TWI600109B - 基板托盤以及包含該基板托盤的基板處理設備 - Google Patents

基板托盤以及包含該基板托盤的基板處理設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI600109B
TWI600109B TW102140356A TW102140356A TWI600109B TW I600109 B TWI600109 B TW I600109B TW 102140356 A TW102140356 A TW 102140356A TW 102140356 A TW102140356 A TW 102140356A TW I600109 B TWI600109 B TW I600109B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
strip
strips
substrate tray
tray
Prior art date
Application number
TW102140356A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201426902A (zh
Inventor
趙晟佑
金鐘寅
朴慈日
李基哲
崔鍾龍
Original Assignee
周星工程有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 周星工程有限公司 filed Critical 周星工程有限公司
Publication of TW201426902A publication Critical patent/TW201426902A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI600109B publication Critical patent/TWI600109B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67333—Trays for chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Description

基板托盤以及包含該基板托盤的基板處理設備
本發明係關於一種用於裝載一基板的基板托盤，以及包含該基板托盤的基板處理設備。
一基板處理裝置配置為執行用於蝕刻一基板一紋理化製程、用於形成一半導體層的製程、以及用於形成一電極的製程。此基板處理設備利用能夠裝載複數個基板的基板托盤執行上述製程。舉例而言，用於執行薄膜沉積過程(例如，電漿沉積過程)的一基板處理裝置可同時在以固定間隔裝載於一基板托盤上的複數個基板上沉積一薄膜材料。
第1圖示意性地表示出一習知技術的基板托盤。
請參考第1圖，習知技術的基板托盤10可包含一支撐框架11以及一支撐板12。支撐框架11形成為一矩形框，並且支撐框架11與支撐板12的邊緣相結合，從而形成基板托盤10的一外邊緣。支撐板12形成為面板狀，並且與支撐框架11相結合。在支撐板12上，具有以固定間隔裝載的複數個基板(S)。
習知技術的基板托盤10具有以下問題。
首先，為了實現大型的基板托盤10，必需增加其上裝載這 些基板(S)的支撐板12的大小。然而，如果一種結構的支撐板12的尺寸增大，則過度地消耗製造支撐板12所用的材料，因此支撐板12的製造成本增加。此外，不可避免地需要增加用於製造支撐板12的設備的一尺寸。在這方面，增加支撐板12的尺寸具有限制。
另外，隨著支撐板12製造為大尺寸，支撐板12的重量也增加。此外，如果裝載於支撐板12上的基板(S)的數目增加，則基板(S)的總重量也增加。當支撐板12的邊緣與支撐框架11相結合時，與支撐框架11相隔開的支撐板12的中心部分可由於支撐板12與基板(S)的重量增加而下垂。因此，基板(S)的未對準可發生在基板處設備的內部，由此引起例如拾取基板(S)失敗及非均勻處理的缺陷。
本發明在於提供一種基板托盤以及包含該基板托盤的基板處理設備，藉以克服由於習知技術之限制及缺陷所產生的一個或多個問題。
本發明的一方面在於提供一種基板托盤以及包含該基板托盤的基板處理設備，以實現一大尺寸且防止由於下垂所產生的缺陷。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明提供的一種基板托盤可包含：複數個帶條， 用於支撐在一第一軸方向上排列的複數個基板；以及一支撐框架，在與第一軸方向相垂直的一第二軸方向上與這些帶條相連接，其中在關於第二軸方向上每一帶條的一長度相比較於基板的一長度更大。
在本發明的另一方面中，提供的一種基板處理設備可包含：一處理腔室，用於提供一處理空間；一基座，可移動地提供於處理腔室中；以及一基板托盤，裝載於處理空間中且透過基座支撐，其中基板托盤包含：複數個帶條，用於支撐在一第一軸方向上排列的複數個基板；以及一支撐框架，在與第一軸方向相垂直的一第二軸方向上與這些帶條相連接，其中在關於第二軸方向上的每一帶條的一長度相比較於基板的一長度更大。
在本發明的再一方面中，提供的一種基板處理設備可包含：一處理腔室，用於提供一處理空間；一基座，可移動地提供於處理腔室中；以及一基板托盤，裝載於處理空間中且透過基座支撐，其中基板托盤包含：複數個帶條，用於支撐在一第一軸方向上排列的複數個基板；以及一支撐框架，在與第一軸方向相垂直的一第二軸方向上與這些帶條相連接，其中在關於第二軸方向上的每一帶條的一長度與基板的一長度相同。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
1‧‧‧基板托盤
2‧‧‧支撐框架
3‧‧‧帶條
4‧‧‧拉緊保持單元
5‧‧‧安裝單元
5a‧‧‧第一安裝單元
5b‧‧‧第二安裝單元
6‧‧‧突出片
10‧‧‧基板托盤
11‧‧‧支撐框架
12‧‧‧支撐板
21‧‧‧第一框架元件
22‧‧‧第二框架元件
23‧‧‧第三框架元件
24‧‧‧第四框架元件
25‧‧‧連接槽
31‧‧‧支撐表面
32‧‧‧突起部
32a‧‧‧第一突起部
32b‧‧‧第二突起部
33‧‧‧傳送部
34‧‧‧連接部
35‧‧‧固定部
41‧‧‧滑動托架
42‧‧‧彈性件
43‧‧‧導向銷
44‧‧‧固定塊
51‧‧‧接收部
52‧‧‧限制部
53‧‧‧緊固件
62‧‧‧緊固件
100‧‧‧基板處理設備
110‧‧‧處理腔室
120‧‧‧基座
121‧‧‧加熱裝置
122‧‧‧波紋管
123‧‧‧提升軸
130‧‧‧腔室蓋
131‧‧‧絕緣體
140‧‧‧托盤傳送裝置
141‧‧‧托盤傳送輥
150‧‧‧排氣管
160‧‧‧氣體分佈裝置
161‧‧‧氣體供給管
170‧‧‧覆蓋框架
211a‧‧‧第一槽
211b‧‧‧第二槽
231‧‧‧緊固件
