CN106057854B - 发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种发光显示装置。所述发光显示装置包括：第一基底；多个像素，按矩阵布置在第一基底上并分为沿行方向和沿列方向布置的多个单元像素，每个单元像素包括沿行方向布置的第一像素和第二像素以及相对于第一像素和第二像素沿列方向布置的第三像素；第一电极，对应于每个像素；像素限定层，隔开基底上的各个像素并具有穿过像素限定层暴露第一电极的开口；第一发光层，连续地位于同一行线中布置的单元像素的第一像素和第二像素的第一电极上；第二发光层，连续地位于同一行线中布置的单元像素的第三像素的第一电极上；第二电极，位于第一发光层和第二发光层上。
Description
本申请要求于2015年4月15日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0053237号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的实施例的方面涉及一种发光显示装置。
背景技术
在发光显示装置中，有机发光显示装置是具有相对宽的视角、优异的对比度和高响应速度的特性的自发光显示装置，因此已经作为下一代显示装置受到关注。
有机发光显示装置具有布置在阳极电极和阴极电极之间由有机发光材料制成的发光层。如果阳极电压和阴极电压分别施加到这些电极，则从阳极电极注入的空穴穿过空穴注入层和空穴传输层移动到发光层，电子穿过电子注入层和电子传输层移动到发光层。在发光层中，电子和空穴复合，通过这种复合，产生激子。当产生的激子从激发态跃迁到基态时，发光层发光以在发光层上显示图像。
有机发光显示装置可以包括具有开口的像素限定层，开口用于暴露形成在每个像素上的阳极电极，以及空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极电极形成在穿过像素限定层的开口暴露的阳极电极上。在这些层中，发光层可以以各种方法形成，这些方法中的一种是沉积法。最近，已经广泛地使用可以在小规模设备中执行沉积工艺的小掩模扫描沉积法作为沉积法。
在使用小掩模扫描沉积法形成有机发光显示装置的发光层的情况下，可以通过将基底和比基底小的掩模布置为彼此分隔开并且在使掩模和基底相对于彼此移动的同时在基底上沉积有机发光材料来形成发光层。
在此背景技术部分公开的上述信息仅将增强发明的背景的理解，因此，它可能包含不组成现有技术的信息。
发明内容
在基底和比基底小的掩模布置为彼此分隔开的情况下，有机发光材料可以经过间隙距离沿基底的不需要的区域的方向(例如，相邻的像素)沉积，因此发光层可以形成为在相邻的像素之间彼此叠置。例如，在发射与相邻像素的颜色光不同的颜色光的像素的情况下，发射基本不同颜色光的发光层可以形成为在相邻的像素之间彼此叠置。因此，为了减少发射不同颜色光的发光层在相邻像素之间的叠置，有机发光显示装置可以被制造为使得相邻的像素之间的间隙距离变得较大。
然而，随着发射不同颜色光的相邻像素之间的间隙距离变得越大，像素的开口率变得越低。
因此，根据本发明的实施例的方面，发光显示装置可以通过发射不同颜色光的相邻像素之间的间隙距离的减小来增大像素的开口率。
本发明的另外方面、主题和特征将在下面的描述中部分地阐述，部分地对于本领域普通技术人员而言将根据下面的检查而变得清楚，或者可以从发明的实践而了解。
根据本发明的一些实施例的方面，一种发光显示装置包括：第一基底；多个像素，按矩阵布置在第一基底上，并被分为沿行方向和沿列方向布置的多个单元像素，每个单元像素包括沿行方向布置的第一像素和第二像素以及相对于第一像素和第二像素沿列方向布置的第三像素；第一电极，对应于每个像素；像素限定层，隔开第一基底上的各个像素并具有穿过像素限定层暴露第一电极的开口；第一发光层，连续地设置在沿同一行线布置的单元像素的第一像素和第二像素的第一电极上；第二发光层，连续地设置在沿同一行线布置的单元像素的第三像素的第一电极上；第二电极，设置在第一发光层和第二发光层上。
根据一些实施例，第一发光层设置在像素限定层的处于同一行线中的单元像素的第一像素与第二像素之间的上表面以及像素限定层的介于单元像素之间的上表面上，并具有条形状。
根据一些实施例，第一发光层和第二发光层沿列方向交替。
根据一些实施例，第一发光层或第二发光层沿列方向在相邻的单元像素之间彼此面对。
根据一些实施例，第一发光层是被构造为发射黄光的黄色发光层，第二发光层是被构造为发射蓝光的蓝色发光层。
根据一些实施例，发光显示装置还包括设置在第二电极上的第二基底以及设置在第二基底上的滤色器，其中，滤色器包括：第一滤色器，对应于第一像素，并被构造为执行对从第一发光层发出的光的过滤且沿第二基底的方向发射第一颜色的光；第二滤色器，对应于第二像素，并被构造为执行对从第一发光层发出的光的过滤且沿第二基底的方向发射与第一颜色不同的第二颜色的光。
根据一些实施例，第一颜色是红色，第二颜色是绿色。
根据一些实施例，滤色器还包括：第三滤色器，对应于第三像素，并被构造为执行对从第二发光层发出的光的过滤并沿第二基底的方向发射色纯度与从第二发光层发出的光的色纯度不同的光。
根据一些实施例，发光显示装置还包括设置在第二电极上的第二基底以及设置在第一基底与第一电极之间的滤色器，其中，滤色器包括：第一滤色器，对应于第一像素，并被构造为执行对从第一发光层发出的光的过滤且沿第一基底的方向发射第一颜色的光；第二滤色器，对应于第二像素，并被构造为执行对从第一发光层发出的光的过滤且沿第一基底的方向发射与第一颜色不同的第二颜色的光。
根据一些实施例，第一像素或第二像素在沿同一行线布置的单元像素中的相邻单元像素之间彼此面对。
