CN104937707B - 基板托盘及包括该基板托盘的基板处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种便于实现大尺寸和防止由下沉引起的缺陷的基板托盘以及包括该基板托盘的基板处理设备，其中基板托盘可以包括：多个带，用于支撑在第一轴方向布置的多个基板；以及支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述带连接，其中，相对于所述第二轴方向每个所述带的长度大于所述基板的长度。

Description

基板托盘及包括该基板托盘的基板处理设备
技术领域
本发明涉及一种用于装载基板的基板托盘以及包含该基板托盘的基板处理设备。
背景技术
基板处理设备被用来进行蚀刻基板的纹理化工艺、形成半导体层的工艺以及形成电极的工艺。这种基板处理设备通过使用能够装载多个基板的基板托盘来进行上述工艺。例如，用于进行薄膜沉积工艺(例如，等离子体沉积工艺)的基板处理设备可以将薄膜材料同时沉积在以固定间隔装载到基板托盘上的多个基板上。
图1示意性地示出了现有技术中的基板托盘。
参照图1，现有技术中的基板托盘10可以包括支撑框架11和支撑板12。支撑框架11形成为矩形框架，并且支撑框架11与支撑板12的边缘结合，从而形成基板托盘10的外边缘。支撑板12形成为平板形状，并与支撑框架11结合。在支撑板12上有多个以固定间隔装载的基板(S)。
现有技术中的基板托盘10具有以下问题。首先，为了实现大尺寸的基板托盘10，必须增大其中装载有多个基板(S)的支撑板12的尺寸。然而，如果增大一种构造的支撑板12的尺寸，将会过度消耗用于制造支撑板12的材料，使得支撑板12的制造成本增加。而且，不可避免地也需要增大用于制造支撑板12的设备。在这方面，增大支撑板12是有限制的。
另外，随着支撑板12制造成大尺寸，支撑板12的重量也会增加。此外，随着装载到支撑板12的基板(S)数量增加，基板(S)的总重量也会增加。当支撑板12的边缘与支撑框架11结合时，由于支撑板12和基板(S)重量的增加，远离支撑框架11的支撑板12的中心部位会下沉。相应地，在基板处理设备内部可能会发生基板(S)错位，从而产生缺陷，诸如基板拾取失败和工艺不均匀性。
发明内容
技术问题
相应地，本发明涉及一种基板托盘及包括该基板托盘的基板处理设备，能够基本上消除由于现有技术的局限和缺点所引起的一个或多个问题。
技术方案
在本发明的一个方面，提供一种便于实现大尺寸并防止由下沉引起的缺陷的基板托盘以及包括该基板托盘的基板处理设备。
本发明提供一种基板托盘，该基板托盘可以包括：多个带，用于支撑在第一轴方向布置的多个基板；以及支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接，其中，相对于所述第二轴方向每个所述带的长度大于所述基板的长度。
在本发明的另一个方面，提供一种基板处理设备，该基板处理设备可以包括：处理室，用于提供处理空间；承托器，可移动地设置在所述处理室中；以及基板托盘，被装载到所述处理空间并被所述承托器支撑，其中，所述基板托盘包括：多个带，用于支撑在第一轴方向布置的多个基板；以及支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接，其中，相对于所述第二轴方向每个所述带的长度大于所述基板的长度。
在本发明的另一个方面，提供一种基板处理设备，该基板处理设备可以包括：处理室，用于提供处理空间；承托器，可移动地设置在所述处理室中；以及基板托盘，被装载到所述处理空间并被所述承托器支撑，其中，所述基板托盘包括：多个带，用于支撑在第一轴方向布置的多个基板；以及支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接，其中，相对于所述第二轴方向每个所述带的长度等于所述基板的长度。
技术效果
本发明具有以下技术效果。
根据本发明，由于通过使用多个带支撑多个基板，因此易于通过增加带的数量实现大尺寸基板托盘，借此能够做到同时进行数量增加了的基板的基板处理，从而提高产量。
另外，通过使用多个带支撑多个基板，以及通过张力维持构件的弹性件恒定地维持带的张力，借此能够做到防止每个带下沉，从而防止产生工艺缺陷，如基板拾取失败和工艺的不均匀性等。
附图说明
图1示意性地示出了现有技术的基板托盘；
图2示出了本发明所述的基板托盘；
图3为分解透视图，示出了如图2所示的基板托盘的支撑框架；
图4到图6示出了带中突出部的多种实施例；
图7示出了带的另一个实施例；
图8到图11示出了张力维持单元与连接部的多种实施例；
图12示出了张力维持单元的操作过程；
图13示出了安装单元与固定部的一个实施例；
图14为剖视图，示出了图13中的安装单元；
图15示出了安装单元与固定部的另外一个实施例；
图16为剖视图，示出了图15中的第二安装单元；以及
图17和图18示出了本发明所述的基板处理设备。
具体实施方式