SA‧‧‧支撐區域
S‧‧‧基板
第1圖示意性地表示出一習知技術的基板托盤。
第2圖為根據本發明的一基板托盤之示意圖。
第3圖為第2圖中所示的基板托盤的一支撐框架的分解透視圖。
第4圖至第6圖表示一帶條中的突起部的不同實施例。
第7圖表示一帶條的另一實施例。
第8圖至第11圖表示拉緊保持單元及連接部的不同實施例。
第12圖表示拉緊保持單元的一作業。
第13圖表示安裝單元及固定部的一個實施例。
第14圖為第13圖的安裝單元的一橫截面圖。
第15圖表示安裝單元及固定部的另一實施例。
第16圖為第15圖的一第二安裝單元的一橫截面圖。以及第17圖及第18圖表示根據本發明的一基板處理設備之示意圖。
現在將詳細參考本發明的示例性實施例，這些實施例的一些實例表示於附圖中。只要有可能，相同的附圖標號將貫穿附圖使用來指代相同或相似的元件。
在下文中，將參照附圖描述根據本發明的一基板托盤。
根據本發明的基板托盤1執行用於支撐及裝載要在一基板處理設備內部處理的複數個基板(S)。這裡，基板(S)可執行一基板處理，例如，沉積處理、蝕刻處理、清洗處理等。
請參考第2圖，根據本發明的基板托盤1包含複數個帶條3，用於支撐在一第一軸方向(X軸方向)上排列的複數個基板(S)，以及 在與第一軸方向(X軸方向)垂直的一第二軸方向(Y軸方向)上與這些帶條3相結合的一支撐框架2。在第二軸方向(Y軸方向)上，每一帶條3的長度相比較於基板(S)的長度相對較大。
帶條3支撐這些個基板(S)。帶條3支撐在第一軸方向(X軸方向)上排列的這些基板(S)。也就是說，複數個基板(S)在第一軸方向(X軸方向)上排列於帶條3上，並且透過帶條3得到支撐。
每一帶條3形成為具有一小寬度的帶狀。在每一帶條3中，第一軸方向(X軸方向)的一長度相比較於第二軸方向(Y軸方向)的一長度更大。
在第二軸方向(Y軸方向)上，每一帶條3的一長度相比較於基板(S)的一長度更大。在第二軸方向(Y軸方向)上，這些帶條3的長度同基板(S)的長度相比較更大。也就是說，帶條3中的一寬度比基板(S)的一寬度更大。因此，基板(S)的整個後表面與帶條3相接觸。即，基板(S)的後表面，沒有不與帶條3相接觸的區域。
支撐框架2可與帶條3相結合。當這些帶條3沿第二軸方向(Y軸方向)排列時，帶條3與支撐框架2相結合。支撐框架2形成為具有一開口的矩形框架形狀。帶條3排列於支撐框架2的開口中。最終，支撐框架2支撐複數個帶條3，並且同時形成基板托盤1的一外邊緣。
根據本發明的基板托盤1可具有以下效果。
首先，為了增加根據本發明的基板托盤1的整體尺寸，帶條3的數量增加而代替每一帶條3的尺寸增加。為了獲得根據本發明的基板托盤1的增加的尺寸，帶條3的數量增加而不另外生產一大尺寸的帶條 3。也就是說，帶條3另外沿第二軸方向(Y軸方向)排列以便增加根據本發明的基板托盤1整體尺寸。因此，有利於增加根據本發明的基板托盤1的大小。根據本發明的大尺寸的基板托盤1能夠執行數量增加的基板(S)的基板處理，並且因此以提高基板(S)的產量。
其次，即使帶條的數量增加以便增加根據本發明的基板托盤1的尺寸，每一帶條3的大小也相同的保持以使得每一帶條3的重量沒有增加。因此，可能防止每一帶條3由於自身重量的下垂，從而防止例如拾取失敗及非均勻性處理的缺陷，並且此外以提高基板(S)的產量。
第三，這些個基板(S)的後表面與所有的帶條3相接觸以使得可能防止一反應材料通過每一帶條3之間的間隙滲透入且與基板(S)的後表面起反應。也就是說，可能防止反應材料與除了由製程處理的基板(S)的一預定部分之外的其他部分起反應。因此，可能最小化反應材料的消耗，並且透過防止反應材料與除了由製程處理的基板(S)的一預定部分之外的其他部分起反應而提高基板(S)的處理效率。
第四，基板(S)的後表面與所有帶條3相接觸，以使得可能恆定地保持整個基板(S)上的熱傳導性。也就是說，傳遞到基板(S)的熱量在處理過程中恆定地保持以使得防止甚至在處理後基板(S)上的變色，由此提高基板(S)的質量。
在下文中，將參考附圖詳明描述根據本發明實施例的支撐框架2及帶條3。
請參考第2圖及第3圖，支撐框架2形成為具有開口的矩形框架，用以由此支撐這些帶條3。為此，支撐框架2可包含第一至第四框 架元件21、22、23以及24。
第一框架元件21與第二框架元件22相平行佈置，並且這兩個框架元件之間提供有彼此以預定間隔設置的複數個帶條3。隨著每一第一框架元件21及第二框架元件22透過利用托盤傳送裝置(圖未示)傳送到基板處理設備內部，第一框架元件21及第二框架元件22分別由防止與托盤傳送裝置，即托盤傳送輥相接觸而產生磨損的一金屬材料形成。舉例而言，第一框架元件21及第二框架元件22分別可由一鋁材料或包含此鋁材料的一金屬材料形成。
第三框架元件23及第四框架元件24與第一框架元件21及第二框架元件22的兩端相結合。因此，支撐框架2透過第一及第二框架元件21及22與第三及第四框架元件23及24的相互組合形成為矩形框架形狀。第三框架元件23與第四框架元件24可由陶瓷材料或具有此陶瓷材料的非金屬材料形成。
如第3圖中的「C」部分所示，第三框架元件23的兩端利用緊固件231分別插入至在每一第一及第二框架元件21及22中一端部的角部準備的一第一槽211a中。此種情況下，緊固件231可為具有盤形頭部的螺釘或螺栓。
如第3圖中的「D」部分所示，第四框架元件24的兩端利用緊固件231分別插入至在每一第一及第二框架元件21及22中另一端部的角部準備的一第二槽211b中。此種情況下，緊固件231可為具有盤形頭部的螺釘或螺栓。
請參考第2圖，複數個帶條3以固定間隔提供於支撐框架2 中，用以由此支撐這些基板(S)。這些個帶條3以固定間隔沿第二軸方向(Y軸方向)排列。帶條3分別支撐基板(S)。帶條3形成為具有一預定寬度及長度的一帶形狀，並且與第三及第四框架元件23及24相結合。在附圖中，具有四個帶條3，但並不限於四個。也就是說，帶條3的數量可相比較於四個更大或更小。
這些帶條3以固定的間隔設置，並且沿第二軸方向(Y軸方向)排列。當執行基板(S)的基板處理時，帶條3受熱且因此在第二軸方向(Y軸方向)上擴展。因此，這些帶條3以固定的間隔沿第二軸方向(Y軸方向)提供。
帶條3由具有低熱膨脹係數及高熱傳導性的一金屬材料形成。舉例而言，帶條3可由鋁材料、基於鎳鉻鐵(Inconel)的合金材料、赫氏合金(Hastelloy)材料、基於赫氏合金(Hastelloy)的合金材料、以及例如塗覆有鋁的赫氏合金(Hastelloy)材料的金屬材料的任何一種形成。
每一帶條3支撐基板(S)。複數個基板(S)提供於每一帶條3中且沿第一軸方向(X軸方向)排列。在圖式中，四個基板(S)由每一帶條3支撐，但並不限於四個。由每一帶條3支撐的基板(S)的數量可相比較於四個更大或更小。