根据本发明的一些实例实施例，一种发光显示装置包括：第一基底；多个像素，按矩阵布置在第一基底上并被分为沿行方向和沿列方向布置的多个单元像素，每个单元像素包括沿行方向布置的第一像素和第二像素以及相对于第一像素和第二像素沿列方向布置的第三像素；第一电极，对应于相应像素中的每个像素；像素限定层，将第一基底上的各个像素隔开，并且在使第三像素的第一电极暴露的第三开口与使第二像素的第一电极暴露的第二开口之间的间隙距离比在使第一像素的第一电极暴露的第一开口与第二开口之间的间隙距离长；第一发光层，连续地设置在同一行线中的单元像素的第一像素和第二像素的第一电极上；第二发光层，连续地设置在同一行线中的单元像素的第三像素的第一电极上；第二电极，设置在第一发光层和第二发光层上。
根据一些实施例，第一发光层设置在像素限定层的在同一行线中的单元像素的第一像素和第二像素之间的上表面以及像素限定层的在单元像素之间的上表面两者上，并具有条形状。
根据一些实施例，第一发光层和第二发光层沿列方向交替。
根据一些实施例，第一发光层或第二发光层沿列方向在相邻的单元像素之间彼此面对。
根据一些实施例，第一发光层是被构造为发射黄光的黄色发光层，第二发光层是被构造为发射蓝光的蓝色发光层。
根据一些实施例，发光显示装置还包括设置在第二电极上的第二基底以及设置在第二基底上的滤色器，其中，滤色器包括：第一滤色器，对应于第一像素，并被构造为执行对从第一发光层发出的光的过滤且沿第二基底的方向发射第一颜色的光；第二滤色器，对应于第二像素，并被构造为执行对从第一发光层发出的光的过滤且沿第二基底的方向发射与第一颜色不同的第二颜色的光。
根据一些实施例，第一颜色是红色，第二颜色是绿色。
根据一些实施例，滤色器还包括：第三滤色器，对应于第三像素，并被构造为执行对从第二发光层发出的光的过滤并沿第二基底的方向发射色纯度与从第二发光层发出的光的色纯度不同的光。
根据一些实施例，发光显示装置还包括设置在第二电极上的第二基底以及设置在第一基底与第一电极之间的滤色器，其中，滤色器包括：第一滤色器，对应于第一像素，并被构造为执行对从第一发光层发出的光的过滤且沿第一基底的方向发射第一颜色的光；第二滤色器，对应于第二像素，并被构造为执行对从第一发光层发出的光的过滤且沿第一基底的方向发射与第一颜色不同的第二颜色的光。
根据一些实施例，第一像素或第二像素在沿同一行线布置的单元像素中的相邻单元像素之间彼此面对。
根据本发明的实施例的发光显示装置，可以减小在沿同一行线布置的单元像素中发射不同颜色光的第一像素与第二像素之间的间隙距离，因此可以增大第一像素和第二像素的开口率。
因此，可以增大发光显示装置的整个像素的开口率。
根据本发明的效果不限于上面所述的内容，而且各种方面包括在下面的描述中。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本发明的上述和其他方面、特征和特性将会变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据本发明的示例实施例的发光显示装置的像素布置的示意性平面图；
图2是示出图1的像素布置的另一示例的平面图；
图3是示出图1的像素布置的又一示例的平面图；
图4是沿图1的线I-I’截取的部分的剖视图；
图5是沿图1的线II-II’截取的部分的剖视图；
图6是沿图1的线III-III’截取的部分的剖视图；
图7是示出图4和图5的有机发光层的图案与滤色器之间的对应关系的示意性透视图；
图8至图18是解释根据本发明的示例实施例的用于制造发光显示装置的方法的剖视图和透视图；
图19是在根据本发明的另一示例实施例的发光显示装置中与图4和图5的部分对应的部分的剖视图；
图20是在根据本发明的又一示例实施例的发光显示装置中与图4和图5的部分对应的部分的剖视图。
具体实施方式
通过参照附图和下面示例实施例的详细描述，可以更容易理解本发明的方面和特征以及实现本发明的方法。然而，本发明可以以许多不同的形式实现并不应该解释为受限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是更彻底和更完整的并将把发明的构思更充分地传达给本领域的技术人员，本发明将仅由权利要求和它们的等同物来限定。
也将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或也可以存在中间层。在整个说明书中相同的附图标号始终表示相同的组件。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于解释，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……下面”、“在……上方”和“上面的”等相对空间术语来描述如图中示出的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，相对空间术语意图包含除了图中描述的方位之外装置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将位于所述其他元件或特征的“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(例如，旋转90度或处于其他方位)并应该相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间的元件或层。另外，也将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间的元件或层。
在这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，而非意图是对本发明的限制。如在这里使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”和“一种”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”及其变型时，表明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。诸如“至少一个(种)”的表述出现在一列元件之后时，修饰整列元件而非修饰该列的单个元件。
