JP2580663B2 - 薄膜形成装置の基板保持機構 - Google Patents
薄膜形成装置の基板保持機構Info
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- JP2580663B2 JP2580663B2 JP62334285A JP33428587A JP2580663B2 JP 2580663 B2 JP2580663 B2 JP 2580663B2 JP 62334285 A JP62334285 A JP 62334285A JP 33428587 A JP33428587 A JP 33428587A JP 2580663 B2 JP2580663 B2 JP 2580663B2
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- glass substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、反応室におけるガラス基板の保持構造を改
良したプラズマCVD、クリーニング、エッチング等のプ
ラズマ応用薄膜形成装置に関する。
良したプラズマCVD、クリーニング、エッチング等のプ
ラズマ応用薄膜形成装置に関する。
［従来の技術］ 薄膜形成は、一般に複数の処理工程から成るため、各
処理工程に対応した処理室を連設してその間に被処理物
たる基板を搬送させつつ一連の処理を施す形式（以下、
インライン形と称する）を採用することが適している。
処理工程に対応した処理室を連設してその間に被処理物
たる基板を搬送させつつ一連の処理を施す形式（以下、
インライン形と称する）を採用することが適している。
ガラス基板を適用対象とするインライン形のプラズマ
応用薄膜形成装置、例えばプラズマCVD装置では、隣接
する各室間にガラス基板を搬送する基板搬送手段とし
て、第３図に示すような基板ホルダ（或いは基板トレ
イ）Ｈが用いられている。この基板ホルダＨは、その片
面にガラス基板Ｋを装着し、ローラーＲ等の適宜ガイド
部材の上を縦姿勢の下で一体に移送する搬送部材の役割
を担うと同時に、反応室での薄膜形成時に対向電極（グ
ランド電極）の役目を兼ねるものとなっている。
応用薄膜形成装置、例えばプラズマCVD装置では、隣接
する各室間にガラス基板を搬送する基板搬送手段とし
て、第３図に示すような基板ホルダ（或いは基板トレ
イ）Ｈが用いられている。この基板ホルダＨは、その片
面にガラス基板Ｋを装着し、ローラーＲ等の適宜ガイド
部材の上を縦姿勢の下で一体に移送する搬送部材の役割
を担うと同時に、反応室での薄膜形成時に対向電極（グ
ランド電極）の役目を兼ねるものとなっている。
具体的には、反応室でRF電極に高周波電力を印加して
ガラス基板との間にプラズマを発生する場合、基板側に
アース電位に保持された導電性の対向電極を配置してお
かないと、RF電極からの放電が基板側に限定されず周囲
に四散して起こる。しかるに、ガラス基板は絶縁性材料
であることから、単独でRF電極に対向配置しても放電を
コントロールすることができない。それ故、従来では導
電性の基板ホルダをアース電位に保持し、搬送部材を兼
ねながらRF電極と対をなす対向電極として利用するよう
にしている。
ガラス基板との間にプラズマを発生する場合、基板側に
アース電位に保持された導電性の対向電極を配置してお
かないと、RF電極からの放電が基板側に限定されず周囲
に四散して起こる。しかるに、ガラス基板は絶縁性材料
であることから、単独でRF電極に対向配置しても放電を
コントロールすることができない。それ故、従来では導
電性の基板ホルダをアース電位に保持し、搬送部材を兼
ねながらRF電極と対をなす対向電極として利用するよう
にしている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかし、基板ホルダを利用する場合、次のような不具
合な点が指摘される。
合な点が指摘される。
基板ホルダの周辺部（第３図における基板周辺部
ｈ）は、装置を通過する度に膜付けされ、しかも通常加
熱・冷却の熱ヒステリシスが加えられることになるの
で、同周辺部に付着した膜が剥離して、これが大きなダ
スト源となることがある。
ｈ）は、装置を通過する度に膜付けされ、しかも通常加
熱・冷却の熱ヒステリシスが加えられることになるの
で、同周辺部に付着した膜が剥離して、これが大きなダ
スト源となることがある。
基板ホルダは、熱歪みを受けてはならないので、製
作費が高くつく。また、インラインシステムでは、相当
数準備する必要がある。