如果由帶條3支撐的基板(S)形成為一正方形狀，則基板(S)的一寬度或長度相比較於帶條3的第二軸方向(Y軸方向)上的一長度較小。也就是說，帶條3的第二軸方向(Y軸方向)的長度對應於帶條3的一寬度，由此帶條3的寬度相比較於基板(S)的寬度或長度更大。
如果由帶條3支撐的基板(S)形成為一矩形形狀，則基板 (S)具有一長側以及一短側。首先，如果基板(S)的長側與第一軸方向(X軸方向)平行，並且基板(S)的短側與第二軸方向(Y軸方向)平行設置時，帶條3的一寬度相比較於基板(S)的短側更大。其次，如果基板(S)的短側設置為與第一軸方向(X軸方向)相平行，並且基板(S)的長側設置為與第二軸方向(Y軸方向)相平行，則帶條3的一寬度相比較於基板(S)的長側更大。最終，不管是基板(S)的短側或長側，在關於第二軸方向(Y軸方向)上，每一帶條3的一長度相比較於由這些帶條3支撐的基板(S)的一長度更大。
如果形成每一帶條3的長度，則基板(S)的整個後表面與帶條3相接觸。
請參考第2圖及第4圖，每一帶條3可包含一支撐表面31，支撐表面31支撐複數個基板(S)。也就是說，基板(S)可透過相應的帶條3的支撐表面31得到支撐。這些基板(S)沿著相應帶條3的支撐表面31上的第一軸方向(X軸方向)排列。
其上佈置每一基板(S)的支撐表面31的一區域定義為一支撐區域(SA)。支撐區域(SA)可形成為與基板(S)的形狀相對應的一形狀。如圖式中所示，由支撐表面31支撐的每一基板(S)具有正方形的形狀，由此，支撐區域(SA)具有與基板(S)的形狀相對應的正方形形狀。
帶條3可包含複數個突起部32。這些突起部32能夠使得在支撐表面31上支撐的基板(S)定位於各支撐區域(SA)上。
這些突起部32從支撐表面31向上突出。也就是說，突起32由向上突出的支撐表面31形成。突起部32形成於每一支撐區域(SA) 的每一側的外部。突起部32可沿支撐區域(SA)的每一側提供，或者可在相距支撐區域(SA)的每一側的一預定間隔提供。也就是說，如果複數個基板(S)由支撐表面31支撐，則複數個突起部32可與每一基板(S)的每一側相接觸，或者可在相距每一基板(S)的每一側的一預定間隔提供。
突起部32形成於支撐表面31上，並且定位於支撐區域(SA)的周圍。如果這些基板(S)由帶條3支撐，則突起部32導向基板(S)以使得基板(S)定位於相應的支撐區域(SA)中。此外，當基板托盤裝載於基板處理設備100中時，突起部32防止這些基板(S)從各自的支撐區域(SA)分離。如果任何一個基板(S)從支撐區域(SA)分離，則難以完全執行對這些個基板(S)的反應，由此降低基板(S)的處理效率。此外，當基板托盤1從基板處理設備100卸載時，突起部32a防止基板(S)從帶條3分離，也就是說，防止這些固定的基板(S)從帶條3脫離出且防止受到損傷。
突起部32可透過沖壓形成，其中，從每一帶條3中的支撐表面31突出的每一突起部32可具有∩形的橫截面。透過沖壓形成的突起部32稱為第一突起部32a。複數個第一突起部32a可形成於支撐區域(SA)的所有四個側面。如圖式中所示，一個第一突起部32a可形成於第一軸方向(X軸方向)上兩個相面對側面的每一個側面中，由此總共兩個第一突起部32a可形成於第一軸方向(X軸方向)的兩個相面對的側面。另外，兩個第一突起部32a可形成於在第二軸方向(Y軸方向)上的兩個相面對的側面的每一側面中，由此總共四個第一突起部32a可形成於第二軸方向(Y軸方向)的兩個相面對的側面。然而，第一突起部32a的數量可相比較於上述數目更大或更小。
請參考第5圖，提供了表示突起部32的另一個實例。如果透過沖壓在複數個帶條3中第二軸方向(Y軸方向)的兩個相面對側面中形成突起部32，則可能出現以下問題。如果突起部32透過沖壓形成，則支撐區域(SA)的內部可由於支撐區域(SA)的側面與帶條3的側面之間的狹小的空間而傾斜。因此，由支撐區域(SA)支撐的這些基板(S)不與帶條3的支撐表面31相接觸，由此間隙可出現於基板(S)與支撐表面31之間。此種情況下，反應材料可通過此間隙滲透，並且然後與基板(S)的後表面反應，從而降低基板(S)的處理效率。
在切割帶條3中的第二軸方向(Y軸方向)的兩個相面對側面的一些部分之後，切割的部分向上彎曲以使得形成突起部32，稱為第二突起部32b。此種情況下，帶條3的一些部分被切割且向上彎曲，以使得第二突起部32b從支撐表面31突起。此種情況下，即使形成第二突起部32b，也可能防止支撐區域(SA)的傾斜。另外，即使支撐區域(SA)的側面與帶條3的側面之間具有一狹小空間，第二突起部32b也容易透過調節帶條3的切割形成。
即使當在第二軸方向(Y軸方向)的兩個相面對側面中形成第二突起部32b，第一突起部32a也可透過沖壓在支撐區域(SA)的第一軸方向(X軸方向)的兩個相面對側面中形成。這是因為難以執行在第一軸方向(X軸方向)的兩個相面對側面中形成突起部32的切割過程。
這裡，一個第二突起部32b形成於第二軸方向(Y軸方向)的兩個相面對側面的每一個側面中，並且一個第一突起部32a形成於第一軸方向(X軸方向)的兩個相面對側面的每一個側面中。然而，每一側面的 第一突起部32a或第二突起部32b的數量可多於一個。
請參考第6圖，表示出複數個突起部32的另一實例。
根據本發明的本實施例，第一突起部32a透過沖壓形成於支撐區域(SA)的第一軸方向(X軸方向)的兩個相面對側面。然而，可能從第二軸方向(Y軸方向)的兩個相面對側面省去第一或第二突起部32a或32b。
當基板托盤1裝載於基板處理設備100中，或從基板處理設備100中卸載時，基板托盤1移動沿第一軸方向(X軸方向)移動。也就是說，透過帶條3支撐的基板(S)根據基板托盤1的移動在第一軸方向(X軸方向)上移動，由此存在從支撐區域(SA)脫離的高可能性。因此，第一突起部32a形成為相鄰於支撐區域(SA)的第一軸方向(X軸方向)的兩個相面對側面，由此當導引複數個基板(S)時可能獲得第一突起部32a的目標。
請參考第7圖，每一帶條3可包含貫通的一傳送部33。傳送部33能夠容易使得熱傳送到透過這些帶條3支撐的複數個基板(S)。傳送部33穿透帶條3。也就是說，傳送部33由部分打開的帶條3的支撐表面31。
傳送部33的尺寸相比較於每一基板(S)的尺寸更小。因此，即使在處理基板期間反應材料通過兩個相鄰的帶條3之間的間隙滲透，也可能最小化反應材料與基板(S)的後表面之間的接觸。
傳送部33能夠使得熱直接傳送至基板(S)，由此提高基板(S)的處理效率。
此外，傳送部33最小化帶條3與基板(S)之間的一接觸，以及最大化基板(S)的後表面上的暴露。也就是說，傳送部33形成為相比較於基板(S)的尺寸更小的一預定尺寸，其中傳送部33的此預定尺寸在能夠支撐基板(S)的一範圍內確定為最大的尺寸。較佳地，傳送部33的尺寸在能夠支持除在製程中處理的基板(S)之相應部分之外的其他部分，並且暴露在製程中待處理的基板(S)的對應部分的範圍內確定。此種情況下，在製程中待處理的基板(S)的相應部分不與帶條3相接觸，由此防止基板(S)的變色。