如在这里使用的，术语“基本”、“大约”和相似的术语用作近似术语而非程度术语，并意图解释将由本领域的普通技术人员意识到的在测量值或计算值中的固有偏差。此外，描述本发明的实施例时“可以”的使用表示“本发明的一个或更多个实施例”。如在这里使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”意图指的是示例或图示。
在下文中，将参照附图描述本发明的示例实施例的方面。
图1是示出根据本发明的示例实施例的发光显示装置的像素布置的示意性平面图。图2是示出图1的像素布置的另一示例的平面图，图3是示出图1的像素布置的又一示例的平面图。
参照图1，根据本发明的示例实施例的发光显示装置100包括限定多个像素P的显示区域DA和位于显示区域DA的外侧上的非显示区域NDA，所述多个像素P在第一基底110上显示图像并以矩阵形式布置。
多个像素P可以被分为在第一基底110上沿行方向X和沿列方向Y布置的多个单元像素UP。每个单元像素UP包括沿行方向X布置的第一像素P1和第二像素P2以及相对于第一像素P1和第二像素P2沿列方向Y布置的第三像素P3。第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以是发射不同颜色光的像素。例如，第一像素P1可以是发射红光的红色像素，第二像素P2可以是发射绿光的绿色像素，第三像素P3可以是发射蓝光的蓝色像素，但是像素不限于此。
此外，沿同一行线布置的单元像素UP的第一像素P1和第二像素P2可以布置在一排，沿同一行线布置的单元像素UP的第三像素P3可以布置在一排。此外，在每个单元像素UP中，第三像素P3的面积可以比第一像素P1的面积和第二像素P2的面积大，但其不限于此。此外，在沿同一行线布置的单元像素UP中，第一像素P1和第二像素P2可以交替布置，但其不限于此。例如，如图2中所示，在第一基底110a上沿同一行线布置的单元像素UP中的相邻的单元像素UP之间彼此面对的像素P可以是第一像素P1或第二像素P2。此外，如图3中所示，在第一基底110b上沿同一列线布置的单元像素UP中的相邻的单元像素UP之间彼此面对的像素P可以是相同的像素，例如，第三像素P3。
然后，将更详细地描述发光显示装置100的结构。在下文中，将针对发光显示装置100描述单元像素UP的第一像素P1部分、第二像素P2部分和第三像素P3部分的示例结构。
图4是沿图1的线I-I’截取的部分的剖视图，图5是沿图1的线II-II’截取的部分的剖视图，图6是是沿图1的线III-III’截取的部分的剖视图。图7是示出图4和图5的有机发光层的图案和滤色器之间的对应关系的示意性透视图。
参照图4和图5，发光显示装置100可以包括基底110、活性层111、栅极绝缘层116、栅电极117、层间绝缘层118、源电极119、漏电极120、平坦化层121、第一电极130、像素限定层140、第一发光层150a、第二发光层150b、第二电极160、第二基底170、滤色器180和黑色矩阵190。各个构件可以如图4、图5和图6中所示层叠在Z方向上。发光显示装置100可以通过顶部发射发光显示装置来实施，在顶部发射发光显示装置中，从第一发光层150a和第二发光层150b产生的光被发射到第一基底110的顶部，即，沿第二基底170的方向发射。
第一基底110可以是透明绝缘基底。绝缘基底可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的材料制成。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸脂、多芳基化合物(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT或TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)和它们的组合。在一些实施例中，绝缘基底可以是由诸如聚酰亚胺(PI)的柔性材料制成的柔性基底。
第一基底110包括以矩阵形式布置的多个像素P(例如，如图1中所示)。因为已经详细地描述了多个像素P的布置(例如，如图1中所示)，所以将省略它们的重复解释。
活性层111可以布置在第一基底110上，并可以包括沟道区112以及位于沟道区112的两侧上的源区113和漏区114。活性层111可以由例如非晶硅或多晶硅的硅形成，源区113和漏区114可以用p型或n型杂质掺杂。活性层111可以通过光刻法形成，但其不限于此。
栅极绝缘层116形成在第一基底110上以覆盖活性层111。栅极绝缘层116使栅电极117和活性层111彼此电绝缘。栅极绝缘层116可以由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或金属氧化物的绝缘材料制成。栅极绝缘层116可以通过沉积法形成，但其不限于此。
栅电极117可以形成在栅极绝缘层116上。栅电极117可以形成在栅极绝缘层116上与沟道区112叠置的位置。栅电极117可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。栅电极117可以通过光刻法形成，但其不限于此。
层间绝缘层118可以形成在栅极绝缘层116上以覆盖栅电极117。层间绝缘层118可以由硅化合物制成。例如，层间绝缘层118可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳氮化硅或碱式碳酸硅。层间绝缘层118可以用于使栅电极117与源电极119和漏电极120绝缘。层间绝缘层118可以通过沉积法形成，但其不限于此。