将参考本发明的典型实施例进行详细描述，这些实施例在附图中被示出。在任何可能的情况下，所有附图中相同或相似的部分使用相同的附图标记。
本发明所述的基板托盘1起到的作用是用于支撑待处理的多个基板(S)并将它们装载到基板处理设备内部。这里，可以对基板(S)进行基板处理，例如，沉积工艺、刻蚀工艺、清洗工艺等。
参照图2，本发明所述的基板托盘1可以包括：多个带3，用于支撑在第一轴方向(X坐标轴方向)布置的多个基板(S)；以及支撑框架2，该支撑框架2与在第二轴方向(Y坐标轴方向，垂直于第一轴方向)的多个带3结合。关于第二轴方向(Y坐标轴方向)，每个带3的长度相对地大于基板(S)的长度。
带3支撑多个基板(S)。带3支撑在第一轴方向(X坐标轴方向)布置的多个基板(S)。也就是说，多个基板(S)布置在带3上的第一轴方向(X坐标轴方向)，并被带3支撑。
每个带3以宽度较短的带状形成。在每个带3中，第一轴方向(X坐标轴方向)的长度大于第二轴方向(Y坐标轴方向)的长度。
关于第二轴方向(Y坐标轴方向)，每个带3的长度大于基板(S)的长度。在第二轴方向(Y坐标轴方向)，与基板(S)的长度相比，多个带3的长度更大。也就是说，多个带3的宽度大于基板(S)的宽度。相应地，基板(S)的整个背面处于与多个带3接触的状态。也就是说，基板(S)的背面没有不与多个带3接触的区域。
支撑框架2可以与多个带3结合。当沿着第二轴方向(Y坐标轴方向)布置多个带3时，多个带3与支撑框架2结合。支撑框架2以具有开口的矩形框架形状形成。在支撑框架2的开口内布置多个带3。最终，支撑框架2支撑多个带3，并同时形成基板托盘1的外边缘。
本发明所述的基板托盘1可以具有以下效果。
第一，为了增大本发明所述的基板托盘1的尺寸，增加带3的数量，而不是增大每个带3的尺寸。为了得到本发明所述的基板托盘1的增大的尺寸，增加带3的数量，而不用额外制造大尺寸的带3。也就是说，在第二轴方向(Y坐标轴方向)额外地布置带3以增大基板托盘1的整体尺寸。相应地，这促进增大本发明所述的基板托盘1的尺寸。本发明所述的大尺寸基板托盘1能够实现用于增加数量的基板(S)的基板处理，而且提高基板(S)的产量。
第二，尽管增加带3的数量以增大本发明所述的基板托盘的尺寸，但每个带3的尺寸保持相等，所以每个带3的重量没有增加。因此，能够做到防止每个带3由于自身重量引起的下沉，从而避免拾取失败和工艺的不一致性等缺陷，而且提高基板(S)的产量。
第三，基板(S)的背面处于与所有带3全面接触的状态，使得能够做到防止反应原料渗透入带3之间的间隙，并防止与基板(S)的背面发生反应。也就是说，能够做到防止反应原料与除了待工艺处理的基板的预定部分之外的其他部分反应。相应地，通过防止与除了待工艺处理的基板的预定部分之外的其他部分反应，能够做到极大降低反应原料的消耗，进而改善关于基板(S)的工艺效率。
第四，基板(S)的背面与所有的带3保持全面接触的状态，使得能够做到在整个基板(S)上恒定地维持热导系数。也就是说，工艺中恒定地维持传递到基板(S)的热量使得即使工艺结束之后也能防止基板(S)褪色，从而改善基板(S)质量。
在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例所述的支撑框架2和多个带3。
参照图2和图3，支撑框架2以具有开口的矩形框架形状形成，从而支撑多个带3。为了达到这个目的，支撑框架2可以包括第一到第四框架构件21、22、23和24。
第一框架构件21和第二框架构件22平行排列，并在它们之间以相互间的预定间隔布置多个带3。由于通过使用托盘转移装置(未示出)在基板处理设备中转移第一框架构件21和第二框架构件22，第一框架构件21和第二框架构件22都是由金属材料形成，以防止因与托盘转移装置(即托盘传送辊)接触而发生的磨损。例如，第一框架构件21和第二框架构件22都可以由铝材料或包括铝材料的金属材料形成。
第三框架构件23和第四框架构件24与第一框架构件21和第二框架构件22的两末端结合。相应地，通过第一和第二框架构件21、22与第三和第四框架构件23、24的相互结合，以矩形框架的形状形成支撑框架2。第三框架构件23和第四框架构件24可以由陶瓷材料或包括陶瓷材料的非金属材料形成。
如图3的“C”部分所示，第三框架构件23的两端分别插入在每个第一框架构件21和第二框架构件22的一端的拐角处预备的第一凹槽211a，并通过使用固定件231与第一凹槽211a结合。在这种情况下，固定件231可以是具有盘状头的螺钉或螺栓。
如图3的“D”部分所示，第四框架构件24的两端分别插入在每个第一框架构件21和第二框架构件22的另一端的拐角处预备的第二凹槽211b，并通过使用固定件231与第二凹槽211b结合。在这种情况下，固定件231可以是具有盘状头的螺钉或螺栓。
参照图2，在支撑框架2中以固定间隔设置多个带3，从而支撑多个基板(S)。沿着第二轴方向(Y坐标轴方向)以固定间隔布置多个带3。多个带3分别支撑多个基板(S)。以具有预定宽度和长度的带状形成多个带3，并与第三和第四框架构件23、24结合。在附图中，有四个带3，但不限于四个。也就是说，带3的数量可以多于或少于四个。