作費が高くつく。また、インラインシステムでは、相当
数準備する必要がある。
生産機では、基板ホルダをシステムに１チャージし
た後、これを基板搬出室から基板搬入室へ自動的に帰還
させる機構が必要となり、このために大きな床面積と装
置費用の追加が必要になる。
た後、これを基板搬出室から基板搬入室へ自動的に帰還
させる機構が必要となり、このために大きな床面積と装
置費用の追加が必要になる。
本発明は、インライン形のプラズマCVD装置等で、従
来、一般的に採用される基板ホルダの使用に上述したよ
うな種々の問題点があることに鑑み、基板搬送手段とし
ての基板ホルダの使用を不要にする薄膜形成装置の基板
保持機構を提供するものである。
来、一般的に採用される基板ホルダの使用に上述したよ
うな種々の問題点があることに鑑み、基板搬送手段とし
ての基板ホルダの使用を不要にする薄膜形成装置の基板
保持機構を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明では、ガラス基板に適用されるインライン形の
プラズマ応用薄膜形成装置において、反応室に搬入され
たガラス基板に対して、その背面側から対向電極を兼ね
る導電性の室内部材と、その室内部材を移動させる移動
手段とを設け、室内部材によりガラス基板をRF電極の対
向位置に保持するようにしている。
プラズマ応用薄膜形成装置において、反応室に搬入され
たガラス基板に対して、その背面側から対向電極を兼ね
る導電性の室内部材と、その室内部材を移動させる移動
手段とを設け、室内部材によりガラス基板をRF電極の対
向位置に保持するようにしている。
［作用］ 反応室に存在する室内部材を利用してガラス基板をRF
電極の対向位置に保持するようにし、かつ該室内部材を
対向電極に兼用すれば、少なくとも対向電極の必要から
基板ホルダを使用しなければならない必然性は除かれ
る。従って、各室間をガラス基板単独で搬送できる機構
を採用しさえすれば、基板ホルダを用いないインライン
形の薄膜形成装置をシステムアップすることが可能にな
る。
電極の対向位置に保持するようにし、かつ該室内部材を
対向電極に兼用すれば、少なくとも対向電極の必要から
基板ホルダを使用しなければならない必然性は除かれ
る。従って、各室間をガラス基板単独で搬送できる機構
を採用しさえすれば、基板ホルダを用いないインライン
形の薄膜形成装置をシステムアップすることが可能にな
る。
［実施例］ 以下、第１図、第２図に示す一実施例について本発明
を詳述する。
を詳述する。
第１図は、室内条件を違えた真空チャンバを差動機構
を介し複数個連設するサイドデポジョン方式のインライ
ン形プラズマCVD装置における、反応室（成膜室）の内
部構造を示している。
を介し複数個連設するサイドデポジョン方式のインライ
ン形プラズマCVD装置における、反応室（成膜室）の内
部構造を示している。
図において、１は真空チャンバで、下方の排気口1aか
ら内部を真空排気する一方、上方のガス導入口1bから反
応ガスが導入される。この真空チャンバ１の内部には、
RF電極２と基板加熱ヒータ３とが縦向き姿勢で対向配置
されている。RF電極２は、チャンバ内部で固定され、外
部高周波電源４からマッチングボックス５を介して高周
波電力が印加される。これに対して、シーズヒータを内
臓する基板加熱ヒータ３は、本発明の室内部材としての
役割をなすもので、チャンバ１を気密に貫通させた支持
杆部3bに外部でモータやシリンダ等の駆動源10aを連結
することによって構成される移動手段10により、図示矢
印Ａのように、対面するRF電極２に対し進退自在となっ
ている。すなわち、反応室内にガラス基板Ｋが搬入され
ると、図示二点鎖線の位置に前進して表面板3aからガラ
ス基板Ｋを背面側より加熱し、成膜時以外では、図示実
線の待機位置に後退される。そして、この基板加熱ヒー
タ３は、ステンレス鋼のような導電性材料をもって形成
されるとともにアース電位に保持されて、前記RF電極２
から放電されるRFパワーを通電する対向電極としての役
目を兼ねさせている。
ら内部を真空排気する一方、上方のガス導入口1bから反
応ガスが導入される。この真空チャンバ１の内部には、
RF電極２と基板加熱ヒータ３とが縦向き姿勢で対向配置
されている。RF電極２は、チャンバ内部で固定され、外
部高周波電源４からマッチングボックス５を介して高周
波電力が印加される。これに対して、シーズヒータを内
臓する基板加熱ヒータ３は、本発明の室内部材としての
役割をなすもので、チャンバ１を気密に貫通させた支持
杆部3bに外部でモータやシリンダ等の駆動源10aを連結