源电极119和漏电极120可以形成在层间绝缘层118上。源电极119穿透层间绝缘层118和栅极绝缘层116以连接到活性层111的源区113，漏电极120穿透层间绝缘层118和栅极绝缘层116以连接到漏区114。
源电极119和漏电极120可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。例如，源电极119和漏电极120可以由铝、含铝合金、氮化铝、银、含银合金、钨、氮化钨、铜、含铜合金、镍、铬、氮化铬、钼、含钼合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓和/或氧化铟锌制成。源电极119和漏电极120可以通过光刻法形成，但其不限于此。
源电极119和漏电极120与活性层111和栅电极117一起形成薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可以是将与施加到栅电极117的电压对应的电流提供到发光元件EL的驱动晶体管。薄膜晶体管TFT可以连接到开关晶体管。响应于通过栅极线提供的栅极信号，开关晶体管将与通过数据线提供的数据信号对应的电压施加到薄膜晶体管TFT。
平坦化层121可以形成在层间绝缘层118上以覆盖源电极119和漏电极120。平坦化层121可以具有平坦的表面。平坦化层121可以由绝缘材料制成。在一些实施例中，平坦化层121可以由例如聚酰亚胺的有机材料制成。平坦化层121可以通过沉积法形成，但其不限于此。
对于每个像素P(例如，如图1中所示)，第一电极130形成在第一基底110上。第一电极130可以是接收施加到薄膜晶体管TFT的漏电极120的信号并提供空穴到第一发光层150a或第二发光层150b的阳极电极，或者可以是提供电子到第一发光层150a或第二发光层150b的阴极电极。第一电极130可以用作透明电极或反射电极。在第一电极130用作透明电极的情况下，第一电极130可以由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)和/或In2O3(氧化铟)形成。此外，在第一电极130用作反射电极的情况下，第一电极130可以通过形成由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它们的混合物制成的发射层，然后在其上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3来形成。第一电极130可以通过光刻工艺形成，但其不限于此。
像素限定层140在第一基底110上划分各个像素P(例如，如图1中所示)，并具有用于暴露第一电极130的开口141a、141b和141c。因此，像素限定层140使第一发光层150a或第二发光层150b能够通过开口141a、141b和141c形成在第一电极130上。
开口141a、141b和141c可以是用于暴露第一像素P1的第一电极130的第一开口141a、用于暴露第二像素P2的第一电极130的第二开口141b和用于暴露第三像素P3的第一电极130的第三开口141c。第三开口141c的面积可以比第一开口141a的面积和第二开口141b的面积大，但其不限于此。
然而，在第三开口141c的面积比第一开口141a的面积和第二开口141b的面积大的情况下，布置在通过第三开口141c暴露的第一电极130上的第二发光层150b的发光效率会比布置在通过第一开口141a暴露的第一电极130上和通过第二开口141b暴露的第一电极130上的第一发光层150a的发光效率低。因此，包括具有低发光效率的第二发光层150b的第三像素P3的面积变大，包括具有高发光效率的第一发光层150a的第一像素P1和第二像素P2的面积变小，使得单元像素UP的发光效率可以完全改善。
此外，第二开口141b与其中布置有第二发光层150b的第三开口141c之间的间隙距离D2可以比第一开口141a与第二开口141b之间的间隙距离D1长。因此，在发射不同颜色光的第一发光层150a和第二发光层150b通过小掩模扫描(SMS)沉积法等形成的情况下，可以防止第一发光层150a和第二发光层150b不需要地彼此叠置。
像素限定层140可以由绝缘材料制成。具体地，像素限定层140可以形成为包括从包含苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和酚醛树脂的组中选择的至少一种有机材料。在一些实施例中，像素限定层140可以形成为包括诸如氮化硅的无机材料。像素限定层140可以通过光刻工艺形成，但其不限于此。
第一发光层150a连续地形成在沿同一行线布置的单元像素UP的第一像素P1和第二像素P2的第一电极130上。即，第一发光层150a可以不仅布置在一个单元像素UP中的第一像素P1和第二像素P2之间，而且布置在相邻的单元像素UP之间，并且可以以条形状布置。第一发光层150a布置在单元像素UP中的第一像素P1与第二像素P2之间的像素限定层140的上表面和相邻单元像素UP之间的像素限定层140的上表面两者上。在这种情况下，第一发光层150a可以具有第一宽度EMW1。
第一发光层150a可以是发射黄光的黄色发光层。即，第一发光层150a可以通过从第一电极130提供的空穴和从第二电极160提供的电子的复合来发射黄光。例如，如果空穴和电子被提供到第一发光层150a，则空穴和电子复合以形成激子，并且当激子从激发态跃迁到基态时，黄色发光层发射黄光。黄色发光层可以由低分子或高分子有机材料形成。在一些实施例中，黄色发光层可以包括红荧烯或IrC39H29N3，但其不限于此。第一发光层150a可以通过小掩模扫描(SMS)沉积法来形成，但其不限于此。
第二发光层150b连续地形成在沿同一行线布置的单元像素UP的第三像素P3的第一电极130上。即，第二发光层150b可以布置在相邻的单元像素UP之间，并可以以条形状布置。在这种情况下，第二发光层150b布置在相邻的单元像素UP之间的像素限定层140的上表面上。第二发光层150b可以具有第二宽度EMW2。第二宽度EMW2可以比第一发光层150a的第一宽度EMW1大，但其不限于此。