以固定间隔设置多个带3，并沿着第二轴方向(Y坐标轴方向)布置多个带3。当实施基板(S)的基板处理时，多个带3会被加热从而在第二轴方向(Y坐标轴方向)膨胀。因此，沿着第二轴方向(Y坐标轴方向)以固定间隔设置多个带3。
多个带3由具有低热膨胀系数和高热导率的金属材料形成。例如，多个带3可以由铝材料、基于Inconel的合金材料、哈氏合金(Hastelloy)材料、基于哈氏合金的合金材料以及金属材料(如涂有铝的哈氏合金材料)中的任何一种形成。
多个带3的每一个都支撑多个基板(S)。在每个带3中设置多个基板，并沿着第一轴方向(X坐标轴方向)布置。在附图中，通过每个带3支撑四个基板(S)，但不限于四个。每个带3支撑的基板(S)的数量可以多于或少于四个。
如果多个带3支撑的基板(S)以规则的四边形形状形成，基板(S)的宽度或长度小于带3的第二轴方向(Y坐标轴方向)的长度。也就是说，带3的第二轴方向(Y坐标轴方向)的长度对应于带3的宽度，从而带3的宽度大于基板(S)的宽度或长度。
如果多个带3支撑的基板(S)以矩形形状形成，基板(S)具有长边和短边。首先，如果基板(S)的长边设置为平行于第一轴方向(X坐标轴方向)，基板(S)的短边设置为平行于第二轴方向(Y坐标轴方向)，带3的宽度大于基板(S)的短边。其次，如果基板(S)的短边设置为平行于第一轴方向(X坐标轴方向)，基板(S)的长边设置为平行于第二轴方向(Y坐标轴方向)，带3的宽度大于基板(S)的长边。最后，不管是基板(S)的短边或长边，相对于第二轴方向(Y坐标轴方向)每个带3的长度大于多个带3支撑的基板(S)的长度。
当形成每个带3的长度时，基板(S)的整个背面与带3接触。
参照图2和图4，每个带3可以包括用于支撑多个基板(S)的支撑表面31。也就是说，可以通过各个带3的支撑表面31支撑多个基板(S)。在各个带3的支撑表面31上沿第一轴方向(X坐标轴方向)布置多个基板(S)。
支撑表面31的区域，也就是布置每个基板(S)的区域，定义为支撑区(SA)。可以对应于基板(S)的形状形成支撑区(SA)。如附图所示，支撑表面31支撑的所有基板(S)都具有规则的四边形形状，借此支撑区(SA)具有对应于基板(S)的规则四边形形状。
多个带3可以包括多个突出部32。多个突出部32能够将在支撑表面31上支撑的多个基板(S)定位在各个支撑区(SA)上。
多个突出部32从支撑表面31向上突出。也就是说，通过向上突出的支撑表面31形成突出部32。突出部32形成在每个支撑区(SA)的各个边之外。可以沿着支撑区(SA)的每个边设置多个突出部32，或者可以从支撑区(SA)的每个边以预定间距设置多个突出部32。也就是说，如果多个基板(S)由支撑表面31支撑，多个突出部32可以与每个基板(S)的每个边接触，或可以沿每个基板(S)的每个边以预定的间距设置多个突出部32。
突出部32形成在支撑表面31上，并定位在支撑区(SA)的外周上。如果带3支撑多个基板(S)，突出部32引导多个基板以便在各自的支撑区(SA)安置多个基板(S)。此外，当基板托盘1被装载到基板处理设备时，突出部32防止多个基板(S)从各自的支撑区(SA)上脱离。如果任何一个基板(S)从支撑区(SA)上脱离，会很难完整地实施关于多个基板(S)的反应，从而降低基板(S)的工艺效率。另外，当基板托盘1从基板处理设备100上卸下时，突出部32a防止多个基板(S)从带3上脱离，也就是说，防止多个已固定的基板(S)从带3上脱离和损坏。
可以通过冲孔形成多个突出部32，其中从每个带3中的支撑表面31上突出的每个突出部32可以具有∩形横截面。通过冲孔形成的突出部32被称为第一突出部32a。可以在支撑区(SA)的所有四个边里形成第一突出部32a。如附图所示，在第一轴方向(X坐标轴方向)上的两个面对的边上的每个边上可以形成第一突出部32a中的一个，从而可以在第一轴方向(X坐标轴方向)的两个面对的边上完全地形成第一突出部32中的两个。另外，在第二轴方向(Y坐标轴方向)的两个面对的边上的每个边上可以形成第一突出部32a中的两个，从而可以在第二轴方向(Y坐标轴方向)的两个面对的边上完全地形成第一突出部32中的四个。然而，第一突出部32a的数量可以大于或小于上述数量。
参照图5，提供另一个实例所示的多个突出部32。如果通过冲孔在多个带3中在第二轴方向(Y坐标轴方向)的两个面对的边上形成突出部32，会产生以下问题。如果通过冲孔形成突出部32，由于支撑区(SA)的边与带3的边之间的狭小空间，支撑区(SA)的内部会倾斜。因此，支撑区(SA)支撑的多个基板(S)未与带3的支撑表面接触，借此基板(S)与支撑表面31之间会产生间隙。在这种情况下，反应材料会渗透入间隙，然后与基板(S)的背面反应，从而降低基板(S)的工艺效率。
在将多个带3中的第二轴方向(Y坐标轴方向)的两个面对的边上的一些部分切开之后，将切出的部分向上弯曲从而形成突出部32，被称为第二突出部32b。在这种情况下，带3的一部分被切开并向上弯曲从而第二突出部32b从支撑表面31突起。在这种情况下，即使形成第二突出部32b，也能够防止支撑区(SA)倾斜。另外，即使在支撑区(SA)的边与带3的边之间存在狭小空间，也可以通过调整带3的切开程度来容易地形成第二突出部32b。