傳送部33將熱傳送到基板(S)，以及此外防止在基板(S)處理期間的反應材料與基板(S)之間的副產物殘留在帶條3上。在基板(S)與反應材料之間的反應完成之後，可產生例如粉末的副產物。如果其他基板(S)由其上保留著副產物的帶條3支撐，則這些其他基板(S)可受到副產物的影響。也就是說，如果副產物保留於帶條3與基板(S)之間，則熱不能夠傳送到基板(S)，從而降低基板(S)的處理效率。然而，由於穿透帶條3的傳送部33，可能防止副產物保留於帶條3上，用以由此克服上述的問題。
請參考第2圖及第8圖，根據本發明的基板托盤1可包含複數個拉緊保持單元4用於保持每一帶條3中的拉緊。拉緊保持單元4連接至每一帶條3，用以由此維持每一帶條3中的拉緊。拉緊保持單元4保持每一帶條3中的拉緊，並且防止每一帶條3由於自身重量與透過每一帶條3支撐的複數個基板(S)的重量而下垂。
提供於支撐框架2的外部的拉緊保持單元4始終保持每一 帶條3中的拉緊。拉緊保持單元4可在支撐框架2的外部與每一帶條3的一端相連接。
每一帶條3可包含與拉緊保持單元4相連接的一連接部34。連接部34可為每一帶條3的端部。也就是說，連接部34的一寬度可與支撐表面31的一寬度相同。即，在第二軸方向(Y軸方向)上支撐表面31的一長度可與第二軸方向(Y軸方向)上連接部34的一長度相同。
考慮拉緊保持單元4的一尺寸，如果支撐表面31的一寬度與連接部34的一寬度相同，則相鄰的兩個帶條3之間的一間隔變得更大。如果相鄰的兩個帶條3之間的間隔變得更大，則在相同尺寸的基板托盤1內部提供的帶條3的數量減少，以使得透過帶條3支撐的基板(S)的數目也下降。也就是說，在一個支撐中處理的基板(S)的數量減少，以使得基板(S)的產量降低。
因此，較佳地，連接部34的寬度小於支撐表面31的寬度。也就是說，在支撐表面31與連接部34之間具有一寬度差。
如果一個拉緊保持單元4提供於每一帶條3中，則一個拉緊保持單元4不足以穩定地保持每一帶條3中的拉緊。因此，每一帶條3可包含從每一帶條3分出的複數個連接部34。這些連接部34在第一軸方向(X軸方向)上從每一帶條3的端部延伸出。每一連接部34連接至拉緊保持單元4。
複數個連接部34從每一帶條3分出，其中每一連接部34的寬度相比較於帶條3的一寬度更小。考慮拉緊保持單元4的一寬度，複數個連接部相鄰於支撐表面31的中心而不是支撐表面31的第二軸方向(Y 軸方向)上的兩個相面對的側面定位。也就是說，這些個連接部34按照一高度差設置於第二軸方向(Y軸方向)的外部與支撐表面31的外部之間的方式定位。
請參考第2圖及第8圖，拉緊保持單元4可包含：與連接部34相連接的一滑動托架41，以及定位於滑動托架41與支撐框架2之間的一彈性件42。拉緊保持單元4可包含一導向銷43，導向銷43用於導引滑動托架41的運動，並且同時保持彈性件42的位置。拉緊保持單元4可包含與滑動托架41相連接的一固定塊44，以便將連接部34與滑動托架41彼此相連接。
此外，一個拉緊保持單元4可包含複數個導向銷43。導向銷43可相鄰於連接部34設置。導向銷43可提供於支撐框架2的外部。導向銷43設置於支撐框架2的第四框架元件24中，並且在從支撐框架2的中心朝向第一軸方向(X軸方向)的一方向上形成。也就是說，導向銷43與連接部34相平行而設置在第四框架元件24中。
滑動托架41與導向銷43及連接部34相連接。滑動托架41與第四框架元件24相平行佈置。也就是說，滑動托架41在第二軸方向(Y軸方向)上延伸。滑動托架41可移動地提供於導向銷43中。為此，滑動托架41具有一孔，導向銷43固定地插入至此孔中。滑動托架41中包含的孔的形狀與導向銷43的形狀相對應。
滑動托架41利用固定塊44與連接部34相連接。滑動托架41可具有一槽，固定塊44固定地插入至此槽中。固定塊44插入到滑動托架41的槽中，並且與滑動托架41相連接。連接部34定位於固定塊44與滑 動托架41之間，並且連接部34透過固定塊44與滑動托架41之間的連接與滑動托架41相連接。也就是說，當固定塊44與滑動托架41相連接時，一壓力施加到連接部34，由此，連接部34與滑動托架41相連接。
彈性件42設置在第四框架元件24與滑動托架41之間，從而覆蓋導向銷43。彈性件42的一側與第四框架元件24相接觸，並且彈性件41的另一側與滑動托架41相接觸。此彈性件42由一預定的力施壓時，彈性件42設置於第四框架元件24與滑動托架41之間。也就是說，第四框架元件24與滑動托架41在第一軸方向(X軸方向)上被推動為彼此遠離。最後，壓力施加到透過彈性件42在導向銷43中可移動設置的滑動托架41，以使得滑動托架41在沿第一軸方向(X軸方向)遠離第四框架元件24的方向上定位。如果壓力透過彈性件42施加到滑動托架41，則連接於滑動托架41的連接部34以及具有連接部34的帶條3在遠離第四框架元件24的方向上受拉。
請參考第8圖，根據本發明第一實施例的兩個連接部34從帶條3分出。另外，根據本發明的第一實施例的拉緊保持單元4與每一分出的連接部34相連接。也就是說，兩個拉緊保持單元4與一個帶條3相連接。
每一連接部34提供有一對導向銷43以及一對彈性件42。另外，滑動托架41與每一連接部34相連接。
請參考第9圖，根據本發明第二實施例的三個連接部34從帶條3分出。另外，根據本發明的第二實施例的拉緊保持單元4與每一分出的連接部34相連接。也就是說，三個拉緊保持單元4與一個帶條3相連 接。
如果一個帶條3與三個拉緊保持單元4相連接，則可能透過三個拉緊保持單元4穩定地維持帶條3的張力。
根據上述本發明第一及第二實施例，連接部34的數量與拉緊保持單元4的數量可為兩個或三個，但不限於這些數量。也就是說，連接部34的數量與拉緊保持單元4的數量可大於上述的數目。
請參考第10圖，根據本發明第三實施例的兩個連接部34從帶條3分出。根據本發明第三實施例的拉緊保持單元4與兩個連接部34共同相連接。也就是說，一個拉緊保持單元4與一個帶條3相連接。
拉緊保持單元4可包含一對彈性件42以及一對導向銷43。
這裡，一對彈性件42與一對導向銷43設置於兩個連接部34之間。滑動托架41與兩個連接部34相連接。根據本發明第三實施例的拉緊保持單元4可包含兩個固定塊44，以便將這兩個連接部34與滑動托架41相連接。
請參考第11圖，根據本發明第四實施例的三個連接部34從帶條3分出。根據本發明第四實施例的拉緊保持單元4與三個連接部34共同相連接。也就是說，一個帶條3與一個拉緊保持單元4相連接。
拉緊保持單元4可包含兩對彈性件42以及兩對導向銷43。一對彈性件42與一對導向銷43設置於兩個相鄰的連接部34之間，用以由此提供兩對彈性件42以及兩對導向銷43。
滑動托架41與三個連接部34相連接。此外，設置有與連接部34的數量相對應的三個固定塊44。