第二发光层150b可以是发射蓝光的蓝色发光层。即，第二发光层150b可以通过从第一电极130提供的空穴和从第二电极160提供的电子的复合来发射蓝光。例如，如果空穴和电子被提供到第二发光层150b，则空穴和电子复合以形成激子，并且当激子从激发态跃迁到基态时，蓝色发光层发射蓝光。蓝色发光层可以由低分子或高分子有机材料形成。在一些实施例中，蓝色发光层可以包括联苯乙烯化合物，但其不限于此。第二发光层150b可以通过小掩模扫描(SMS)沉积法形成，但其不限于此。
图7示出第一发光层150a和第二发光层150b沿列方向Y交替地布置，但其不限于此。例如，沿列方向Y布置的相邻的单元像素UP之间彼此面对的发光层可以是第一发光层150a或第二发光层150b。
因此，空穴注入层和空穴传输层可以设置在第一电极130与第一发光层150a之间以及第一电极130与第二发光层150b之间。此外，电子传输层和电子注入层可以设置在第一发光层150a与第二电极160之间以及第二发光层150b与第二电极160之间。在第一电极130是阴极电极且第二电极160是阳极电极的情况下，电子注入层和电子传输层可以设置在第一电极130与第一发光层150a之间以及第一电极130与第二发光层150b之间，空穴传输层与空穴注入层可以设置在第一发光层150a与第二电极160以及第二发光层150b与第二电极160之间。
第二电极160可以形成在第一发光层150a和第二发光层150b上，并可以是提供电子到第一发光层150a和第二发光层150b的阴极电极或者提供空穴到第一发光层150a和第二发光层150b的阳极电极。按照与第一电极130相同的方式，第二电极160可以用作透明电极或反射电极。在发光显示装置100通过顶部发射发光显示装置来实施时，第二电极160可以用作透明电极。第二电极160可以通过沉积工艺形成，但其不限于此。
第二基底170可以面对第二电极160，并可以通过密封剂以一定的间隔结合到第一基底。因此，第二基底170可以保护第一基底110上的结构免受外部的影响。与第一基底110一样，第二基底170可以是透明绝缘基底。在一些实施例中，第二基底170可以是覆盖整个结构的包封层。包封层可以包括绝缘材料。
针对每个像素P(例如，如图1中所示)，滤色器180形成在第二基底170上。滤色器180可以包括第一滤色器180A、第二滤色器180B和第三滤色器180C。
第一滤色器180A可以形成在与第一像素P1上的第一开口141a叠置的区域上并具有比第一开口141a的面积大的面积。第一滤色器180A可以是过滤从第一像素P1的第一发光层150a发射的光(例如，黄光)并沿第二基底170的方向发射第一颜色光(例如，红光)的滤色器。
第二滤色器180B可以形成在与第二像素P2上的第二开口141b叠置的区域上并具有比第二开口141b的面积大的面积。第二滤色器180B可以是过滤从第二像素P2的第一发光层150a发射的光(例如，黄光)并沿第二基底170的方向发射第二颜色光(例如，绿光)的滤色器。
第三滤色器180C可以形成在与第三像素P3上的第三开口141c叠置的区域上并具有比第三开口141c的面积大的面积。第三滤色器180C可以是过滤从第三像素P3的第二发光层150b发射的光(例如，蓝光)并沿第二基底170的方向发射具有与从第二发光层150b发射的光的色纯度不同的色纯度的光的滤色器。在一些实施例中，在从第二发光层150b发射的光是具有低色纯度的天蓝色光的情况下，第三滤色器180C可以是过滤天蓝色光并沿第二基底170的方向发射具有高色纯度的深蓝色光以实现清晰颜色的滤色器。
如上所述的第一滤色器180A、第二滤色器180B和第三滤色器180C可以从第一发光层150a和第二发光层150b沿第二基底170的方向发射三种不同颜色的光，第一发光层150a和第二发光层150b形成在沿同一行线布置的单元像素UP上并发射两种不同颜色的光。即，即使每个单元像素UP中的第一像素P1和第二像素P2共同包括第一发光层150a，第一滤色器180A和第二滤色器180B也可以过滤从第一像素P1和第二像素P2的第一发光层150a发射的一种颜色的光并沿第二基底170的方向发射两种不同颜色的光。
共同地包括在每个单元像素UP中的第一像素P1和第二像素P2中的第一发光层150a可以利用小掩模扫描(SMS)沉积法连续地形成在沿同一行线布置的单元像素UP的第一像素P1和第二像素P2的第一电极130上。即，发射相同颜色光的第一发光层150a可以连续地形成在第一像素P1的第一电极130和第二像素P2的第一电极130上。
因此，在沿同一行线布置的单元像素UP中，像素限定层140的使第一像素P1的第一电极130暴露的第一开口141a与像素限定层140的使第二像素P2的第一电极130暴露的第二开口141b之间的间隙距离D1可以被减小为比像素限定层的使第一像素的第一电极暴露的第一开口与像素限定层的使第二像素的第一电极暴露的第二开口之间的所需要的间隙距离小，以防止在使用小掩模扫描(SMS)沉积法在第一像素的第一电极上和第二像素的第一电极上形成发射不同颜色光的发光层的情况下发光层形成为彼此叠置。
因此，在包括利用小掩模扫描(SMS)沉积法连续地形成在沿同一行线布置的单元像素UP的第一像素P1和第二像素P2的第一电极130上的第一发光层150a以及连续地形成在沿同一行线布置的单元像素UP的第三像素P3的第一电极130上的第二发光层150b的发光显示装置100中，可以减小沿同一行线方向布置的单元像素UP中的发射不同颜色光的第一像素P1与第二像素P2之间的间隙距离，因此可以增大第一像素P1和第二像素P2的开口率。