即使在第二轴方向(Y坐标轴方向)的两个面对的边上形成第二突出部32b时，通过冲孔在支撑区(SA)的第一轴方向(X坐标轴方向)的两个相对的边上形成第一突出部32a。这是因为通过执行切割工艺在第一轴方向(X坐标轴方向)的两个相对的边上形成突出部32是困难的。
在本文中，在第二轴方向(Y坐标轴方向)的两个面对的边的每个边上形成第二突出部32b中的一个，在第一轴方向(X坐标轴方向)的两个面对的边的每个边上形成第一突出部32a中的一个。然而，每个边的第一突出部32a或第二突出部32b的数量可以多于一个。
参照图6，示出另一个实例的多个突出部32。
根据本发明的实施例，通过冲孔在支撑区(SA)的第一轴方向(X坐标轴方向)的两个面对的边上形成第一突出部32a。然而，也可以沿第二轴方向(Y坐标轴方向)的两个面对的边上省去突出部32a或32b。
当基板托盘1装载到基板处理设备100中时，或从基板处理设备100卸下时，基板托盘1沿着第一轴方向(X坐标轴方向)移动。也就是说，随着基板托盘1移动，由多个带3支撑的多个基板(S)在第一轴方向(X坐标轴方向)移动，因而很大可能地从支撑区(SA)脱离。因此，在支撑区(SA)的第一轴方向(X坐标轴方向)的两个面对的边上邻近处形成第一突出部32a。借此，能够做到当多个基板(S)被引导时实现第一突出部32a的功能。
参照图7，每个带3可以包括中间穿透的传热部33。传热部33能够容易地将热量传递到由多个带3支撑的多个基板(S)。也就是说，通过部分地打开带3的支撑表面31来形成传热部33。
传热部33的尺寸小于每个基板(S)的尺寸。因此，即使在基板工艺中反应原料渗透入两个邻近的带3之间的间隙时，也能够做到极大地减少反应材料与基板背面的接触。
传热部33能够直接地将热量传递到多个基板(S)，从而改善基板(S)的工艺效率。
另外，传热部33极大地减少带3与基板(S)之间的接触，并极大地增加基板背面的暴露。也就是说，以小于基板(S)尺寸的预定尺寸形成传热部33，其中传热部33的预定尺寸确定为在能够支撑基板(S)的范围内的最大尺寸。优选地，传热部33的尺寸确定为这样一个范围，即能够支撑除了待工艺处理的基板(S)对应部分以外的其他部分，并且能够暴露待工艺处理的基板(S)的对应部分。在这种情况下，待工艺处理的基板(S)对应部分不与带3接触，从而防止基板(S)褪色。
传热部33将热量传递到基板(S)，而且防止在基板工艺中反应材料与基板(S)之间的副产物残留在带3上。基板(S)与反应原料反应完成之后，会产生副产物(如粉末)。如果残留有副产物的带3支撑另一基板，副产物会影响该另一基板。也就是说，如果在带3与基板(S)之间有副产物残留，热量不会传递到基板(S)，从而会降低基板(S)的工艺效率。然而，由于穿透带3的传热部33的存在，能够做到防止副产物残留在带3上，从而克服以上问题。
参照图2和图8，本发明所述基板托盘1可以包括多个张力维持单元4，用于在每个带3中维持张力。张力维持单元4与每个带3连接，从而在每个带3中维持张力。张力维持单元4在每个带3中维持张力，防止每个带3由于自身重量和每个带3支撑的多个基板(S)的重量而下沉。
张力维持单元4设置在支撑框架2的外部，恒定地维持在每个带3中的张力。张力维持单元4可以在支撑框架2外部与每个带3的末端连接。
每个带3可以包括与张力维持单元4连接的连接部34。连接部34可以是每个带3的末端。也就是说，连接部34的宽度可以与支撑表面31的宽度相同。也就是说，在第二轴方向(Y坐标轴方向)的支撑表面31的长度与在第二轴方向(Y坐标轴方向)的连接部34的长度相等。
考虑到张力维持单元4的尺寸，如果支撑表面31的宽度与连接部34的宽度相等，相邻的两个带3之间的间距变大了。如果相邻两个带3之间的间距变大，相同尺寸的基板托盘1内设置的带3的数量降低，所以带3支撑的基板(S)的数量也降低。也就是说，由于要由一个工艺处理的基板(S)的数量降低，所以基板(S)的产量也降低。
因此，优选地连接部34的宽度小于支撑表面31的宽度。也就是说，在支撑表面31与连接部34之间存在宽度差别。
如果在每个带3中设置一个张力维持单元4，一个张力维持单元4不足以稳定地维持在每个带3中的张力。因此，每个带3可以包括从每个带3分叉的多个连接部34。多个连接部34从每个带3的末端沿第一轴方向(X坐标轴方向)延伸。每个连接部34与张力维持单元4连接。
多个连接部34从每个带3分叉，其中每个连接部34的宽度小于带3的宽度。考虑到张力维持单元4的宽度，多个连接部34安置为与支撑表面31的中心邻近而不是与支撑表面31的第二轴方向(Y坐标轴方向)的两个面对的边邻近。也就是说，多个连接部34被安置为，在第二轴方向(Y坐标轴方向)的外侧与支撑表面31的外侧设置一距离差。