下文中，將結合所附之圖式詳細描述拉緊保持單元4的一作業。
請參考第12圖，拉緊保持單元4的彈性件42通過使用彈性力推壓滑動托架41與固定至滑動托架41的連接部34及帶條3，以使得滑動托架41與帶條3受到推壓而遠離第四框架元件24。
如第12圖頂部圖式所示，即使連接部34與帶條3透過彈性件42推壓，而由於材料的性能，帶條3也保持在原來的長度。
然而，如果複數個基板(S)由帶條3支撐，並且帶條3由處理的基板(S)的熱量所加熱，則帶條3的長度增加。假定不存在拉緊保持單元4，如果帶條3的兩端固定至支撐框架2，則帶條3的中心可由於重力而下垂。然而，拉緊保持單元4將連接部34及帶條3推壓至遠離第四框架元件24的方向上。因此，雖然帶條3增加其長度，彈性件42恢復到其原本形狀，由此連接部34與帶條3透過帶條3增加的長度在遠離第四框架元件42的方向上受推送。因此，帶條3保持拉緊而不下垂。如第12圖的底部所示，一箭頭表示出帶條3的增加的長度。
當完成基板(S)的處理之後帶條3不再受到任何加熱，並且這些基板(S)從帶條3去除時，帶條3恢復到自身原來的長度。此種情況下，由於帶條3的還原力相比較於彈性件42的彈性力更大，因此如第12圖的頂部圖式所示，彈性件42恢復到一壓縮狀態。
參考第13圖，根據本發明的基板托盤1可包含至少一個安裝單元5，安裝單元5用於將複數個帶條3固定至支撐框架2上。在每一帶條3中，安裝單元5與連接拉緊保持單元4的一側相對的側面相連接。
帶條3可包含固定部35，相對於支撐表面31固定部35形成於連接部34的一相對側中。也就是說，連接部34形成於每一帶條3的一個端部，以及固定部35形成於每一帶條3的另一端部。
固定部35可由每一帶條3的端部分支而形成。因此，固定部35的一寬度相比較於支撐表面31的一寬度更小。也就是說，關於第二軸方向(Y軸方向)固定部35的一長度相比較於支撐表面31的一長度更小。然而，固定部35的寬度可與支撐表面31的寬度相同。由於帶條3的端部透過安裝單元5固定，因此簡單地描述由帶條3的端部分支出的固定部35。
每一帶條3的端部分支為兩個固定部35。這兩個固定部35的每一個連接至安裝單元5。
如果固定部35設置於第三框架元件23與安裝單元5之間，並且支撐框架2的第三框架元件23連接於安裝單元5，則固定部35安裝於支撐框架2上。第三框架元件23可設置有用於安裝單元5的一槽。
每一帶條3的一個端部透過拉緊保持單元4牽拉，並且每一帶條3的另一端部利用安裝單元5而固定，由此可能保持複數個帶條3中的拉緊。
請參考第13圖及第14圖，安裝單元5可包含一接收部51，接收部51之中用於接收固定部35。包含接收部51的安裝單元5稱為第一安裝單元5a。接收部51相比較於固定部35更大。也就是說，接收部51的尺寸在能夠接收基板(S)處理期間受熱及膨脹的固定部35的一範圍內確定。也就是說，接收部51為之中能夠接收固定部35的一預定空間。
第三框架元件23設置有用於將第一安裝單元5a的一槽。第 一安裝單元5a插入至此槽中，並且然後與第三框架元件23相連接。固定部35佈置於第三框架元件23與第一安裝單元5a之間。當第三框架元件23與第一安裝單元5a利用緊固件53彼此連接時，固定部35連接且固定於第三框架元件23及第一安裝單元5a。
第一安裝單元5a與第三框架元件23之間形成的空間為接收部51，接收部51之中用於接收固定部35。接收部51相比較於帶條3更大。
請參考第15圖，根據本發明的基板托盤1可包含複數個安裝單元5用於將複數個帶條3安裝於支撐框架2上。安裝單元5與帶條3的固定部35相連接。
帶條3分支為三個固定部35。
在這些固定部35中，相鄰於帶條3的邊緣的兩個固定部35透過上述第一安裝單元5a而安裝。將省去對第一安裝單元5a的詳細描述。
同時，定位於複數個固定部35之中的中心的固定部35由第二安裝單元5b相連接，其中第二安裝單元5b與第一安裝單元5a不相同。也就是說，第二安裝單元5b在第二軸方向(Y軸方向)上與帶條3的此中心部分相連接。
與拉緊保持單元4相關聯，其上安裝有第二安裝單元5b的部分安裝為正確地固定帶條3，從而保持帶條3的拉緊。也就是說，帶條3的一端由拉緊保持單元4牽拉，並且帶條3的另一端透過第二安裝單元5b固定，從而保持帶條3的拉緊。
第二安裝單元5b可包含用於施壓及固定帶條3的固定部35的一限制部52。也就是說，限制部52設置為限制固定部35的移動。如果 第二安裝單元5b插入並連接至第三框架元件23的槽中，則限制部52施壓固定部35以使得固定部35與第三框架元件23及第二安裝單元5b穩定地連接。
在本發明實施例的上述說明中，具有複數個第二安裝單元5b，但並非一定如此。可能提供一個或多個第二安裝單元5b。
根據本發明，可能省去第一安裝單元5a，並且固定部35利用利用第二安裝單元5b固定。
請參考第3圖，根據本發明的基板托盤1可包含用於提升基板托盤1的複數個突出片6。這些突出片6可形成於第一框架元件21及第二框架元件22中。
第一框架元件21及第二框架元件22的每一個可設置有一連接槽25，其中突出片6固定地插入至連接槽25中。連接槽25可透過去除第一框架元件21及第二框架元件22的頂表面而形成。
突出片6插入至連接槽25中，並且與第一框架元件21及第二框架元件22相連接。在第二軸方向(Y軸方向)上朝向基板托盤1的中心突出的突出片6與第一框架元件21及第二框架元件22相連接。突出片6插入至連接槽25中，並且利用另外提供的緊固件62與連接槽25相連接。
在圖式中，第一框架元件21中提供的突出片6及連接件(連接槽25)的數目為兩個，並且第二框架元件22中提供的突出片6及連接件(連接槽25)的數目為兩個，從而提供的數目為四個。然而，突出片6及連接件(連接槽25)的數目可比上述數目更大或更小。
在下文中，將參考附圖詳明描述根據本發明的實施例的基 板處理設備。
請參考第17圖及第18圖，根據本發明的基板處理設備100可包含一處理腔室110以及一基座120。此外，根據本發明的基板處理設備100可包含一腔室蓋130、一托盤傳送裝置140、以及一氣體分佈裝置160。
處理腔室110提供用於基板處理，例如，薄膜沉積處理、蝕刻處理、清洗處理等的一處理空間。處理腔室110可包含：一閘閥(圖未示)，設置為將基板托盤1裝載到處理空間中；或從處理空間卸載出基板托盤1；以及一排氣管150，用於從處理空間釋放出氣體及副產物。
腔室蓋130提供於處理腔室110上，也就是說，腔室蓋130覆蓋處理腔室110，用以由此支撐氣體分佈裝置160。在處理腔室110的頂部與腔室蓋130之間具有一個絕緣體131，以便將腔室蓋130與處理腔室110彼此電絕緣。
基座120由貫通處理腔室110之底表面的一提升軸123支撐。此種情況下，提升軸123由一波紋管122包圍。如第17圖所示，由托盤傳送裝置140支撐的基板托盤1根據提升軸驅動設備(圖未示)的驅動而提升至處理位置，或者如第18圖所示，如果位於處理位置的基板托盤1向下移動至托盤裝載/卸載位置，則基板托盤1放置於托盤傳送裝置140的一托盤傳送輥141上。
如果基座120根據提升軸驅動設備的驅動向上移動時，基座120通過在基板托盤1中提供的複數個突出片6向上移動基板托盤1。此種情況下，基板托盤1的每一帶條3放置於基座120的頂表面上。
基座120將基板托盤1上裝載的每一基板(S)加熱至適合 於基板處理的一溫度。為此，基座120可進一步包含位於其中的一加熱裝置121。
加熱裝置121將基座120加熱至一預定的溫度，從而裝載於基板托盤1上的基板(S)被加熱到適合基板處理的一溫度。加熱裝置121可包含一電阻加熱器、一熱電阻線加熱器、或一燈加熱器。因此，對齊裝載於基板托盤1上的這些個基板(S)透過基座120的溫度被加熱到適合基板處理的溫度。
托盤傳送裝置140設置為相鄰於處理腔室110的閘閥，用以由此將基板托盤1裝載於處理空間或將基板托盤1從處理空間中卸載。為此，托盤傳送裝置140可包含用於支撐基板托盤1且傳送基板托盤1的複數個驅動輥(圖未示)。此外，本發明另一實施例的一托盤供給裝置可包含用於支撐及傳送基板托盤1的一傳送帶(圖未示)，以及用於旋轉傳送帶(圖未示)的複數個驅動輥(圖未示)。
傳送托盤裝置140可包含複數個托盤傳送輥141，托盤傳送輥141與處理腔室110的閘閥相對應，提供於處理腔室110的兩個側壁。
每一托盤傳送輥141支撐根據托盤供給設備的驅動通過閘閥裝載於處理空間中的基板托盤1，並且當基板處理完成時根據輥驅動設備(圖未示)的驅動將支撐的基板托盤1裝載於托盤供給設備、另一個處理腔室或一裝載鎖定室中。
與基座120面對的氣體分佈裝置160提供於腔室蓋130的下方，並且與穿透腔室蓋130的一氣體供給管161相連接。氣體分佈裝置160將從一外部氣體供給裝置(圖未示)供給的氣體(例如，處理氣體、淨化 氣體、或用於沉積的源氣體)分佈於基座120上。為此，氣體分佈裝置160可包含：一氣體擴散空間(圖未示)，用於擴散從氣體供給管161供給的氣體；以及複數個氣體分佈孔(圖未示)，與氣體擴散空間相聯繫，以便將此氣體均勻地分佈於基座120的全部區域。
同時，如果基板處理設備對利用在處理空間中形成的電漿執行基板處理，則氣體分佈裝置160可與一外部提供的電漿電源裝置(圖未示)電連接，或者可通過氣體供給管161與此電漿電源裝置(圖未示)電連接。此種情況下，氣體分佈裝置160用作一電漿電極。
根據本發明的基板處理設備可進一步包含一覆蓋框架170，覆蓋框架170提供於處理腔室110的一內側壁以覆蓋基板托盤1的頂邊緣。
覆蓋框架170覆蓋提升至處理位置的基板托盤1的頂邊緣，用以由此防止在用於基板處理的基板托盤1中出現電弧(arcking)。覆蓋框架170可由一絕緣材料，例如陶瓷材料或具有該陶瓷材料的非金屬材料形成。
以下將描述根據本發明的使用該基板處理設備的基板處理方法。
首先，如第17圖所示，具有對準裝載於帶條3上的複數個基板的基板托盤1裝載於處理腔室110的內部，並且然後放置到托盤傳送裝置140的托盤傳送輥141上。
然後，如第18圖所示，基座120透過驅動提升軸驅動設備而提升，由此裝載於基板托盤1上的這些基板(S)定位於處理位置。
在用於提升基座120的過程期間或將每一基板(S)定位到處理位置之後，驅動提供於基座120內部的加熱裝置121以便加熱基座120，由此裝載於基板托盤1上的這些基板(S)加熱到適合於基板處理的溫度。
在用於加熱基板(S)的處理期間，基板托盤1的每一帶條3可透過基座120的溫度或處理空間的溫度膨脹，由此每一帶條3的長度可增加。因此，滑動托架41可根據彈性件42的彈性力在遠離第三框架元件23的方向上滑動，由此，連接部34可在遠離第三框架元件23的方向上受拉。因此，每一帶條3中的張力根據彈性件42的彈性力透過滑動托架133的滑動得以恆定地保持，以使得可能防止帶條3透過帶條3的熱膨脹而下垂，由此防止處理缺陷。
然後，當複數個基板(S)定位在處理位置時，氣體通過氣體分佈裝置160分佈到每一基板(S)上，由此執行基板的處理。基板處理可為透過從氣體分佈裝置160供給氣體且供給電漿電源，在基板(S)與氣體分佈裝置160之間的空間中形成電漿的處理，但是並不限於用於形成電漿的處理。基板處理可為沉積處理、蝕刻處理或淨化處理。
在完成基板處理後，基座120向下移動，從而放置於基座120上的基板托盤1放置到托盤傳送輥141上。
然後，基板托盤1根據托盤傳送輥141的驅動從處理腔室110卸載至外部。此種情況下，從處理室110卸載的基板托盤1的每一帶條3由於處理腔室110外部的周圍溫度而收縮，由此與每一帶條3相連接的滑動托架41根據每一帶條3的收縮以及彈性件42的壓縮而在靠近第三框架元件23的方向上滑動。
根據本發明，由於使用複數個帶條3支撐複數個基板(S)，因此透過增加帶條3的數量容易實現大型的基板托盤1，由此可能同時執行對於基板增加數量的基板處理，從而提高生產率。
另外，複數個基板(S)利用複數個帶條3得到支撐，並且帶條3的張力透過拉緊保持元件的彈性件得以恆定地維持，從而可以防止每一帶條3的下垂，由此預防處理缺陷，例如拾取基板(S)失敗及非均勻處理的缺陷。
本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。關於本發明所界定之保護範圍請參照所附之申請專利範圍。
1‧‧‧基板托盤
2‧‧‧支撐框架
3‧‧‧帶條
4‧‧‧拉緊保持單元
6‧‧‧突出片
21‧‧‧第一框架元件
22‧‧‧第二框架元件
23‧‧‧第三框架元件
24‧‧‧第四框架元件
S‧‧‧基板

Claims (16)

  1. 一種基板托盤，包含：複數個帶條，用於支撐在一第一軸方向上排列的複數個基板；以及一支撐框架，在與該第一軸方向相垂直的一第二軸方向上與該些帶條相連接，其中在關於該第二軸方向上每一該些帶條的一長度相比較於該基板的一長度更大，該基板托盤進一步包含穿透該帶條的一傳送部，以便將熱從該帶條的一底部傳送至在該帶條上支撐的該基板。
  2. 如請求項1所述之基板托盤，其中該些帶條在該第二軸方向上以固定間隔提供，並且與該支撐框架相連接。
  3. 如請求項1所述之基板托盤，其中該傳送部形成為相比較於該基板的一尺寸相對更小的一預定尺寸，以便穩定地支撐該帶條上的該基板，並且該些傳送部以固定間隔提供於該帶條中。
  4. 如請求項1所述之基板托盤，其中該帶條包含用於支撐該基板的一支撐表面，以及從該支撐表面突出的複數個突起部，並且該些突起部與該支撐表面上支撐的該基板的每一側相接觸。
  5. 如請求項1所述之基板托盤，其中該些帶條包含用於支撐各該些基板的一支撐表面，以及從該支撐表面突出的複數 個突起部，並且該些突起部提供為相距該支撐表面上支撐的該基板的每一側一預定間隔。
  6. 如請求項4或5所述之基板托盤，其中該支撐表面與該突起部形成為一體。
  7. 如請求項4或5所述之基板托盤，其中該突起部透過彎曲該支撐表面形成。
  8. 如請求項1所述之基板托盤，進一步包含用於維持每一該些帶條中的張力的複數個拉緊保持單元，其中每一該些帶條包含與該拉緊保持單元相連接的一連接部，以及其中每一該些拉緊保持單元包含與該連接部相連接的一滑動托架，以及定位於該滑動托架與該支撐框架之間的一彈性件。
  9. 如請求項8所述之基板托盤，其中每一該些帶條包含該些連接部，並且每一該些滑動托架與該些連接部相連接。
  10. 如請求項8所述之基板托盤，進一步包含至少一個安裝單元，用於將各該些帶條安裝於該支撐框架上，其中各該些帶條包含用於支撐該基板的一支撐表面，以及與該安裝單元相連接的一固定部，並且該連接部與該固定部提供於關於該支撐表面的相對側面中。
  11. 如請求項1所述之基板托盤，進一步包含至少一個安裝單元，用於將各該些帶條安裝於該支撐框架上， 其中各該些帶條包含與該安裝單元相連接的一固定部，並且該安裝單元固定部包含其中用於接收該固定部的一接收部，其中該接收部的一尺寸相比較於該固定部的一尺寸更大。
  12. 如請求項1所述之基板托盤，進一步包含至少一個安裝單元，用於將各該些帶條安裝於該支撐框架上，其中各該些帶條包含與該安裝單元相連接的一固定部，並且該安裝單元包含用於限制該固定部的運動的一限制部。
  13. 一種基板托盤，包含：複數個帶條，用於支撐在一第一軸方向上排列的複數個基板；以及一支撐框架，在與該第一軸方向相垂直的一第二軸方向上與該些帶條相連接，其中在關於該第二軸方向上的每一該些帶條的一長度與該基板的一長度相同，該基板托盤進一步包含穿透該帶條的一傳送部，以便將熱從該帶條的一底部傳送至在該帶條上支撐的該基板。
  14. 一種基板處理設備，包含：一處理腔室，用於提供一處理空間；一基座，可移動地提供於該處理腔室中；以及一基板托盤，裝載於該處理空間中且透過該基座支撐， 其中該基板托盤包含：複數個帶條，用於支撐在一第一軸方向上排列的複數個基板；以及一支撐框架，在與該第一軸方向相垂直的一第二軸方向上與該些帶條相連接，其中在關於該第二軸方向上的每一該些帶條的一長度相比較於該基板的一長度更大，該基板托盤進一步包含穿透該帶條的一傳送部，以便將熱從該帶條的一底部傳送至在該帶條上支撐的該基板。
  15. 一種基板處理設備，包含：一處理腔室，用於提供一處理空間；一基座，可移動地提供於該處理腔室中；以及一基板托盤，裝載於該處理空間中且透過該基座支撐，其中該基板托盤包含：複數個帶條，用於支撐在一第一軸方向上排列的複數個基板；以及一支撐框架，在與該第一軸方向相垂直的一第二軸方向上與該些帶條相連接，其中在關於該第二軸方向上的每一該些帶條的一長度與該基板的一長度相同，其中該基板托盤進一步包含朝向該支撐框架中的 該些帶條突出的複數個突出片，並且該基座上下移動該些突出片以便上下移動該基板托盤。
  16. 如請求項14或15所述之基板處理設備，其中該基板托盤進一步包含穿透該帶條的一傳送部，以便將從該基座發出的熱傳送至該帶條上支撐的該基板。
TW102140356A 2012-11-07 2013-11-06 基板托盤以及包含該基板托盤的基板處理設備 TWI600109B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120125342A KR101698536B1 (ko) 2012-11-07 2012-11-07 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201426902A TW201426902A (zh) 2014-07-01
TWI600109B true TWI600109B (zh) 2017-09-21

Family

ID=50684875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102140356A TWI600109B (zh) 2012-11-07 2013-11-06 基板托盤以及包含該基板托盤的基板處理設備

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150279619A1 (zh)
KR (1) KR101698536B1 (zh)
CN (1) CN104937707B (zh)
TW (1) TWI600109B (zh)
WO (1) WO2014073831A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017222974A1 (en) * 2016-06-21 2017-12-28 Applied Materials, Inc. Rf return strap shielding cover
CN106048553B (zh) * 2016-08-12 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜性能测试中的制片的方法
US10796936B2 (en) * 2016-12-22 2020-10-06 Invensas Bonding Technologies, Inc. Die tray with channels
KR101950499B1 (ko) * 2017-04-12 2019-02-20 주식회사 케이씨이노베이션 기판 열처리 장치
KR101940017B1 (ko) 2017-08-03 2019-01-18 김기현 트레이 이송장치
KR102447833B1 (ko) * 2018-02-09 2022-09-27 주성엔지니어링(주) 전력 인터페이스
CN108231963A (zh) * 2018-03-12 2018-06-29 黄琴 一种超长柔性led光源涂胶装置
KR102535194B1 (ko) * 2018-04-03 2023-05-22 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR102610287B1 (ko) * 2018-08-24 2023-12-06 (주)테크윙 테스트트레이 및 전자부품 테스트용 핸들러
KR102135806B1 (ko) * 2019-01-03 2020-07-20 주식회사 엘지화학 진단용 트레이 조립체
CN110190018A (zh) * 2019-07-01 2019-08-30 深圳市石金科技股份有限公司 一种拼接式的硅片承载框
FR3104175B1 (fr) * 2019-12-06 2022-07-22 Commissariat Energie Atomique Nacelle pour dispositif de depot chimique en phase vapeur assiste par plasma
KR102507370B1 (ko) * 2021-03-04 2023-03-07 (주)한빛테크놀로지 반송용 지그
FR3131078A1 (fr) * 2021-12-16 2023-06-23 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Plateau de support de substrat pour depot de matériau sur des bords d’une face du substrat
CN114318278A (zh) * 2021-12-24 2022-04-12 南通玖方新材料科技有限公司 一种可调平面度的硅片承载装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040229477A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-18 Daniel Timothy J. Apparatus and method for producing a <111> orientation aluminum film for an integrated circuit device
KR101002941B1 (ko) * 2003-10-29 2010-12-21 주성엔지니어링(주) 기판트레이를 포함하는 공정챔버와 이를 이용한 기판의로딩 또는 언로딩 방법
JP2006045663A (ja) 2004-07-06 2006-02-16 Ulvac Japan Ltd 基板への蒸着被膜の形成方法および搬送トレイ
KR101165466B1 (ko) * 2005-08-31 2012-07-13 엘지디스플레이 주식회사 캐리어 및 이를 구비한 공정 장치
EP2009685A4 (en) * 2006-04-19 2013-05-22 Ulvac Inc VERTICAL SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND FILM DEPOSITION EQUIPMENT
JP2009174060A (ja) * 2009-04-28 2009-08-06 Canon Anelva Corp 成膜装置の基板トレイ
EP2453472A1 (en) * 2010-11-16 2012-05-16 Applied Materials, Inc. Pallet For High Temperature Processing
KR101753079B1 (ko) * 2011-01-14 2017-07-19 주성엔지니어링(주) 트레이와 이를 이용한 기판 처리 장치
KR101669082B1 (ko) * 2011-04-06 2016-10-25 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템 및 그에 사용되는 트레이

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014073831A1 (ko) 2014-05-15
CN104937707B (zh) 2017-07-28
TW201426902A (zh) 2014-07-01
KR101698536B1 (ko) 2017-01-20
KR20140058902A (ko) 2014-05-15
CN104937707A (zh) 2015-09-23
US20150279619A1 (en) 2015-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI600109B (zh) 基板托盤以及包含該基板托盤的基板處理設備
JP4860167B2 (ja) ロードロック装置，処理システム及び処理方法
US9324597B2 (en) Vertical inline CVD system
TWI579394B (zh) 用於基板之載具及組裝該載具之方法
TWI313574B (en) Rf current return path for a large area substrate plasma reactor
KR100636487B1 (ko) 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법
TW529066B (en) Chamber for uniform substrate heating
US6435868B2 (en) Multi-function chamber for a substrate processing system
KR101312676B1 (ko) 액티브 냉각 기판 지지체
US20060011137A1 (en) Shadow frame with mask panels
TWI724203B (zh) 基板加熱裝置以及基板加熱方法
JP2006121054A (ja) Ｐｅｃｖｄサセプタ支持構造体
JP5192719B2 (ja) 加熱装置および基板処理装置
WO2019227692A1 (zh) 用于镀膜的承载托盘、硅片承载装置及硅片传输系统
KR101669082B1 (ko) 기판처리시스템 및 그에 사용되는 트레이
KR101035828B1 (ko) 균일한 기판 가열을 위한 챔버
TWI413163B (zh) Vacuum processing device and vacuum treatment method
JP5052017B2 (ja) プラズマ装置およびそれを用いた太陽電池素子の製造方法
US20100003629A1 (en) Substrate firing device
KR101904802B1 (ko) 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20170045183A (ko) 워크 적재 장치
KR20190024670A (ko) 기판 가열 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 가열 방법
JP2012221987A (ja) 基板カート、薄膜形成装置および太陽電池製造用薄膜形成装置
KR101669081B1 (ko) 기판처리시스템 및 그에 사용되는 트레이
US20110058919A1 (en) Mechanical modularity chambers