黑色矩阵190可以布置在第二基底170上。黑色矩阵190可以在第二基底170上布置在与滤色器180的水平面相同的水平面处，并可以布置在除了在第二基底170上形成有第一滤色器180A、第二滤色器180B和第三滤色器180C的区域之外的区域上。黑色矩阵190由阻光材料形成以阻挡可能在第一滤色器180A、第二滤色器180B和第三滤色器180C中发生的色彩混合。
如上所述，因为根据本发明的实施例的发光显示装置100包括连续地形成在沿同一行线布置的单元像素UP中的发射不同颜色的第一像素P1和第二像素P2的第一电极130上的第一发光层150a、将从第一像素P1的第一发光层150a发射的光转换为第一颜色光以发射第一颜色光的第一滤色器180A，以及将从第二像素P2的第一发光层150a发射的光转换为第二颜色光以发射第二颜色光的第二滤色器180B，所以可以减小沿同一行线布置的单元像素UP中发射不同颜色的光的第一像素P1与第二像素P2之间的间隙距离，并因此可以增大第一像素P1和第二像素P2的开口率。
因此，可以增大发光显示装置100的整个像素开口率。
接下来，将描述根据本发明的实施例的用于制造发光显示装置100的方法。在下文中，在解释用于制造发光显示装置100的方法中示出单元像素UP(例如，如图1中所示)。
图8至图18是解释根据本发明的实施例的用于制造发光显示装置的方法的剖视图和透视图。
参照图8，准备包括薄膜晶体管TFT的第一基底110。第一基底110包括以矩阵形式布置的多个像素P(例如，如图1中所示)。因为已经描述了多个像素P的布置(例如，如图1中所示)，所以将省略其重复解释。可以在第一基底110上每个像素P(例如，如图1中所示)中(例如，在第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个中)布置薄膜晶体管TFT。
然后，参照图9，在第一基底110上形成平坦化层121。具体地，可以在层间绝缘层118上形成平坦化层121以覆盖薄膜晶体管TFT的源电极119和漏电极120。在这种情况下，可以在平坦化层121的与漏电极120叠置的部分上形成用于暴露漏电极120的开口。可以通过将绝缘材料沉积在源电极119和漏电极120上并将沉积的绝缘材料图案化来形成平坦化层121。
然后，参照图10，在第一基底110上针对每个像素P(例如，如图1中所示)形成第一电极130。例如，通过在平坦化层121上形成透明电极材料或反射材料(例如，反射材料)并将沉积的反射材料图案化，可以在第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3上形成第一电极130。在这种情况下，针对第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3中的每个像素，可以将第一电极130形成为连接到薄膜晶体管TFT的漏电极120。
然后，参照图11，形成划分第一基底110上的各个像素P(例如，如图1中所示)并具有用于暴露平坦化层121上的第一电极130的开口141a、141b和141c的像素限定层140。开口141a、141b和141c可以是用于暴露第一像素P1的第一电极130的第一开口141a、用于暴露第二像素P2的第一电极130的第二开口141b和用于暴露第三像素P3的第一电极130的第三开口141c。因为已经描述了第一开口141a、第二开口141b和第三开口141c，所以将省略它们的重复解释。可以通过在平坦化层121的整个表面上沉积绝缘材料以覆盖第一电极130并将沉积的绝缘材料图案化来形成包括第一开口141a、第二开口141b和第三开口141c的像素限定层140。
然后，参照图12至图14，在沿同一行线布置的单元像素UP(例如，如图1中所示)的第一像素P1和第二像素P2的第一电极130上连续地形成第一发光层150a。
例如，如图12和13中所示，将第一基底110布置在沉积装置1的上部上，使得像素限定层140面对小掩模扫描(SMS)沉积法中使用的沉积装置1的掩模40。然后，在沉积装置1和第一基底110相对于彼此移动的同时，在沿同一行线布置的单元像素UP的第一像素P1和第二像素P2的第一电极130上沉积从沉积装置1中提供的第一发光材料15a。因此，如图14中所示，在沿同一行线布置的单元像素UP的第一像素P1和第二像素P2的第一电极130上连续地形成第一发光层150a。即，在第一基底110上的沿同一行线布置的单元像素UP(例如，如图1中所示)的第一像素P1和第二像素P2的第一电极130上以条形状形成第一发光层150a。
另一方面，尽管图12示出第一基底110而非沉积装置1沿A方向移动，但是沉积装置1可以沿与方向A相反的方向移动。
例如，如图13中所示，用于沉积第一发光材料15a的发光沉积装置1可以包括沉积源10、沉积源喷嘴部20、挡板组件30、掩模40和掩模框45。第一发光材料15a可以是例如黄色发光材料。
沉积源10包括填充有第一发光材料15a的坩埚12和围绕坩埚12的冷却块11。冷却块11将使从坩埚12释放到外部的热量的辐射最小化，并可以包括用于加热坩埚12的加热器。
沉积源喷嘴部20布置在沉积源10的一侧上，具体地，在从沉积源10指向第一基底110的一侧上。沉积源喷嘴部20包括沿列方向Y形成的多个沉积源喷嘴21。多个沉积源喷嘴21可以等间距布置。多个沉积源喷嘴21使通过沉积源10蒸发的第一发光材料15a穿过沉积源喷嘴21以指向第一基底110的方向。
挡板组件30布置在沉积源喷嘴部20的一侧上。挡板组件30包括多个挡板31和布置在多个挡板31的外侧的挡板框32。多个挡板31可以沿列方向Y按排布置。多个挡板31可以等间距布置。各个挡板31可以形成为沿Z方向延伸，并可以布置在相邻的沉积源喷嘴21之间。多个挡板31将沉积源喷嘴部20与掩模40之间的空间划分为多个沉积空间。