参照图2和图8，张力维持单元4可以包括：滑动支架41，该滑动支架41与连接部34连接；以及弹性件42，该弹性件设置在滑动支架41与支撑框架2之间。张力维持单元4可以包括导销43，该导销43用于引导滑动支架41的运动，并同时维持弹性件42的位置。张力维持单元4可以包括与滑动支架41连接的固定块44，以便将连接部34与滑动支架41相互连接。
另外，一个张力维持单元4可以包括多个导销43。导销43可以布置为与连接部34邻近。导销43可以设置在支撑框架2的外侧。导销43设置在支撑框架2的第四框架构件24中，并形成在从支撑框架2的中心朝着第一轴方向(X坐标轴方向)的方向上。也就是说，导销43设置在第四框架构件24中与连接部34平行的位置。
滑动支架41与导销43和连接部34连接。滑动支架41布置为与第四框架构件24平行。也就是说，滑动支架41沿着第二轴方向(Y坐标轴方向)延伸。滑动支架41可移动地设置在导销43中。为了达到这个目的，滑动支架41具有将导销43固定地插入的孔洞。滑动支架41包括的孔洞的形状与导销43的形状一致。
通过使用固定块44，滑动支架41与连接部34连接。滑动支架41可以具有将固定块44固定地插入的凹槽。固定块44被插入到滑动支架41的凹槽中，并与滑动支架41连接。连接部34安置在固定块44与滑动支架41之间，并且通过固定块44与滑动支架41之间的连接将连接部34与滑动支架41连接。也就是说，当固定块44与滑动支架41连接时，向连接部34施加压力，借此连接部34与滑动支架41连接。
弹性件42布置在第四框架构件24与滑动支架41之间，从而覆盖导销43。弹性件42的一侧与第四框架构件24接触，弹性件42的另一侧与滑动支架41接触。在弹性件42以预定的力被压缩的情况下，在第四框架构件24与滑动支架41之间布置弹性件42。也就是说，在第一轴方向(X坐标轴方向)第四框架构件24与滑动支架41被彼此推开。最终，压力被施加到滑动支架41(滑动托架41通过弹性件42可移动地设置在导销43中)，从而在第一轴方向(X坐标轴方向)远离第四框架构件24的方向上安置滑动支架41。由于通过弹性件42向滑动支架41施加的压力，与滑动支架41连接的连接部34和包括连接部34的带3被朝着远离第四框架构件24的方向牵拉。
参照图8，本发明所述的第一实施例中的两个连接部34从带3分叉出来。另外，本发明所述的第一实施例的张力维持单元4与每个分叉的连接部34连接。也就是说，两个张力维持单元4与一个带3连接。
每个连接部34被设置有一对导销43和一对弹性件42。另外，滑动支架41与每个连接部34连接。
参照图9，本发明第二实施例中的三个连接部34从带3分叉出来。另外，本发明第二实施例中的张力维持单元4与每个分叉的连接部34连接。也就是说，三个张力维持单元4与一个带3连接。
根据一个带3与三个张力维持单元4连接，能够做到通过三个张力维持单元4稳定地维持带3的张力。
根据本发明的以上第一和第二实施例，连接部34的数量和张力维持单元4的数量可以是两个或三个，但不限于这些数量。也就是说，连接部34的数量和张力维持单元4的数量可以大于上述数量。
参照图10，本发明第三实施例中的两个连接部34从带3分叉出来。本发明第三实施例中的张力维持单元4与共有的两个连接部34连接。也就是说，一个张力维持单元4与一个带3连接。
张力维持单元4可以包括一对弹性件42和一对导销43。
本文中，在两个连接部34之间布置一对弹性件42和一对导销43。滑动支架41与两个连接部34连接。本发明第三实施例中的张力维持单元4可以包括两个固定块44，以便将两个连接部34与滑动支架41连接。
参照图11，本发明第四实施例中的三个连接部34从带3分叉出来。本发明第四实施例中的张力维持单元4与共有的三个连接部34连接。也就是说，一个带3与一个张力维持单元4连接。
张力维持单元4可以包括两对弹性件42和两对导销43。在相邻的两连接件34之间设置一对弹性件42与一对导销43，从而提供两对弹性件42和两对导销43。
滑动支架41与三个连接部34连接。另外，设置与连接部34的数量相对应的三个固定块44。
在下文中，将和附图一起详细描述张力维持单元4的操作过程。
参照图12，张力维持单元4的弹性件42通过使用弹力推动滑动支架41和固定到滑动支架41的连接部34和带3，使得推动滑动支架41和带3远离第四框架构件24。
如图12中的上图所示，尽管弹性件42推动连接部34和带3，由于材料属性，带3仍保持其原始长度。
然而，如果带3支撑多个基板(S)，并通过基板(S)工艺的热量加热带3，带3的长度会增加。假设没有张力维持单元4，如果将带3的两端都固定到支撑框架2上，由于重力，带3的中心会下沉。然而，张力维持单元4朝远离第四框架构件24的方向牵引连接部34和带3。因此，尽管带3长度增加，弹性件42仍能恢复到其原始形状，借此通过长度增加的带3朝远离第四框架构件42的方向推动连接部34和带3。于是，带3保持拉紧状态而不下沉。如图12中的下图所示，箭头表示带3增加的长度。
当基板(S)的工艺完成之后不再加热带3，并且多个基板(S)从带3移走时，带3恢复到其原始长度。在这种情况下，由于带3的回复力大于弹性件42的弹力，如图12中的上图所示，弹性件42恢复到压缩状态。
