第一阳极和所述第二阳极的行和连续地布置有所述第三阳极的行在列方向上彼此相邻，并且
其中所述间隔物布置在使在所述行方向上相邻的两个第三阳极暴露的所述开口之间。
12.如权利要求11所述的方法，其中，
所述第一有机发光层和所述第二有机发光层通过激光转印方式形成。
13.如权利要求11所述的方法，其中，
形成所述间隔物以与所述第三阳极重叠。
14.如权利要求11所述的方法，其中，
所述像素限定层的高度为2000到5000埃。
15.如权利要求14述的方法，其中，
所述间隔物的高度为3000到7000埃。
16.如权利要求14所述的方法，其中，
所述间隔物与所述第一阳极之间的距离和所述间隔物与所述第二阳极之间的距离为8μm或更大。
17.如权利要求14所述的方法，其中，
所述间隔物与所述第三阳极之间的距离为3μm或更小。
18.如权利要求11所述的方法，其中，
所述间隔物通过沉积形成在所述像素限定层上。
19.如权利要求18所述的方法，其中，
所述间隔物通过选择性地移除所述像素限定层而形成。
20.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：
准备衬底，所述衬底包含基底、布置在所述基底上的多个薄膜晶体管、以及位于所述薄膜晶体管上并具有多个通孔的绝缘层，所述通孔暴露所述多个薄膜晶体管的相应区域；
在所述衬底上形成多个阳极，所述多个阳极通过所述多个通孔连接至所述多个薄膜晶体管，所述多个阳极包含多个第一阳极、多个第二阳极和多个第三阳极；
在所述多个阳极上形成像素限定层，所述像素限定层包含使所述多个阳极的相应区域暴露的多个开口；
在所述像素限定层上形成间隔物；
在所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极上形成第三有机发光层；
在所述第一阳极和所述第三有机发光层上形成第一有机发光层以及在所述第二阳极和所述第三有机发光层上形成第二有机发光层；以及
在所述第一有机发光层、所述第二有机发光层和所述第三有机发光层上形成阴极，其中所述第一阳极和所述第二阳极在行方向上交替地布置并且所述第三阳极在行方向上连续地布置，其中交替地布置有所述第一阳极和所述第二阳极的行和连续地布置有所述第三阳极的行在列方向上彼此相邻，并且其中所述间隔物布置在使在所述行方向上相邻的两个第三阳极暴露的所述开口之间。
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