因为挡板31将沉积源喷嘴部20与掩模40之间的空间划分为多个沉积空间，所以从沉积源喷嘴21排出的第一发光材料15a不与从另一沉积源喷嘴21排出的第一发光材料15a混合，而是通过掩模40的缝隙41沉积在第一基底110上。即，多个挡板31可以用作引导第一发光材料15a的移动路径，使得通过各个沉积源喷嘴21排出的第一发光材料15a不沿列方向Y分散。
挡板框32可以布置在多个挡板31的侧表面上以引导第一发光材料15a的移动路径，使得通过各个沉积源喷嘴21排出的第一发光材料15a不沿行方向X分散。
掩模40和掩模框45布置在沉积源10和第一基底110之间。掩模框45可以以矩形框的形式形成，掩模40可以结合到掩模框45的内部。掩模40可以包括沿列方向Y布置的多个缝隙41。每个缝隙41可以沿行方向X延伸。多个缝隙41使已经穿过沉积源喷嘴21的第一发光材料15a指向第一基底110的方向。这里，缝隙41的个数可以对应于将要形成在第一基底110上的第一发光层150a的个数。
掩模40可以布置为与挡板组件30分隔开，并可以通过单独的连接构件35连接到挡板组件30。
然后，参照图15和图16，在沿同一行线布置的单元像素UP(例如，如图1中所示)的第三像素P3的第一电极130上连续地形成第二发光层150b。即，在沿同一行线布置的单元像素UP(例如，如图1中所示)的第三像素P3的第一电极130上以条形状形成第二发光层150b。
按照与用于形成第一发光层150a的方法相同的方式，可以使用小掩模扫描(SMS)沉积法中使用的沉积装置1形成第二发光层150b。然而，沉积装置1的坩埚12填充有第二发光材料15b，在沿第一基底110的同一行线布置的单元像素UP(例如，如图1中所示)的第三像素P3的第一电极130上沉积第二发光材料150b，以形成如图16中示出的第二发光层150b。第二发光材料15b可以是例如蓝色发光材料。
然后，参照图17，在第一发光层150a和第二发光层150b上形成第二电极160。可以通过在第一发光层150a和第二发光层150b上沉积透明电极材料或反射材料(例如，透明材料)并将沉积的透明材料图案化来形成第二电极160。
然后，参照图18，将第二基底170布置在第二电极160的上部上。第二基底170可以包括对于每个像素P(例如，如图1中所示)形成的滤色器180以及布置在第二滤色器180B和第三滤色器180C之间的黑色矩阵190。当第二基底170布置在第二电极160的上部上时，滤色器180可以面对第二电极160。
图19是在根据本发明的另一实施例的发光显示装置中与图4和图5的部分对应的部分的剖视图。
参照图19，除了滤色器280之外，根据本发明的另一实施例的发光显示装置200具有与图4和图5的发光显示装置100的构造相同的构造。因此，将仅围绕滤色器280来描述根据本发明的另一实施例的发光显示装置200。
滤色器280与图4和图5的滤色器180相似。然而，通过从滤色器180省略第三滤色器180C，滤色器280包括第一滤色器180A和第二滤色器180B。这是因为从第二发光层150b发出的光(例如，蓝光)如其沿第二基底170的方向一样发出。在这种情况下，可以简化形成滤色器280的工艺。
如上所述，因为根据本发明的另一实施例的发光显示装置200包括连续地形成在沿同一行线布置的单元像素UP中的发射不同颜色的第一像素P1和第二像素P2的第一电极130上的第一发光层150a、将从第一像素P1的第一发光层150a发射的光转换为第一颜色光以发射第一颜色光的第一滤色器180A，以及将从第二像素P2的第一发光层150a发射的光转换为第二颜色光以发射第二颜色光的第二滤色器180B，所以可以减小沿同一行线布置的单元像素UP中的发射不同颜色的第一像素P1和第二像素P2之间的间隙距离，并因此可以增大第一像素P1和第二像素P2的开口率。
因此，可以增大发光显示装置200的整个像素开口率。
因此，根据本发明的另一实施例的用于制造发光显示装置200的方法与上面参照图8至图18描述的用于制造发光显示装置100的方法相似。然而，根据本发明的另一实施例的方法与根据本发明的实施例的方法的不同之处在于布置在第二电极160的上部上的第二基底170包括滤色器280，滤色器280仅包括第一滤色器180A和第二滤色器180B。
图20是在根据本发明的又一实施例的发光显示装置中与图4和图5的部分对应的部分的剖视图。
参照图20，除了滤色器380与黑色矩阵390的布置位置之外，根据本发明的又一实施例的发光显示装置300具有与图4和图5的发光显示装置100的构造相同的构造。因此，将仅围绕滤色器380和黑色矩阵390来描述根据本发明的又一实施例的发光显示装置300。
发光显示装置300可以包括基底110、活性层111、栅极绝缘层116、栅电极117、层间绝缘层118、源电极119、漏电极120、平坦化层121、第一电极130、像素限定层140、第一发光层150a、第二发光层150b、第二电极160、第二基底170、滤色器380和黑色矩阵390。如图20所示，各个构件可以沿Z方向层叠。发光显示装置300可以通过底部发射发光显示装置来实施，在底部发射发光显示装置中，从第一发光层150a和第二发光层150b产生的光例如沿第一基底110的方向从第一基底110的底部发射。
滤色器380包括第一滤色器380A、第二滤色器380B和第三滤色器380C，并且与图4和图5的滤色器180相似。然而，对于每个像素P(例如，如图1中所示)，滤色器380可以形成在第一基底110与第一电极130之间，例如，在层间绝缘层118与平坦化层121之间。第一滤色器380A可以布置在与第一像素P1的第一开口141a叠置的区域上，第二滤色器380B可以布置在与第二像素P2的第二开口141b叠置的区域上，第三滤色器380C可以布置在与第三像素P3的第三开口141c叠置的区域上。
第一滤色器380A可以是过滤从第一像素P1的第一发光层150a发出的光(例如，黄光)并沿第一基底110的方向发射第一颜色光(例如，红光)的滤色器。
第二滤色器380B可以是过滤从第二像素P2的第一发光层150a发出的光(例如，黄光)并沿第一基底110的方向发射第二颜色光(例如，黄光)的滤色器。