することによって構成される移動手段10により、図示矢
印Ａのように、対面するRF電極２に対し進退自在となっ
ている。すなわち、反応室内にガラス基板Ｋが搬入され
ると、図示二点鎖線の位置に前進して表面板3aからガラ
ス基板Ｋを背面側より加熱し、成膜時以外では、図示実
線の待機位置に後退される。そして、この基板加熱ヒー
タ３は、ステンレス鋼のような導電性材料をもって形成
されるとともにアース電位に保持されて、前記RF電極２
から放電されるRFパワーを通電する対向電極としての役
目を兼ねさせている。
しかして、チャンバ１内で対向配置されるRF電極２と
基板加熱ヒータ３との間に、絶縁材のガラス基板Ｋが紙
面の上下方向から搬入出される。このガラス基板Ｋは、
単独で各室間を移送され、チャンバ１内に搬入出され
る。
基板加熱ヒータ３との間に、絶縁材のガラス基板Ｋが紙
面の上下方向から搬入出される。このガラス基板Ｋは、
単独で各室間を移送され、チャンバ１内に搬入出され
る。
具体的には、チャンバ１内におけるRF電極２と基板加
熱ヒータ（対向電極）３との間の空間に臨み、各々取付
金具7a、7bを介しチャンバ１に固定して、下部ガイドレ
ール6aと上部ガイドレール6bとを敷設している。そし
て、下部ガイドレール6aには間欠的な底面突起ａと内面
突起ｂとが設けられ、また上部ガイドレール6bには内面
突起ｂが設けられていて、第２図のように、レール間に
はめ込まれたガラス基板Ｋをその後端部を押動して、突
起ａと突起ｂ、ｂとに摺接させながら搬送するようにし
ている。
熱ヒータ（対向電極）３との間の空間に臨み、各々取付
金具7a、7bを介しチャンバ１に固定して、下部ガイドレ
ール6aと上部ガイドレール6bとを敷設している。そし
て、下部ガイドレール6aには間欠的な底面突起ａと内面
突起ｂとが設けられ、また上部ガイドレール6bには内面
突起ｂが設けられていて、第２図のように、レール間に
はめ込まれたガラス基板Ｋをその後端部を押動して、突
起ａと突起ｂ、ｂとに摺接させながら搬送するようにし
ている。
なお、第２図ではガラス基板Ｋの押動機構８に、一対
のリンク・レバー8a、8bをパンタグラフ状に交差枢結し
たものを例示しているが、搬送機構の構造に応じて、そ
の他伸縮バー方式やロボットアーム方式など、任意の機
構を利用できる。
のリンク・レバー8a、8bをパンタグラフ状に交差枢結し
たものを例示しているが、搬送機構の構造に応じて、そ
の他伸縮バー方式やロボットアーム方式など、任意の機
構を利用できる。
また、第１図においてＧは水平床面を示している。つ
まり、ガラス基板Ｋはやや前傾した姿勢で搬送され、成
膜される。
まり、ガラス基板Ｋはやや前傾した姿勢で搬送され、成
膜される。
さて、このように構成したものであると、チャンバ１
内でRF電極２の対向位置までガラス基板Ｋが搬入される
と、背面側で待機している基板加熱ヒータ３を前進さ
せ、その表面板3aをガラス基板Ｋに密着乃至近接させる
ようにする。この際、ヒータ３はガラス基板Ｋに完全に
密着させる方が好ましいが、ガラス基板Ｋのソリ等に起
因して密着させるのが難しい場合は、微少間隙を残して
近接させた状態であってもよい。もっとも、隙間が大き
くなると、ガラス基板Ｋとヒータ３の間でも放電を起こ
すようになるので、3mm以下、望ましくは1mmの間隙寸法
に押える必要がある。
内でRF電極２の対向位置までガラス基板Ｋが搬入される
と、背面側で待機している基板加熱ヒータ３を前進さ
せ、その表面板3aをガラス基板Ｋに密着乃至近接させる
ようにする。この際、ヒータ３はガラス基板Ｋに完全に
密着させる方が好ましいが、ガラス基板Ｋのソリ等に起
因して密着させるのが難しい場合は、微少間隙を残して
近接させた状態であってもよい。もっとも、隙間が大き
くなると、ガラス基板Ｋとヒータ３の間でも放電を起こ
すようになるので、3mm以下、望ましくは1mmの間隙寸法
に押える必要がある。
こうしてガラス基板Ｋを基板ヒータ３で背面側から保
持させた状態で、RF電極２にRFパワーを導入しガラス基
板Ｋ上にプラズマＰを発生して成膜する。この際、基板
加熱ヒータ３はガラス基板Ｋを加熱する本来の役割に加
え、RF電極２と対をなす対向電極の役目を果し、プラズ
マＰの発生領域をガラス基板Ｋ上に限定する。かくし
て、成膜が終了したら、基板加熱ヒータ３を退避させ、
ガラス基板Ｋをチャンバ１から搬出する。
持させた状態で、RF電極２にRFパワーを導入しガラス基
板Ｋ上にプラズマＰを発生して成膜する。この際、基板
加熱ヒータ３はガラス基板Ｋを加熱する本来の役割に加
え、RF電極２と対をなす対向電極の役目を果し、プラズ
マＰの発生領域をガラス基板Ｋ上に限定する。かくし
て、成膜が終了したら、基板加熱ヒータ３を退避させ、
ガラス基板Ｋをチャンバ１から搬出する。
このように、本発明に係る基板保持機構を採用すれ
ば、ガラス基板単独での搬送手段（その機構は問わな
い）を設けることを条件に、基板ホルダ無しでも円滑に
成膜プロセスが行なえるものとなる。すなわち、所期目
的とする基板ホルダの使用が不要になる訳である。
ば、ガラス基板単独での搬送手段（その機構は問わな
い）を設けることを条件に、基板ホルダ無しでも円滑に
成膜プロセスが行なえるものとなる。すなわち、所期目
的とする基板ホルダの使用が不要になる訳である。
なお、本発明の本質は、反応室の内部に存在する室内
部材をもって対向電極に兼用するものであるから、実施
例のようにヒータを利用するのが好適であるけれども、
ヒータを設置しない場合はもとよりこの限りでない。そ
の場合には、他の室内部材を利用するか或いは別途板状
部材を反応室内に配置することになる。
部材をもって対向電極に兼用するものであるから、実施
例のようにヒータを利用するのが好適であるけれども、
ヒータを設置しない場合はもとよりこの限りでない。そ
の場合には、他の室内部材を利用するか或いは別途板状
部材を反応室内に配置することになる。
また、実施例では基板搬送の便から若干傾斜させたサ
イドポジション方式を採用したが、ガラス基板を垂直に
送るようにしてもよい。また、成膜上、ダスト付着防止
の点からはサイドデポジション方式等が有利となるが、
別段これに限定する必要はなく、その他デポジションア
ップ、デポジションダウン方式であってもよい。
イドポジション方式を採用したが、ガラス基板を垂直に
送るようにしてもよい。また、成膜上、ダスト付着防止
の点からはサイドデポジション方式等が有利となるが、
別段これに限定する必要はなく、その他デポジションア
ップ、デポジションダウン方式であってもよい。
さらに、実施例ではプラズマCVD装置の場合を例示し
たが、本発明はインライン形のものであれば、プラズマ
・クリーニング装置や同エッチング装置についても同様
に適用される。
たが、本発明はインライン形のものであれば、プラズマ
・クリーニング装置や同エッチング装置についても同様
に適用される。
［発明の効果］ 以上の通り、本発明では反応室の室内部材をもってRF
電極の対向電極に兼用するようにしているので、基板ホ
ルダを使用せずとも薄膜形成を行なうことが可能にな
る。従って、先に列挙したような基板ホルダの使用に伴
う諸々の問題点を一掃することができる。しかも、本願
発明は、室内部材を基板を保持し得る位置に移動させる
際に、室内部材と基板の間の空隙寸法を必要に応じて微
調整することができるので、適正な放電条件を容易に成
立させて製膜に関わる精度を有効に向上させることがで
きるという優れた効果を奏する。
電極の対向電極に兼用するようにしているので、基板ホ
ルダを使用せずとも薄膜形成を行なうことが可能にな
る。従って、先に列挙したような基板ホルダの使用に伴
う諸々の問題点を一掃することができる。しかも、本願
発明は、室内部材を基板を保持し得る位置に移動させる
際に、室内部材と基板の間の空隙寸法を必要に応じて微
調整することができるので、適正な放電条件を容易に成
立させて製膜に関わる精度を有効に向上させることがで
きるという優れた効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示す反応室の断面略図であ
り、第２図はガラス基板の搬送機構を示す斜視図であ
る。第３図は基板ホルダを用いた従来の搬送機構を示す
斜視図である。 Ｋ……ガラス基板 １……チャンバ ２……RF電極 ３……室内部材（基板加熱ヒータ） ４……RF電源 ５……マッチングボックス 6a……下部ガイドレール 6b……上部ガイドレール ａ……突起 ｂ……突起 ８……押動機構 10……移動手段
り、第２図はガラス基板の搬送機構を示す斜視図であ
る。第３図は基板ホルダを用いた従来の搬送機構を示す
斜視図である。 Ｋ……ガラス基板 １……チャンバ ２……RF電極 ３……室内部材（基板加熱ヒータ） ４……RF電源 ５……マッチングボックス 6a……下部ガイドレール 6b……上部ガイドレール ａ……突起 ｂ……突起 ８……押動機構 10……移動手段
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板に適用されるインライン形のプ
ラズマ応用薄膜形成装置において、反応室に搬入された
ガラス基板に対して、その背面側から対向電極を兼ねる
導電性の室内部材と、その室内部材を移動させる移動手
段とを設け、室内部材によりガラス基板をRF電極の対向
位置に保持することを特徴とする薄膜形成装置の基板保
持機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62334285A JP2580663B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 薄膜形成装置の基板保持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62334285A JP2580663B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 薄膜形成装置の基板保持機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173710A JPH01173710A (ja) | 1989-07-10 |
| JP2580663B2 true JP2580663B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=18275628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62334285A Expired - Lifetime JP2580663B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 薄膜形成装置の基板保持機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580663B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101284961B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2013-07-10 | 레이볼드 압틱스 게엠베하 | 평판 기판용 처리 시스템 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0538868U (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-25 | 三洋電機株式会社 | 半導体薄膜形成装置 |
| JPH0541136U (ja) * | 1991-11-06 | 1993-06-01 | 三洋電機株式会社 | 半導体薄膜形成装置 |
| CN101889101B (zh) * | 2007-12-06 | 2014-09-24 | 因特瓦克公司 | 用于基板的双面溅射蚀刻的系统和方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6072278A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シ−ト状物体へのマスク成膜方法 |
| JPS6292485A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JPH0714072B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1995-02-15 | 三井東圧化学株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| JPH0652806B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1994-07-06 | 圭弘 浜川 | 半導体発光素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62334285A patent/JP2580663B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101284961B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2013-07-10 | 레이볼드 압틱스 게엠베하 | 평판 기판용 처리 시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01173710A (ja) | 1989-07-10 |
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