参照图13，本发明所述的基板托盘1可以包括至少一个安装单元5，该安装单元5用于在支撑框架2上安装多个带3。在所有的带3中，在连接有张力维持单元4的一侧的相对侧连接安装单元5。
多个带3可以包括固定部35，该固定部35形成在连接部34的与支撑表面31相对的一侧上。也就是说，连接部34在每个带3的一端形成，固定部35在每个带3的另一端形成。
固定部35可以通过每个带3的末端分叉形成。因此，固定部35的宽度小于支撑表面31的宽度。也就是说，相对于第二轴方向(Y坐标轴方向)，固定部35的长度小于支撑表面31的长度。然而，固定部35的宽度可以与支撑表面31的宽度相同。由于通过安装单元5固定带3的末端，所以简单描述通过带3末端分叉形成的固定部35。
每个带3的末端分叉成两个固定部35，两个固定部35的每一个都与安装单元5连接。
随着在第三框架构件23与安装单元5之间布置固定部35，以及支撑框架2的第三框架构件23与安装单元5连接，在支撑框架2上安装固定部35。第三框架构件23可以设置为带有用于安装单元5的凹槽。
张力维持单元4牵引每个带3的一端，通过使用安装单元5固定每个带3的另一端，借此能够做到维持多个带3中的张力。
参照图13和图14，安装单元5可以包括用于接收固定部35的接收部51。包括接收部51的安装单元5被称为第一安装单元5a。接收部51比固定部35更大。也就是说，接收部51的尺寸被确定为这样一个范围，即能够接收在基板(S)工艺期间加热后和膨胀后的固定部35。也就是说，接收部51是其中能够接收固定部35的预定空间。
第三框架构件23设置为带有用于第一安装单元5a的凹槽。将第一安装单元5a插入该凹槽中，然后与第三框架构件23连接。在第三框架构件23与第一安装单元5a之间布置固定部35。当第三框架构件23与第一安装单元5a通过使用固定件53彼此连接时，固定部35连接并固定至第三框架构件23和第一安装单元5a。
第一安装单元5a与第三框架构件23之间形成的空间为接收部51，用于接收固定部35。接收部51比带3要大。
参照图15，本发明所述的基板托盘1可以包括多个安装单元5，多个安装单元5用于在支撑框架2上安装多个带3。安装单元5与带3的固定部35连接。
带3分叉成三个固定部35。
在多个固定部35之中，通过上述第一安装单元5a来安装与带3边缘邻近的两个固定部35。将省略对于第一安装单元5a的详细描述。
同时，在多个固定部35之中的中心安置的固定部35通过第二安装单元5b连接，其中，第二安装单元5b与第一安装单元5a不同。也就是说，第二安装单元5b与在带3的第二轴方向(Y坐标轴方向)的中央部分连接。
对于张力维持单元4，安装有第二安装单元5b的部分准确地固定带3，从而维持带3的张力。也就是说，张力维持单元4牵引带3的一端，第二安装单元5b固定带3的另一端，从而维持带3的张力。
第二安装单元5b可以包括限制部52，该限制部52用于压迫和固定带3的固定部35。也就是说，限制部52设置为限制固定部35的运动。如果将第二安装单元5b插入并连接至第三框架构件23的凹槽，限制部52压迫固定部35，使得固定部35与第三框架构件23和第二安装单元5b稳定地连接。
在本发明的实施例的以上描述中，有多个第二安装单元5b，但并非必需。可以设置一个或多个第二安装单元5b。
根据本发明，可以省略第一安装单元5a，并通过使用第二安装单元5b来固定固定部35。
参照图3，本发明所述的基板托盘1可以包括用于升降基板托盘1的多个突出件6。多个突出件6可以在第一框架构件21与第二框架构件22中形成。
每个第一框架构件21和第二框架构件22可以设置有连接凹槽25，以供突出件6固定地插入。连接凹槽25可以通过移除第一框架构件21和第二框架构件22的上表面的一部分来形成。
将突出件6插入连接凹槽25中，并与第一框架构件21与第二框架构件22连接。突出件6朝着相对于第二轴方向(Y坐标轴方向)的基板托盘1的中心突出。突出件6与第一框架构件21和第二框架构件22连接。突出件6插入连接凹槽25中，并通过使用额外设置的固定件62与连接凹槽25连接。
在附图中，设置在第一框架构件21中的突出件6与连接件25的数量是两个，设置在第二框架构件22中的突出件6与连接件25的数量是两个，从而设置四个。然而，突出件6与连接件25的数量可以大于或小于上述数量。
在下文中，将参考附图描述本发明的实施例所述的基板处理设备。
参照图17和图18，本发明所述的基板处理设备100可以包括处理室110和承托器120。另外，本发明所述的基板处理设备100可以进一步包括室盖130、托盘转移装置140及气体分配装置160。
处理室110为基板工艺提供处理空间，例如，薄膜沉积工艺、蚀刻工艺、清洗工艺等等。处理室110可以包括：闸门阀(未示出)，该闸门阀设置为将基板托盘1装载到该处理空间中或将基板托盘1从该处理空间卸下；以及排气管150，该排气管150用于从该处理空间排出废气和副产品。
室盖130设置在处理室110上，也就是说，室盖130覆盖处理室110，从而支撑气体分配装置160。在处理室110的上侧与室盖130之间具有绝缘体131，从而将室盖130与处理室110彼此电绝缘。
通过穿透处理室110底面的升降轴123来支撑承托器120。在这种情况下，升降轴123被波纹管124包围。随着升降轴驱动装置(未示出)的驱动，由托盘转移装置140支撑的基板托盘1升高至处理位置，如图17所示，或者，随着安置在处理位置的基板托盘1向下移动至托盘装载/卸下位置，将基板托盘1放置到托盘转移装置140的托盘传送辊141上，如图18所示。
如果承托器120随着升降轴驱动装置的驱动而向下移动，通过设置在基板托盘1中的多个突出件6，承托器120带动基板托盘1向上移动。在这种情况下，基板托盘1的每个带3放置在承托器120的上表面。
承托器120加热已装载到基板托盘1的基板(S)至适于基板处理的温度。为了达到这个目的，承托器120可以进一步包括设置在其中的加热装置121。
加热装置121加热承托器120至预定温度，借此加热已装载到基板托盘1的多个基板(S)至适于基板处理的温度。加热装置121可以包括电阻加热器、热丝加热器(hot wireheater)或灯加热器。相应地，通过承托器120的温度将对齐装载到基板托盘1的多个基板(S)加热至适于基板处理的温度。
托盘转移装置140设置为与处理室110的闸门阀邻近，从而将基板托盘1装载到处理空间或将基板托盘1从处理空间卸下。为了达到这个目的，托盘转移装置140可以包括用于支撑基板托盘1和转移基板托盘1的多个传动辊(未示出)。另外，根据本发明另一个实施例所述的托盘供应装置可以包括用于支撑和转移基板托盘1的传送带(未示出)，以及用于使传送带(未示出)旋转的多个传动辊(未示出)。
托盘转移装置140可以包括多个托盘传送辊141，多个托盘传送辊141设置在对应于处理室110中预备的闸门阀的处理室110的两个侧壁上。
在托盘供应装置的驱动之下，每个托盘传送辊141支撑已通过闸门阀装载到处理空间的基板托盘，并且当基板处理完成后，每个托盘传送辊141在辊驱动装置(未示出)的驱动之下，将支撑的基板托盘1装载到托盘供应装置、另一个处理室或负载锁定室。
面对承托器120的气体分配装置160设置于室盖130下方，与穿透室盖130的气体供应管161连接。气体分配装置160将从外部气体供应装置(未示出)供应的气体(例如，工艺气体、清洁气体或用于沉积的源气体)散布到承托器120上。为了达到这个目的，气体分配装置160可以包括：气体扩散空间(未示出)，该气体扩散空间用于扩散从气体供应管161供应的气体；以及多个气体分配孔洞(未示出)，多个气体分配孔洞与气体扩散空间连通，以便均匀地将气体散布到承托器120的整个区域。
同时，如果基板处理设备通过使用在处理空间形成的等离子体进行基板处理，气体分配装置160可以与在外部设置的等离子体电源供应装置(未示出)电连接，或者通过气体供应管161与该等离子体电源供应装置电连接。在这种情况下，气体分配装置160充当等离子体电极。
本发明所述的基板处理设备可以进一步包括覆盖框架170，该覆盖框架170设置在处理室110的内侧壁上，以便覆盖基板托盘1的上边缘。
覆盖框架170覆盖被提升至处理位置的基板托盘1的上边缘，从而防止用于基板处理的基板托盘1内产生集碳。覆盖框架170可以由绝缘材料形成，例如，陶瓷材料或包括陶瓷材料的非金属材料。
下面将描述本发明所述的利用基板处理设备的基板处理方法。
首先，如图17所示，将基板托盘1和被对齐装载到多个带3上的多个基板(S)装载到处理室110的内部，然后放置到托盘转移装置140的托盘传送辊141上。
然后，如图18所示，通过驱动升降轴驱动装置来升高承托器120，借此将被装载到基板托盘1的多个基板(S)安置在处理位置。
在升高承托器120期间或每个基板(S)到达处理位置之后，承托器120内部设置的加热装置121被驱动，以便加热承托器120，借此将被装载到基板托盘1上的多个基板(S)加热到适于基板处理的温度。
在加热基板(S)的过程期间，通过承托器120的温度或处理空间的温度可以使基板托盘1的所有带3膨胀，借此可以增加每个带3的长度。因此，在弹性件42的弹力之下，滑动支架41可以朝远离第三框架构件23的方向滑动，借此可以朝远离第三框架构件23的方向牵引连接部34。相应地，在弹性件42的弹力之下，通过滑动支架133的滑动来恒定地维持每个带3中的张力，使得能够做到防止由于带3的热膨胀引起的每个带3下沉，从而防止产生工艺缺陷。
然后，当将多个基板(S)安置在处理位置时，通过气体分配装置160将气体分配到每个基板(S)，从而进行基板处理。基板处理可以是形成等离子体的工艺，即通过从气体分配装置160供应气体以及供应等离子体电源而在基板(S)与气体分配装置160之间的空间形成等离子体的工艺，但不限于形成等离子体的工艺。基板处理可以是沉积工艺、蚀刻工艺或清洗工艺。
基板处理完成之后，承托器120向下移动，借此将放置在承托器120上的基板托盘1放置到托盘传送辊141上。
然后，在托盘传送辊141的驱动之下，将基板托盘1从处理室110卸下至外部。在这种情况下，从处理室110卸下的基板托盘1的每个带3由于处理室110外部的环境温度而收缩，借此在每个带3中的热收缩和弹性件42的压缩之下，与每个带3连接的滑动支架41朝邻近于第三框架构件23的方向滑动。
对本领域的技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种修改和变型，这一点是显而易见的。因此，本发明覆盖落入附加权利要求和其等同物的范围内的修改和变型。

Claims (16)

1.一种基板托盘，包括：
多个带，用于支撑在第一轴方向上布置的多个基板；以及
支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述带连接，
其中，相对于所述第二轴方向，所述带的每一个的长度大于所述基板的长度，
进一步包括传热部，该传热部穿透所述带以将热量从所述带的下侧传递到在所述带上支撑的所述基板。
2.如权利要求1所述的基板托盘，其中，所述带在所述第二轴方向上以固定间隔设置，并与所述支撑框架连接。
3.如权利要求1所述的基板托盘，其中，所述传热部以预定尺寸形成，该预定尺寸相对地小于所述基板的尺寸，以便稳定地支撑所述带上的所述基板，所述多个传热部以固定间隔设置在所述带中。
4.如权利要求1所述的基板托盘，其中，所述带包括：支撑表面，用于支撑所述基板；以及从所述支撑表面突出的多个突出部，且所述多个突出部与在所述支撑表面上支撑的所述基板的每个边相接触。
5.如权利要求1所述的基板托盘，其中，所述带包括：支撑表面，用于支撑各个所述基板；以及从所述支撑表面突出的多个突出部，且所述多个突出部沿所述支撑表面上支撑的所述基板的每个边以预定间隔设置。
6.如权利要求4或5所述的基板托盘，其中，所述支撑表面与所述突出部形成为一体。
7.如权利要求4或5所述的基板托盘，其中，所述突出部是通过使所述支撑表面弯曲形成的。
8.如权利要求1所述的基板托盘，进一步包括多个张力维持单元，用于维持每个所述带中的张力，
其中，每个所述带包括与所述张力维持单元连接的连接部，并且
其中，每个所述张力维持单元包括与所述连接部连接的滑动支架，以及安置于所述滑动支架与所述支撑框架之间的弹性件。
9.如权利要求8所述的基板托盘，其中，每个所述带包括多个所述连接部，并且每个所述滑动支架与多个所述连接部连接。
10.如权利要求8所述的基板托盘，进一步包括至少一个安装单元，用于在所述支撑框架上安装各个所述带，
其中，每个带包括用于支撑所述基板的支撑表面和与所述安装单元连接的固定部，并且所述连接部与所述固定部设置在相对于所述支撑表面的相对的两侧上。
11.如权利要求1所述的基板托盘，进一步包括至少一个安装单元，用于在所述支撑框架上安装各个所述带，
其中，每个带包括与所述安装单元连接的固定部，并且所述安装单元包括用于接收所述固定部的接收部，其中，所述接收部的尺寸大于所述固定部的尺寸。
12.如权利要求1所述的基板托盘，进一步包括至少一个安装单元，用于在所述支撑框架上安装各个所述带，
其中，每个带包括与所述安装单元连接的固定部，并且所述安装单元包括用于限制所述固定部运动的限制部。
13.一种基板托盘，包括：
多个带，用于支撑在第一轴方向上布置的多个基板；以及
支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接，
其中，相对于所述第二轴方向，所述多个带的每一个的长度等于所述基板的长度，
进一步包括传热部，该传热部穿透所述带以将热量从所述带的下侧传递到在所述带上支撑的所述基板。
14.一种基板处理设备，包括：
处理室，用于提供处理空间；
承托器，所述承托器可移动地设置在所述处理室中；以及
基板托盘，所述基板托盘被装载到所述处理空间并被所述承托器支撑，
其中，所述基板托盘包括：
多个带，用于支撑在第一轴方向上布置的多个基板；以及
支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接，
其中，相对于所述第二轴方向，所述多个带的每一个的长度大于所述基板的长度，
进一步包括传热部，该传热部穿透所述带以将热量从所述带的下侧传递到在所述带上支撑的所述基板。
15.一种基板处理设备，包括：
处理室，用于提供处理空间；
承托器，所述承托器可移动地设置在所述处理室中；以及
基板托盘，所述基板托盘被装载到所述处理空间并被所述承托器支撑，
其中，所述基板托盘包括：
多个带，用于支撑在第一轴方向上布置的多个基板；以及
支撑框架，在垂直于所述第一轴方向的第二轴方向上与所述多个带连接，
其中，相对于所述第二轴方向，所述多个带的每一个的长度等于所述基板的长度，
其中，所述基板托盘还包括在所述支撑框架中的向所述带突出的多个突出件，所述承托器将所述多个突出件上下移动以上下移动所述基板托盘。
16.如权利要求14或15所述的基板处理设备，其中，所述基板托盘还包括传递部，所述传递部穿透所述带以将从所述承托器发出的热量传递到在所述带上支撑的所述基板。
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