第三滤色器380C可以是过滤从第三像素P3的第二发光层150b发出的光(例如，蓝光)并沿第一基底110的方向发射具有与从第二发光层150发出的光的色纯度不同的色纯度的光的滤色器。
黑色矩阵390与图4和图5的黑色矩阵190相似。然而，黑色矩阵390可以形成在第一基底110与第一电极130之间(例如，第一基底110与活性层111之间)不与第一滤色器380A、第二滤色器380B和第三滤色器380C叠置的区域中。黑色矩阵390可以阻止因为从滤色器380发射的光被诸如栅电极117、源电极119和漏电极120的金属布线的反射而导致在第一滤色器380A、第二滤色器380B和第三滤色器380C中发生的颜色混合。
另一方面，在通过底部发光显示装置实施发光显示装置300的情况下，第一电极130可以用作透明电极，第二电极160可以用作反射电极。
如上所述，因为根据本发明的又一实施例的发光显示装置300包括连续地形成在沿同一行线布置的单元像素UP中的发射不同颜色的第一像素P1和第二像素P2的第一电极130上的第一发光层150a、将从第一像素P1的第一发光层150a发出的光转换为第一颜色光以发射第一颜色光的第一滤色器380A，以及将从第二像素P2的第一发光层150a发出的光转换为第二颜色光以发射第二颜色光的第二滤色器380B，所以可以减小在沿同一行线布置的单元像素UP中发射不同颜色光的第一像素P1与第二像素P2之间的间隙距离，并因此可以增大第一像素P1和第二像素P2的开口率。
因此，可以增大发光显示装置300的整个像素开口率。
另一方面，根据本发明的又一实施例的用于制造发光显示装置300的方法与上面参照图8至图18描述的用于制造发光显示装置100的方法相似。然而，根据本发明的又一实施例的方法与根据本发明的实施例的方法的不同之处在于滤色器380布置在第一基底110与第一电极130之间并且黑色矩阵390形成在第一基底110与活性层111之间。
在结束详细描述时，本领域的技术人员将领会在基本不脱离本发明的原理的情况下可以对示例实施例做出许多改变和修改。因此，所公开的发明的示例实施例仅在一般性的和描述性的含义上使用，而非出于限制性的目的。相反，应该理解的是，在如权利要求及其等同物所限定的本发明的精神和范围内，可由本领域的普通技术人员做出各种改变和修改。
Claims (9)
1.一种发光显示装置，所述发光显示装置包括：
第一基底；
多个像素，按矩阵布置在所述第一基底上并分为沿行方向和沿列方向布置的多个单元像素，每个单元像素包括沿所述行方向布置的第一像素和第二像素以及相对于所述第一像素和所述第二像素沿所述列方向布置的第三像素；
第一电极，对应于每个像素；
像素限定层，隔开所述第一基底上的各个像素并具有穿过所述像素限定层暴露所述第一电极的开口；
第一发光层，连续地设置在沿同一行线布置的单元像素的第一像素和第二像素的第一电极上，并且设置在所述像素限定层的处于同一行线中的单元像素的第一像素与第二像素之间的上表面以及所述像素限定层的处于所述多个单元像素之间的上表面两者上；
第二发光层，连续地设置在沿同一行线布置的单元像素的第三像素的第一电极上；
第二电极，设置在所述第一发光层和所述第二发光层上；
薄膜晶体管，设置在所述第一基底与所述第一电极之间并包括电连接到所述第一电极的电极；
滤色器，设置在所述第一基底与所述第一电极之间；以及
黑色矩阵，设置在所述第一基底与所述薄膜晶体管之间不与所述滤色器叠置的区域中，
其中，所述开口包括暴露所述第一像素的第一电极的第一开口、暴露所述第二像素的第一电极的第二开口和暴露所述第三像素的第一电极的第三开口，并且
其中，所述第三开口与所述第二开口之间的间隙距离比所述第一开口与所述第二开口之间的间隙距离长。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，所述第一发光层具有条形状。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，所述第一发光层和所述第二发光层沿所述列方向交替。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，所述第一发光层或所述第二发光层在所述列方向上的相邻的单元像素之间彼此面对。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，所述第一发光层是被构造为发射黄光的黄色发光层，所述第二发光层是被构造为发射蓝光的蓝色发光层。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置，所述发光显示装置还包括：
第二基底，设置在所述第二电极上；
其中，所述滤色器包括：
第一滤色器，对应于所述第一像素，并被构造为执行对从所述第一发光层发出的光的过滤且沿所述第一基底的方向发射第一颜色的光；以及
第二滤色器，对应于所述第二像素，并被构造为执行对从所述第一发光层发出的光的过滤且沿所述第一基底的方向发射与所述第一颜色不同的第二颜色的光。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其特征在于，所述第一颜色是红色，所述第二颜色是绿色。
8.根据权利要求6所述的发光显示装置，其特征在于，所述滤色器还包括：第三滤色器，对应于所述第三像素，并被构造为执行对从所述第二发光层发出的光的过滤并沿所述第一基底的方向发射色纯度与从所述第二发光层发出的光的色纯度不同的光。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，所述第一像素或所述第二像素在沿同一行线布置的单元像素中的相邻单元像素之间彼此面对。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |